CN101320210B - 制备具有金属层或图案的基板的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种制备具有金属层或图案的基板的方法、通过这种方法所制备的基板、以及这种基板的使用。更具体地，本发明涉及一种在基板上涂敷金属层或图案的方法，所述方法包括步骤：a)提供目标基板；b)在所述目标基板上固定聚合物材料层；以及c)使用已经预先涂敷有金属层或图案的印模，通过使所述印模与所述目标基板共形接触，在所述目标基板上的所述聚合物材料层上涂敷并固定所述金属层或图案。本发明还涉及具有金属层或图案的并且通过这种方法制备的基板以及涉及这种基板在电子装置中的使用。

Description

制备具有金属层或图案的基板的方法
技术领域
本发明涉及一种制备具有金属层或图案的基板的方法、通过该方法所制备的基板、以及该基板的使用。
背景技术
在过去十年中，软光刻已经被研发用于制作化学微结构和、纳米结构表面的多用途技术[1；2]。在统称为软光刻的多种技术中，微接触印刷(μCP)已经成为最常用的方法[1]。该技术最初被研发用于转移分子且也被应用于转移金属[3]。
迄今为止已经研发出两种用于使用金属来接触有机材料的软光刻方法，即，纳米转移印刷(nTP(nanotransfer printing))[4；5]和软接触层叠(ScL)[6]。这些方法可以被用于平行制作多个装置。两种方法均示意性示于图1中。
在nTP(图1a)的情况下，薄的金属层被蒸镀到图案化弹性印模(stamp)上，该图案化弹性印模是通过聚二甲基硅氧烷(PDMS)滴铸(drop cast)到图案化硅晶片上来制作的。使蒸镀金属层与基板上的有机物层共形接触。由于在金属-有机物界面上形成化学键，金属-有机物结合强于金属-PDMS结合且金属层从PDMS印模被转移到有机物层上。该工艺在环境条件下进行，无需施加任何附加压力。已经通过在Au/烷基双硫醇/GaAs异质结[7]和Au/巯基硅烷/Si异质结[8]内Au上电极的制作演示了该工艺。在另一工艺中，金在硅晶片上被图案化，且随后在高压(9至30bar)和在100至140℃之间的温度下被转移到所选聚合物[9]。
在ScL的情况下，金属-有机物结合是基于范德瓦尔斯相互作用，并弱于金属-PDMS相互作用。因此在该工艺中，金属不是从PDMS被转移到有机物层上，而是PDMS保留在Au层上且成为PDMS/金属/有机物/基板异质结的一部分(图1b)。金属层使用阴影掩模蒸镀被制备在非结构化平坦PDMS层的顶部上。该工艺在环境条件下进行，无需施加任何附加压力[10]。
此外，本发明人已经研发出在2006年3月31日提交的欧洲专利申请No.06006899.6中公开的称为梭转移印刷(shuttle transferprinting，STP)的另一种工艺[11]，其可以按比例缩小到小至50至100nm的尺寸，该制作工艺容易实施且对于不同金属、金属氧化物和半导体材料是通用的。
通常，在前述技术中，从一个基板被转移到目标基板的材料层或图案本身具有确定粗糙度，该粗糙度可能干涉转移及随后的结合工艺。与待转移的材料层或图案相关的粗糙度在许多情形下阻止目标基板和材料图案之间的良好接触，因此转移可能效率低或不完全。
发明内容
因此，本发明的目的是提供一种允许补偿与待转移的材料层或图案相关联的粗糙度的方法。此外，本发明的目的是提供一种制备具有金属层或图案的基板的方法，该方法容易实施且是通用的。
本发明的目的是通过在基板上涂敷金属层或图案来达成的，所述方法包括以下步骤：
a)提供目标基板；
b)在所述目标基板上固定聚合物材料层；
c)使用已经预先涂敷金属层或图案的印模，通过使所述印模与所述目标基板共形接触，在所述目标基板上的所述聚合物材料层上涂敷并固定所述金属层或图案。
在一个实施例中，在步骤b)中，通过在所述目标基板上共价连接所述聚合物材料，将所述聚合物材料层固定在所述目标基板上。
在一个实施例中，所述印模和所述金属层或图案之间的结合弱于所述聚合物材料层与所述金属层或图案之间的结合。
在一个实施例中，所述聚合物材料层包括聚合物，该聚合物具有柔性的聚合物链，并且此外具有近端和远端，在所述近端处共价连接到所述目标基板且在所述远端处具有官能团，所述官能团允许所述金属层或图案固定在所述聚合物材料层上。
优选地，所述聚合物材料层具有在从20°至70°、优选地从20°至50°、更优选地从30°至50°的范围内的水接触角。
在一个实施例中，所述聚合物材料层具有在从0.001GPa至5GPa、优选地从0.1PGa至0.5GPa的范围内的杨氏模量。
在一个实施例中，所述聚合物材料层在被固定在所述目标基板上时具有在从1nm至20μm、优选地从1nm至200nm、更优选地从1nm至50nm、并且甚至更优选地从1nm至10nm的范围内的平均厚度。
在一个实施例中，所述聚合物通过所述目标基板的表面上的官能团共价连接到所述目标基板，所述目标基板的表面上的所述官能团选自氨基、羟基、硅烷醇基、乙烯基、羧基和硫醇基。
优选地，所述聚合物通过所述聚合物的所述近端上的官能团共价连接到所述目标基板，所述聚合物的所述近端上的所述官能团选自氨基、羟基、硅烷醇基、烷氧基、乙烯基、羧基、硫醇基和琥珀酰亚胺酯基。
在一个实施例中，在所述聚合物的所述远端处的所述官能团选自硫醇基、氨基、羟基、羧基、腈基和羰基。
在一个实施例中，所述聚合物选自包含下述项的组：玻璃转变温度低于执行根据前述权利要求中任一项所述的方法的温度、优选地玻璃转变温度低于40℃的塑性体、聚乙二醇(PEG)、DNA、RNA、聚羟基脂肪酸酯、聚碳水化合物、多肽以及混合自组装单层(SAM)。
优选地，所述聚合物为聚乙二醇(PEG)。
更优选地，所述聚乙二醇具有在从500Da至10000Da、优选地从1000Da至5000Da、更优选地从2000Da至4000Da、并且最优选地约为3000Da的范围内的分子量。
甚至更优选地，所述聚乙二醇包括约50至100乙二醇单位，优选地50至80乙二醇单位，更优选地60至70乙二醇单位。
在一个实施例中，所述目标基板是由选自Si、顶部上具有SiO2层的Si、云母、玻璃、浮法玻璃、钙钛矿、石英、非晶复合物、金属、金属氧化物和半导体的材料制成，所述金属选自包含Au、Ti、Pt、Ag、Cr、Cu、Al及其合金的组，所述金属氧化物选自包含Al2O3、AgO、TiO2、SiO2、DyScO3、YsZ的组，且所述半导体优选地选自包含Si、Ge、GaAs、GaN、In、Sb、InP、CdS、ZnSe的组。
在一个实施例中，在执行步骤b)之前，所述目标基板包含所定义的尺度的金属结构，所定义的尺度例如为高度、由所述结构覆盖的目标基板面积、长度以及形状，其中优选地，所述金属结构至少部分地被整合到所述目标基板的表面内。
在一个实施例中，所述聚合物的长度等于在所述目标基板的表面上方所述金属结构的高度，或者所述聚合物的长度比在所述目标基板的表面上方所述金属结构的高度长≤40％，优选地长≤20％，更优选地长≤10％。
在一个实施例中，所述金属结构被分子层覆盖，其中优选地，所述聚合物的长度等于包括所述分子层的所述金属结构的高度。
在一个实施例中，所述聚乙二醇在所述近端上具有琥珀酰亚胺酯基，并通过所述目标基板的表面上的氨基而共价连接到所述目标基板，该氨基与所述聚乙二醇的所述近端上的所述琥珀酰亚胺酯基连接。
优选地，所述聚乙二醇在所述远端上具有硫醇基。
在一个实施例中，一直到并包括步骤b)，在所述聚合物的所述远端处的所述官能团、优选地所述硫醇基受到保护基保护，优选地受到三苯甲基保护，其中优选地，在步骤b)之后且在步骤c)之前，在所述聚合物的所述远端处的所述官能团、优选地所述硫醇基被解除保护(deprotect)。
在一个实施例中，在步骤c)中，在使所述印模与所述目标基板共形接触时，已经预先涂敷到所述印模上的所述金属层或图案被转移到所述目标基板上的所述聚合物材料层上。
在一个实施例中，所述金属层或图案内的所述金属选自包含Au、Ti、Pt、Ag、Cr、Cu、Al及其合金的组，且如权利要求16至20中任一项中所限定的所述金属结构内的所述金属独立地选自包含Au、Ti、Pt、Ag、Cr、Cu、Al及其合金的组。
在一个实施例中，已经预先涂敷金属层或图案的所述印模为聚合物印模，其中优选地，所述聚合物印模由选自包含弹性体、塑性体、离子交联聚合物和树脂的组的聚合物材料制成。
本发明的目的还通过具有金属层或图案的并且通过根据本发明的方法制备的基板来达成。
本发明的目的还通过将根据本发明的基板用于电子装置中来达成。
在本申请中有时提及“目标基板”。通过该术语，意指为根据本发明的金属层或图案的目的地的基板。该“目标基板”可以是平坦且非结构化的，或者通过底电极结构化的。在一些实施例中，在执行根据本发明的方法之前，该“目标基板”可以已经整合了金属结构。这种金属结构可以部分地被掩埋在所述目标基板的表面内，或者可以位于所述“目标基板”的顶部上。例如如果这种基板将被用于电子装置中，则这种金属结构可以被用作电极。
在本申请中，该目标基板有时也被称为“基板2”(见图1a和3)或者“基板3”(见图2b)。与此相反，在本申请中有时也提到“基板1”(参见例如图1a、图2a和图3)。该术语意指在第一步骤中产生有金属图案的任何基板，该金属图案随后通过印模从该基板被转移到“目标基板”。在这些情况中的任一情况下，应遵守的是，目标基板和金属层或图案之间的结合应强于印模(优选地为聚合物印模)和该金属层或图案之间的结合。类似地，印模和金属层或图案之间的结合应强于金属层或图案和原始基板、即基板1之间的结合。图3示出这方面的示意性总览，清楚地表明：在所有结合中，金属层或图案与目标基板之间的结合应是最强的，以便允许金属层或图案转移到目标基板上。(图3中的缩写：PDMS＝聚二甲基硅氧烷；POP＝聚烯烃聚合物。)
类似地，在本申请中提到“印模”。通过该术语意指诸如基板的任何实体，该实体具有表面，该表面通过临时用作梭来允许金属层或图案的转移。这种“梭基板”用于将金属层或图案转移到目标基板上。制备已经预先涂敷有金属层或图案的印模的方法有许多种，并且例如被披露于在此全文被引入作为参考的欧洲专利申请No.06006899.6中。在该欧洲专利申请中，更具体而言，披露了允许金属层转移到聚合物衬垫或聚合物印模上的不同工艺。所有这些工艺可以被用于制备在顶部上具有金属图案的印模。
工艺1(参见图2a)
该工艺步骤涉及在平坦基板表面上制备抗蚀剂图案(1)。随后，在蒸镀/沉积金属层(3)和剥离步骤(4)之前，润滑剂层被沉积到基板上(2)。该工艺中以及本发明其它实施例中的该剥离步骤是通过使抗蚀剂图案溶解在适当溶剂中来执行的。该工艺导致结构化金属层，该结构化金属层通过润滑剂层与该基板分离。使该金属层与转移衬垫或印模共形接触(5)，该转移衬垫或印模通常由聚合物制成。如果润滑剂层上的金属层的结合力弱于金属层和聚合物之间的相互作用，则该金属层被转移到所述印模的聚合物上(6)。
工艺2(参见图2b)
该工艺步骤涉及在根据工艺1的聚合物衬垫上制备例如Au的金属层(1)。极性溶剂被滴到该金属层上(2)。该溶剂在金属层、例如Au层与该聚合物之间被拖曳，由此使结合力变弱。使该金属层与目标基板(“基板3”)共形接触(3)，且由于极性溶剂使结合力变弱，金属图案从聚合物衬垫被转移到目标基板上(4)。
在本申请中有时提到使基板或印模与目标基板“共形接触”。通过该术语，意指允许将金属材料层或图案从印模转移到目标基板的印模和目标基板之间的任何接触。在一些实施例中，需要施加压力以发生这种转移，且在这些实例中，措辞“与...共形接触”应等同于“压在(到)...”。
虽然在优选实施例中所述金属层和目标基板之间的相互作用是通过共价键，但相互作用通过范德瓦尔斯相互作用或者通过静电相互作用的其它情形可以被设想并为本发明所涵盖。
此处所使用的“水接触角”是指水/空气/干燥表面的三相接触线处的角度。水接触角的测量方式为本领域技术人员所已知。可用于测量这种接触角的装置的例子为可从德国Filderstadt的DataPhysicsInstruments GmbH获得的“OCA20”***或者可从芬兰赫尔辛基的KSVInstruments Ltd.获得的“CAM 100 Optical Contact Angle Meter(CAM 100光学接触角测量仪)”。
“杨氏模量”是材料的抗张强度的量度，并被定义为张应力与张应变的比值。杨氏模量经常也被简称为“弹性模量”。杨氏模量通常是从优选地在小应变区域内的应力-应变曲线的斜率导出的。
有时提到“柔性的聚合物链”。此处所使用的该术语意指特征在于绕聚合物链内的键的自由旋转的聚合物的可动性。
本发明人已经发明了一种工艺，该工艺是通用的且允许补偿与待转移的金属层或金属图案相关联的粗糙度。该工艺容易实施且可以被应用于在目标基板上使用附加层的许多表面，其中该附加层也可以被称为“粗糙度补偿结合层”或者“粗糙度匹配结合层”。在优选实施例中，这种“粗糙度补偿结合层”由包含聚合物的聚合物材料制成，该聚合物：
●具有附着到远端的化学功能，从而允许附着金属；
●是柔性的且是可压缩的以补偿金属表面粗糙度；
●具有合适长度以掩埋金属结构；
●优选地通过在该聚合物的近端处的官能团和在目标基板的表
面上的官能团之间的共价键牢固地锚定到目标基板；以及
●是化学稳定的。在不希望受任何理论约束的情况下，本发明人认为这种可压缩性是由于“粗糙度补偿结合层”的聚合物性质所致。
附着聚合物材料层的方法有许多种且为本领域技术人员所已知。例如，聚合物层可以通过下述方式来沉积：通过旋涂；通过将聚合物端基化学键合到表面(例如，硫醇端基将聚合物键合到金[12-14]，或者硅烷将聚合物结合到氧化硅上)；或者通过硅烷化经由固定在基板表面上的氨基来化学键合[15，16]。
根据本发明的工艺的不同实施例可以被描述，其示出“粗糙度匹配结合层”的使用：
工艺3(参见图2c)
该工艺步骤涉及将聚合物材料固定在未被覆盖的基板上(1)。使利用工艺1已经被转移到印模上的金属结构、例如电极结构与改性基板接触(2)。由于聚合物材料的可压缩性，该金属结构共形接触该改性基板。该金属结构的任何粗糙度可以通过聚合物层的机械变形被补偿。
如果聚合物层和金属结构、例如电极结构之间的结合力强于金属结构和印模之间的相互作用，该金属结构将被转移到该改性基板上(3)。
工艺4(参见图2d)
该工艺步骤涉及例如通过标准工艺、诸如使用抗蚀剂图案、随后涂敷金属并除去抗蚀剂来在平坦目标基板上制备第一金属结构。随后，聚合物材料被固定在未被覆盖的基板上(2)。聚合物层的厚度适配于金属结构的高度，使得该金属结构被掩埋在该聚合物层内。这种第一金属结构例如可以是电极。分子层被沉积到该电极上(3)。该分子层可以被用于调整第一金属结构的高度。使优选地利用工艺1在印模上所制备的附加金属结构、例如电极结构与该改性基板接触。由于掩埋电极，第二电极结构与该改性基板共形接触。电极结构的任何粗糙度可以通过该聚合物层的机械变形而被补偿。
如果第二电极结构上的聚合物层的结合力强于第二电极结构和印模之间的相互作用，则该第二电极结构被转移到改性基板上(5)。
金属图案或层到目标基板的可再现的且高效的转移可以使用透明胶带试验(Scotch tape test)来测试。这是用于定性地测试薄膜与基板的结合的常用方法。如果透明胶带被施加到已经转移有金属层或图案的目标基板上且随后透明该胶带被剥去，这将导致弱键合材料的去除，而有效且牢固地转移到目标基板上的膜将继续停留在目标基板的表面上。
在本发明人进行的所有实例和实验中，依据本发明方法所制备的基板都出色地经受住了透明胶带试验，例如可以从图8中看出。
附图说明
此外，参考附图，其中：
图1示出纳米转移印刷工艺(nTP(a))以及软接触层叠工艺(ScL(b))的示意性表示；
图2示出图案化金属结构如何能够被转移到聚合物印模上(a)以及金属图案如何能够从聚合物印模被转移到例如SiO2的其它表面上(b-d)；
图3定性地作为例子示出将Au材料从第一基板有效地转移到聚合物印模上以及随后转移到目标基板上所需的不同结合强度；为了发生该转移，Au和(最终的)目标基板之间的结合应大于Au和聚合物印模之间的结合(PDMS＝聚二甲基硅氧烷，POP＝聚烯烃聚合物(polyolefine plastomer))；
图4示出根据本发明的方法的一个实施例的反应步骤，其中SiO2目标基板使用3-氨基丙基三乙氧基硅烷来硅烷化，且随后特定聚乙二醇被结合到表面，该聚乙二醇在近端具有琥珀酰亚胺酯以与目标基板上的氨基反应，且在远端具有三苯甲基保护基，该三苯甲基保护基随后可以在三氟乙酸中断开；
图5示出在固定聚乙二醇之前氨基硅烷层的原子力显微镜图像，下图为粗糙度分布图；
图6以两个不同放大倍率示出PEG改性目标基板的两幅原子力显微镜图像，下图为粗糙度分布图；以及
图7示出结构化Au的图像，该结构化Au从SiO2晶片被转移到聚合物基板(印模)上且随后被转移到依据本发明被改性的目标基板上。
具体实施方式
此外，参考以下例子，该例子被给出用于举例说明，而不是用于限制本发明。
例子
使用具有SiO2表面的硅晶片作为目标基板。
聚乙二醇(PEG)被引入作为粗糙度匹配层。在不希望受任何理论约束的情况下，本发明人认为PEG提供可变形区域。一端(“近端”)为琥珀酰亚胺酯，其可以耦合到氨基终止的表面。另一端(“远端”)具有受三苯甲基(“Trt”)保护的硫原子以避免硫醇基的不期望的反应。在这种情况下，使用分子量为3000Da的α-三苯甲基-ω-羧基琥珀酰亚胺酯聚乙二醇(Su-COO-PEG-CO-NH-C2H4-S-Trt)。这对应于60-70PEG单位。分子的长度约为20-30nm。
为了将Su-COO-PEG-CO-NH-C2H4-S-Trt结合到表面上，通过使用3-氨基丙基三乙氧基硅烷来硅烷化SiO2表面而将氨基引入到硅晶片的表面上。在将Su-COO-PEG-CO-NH-C2H4-S-Trt结合到表面上之后，使用三乙基硅烷作为清除剂在纯三氟乙酸中断开三苯甲基保护基[17][18]。反应步骤示于图4中。
工艺(也参见图2c、4、5和7)
工艺步骤涉及使用3-氨基丙基三乙氧基硅烷来制备氨基官能化的SiO2(1)表面。硅烷化工艺是在手套箱内部的干燥器内在5mbar的压力下执行1小时。氨基硅烷层在硅烷化之后的表面粗糙度对于4μm2面积来说为0.20nm(图5)，且接触角约为48°。在第二步骤中，包含约60-70PEG单位的Su-COO-PEG-CO-NH-C2H4-S-Trt耦合到表面。氨基改性的基板被浸没在包含1mM的Su-COO-PEG-CO-NH-C2H4-S-Trt的磷酸盐缓冲溶液(pH 8)内2.5小时。随后，基板用水冲洗并在氩气流下干燥。得到的基板(2)的层厚度为2.6nm。这约为理论长度的10％，表明PEG没有被致密地堆积在表面上。随后，通过将基板浸没到包含几滴三乙基硅烷的纯三氟乙酸内而断开三苯甲基。最终基板(3)的层厚度为1.9nm，并且该层的接触角为36°。该值在MPTES(3-巯丙基三乙氧基硅烷)改性表面(接触角为34-40°)的范围内。该表面在4μm2面积上的均方根值为0.18nm(图6)。
图7示出在透明胶带试验之前(c)和之后(d)结构化Au的光学图像，该结构化Au从SiO2(a)晶片被转移到聚合物基板(b)上，且从该聚合物基板被转移到化学官能化的SiO2目标基板上。
如图7中所示，该工艺是通用的且允许在表面上具有图案化金属结构的表面的官能化。
在说明书、权利要求和/或附图中所公开的本发明的特征可以单独地并且以其任何组合为用于以各种形式实现本发明的材料。
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Claims (42)

1.一种在基板上涂敷金属层或图案的方法，所述方法包括步骤：
a)提供目标基板；
b)在所述目标基板上固定聚合物材料层；以及
c)使用已经预先涂敷有金属层或图案的印模，通过使所述印模与所述目标基板共形接触，在所述目标基板上的所述聚合物材料层上涂敷并固定所述金属层或图案，
其中，所述共形接触表示允许将所述金属材料层或图案从所述印模转移到所述目标基板的、所述印模和所述目标基板之间的任何接触，
其中，所述聚合物材料层包括聚合物，该聚合物具有柔性的聚合物链，并且此外具有近端和远端，在所述近端处共价连接到所述目标基板且在所述远端处具有官能团，所述官能团允许所述金属层或图案在所述聚合物材料层上的固定，
其中，所述聚合物为聚乙二醇(PEG)，并且
其中，所述聚乙二醇包括约60至70乙二醇单位。
2.如权利要求1所述的方法，其中，在步骤b)中，通过在所述目标基板上共价连接所述聚合物材料，将所述聚合物材料层固定在所述目标基板上。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述印模和所述金属层或图案之间的结合弱于所述聚合物材料层与所述金属层或图案之间的结合。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述聚合物材料层具有在从20°至70°的范围内的水接触角。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述聚合物材料层具有在从0.001GPa至5GPa的范围内的杨氏模量。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述聚合物材料层在被固定在所述目标基板上时具有在从1nm至20μm的范围内的平均厚度。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述聚合物通过所述目标基板的表面上的官能团被共价连接到所述目标基板，所述目标基板的表面上的所述官能团选自氨基、羟基、硅烷醇基、乙烯基、羧基和硫醇基。
8.如权利要求1所述的方法，其中所述聚合物通过所述聚合物的所述近端上的官能团被共价连接到所述目标基板，所述聚合物的所述近端上的所述官能团选自氨基、羟基、硅烷醇基、烷氧基、乙烯基、羧基、硫醇基和琥珀酰亚胺酯基。
9.如权利要求1所述的方法，其中所述聚合物的所述远端处的所述官能团选自硫醇基、氨基、羟基、羧基、腈基和羰基。
10.如权利要求1所述的方法，其中所述聚乙二醇具有在从500Da至10000Da的范围内的分子量。
11.如权利要求1所述的方法，其中所述目标基板由选自Si、顶部上具有SiO2层的Si、云母、玻璃、浮法玻璃、钙钛矿、石英、非晶复合物、金属、金属氧化物和半导体的材料制成，所述金属选自包含Au、Ti、Pt、Ag、Cr、Cu、Al及其合金的组，所述金属氧化物选自包含Al 2O3、AgO、TiO2、SiO2、DyScO3、YsZ的组。
12.如权利要求1所述的方法，其中在执行步骤b)之前，所述目标基板包含所定义的尺度的金属结构。
13.如权利要求12所述的方法，其中所述金属结构至少部分地被整合到所述目标基板的表面内。
14.如权利要求12所述的方法，其中所述聚合物的长度等于在所述目标基板的表面上方所述金属结构的高度，或者所述聚合物的长度比在所述目标基板的表面上方所述金属结构的高度长≤40％。
15.如权利要求12所述的方法，其中所述金属结构被分子层覆盖。
16.如权利要求15所述的方法，其中所述聚合物的长度等于包括所述分子层的所述金属结构的高度。
17.如权利要求1所述的方法，其中所述聚乙二醇在所述近端上具有琥珀酰亚胺酯基，并通过所述目标基板的表面上的氨基而共价连接到所述目标基板，所述氨基与所述聚乙二醇的所述近端上的所述琥珀酰亚胺酯基连接。
18.如权利要求1所述的方法，其中所述聚乙二醇在所述远端上具有硫醇基。
19.如权利要求9所述的方法，其中一直到并包括步骤b)，在所述聚合物的所述远端处的所述官能团受到保护基保护。
20.如权利要求19所述的方法，其中在步骤b)之后且在步骤c)之前，在所述聚合物的所述远端处的所述官能团被解除保护。
21.如权利要求1所述的方法，其中，在步骤c)中，在使所述印模与所述目标基板共形接触时，已经预先被涂敷到所述印模上的所述金属层或图案被转移到所述目标基板上的所述聚合物材料层上。
22.如权利要求1所述的方法，其中所述金属层或图案内的所述金属选自包含Au、Ti、Pt、Ag、Cr、Cu、Al及其合金的组，且如权利要求16中所限定的所述金属结构内的所述金属独立地选自包含Au、Ti、Pt、Ag、Cr、Cu、Al及其合金的组。
23.如权利要求1所述的方法，其中已经预先涂敷有金属层或图案的所述印模为聚合物印模。
24.如权利要求23所述的方法，其中所述聚合物印模由选自包含弹性体、塑性体、离子交联聚合物和树脂的组的聚合物材料制成。
25.如权利要求4所述的方法，其中所述聚合物材料层具有在从20°至50°的范围内的水接触角。
26.如权利要求25所述的方法，其中所述聚合物材料层具有在从30°至50°范围内的水接触角。
27.如权利要求5所述的方法，其中所述聚合物材料层具有在从0.1PGa至0.5Gpa的范围内的杨氏模量。
28.如权利要求6所述的方法，其中所述聚合物材料层在被固定在所述目标基板上时具有在从1nm至200nm的范围内的平均厚度。
29.如权利要求28所述的方法，其中所述聚合物材料层在被固定在所述目标基板上时具有在从1nm至50nm的范围内的平均厚度。
30.如权利要求29所述的方法，其中所述聚合物材料层在被固定在所述目标基板上时具有在从1nm至10nm的范围内的平均厚度。
31.如权利要求10所述的方法，其中所述聚乙二醇具有在从1000Da至5000Da的范围内的分子量。
32.如权利要求31所述的方法，其中所述聚乙二醇具有在从2000Da至4000Da的范围内的分子量。
33.如权利要求32所述的方法，其中所述聚乙二醇具有约为3000Da的分子量。
34.如权利要求11所述的方法，其中所述半导体选自包含Si、Ge、GaAs、GaN、In、Sb、InP、CdS、ZnSe的组。
35.如权利要求12所述的方法，其中所定义的尺度选自高度、由所述结构覆盖的目标基板面积、长度以及形状。
36.如权利要求14所述的方法，其中所述聚合物的长度比在所述目标基板的表面上方所述金属结构的高度长≤20％。
37.如权利要求36所述的方法，其中所述聚合物的长度比在所述目标基板的表面上方所述金属结构的高度长≤10％。
38.如权利要求19所述的方法，其中在所述聚合物的所述远端处的所述官能团是硫醇基。
39.如权利要求19所述的方法，其中所述保护基是三苯甲基。
40.如权利要求20所述的方法，其中在所述聚合物的所述远端处的所述官能团是硫醇基。
41.一种具有金属层或图案的并且通过如权利要求1所述的方法所制备的基板。
42.如权利要求41所述的基板在电子装置中的使用。
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