CN101330061A - 像素结构的制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种像素结构的制作方法，该方法包括下列步骤。首先，于基板上形成栅极。接着，于基板上形成栅绝缘层以覆盖栅极，并于栅极上方的栅绝缘层上同时形成沟道层、源极以及漏极，其中栅极、沟道层、源极以及漏极构成薄膜晶体管。继之，于薄膜晶体管以及栅绝缘层上形成保护层，并于保护层上形成黑矩阵，其中黑矩阵具有位于漏极上方的接触开口以及彩色滤光层容纳开口。之后，通过喷墨印刷工艺于彩色滤光层容纳开口内形成彩色滤光层，并于黑矩阵与彩色滤光层上形成介电层。接着，图案化介电层与保护层，以使漏极暴露。接着，形成与漏极电连接的像素电极。

Description

像素结构的制作方法

技术领域

本发明是有关于一种像素结构的制作方法，且特别是有关于一种使用较少光刻和腐蚀工艺(photolithography and etching process，PEP)来制作具有彩色滤光层的像素结构的制作方法。

背景技术

液晶显示器具有高画质、体积小、重量轻、低电压驱动、低消耗功率及应用范围广等优点，因此已取代阴极射线管(Cathode Ray Tube，CRT)成为新一代显示器的主流。传统的液晶显示面板是由一具有彩色滤光层的彩色滤光基板、一薄膜晶体管阵列基板(TFT Array Substrate)以及一配置于此两基板间的液晶层所构成。为了提升面板的解析度与像素的开口率，并且避免彩色滤光基板与薄膜晶体管阵列基板接合时的对位误差，现今更提出了将彩色滤光层直接整合于薄膜晶体管阵列基板(Color Filter on Array，COA)上的技术。

图1A～图1G为已知的一种将彩色滤光层制作于薄膜晶体管阵列上的制作流程示意图，其中图1A～图1H是以三个像素结构为代表作说明。首先，请参照图1A，提供基板10，并通过第一道光刻和腐蚀工艺(first PEP)于基板10上形成栅极20。接着，请参照图1B，在基板10上形成栅绝缘层30以覆盖栅极20，并通过第二道光刻和腐蚀工艺(second PEP)于栅绝缘层30上形成位于栅极20上方的沟道层40以及欧姆接触层42。之后，请参照图1C，通过第三道光刻和腐蚀工艺(third PEP)于沟道层40的部分区域以及栅绝缘层30的部分区域上形成源极50以及漏极60。一般而言，沟道层40的材质为非晶硅(amorphoussilicon)，而欧姆接触层42的材质多为N型重掺杂的非晶硅(N typeheavily-doped a-Si)，用以减少沟道层40与源极50之间以及沟道层40与漏极60之间的接触阻抗，其形成方法通常是利用离子掺杂(ion doping)的方式于非晶硅的表面进行N型掺杂。

请继续参照图1C，源极50与漏极60分别由沟道层40的两侧延伸至栅绝缘层30上，并使沟道层40的部分区域暴露，其中栅极20、沟道层40、源极50与漏极60构成薄膜晶体管T。接着，请参照图1D，于薄膜晶体管T上覆盖介电层70，并且通过第四道光刻和腐蚀工艺于部分薄膜晶体管T上方形成红色滤光图案82，其中红色滤光图案82具有接触开口H1，其中接触开口H1位于红色滤光图案82所对应薄膜晶体管T的漏极60的上方。

之后，请参照图1E，通过第五道光刻和腐蚀工艺于部分薄膜晶体管T上方形成绿色滤光图案84，并于绿色滤光图案84中形成接触开口H2，其中接触开口H2位于绿色滤光图案84所对应薄膜晶体管T的漏极60的上方。接着，请参照图1F，通过第六道光刻和腐蚀工艺于剩余的薄膜晶体管T上方形成蓝色滤光图案86，并于蓝色滤光图案86中形成接触开口H3，其中接触开口H3位于蓝色滤光图案86所对应薄膜晶体管T的漏极60的上方。由图1D～图1F可知，上述红色滤光图案82、绿色滤光图案84以及蓝色滤光图案86所构成的彩色滤光层80是经由三道光刻和腐蚀工艺来进行制作。

接着，请参照图1G，经由一刻蚀工艺移除接触开口H1、H2、H3所暴露的介电层70，之后，再通过第七道光刻和腐蚀工艺于彩色滤光层80上形成像素电极90，由图1G可知，各像素结构的像素电极90会分别透过接触开口H1、H2、H3与对应的漏极60电连接。至此，将彩色滤光层80直接整合于薄膜晶体管阵列基板的工艺大致完成。

承上述，已知将彩色滤光层制作于薄膜晶体管阵列上的制作方法至少需通过七道光刻和腐蚀工艺来进行制作，步骤繁复而需花费较高的生产成本。此外，上述需要至少七道光刻和腐蚀工艺来进行制作的像素结构需采用多个具有不同图案的掩膜(mask)，由于掩膜的造价十分昂贵，因此像素结构的制造成本将无法降低。

发明内容

本发明提供一种像素结构的制作方法，其适于降低制作成本。

本发明提出一种像素结构的制作方法，其先于基板上形成栅极。接着，于基板上形成栅绝缘层以覆盖栅极，并于栅极上方的栅绝缘层上同时形成沟道层、源极以及漏极，其中源极与漏极位于沟道层的部分区域上，且栅极、沟道层、源极以及漏极构成薄膜晶体管。继之，于薄膜晶体管以及栅绝缘层上形成保护层，并于保护层上形成黑矩阵，其中黑矩阵具有位于漏极上方的接触开口以及彩色滤光层容纳开口，且接触开口与彩色滤光层容纳开口暴露出保护层的部分区域。之后，通过喷墨印刷工艺于彩色滤光层容纳开口内形成彩色滤光层，并于黑矩阵与彩色滤光层上形成介电层。接着，图案化介电层与保护层，以使漏极暴露。接着，形成与漏极电连接的像素电极。

在本发明的像素结构制作方法中，同时形成沟道层、源极以及漏极的方法包括例如先于栅绝缘层上形成半导体层，接着，于半导体层上形成导电层。之后，于栅极上方的导电层上形成光刻胶层，其中光刻胶层包括第一光刻胶区块以及位于第一光刻胶区块两侧的第二光刻胶区块，且第一光刻胶区块的厚度小于第二光刻胶区块的厚度。继之，以光刻胶层为光掩膜对导电层进行第一刻蚀工艺。接着，减少光刻胶层的厚度，直到第一光刻胶区块被完全移除，在第一光刻胶区块被移除的期间，未被第二光刻胶区块覆盖的半导体层会被移除。之后，以剩余的第二光刻胶区块为光掩膜对导电层进行第二刻蚀工艺，以使剩余的导电层构成源极以及漏极，而剩余的半导体层构成沟道层。其中，第一刻蚀工艺与二刻蚀工艺例如是湿法付蚀工艺。此外，上述的减少光刻胶层厚度的方法例如进行干法刻蚀工艺，且干法刻蚀工艺例如为灰化工艺。

在本发明的像素结构制作方法中，形成沟道层、源极以及漏极的方法包括例如为先于栅绝缘层上形成半导体层，接着，于半导体层上形成欧姆接触层。之后，于欧姆接触层上形成导电层。接着，于栅极上方的导电层上形成光刻胶层，其中光刻胶层包括第一光刻胶区块以及位于第一光刻胶区块两侧的第二光刻胶区块，且第一光刻胶区块的厚度小于第二光刻胶区块的厚度。继之，以光刻胶层为光掩膜对导电层进行第一刻蚀工艺，并且减少光刻胶层的厚度，直到第一光刻胶区块被完全移除，在第一光刻胶区块被移除的期间，未被第二光刻胶区块覆盖的半导体层与欧姆接触层会被移除。之后，以剩余的第二光刻胶区块为光掩膜对导电层进行第二刻蚀工艺，以使剩余的导电层构成源极以及漏极，而剩余的半导体层构成沟道层，并且以剩余的第二光刻胶区块为光掩膜对欧姆接触层第三刻蚀工艺，以移除未被第二光刻胶区块覆盖的欧姆接触层。其中，第一刻蚀工艺与二刻蚀工艺例如是湿法付蚀工艺。此外，上述减少光刻胶层厚度的方法例如进行干法刻蚀工艺，且干法刻蚀工艺例如为灰化工艺。

在本发明的像素结构制作方法中，图案化介电层与保护层的方法例如为先于介电层上形成光刻胶层。之后，以光刻胶层为光掩膜，移除部分的介电层与部分的保护层，以分别于介电层与保护层中形成第一开口与第二开口，其中第一开口与第二开口对应于接触开口。

在本发明的像素结构制作方法中，形成像素电极的方法例如先形成电极材料层于图案化保护层、黑矩阵与漏极上，再图案化电极材料层。

在本发明的像素结构制作方法中，在形成栅极的同时，还包括形成第一电容电极，而在形成沟道层、源极与漏极的同时，还包括形成半导体图案与第二电容电极，第一电容电极与第二电容电极构成存储电容器。

在本发明的像素结构制作方法中，在形成栅极的同时，还包括形成第一电容电极，其中第一电容电极与像素电极构成存储电容器。

在本发明的像素结构制作方法中，在形成沟道层、源极与漏极的同时，还包括形成半导体图案与第二电容电极，其中第二电容电极与像素电极构成存储电容器。

在本发明的像素结构制作方法中，介电层是覆盖对应接触开口的黑矩阵的两侧壁。

在本发明的像素结构制作方法中，介电层是不覆盖对应接触开口的黑矩阵的两侧壁。

本发明将薄膜晶体管的沟道层、源极以及漏极整合于同一道光刻和腐蚀工艺，并且结合喷墨印刷技术于薄膜晶体管上方进行彩色滤光层的制作，因此相较于已知的像素结构制作方法，可以简化工艺步骤并减少掩膜的制作成本。此外，在利用喷墨印刷技术制作彩色滤光层时，可以有效节省彩色滤光层的材料使用量，可以进一步降低制造成本。

附图说明

图1A～图1G为已知的一种将彩色滤光层制作于薄膜晶体管阵列上的制作流程示意图。

图2A～图2G为本发明的一种像素结构的制作流程示意图。

图2H以及图2I列举两种具有不同型态的存储电容的像素结构。

图3A～图3E为一种同时形成沟道层、源极以及漏极的制作流程示意图。

图4A～图4D为另一种同时形成沟道层、源极以及漏极的制作流程示意图。

附图标号：

10、202：基板

20、212：栅极

30、220：栅绝缘层

40、232：沟道层

42、236：欧姆接触层

50、242：源极

60、244：漏极

70：介电层

82：红色滤光图案

84：绿色滤光图案

80、270：彩色滤光层

90、290：像素电极

200：像素结构

214：第一电容电极

234：半导体图案

246：第二电容电极

250：保护层

250H：第二开口

260：黑矩阵

262：接触开口

264：彩色滤光层容纳开口

280：介电层

280H：第一开口

310：光刻胶层

310A：第一光刻胶区块

310B：第二光刻胶区块

C：存储电容器

H、H1、H2、H3：接触开口

T、T’：薄膜晶体管

具体实施方式

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。

图2A～图2G为本发明的一种像素结构的制作方法的流程示意图。请参照图2A，首先提供一基板202，基板202的材质例如为玻璃、塑胶等硬质或软质材料。接着，形成栅极212于基板202上，其中形成栅极212的方法可先于基板202上全面形成导电层(未绘示)，而全面形成导电层的方法例如是通过溅射(sputtering)、蒸发(evaporation)或是其他薄膜沉积技术。之后，图案化此导电层(未绘示)，以形成栅极212。上述图案化导电层例如是通过光刻刻蚀工艺来进行。此外，本实施例可在形成栅极212的同时，选择性地形成第一电容电极214。

接着，请参照图2B，于基板202上形成覆盖栅极212以及第一电容电极214的栅绝缘层220，其中栅绝缘层220例如是通过化学气相沉积法(chemicalvapor deposition，CVD)或其他合适的薄膜沉积技术所形成，而栅绝缘层220的材质例如是氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等介电材料。接着，如图2B所示，于栅极212上方的栅绝缘层220上同时形成沟道层232以及源极242和漏极244，其中沟道层232的材质例如是非晶硅(amorphous silicon)或其他半导体材料。另外，源极242以及漏极244的材质例如为铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)、钕(Nd)、上述的氮化物如氮化钼(MoN)、氮化钛(TiN)、其叠层、上述的合金或是其他导电材料。值得注意的是，不同于已知，本发明的沟道层232、源极242以及漏极244为同时图案化形成的，其图案大体为共形的，可以减少一道光刻和腐蚀工艺，并降低工艺的复杂度。

请继续参照图2B，源极242与漏极244位于沟道层232的部分区域上，且栅极212、沟道层232、源极242以及漏极244构成薄膜晶体管T。在本实施例中，在形成沟道层232、源极242与漏极244的同时，可选择性地形成半导体图案234与第二电容电极246，其中第一电容电极214与第二电容电极246构成一存储电容器C。值得一提的是，为了提升薄膜晶体管T的元件特性，本实施例可于沟道层232与源极242之间以及沟道层232与漏极244之间形成欧姆接触层236，以降低沟道层232与源极242之间以及沟道层232与漏极244之间的接触阻抗，但本发明并不以此为限。上述的欧姆接触层236的材质例如是N型重掺杂的非晶硅。此外，上述同时形成沟道层232、源极242以及漏极244的方法将于图3A～图3D中举例说明。

接着，请参照图2C，于基板202上形成覆盖薄膜晶体管T以及栅绝缘层220上的保护层250，其中保护层250的材质可以是丙烯酸树脂、感光性树脂等有机介电材料所组成，保护层250也可以是氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等无机介电材料所组成。更详细地说，当保护层250选用有机介电材料时，其形成的方法通常是通过旋转涂布法进行制作，当保护层250选用无机介电材料时，其形成的方法通常可以利用物理气相沉积法或化学气相沉积法全面性地沉积在基板202上。

接着，请参照图2D，并于保护层250上形成黑矩阵260，其中黑矩阵260的材质例如为黑色树脂。如图2D所示，黑矩阵260具有位于漏极244上方的接触开口H以及彩色滤光层容纳开口264，且接触开口H与彩色滤光层容纳开口264暴露出保护层250的部分区域。更详细而言，黑矩阵260的形成方法例如先于保护层250上形成一材料层，再图案化此材料层，其中此材料层的形成方法例如是以旋转涂布法、喷嘴/旋转涂布法(slit/spin coating)或非旋转涂布法(spin-less coating)将材料层涂布于保护层250上，而图案化此材料层的步骤包括对此材料层进行软烤、曝光、显影及硬烤。此外，在本实施例中，黑矩阵260具有一暴露出第二电容电极246的开口266。

之后，请参照图2E，通过喷墨印刷工艺于彩色滤光层容纳开口264内形成彩色滤光层270，其中彩色滤光层270的材质例如是丙烯酸树脂(acrylicresin)。实务上，在将彩色滤光层直接整合于薄膜晶体管阵列基板的技术中，各像素结构具有位于薄膜晶体管T上方的彩色滤光层270，而彩色滤光层270可以包括红色滤光图案、绿色滤光图案以及蓝色滤光图案，以使液晶显示面板达到全彩化的显示效果。

更详细地说，在本实施例中，彩色滤光层270可以是红色滤光图案、绿色滤光图案以及蓝色滤光图案。此外，上述的喷墨工艺例如是先对基板202进行表面处理工艺，之后，再以装有红色(R)、绿色(G)或蓝色(B)墨水的喷嘴于预定形成红色、绿色或蓝色的彩色滤光层容纳开口264内喷入彩色墨水。接着再进行烘烤，以使得彩色墨水固化而形成彩色滤光层270。值得注意的是，本实施例中可以同时于液晶显示面板的像素结构中形成红色滤光图案、绿色滤光图案以及蓝色滤光图案，而且不需要使用到任何光刻和腐蚀工艺(PEP)，对于制造成本的节省有大幅度的帮助，并让工艺的复杂度降低，提高良率。当然，本发明并不限定滤光图案的颜色、数量以及配置方式，其可随实际的设计需求而有所不同。

接着，请参照图2F，于黑矩阵260与彩色滤光层270上形成介电层280，其中介电层280的材质可以是丙烯酸树脂、感光性树脂等有机介电材料所组成，而形成介电层280的方法可以利用旋转涂布法。介电层亦可以由无机介电材料所形成，例如是通过化学气相沉积法(chemical vapor deposition，CVD)或其他合适的薄膜沉积技术所形成，材质例如是氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等介电材料，如图2F所示，图案化介电层280与保护层250，以使漏极244暴露，其中图案化介电层280与保护层250的方法例如为先于介电层280上形成光刻胶层(未绘示)。之后，以光刻胶层(未绘示)为光掩膜，移除部分的介电层280与部分的保护层250，以分别于介电层280与保护层250中形成第一开口280H与第二开口250H，其中第一开口280H与第二开口250H对应于接触开口H。

如图2F所示，保护层250的第二开口250H位于介电层280的第一开口280H的涵盖范围内，具体而言，在本实施例中，介电层280不覆盖接触开口H的两侧壁。在另一实施例中，介电层280以及保护层250的布局也可以如图2F’所示，介电层280会延伸至接触开口H的部分范围内，如图中的斜线部分A所示，换句话说，介电层280会覆盖接触开口H的两侧壁，本发明并不限定接触开口H处所对应的介电层280以及保护层250的开口型态。

之后，请参照图2G，于形成与漏极244电连接的像素电极290，在本实施例中，像素电极290会透过黑矩阵260的开口266与第二电容电极246电连接，使得第一电容电极214、栅绝缘层220、第二电容电极246以及像素电极290构成一种存储电容器。

此外，上述形成像素电极290的方法例如先形成电极材料层(未绘示)于图案化保护层250、黑矩阵260与漏极244上，再图案化电极材料层(未绘示)，其中形成电极材料层的方法例如是通过溅射形成一铟锡氧化物层或一铟锌氧化物层。经由上述的图2A～图2G的步骤，可制得像素结构200，值得注意的是，不同于已知至少需要七道光刻和腐蚀工艺来进行像素电极290的制作，本发明仅需要使用四道光刻和腐蚀工艺以及喷墨印刷工艺，即可将彩色滤光层270直接整合于薄膜晶体管T阵列基板202上，相较于已知，本发明不仅可以减少多道光刻和腐蚀工艺，降低工艺的复杂度，并且可以有效节省彩色滤光层270的材料使用量，降低耗材费用。

值得一提的是，上述实施例的存储电容器C为一种金属层/绝缘层/金属层(Metal/Insulator/Metal，MIM)型态的存储电容。当然，像素结构中的存储电容亦可以是其他种型态，例如金属层/绝缘层/铟锡氧化物(Metal/Insulator/ITO，MII)型态，本发明并不以此为限。举例而言，图2H以及图2I列举两种具有不同型态的存储电容的像素结构，并且为简化说明，不再对该些与图2G相同的构件作说明。如图2H所示，存储电容器C主要是由第一电容电极214、栅绝缘层220、保护层250以及像素电极290所构成，或是由第一电容电极214、栅绝缘层220、保护层250、介电层280以及像素电极290所构成。如图2I所示，存储电容C主要是第二电容电极246、保护层250以及像素电极290所构成，当然，第二电容电极246与像素电极290之间的介电层也可以由保护层250和介电层280所组成。实务上，第二电容电极246会通过一外接电源器提供一电位，使得第二电容电极246与像素电极290之间形成一存储电容器C。

图3A～图3D为一种同时形成沟道层、源极以及漏极的制作流程示意图。如图3A所示，在形成栅绝缘层220之后，依序在栅绝缘层220上形成半导体层230、欧姆接触层236以及导电层240，并于栅极212上方的导电层240上形成光刻胶层310，其中光刻胶层310包括第一光刻胶区块310A以及位于第一光刻胶区块310A两侧的第二光刻胶区块310B，且第一光刻胶区块310A的厚度小于第二光刻胶区块310B的厚度，在本实施例中，形成第一光刻胶区块310A与第二光刻胶区块310B的方法例如是经由一半调式光刻和腐蚀工艺或一灰调式光刻和腐蚀工艺。继之，请参照图3B，以光刻胶层310为光掩膜对导电层240进行第一刻蚀工艺，使得未被光刻胶层310覆盖的导电层240被移除，其中第一刻蚀工艺例如是湿法付蚀工艺。

接着，请参照图3C，减少光刻胶层310的厚度，直到第一光刻胶区块310A被完全移除，其中减少光刻胶层310厚度的方法可以是进行如灰化工艺等干法刻蚀工艺。值得一提的是，在第一光刻胶区块310A被移除的期间，未被第二光刻胶区块310B覆盖的半导体层230与欧姆接触层236也可以利用干法刻蚀工艺被一并移除。

之后，请参照图3D，以剩余的第二光刻胶区块310B为光掩膜对导电层240进行第二刻蚀工艺，以使剩余的导电层240(绘示于图3C)构成源极242以及漏极244，而剩余的半导体层230构成沟道层232，其中第二刻蚀工艺例如为湿法付蚀工艺。接着，请参照图3E，以剩余的第二光刻胶区块310B为光掩膜对欧姆接触层236第三刻蚀工艺，以移除未被第二光刻胶区块310B覆盖的欧姆接触层236，其中第三刻蚀工艺例如为湿法付蚀工艺。

图4A～图4D绘示另一种同时形成沟道层232、源极242以及漏极244的制作流程示意图，图4A～图4D的制作方式与图3A～图3E类似，二者主要差异之处在于：本实施例省略了欧姆接触层236的制作；换言之，薄膜晶体管T‘不具有欧姆接触层236。

基于上述，本发明不仅同时制作沟道层、源极以及漏极，并且利用喷墨印刷工艺将彩色滤光层整合于薄膜晶体管阵列的基板上，因此相较于已知具有减少工艺步骤的优点。此外，本发明所提出的像素结构的制作方法至少具有下列优点：

1.本发明提出的像素结构的制作方法，其彩色滤光层不需使用光刻工艺，故相较于光刻工艺所使用的高精度光刻和腐蚀工艺，能降低掩膜的制作成本，并且降低工艺复杂度。

2.由于制作像素结构的步骤较少，可以减少冗长的光刻和腐蚀工艺(如光刻胶涂布、软烤、硬烤、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥除等)制作像素结构时所产生缺陷。

3.本发明的彩色滤光层使用喷墨印刷工艺，故相较于光刻工艺，能有效降低材料费用，降低成本。

虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域相关技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求书的范围为准。

Claims (14)

1、一种像素结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

于一基板上形成一栅极；

于所述基板上形成一栅绝缘层以覆盖所述栅极；

于所述栅极上方的所述栅绝缘层上同时形成一沟道层、一源极以及一漏极，其中所述源极与所述漏极位于所述沟道层的部分区域上，且所述栅极、所述沟道层、所述源极以及所述漏极构成一薄膜晶体管；

于所述薄膜晶体管以及所述栅绝缘层上形成一保护层；

于所述保护层上形成一黑矩阵，所述黑矩阵具有一位于所述漏极上方的接触开口以及一彩色滤光层容纳开口，且所述接触开口与所述彩色滤光层容纳开口暴露出所述保护层的部分区域；

通过喷墨印刷工艺于所述彩色滤光层容纳开口内形成一彩色滤光层；

于所述黑矩阵与所述彩色滤光层上形成一介电层；

图案化所述介电层与所述保护层，以使所述漏极暴露；以及

形成一与所述漏极电连接的像素电极。

2、如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，同时形成所述沟道层、所述源极以及所述漏极的方法包括：

于所述栅绝缘层上形成一半导体层；

于所述半导体层上形成一导电层；

于所述栅极上方的所述导电层上形成一光刻胶层，其中所述光刻胶层包括一第一光刻胶区块以及位于所述第一光刻胶区块两侧的一第二光刻胶区块，且所述第一光刻胶区块的厚度小于所述第二光刻胶区块的厚度；

以所述光刻胶层为光掩膜对所述导电层进行一第一刻蚀工艺；

减少所述光刻胶层的厚度，直到所述第一光刻胶区块被完全移除，在第一光刻胶区块被移除的期间，未被所述第二光刻胶区块覆盖的所述半导体层会被移除；以及

以剩余的所述第二光刻胶区块为光掩膜对所述导电层进行一第二刻蚀工艺，以使剩余的所述导电层构成所述源极以及所述漏极，而所述剩余的所述半导体层构成所述沟道层。

3、如权利要求2所述的像素结构的制作方法，其特征在于，所述第一刻蚀工艺与所述第二刻蚀工艺包括湿法付蚀工艺。

4、如权利要求2所述的像素结构的制作方法，其特征在于，减少所述光刻胶层厚度的方法包括进行一干法刻蚀工艺。

5、如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，形成所述沟道层、所述源极以及所述漏极的方法包括：

于所述栅绝缘层上形成一半导体层；

于所述半导体层上形成一欧姆接触层；

于所述欧姆接触层上形成一导电层；

于所述栅极上方的所述导电层上形成一光刻胶层，其中所述光刻胶层包括一第一光刻胶区块以及位于所述第一光刻胶区块两侧的一第二光刻胶区块，且所述第一光刻胶区块的厚度小于所述第二光刻胶区块的厚度；

以所述光刻胶层为光掩膜对所述导电层进行一第一刻蚀工艺；

减少所述光刻胶层的厚度，直到所述第一光刻胶区块被完全移除，在第一光刻胶区块被移除的期间，未被所述第二光刻胶区块覆盖的所述半导体层与所述欧姆接触层会被移除；

以剩余的所述第二光刻胶区块为光掩膜对所述导电层进行一第二刻蚀工艺，以使剩余的所述导电层构成所述源极以及所述漏极，而所述剩余的所述半导体层构成所述沟道层；以及

以剩余的所述第二光刻胶区块为光掩膜对所述欧姆接触层一第三刻蚀工艺，以移除未被所述第二光刻胶区块覆盖的所述欧姆接触层。

6、如权利要求5所述的像素结构的制作方法，其特征在于，所述第一刻蚀工艺与所述第二刻蚀工艺包括湿法付蚀工艺。

7、如权利要求5所述的像素结构的制作方法，其特征在于，减少所述光刻胶层厚度的方法包括进行一干法刻蚀工艺。

8、如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，图案化所述介电层与所述保护层的方法包括：

于所述介电层上形成一光刻胶层；以及

以所述光刻胶层为光掩膜，移除部分的所述介电层与部分的所述保护层，以分别于所述介电层与所述保护层中形成一第一开口与一第二开口，其中所述第一开口与所述第二开口对应于所述接触开口。

9、如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，形成所述像素电极的方法包括：

形成一电极材料层于所述图案化保护层、所述黑矩阵与所述漏极上；以及

图案化所述电极材料层。

10、如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，在形成栅极的同时，还包括形成一第一电容电极，而在形成所述沟道层、所述源极与所述漏极的同时，还包括形成一半导体图案与一第二电容电极，所述第一电容电极与所述第二电容电极构成一存储电容器。

11、如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，所述介电层是覆盖对应所述接触开口的所述黑矩阵的两侧壁。

12、如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，所述介电层是不覆盖对应所述接触开口的所述黑矩阵的两侧壁。

13、如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，在形成栅极的同时，还包括形成一第一电容电极，其中所述第一电容电极与所述像素电极构成一存储电容器。

14、如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，在形成所述沟道层、所述源极与所述漏极的同时，还包括形成一半导体图案与一第二电容电极，其中所述第二电容电极与所述像素电极构成一存储电容器。

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