CN101336394A - 反射型光掩模基板及其制造方法、反射型光掩模、半导体器件的制造方法 - Google Patents

Abstract

反射型光掩模基板(10)包括：衬底(1)、在衬底(1)上形成并反射曝光用光的多层反射膜(2)、在多层反射膜(2)上形成并保护多层反射膜(2)的保护膜(3)、在保护膜(3)上并吸收曝光用光的吸收体层(5)、在吸收体层(5)和保护膜(3)之间形成并对吸收体层(5)的曝光转印图案形成时进行的蚀刻有抗腐蚀性的缓冲膜(4)，保护膜(3)是含Zr和Si的化合物、或是含Zr和Si以及O或N中的至少任意一种的化合物、或是含Ru、C、或Y中的至少任意一种的单质或化合物。

Description

反射型光掩模基板及其制造方法、反射型光掩模、半导体器件的制造方法

技术领域

本发明涉及在光刻法中用于半导体器件制造等的反射型光掩模基板及其制造方法、反射型光掩模以及半导体器件的制造方法。尤其涉及使用了软X射线区域的超紫外线、即EUV(Extreme Ultra Violet)光的光刻法。

本申请基于2006年3月30日在日本申请的专利申请2006-93304号和2006年9月15日在日本申请的专利申请2006-251160号要求优先权，在此援引其内容。

背景技术

以往，在半导体元件制造中，利用光刻法向Si衬底上进行所需的图案转印时，作为光源，一直使用灯光源(波长365nm)或准分子激光器(excimerlaser)光源(KrF：波长248nm，ArF：波长193nm)。伴随着近年的半导体元件高集成化，向Si衬底上转印所需的图案的精细化不断加速，尤其是建立可进行100nm以下的精细加工的新型光刻法成为当务之急。因此，目前，正在开发利用作为更短波长区域的准分子激光的F2激光(波长157nm)的光刻法。但是，通常，曝光用光波长的一半这一尺寸是实质上的分辨极限，因此，即便使用了F2激光，70nm左右的加工也成为极限。因此，期待开发一种光刻法，将具有比F2激光短1个数量级以上的短波长的EUV光(波长13.5nm)作为光源。

在使用了EUV光的EUV光刻法中，使用基于反射光学***的曝光。这是因为EUV光的波长区域的物质的折射率为比1稍小的程度，不能使用作为现有的曝光源来使用的折射光学***。并且，在现有的图案转印中使用了透射型光掩模，但在EUV光的波长区域，因为大部分物质具有高吸光性，所以使用反射型光掩模。

作为这样的EUV光刻法中的反射型光掩模，提出了在衬底上使用由能够反射EUV光的多层反射膜和在多层反射膜上形成的EUV光吸收率高的材质的吸收体层构成的反射型光掩模基板的方案(例如，参照专利文献1)。更详细地说，多层反射膜具有周期性沉积了对EUV光的波长的折射率彼此差别很大的2种以上的材料层的结构。并且，吸收体层具有含氮化钽的膜和含钽的膜的层叠结构。而且，通过将该吸收体层蚀刻成规定的图案，能够将EUV光以规定的图案反射至多层反射膜，从而能够向Si衬底上转印图案。

专利文献1：日本特开2001-237174号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，专利文献1的反射型光掩模基板存在以下问题，即，因在吸收体层的曝光转印图案形成时进行的蚀刻，导致在吸收体层下的多层反射膜的表面部分造成损伤，由此反射率降低。

用于解决课题的手段

本发明是鉴于上述情况做出的，提供能防止蚀刻吸收体层而形成曝光转印图案时反射率降低的反射型光掩模基板及其制造方法，另外，提供在这样的反射型光掩模基板上形成了曝光转印图案的反射型光掩模以及半导体器件的制造方法。

为了解决上述课题，本发明提出以下技术方案。

本发明的反射型光掩模基板，包括：衬底，多层反射膜，其形成在该衬底上，用于反射曝光用光，保护膜，其形成在该多层反射膜上，用于保护该多层反射膜，吸收体层，其在该保护膜上吸收上述曝光用光，缓冲膜，其形成在该吸收体层和上述保护膜之间，对于在形成上述吸收体层的曝光转印图案时所进行的蚀刻具有抗腐蚀性；其中上述保护膜是含有Zr和Si的化合物，或是含有Zr和Si，以及O或N中的至少任意一种的化合物，或是含有Ru、C或Y中的至少任意一种的单质或化合物。

本发明提供一种反射型光掩模基板的制造方法，上述反射型光掩模基板包括：衬底、用于反射曝光用光的多层反射膜以及用于吸收上述曝光用光的吸收体层，该制造方法包括：多层反射膜形成工序，在上述衬底上形成上述多层反射膜，保护膜形成工序，在惰性气体环境下，或在含有惰性气体，和氧或氮中的至少任意一种的混合气体环境下，进行以ZrSi合金、Ru或Y为靶材的溅射，或进行以含有C的化合物为原料气体的CVD，以此在该多层反射膜上形成保护膜，缓冲膜形成工序，在该保护膜上通过进行溅射来形成缓冲膜，其中，在上述溅射中，靶材的材质对于在形成上述吸收体层的曝光转印图案时所进行的蚀刻具有抗腐蚀性，吸收体层形成工序，在该缓冲膜上形成上述吸收体层。

按照这些发明所涉及的反射型光掩模基板，当在吸收体层通过蚀刻形成了曝光转印图案时，在吸收体层下形成的对蚀刻具有抗腐蚀性的缓冲膜作为蚀刻阻止膜起作用。因此，能防止蚀刻造成的损伤达到下层。此外，在通过蚀刻除去露出的缓冲膜时，由含Zr和Si的化合物、或是含Zr和Si以及O或N中的至少任意一种的化合物、或是含Ru、C、或Y中的至少任意一种的单质或化合物形成的保护膜作为蚀刻阻止膜起作用。因此，能防止蚀刻造成的损伤达到多层反射膜，能防止多层反射膜的反射率降低。

并且，在上述反射型光掩模基板中，上述保护膜和上述缓冲膜形成为兼作该保护膜和该缓冲膜的单层的兼用膜，该兼用膜是含有Zr和Si的化合物，或是含有Zr和Si，以及O或N中的至少任意一种的化合物，或是含有Ru、C或Y中的至少任意一种的单质或化合物。

本发明的反射型光掩模基板包括：衬底，多层反射膜，其形成在该衬底上，用于反射曝光用光，吸收体层，其形成在该多层反射膜的上方，用于吸收上述曝光用光，单层的兼用膜，其形成在上述多层反射膜和上述吸收体层之间，用于保护上述多层反射膜，而且对于在形成上述吸收体层的曝光转印图案时所进行的蚀刻具有抗腐蚀性；其中该兼用膜是含用Zr和Si的化合物，或是含用Zr和Si，以及O或N中的至少任意一种的化合物，或是含用Ru、C或Y中的至少任意一种的单质或化合物。

此外，本发明提供一种反射型光掩模基板的制造方法，上述反射型光掩模基板包括：衬底、用于反射曝光用光的多层反射膜以及用于吸收上述曝光用光的吸收体层，该制造方法包括：多层反射膜形成工序，在上述衬底上形成上述多层反射膜，兼用膜形成工序，在惰性气体环境下，或在含有惰性气体，和氧或氮中的至少任意一种的混合气体环境下，进行以ZrSi合金、Ru或Y为靶材的溅射，或进行以含有C的化合物为原料气体的CVD，以此在该多层反射膜上形成兼用膜，吸收体层形成工序，在该兼用膜上形成上述吸收体层。

按照这些发明所涉及的反射型光掩模基板，兼用膜由含Zr和Si的化合物、或是含Zr和Si以及O或N中的至少任意一种的化合物、或是含Ru、C、或Y中的至少任意一种的单质或化合物形成，由此能够防止蚀刻吸收体层时的多层反射膜的损伤。另外，因为能够做成单层膜所以能够谋求成膜工序的简化、薄膜化。

上述兼用膜对于EUV光具有透明性，所以在具有兼用膜的状態下，在实用上也不会产生影响导致多层膜反射率降低。因此，在将吸收体层图形化后，不必除去兼用膜。由此，具有能够省略剥离缓冲膜和缓冲膜剥离后进行的吸收层图案的检查及修正的工序的效果。此时，因为是省略缓冲膜的结构，所以仅在吸收体层形成图案。因此，能够使形成图案的部位薄。在反射型光掩模上，EUV光有角度地入射并反射。因此，形成图案的部位越薄，图案转印的精度越高。

更优选的是，在具有上述兼用膜的光掩模基板上设置多层上述兼用膜。

此外，本发明提供一种反射型光掩模基板的制造方法，上述反射型光掩模基板包括：衬底、用于反射曝光用光的多层反射膜以及用于吸收上述曝光用光的吸收体层，该制造方法包括：多层反射膜形成工序，在上述衬底上形成上述多层反射膜，兼用膜形成工序，在惰性气体环境下，或在含有惰性气体，和氧或氮中的至少任意一种的混合气体环境下，进行以ZrSi合金、Ru或Y为靶材的溅射，或进行以含C的化合物为原料气体的CVD，以此在该多层反射膜上层叠形成多层兼用膜，吸收体层形成工序，在该兼用膜上形成上述吸收体层。

按照这些发明所涉及的反射型光掩模基板，通过做成具有多层的兼用膜的光掩模基板，能够灵活解决兼用膜所要求的抗腐蚀性和透射性。例如，通过在吸收膜正下方的层形成由蚀刻抗腐蚀性和修正抗腐蚀性高的材料形成的层，并在其下层形成由EUV光的透射率高的材料形成的层，能够防止吸收体层图形化时和图案修正时对多层反射膜的蚀刻损伤，能够获得抑制反射区域的反射率下降的特性。

此外，优选的是，在上述反射型光掩模基板中，蚀刻上述吸收体层来形成曝光转印图案时，上述兼用膜的蚀刻速率为对上述吸收体层的蚀刻速率的1/20以下。

按照本发明所涉及的反射型光掩模基板，兼用膜的蚀刻速率是吸收体层的蚀刻速率的1/20以下，由此能够使蚀刻吸收体层时的兼用膜的损伤在最小限度，即防止其下层的多层反射膜损伤。

优选的是，在上述反射型光掩模基板中，在蚀刻上述吸收体层来形成曝光转印图案时，多层上述兼用膜中的最上层的蚀刻速率为对上述吸收体层的蚀刻速率的1/20以下。

按照本发明所涉及的反射型光掩模基板，兼用膜中的最上层的蚀刻速率是吸收体层的蚀刻速率的1/20以下，由此能够使蚀刻吸收体层时的兼用膜的最上层的损伤在最小限度，即防止其下层的兼用膜的下层部分和多层反射膜的损伤。

本发明的反射型光掩模的特征在于，蚀刻上述反射型光掩模基板的吸收体层而形成了曝光转印图案。

本发明的反射型光掩模形成有曝光转印图，上述曝光转印图是对通过上述反射型光掩模基板的制造方法制成的反射型光掩模基板的吸收体层进行蚀刻来形成的。

按照本发明所涉及的反射型光掩模基板，在吸收体层被蚀刻的部分形成有良好反射率的反射区域。因此，通过照射曝光用光，利用该反射区域和吸收体层，能够具有良好的对比度来进行图案转印。

此外，本发明的半导体器件的制造方法，包括转印工序，在该转印工序中，对上述反射型光掩模照射作为上述曝光用光的超紫外线，通过该反射型光掩模的上述多层反射膜所反射的反射光来曝光设置在半导体衬底上的抗蚀剂层，由此向该抗蚀剂层转印上述反射型光掩模的上述吸收体层的图案。

按照本发明所涉及的半导体器件的制造方法，在转印工序中，对上述反射型光掩模照射超紫外线来进行图案转印，由此能进行70nm以下的精细加工。

发明的效果

按照本发明的反射型光掩模基板和反射型光掩模基板的制造方法，具有缓冲膜和保护膜，由此，在蚀刻吸收体层而形成曝光转印图案时，能够防止反射率降低。

按照本发明的反射型光掩模，能够防止多层反射膜的损伤而获得良好的反射率，由此能进行具有良好对比度的图案转印。

按照本发明的反射型光掩模，具有兼作保护膜和缓冲膜的兼用膜，由此，具有能够省略剥离缓冲膜和缓冲膜剥离后进行的吸收层图案的检查及修正的工序的效果。

按照本发明的半导体器件的制造方法，用使用了这样的反射型光掩模的专业工序进行图案转印，由此，能够实施与作为曝光用光的超紫外线的波长对应的70nm以下的精细加工的半导体器件的制造。

附图说明

图1是本发明的第1实施方式的反射型光掩模基板的剖视图。

图2是本发明的第1实施方式的反射型光掩模的制造工序的说明图。

图3是本发明的第1实施方式的反射型光掩模的剖视图。

图4是本发明的第2实施方式的反射型光掩模基板的剖视图。

图5是本发明的第2实施方式的反射型光掩模的剖视图。

图6是表示本发明的第2实施方式的反射型光掩模中将ZrSi、ZrSiO各化合物作为兼用膜以单层使用时的、EUV光的反射率相对于膜厚变化的模拟结果。

图7是本发明的第3实施方式的反射型光掩模基板的剖视图。

图8是本发明的第3实施方式的反射型光掩模的剖视图。

图9是针对各材料绘制的图，其中，横轴表示对EUV光(13.5nm)的折射率，纵轴表示对EUV光(13.5nm)的消光系数。

图10是模拟结果，表示在本发明的第3实施方式的反射型光掩模中，将ZrSi成膜为3.0nm、4.0nm、5.0nm这3种来作为兼用膜下层，并在其上成膜ZrSiO来作为兼用膜上层时的膜厚变化时的EUV光的反射率。

附图标记的说明

1……衬底；2……多层反射膜；3……保护膜；4……缓冲膜；4a……露出区域的缓冲膜；4b……缓冲膜图案；44……露出区域的缓冲膜的表面；5……吸收体层；5a……吸收体层图案；6……抗蚀剂层；6a……抗蚀剂图案；31……兼用膜；31a……兼用膜上层；31b……兼用膜下层；311、312……除去吸收体层而露出的反射区域；33……露出的反射区域；10、20、50……反射型光掩模基板；30、40、60……反射型光掩模。

具体实施方式

(第1实施方式)

图1至图3表示本发明的实施方式。如图1所示，本实施方式的反射型光掩模基板10包括：衬底1、在衬底1上形成的多层反射膜2、在多层反射膜2上形成的保护膜3、在保护膜3上形成的缓冲膜4、在缓冲膜4上形成的吸收体层5。更详细地说，衬底1为Si衬底或合成石英衬底等。多层反射膜2反射作为曝光用光的EUV光(超紫外线)，由基于对EUV光的折射率差别较大的材料组合的多层膜构成。例如，作为多层反射膜2，通过将Mo和Si、或Mo和Be这样的组合的层反复沉积40个周期左右而形成。

另外，吸收体层5在像后述那样进行干蚀刻而形成为规定的曝光转印图案时吸收被照射的EUV光，即，从具有对EUV光具有高吸收性的重金属中选择。作为这样的重金属，可以优选使用以Ta为主要成分的合金。并且，作为这样的吸收体层5的结晶状态，为了得到平滑性高的吸收体层表面，或为了利用干蚀刻进行吸收体层的各向异性蚀刻，优选非晶态。例如，在Ta的情况下，可通过做成含有适量Si的合金(以下记为TaSi类吸收体)进行非晶化处理。

此外，缓冲膜4由对吸收体层5的曝光转印图案形成时进行的干蚀刻而具有抗腐蚀性的材质形成，在蚀刻吸收体层5时，发挥防止对下层的损伤的蚀刻阻止膜的作用。即，例如通过以Ru为靶材的溅射形成。

保护膜3用于保护多层反射膜2，在蚀刻缓冲膜4而进行除去时，作为防止对多层反射膜2的损伤的蚀刻阻止膜起作用。保护膜3由含Zr和Si的化合物(以下记为ZrSi)，或者是含Zr和Si，以及O或N中的至少任意一种的化合物(以下用ZrSiO和ZrSiN记述)，或者是含Ru、C或Y中的至少一种的单质或化合物(以下用Ru、C以及Y记述)形成。如后述那样，在对吸收体层5和缓冲膜4进行干蚀刻时，在以蚀刻速率大的氯气为主体的蚀刻环境下进行。而且，在该蚀刻环境下的ZrSi、ZrSiO、ZrSiN、Ru、C以及Y的抗腐蚀性都很好。表1分别示出在TaSi类吸收体蚀刻环境下TaSi类吸收体相对于ZrSi、ZrSiO、ZrSiN各化合物的蚀刻选择比。从表1可知，TaSi类吸收体的选择比对于各ZrSi类化合物即ZrSi、ZrSiO、ZrSiN中的任意一个都较大，具有20以上的选择性。

【表1】

对ZrSi	对ZrSiO	对ZrSiN
			20.38	26.50	31.18

这样的保护膜3例如在由ZrSi形成的情况下，通过在Ar等惰性气体环境下进行以ZrSi合金为靶材的溅射而形成。此外，在由ZrSiO或ZrSiN形成的情况下，通过在Ar等惰性气体和氧或氮的混合气体环境下进行以ZrSi合金为靶材的溅射而形成。另外，在由Ru或Y形成的情况下，通过在Ar等惰性气体环境下进行以Ru或Y为靶材的溅射而形成。此外，在由C形成情况下，通过使原料气体进行CVD而形成。

如图2和图3所示，对这样的反射型光掩模基板10的吸收体层5和缓冲膜4，如上述那样在以氯气为主体的蚀刻环境下进行干蚀刻，来制造在吸收体层5上形成了曝光转印图案的反射型光掩模30。以下，基于实施例1详细说明本实施方式的反射型光掩模基板10及其制造方法以及反射型光掩模30的制造细节。

【实施例1】

在图1所示的反射型光掩模基板10中，使用外形为6英寸见方、厚度为0.25英寸且表面研磨成平坦面的合成石英作为衬底1。而且，首先，作为多层反射膜形成工序，在衬底1上通过DC磁控溅射将Mo和Si交替沉积40个周期左右，制造出对波长13-14nm区域的EUV光的反射率为最大的多层反射膜2。此时由Mo和Si构成的1个周期的膜厚为7nm，其中Mo的膜厚为2.8nm，Si的膜厚为4.2nm。

接下来，作为保护膜形成工序，在多层反射膜2上通过DC磁控溅射形成了保护膜3。即，作为溅射靶，使用Zr和Si的比为1∶3的ZrSi合金靶，对该ZrSi合金靶在气压0.25Pa的Ar环境下施加DC300W，形成由ZrSi构成且膜厚为10nm的膜。

接下来，作为缓冲膜形成工序，在保护膜3上通过DC磁控溅射形成了缓冲膜4。即，使用施加了DC300W的Ru靶，在气压0.25Pa的Ar环境下形成由Ru构成且膜厚为4nm的膜。

最后，作为吸收体层形成工序，在缓冲膜4上通过DC磁控溅射形成了吸收体层5。吸收体层5由2层膜构成。首先，通过在使用了TaSi合金靶和Ta靶的Ar气环境下的双靶溅射，来进行膜厚75nm的成膜。接着，通过在使用了Ta靶和Si靶的Ar/O₂/N₂混合气体环境下的双靶溅射，进行膜厚27nm的成膜。

通过以上工序能够得到反射型光掩模基板10，但此时，吸收体层5的掩模基板最外层表面的表面粗糙度为0.38nmRms，具有良好的表面平滑性。另外，在波长为193nm的状态下吸收体层5的反射率2.15％，在波长为257nm的状态下吸收体层5的反射率1.21％，从而能够在检测用的DUV光波长区域得到足够的反射率特性。

接下来，详细说明在反射型光掩模基板10的吸收体层5上形成曝光转印图案，从而制造反射型光掩模30。首先，如图2所示，在吸收体层5上涂敷正型电子束抗蚀剂(FEP-171；富士フイルムア一チ制)，形成抗蚀剂层6。接下来，通过EB描绘、显影这样的光刻工序形成抗蚀剂图案6a。进一步，以该抗蚀剂图案6a为掩模，用ICP放电方式的干蚀刻装置来蚀刻吸收体层5，由此得到图2所示的吸收体层图案5a。此时的干蚀刻在Cl₂/He＝40/65[sccm]的混合气体构成的气压为5mTOrr的环境下，以偏压功率40W和源功率200W进行。

在此，残留吸收体层图案5a，在作为通过除去吸收体层5而露出的区域的缓冲膜4a的表面44，波长为257nm的状态下的反射率为50.83％。另一方面，在剥离了抗蚀剂图案6a后的吸收体层图案5a表面，在波长为257nm的状态下反射率为1.35％。其结果，在作为露出区域的缓冲膜4a的表面44处的反射光和吸收体图案5a的表面处的反射光之间，能够得到94.8％的良好的对比度值。

接下来，除去露出区域的缓冲膜4a。即，通过以吸收体层图案5a为掩模进行使用了Cl₂/O₂混合气体的干蚀刻来形成缓冲膜图案4b，从而得到图3所示的本发明的反射型光掩模30。此时，因为在面内均匀地、无残留地除去作为露出区域的缓冲膜4a，所以进行了30％过蚀刻，但下层的保护膜3处的蚀刻量为1nm以下，由Ru构成的缓冲膜4相对于由ZrSi构成的保护膜3的选择比为18.64，具有足够的抗腐蚀性。

最后，在除去了吸收体层5和缓冲膜4的反射区域33的表面以及吸收体图案5a的表面测量波长为257nm状态下的反射率，结果分别为61.3％、1.33％。即，露出的反射区域33的反射率非常高，可以确认没有对多层反射膜2带来损伤。并且，其结果，在反射区域33的反射光和吸收体图案5a的表面的反射光之间，可得到高达95.8％的对比度值，在检测波长(257nm)状态的光学特性良好。

如上所述，通过反射型光掩模基板10，由于具有缓冲膜4和保护膜3，因此在蚀刻吸收体层5而形成曝光转印图案时，能够防止多层反射膜2的反射率降低。另外，通过由反射型光掩模基板10制成的反射型光掩模30，能够防止对多层反射膜的损伤而获得良好的反射率，由此能够进行具有良好对比度的图案转印。即，这样的反射型光掩模30，通过照射EUV光，能够进行70nm以下这样的精细的图案转印。

(第2实施方式)

图4和图5示出了本发明的第2实施方式。在本实施方式中，对上述实施方式中使用过的部件和公共的部件标记相同附图标记并省略其说明。

本实施方式的反射型光掩模基板20包括衬底1、多层反射膜2、吸收体层5，并且，在多层反射膜2和吸收体层5之间，形成有兼作上述保护膜3和缓冲膜4的单层的兼用膜31。即，兼用膜31保护多层反射膜2，并且，在蚀刻吸收体层5时，作为防止对多层反射膜2的损伤的蚀刻阻止膜起作用。兼用膜31由含Zr和Si的化合物(ZrSi)、或者含Zr和Si以及O或N中的至少任意一种的化合物(例如ZrSiO、ZrSiN)、或者含Ru、C或Y中的至少任意一种的单质或化合物(例如Ru、C、Y)形成。而且，在这样的兼用膜31例如由ZrSi形成的情况下，通过在Ar等惰性气体环境下进行以ZrSi合金为靶材的溅射而形成。在由ZrSiO或ZrSiN形成的情况下，通过在Ar等惰性气体和氧或氮的混合气体环境下进行以ZrSi合金为靶材的溅射而形成。此外，在由Ru或Y形成的情况下，通过在Ar等惰性气体环境下进行以Ru或Y为靶材的溅射而形成。此外，在由C形成的情况下，通过使原料气体进行CVD而形成。

而且，通过对这样的反射型光掩模基板20的吸收体层5在以氯气为主体的蚀刻环境下进行干蚀刻，来制造在吸收体层5上形成了曝光转印图案的反射型光掩模40。以下，基于实施例2详细说明本实施方式的反射型光掩模基板20及其制造方法以及反射型光掩模40。

【实施例2】

在图4所示的反射型光掩模基板20中，衬底1和多层反射膜2以及作为其制造工序的多层反射膜形成工序的细节与实施例1相同，因此省略。

接下来，作为兼用膜形成工序，在多层反射膜2上通过DC磁控溅射形成了兼用膜31。即，作为溅射靶，使用Zr和Si的比为1∶2的ZrSi合金靶，对该ZrSi合金靶，在气压0.25Pa的Ar/O₂混合气体环境下施加DC300W，进行了由ZrSiO构成的膜厚10nm的成膜。而且，与实施例1相同，作为吸收体层形成工序形成吸收体层5，能够获得反射型光掩模基板20。

接下来，以经过抗蚀剂涂敷、EB描绘、显影这些光刻工序形成的抗蚀剂图案为掩模，通过与实施例1相同的方法进行吸收体层5的干蚀刻，形成吸收体图案5a，获得图5所示的反射型光掩模40。在吸收体层5的干蚀刻中，虽然以在面内均匀无残留地除去吸收体层5为目的进行了20％的过蚀刻，但兼用膜31的蚀刻量在2nm以下，根据表1，由TaSi类构成的吸收体层5相对于由ZrSiO构成的兼用膜31的选择比为26.50，吸收体层5的干蚀刻环境下的兼用膜31的抗腐蚀性良好。最后，在除去了吸收体层5的反射区域311的表面以及吸收体图案5a的表面测量波长为257nm状态下的反射率，结果分别为60.4％、1.53％。即，反射区域311的反射率非常高，可以确认没有对多层反射膜2带来损伤。该结果，在反射区域311的反射光和吸收体图案5a的表面的反射光之间，可得到高达95.1％的对比度值，在检测波长(257nm)状态下的光学特性良好。

【实施例3】

接下来，在多层反射膜2之上单层成膜ZrSi、ZrSiO、ZrSiN来作为兼用膜31的结构中，模拟EUV光反射率相对于ZrSi、ZrSiO、ZrSiN的膜厚变化而变化。其结果如图6所示。如图6所示，可知对EUV光的透明性按ZrSi、ZrSiN、ZrSiO的顺序示出由高到低的值。

即，由图6所示的结果，将由ZrSi、ZrSiO、ZrSiN形成的各10nm厚的单层膜作为兼用膜31使用，设想对通过局部蚀刻来除去吸收体层5而露出的反射区域311处的EUV波长的模拟结果，示出ZrSi或ZrSiN的单层的兼用膜31的EUV光反射率比ZrSiO的单层的兼用膜31的EUV光反射率高。因此，可以确认，由ZrSi、ZrSiN构成的兼用膜31能够得到与由ZrSiO构成的兼用膜31等同的或比由ZrSiO构成的兼用膜31更高的对比度值。

如上所述，通过反射型光掩模基板20，由于具有兼用膜31，在蚀刻吸收体层5而形成曝光转印图案时能够防止反射率下降。并且，通过将保护膜和缓冲膜作为兼作保护膜和缓冲膜的单层膜即兼用膜31，能够谋求成膜工序的简化及薄膜化。

此外，通过由反射型光掩模基板20制成的反射型光掩模40，与第1实施方式相同，能进行具有良好对比度的图案转印，通过照射EUV光，能进行70nm以下这样的精细的图案转印。

(第3实施方式)

图7和图8示出了本发明的第3实施方式。在本实施方式中，对上述实施方式中使用过的部件和公共的部件标记相同附图标记并省略其说明。

本实施方式的反射型光掩模基板50包括衬底1、多层反射膜2、吸收体层5，并且，在多层反射膜2和吸收体层5之间，形成有兼作保护膜3和缓冲膜4的兼用膜31。在此，兼用膜31是多个兼用膜的层叠结构，在本实施方式中，由兼用膜上层31a和兼用膜下层31b这两层构成。而且，例如，如果在兼用膜上层31a以所需最小限度的厚度成膜吸收膜蚀刻抗腐蚀性高的材料，并对于兼用膜下层31b使用EUV光透射性优良的材料，则能够抑制掩模对EUV光的反射率下降，同时具有更良好的蚀刻抗腐蚀性。在此，兼用膜31由含Zr和Si的化合物(ZrSi)、或者含Zr和Si以及O或N中的至少任意一种的化合物(例如ZrSiO、ZrSiN)、或者含Ru、C或Y中的至少任意一种的单质或化合物(例如Ru、C、Y)形成。而且，兼用膜上层31a和兼用膜下层31b的特性可利用上述化合物的组成进行控制。此外，兼用膜31不限于兼用膜上层31a和兼用膜下层31b这两层，也可以由更多层形成。

图9示出了各材料对EUV光的光学常数(折射率和消光系数)。下述表2示出了由ZrSi、ZrSiN、ZrSiO、Ru、C的蚀刻速率相对于由TaSi构成的EUV光吸收膜的蚀刻速率的比。如果参考上述图表对兼用膜下层31b选择EUV光的透明性大的材料、对兼用膜上层31a选择抗腐蚀性高的材料，则能够抑制EUV光的反射率下降，同时提高蚀刻的自由度。例如，表2示出Ru的蚀刻速率的比高，因此，尤其能适用于兼用膜上层31a。并且，图9示出Y为EUV光的透明性大的材料，因此，尤其适能用于兼用膜下层31b。以下、基于实施例4至实施例9，详细说明本实施方式的反射型光掩模基板50及其制造方法以及反射型光掩模60。

【表2】

对ZrSi	对ZrSiO	对ZrSiN	对Ru	对C
					20.38	26.50	31.18	33.22	26.42

【实施例4】

在图7所示的反射型光掩模基板50中，衬底1和多层反射膜2以及作为其制造工序的多层反射膜形成工序的细节与实施例1相同，因此省略。

接下来，作为兼用膜形成工序，在多层反射膜2上形成了兼用膜上层31a和兼用膜下层31b。此时，将兼用膜上层31a做成ZrSiO膜。如表2所示，ZrSiO对蚀刻具有高的抗腐蚀性。并且，将兼用膜下层31b做成ZrSi膜。如图9所示，Zr和Si都相对于EUV波长具有高的透明性。

兼用膜上层31a和兼用膜下层31b分别在以下条件下通过DC磁控溅射制成。

首先，在兼用膜下层31b的成膜中，作为溅射靶使用Zr和Si的比为1∶3的ZrSi合金靶，对该ZrSi合金靶，在气压0.25Pa的Ar环境下施加DC300W进行了膜厚5nm的成膜。

接下来，在兼用膜上层31a的成膜中，使用ZrSi₂靶作为溅射靶，对该ZrSi₂靶，在气压0.25Pa的Ar中增加了O₂的环境下，施加DC300W进行了膜厚5nm的成膜。

接下来，与实施例1相同，通过作为吸收体层形成工序形成吸收体层5，能够获得反射型光掩模基板50。

此时，吸收体层5的反射型光掩模基板50最外层表面的表面粗糙度为0.38nmRms，具有良好的表面平滑性。另外，测量在吸收体层5表面的反射率，结果，在波长为193nm的状态下为2.15％、在波长为257nm的状态下为1.21％，从而能够得到检测用的DUV光波长区域的足够的反射率特性。

接下来，以经过抗蚀剂涂敷、EB描绘、显影这些光刻工序形成的抗蚀剂图案为掩模，通过与实施例1相同的方法进行吸收体层5的干蚀刻，形成吸收体图案5a，获得了图8所示的反射型光掩模60。

此时，为了在面内均匀无残留地除去反射区域312处的吸收体层5而进行了30％的过蚀刻，但作为基底的由ZrSiO构成的兼用膜上层31a处的蚀刻量在1nm以下，对TaSi选择比为26.50，具有足够的抗腐蚀性。

另外，局部除去吸收体层5而露出的反射区域312处的257nm的检测波长反射率为50.11％。而剥离了抗蚀剂图案6a后的图8的光掩模60的吸收体图案5a表面在257nm状态下的反射率为1.35％。结果，在反射区域312处的反射光和吸收体图案5a表面反射光之间能得到94.7％的良好的对比度值，检测波长(257nm)状态下的光学特性良好。

【实施例5】

图10是将本发明的兼用膜31做成兼用膜下层31b和兼用膜上层31a的层叠结构时，通过蚀刻局部除去吸收体层5而露出的反射区域312处对EUV波长的反射率的模拟结果。如图10所示，示出了如下结果：在作为兼用膜下层31b的ZrSi膜的厚度为5.0nm时，通过使作为兼用膜上层31a的ZrSiO膜为4.0nm以下的厚度，在理论上对EUV光能够得到超过67.5％的反射率。

【实施例6】

与实施例4相同，作为兼用膜形成工序，在多层反射膜2上形成了兼用膜上层31a和兼用膜下层31b。

其中，在本实施例中，将兼用膜上层31a做成ZrSiN膜。如表2所示，ZrSiN对于蚀刻具有高的抗腐蚀性。将兼用膜下层31b做成ZrSi膜。如图9所示，Zr、Si均相对于EUV波长具有高的透明性。

兼用膜上层31a和兼用膜下层31b分别在以下条件下通过DC磁控溅射制成。

首先，在兼用膜下层31b的成膜中，作为溅射靶，使用Zr和Si的比为1∶3的ZrSi合金靶，对该ZrSi合金靶，在气压0.25Pa的Ar环境下施加DC300W而进行了膜厚5nm的成膜。

接下来，在兼用膜上层31a的成膜中，作为溅射靶，使用ZrSi₂靶，对该ZrSi₂靶，在气压0.25Pa的Ar中增加了N₂的环境下施加DC300W而进行了膜厚5nm的成膜。

接下来，与实施例1相同，通过作为吸收体层形成工序形成吸收体层5，能够得到反射型光掩模基板50。

此时，吸收体层5的反射型光掩模基板50最外层表面的表面粗糙度为0.40nmRms，具有良好的表面平滑性。另外，测量在吸收体层5表面的反射率，其结果，在波长为193nm的状态下为2.18％、在波长为257nm的状态下为1.25％，能够得到测用的DUV光波长区域的足够的低反射率特性。

接下来，以经过抗蚀剂涂敷、EB描绘、显影这些光刻工序形成的抗蚀剂图案为掩模，通过与实施例1相同的方法进行吸收体层5的干蚀刻，形成吸收体图案5a，获得了图8所示的反射型光掩模60。

此时，为了在面内均匀无残留地除去反射区域312处的吸收体层5而进行了30％的过蚀刻，但作为基底的由ZrSiN构成的兼用膜上层31a处的蚀刻量在1nm以下，对TaSi选择比为31.18，具有足够的抗腐蚀性。

另外，局部除去吸收体层5而露出的反射区域312处的257nm的检测波长反射率为51.47％。而剥离了抗蚀剂图案6a后的图8的光掩模60的吸收体图案5a表面在257nm状态下的反射率为1.38％。结果，在反射区域312处的反射光和吸收体图案5a表面反射光之间能得到94.7％的良好的对比度值，检测波长(257nm)状态下的光学特性良好。

【实施例7】

与实施例4相同，作为兼用膜形成工序，在多层反射膜2上形成了兼用膜上层31a和兼用膜下层31b。

但是，在本实施例中，将兼用膜上层31a做成Ru膜。如表2所示，Ru对于蚀刻具有高的抗腐蚀性。此外，将兼用膜下层31b做成ZrSi膜。如图9所示，Zr和Si均相对于EUV波长具有高的透明性。

兼用膜上层31a和兼用膜下层31b分别在以下条件下通过DC磁控溅射制成。

首先，在兼用膜下层31b的成膜中，作为溅射靶使用Zr和Si的比为1∶3的ZrSi合金靶，对该ZrSi合金靶，在气压0.25Pa的Ar环境下施加DC300W而进行了膜厚5nm的成膜。

接下来，在兼用膜上层31a的成膜中，作为溅射靶使用Ru靶，对该Ru靶，在气压0.25Pa的Ar环境下施加DC300W进行膜厚2nm的成膜。

接下来，与实施例1相同，通过作为吸收体层形成工序形成吸收体层5，能够得到反射型光掩模基板50。

此时，吸收体层5的反射型光掩模基板50最外层表面的表面粗糙度为0.37nmRms，具有良好的表面平滑性。另外，测量在吸收体层5表面的反射率，其结果，在波长为193nm的状态下为2.22％、在波长为257nm的状态下为1.24％，能够得到测用的DUV光波长区域的足够的低反射率特性。

接下来，以经过抗蚀剂涂敷、EB描绘、显影这些光刻工序形成的抗蚀剂图案为掩模，通过与实施例1相同的方法进行吸收体层5的干蚀刻，形成吸收体图案5a，获得了图8所示的反射型光掩模60。

此时，为在面内均匀无残留地除去反射区域312处的吸收体层5而进行了30％的过蚀刻，但作为基底的由Ru构成的兼用膜上层31a处的蚀刻量在1nm以下，对TaSi选择比为33.22，具有足够的抗腐蚀性。

另外，局部除去吸收体层5而露出的反射区域312处的257nm的检测波长反射率为50.33％。而剥离了抗蚀剂图案6a后的图8的光掩模60的吸收体图案5a表面在257nm状态下的反射率为1.33％。结果，在反射区域312处的反射光和吸收体图案5a表面反射光之间能得到94.8％的良好的对比度值，检测波长(257nm)状态下的光学特性良好。

【实施例8】

与实施例4相同，作为兼用膜形成工序，在多层反射膜2上形成了兼用膜上层31a和兼用膜下层31b。

其中，将兼用膜上层31a做成C膜。如表2所示，C对于蚀刻具有高的抗腐蚀性。此外，将兼用膜下层31b做成ZrSi膜。如图9所示，Zr和Si均相对于EUV波长具有高的透明性。

兼用膜上层31a和兼用膜下层31b分别在以下条件下通过DC磁控溅射制成。

首先，在兼用膜下层31b的成膜中，作为溅射靶使用Zr和Si的比为1∶3的ZrSi合金靶，对该ZrSi合金靶，在气压0.25Pa的Ar环境下施加DC300W而进行了膜厚5nm的成膜。

接下来，在兼用膜下层31b之上，使用平行平板型等离子体CVD装置形成作为类金刚石薄膜的兼用膜上层31a。等离子体CVD的条件如下。即，作为原料气体，以甲烷(流量：20sccm)为主要成分，并且，作为掺杂气体使用了含氮(浓度：1～50％)的气体。将反应压力设定为0.03Torr，将自偏压设为0-1500V。由此，形成了膜厚5nm的兼用膜上层31a。

接下来，与实施例1相同，通过作为吸收体层形成工序形成吸收体层5，能够得到反射型光掩模基板50。

此时，吸收体层5的反射型光掩模基板50最外层表面的表面粗糙度为0.39nmRms，具有良好的表面平滑性。另外，测量在吸收体层5表面的反射率，其结果，在波长为193nm的状态下为2.15％、在波长为257nm的状态下为1.21％，能够得到测用的DUV光波长区域的足够的低反射率特性。

接下来，以经过抗蚀剂涂敷、EB描绘、显影这些光刻工序形成的抗蚀剂图案为掩模，通过与实施例1相同的方法进行吸收体层5的干蚀刻，形成吸收体图案5a，获得了图8所示的反射型光掩模60。

此时，为了在面内均匀无残留地除去反射区域312处的吸收体层5而进行了30％的过蚀刻，但作为基底的由C构成的兼用膜上层31a处的蚀刻量在1.5nm以下，对TaSi选择比为26.42，具有足够的抗腐蚀性。

另外，局部除去吸收体层5而露出的反射区域312处的257nm的检测波长反射率为50.01％。而剥离了抗蚀剂图案6a后的图8的光掩模60的吸收体图案5a表面在257nm状态下的反射率为1.53％。结果，在反射区域312处的反射光和吸收体图案5a表面反射光之间能得到94.1％的良好的对比度值，检测波长(257nm)状态下的光学特性良好。

【实施例9】

与实施例4相同，作为兼用膜形成工序，在多层反射膜2上形成了兼用膜上层31a和兼用膜下层31b。

其中，将兼用膜上层31a做成Ru膜。如表2所示，Ru对于蚀刻具有高的抗腐蚀性。此外，将兼用膜下层31b做成C膜。如图9所示，C相对于EUV波长具有高的透明性。

兼用膜上层31a和兼用膜下层31b分别在以下条件下制成。

首先，使用平行平板型等离子体CVD装置形成了作为类金刚石薄膜的兼用膜下层31b。等离子体CVD的条件如下。即，作为原料气体，以甲烷(流量：20sccm)为主要成分，并且，作为掺杂气体使用了含氮(浓度：1～50％)的气体。另外，将反应压力设定为0.03Torr，将自偏压设定为0-1500V。由此，形成了膜厚5nm的兼用膜下层31b。

接下来，在兼用膜上层31a的成膜中，作为溅射靶使用Ru靶，对该Ru靶，在气压0.25Pa的Ar环境下施加DC300W而进行了膜厚2nm的成膜。

接下来，与实施例1相同，通过作为吸收体层形成工序形成吸收体层5，能够得到反射型光掩模基板50。

此时，吸收体层5的反射型光掩模基板50最外层表面的表面粗糙度为0.41nmRms，具有良好的表面平滑性。另外，测量在吸收体层5表面的反射率，其结果，在波长为193nm的状态下为2.22％，在波长为257nm的状态下为1.24％，能够得到检测用的DUV光波长区域的足够的低反射率特性。

接下来，以经过抗蚀剂涂敷、EB描绘、显影这些光刻工序形成的抗蚀剂图案为掩模，通过与实施例1相同的方法进行吸收体层5的干蚀刻，形成吸收体图案5a，获得了图8所示的反射型光掩模60。

此时，为了在面内均匀无残留地除去反射区域312处的吸收体层5而进行了30％的过蚀刻，但作为基底的由Ru构成的兼用膜上层31a处的蚀刻量在1.5nm以下，对TaSi选择比为33.22，具有足够的抗腐蚀性。

另外，局部除去吸收体层5而露出的反射区域312处的257nm的检测波长反射率为49.89％。而剥离了抗蚀剂图案6a后的图8的光掩模60的吸收体图案5a表面在257nm状态下的反射率为1.33％。结果，在反射区域312处的反射光和吸收体图案5a表面反射光之间能得到94.8％的良好的对比度值，检测波长(257nm)状态下的光学特性良好。

如上所述，通过反射型光掩模基板50，由于兼用膜31为多层的层叠结构，在蚀刻吸收体层5而形成曝光转印图案时能够防止反射率降低。另外，由于兼用膜31采用层叠结构，能够使兼用膜31充分兼具抗腐蚀性和EUV光透射性。

另外，通过由反射型光掩模基板50制成的反射型光掩模60，与第一实施方式相同，能够进行具有良好对比度的图案转印，通过照射EUV光，能够进行70nm以下这样的精细的图案转印。

此外，在半导体器件的制造中，如果使用如以上实施方式的反射型光掩模30、40、60，则能够转印70nm以下的精细图案来制造半导体器件。即，作为转印工序，对反射型光掩模30、40、60照射EUV光作为曝光用光。而且，反射型光掩模30、40、60的多层反射膜2所反射的反射光会使设于半导体衬底上的抗蚀剂层曝光，由此能够在半导体衬底上转印具有良好对比度的、与所照射的EUV光的波长对应的范围即70nm以下的精细图案。因此，利用包括这样的转印工序的半导体器件的制造方法，能够制造实施了与作为曝光用光的EUV光的波长对应的70nm以下的精细加工的半导体器件。

以上，参照附图详细说明了本发明的实施方式，但具体的结构并不限于该实施方式，还包含不脱离本发明主旨的范围内的设计变化。

工业上的可利用性

本发明的反射型光掩模基板适用于在蚀刻吸收体层而形成曝光转印图案时防止反射率下降。此外，本发明的反射型光掩模能够防止多层反射膜的损伤以获得良好的反射率，能进行具有良好的对比度的图案转印。

Claims (22)

1.一种反射型光掩模基板，其特征在于，

包括：

衬底，

多层反射膜，其形成在该衬底上，用于反射曝光用光，

保护膜，其形成在该多层反射膜上，用于保护该多层反射膜，

吸收体层，其在该保护膜上吸收上述曝光用光，

缓冲膜，其形成在该吸收体层和上述保护膜之间，对于在形成上述吸收体层的曝光转印图案时所进行的蚀刻具有抗腐蚀性；其中

上述保护膜是含有Zr和Si的化合物，或是含有Zr和Si，以及O或N中的至少任意一种的化合物，或是含有Ru、C或Y中的至少任意一种的单质或化合物。

2.根据权利要求1所述的反射型光掩模基板，其特征在于，

上述保护膜和上述缓冲膜形成为兼作该保护膜和该缓冲膜的单层的兼用膜，

该兼用膜是含有Zr和Si的化合物，或是含有Zr和Si，以及O或N中的至少任意一种的化合物，或是含有Ru、C或Y中的至少任意一种的单质或化合物。

3.根据权利要求2所述的反射型光掩模基板，其特征在于，设置多层上述兼用膜。

4.根据权利要求2所述的反射型光掩模基板，其特征在于，在蚀刻上述吸收体层来形成曝光转印图案时，上述兼用膜的蚀刻速率为对上述吸收体层的蚀刻速率的1/20以下。

5.根据权利要求3所述的反射型光掩模基板，其特征在于，在蚀刻上述吸收体层来形成曝光转印图案时，多层上述兼用膜中的最上层的蚀刻速率为对上述吸收体层的蚀刻速率的1/20以下。

6.一种反射型光掩模基板，其特征在于，

包括：

衬底，

多层反射膜，其形成在该衬底上，用于反射曝光用光，

吸收体层，其形成在该多层反射膜的上方，用于吸收上述曝光用光，

单层的兼用膜，其形成在上述多层反射膜和上述吸收体层之间，用于保护上述多层反射膜，而且对于在形成上述吸收体层的曝光转印图案时所进行的蚀刻具有抗腐蚀性；其中

该兼用膜是含用Zr和Si的化合物，或是含用Zr和Si，以及O或N中的至少任意一种的化合物，或是含用Ru、C或Y中的至少任意一种的单质或化合物。

7.根据权利要求6所述的反射型光掩模基板，其特征在于，设置多层上述兼用膜。

8.根据权利要求6所述的反射型光掩模基板，其特征在于，在蚀刻上述吸收体层来形成曝光转印图案时，上述兼用膜的蚀刻速率为对上述吸收体层的蚀刻速率的1/20以下。

9.根据权利要求7所述的反射型光掩模基板，其特征在于，在蚀刻上述吸收体层来形成曝光转印图案时，多层上述兼用膜中的最上层的蚀刻速率为对上述吸收体层的蚀刻速率的1/20以下。

10.一种反射型光掩模基板的制造方法，上述反射型光掩模基板包括：衬底、用于反射曝光用光的多层反射膜以及用于吸收上述曝光用光的吸收体层，其特征在于，

包括：

多层反射膜形成工序，在上述衬底上形成上述多层反射膜，

保护膜形成工序，在惰性气体环境下，或在含有惰性气体，和氧或氮中的至少任意一种的混合气体环境下，进行以ZrSi合金、Ru或Y为靶材的溅射，或进行以含有C的化合物为原料气体的CVD，以此在该多层反射膜上形成保护膜，

缓冲膜形成工序，在该保护膜上通过进行溅射来形成缓冲膜，其中，在上述溅射中，靶材的材质对于在形成上述吸收体层的曝光转印图案时所进行的蚀刻具有抗腐蚀性，

吸收体层形成工序，在该缓冲膜上形成上述吸收体层。

11.一种反射型光掩模基板的制造方法，上述反射型光掩模基板包括：衬底、用于反射曝光用光的多层反射膜以及用于吸收上述曝光用光的吸收体层，其特征在于，

包括：

多层反射膜形成工序，在上述衬底上形成上述多层反射膜，

兼用膜形成工序，在惰性气体环境下，或在含有惰性气体，和氧或氮中的至少任意一种的混合气体环境下，进行以ZrSi合金、Ru或Y为靶材的溅射，或进行以含有C的化合物为原料气体的CVD，以此在该多层反射膜上形成兼用膜，

吸收体层形成工序，在该兼用膜上形成上述吸收体层。

12.一种反射型光掩模基板的制造方法，上述反射型光掩模基板包括：衬底、用于反射曝光用光的多层反射膜以及用于吸收上述曝光用光的吸收体层，其特征在于，

包括：

多层反射膜形成工序，在上述衬底上形成上述多层反射膜，

兼用膜形成工序，在惰性气体环境下，或在含有惰性气体，和氧或氮中的至少任意一种的混合气体环境下，进行以ZrSi合金、Ru或Y为靶材的溅射，或进行以含C的化合物为原料气体的CVD，以此在该多层反射膜上层叠形成多层兼用膜，

吸收体层形成工序，在该兼用膜上形成上述吸收体层。

13.一种反射型光掩模，其特征在于，形成有曝光转印图案，上述曝光转印图案是对权利要求1所述的反射型光掩模基板的吸收体层进行蚀刻来形成的。

14.一种反射型光掩模，其特征在于，形成有曝光转印图，上述曝光转印图是对权利要求3所述的反射型光掩模基板的吸收体层进行蚀刻来形成的。

15.一种反射型光掩模，其特征在于，形成有曝光转印图，上述曝光转印图是对通过权利要求10所述的反射型光掩模基板的制造方法制成的反射型光掩模基板的吸收体层进行蚀刻来形成的。

16.一种反射型光掩模，其特征在于，形成有曝光转印图，上述曝光转印图是对通过权利要求11所述的反射型光掩模基板的制造方法制成的反射型光掩模基板的吸收体层进行蚀刻来形成的。

17.一种反射型光掩模，其特征在于，形成有曝光转印图，上述曝光转印图是对通过权利要求12所述的反射型光掩模基板的制造方法制成的反射型光掩模基板的吸收体层进行蚀刻来形成的。

18.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括转印工序，在该转印工序中，对权利要求13所述的反射型光掩模照射作为上述曝光用光的超紫外线，通过该反射型光掩模的上述多层反射膜所反射的反射光来曝光设置在半导体衬底上的抗蚀剂层，由此向该抗蚀剂层转印上述反射型光掩模的上述吸收体层的图案。

19.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括转印工序，在该转印工序中，对权利要求14所述的反射型光掩模照射作为上述曝光用光的超紫外线，通过该反射型光掩模的上述多层反射膜所反射的反射光来曝光设置在半导体衬底上的抗蚀剂层，由此向该抗蚀剂层转印上述反射型光掩模的上述吸收体层的图案。

20.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括转印工序，在该转印工序中，对权利要求15所述的反射型光掩模照射作为上述曝光用光的超紫外线，通过该反射型光掩模的上述多层反射膜所反射的反射光来曝光设置在半导体衬底上的抗蚀剂层，由此向该抗蚀剂层转印上述反射型光掩模的上述吸收体层的图案。

21.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括转印工序，在该转印工序中，对权利要求16所述的反射型光掩模照射作为上述曝光用光的超紫外线，通过该反射型光掩模的上述多层反射膜所反射的反射光来曝光设置在半导体衬底上的抗蚀剂层，由此向该抗蚀剂层转印上述反射型光掩模的上述吸收体层的图案。

22.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括转印工序，在该转印工序中，对权利要求17所述的反射型光掩模照射作为上述曝光用光的超紫外线，通过该反射型光掩模的上述多层反射膜所反射的反射光来曝光设置在半导体衬底上的抗蚀剂层，由此向该抗蚀剂层转印上述反射型光掩模的上述吸收体层的图案。

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