CN101299124A - 液晶显示装置的阵列基板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了液晶显示装置的阵列基板。一种阵列基板包括第一扫描线和第二扫描线、第一数据线和第二数据线、以及像素电极。第一扫描线、第二扫描线、第一数据线和第二数据线交叉排列限定了像素区域，像素电极位于像素区域中。其中，第二数据线至少包括电性相连的第一分支和第二分支。根据本发明，不需要在非显示区域预留空间来设置修补线，因此无需增大非显示区域的面积，提高了阵列基板的利用率。由于修补时只需使用较短的修补线，因此减小了修补线电阻和数据信号失真。

Description

液晶显示装置的阵列基板
技术领域
本发明涉及一种液晶显示装置的阵列基板，特别涉及一种具有修补线路的液晶显示装置阵列基板。
背景技术
液晶显示装置具有轻、薄、低耗电等优点，因此被广泛应用于笔记本计算机、移动电话及个人数字助理等现代化信息设备。
图1所示为现有的液晶显示装置中阵列基板的示意图，液晶显示装置的阵列基板110包括信号引入区域111和显示区域112。数据线焊盘121和扫描线焊盘131形成于信号引入区域111中。数据线122和扫描线132分别连接到数据线焊盘121和扫描线焊盘131，多条数据线和多条扫描线的交叉区域限定了多个像素P。外部数据信号和扫描信号经数据线焊盘121、扫描线焊盘131端输入，然后经由数据线122、扫描线132传输到显示区域112的各个像素P中。
在现有的液晶显示装置阵列基板的制程中，数据线可能出现断开等缺陷，如图1所示，在显示区域112，数据线122在D3位置断开。在这种情况下，数据信号无法传送到断开处D3以下部分的数据线，由此形成了线缺陷。
为了修补线缺陷，现有技术中公开了一种修补结构。在该结构中，如本申请中图2所示，数据线122包括三个部分，即位于显示区域外连接数据线焊盘121的前端数据线部分122a、显示区域数据线部分122b和位于显示区域外远离数据线焊盘121那端的末端数据线部分122c。同时，液晶显示装置的显示区域112***设有修补线223，该修补线223与前端数据线部分122a及末端数据线部分122c垂直交叉排列。但修补线223与数据线122位于不同层且中间隔有绝缘层，因此两者互不导通。
当出现如图2所示的断开处D4时，用激光熔融的方式将前端数据线部分122a与修补线223在它们的交叉位置A处导通，并将末端数据线部分122c与修补线223在它们的交叉位置B处导通，因此该数据线上的数据信号就可以通过前端数据线部分122a经A点传送到修补线223，再经B点传送到断开处D4以下部分的数据线上，从而使线缺陷得到修补。
但是在这种修补结构中存在一些问题。例如，阵列基板需要在非显示区域预留一定的空间来设置修补线，因而需要使非显示区域的面积增大；另外，在利用上述修补线进行修补的时候，修补线本身的电阻较大，使得数据信号失真。
发明内容
本发明在第一方面提供了一种液晶显示装置的阵列基板。该阵列基板包括第一扫描线和第二扫描线、第一数据线和第二数据线、以及像素电极。第一扫描线、第二扫描线、第一数据线和第二数据线交叉排列限定了像素区域，像素电极位于像素区域中。其中，第二数据线至少包括电性相连的第一分支和第二分支。
本发明在第二方面提供了一种液晶显示装置的阵列基板。该阵列基板包括第一子扫描线和第二子扫描线、第一数据线和第二数据线、以及第一子像素电极和第二子像素电极。第一子扫描线、第二子扫描线、第一数据线和第二数据线交叉排列限定了像素区域。第一子像素电极和第二子像素电极位于像素区域中。其中，第二数据线至少包括电性相连的第一分支和第二分支。
根据本发明，不需要在非显示区域预留空间来设置修补线，因此无需增大非显示区域的面积，提高了阵列基板的利用率。由于修补时只需使用较短的修补线(可以小于一个像素的周长)，因此减小了修补线电阻和数据信号失真。另外，修补线可以与扫描线平行或大体上平行布置，因此修补线在未用于进行修补的时候可以与扫描线电连接，从而作为扫描线的一部分，以减小扫描线的电阻。
附图说明
图1示出了现有的液晶显示装置中阵列基板的示意图。
图2示出了一种现有技术的阵列基板修补结构。
图3为根据本发明第一实施例的液晶显示装置阵列基板的局部平面图，示出了阵列基板上的修补线路结构。
图4是图3中薄膜晶体管所在区域的放大图。
图5A和图5B示出了对于根据本发明第一实施例的阵列基板，在数据线发生缺陷的时候进行修补的方式。
图6示出了根据本发明第一实施例的阵列基板的一种改变形式。
图7示出了根据本发明的另一种实施例，液晶显示装置的阵列基板上的像素结构示意图。
图8A和图8B是图7中的薄膜晶体管所在区域的放大图。
图9示出了对于根据本发明第二实施例的阵列基板，在数据线发生缺陷的时候进行修补的方式。
具体实施方式
以下将参照附图详细说明本发明的示例性实施方式。另外，在本申请中，所用的方位描述“上”、“下”、“左”、“右”等是对于附图所示的具体实施例而言的，并可能根据具体实施情况而发生改变。
图3为根据本发明第一实施例的液晶显示装置阵列基板的局部平面图，示出了阵列基板上的修补线路结构。阵列基板包括多条数据线31和多条扫描线32，数据线31与扫描线32垂直交叉排列限定了多个像素区域。各个像素区域中形成有像素电极34，数据线31与扫描线32的交叉位置附近形成有薄膜晶体管36。存储电容电极33被设置成平行于扫描线32并位于像素电极34所在层的下层，存储电容电极33与像素电极34构成了相应像素区域的存储电容。优选地，为增大存储电容的电容值，在存储电容电极33与像素电极34之间可以设有辅助金属层38，辅助金属层38通过通孔37b与像素电极34电性相连。存储电容的作用和工作方式是本领域公知的，因此本申请中将不再对其进行详细说明。另外，图3中示出了一个像素区域附近的情况，但本领域技术人员熟知，阵列基板上通常包括许多个像素区域，这些像素区域可以具有与图3所示基本相同的结构。
如图3所示，在本实施例中，每条数据线31包括多个分支。注意，虽然图3示出的数据线31包括两个分支31a和31b，但是数据线31也可以包括三个、四个或更多个分支。数据线31的第一分支31a和第二分支31b通过连接部311电性连接。连接部311由导电材料制成，该材料优选为与数据线31的第一分支31a和第二分支31b相同的材料，并可以与数据线31的两个分支在制造过程中同时形成。优选地，连接部311的设置位置与扫描线32和存储电容电极33所在的位置不重叠，以免与扫描线32或存储电容电极33形成电容而影响显示质量。另外，在图3所示的实施例中，对应于一个像素的数据线31设置了两个连接部311，二者在图3所示的俯视平面图中分别位于存储电容电极33的两侧。但是连接部311的数目不限于两个，也可以是一个或者更多个。
如图3所示，在本实施例的阵列基板中还设有修补线35，修补线35与数据线31隔着绝缘层交叉。优选地，修补线35可以与扫描线32设置在相同的层中，还可以与扫描线32平行或大致平行(即彼此不相交)地延伸。优选地，在与修补线35交叉的位置312处，数据线31的两个分支31a、31b之间的间隔被加大，即比数据线31上不与修补线35交叉的位置处两个分支的间隔更大。另外，图3示出了上下相邻两个像素之间设有一条修补线35的情况；但是，也可以在上下相邻两个像素之间设置更多条修补线35，这些修补线35可以彼此电连接，也可以彼此独立。
图4是图3中薄膜晶体管36所在区域的放大图。薄膜晶体管36包括栅极、半导体层361、源极362及漏极363。薄膜晶体管36的栅极与扫描线32电连接(在图4所示的实施例中，栅极是扫描线32的一部分)；薄膜晶体管36的源极362与数据线31电连接，具体到本实施例中，则是与数据线31的第二分支31b电连接；薄膜晶体管36的漏极363通过通孔37a而与像素电极34电连接。本领域技术人员应当明白，虽然在本实施例中使用了薄膜晶体管36来控制像素电极，但在采用本领域所知的其他开关元件代替薄膜晶体管36的情况下，本发明也可以实施。
在本实施例中，数据线31设有两个分支31a和31b。在正常情况下，这两个分支31a和31b都用来传输数据线31上的数据信号。当阵列基板的制造过程中产生的线缺陷使得数据线31的两个分支31a、31b之一发生断路缺陷(例如图5A的DC处所示在第二分支31b上发生断路缺陷)时，由于另一分支仍然处于正常的电连接关系，所以显示装置无需进行修补也可以正常工作。当两个分支31a、31b之一发生短路缺陷(例如图5A所示，第一分支31a与存储电容电极33在交叉位置DS处发生短路)时，只需用激光将该分支中发生短路的部分与该分支中的其他部分断开，则数据线31上的信号仍然可以通过另一分支正常地传递。即使数据线31的不同分支31a、31b中同时出现上述缺陷时，数据线上的信号也可以例如沿着图5A中的点划线所示传递路径PT所示，经过多个连接部311以迂回的方式传递。
而且，根据本发明，即使数据线31的全部分支31a、31b都在相邻两个连接部311之间发生了缺陷(例如短路或者断路)，也能够对数据线31进行修复。图5B示出了当数据线31的全部分支31a、31b都在与存储电容电极33交叉的位置D1处发生断路或与存储电容电极33发生短路(为方便起见，下文中将交叉位置D1称为“缺陷位置D1”)的时候，对数据线31进行修补的方式。为便于说明，在图5B中，发生缺陷的数据线称为第一数据线31，其第一、第二分支分别以标号31a、31b表示；而与发生缺陷的第一数据线31隔着该像素相邻的数据线称为第二数据线31′，其第一、第二分支分别以标号31a′、31b′表示；缺陷位置D1上方相邻的修补线称为第一修补线35，而缺陷位置D1下方相邻的修补线称为第二修补线35′。
在对缺陷位置D1处的缺陷进行修补时，将第一数据线31的全部分支中位于缺陷位置D1处的部分与其余部分断开。例如，对于第一数据线31的全部分支31a、31b都在缺陷位置D1处与存储电容电极33发生短路缺陷的情况，用激光在缺陷位置D1的上方位置C1和下方位置C2处将第一数据线31的第一分支31a和第二分支31b都切断；而对于第一数据线31的全部分支31a、31b都在缺陷位置D1处发生了断路的情况，由于这些分支已经断开，所以可以不对这些分支进行附加的任何处理，也可以像在短路缺陷的处理中那样用激光在缺陷位置D1的上方位置C1和下方位置C2处将第一数据线31的第一分支31a和第二分支31b都切断以便更可靠地确保缺陷位置D1与数据线31的其余部分断开。对于图5B所示的情况，缺陷位置D1位于薄膜晶体管36连接到第一数据线31的位置与第二修补线35′之间；在此情况下，上方位置C1处于薄膜晶体管连接到第一数据线31的位置与缺陷位置D1之间，而下方位置C2处于第一数据线31与第二修补线35′交叉的位置A1、A2和缺陷位置D1之间。但是，对于缺陷位置D1位于薄膜晶体管36连接到第一数据线31的位置与第一修补线35之间的情况，上方位置C1将处于第一数据线31与第一修补线35交叉的位置A3、A4和缺陷位置D1之间，而下方位置C2处于薄膜晶体管连接到第一数据线31的位置与缺陷位置D1之间。
此外，还将第一修补线35与第二修补线35′之间的那段第二数据线31′上第一分支31a′与第二分支31b′之间的电连接切断，例如用激光方式，将第一修补线35与第二修补线35′之间的那段第二数据线31′上的全部连接部件311在位置C3、C4处切断。
然后，将第一修补线35、第二修补线35′分别与第一数据线31电连接。例如用激光熔融方式，在第一数据线31的第一分支31a与第二修补线35′交叉的位置A1以及第一数据线31的第二分支31b与第二修补线35′交叉的位置A2这两个位置中至少一处(优选为全部两处)使第一数据线31与第二修补线35′电连接，并在第一数据线31的第一分支31a与第一修补线35交叉的位置A3以及第一数据线31的第二分支31b与第一修补线35交叉的位置A4这两个位置中至少一处(优选为全部两处)使第一数据线31与第一修补线35电连接。
另外，将第一修补线35、第二修补线35′分别与第二数据线31′中的多条分支之一电连接。例如用激光熔融方式，在第二数据线31′的第一分支31a′与第一修补线35交叉的位置A5使第二数据线31′的第一分支31a′与第一修补线35电连接，并在第二数据线31′的第一分支31a′与第二修补线35′交叉的位置A6使第二数据线31′的第一分支31a′与第二修补线35′电连接。或者，也可以在第二数据线31′的第二分支31b′与第一修补线35交叉的位置使第二数据线31′的第二分支31b′与第一修补线35电连接，并在第二数据线31′的第二分支31b′与第二修补线35′交叉的位置使第二数据线31′的第二分支31b′与第二修补线35′电连接。在用第二数据线31′的第二分支31b′进行修补的情况下，优选地将原先与第二分支31b′相连的那个薄膜晶体管的源极从第二分支31b′断开，以免对与这个薄膜晶体管的漏极相连的像素造成影响(与图9中C11处进行切割的情况类似，可参见下文中的相应说明)。
此外，还在第二数据线31′中与第一修补线35、第二修补线35′电连接的那个分支(在图5B所示情况下为第一分支31a′)与第一修补线35交叉的位置(例如图5B所示的位置A5)上方的位置(例如图5B所示的位置C5)处将该分支断开，并在第二数据线31′中与第一修补线35、第二修补线35′电连接的那个分支与第二修补线35′交叉的位置(例如图5B所示的位置A6)下方的位置(例如图5B所示的位置C6)处将该分支断开。
优选地，例如用激光方式，在比第一数据线31与第一修补线35发生电连接的一个或多个位置中最靠左侧的位置(在图5B所示的情况下为位置A3)更靠左侧的位置(例如图5B所示的位置C7)处将第一修补线35切断，并在比第一数据线31与第二修补线35′发生电连接的一个或多个位置中最靠左侧的位置(在图5B所示的情况下为位置A1)更靠左侧的位置(例如图5B所示的位置C9)处将第二修补线35′切断。还优选地例如用激光方式，在第二数据线31′中与第一修补线35、第二修补线35′电连接的那个分支(在图5B所示情况下为第一分支31a′)与第一修补线35交叉的位置(例如图5B所示的位置A5)右侧的位置(例如图5B所示的位置C8)处将第一修补线35断开，并在第二数据线31′中与第一修补线35、第二修补线35′电连接的那个分支与第二修补线35′交叉的位置(例如图5B所示的位置A6)右侧的位置(例如图5B所示的位置C10)处将第二修补线35′断开。在此情况下，不仅有利于减小第一修补线35、第二修补线35′与其他数据线之间产生的寄生电容对信号的影响，而且由于修补只使用了图中所示的一段第一修补线35和一段第二修补线35′，所以如果阵列基板上的其他数据线也存在缺陷，还可以用第一修补线35和第二修补线35′的其余部分来对其进行修补。
经过这样的修补，发生缺陷的第一数据线31中位于缺陷位置D1上方的部分与位于缺陷位置D1下方的部分即可通过第一修补线35、第二数据线31′的第一分支31a′以及第二修补线35′实现电性连接，从而达到对缺陷进行修补的目的。
注意，虽然在上述说明中为了描述方便而将上述修补方法划分为若干个步骤来进行说明，但是该方法中的各个步骤是不必分先后的，即，在各个位置A1-A6进行的电连接、在各个位置C1-C6进行的断开操作以及在各个位置C7-C10可选地进行的断开操作既可以同时进行，也可以根据需要来以任何先后次序进行。发生缺陷的第一数据线31的多个分支中只要至少一个分支与第一修补线35、第二修补线35′电性连接即可实现修补，但优选为将其全部分支都与第一修补线35、第二修补线35′电性连接，以尽可能地减小修补后的数据线的电阻。另外，图5B中示出了利用与发生缺陷的第一数据线31相邻的第二数据线31′的第一分支31a′来进行修补的情况，但也可以利用第二数据线31′的第二分支31b′来进行修补。如上文结合图3所述，在与修补线35交叉的位置312处，数据线31的两个分支31a、31b之间的间隔可以被加大，从而便于在修补时例如通过激光熔融方式将数据线31的一个或两个分支与修补线35电连接，同时也便于如上所述在数据线31的两个分支31a、31b之间切断修补线，而不会在实施激光熔融时对其他分支造成干扰或损坏。
在数据线31的两个分支31a、31b之间设置多个连接部311可以增强如图5A所示对于数据线31中同时发生的多处缺陷进行修补的能力。但是，由于在如图5B所示进行缺陷修补时需要将各个连接部311切断，因此如果连接部311的数目很多，则需要在较多位置处执行切断过程，从而增加修补所需的时间。优选地，数据线31(或31′)在其分别与第一修补线35和第二修补线35′交叉的位置之间包括一个或两个连接部311。但是不一定要对于每个像素都在数据线与用于该像素的第一修补线35和第二修补线35′交叉的位置之间包括连接部311。例如，可以每隔一个或几个像素设置一个连接部311。
图6示出了根据本发明第一实施例的阵列基板的一种改变形式。在图6所示的结构中，修补线35与扫描线32之间通过导电材料形成的附加连接部分40电连接在一起。只有在修补线35被如图5B所示用于执行修补时，才例如利用激光方式将附加连接部分40断开。这样，在阵列基板正常工作时，修补线35与扫描线32处于并联关系，从而可以减小扫描线32的电阻。
图7示出了根据本发明的另一种实施例，液晶显示装置的阵列基板上的像素结构示意图。在图7所示的结构中，阵列基板也包括多条数据线31和多条扫描线，数据线31与扫描线垂直交叉排列限定了多个像素区域。但是与图3中不同，每个像素区域被划分为两个子像素区域，第一子像素区域中形成有第一子像素电极34a，而第二子像素区域中形成有第二子像素电极34b，两个子像素电极34a与34b之间由狭缝39电性隔离。与一个像素区域对应的扫描线包括两条平行的子扫描线，即位于该像素区域上方的第一子扫描线32a和位于该像素区域下方的第二子扫描线32b。数据线31与第一子扫描线32a的交叉位置附近形成有第一薄膜晶体管36a，用于控制第一子像素电极34a；数据线31与第二子扫描线32b的交叉位置附近形成有第二薄膜晶体管36b，用于控制第二子像素电极34b。存储电容电极33被设置成与第一子扫描线32a、第二子扫描线32b平行并位于像素电极34a、34b所在层的下层，存储电容电极33与第一子像素电极34a隔着栅极绝缘层和钝化层(未示出)构成用于第一子像素区域的存储电容，并与第二子像素电极34b隔着栅极绝缘层和钝化层(未示出)构成用于第二子像素区域的存储电容。优选地，为增大存储电容的电容值，可以分别在存储电容电极33与第一子像素电极34a之间设置第一辅助金属层38a、在存储电容电极33与第二子像素电极34b之间设置第二辅助金属层38b。第一辅助金属层38a通过通孔37e穿过钝化层与第一子像素电极34a电性相连，第二辅助金属层38b通过通孔37f穿过钝化层与第二子像素电极34b电性相连。存储电容的作用和工作方式是本领域公知的，因此本申请中将不再对其进行详细说明。另外，第一子像素电极34a和第二子像素电极34b上都可以形成有多个开口，用于实现液晶的多域取向，例如用于MVA液晶显示器。图7中示出了一个像素区域附近的情况，但本领域技术人员熟知，阵列基板上通常包括许多个像素区域，这些像素区域可以具有与图7所示基本相同的结构。
如图7所示，在本实施例中，每条数据线31包括多个分支。注意，虽然图7示出的数据线31包括两个分支31a和31b，但是数据线31也可以包括三个、四个或更多个分支。数据线31的第一分支31a和第二分支31b通过连接部311电性连接。连接部311由导电材料制成，该材料优选为与数据线31的第一分支31a和第二分支31b相同的材料，并可以与数据线31的两个分支在制造过程中同时形成。优选地，连接部311的设置位置与第一子扫描线32a、第二子扫描线32b以及存储电容电极33所在的位置不重叠，以免与扫描线或存储电容电极33形成电容而影响显示质量。另外，在图7所示的实施例中，对应于一个像素的扫描线31设置了两个连接部311，二者在图7所示的俯视平面图中分别位于存储电容电极33的上下两侧。但是连接部31的数目不限于两个，也可以是一个或者更多个。
如图7所示，在本实施例的阵列基板中设有修补线35，修补线35与扫描线平行或大体平行(即彼此不相交)地延伸，并优选地位于第一子扫描线32a与相邻像素的第二子扫描线32b之间。修补线35可以与第一子扫描线32a、第二子扫描线32b设置在相同的层中，并与数据线31隔着绝缘层交叉。优选地，在与修补线35交叉的位置312处，数据线31的两个分支31a、31b之间的间隔被加大。另外，图7示出了相邻两个像素之间设有一条修补线35的情况；但是，也可以在相邻两个像素之间设置更多条修补线35，这些修补线35可以彼此电连接，也可以彼此独立。
图8A是图7中第一薄膜晶体管36a所在区域的放大图。第一薄膜晶体管36a包括栅极、半导体层361a、源极362a及漏极363a。第一薄膜晶体管36a的栅极与第一子扫描线32a电连接(在图8A所示的实施例中，栅极是第一子扫描线32a的一部分)；第一薄膜晶体管36a的源极362a与数据线31电连接，具体到本实施例中，则是与数据线31的第二分支31b电连接；第一薄膜晶体管36a的漏极363a通过通孔37c而与第一子像素电极34a电连接。
图8B是图7中第二薄膜晶体管36b所在区域的放大图。第二薄膜晶体管36b包括栅极、半导体层361b、源极362b及漏极363b。第二薄膜晶体管36b的栅极与第二子扫描线32b电连接(在图8B所示的实施例中，栅极是第二子扫描线32b的一部分)；第二薄膜晶体管36b的源极362b与数据线31电连接，具体到本实施例中，则是与数据线31相邻的数据线的第一分支31a电连接；第二薄膜晶体管36b的漏极363b通过通孔37d而与第二子像素电极34b电连接。
本领域技术人员应当明白，虽然在本实施例中使用了薄膜晶体管36a和36b来对两个子像素电极34a和34b分别进行控制，但在采用本领域所知的其他开关元件代替薄膜晶体管36a和36b的情况下，本发明也可以实施。另外，上文中第一薄膜晶体管36a和第二薄膜晶体管36b的连接方式仅仅是示例性的，也可以采用其他连接方式，例如可以将二者的源极连接到同一条数据线。
在本实施例中，数据线31设有两个分支31a和31b。在正常情况下，这两个分支31a和31b都用来传输数据线31上的数据信号。当阵列基板的制造过程中产生的线缺陷使得两个分支31a、31b之一发生断路缺陷时，由于另一分支仍然处于正常的电连接关系，而且发生断路的分支与另一分支之间经过连接部分311电连接，所以显示装置无需进行修补也可以正常工作。当两个分支31a、31b之一发生短路缺陷(例如第一分支31a与第一子扫描线32a和/或第二子扫描线32b在交叉位置发生短路)时，只需用激光将该分支中发生短路的部分与其他部分断开，而数据线31上的信号仍然可以通过另一分支(在此情况下为第二分支31b)以及连接部分311正常地传递。这些修补可以以与图5A所示类似的方式进行，因此将不再重复描述。
同样，根据本实施例，即使数据线31的全部分支31a、31b都在相邻两个连接部311之间发生了缺陷(例如短路或者断路)，也能够对数据线31进行修复。图9示出了当数据线31的全部分支31a、31b都在与存储电容电极33交叉的位置D2处发生断路或与存储电容电极33发生短路(为方便起见，下文中将交叉位置D2称为“缺陷位置D2”)的时候，对数据线31进行修补的方式。为便于说明，在图9中，发生缺陷的数据线称为第一数据线31，其第一、第二分支分别以标号31a、31b表示；而与发生缺陷的第一数据线31相邻的数据线称为第二数据线31′，其第一、第二分支分别以标号31a′、31b′表示；缺陷位置D2上方的相邻修补线称为第一修补线35，而缺陷位置D2下方的相邻修补线称为第二修补线35′。
在对缺陷位置D2处的缺陷进行修补时，将第一数据线31的全部分支中位于缺陷位置D2处的部分与其余部分断开。例如，对于第一数据线31的全部分支31a、31b都在缺陷位置D2处与存储电容电极33发生短路缺陷的情况，用激光在缺陷位置D2的上方位置C1和下方位置C2处将第一数据线31的第一分支31a和第二分支31b都切断；而对于第一数据线31的全部分支31a、31b都在缺陷位置D2处发生了断路的情况，由于这些分支已经断开，所以可以不对这些分支进行附加的任何处理，也可以像在短路缺陷的处理中那样用激光在缺陷位置D2的上方位置C1和下方位置C2处将第一数据线31的第一分支31a和第二分支31b都切断以便更可靠地确保缺陷位置D2与数据线31的其余部分断开。对于图9所示的情况，缺陷位置D2位于第一薄膜晶体管36a连接到第一数据线31的位置与第二修补线35′之间；在此情况下，上方位置C1处于该第一薄膜晶体管36a连接到第一数据线31的位置与缺陷位置D2之间，而下方位置C2处于第一数据线31与第二修补线35′交叉的位置A1、A2和缺陷位置D2之间。但是，对于缺陷位置D2位于第一薄膜晶体管36a连接到第一数据线31的位置与第一修补线35之间的情况，上方位置C1将处于第一数据线31与第一修补线35交叉的位置A3、A4和缺陷位置D2之间，而下方位置C2处于第一薄膜晶体管36a连接到第一数据线31的位置与缺陷位置D2之间。
此外，还将第一修补线35与第二修补线35′之间的那段第二数据线31′上第一分支31a′与第二分支31b′之间的电连接切断，例如用激光方式，将第一修补线35与第二修补线35′之间的那段第二数据线31′上的全部连接部件311在位置C3、C4处切断。
然后，将第一修补线35、第二修补线35′分别与第一数据线31电连接。例如用激光熔融方式，在第一数据线31的第一分支31a与第二修补线35′交叉的位置A1以及第一数据线31的第二分支31b与第二修补线35′交叉的位置A2这两个位置中至少一处(优选为全部两处)使第一数据线31与第二修补线35′电连接，并在第一数据线31的第一分支31a与第一修补线35交叉的位置A3以及第一数据线31的第二分支31b与第一修补线35交叉的位置A4这两个位置中至少一处(优选为全部两处)使第一数据线31与第一修补线35电连接。
另外，将第一修补线35、第二修补线35′分别与第二数据线31′中的多条分支之一电连接。例如用激光熔融方式，在第二数据线31′的第二分支31b′与第一修补线35交叉的位置A5′使第二数据线31′的第二分支31b′与第一修补线35电连接，并在第二数据线31′的第二分支31b′与第二修补线35′交叉的位置A6′使第二数据线31′的第二分支31b′与第二修补线35′电连接。或者，也可以在第二数据线31′的第一分支31a′与第一修补线35交叉的位置使第二数据线31′的第一分支31a′与第一修补线35电连接，并在第二数据线31′的第一分支31a′与第二修补线35′交叉的位置使第二数据线31′的第一分支31a′与第二修补线35′电连接。
此外，还在第二数据线31′中与第一修补线35、第二修补线35′电连接的那个分支(在图9所示情况下为第二分支31b′)与第一修补线35交叉的位置(例如图9所示的位置A5′)上方的位置(例如图9所示的位置C5′)处将该分支断开，并在第二数据线31′中与第一修补线35、第二修补线35′电连接的那个分支与第二修补线35′交叉的位置(例如图9所示的位置A6′)下方的位置(例如图9所示的位置C6′)处将该分支断开。
优选地，例如用激光方式，在比第一数据线31与第一修补线35发生电连接的一个或多个位置中最靠左侧的位置(在图9所示的情况下为位置A3)更靠左侧的位置(例如图9所示的位置C7)处将第一修补线35切断，并在比第一数据线31与第二修补线35′发生电连接的一个或多个位置中最靠左侧的位置(在图9所示的情况下为位置A1)更靠左侧的位置(例如图9所示的位置C9)处将第二修补线35′切断。还优选地例如用激光方式，在第二数据线31′中与第一修补线35、第二修补线35′电连接的那个分支(在图9所示情况下为第二分支31b′)与第一修补线35交叉的位置(例如图9所示的位置A5′)右侧的位置(例如图9所示的位置C8′)处将第一修补线35断开，并在第二数据线31′中与第一修补线35、第二修补线35′电连接的那个分支与第二修补线35′交叉的位置(例如图9所示的位置A6′)右侧的位置(例如图9所示的位置C10′)处将第二修补线35′断开。在此情况下，不仅有利于减小第一修补线35、第二修补线35′与其他数据线之间产生的寄生电容对信号的影响，而且由于修补只使用了图中所示的一段第一修补线35和一段第二修补线35′，所以如果阵列基板上的其他数据线也存在缺陷，还可以用第一修补线35和第二修补线35′的其余部分来对其进行修补。
对于图9所示的情况，第二数据线31′只包括两条分支31a′和31b′；在此情况下，优选地，例如用激光的方式，将第二数据线31′中与第一修补线35、第二修补线35′电连接的那个分支(在图9所示情况下为第二分支31b′)所连接的薄膜晶体管(在图9所示的情况下为相邻像素的第一薄膜晶体管36a′)与该分支的电连接切断(如图9中C11位置处所示)。这样可以避免因该薄膜晶体管的数据信号来源从第二数据线31′变成第一数据线31而造成显示质量下降。但是，对于第二数据线31′包括左侧、中间和右侧一共三条分支(或更多条分支)的情况，如果利用位于中间的、不与任何薄膜晶体管电连接的分支作为与第一修补线35、第二修补线35′电连接的分支进行修补，则可以不将该薄膜晶体管与相应的分支之间的电连接切断，因而该薄膜晶体管仍然可以进行正常的显示。
经过这样的修补，发生缺陷的第一数据线31中位于缺陷位置D2上方的部分与位于缺陷位置D2下方的部分即可通过第一修补线35、第二数据线31′的第二分支31b′以及第二修补线35′实现电性连接，从而达到对缺陷进行修补的目的。
注意，虽然在上述说明中为了描述方便而将上述修补方法划分为若干个步骤来进行说明，但是该方法中的各个步骤是不分先后的，即，在各个位置A1-A4、A5′、A6′进行的电连接、在各个位置C1-C4、C5′、C6′进行的断开操作以及可选地在各个位置C7、C8′、C9、C10′、C11进行的断开操作既可以同时进行，也可以根据需要来以任何先后次序进行。发生缺陷的第一数据线31的多个分支中只要至少一个分支与第一修补线35、第二修补线35′电性连接即可实现修补，但优选为将其全部分支都与第一修补线35、第二修补线35′电性连接，以尽可能地减小修补后的数据线的电阻。另外，在上述实施例中利用了与发生缺陷的第一数据线31相邻的第二数据线31′的第二分支31b′来进行修补，但也可以利用第二数据线31′的第一分支31a′来进行修补。如上文结合图7所述，在与修补线35交叉的位置312处，数据线31的两个分支31a、31b之间的间隔可以被加大，从而便于在修补时例如通过激光熔融方式将数据线31的一个或两个分支与修补线35电连接，而不会在实施激光熔融时对其他分支造成干扰或损坏。类似地，第一数据线31和第二数据线31′在其分别与第一修补线35和第二修补线35′交叉的位置之间优选地包括一个或两个连接部311，或者也可以每隔一个或几个像素设置一个连接部311。
本领域技术人员可以理解，第一子扫描线32a、第二子扫描线32b以及修补线35之间的位置关系并不限于图7所示的情况。例如，修补线35可以位于像素区域与第一子扫描线32a之间或者像素区域与第二子扫描线32b之间。但优选采用图7所示的结构，因为该结构更便于使子扫描线32a、32b与子像素电极34a、34b的电连接。
与图6所示的结构类似，修补线35也可以与第一子扫描线32a或第二子扫描线32b之间通过导电材料形成的附加连接部分电连接在一起。只有在修补线35被如图9所示用于执行修补时，才例如利用激光方式将附加连接部分断开。这样，在阵列基板正常工作时，修补线35与扫描线的一个分支处于并联关系，从而可以减小该子扫描线的电阻。
本领域的技术人员应当理解，本发明的数据线的结构不限于上述实施例中所示的具体情形，只要数据线设置有分支结构，从而能够在发生缺陷的时候使有缺陷数据线上的数据信号通过自身或相邻数据线的分支来传输即可。另外，本发明的修补线的位置也不限于上述实施例中所示的具体情形，只需能够与两条相邻数据线电连接即可。

Claims (17)

1.一种液晶显示装置的阵列基板，包括：
第一扫描线和第二扫描线；
第一数据线和第二数据线，所述第一扫描线、所述第二扫描线、所述第一数据线和所述第二数据线交叉排列限定了像素区域；以及
像素电极，位于所述像素区域中，
其中，所述第二数据线至少包括电性相连的第一分支和第二分支。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第一数据线至少包括电性相连的第一分支和第二分支。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，还包括第一修补线和第二修补线，所述第一修补线与所述第一数据线和所述第二数据线隔着绝缘层而交叉，所述第二修补线与所述第一数据线和所述第二数据线隔着绝缘层而交叉。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其中，所述第一修补线与所述第一扫描线彼此不相交地位于所述像素区域的第一侧，所述第二修补线与所述第二扫描线彼此不相交地位于所述像素区域的与所述第一侧相反的第二侧。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其中，所述第一修补线与所述第一扫描线电连接，所述第二修补线与所述第二扫描线电连接。
6.根据权利要求3所述的阵列基板，其中，所述第二数据线的第一分支和第二分支在与所述第一修补线交叉的位置处以及与所述第二修补线交叉的位置处的间距比所述第二数据线的第一分支和第二分支在不与所述第一修补线或所述第二修补线交叉的位置处的间距更大。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第二数据线的第一分支与第二分支通过导体连接部分而电性相连，所述导体连接部分设置在与所述第一扫描线、所述第二扫描线都不重叠的位置。
8.一种液晶显示装置的阵列基板，包括：
第一子扫描线和第二子扫描线；
第一数据线和第二数据线，所述第一子扫描线、所述第二子扫描线、所述第一数据线和所述第二数据线交叉排列限定了像素区域；以及
第一子像素电极和第二子像素电极，位于所述像素区域中，
其中，所述第二数据线至少包括电性相连的第一分支和第二分支。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其中，所述第一数据线至少包括电性相连的第一分支和第二分支。
10.根据权利要求8所述的阵列基板，还包括第一修补线和第二修补线，所述第一修补线与所述第一数据线和所述第二数据线隔着绝缘层而交叉，所述第二修补线与所述第一数据线和所述第二数据线隔着绝缘层而交叉。
11.根据权利要求10所述的阵列基板，其中，所述第一修补线与所述第一子扫描线彼此不相交地位于所述像素区域的第一侧，所述第二修补线与所述第二子扫描线彼此不相交地位于所述像素区域的与所述第一侧相反的第二侧。
12.根据权利要求11所述的阵列基板，其中，所述第一修补线与所述第一子扫描线之间或所述第二修补线与所述第二子扫描线之间电连接。
13.根据权利要求10所述的阵列基板，其中，所述第二数据线的第一分支和第二分支在与所述第一修补线交叉的位置处以及与所述第二修补线交叉的位置处间隔比所述第二数据线的第一分支和第二分支在不与所述第一修补线或所述第二修补线交叉的位置处的间距更大。
14.根据权利要求8所述的阵列基板，其中，所述第二数据线的第一分支与第二分支通过导体连接部分而电性相连，所述导体连接部分设置在与所述第一子扫描线、所述第二子扫描线都不重叠的位置。
15.根据权利要求8所述的阵列基板，还包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中，所述第一薄膜晶体管的漏极电性连接所述第一子像素电极，栅极电性连接所述第一子扫描线；所述第二薄膜晶体管的漏极电性连接所述第二子像素电极，栅极电性连接所述第二子扫描线。
16.根据权利要求15所述的阵列基板，其中，所述第一薄膜晶体管的源极电性连接所述第一数据线，所述第二薄膜晶体管的源极电性连接所述第二数据线。
17.根据权利要求8所述的阵列基板，其中，所述第一子像素电极和所述第二子像素电极分别具有多个开口。
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