CN101290958A - 发光二极管封装结构 - Google Patents

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赵自皓
李晓乔
许晋源
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Abstract

本发明公开了一种发光二极管封装结构。一发光二极管芯片位于散热块上，一钻石粉末层包覆于发光二极管芯片上，且共形于发光二极管芯片的表面。一荧光粉层，包覆于钻石粉末层上，且共形于钻石粉末层的表面。一透镜层包覆于荧光粉层外。发光二极管芯片、钻石粉末层、荧光粉层以及透镜层的折射率依序递减。

Description

发光二极管封装结构
技术领域
本发明涉及一种发光二极管封装结构，特别是涉及一种能提高取光效率的发光二极管封装结构。
背景技术
近年来，发光二极管制造技术的快速进步，使得发光二极管芯片的发光效率增加。但是，发光二极管整体发光效率的提升，除了发光二极管芯片的部分外，封装结构的取光效率也是另一个重点。因此，如何改进封装结构以提高取光效率，是所有厂商正积极投入研发的的领域。
发明内容
本发明的目的在于提供一种发光二极管封装结构，以提高取光效率。
为了实现上述目的，本发明提供了一种发光二极管封装结构，包含下述组件，一发光二极管芯片位于散热块上。一钻石粉末层包覆于发光二极管芯片上，且共形于发光二极管芯片的表面。一荧光粉层，包覆于钻石粉末层上，且共形于钻石粉末层的表面。一透镜层包覆于荧光粉层外。发光二极管芯片、钻石粉末层、荧光粉层以及透镜层的折射率依序递减。
借助上述本发明发光二极管封装结构的实施，能有效提高取光效率。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1为本发明一较佳实施例的一种发光二极管封装结构的剖面图；以及
图2为本发明另一较佳实施例的一种发光二极管封装结构的剖面图。
其中，附图标记：
100：发光二极管封装结构         200：发光二极管封装结构
102：散热块          202：散热块
104：发光二极管芯片  204：发光二极管芯片
106：钻石粉末层      206：钻石粉末层
108：荧光粉硅胶层    208：荧光粉高分子材料层
110：透镜层          210：透镜层
具体实施方式
本发明提出一种发光二极管封装结构，利用从封装结构内部至外部渐进地减少封装材料的折射系数，使封装结构的取光效率能够提高。
请参考图1，为本发明一较佳实施例的一种发光二极管封装结构的剖面图。本发光二极管封装结构100利用一散热块102作为一基底。一发光二极管芯片104固定于散热块102上，因而发光二极管芯片104(例如一蓝光芯片)所产生的热就由散热块102传导出去。一钻石粉末层106接着涂布于发光二极管芯片104表面。钻石粉末层106不仅要包覆于发光二极管芯片104外，还要共形于发光二极管芯片104的表面(钻石粉末层106的表面平行于发光二极管芯片104的表面)。钻石粉末层106的折射率需控制在约1.7，其厚度介于0.1微米至约0.5微米的范围。接着，一荧光粉硅胶层108(例如一黄色荧光粉硅胶层)涂布于发光二极管芯片104表面。荧光粉硅胶层108不仅要包覆于钻石粉末层106外，还要共形于钻石粉末层106的表面(荧光粉硅胶层108的表面平行于钻石粉末层106的表面)。钻石粉末层106与荧光粉硅胶层108共形于发光二极管芯片104表面，使得封装结构的出光能更均匀。在本实施例中，发光二极管芯片104发出蓝光以激发黄色荧光粉(包含于荧光粉硅胶层108内)，而产生白光。当钻石粉末层106与荧光粉硅胶层108共形于发光二极管芯片104表面时，封装结构就能发出均匀的白光，而减少周围发光不均匀(例如有其它颜色的光)的情况。荧光粉硅胶层108的折射率需控制在约1.54，而其厚度介于约20微米至约50微米的范围。最后在加上一透镜层110将荧光粉硅胶层108包覆。透镜层110的折射率需控制在约1.4。透镜层110可依不同的需求形成不同形状而满足不同的光学需求。本实施例的圆弧形的透镜层110具有聚光的作用。
一般发光二极管芯片104材料的折射率约2.2至3.6。封装结构由内而外的折射率依序为2.2至3.6(发光二极管芯片104)、1.7(钻石粉末层106)、1.54(荧光粉硅胶层108)以及1.4(透镜层110)。上述渐进式的折射率设计(由内而外的折射率依序递减)有助于取光效率的提高。
请参考图2，为本发明另一较佳实施例的一种发光二极管封装结构的剖面图。本发光二极管封装结构200利用一散热块202作为一基底。一发光二极管芯片204固定于散热块202上，因而发光二极管芯片204(例如一蓝光芯片)所产生的热就由散热块202传导出去。一钻石粉末层206接着涂布于发光二极管芯片204表面。钻石粉末层206不仅要包覆于发光二极管芯片204外，还要共形于发光二极管芯片204的表面(钻石粉末层206的表面平行于发光二极管芯片204的表面)。钻石粉末层206的折射率需控制在约1.7，其厚度介于0.1微米至约0.5微米的范围。接着，一荧光粉高分子材料层208(例如一黄色荧光粉高分子材料层)涂布于发光二极管芯片204表面。荧光粉高分子材料层208不仅要包覆于钻石粉末层206外，还要共形于钻石粉末层206的表面(荧光粉高分子材料层208的表面平行于钻石粉末层206的表面)。钻石粉末层206与荧光粉高分子材料层208共形于发光二极管芯片204表面，使封装结构的出光能更均匀。在本实施例中，发光二极管芯片204发出蓝光以激发黄色荧光粉(包含于荧光粉高分子材料层208内)，而产生白光。当钻石粉末层206与荧光粉高分子材料层208共形于发光二极管芯片204表面时，封装结构就能发出均匀的白光，而减少周围发光不均匀(例如有其它颜色的光)的情况。荧光粉高分子材料层208的折射率需控制在约1.68，而其厚度介于约20微米至约50微米的范围。最后在加上一透镜层210将荧光粉高分子材料层208包覆。在本实施例中，透镜层210为高分子胶材与大小不一的无机纳米级颗粒的混合物。透镜层210的折射率需控制介于约1.4到约1.68的范围。透镜层210可依不同的需要形成不同形状而满足不同的光学需求。本实例的圆弧形的透镜层210具有聚光的作用。上述的高分子胶材可以是压克力系列、环氧系列、PI系列、聚乳酸系列或PP系列的胶材。上述的无机纳米级颗粒可以是氧化硅(SiO2)、金属氧化物(MxOy)、粘土或云母的纳米级颗粒。
一般发光二极管芯片204材料的折射率约2.2至3.6。封装结构由内而外的折射率依序为2.2至3.6(发光二极管芯片204)、1.7(钻石粉末层206)、1.68(荧光粉高分子材料层208)以及1.4至1.68(透镜层210)。上述渐进式的折射率设计(由内而外的折射率依序递减)有助于取光效率的提高。由上述本发明较佳实施例可知，应用本发明的发光二极管封装结构，利用从封装结构内部至外部渐进地减少封装材料的折射系数，使得封装结构的取光效率能有效的提高。
当然，本发明还可有其他多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (13)

1、一种发光二极管封装结构，其特征在于，至少包含：
一散热块；
一发光二极管芯片，位于该散热块上；
一钻石粉末层，包覆于该发光二极管芯片上，且共形于该发光二极管芯片的表面；
一荧光粉硅胶层，包覆于该钻石粉末层上，且共形于该钻石粉末层的表面；以及
一透镜层，包覆于该荧光粉硅胶层外，其中该发光二极管芯片、该钻石粉末层、该荧光粉硅胶层以及该透镜层的折射率依序递减。
2、根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该钻石粉末层的厚度介于0.1微米至约0.5微米的范围。
3、根据权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该钻石粉末层的折射率约1.7。
4、根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该荧光粉硅胶层的厚度介于约20微米到约50微米的范围。
5、根据权利要求4所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该荧光粉硅胶层的折射率约1.54。
6、根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该透镜层的折射率约1.4。
7、一种发光二极管封装结构，其特征在于，至少包含：
一散热块；
一发光二极管芯片，位于该散热块上；
一钻石粉末层，包覆于该发光二极管芯片上，且共形于该发光二极管芯片的表面；
一荧光粉高分子材料层，包覆于该钻石粉末层上，且共形于该钻石粉末层的表面；以及
一透镜层，包覆于该荧光粉高分子材料层外，其中该发光二极管芯片、该钻石粉末层、荧光粉高分子材料层以及该透镜层的折射率依序递减。
8、根据权利要求7所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该钻石粉末层的厚度介于约0.1微米至约0.5微米的范围。
9、根据权利要求8所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该钻石粉末层的折射率约1.7。
10、根据权利要求7所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该荧光粉高分子材料层的厚度介于约20微米到约50微米的范围。
11、根据权利要求10所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该荧光粉高分子材料层的折射率约1.68。
12、根据权利要求7所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该透镜层为一高分子胶材与无机纳米级颗粒的混合物。
13、根据权利要求7所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该透镜层的折射率介于约1.4到约1.68的范围。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102130236A (zh) * 2010-12-31 2011-07-20 北京大学深圳研究生院 一种led芯片的封装方法及封装器件
CN101749553B (zh) * 2008-12-11 2012-07-11 上海恒烁光电科技有限公司 Led小功率发光芯片的封装模块
US8246219B2 (en) 2008-11-04 2012-08-21 Advanced Optoelectronic Technology, Inc. Light emitting diode light module and optical engine thereof
CN103441192A (zh) * 2008-12-18 2013-12-11 陆普科技股份有限公司 发光二极管封装体及其封装方法
CN103567130A (zh) * 2013-11-14 2014-02-12 南通皋鑫电子股份有限公司 高压二极管芯片上胶层膜厚控制方法
CN103872207A (zh) * 2014-02-21 2014-06-18 东莞美盛电器制品有限公司 一种强光led光源模块及其生产工艺
CN104953010A (zh) * 2012-10-30 2015-09-30 四川新力光源股份有限公司 一种led发光模组

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8246219B2 (en) 2008-11-04 2012-08-21 Advanced Optoelectronic Technology, Inc. Light emitting diode light module and optical engine thereof
CN101749553B (zh) * 2008-12-11 2012-07-11 上海恒烁光电科技有限公司 Led小功率发光芯片的封装模块
CN103441192A (zh) * 2008-12-18 2013-12-11 陆普科技股份有限公司 发光二极管封装体及其封装方法
CN103441192B (zh) * 2008-12-18 2016-06-08 陆普科技股份有限公司 发光二极管封装体及其封装方法
CN102130236A (zh) * 2010-12-31 2011-07-20 北京大学深圳研究生院 一种led芯片的封装方法及封装器件
CN104953010A (zh) * 2012-10-30 2015-09-30 四川新力光源股份有限公司 一种led发光模组
CN103567130A (zh) * 2013-11-14 2014-02-12 南通皋鑫电子股份有限公司 高压二极管芯片上胶层膜厚控制方法
CN103567130B (zh) * 2013-11-14 2015-07-08 南通皋鑫电子股份有限公司 高压二极管芯片上胶层膜厚控制方法
CN103872207A (zh) * 2014-02-21 2014-06-18 东莞美盛电器制品有限公司 一种强光led光源模块及其生产工艺

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