CN101318108A - X型分子筛膜在不锈钢金属网上的二次生长制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于X型分子筛膜的制备领域，具体涉及采用预涂晶种在不锈钢金属网上制备X型分子筛膜的二次生长制备方法。首先是制备X分子筛的晶种悬浊液，再把晶种悬浊液滴在经预处理的不锈钢金属网上，在电阻丝炉上烘烤，烘干为止，则形成一层覆盖不锈钢网的晶种层，从而得到晶种膜；再将晶种膜置于分子筛膜合成的二次反应溶液中，70～85℃条件下反应1～20天，即得X分子筛膜。本专利采用的是烘烤的方法预涂晶种，完美的解决了金属载体上涂晶种的难题。该方法制备的X型分子筛膜薄且连续性好，缺陷少。以不锈钢金属网为载体的X型分子筛膜比其它载体合成的X型分子筛膜薄的多，且分子筛晶体膜的有效面积大，因此将会具有更大的渗透率。
Description
技术领域
本发明属于X型分子筛膜的制备领域，具体涉及采用预涂晶种在不锈钢金属网上制备X型分子筛膜的二次生长方法。
技术背景
X型分子筛属于FAU型分子筛，FAU型分子筛另一种为Y型，二者硅铝比(Si/Al)不同。Si/Al大于3.0为Y型，小于3.0为X型。FAU型分子筛具有7.4埃米大小的规则微孔孔道，比一般分子筛如LTA型、MFI型分子筛的孔道大。因此，FAU型分子筛膜的制备和研究也引起广泛兴趣。有许多文献报道了FAU型分子筛膜的合成，主要研究了碳氢化合物的分离、二氧化碳和氮气的分离、以及醇水分离。另外还有把FAU型分子筛膜作为膜反应器应用于环己烷脱氢反应中。
在过去的报道中，X型分子筛膜大多数是以多孔的α-Al2O3片或管、多孔陶瓷片或管为载体。而在多孔α-Al2O3和陶瓷片或管上合成的分子筛膜只有很低的渗透率，因为在合成过程中，α-Al2O3和陶瓷上的铝和硅很容易溶解进入反应溶液，分子筛晶体也很容易在片和管的孔道中成核结晶堵塞孔道，这些因素都导致分子筛膜的渗透率下降。
本发明采用了一种新型的载体——不锈钢金属网，在解决了如何在金属载体上涂晶种的问题之后，通过采用预涂晶种的二次生长的方法合成了X型分子筛膜。并且通过调节反应物配比、反应时间、反应温度等合成条件，优化了X型分子筛膜的合成条件。以不锈钢金属网为载体合成的X型分子筛膜比其它载体合成的X型分子筛膜薄的多，且分子筛晶体膜的有效面积大，因此将会具有更大的渗透率。
发明内容
本发明旨在提供一种提高X型分子筛膜的渗透率的合成方法，即选取孔隙率大得多的不锈钢金属网为载体，采用烘烤的方法来预涂晶种，最后通过水热的二次生长法合成连续性好且薄的X型分子筛膜。
本专利所述的X型分子筛膜在不锈钢金属网上的二次生长制备方法，其包括如下步骤：
a)合成晶种：X型分子筛晶种的原料配比为2～10mol NaOH∶1～7mol SiO2∶0.5～5mol NaAlO2∶100～400mol H2O，具体步骤是将偏铝酸钠加入水中，溶解后加入氢氧化钠，再溶解后加入白炭黑，搅拌均匀后装入聚四氟乙烯为内衬的不锈钢反应釜中，60～100℃条件下反应1～5天，产物抽滤干燥得X型分子筛的晶种粉末，大小为1～2微米左右；
b)晶种膜的制备：将3～10克X型分子筛晶种粉末加入到10～30克去离子水中，超声(功率100～200瓦，温度为20～30℃，时间为5～20分钟)分散，得到晶种悬浊液，再把晶种悬浊液(3～10滴)滴在经预处理的不锈钢金属网上，在500～700瓦的电阻丝炉上烘烤，烘干为止，形成一层覆盖不锈钢网的晶种层，从而得到晶种膜；
c)膜的合成：X型分子筛膜合成的二次反应溶液的原料为氢氧化钠、偏铝酸钠(或铝粉)、水、白炭黑(或正硅酸乙酯)和三乙醇胺(TEA)，溶液配比为0.9～128mol NaOH∶0.4～10mol SiO2(或正硅酸乙酯)∶0.5～13mol NaAlO2(或Al粉)∶190～2375mol H2O∶0～15mol TEA，将所得溶液倒入预先放有晶种膜的不锈钢反应釜中，70～85℃条件下反应1～20天，即得X分子筛膜。
上述步骤中，当铝源和硅源分别选用偏铝酸钠和白炭黑，且不添加三乙醇胺，加料顺序与X型分子筛晶种的合成的加料顺序相同。
上述步骤中，当铝源和硅源分别选用铝粉和正硅酸乙酯时，需要分别配制两种溶液。铝源溶液是将氢氧化钠溶解到水中，然后将铝粉溶解到氢氧化钠溶液中；待铝粉与氢氧化钠反应完全之后，将三乙醇胺加入到偏铝酸钠溶液中得到铝源溶液。硅源溶液是将水、正硅酸乙酯和三乙醇胺混溶，搅拌30分钟～300分钟得到。最后将两种溶液混合得到膜反应液。
上述步骤中，载体选取100～400目的不锈钢金属网，其预处理是用自来水超声(功率100～200瓦，温度为20～30℃，时间为5～20分钟)清洗，然后用去离子水冲洗1～5遍。
上述步骤中，以配比为2～10mol NaOH∶1～7mol SiO2∶0.5～5mol NaAlO2∶500～2000mol H2O∶0mol TEA时配制的分子筛合成液，在70～85℃条件下反应1～7天得到的X型分子筛膜的质量最佳。
本专利采用的是100～400目的不锈钢金属网作为载体，该不锈钢金属网机械强度好，孔隙率高。
本专利采用的是烘烤的方法预涂晶种，完美的解决了金属载体上涂晶种的难题。
本专利采用二次生长的合成方法制备X型分子筛膜，该方法合成的X型分子筛膜薄且连续性好，缺陷少。
本方法的有益效果是，大孔隙率的不锈钢网和较薄的载体厚度，更加有利于合成高渗透性的X型分子筛膜。
附图说明
下面结合附图和实施例对本新方法进一步说明。
图1：实施例1中不同放大倍数的不锈钢金属网(300目)的光学显微照片；
图2：实施例1中不锈钢金属网上的X型分子筛晶种层的扫描电镜(SEM)照片；
图3：实施例1中不锈钢金属网上晶种膜和分子筛膜的X射线衍射(XRD)的结果；
图4：实施例1中不锈钢金属网为载体的X型沸石分子筛膜的光学显微照片；
图5：实施例1中不锈钢金属网为载体的X型沸石分子筛膜的SEM照片；
图6：实施例2中不同反应时间得到的X型分子筛膜的SEM照片；
图7：实施例3中不同溶液浓度得到的X型分子筛膜的SEM照片；
图8：实施例4中不同溶液碱度得到的X型分子筛膜的SEM照片；
图9：实施例5中不同溶液硅铝比得到的X型分子筛膜的SEM照片；
图10：实施例6中在不锈钢金属网上生长的X型沸石分子筛膜的SEM照片；
图11：实施例7中不同氢氧化钠的量合成的X型分子筛膜的SEM照片；
图12：实施例8中不同三乙醇胺的量合成的X型分子筛膜的SEM照片；
图13：实施例9中不同浓度反应液合成的X型分子筛膜的SEM照片；
如图1所示，图1(a)为放大100倍的照片，图1(b)为放大200倍的照片。我们选用的不锈钢金属网(300目)的网丝直径为40微米左右，网孔为50微米×50微米。从图中可以看到不锈钢金属网的孔隙率很大。
如图2所示，上面为晶种膜正面的照片，下面为背面的照片。可以看到晶种膜上的晶种紧密排列，但互生不好，晶体颗粒间有缝隙。
如图3所示，a为X型分子筛晶种膜的XRD谱图，b为二次生长之后的X型分子筛膜的XRD谱图。其中，2θ角为6.1、10、11.7、15.4、23.3等值对应的强度的峰，皆为X型分子筛的特征峰，说明合成得到了X型分子筛的膜。从图中还可以看到，生长之后的分子筛膜的XRD峰强度比未生长的晶种膜对应的峰强度更大，说明结晶度变大。
如图4所示，图4(A)为正面的光学显微照片，图4(B)为背面的光学显微照片，各放大200倍；图4(C)、图4(D)分别是图4(A)和图4(B)的放大照片，各放大500倍。从图中可以看到，相比于之前的晶种膜，X型分子筛在金属网上生成了连续性较好的膜；从透光度上可以粗略看出膜的厚度是比较薄的。
如图5所示，图5(A)、图5(B)、图5(C)分别为X型分子筛膜的正面、背面、截断面的SEM照片，图5(D)是图5(C)的放大照片。从图中可以清楚的看到X型分子筛膜有良好的互生，连续性好，缺陷少。截面图说明膜的厚度较小，且有分层，最上层结晶度最好。
如图6所示，图6(1)～图6(7)分别为反应1～7天的X型分子筛膜的SEM照片。从图中可以看到：反应1天时，看不出晶种层的明显生长，但分子筛膜已经可以用去离子水洗涤而不会发生金属网上的晶种层与金属网分离。反应第2天，明显看出晶种层的生长，但分子筛膜仍然不连续，有许多的空隙和缺陷。反应第3天，分子筛膜更加致密连续，只看到少许的空隙。到反应第4天，分子筛膜表面在电子显微镜下几乎看不到空隙。随着反应的进一步进行，分子筛膜表面更加连续，表面的晶粒也变得越来越大。到第6天，分子筛膜向上放置的表面上开始有了溶液中形成的晶体的附生。反应时间为7天时，分子筛膜向下的面生长得非常好，十分致密，没有任何的缺陷，分子筛晶粒也很大，达到10微米。但分子筛向上的面堆积了许多溶液中自由成核的X型分子筛晶体。
如图7所示，其中图7(1)～图7(6)分别是溶液配比为6.4mol NaOH∶4molSiO2∶2mol NaAlO2∶x mol H2O时，x的值分别取190、356、600、1187、1662和2375所对应的SEM的照片。从图上可以看出，溶液浓度过大或者过小都不利于X型沸石分子筛膜的生长。当浓度过大时，溶液易均相成核，容易在溶液中晶化生长X型沸石分子筛，而不利于晶种层分子筛膜的生长；当加入的水量多，浓度过小时，溶液中的碱度也相应减小，碱度太小时，分子筛晶化需要一定的温度和碱度，当达不到要求时，分子筛不能晶化。因此，在其它条件相同的条件下，水的量为1187的时候，是比较适应的反应浓度。
如图8所示，其中图8(1)～图8(6)分别是溶液配比为x mol NaOH∶4mol SiO2∶2mol NaAlO2∶1187mol H2O时，x的值分别取0.9、4.3、6.4、11.9、17.4和22.9所对应的SEM的照片。当氢氧化钠的量很小时，x＜0.9时，不锈钢金属网上的X型沸石分子筛晶种层几乎没有任何生长，在去离子水洗涤中晶种层与金属网分散。因为碱度太小，无法使溶液中的硅铝酸盐发生缩合，不能使晶体成核晶化，在一定有范围内，碱度越大，越有利于分子筛膜的生长。而当x＞17.4时，分子筛膜表面开始产生杂相，碱度过大，导致了P型沸石分子筛的出现，碱度越大，分子筛膜表面产生的P型分子筛越多。因为，在这一实验条件下，比较合理的碱度应该为x＝6.4时，X型分子筛膜生长得最为致密，同时，没有其它杂相。
如图9所示，其中图9(1)～图9(6)分别是溶液配比为6.4mol NaOH∶4mol SiO2∶xmol NaAlO2∶1187mol H2O时，x的值取0.6、1.0、1.6、2.0、3.0和4.0所对应的SEM的照片。从SEM结果可以看出，在一定范围内，硅铝比越低，越有利于X型分子筛膜的生长，x＝2.0时的溶液得到的X型分子筛膜比x＝1.6时致密，分子筛膜表面的晶粒也长得更大，说明该硅铝比下X型分子筛晶种层的晶化速度越快。但当硅铝比小到一定值时，如x＞3.0时，表面生长的不再是X型分子筛膜，而是A型分子筛膜，附图9中5、6表面生长的是A型分子筛膜，硅铝比越低，A型分子筛膜长得越致密。
如图10所示，其中图10(1)、图10(2)分别为同一膜的正面和背面的SEM照片；图10(3)、图10(4)为此膜的不同放大倍数的正面SEM照片。从图片中可以看到，由此种溶液生长的X型分子筛的膜，连续性比较好，互生度高，且能看到X型分子筛晶体特有的正八面体结构的正三角形的面。
如图11所示，其中图11(1)～图(6)分别是x取2.6、6.4、12.8、25.6、64和128时的SEM照片。与实施例4类似，过高和过低的碱度都不利于膜的生长，当x取12.8和25.6时生长的X型分子筛的膜，生长的最好。
如图12所示，其中图12(1)～图12(3)分别是x取O、6和15时的SEM照片。从SEM照片中可以看到，增大TEA的量是有利于膜的生长的。
如图13所示，其中图13(1)～图13(4)分别是x取5、1、0.5和0.2时的SEM照片。从SEM照片中可以看到，浓度太低时晶种膜几乎没有生长，晶种膜上的晶种还是X型分子筛的晶体颗粒，颗粒之间没有互生。随着浓度变大，膜生长的越好，但浓度不宜过大，因为过大会促进反应液均相成核，生成X型分子筛晶体，落在膜上会影响膜的质量。
具体实施方式
下面应用实施例对本发明作进一步的阐述：
实施例1
金属网载体的处理：
选取300目不锈钢金属网(中国新乡第540厂)为载体，用自来水浸泡，在超声(超声波功率为100瓦，温度为20℃)的条件下超声10分钟，最后用去离子水冲洗3遍。
附图1为300目不锈钢金属网的光学显微镜照片。
晶种的合成：
首先将2.49克偏铝酸钠加入到33.16克水中，溶解后加入2.99克氢氧化钠，再溶解后加入2.4克白炭黑，搅拌均匀后装入聚四氟乙烯为内衬的不锈钢反应釜中，85℃条件下反应2.5天。产物抽滤干燥得X的晶种粉末，大小为1微米左右。
晶种膜的制备：
将5克X型分子筛晶种粉末加入到20克去离子水中，超声(功率100瓦，温度为20℃，时间为10分钟)分散，得到晶种悬浊液。把晶种悬浊液(5滴)滴在不锈钢金属网上，在500～700瓦的电阻丝炉上烘烤，烘干为止，形成一层覆盖不锈钢网的晶种层，从而得到晶种膜。
附图2为不锈钢金属网上的X型分子筛晶种层的SEM照片。
膜的合成：
反应原料为氢氧化钠、偏铝酸钠、水和白炭黑，配制溶液原料配比为6.4molNaOH∶4mol SiO2∶2mol NaAlO2∶1187mol H2O(实际操作时，是按此比例称量反应物质的量，如称量1.187mol H2O时，NaOH的用量则为0.0064mol，NaAlO2的量为0.002mol，以下各例相同，各物质前的系数只代表相互间的比例关系，而并不代表实际称量的量！)。将所得溶液倒入预先放有晶种膜的不锈钢反应釜中，85℃条件下反应6天，即得X沸石分子筛膜。
附图3为不锈钢金属网上晶种膜和分子筛膜的X射线衍射(XRD)的结果。
附图4为不锈钢金属网为载体的X型沸石分子筛膜的光学显微照片。
附图5为不锈钢金属网为载体的X型沸石分子筛膜的SEM照片。
实施例2
考查不同反应时间对合成X型分子筛膜的影响。
晶种膜的制备与实施例1相同。
膜的合成：
与实施例1不同的是，反应时间改为1、2、3、4、5、6、7天，附图6为不同反应时间得到的X型分子筛膜的SEM照片。其中1～7分别为反应1～7天的X型分子筛膜的SEM照片。
从图中可以看到：反应1天时，看不出晶种层的明显生长，但分子筛膜已经可以用去离子水洗涤而不会发生金属网上的晶种层与金属网分离。反应第2天，明显看出晶种层的生长，但分子筛膜仍然不连续，有许多的空隙和缺陷。反应第3天，分子筛膜更加致密连续，只看到少许的空隙。到反应第4天，分子筛膜表面在电子显微镜下几乎看不到空隙。随着反应的进一步进行，分子筛膜表面更加连续，表面的晶粒也变得越来越大。到第6天，分子筛膜向上放置的表面上开始有了溶液中形成的晶体的附生。反应时间为7天时，分子筛膜向下的面生长得非常好，十分致密，没有任何的缺陷，分子筛晶粒也很大，达到10微米。但分子筛向上的面堆积了许多溶液中自由成核的X型分子筛晶体。
实施例3
考查不同溶液浓度对合成X型分子筛膜的影响。
晶种膜的制备与实施例1相同。
膜的合成：
与实施例1不同的是，在溶液配比(摩尔比)6.4mol NaOH∶4mol SiO2∶2mol NaAlO2∶x mol H2O中，x的值分别取190、356、600、1187、1662和2375。附图7为不同溶液浓度得到的X型分子筛膜的SEM照片。其中1～6分别是x的值取190、356、600、1187、1662和2375所对应的SEM的照片。
从图上可以看出，溶液浓度过大或者过小都不利于X型沸石分子筛膜的生长。当浓度过大时，溶液易均相成核，容易在溶液中晶化生长X型沸石分子筛，而不利于晶种层分子筛膜的生长；当加入的水量多，浓度过小时，溶液中的碱度也相应减小，碱度太小时，分子筛晶化需要一定的温度和碱度，当达不到要求时，分子筛不能晶化。因此，在其它条件相同的条件下，水的量为1187的时候，是比较适应的反应浓度。
实施例4
考查不同溶液碱度对合成X型分子筛膜的影响。
晶种膜的制备与实施例1相同。
膜的合成：
与实施例1不同的是，在溶液配比xmol NaOH∶4mol SiO2∶2mol NaAlO2：1187mol H2O中，x的值分别取0.9、4.3、6.4、11.9、17.4和22.9。附图8为不同溶液碱度得到的X型分子筛膜的SEM照片。其中1～6分别是x的值取0.9、4.3、6.4、11.9、17.4和22.9所对应的SEM的照片。
当氢氧化钠的量很小时，x＜0.9时，不锈钢金属网上的X型沸石分子筛晶种层几乎没有任何生长，在去离子水洗涤中晶种层与金属网分散。因为碱度太小，无法使溶液中的硅铝酸盐发生缩合，不能使晶体成核晶化，在一定有范围内，碱度越大，越有利于分子筛膜的生长。而当x＞17.4时，分子筛膜表面开始产生杂相，碱度过大，导致了P型沸石分子筛的出现，碱度越大，分子筛膜表面产生的P型分子筛越多。因为，在这一实验条件下，比较合理的碱度应该为x＝6.4时，X型分子筛膜生长得最为致密，同时，没有其它杂相。
实施例5
考查不同溶液硅铝比对合成X型分子筛膜的影响。
晶种膜的制备与实施例1相同。
膜的合成：
与实施例1不同的是，在溶液配比6.4mol NaOH∶4mol 8iO2∶xmol NaAlO2∶1187mol H2O中，x的值分别取0.6、1.0、1.6、2.0、3.0和4.0。附图9为不同溶液硅铝比得到的X型分子筛膜的SEM照片。其中1～6分别是x的值取0.6、1.0、1.6、2.0、3.0和4.0所对应的SEM的照片。
从SEM结果可以看出，在一定范围内，硅铝比越低，越有利于X型分子筛膜的生长，x＝2.0时的溶液得到的X型分子筛膜比x＝1.6时致密，分子筛膜表面的晶粒也长得更大，说明该硅铝比下X型分子筛晶种层的晶化速度越快。但当硅铝比小到一定值时，如x＞3.0时，表面生长的不再是X型分子筛膜，而是A型分子筛膜，附图9中5、6表面生长的是A型分子筛膜，硅铝比越低，A型分子筛膜长得越致密。
实施例6
改变硅源与铝源，配制不同的膜反应液合成X型分子筛膜。
晶种膜的制备与实施例1相同。
膜的合成：
与实施例1不同的是，选取了不同的硅源和铝源作为反应原料。其中原料配比是2276molH2O∶12.8molNaOH∶2.6molAl∶2.0molSi(OEt)4∶6.0molTEA。
(1)铝源溶液的配制：将0.375克氢氧化钠加入到15克水中，待溶解完全搅拌下加入0.05克的铝粉，之后铝粉与氢氧化钠溶液将反应产生氢气，待二者反应完全，加入0.325克的三乙醇胺，搅拌30分钟，即得铝源溶液。
(2)硅源溶液的配制：将0.3克的正硅酸乙酯、0.325克的三乙醇胺和15克的水混合搅拌120分钟，即得硅源溶液。
(3)将两种溶液混合搅拌1分钟，加入到放有晶种膜的聚四氟乙烯内衬的不锈钢釜中，85℃条件下反应14天，即得X沸石分子筛膜。附图10为此反应溶液在不锈钢金属网上生长的X型沸石分子筛膜的SEM照片。
实施例7
晶种膜的制备与实施例1相同。
膜的合成：
与实施例6不同的是，考查了氢氧化钠的量对膜合成的影响。采用原料配比为2276molH2O∶xmolNaOH∶2.6molAl∶2.0molSi(OEt)4∶6.0molTEA，其中x分别取2.6、6.4、12.8、25.6、64和128。附图11，为不同氢氧化钠的量合成的X型分子筛膜的SEM照片，其中1～6分别是x取2.6、6.4、12.8、25.6、64和128时的SEM照片。
与实施例4类似，过高和过低的碱度都不利于膜的生长，当x取12.8和25.6时生长的X型分子筛的膜，生长的最好。
实施例8
晶种膜的制备与实施例1相同。
膜的合成：
与实施例6不同的是，考查了三乙醇胺的量对膜合成的影响。采用原料配比为2276molH2O∶12.8molNaOH∶2.6molAl∶2.0molSi(OEt)4∶xmolTEA，其中x分别取0、6和15。附图12为不同三乙醇胺的量合成的X型分子筛膜的SEM照片，其中1～3分别是x取0、6和15时的SEM照片。
从SEM照片中可以看到，增大TEA的量是有利于膜的生长的。
实施例9
晶种膜的制备与实施例1相同。
膜的合成：
与实施例6不同的是，考查了不同浓度反应液对膜合成的影响。采用原料配比(质量比)为2276molH2O∶(12.8mol/x)NaOH∶(2.6mol/x)Al∶(2mol/x)Si(OEt)4∶(6mol/x)TEA，其中x分别取5、1、0.5和0.2。附图13为不同浓度反应液合成的X型分子筛膜的SEM照片，其中1～4分别是x取5、1、0.5和0.2时的SEM照片。
从SEM照片中可以看到，浓度太低时晶种膜几乎没有生长，晶种膜上的晶种还是X型分子筛的晶体颗粒，颗粒之间没有互生。随着浓度变大，膜生长的越好，但浓度不宜过大，因为过大会促进反应液均相成核，生成X型分子筛晶体，落在膜上会影响膜的质量。
实施例10
晶种膜的制备与实施例1相同。
膜的合成：
与实施例6不同的是，考查了不同量硅源对膜合成的影响。采用原料配比为2276molH2O∶12.8molNaOH∶2.6molAl∶xmolSi(OEt)4∶6.0molTEA，其中x分别取0.4、1.0、2.0和4.0。
从SEM照片中可以看到，硅源的量变小是，膜的互生度比较好，但容易生成A型分子筛的膜；而量变大是，膜的质量变差，生成类似致密相的膜，因此，硅源的量为2.0mol时比较合适。
Claims (3)
1、X型分子筛膜在不锈钢金属网上的二次生长制备方法，其包括如下步骤：
a)合成晶种：X型分子筛晶种的原料配比为2～10mol NaOH：1～7molSiO2：0.5～5mol NaAlO2：100～400mol H2O，将偏铝酸钠加入水中，溶解后加入氢氧化钠，再溶解后加入白炭黑，搅拌均匀后装入聚四氟乙烯为内衬的不锈钢反应釜中，60～100℃条件下反应1～5天，产物抽滤干燥得X型分子筛的晶种粉末，大小为1～2微米左右；
b)晶种膜的制备：将3～10克X型分子筛晶种粉末加入到10～30克去离子水中，超声分散得到晶种悬浊液，再把晶种悬浊液滴在不锈钢金属网上，在500～700瓦的电阻丝炉上烘烤，烘干为止，形成一层覆盖不锈钢网的晶种层，从而得到晶种膜；
c)膜的合成：X型分子筛膜合成的二次反应溶液的原料为氢氧化钠、偏铝酸钠或铝粉、水、白炭黑或正硅酸乙酯和三乙醇胺，各原料配比为0.9～128mol NaOH：0.4～10mol SiO2或正硅酸乙酯：0.5～13mol NaAlO2或Al粉：190～2375mol H2O：0～15mol TEA，将所得溶液倒入预先放有晶种膜的不锈钢反应釜中，70～85℃条件下反应1～20天，即得X分子筛膜。
2、如权利要求1所述的X型分子筛膜在不锈钢金属网上的二次生长制备方法，其特征在于：X型分子筛膜合成的二次反应溶液的原料配比为2～10molNaOH：1～7mol SiO2：0.5～5mol NaAlO2：500～2000mol H2O。
3、如权利要求1或2所述的X型分子筛膜在不锈钢金属网上的二次生长制备方法，其特征在于：载体为100～400目的不锈钢金属网。
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| CNA2008100507186A CN101318108A (zh) | 2008-05-20 | 2008-05-20 | X型分子筛膜在不锈钢金属网上的二次生长制备方法 |
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| CNA2008100507186A CN101318108A (zh) | 2008-05-20 | 2008-05-20 | X型分子筛膜在不锈钢金属网上的二次生长制备方法 |
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012010069A1 (zh) * | 2010-07-19 | 2012-01-26 | 大连理工大学 | 一种在大孔载体上NaA沸石分子筛膜的合成方法 |
| CN102671553A (zh) * | 2012-05-02 | 2012-09-19 | 珠海市吉林大学无机合成与制备化学重点实验室 | 应用静电纺丝技术生长无机微孔分离膜的方法 |
| CN102716675A (zh) * | 2012-05-02 | 2012-10-10 | 珠海市吉林大学无机合成与制备化学重点实验室 | 静电纺丝技术辅助生长用于水脱盐的mfi型分子筛膜的方法 |
| CN102826640A (zh) * | 2011-06-17 | 2012-12-19 | 中国石油化工股份有限公司 | 一种处理有机磷生产废水的方法 |
| CN112870992A (zh) * | 2021-01-13 | 2021-06-01 | 同济大学 | 一种沸石膜及其制备方法 |
| JP7109184B2 (ja) | 2017-12-27 | 2022-07-29 | 旭化成株式会社 | Ｍｗｆ型ゼオライト、及び気体の分離方法 |
-
2008
- 2008-05-20 CN CNA2008100507186A patent/CN101318108A/zh active Pending
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| CN102671553B (zh) * | 2012-05-02 | 2014-05-07 | 珠海市吉林大学无机合成与制备化学重点实验室 | 应用静电纺丝技术生长无机微孔分离膜的方法 |
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| JP7109184B2 (ja) | 2017-12-27 | 2022-07-29 | 旭化成株式会社 | Ｍｗｆ型ゼオライト、及び気体の分離方法 |
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