CN101281168A - 一种利用改变激励模式来实现不同方式电磁检测的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种利用改变激励模式来实现不同方式电磁检测的方法，是通过对同一个传感器施加以不同的激励模式，涡流检测时向传感器施加正弦波激励，漏磁检测时向传感器施加方波激励，磁记忆检测时向传感器施加高占空比的脉冲激励，并针对不同激励模式所获取的传感信号进行不同的分析处理，从而获得不同的检测参量，实现了既可以根据不同的被测构件需要分别实现单一的涡流检测或漏磁检测或磁记忆检测，也可以针对同一被测构件的需要采用分时检测的方式来取得涡流检测、漏磁检测、磁记忆检测的检测参量的目的，从而给人们的使用带来了极大的方便，并可极大地降低检测仪器的制作成本。
Description
技术领域
本发明涉及一种无损检测方法，特别是涉及一种利用改变激励模式来实现不同方式电磁检测的方法。
背景技术
无损检测NDT(nondestructive test)是不破坏和损伤受检物体，对它的性能、质量、有无内部缺陷进行检测的一种技术。
电磁检测技术属于无损检测技术，电磁检测是利用材料在电磁作用下呈现出来的电学和磁学性质，从而来判断材料有关性能的试验方法，电磁检测技术已被广泛地应用于各个工业领域，特别是在制造业、航天航空、石油化工等领域更是如此。现有技术中基于电磁检测原理的方法主要有常规涡流检测方法、远场涡流检测方法、磁记忆检测方法、漏磁检测方法、低频电磁场检测方法以及微波、电位检测方法等等。
涡流检测是建立在电磁感应原理基础之上的一种无损检测方法，它适用于导电材料。涡流检测是把导体接近通有交流电的线圈，由线圈建立交变磁场，该交变磁场通过导体，并与之发生电磁感应作用，在导体内建立涡流。导体中的涡流也会产生自己的磁场，涡流磁场的作用改变了原磁场的强弱，进而导致线圈电压和阻抗的改变。当导体表面或近表面出现缺陷时，将影响到涡流的强度和分布，涡流的变化又引起了检测线圈电压和阻抗的变化，根据这一变化，就可以间接地知道导体内缺陷的存在。
磁记忆检测是利用交变载荷的作用下，在役铁磁性工件的缺陷和夹杂部位，会产生磁畴归一现象，并在其上出现漏磁场，在缺陷位置和/或内应力相对集中的地方，金属导磁率最小，其磁场切向分量具有最大值，而法向分量则改变符号，具有零值；对工件表面漏磁场法向分量进行扫描检测，便可确定应力集中区域，从而间接地判断该铁磁性工件是否存在缺陷。磁记忆检测技术(MMT)是近年来迅速发展起来的一门新的无损检测技术，是利用铁磁性材料的磁弹性和磁机械效应，通过对载荷和地磁场共同作用下产生的磁记忆现象来确定构件表面或近表面的应力集中部位。磁记忆检测技术是迄今为止对铁磁性金属部件进行早期损伤诊断唯一可行的检测方法。铁磁构件在运行时会受到载荷和地球磁场的共同作用，在应力集中区的磁畴取向趋于一致，并在其上产生漏磁场，而且这种磁场是不可逆的，即在外加载荷消失后仍能保持。磁漏场的这种‘不可逆’效应就称为磁记忆效应。此外，在地球磁场存在的条件下，金属构件中的缺陷和夹杂物最集中的地方会出现磁畴钉扎点，并在其表面也出现磁漏场。通过检验这种漏磁场，即可发现微型小缺陷和应力集中区域。
漏磁检测是通过永磁体、导磁体与被测铁磁材料(如管、板)形成磁回路，将其磁化到接近磁饱和状态，再检测其缺陷引起的漏磁通；如果该铁磁材料没有缺陷，则磁力线囿于管壁之内，均匀分布；如果管内壁或外壁有缺陷，则磁通路变窄，磁力线发生变形，部分磁力线还将逸出管壁之外而产生所谓漏磁；漏磁场被置于两励磁磁极之间的、紧贴管壁的探头检测到，并产生相应的感应信号，从而获得缺陷信息。
由于各种电磁检测方法有其各自的不同特点，如涡流检测就比较适合于金属管、棒、材的检测，对表面缺陷的探测灵敏度很高，但是它不适宜于检测金属材料深层的内部缺陷，因此在应用过程中，也就需要有对应于各种方法的检测装置，比如基于涡流检测原理的有涡流检测仪，基于磁记忆检测原理的有磁记忆检测仪，基于漏磁检测原理的有漏磁检测仪等等。无论是采用涡流检测还是采用磁记忆检测或还是采用漏磁检测通常都是利用各自的探头或称传感器来获取被测试件的缺陷信号，并通过对应的数据处理分析方式来显示被测试件的缺陷情况，由于采用不同的电磁检测方法需采用不同的检测仪器和传感器，因而就给人们的使用带来了极大的不便，同时也使得仪器的制作费用较高。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术之不足，提供一种利用改变激励模式来实现不同方式电磁检测的方法，是针对同一个检测线圈以不同的激励模式来实现不同方式的电磁检测，这样，就使得一台检测仪能够实现多种测试功能，既给人们的使用带来了极大的方便，又可极大地降低了检测仪器的制作成本。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种利用改变激励模式来实现不同方式电磁检测的方法，是将检测线圈的激励绕组和检测绕组分别缠绕在棒式铁磁芯上来作为传感器对被测构件进行检测感应，检测线圈的激励绕组由任意波形发生器所产生的正弦波激励信号、方波激励信号、高占空比的脉冲信号的其中一种信号的单一激励或二种、三种信号的分时激励；
其中，所施加的正弦波激励信号，其最大幅值应使铁磁芯线圈的磁化达到不饱和状态，对应于正弦波激励，检测线圈的检测绕组所拾取的信号经放大、相敏检波、滤波处理、A/D转换后由计算机处理***的涡流信号处理单元进行分析处理，得出被测构件缺陷的涡流检测分析结果；
所施加的方波激励信号，其幅值使铁磁芯线圈的磁化达到接近饱和状态，对应于方波激励，检测线圈的检测绕组所拾取的信号经放大、滤波处理、A/D转换后由计算机处理***的漏磁信号处理单元进行分析处理，得出被测构件缺陷的漏磁检测分析结果；
所施加的高占空比的脉冲信号，其幅值使铁磁芯线圈的磁化达到过饱和状态，对应于高占空比的脉冲激励，检测线圈的检测绕组所拾取的信号经放大、滤波处理、A/D转换后由计算机处理***的磁记忆信号处理单元进行分析处理，得出被测构件缺陷的磁记忆检测分析结果。
所述的任意波形发生器所发出的正弦波激励信号和/或方波激励信号和/或高占空比的脉冲信号由计算机处理***进行控制。
所述的缠绕检测线圈的铁磁芯棒采用一根，激励绕组和检测绕组分别缠绕在该铁磁芯棒上。
所述的缠绕检测线圈的铁磁芯棒采用二根，二组激励或检测绕组以反接方式分别缠绕在二根平行排列的铁磁芯棒上，检测或激励绕组则跨越缠绕在二根铁磁芯棒上。
所述的缠绕检测线圈的铁磁芯棒采用三根，三根铁磁芯棒平行排列，二组激励或检测绕组以反接方式分别缠绕在二根外侧的铁磁芯棒上，检测或激励绕组则缠绕在中间的一根铁磁芯棒上。
所述的铁磁芯棒优选的为软铁芯。
本发明的一种利用改变激励模式来实现不同方式电磁检测的方法，是基于同一个检测线圈或者说是同一个传感器，通过对检测线圈的激励绕组施加不同的激励模式，来实现不同方式的电磁检测，即得到不同的电磁检测参量。
本发明的一种利用改变激励模式来实现不同方式电磁检测的方法，检测线圈所缠绕的铁磁芯棒优选的是软铁芯棒，软铁属于一种软磁材料，它的磁导率大，矫顽力小(Hc＜102安/米)，磁滞损耗低，它的磁滞回线成细长条形状，软铁容易磁化，也容易退磁，适用于交变磁场。利用软铁的这种特征，将其作为传感器线圈的内芯，使得在激励绕组通电的情况下，能够较容易地达到或接近磁饱和，然后利用在磁饱和区域，磁场强度变化较小而外加磁场变化较大的特点来实现检测。当选用软铁芯时，软铁芯可以做得比较小，它不同于同样可以用来测试磁场的磁通门所选用的磁芯，因为，磁通门是用来测试微弱磁场，因而其磁芯通常选用的比较大。
本发明的一种利用改变激励模式来实现不同方式电磁检测的方法，铁磁芯棒可以采用一根或二根或三根，这主要取决于检测线圈的绕制方式，当检测线圈的绕制采用的是绝对式时，铁磁芯棒选用一根，检测线圈的激励绕组和检测绕组分别缠绕在该铁磁芯棒上，在激励绕组有电压信号输入而无外部磁场影响时，检测绕组的电压输出为一常数，如外部有磁场影响则检测绕组的电压输出发生变化，通过这一方式来获取被测构件的缺陷信号，因为被测构件的缺陷带来了外部磁场的变化；当检测线圈的绕制采用的是差动式时，铁磁芯棒选用二根或三根，激励或检测绕组为二组并以反接方式分别缠绕在二根平行排列的铁磁芯棒上，检测或激励绕组则缠绕该二根铁磁芯棒上或另一根铁磁芯棒上，在激励绕组有电压信号输入而无外部磁场影响时，检测绕组的电压输出0，如外部有磁场影响则检测绕组的电压输出发生变化，通过这一方式同样可以来获取被测构件的相关信号。
本发明的一种利用改变激励模式来实现不同方式电磁检测的方法，计算机处理***内的涡流信号处理单元、漏磁信号处理单元、磁记忆信号处理单元可以用软件来实现。
本发明的一种利用改变激励模式来实现不同方式电磁检测的方法，正弦波激励信号、方波激励信号、高占空比的脉冲信号等三种信号所选用的频率，相对于它们三者之间来说，正弦波激励信号为高频，方波激励信号为中频，高占空比的脉冲信号为低频。
采用本发明的方法所制成的检测仪器，既可以根据不同的被测构件需要分别实现单一的涡流检测或漏磁检测或磁记忆检测，也可以针对同一被测构件的需要采用分时检测的方式来取得涡流检测、漏磁检测、磁记忆检测的检测参量。
当需要进行涡流检测时，由计算机处理***来控制任意波形发生器发出高频正弦波激励信号，对检测线圈的激励绕组进行激励，同时，在计算机处理***内启用涡流信号处理程序，激励绕组受正弦波信号的激励后形成一交变磁场，该交变磁场通过与被测构件发生的电磁感应作用，在被测构件内建立涡流，被测构件中的涡流也会产生自己的磁场，涡流磁场的作用改变了原磁场的强弱，进而导致检测线圈的检测绕组的电压和阻抗的改变，当被测构件表面或近表面出现缺陷时，就会影响到涡流的强度和分布，涡流的变化又引起了检测线圈的检测绕组的电压和阻抗的变化，检测绕组所拾取的信号经放大、相敏检波、滤波处理、A/D转换后由计算机处理***的涡流信号处理程序进行分析处理，从而得出被测构件缺陷的涡流检测分析结果；
当需要进行漏磁检测时，由计算机处理***来控制任意波形发生器发出中频方波激励信号，对检测线圈的激励绕组进行激励，同时，在计算机处理***内启用漏磁信号处理程序，激励绕组受方波信号的激励后，传感器相当于一个磁通门，由于传感器是接近磁饱和状态，因此检测的结果既有漏磁效应，也有涡流效应，检测绕组所拾取的信号经放大、滤波处理、A/D转换后由计算机处理***的漏磁信号处理程序进行分析处理，从而得出被测构件缺陷的漏磁检测分析结果；
当需要进行磁记忆检测时，由计算机处理***来控制任意波形发生器发出低频高占空比的脉冲信号，对检测线圈的激励绕组进行激励，同时，在计算机处理***内启用磁记忆信号处理程序，激励绕组受高占空比脉冲信号的激励后，传感器相当于一个磁通门，检测绕组所拾取的信号经放大、滤波处理、A/D转换后由计算机处理***的磁记忆信号处理程序进行分析处理，从而得出被测构件缺陷的磁记忆检测分析结果。
本发明的有益效果是，由于采用了将检测线圈的激励绕组和检测绕组分别缠绕在棒式铁磁芯上来作为传感器对被测构件进行检测感应，通过对同一个传感器施加以不同的激励模式，并针对不同激励模式所获取的传感信号进行不同的分析处理，当要进行涡流检测时，向传感器施加正弦波激励，然后将所拾取的信号进行涡流分析处理可以得到涡流检测方式的缺陷分析结果；当要进行漏磁检测时，向传感器施加方波激励，然后将所拾取的信号进行漏磁分析处理可以得到漏磁检测方式的缺陷分析结果；当要进行磁记忆检测时，向传感器施加高占空比的脉冲激励，然后将所拾取的信号进行磁记忆分析处理可以得到磁记忆检测方式的缺陷分析结果，从而实现了既可以根据不同的被测构件需要分别实现单一的涡流检测或漏磁检测或磁记忆检测，也可以针对同一被测构件的需要采用分时检测的方式来取得涡流检测、漏磁检测、磁记忆检测的检测参量的目的，既给人们的使用带来了极大的方便，又可极大地降低了检测仪器的制作成本。
以下结合附图及实施例对本发明作进一步详细说明；但本发明的一种利用改变激励模式来实现不同方式电磁检测的方法不局限于实施例。
附图说明
图1是实现本发明方法的结构示意图；
图2是本发明用于涡流检测的激励波形示意图；
图3是本发明用于漏磁检测的激励波形示意图；
图4是本发明用于磁记忆检测的激励波形示意图；
图5是本发明方法中线圈绕制的第一种方式示意图；
图6是本发明方法中线圈绕制的第二种方式示意图；
图7是本发明方法中线圈绕制的第三种方式示意图。
具体实施方式
参见附图所示，本发明的一种利用改变激励模式来实现不同方式电磁检测的方法，该方法可以由下列装置来实现，比如有任意波形发生器1、检测线圈2、前置放大单元31、相敏检波单元32、滤波处理单元33、A/D转换单元34、计算机处理***5、显示单元51、键盘输入单元52，任意波形发生器1由计算机处理***5进行控制，检测线圈2的激励绕组21接至任意波形发生器1的输出，检测线圈2的检测绕组22的输出接至前置放大单元31的输入，前置放大单元31的输出接至相敏检波单元32的输入，相敏检波单元32的输出接至滤波处理单元33的输入，滤波处理单元33的输出接至A/D转换单元34的输入，A/D转换单元34的输出接至计算机处理***5，键盘输入单元52的输出接至计算机处理***5，键盘输入单元52用于输入设置，计算机处理***5的输出接至显示单元51，计算机处理***5的控制信号输出分别接至前置放大单元31、相敏检波单元32、滤波处理单元33、A/D转换单元34。
当然，本发明的方法也可以由其它的装置来实现。
本发明的一种利用改变激励模式来实现不同方式电磁检测的方法，是将检测线圈的激励绕组21和检测绕组22分别缠绕在棒式铁磁芯6上来作为传感器对被测构件进行检测感应，检测线圈的激励绕组21由任意波形发生器所产生的正弦波激励信号、方波激励信号、高占空比的脉冲信号的其中一种信号的单一激励或二种、三种信号的分时激励；
其中，所施加的正弦波激励信号(如图2所示)，其最大幅值应使铁磁芯线圈的磁化达到不饱和状态，对应于正弦波激励，检测线圈的检测绕组22所拾取的信号经放大、相敏检波、滤波处理、A/D转换后由计算机处理***5的涡流信号处理单元进行分析处理，得出被测构件缺陷的涡流检测分析结果；
所施加的方波激励信号(如图3所示)，其幅值使铁磁芯线圈的磁化达到接近饱和状态，对应于方波激励，检测线圈的检测绕组22所拾取的信号经放大、滤波处理、A/D转换后由计算机处理***5的漏磁信号处理单元进行分析处理，得出被测构件缺陷的漏磁检测分析结果；
所施加的高占空比的脉冲信号(如图4所示)，其幅值使铁磁芯线圈的磁化达到过饱和状态，对应于高占空比的脉冲激励，检测线圈的检测绕组22所拾取的信号经放大、滤波处理、A/D转换后由计算机处理***5的磁记忆信号处理单元进行分析处理，得出被测构件缺陷的磁记忆检测分析结果。
其中：
所述的任意波形发生器1所发出的正弦波激励信号和/或方波激励信号和/或高占空比的脉冲信号由计算机处理***5进行控制；
缠绕检测线圈的铁磁芯棒6可以采用一根(如图5所示)，激励绕组21和检测绕组22分别缠绕在该铁磁芯棒6上；
缠绕检测线圈的铁磁芯棒6也可以采用二根(如图6所示)，二组激励绕组21以反接方式分别缠绕在二根平行排列的铁磁芯棒6上，检测绕组22则跨越缠绕在二根铁磁芯棒6上；当然，也可以是二组检测绕组以反接方式分别缠绕在二根平行排列的铁磁芯棒上，激励绕组则跨越缠绕在二根铁磁芯棒上；
缠绕检测线圈的铁磁芯棒6还可以采用三根(如图7所示)，三根铁磁芯棒6平行排列，二组激励绕组21以反接方式分别缠绕在二根外侧的铁磁芯棒6上，检测绕组22则缠绕在中间的一根铁磁芯棒6上；当然，也可以是二组检测绕组以反接方式分别缠绕在二根外侧的铁磁芯棒上，激励绕组则缠绕在中间的一根铁磁芯棒上；
本发明的一种利用改变激励模式来实现不同方式电磁检测的方法，是基于同一个检测线圈2或者说是同一个传感器，通过对检测线圈的激励绕组21施加不同的激励模式，来实现不同方式的电磁检测，即得到不同的电磁检测参量。
本发明的一种利用改变激励模式来实现不同方式电磁检测的方法，检测线圈2所缠绕的铁磁芯棒6优选的是软铁芯棒，软铁属于一种软磁材料，它的磁导率大，矫顽力小(Hc＜102安/米)，磁滞损耗低，它的磁滞回线成细长条形状，软铁容易磁化，也容易退磁，适用于交变磁场。利用软铁的这种特征，将其作为传感器线圈的内芯，使得在激励绕组通电的情况下，能够较容易地达到或接近磁饱和，然后利用在磁饱和区域，磁场强度变化较小而外加磁场变化较大的特点来实现检测。当选用软铁芯时，软铁芯可以做得比较小，它不同于同样可以用来测试磁场的磁通门所选用的磁芯，因为，磁通门是用来测试微弱磁场，因而其磁芯通常选用的比较大。
本发明的一种利用改变激励模式来实现不同方式电磁检测的方法，铁磁芯棒6可以采用一根或二根或三根，这主要取决于检测线圈的绕制方式，当检测线圈2的绕制采用的是绝对式时，铁磁芯棒6选用一根，检测线圈的激励绕组21和检测绕组22分别缠绕在该铁磁芯棒6上，在激励绕组21有电压信号输入而无外部磁场影响时，检测绕组22的电压输出为一常数，如外部有磁场影响则检测绕组的电压输出发生变化，通过这一方式来获取被测构件的缺陷信号，因为被测构件的缺陷带来了外部磁场的变化；当检测线圈2的绕制采用的是差动式时，铁磁芯棒6选用二根或三根，激励绕组21为二组并以反接方式分别缠绕在二根平行排列的铁磁芯棒6上，检测绕组22则缠绕该二根铁磁芯棒6上或另一根铁磁芯棒6上，在激励绕组21有电压信号输入而无外部磁场影响时，检测绕组22的电压输出0，如外部有磁场影响则检测绕组的电压输出发生变化，通过这一方式同样可以来获取被测构件的相关信号。
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本发明的一种利用改变激励模式来实现不同方式电磁检测的方法，计算机处理***5的硬件主要包括有CPU芯片、FPGA芯片和DSP芯片。CPU即中央处理器，是英文Central Processing Unit的缩写，是整个***的核心，也是整个***最高的执行单位，它负责整个***指令的执行，数学与逻辑的运算，数据的存储与传送，以及对内对外输入与输出的控制，所以，CPU主要包含运算器、控制器及存储器。FPGA芯片(现场可编程门阵列)是专用集成电路(ASIC)中集成度最高的一种，用户可对FPGA内部的逻辑模块和I/O模块重新配置，以实现用户的逻辑，因而也被用于对CPU的模拟，用户对FPGA的编程数据放在Flash芯片中，通过上电加载到FPGA中，对其进行初始化。也可在线对其编程，实现***在线重构。DSP芯片，也称数字信号处理器，是一种具有特殊结构的微处理器。DSP芯片的内部采用程序和数据分开的哈佛结构，具有专门的硬件乘法器，广泛采用流水线操作，提供特殊的DSP指令，可以用来快速地实现各种数字信号处理算法。
本发明的一种利用改变激励模式来实现不同方式电磁检测的方法，正弦波激励信号、方波激励信号、高占空比的脉冲信号等三种信号所选用的频率，相对于它们三者之间来说，正弦波激励信号为高频，方波激励信号为中频，高占空比的脉冲信号为低频。
采用本发明的方法所制成的检测仪器，既可以根据不同的被测构件需要分别实现单一的涡流检测或漏磁检测或磁记忆检测，也可以针对同一被测构件的需要采用分时检测的方式来取得涡流检测、漏磁检测、磁记忆检测的检测参量。
当需要进行涡流检测时，由计算机处理***5来控制任意波形发生器1发出高频正弦波激励信号，对检测线圈的激励绕组21进行激励，同时，在计算机处理***5内启用涡流信号处理程序，激励绕组21受正弦波信号的激励后形成一交变磁场，该交变磁场通过与被测构件发生的电磁感应作用，在被测构件内建立涡流，被测构件中的涡流也会产生自己的磁场，涡流磁场的作用改变了原磁场的强弱，进而导致检测线圈的检测绕组22的电压和阻抗的改变，当被测构件表面或近表面出现缺陷时，就会影响到涡流的强度和分布，涡流的变化又引起了检测线圈的检测绕组22的电压和阻抗的变化，检测绕组22所拾取信号经前置放大单元31放大、相敏检波单元32相敏检波、滤波处理单元33滤波处理、A/D转换单元34的A/D转换后由计算机处理***5的涡流信号处理程序进行分析处理，从而得出被测构件缺陷的涡流检测分析结果；
当需要进行漏磁检测时，由计算机处理***5来控制任意波形发生器1发出中频方波激励信号，对检测线圈的激励绕组21进行激励，同时，在计算机处理***5内启用漏磁信号处理程序，激励绕组21受方波信号的激励后，传感器相当于一个磁通门，由于传感器是接近磁饱和状态，因此检测的结果既有涡流效应，也有漏磁效应，检测绕组22所拾取的信号经前置放大单元31放大、滤波处理单元33滤波处理、A/D转换单元34的A/D转换后由计算机处理***5的漏磁信号处理程序进行分析处理，从而得出被测构件缺陷的漏磁检测分析结果；此时的相敏检波单元32受计算机处理***5的控制被跳过，即信号没有经过相敏检波单元32；
当需要进行磁记忆检测时，由计算机处理***5来控制任意波形发生器1发出低频高占空比的脉冲信号，对检测线圈的激励绕组21进行激励，同时，在计算机处理***5内启用磁记忆信号处理程序，激励绕组21受高占空比脉冲信号的激励后，传感器相当于一个磁通门，检测绕组22所拾取的信号经前置放大单元31放大、滤波处理单元33滤波处理、A/D转换单元34的A/D转换后由计算机处理***5的磁记忆信号处理程序进行分析处理，从而得出被测构件缺陷的磁记忆检测分析结果。
上述实施例仅用来进一步说明本发明的一种利用改变激励模式来实现不同方式电磁检测的方法，但本发明并不局限于实施例，凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均落入本发明技术方案的保护范围内。
Claims (6)
1.一种利用改变激励模式来实现不同方式电磁检测的方法，其特征在于：是将检测线圈的激励绕组和检测绕组分别缠绕在棒式铁磁芯上来作为传感器对被测构件进行检测感应，检测线圈的激励绕组由任意波形发生器所产生的正弦波激励信号、方波激励信号、高占空比的脉冲信号的其中一种信号的单一激励或二种、三种信号的分时激励；
其中，所施加的正弦波激励信号，其最大幅值应使铁磁芯线圈的磁化达到不饱和状态，对应于正弦波激励，检测线圈的检测绕组所拾取的信号经放大、相敏检波、滤波处理、A/D转换后由计算机处理***的涡流信号处理单元进行分析处理，得出被测构件缺陷的涡流检测分析结果；
所施加的方波激励信号，其幅值使铁磁芯线圈的磁化达到接近饱和状态，对应于方波激励，检测线圈的检测绕组所拾取的信号经放大、滤波处理、A/D转换后由计算机处理***的漏磁信号处理单元进行分析处理，得出被测构件缺陷的漏磁检测分析结果；
所施加的高占空比的脉冲信号，其幅值使铁磁芯线圈的磁化达到过饱和状态，对应于高占空比的脉冲激励，检测线圈的检测绕组所拾取的信号经放大、滤波处理、A/D转换后由计算机处理***的磁记忆信号处理单元进行分析处理，得出被测构件缺陷的磁记忆检测分析结果。
2.根据权利要求1所述的一种利用改变激励模式来实现不同方式电磁检测的方法，其特征在于：所述的任意波形发生器所发出的正弦波激励信号和/或方波激励信号和/或高占空比的脉冲信号由计算机处理***进行控制。
3.根据权利要求1所述的一种利用改变激励模式来实现不同方式电磁检测的方法，其特征在于：所述的缠绕检测线圈的铁磁芯棒采用一根，激励绕组和检测绕组分别缠绕在该铁磁芯棒上。
4.根据权利要求1所述的一种利用改变激励模式来实现不同方式电磁检测的方法，其特征在于：所述的缠绕检测线圈的铁磁芯棒采用二根，二组激励或检测绕组以反接方式分别缠绕在二根平行排列的铁磁芯棒上，检测或激励绕组则跨越缠绕在二根铁磁芯棒上。
5.根据权利要求1所述的一种利用改变激励模式来实现不同方式电磁检测的方法，其特征在于：所述的缠绕检测线圈的铁磁芯棒采用三根，三根铁磁芯棒平行排列，二组激励或检测绕组以反接方式分别缠绕在二根外侧的铁磁芯棒上，检测或激励绕组则缠绕在中间的一根铁磁芯棒上。
6.根据权利要求1或3或4或5所述的一种利用改变激励模式来实现不同方式电磁检测的方法，其特征在于：所述的铁磁芯棒优选的为软铁芯。
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