CN101256323A - 半穿透半反射式像素结构 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种适于配置于一基板上的半穿透半反射式像素结构。此半穿透半反射式像素结构包括栅极层、栅绝缘层、沟道层、半穿透导电层、保护层以及第二半穿透膜。栅极层配置于基板上而栅绝缘层也配置于基板上，并且栅绝缘层覆盖住栅极层。位于栅极层上方的沟道层配置于栅绝缘层上。半穿透导电层配置于沟道层的部份区域以及栅绝缘层的部分区域上。其中，半穿透导电层包括源极、漏极以及与漏极连接的第一半穿透膜。保护层配置于半穿透导电层以及部份沟道层上。并且，位于第一半穿透膜上方的第二半穿透膜配置于保护层的部份区域上。

Description

半穿透半反射式像素结构

技术领域

本发明是有关于一种像素结构及其制造方法，且特别是有关于一种半穿透半反射式像素结构(transflective pixel structure)及其制造方法。

背景技术

随着电脑性能的大幅进步以及互联网、多媒体技术的高度发展，目前影像信息的传递大多已由模拟转为数字传输。为了配合现代生活模式，视讯或影像装置的体积日渐趋于轻薄。传统的阴极射线管(Cathode Ray Tube，CRT)显示器因具有优异的显示品质与其经济性，一直独占近年来的显示器市场。然而，对于个人在桌上操作多数终端机/显示器装置的环境，或是以环保的观点切入，若以节省能源的潮流加以预测，阴极射线管因空间利用以及能源消耗上仍存在很多问题，而对于轻、薄、短、小以及低消耗功率的需求无法有效提供解决之道。因此，配合光电技术与半导体制造技术所发展的平面式显示器(Flat Panel Display)，例如液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)、有机发光显示器(Organic Light Emitting Diode，OLED)或是等离子显示器(Plasma Display Panel，PDP)，已逐渐成为显示器产品的主流。

承上所述，就液晶显示器而言，依其光源利用型态可略分为反射式液晶显示器(Reflective LCD)、穿透式液晶显示器(Transmissive LCD)以及半穿透半反射式液晶显示器三种。以穿透式或是半穿透半反射式的液晶显示器为例，其主要是由一液晶面板(Liquid Crystal Panel)及一背光组件(Black Light Module，B/L)所构成，由于液晶面板中所注入的液晶本身不会发光，因此必需通过背光组件所提供的光源来点亮液晶面板，以使液晶显示器达到显示的效果。

图1为现有的一种半穿透半反射式液晶显示面板的示意图。请参照图1，液晶显示面板100包括上基板110、下基板120、半穿透半反射板130、液晶层140、像素电极150以及共用电极160。其中，上基板110与下基板120相对，液晶层140配置于上基板110与下基板120之间，而半穿透半反射板130则配置于下基板120上。并且，半穿透半反射板130上配置有像素电极150。像素电极150与配置在上基板110的共用电极160用以调变液晶层140的排列方式。此外，半穿透半反射板130使外界的光线可部分被反射，也可使背光源(未绘示)所供应的部分光线穿透。如此，则液晶显示面板100可同时具有穿透式与反射式两种显示模式。然而，受限于半穿透半反射板130，液晶显示面板100的光线穿透率与反射率皆不高，此外，若欲进行多彩显示，仍需于上基板110上设置彩色滤光膜170。因此，液晶显示面板100常会有亮度不足以及背光源利用率低的情形。

图2为现有的另一种半穿透半反射式液晶显示面板的示意图。请参照图2，液晶显示面板200包括上基板210、下基板220、液晶层240、像素电极250以及共用电极260。其中，液晶显示面板200的各元件与液晶显示面板100相似，故相似的符号在此不另作说明。其不同之处在于，液晶显示面板200中，下基板220的部份区域上还配置有反射板230，以定义出反射区R，而无配置反射板230的区域则为穿透区T。液晶层240则配置于上基板210与下基板220之间。液晶显示面板200具有反射式显示模式与穿透式显示模式，单以反射式显示模式进行显示时，仅反射区R内可进行显示。另一方面，若单以穿透式显示模式进行显示时，则液晶显示面板200中仅穿透区T内可进行显示。简言之，在单一显示模式下，液晶显示面板200的开口率不佳，进而导致液晶显示面板200的对背光源光线的利用率不好且显示效果不佳。同样的，欲进行多彩显示时，需增设一彩色滤光膜270于上基板上，使得光线穿透率受限而影响显示效果。

为了使半穿透半反射式液晶显示器的背光源利用率以及开口率提高以呈现较好的显示效果，现行半穿透半反射式液晶显示器仍有改进的必要。

发明内容

本发明提供一种半穿透半反射式像素结构，可提高半穿透半反射式液晶显示器的背光源利用率以及开口率，以解决半穿透半反射式液晶显示器显示效果不佳的问题。

本发明提出一种适于配置于一基板上的半穿透半反射式像素结构。此半穿透半反射式像素结构包括栅极层、栅绝缘层、沟道层、半穿透导电层、保护层以及第二半穿透膜。栅极层配置于基板上而栅绝缘层也配置于基板上，并且栅绝缘层覆盖住栅极层。位于栅极层上方的沟道层配置于栅绝缘层上。半穿透导电层配置于沟道层的部份区域以及栅绝缘层的部分区域上。其中，半穿透导电层包括源极、漏极以及与漏极连接的第一半穿透膜。保护层配置于半穿透导电层以及部份沟道层上。并且，位于第一半穿透膜上方的第二半穿透膜配置于保护层的部份区域上。

在本发明一实施例中，上述半穿透导电层的材质包括银。并且，第一半穿透膜与第二半穿透膜的厚度分别例如是介于10～60纳米(nm)之间。

在本发明一实施例中，上述第二半穿透膜包括一导电层。并且，上述保护层例如具有第一开口，以使半穿透导电层与导电层电性连接。此外，上述导电层的材质包括银或是银合金。

在本发明一实施例中，半穿透半反射式像素结构还包括一电容下电极，配置于基板上，其中电容下电极与第一半穿透膜例如构成一存储电容。

在本发明一实施例中，半穿透半反射式像素结构还包括一欧姆接触层，配置于沟道层表面的部份区域上。

在本发明一实施例中，上述保护层材质包括介电材质，其例如为氧化硅、氮化硅或是氮氧化硅。在本发明一实施例中，当保护层的材质为二氧化硅(SiO₂)时，保护层的厚度例如可以介于5～120纳米、120～145纳米以及145～190纳米三种厚度，以使光线经过半穿透半反射式像素结构后分别呈现蓝色、绿色及红色。另一方面，当保护层的材质为氮化硅(Si₃N₄)时，保护层的厚度例如是调整至介于5～70纳米、70～95纳米以及95～120纳米三种厚度，以使光线经过半穿透半反射式像素结构后分别呈现蓝色、绿色及红色。

本发明还提出一种半穿透半反射式像素结构，适于配置于基板上。此半穿透半反射式像素结构包括栅极层、栅绝缘层、沟道层、金属层、半穿透导电层、保护层以及第二半穿透膜。其中，栅极层配置于基板上，且栅绝缘层也配置于基板上，并覆盖于栅极层上。沟道层配置于栅绝缘层上，且沟道层位于栅极层之上方。金属层配置于沟道层的部分区域上，其中金属层包括源极以及数据配线。半穿透导电层配置于沟道层的部分区域以及栅绝缘层的部分区域上，其中半穿透导电层包括漏极以及与漏极连接的第一半穿透膜，并且半穿透导电层与金属层分别对应于栅极层的两侧。此外，保护层配置于金属层、半穿透导电层以及沟道层的部份区域上。另外，第二半穿透膜配置于保护层的部份区域上，其中第二半穿透膜位于第一半穿透膜上方。

在本发明一实施例中，上述金属层的材质包括铝、钼或是铝钼合金。并且，上述半穿透导电层的材质包括银。

在本发明一实施例中，上述第二半穿透膜包括一导电层，而导电层的材质包括银或银合金。此外，半穿透半反射式像素结构还包括形成于保护层中的第一开口，以使导电层与漏极电性连接。

在本发明一实施例中，还包括一辅助数据配线于保护层的部份区域上，以使辅助数据配线位于金属层上方。并且，本发明的半穿透半反射式像素结构还包括第二开口形成于保护层中，以使辅助数据配线通过第二开口与数据配线电性连接。

在本发明一实施例中，还包括形成于基板上的一电容下电极，其中电容下电极与第一半穿透膜构成一存储电容。

在本发明一实施例中，还包括于沟道层的一上表面进行离子掺杂而形成的欧姆接触层。

本发明的半穿透半反射式像素结构中，采用第二半穿透膜与第一半穿透膜之间夹一保护层的结构作为光学滤光膜之用，因此像素结构不需彩色滤光膜就可进行多彩化显示。同时，本发明的半穿透半反射式像素结构不须设置不透明的反射板即可兼具反射式与穿透式的显示功能，因此本发明的半穿透半反射式像素结构有较高的开口率。此外，在本发明的半穿透半反射式像素结构的制造方法中，第一半穿透膜、第二半穿透膜以及保护层的制作与现有制程相容，且有助于节省制作成本并简化液晶显示面板的制造流程。

为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1为现有的一种半穿透半反射式液晶显示面板的示意图。

图2为现有的另一种半穿透半反射式液晶显示面板的示意图。

图3A到图3G为本发明的一较佳实施例的半穿透半反射式像素结构的制造方法。

图4A、图4B及图4C绘示光波波长与穿透率关系曲线。

图5绘示应用本发明之像素结构的液晶显示器的背光源利用情形。

图6A到图6I为本发明另一较佳实施例的半穿透半反射式像素结构的制造方法。

具体实施方式

图3A到图3G为本发明一较佳实施例的半穿透半反射式像素结构的制造方法。请先参照图3A，于基板310上形成栅极层320。其中，基板310例如是一玻璃基板。栅极层320的形成方式例如是先以薄膜沉积制程沉积一层栅金属层(未绘示)于基板310上，而后以一微影制程将此栅金属层(未绘示)图案化，以得到栅极层320。在形成栅极层320的同时，例如可以在基板310上形成一电容下电极322，其位于栅极层320的一侧。

接着请参照图3B，在栅极层320形成之后，于基板310上形成栅绝缘层330，如图3B所示，栅绝缘层330覆盖住栅极层320以及电容下电极322。栅绝缘层330的形成方式例如是利用化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition，CVD)将介电材料沉积于基板310上。并且，栅极介电层330的材质例如是二氧化硅、氮化硅或是氮氧化硅等介电材料。

请参照图3C，接着于栅绝缘层330上形成沟道层340，且沟道层340位于栅极层320之上方。沟道层340的形成方式例如是通过化学气相沉积法(ChemicalVapor Deposition，CVD)将硅沉积于栅绝缘层330上，以形成非晶硅层(未绘示)，或是进一步于非晶硅层(未绘示)上进行激光退火(Laser annealing)，以形成多晶硅层(未绘示)。并且，进行微影制程使非晶硅层或多晶硅层被图案化，而形成位于栅极层320上方的沟道层340。

一般而言，为了降低薄膜电晶体中源/漏极与栅极之间的接触阻抗，例如可以在沟道层340的表面上进行一掺杂制程，以于沟道层340的表面形成一欧姆接触层342(如图3D所示)。

然后，请参照图3E，于沟道层340的部分区域以及栅绝缘层330的部分区域上形成一半穿透导电层360。其中，半穿透导电层360的形成方式例如是以溅镀法等薄膜沉积制程将银金属或是银合金沉积于沟道层340以及部份栅绝缘层330之上。之后，进行一图案化制程，以使位于栅极层320上方的部分银金属层或是银合金层以及部份欧姆接触层被蚀刻，而暴露出沟道层340的部份区域。值得注意的是，半穿透导电层360包括源极362、漏极364以及与漏极364连接的第一半穿透膜366。由图3E可知，第一半穿透膜366的部份区域与下电容电极322会构成一存储电容Cst。

接着，如图3F所示，于半穿透导电层360以及部份沟道层340上形成一保护层370。其中，保护层370例如是以化学气相沉积法所形成的二氧化硅、氮化硅或是氮氧化硅等介电膜层。

之后，请参照图3G，于保护层370的部分区域上形成一第二半穿透膜380，其中第二半穿透膜380位于第一半穿透膜366上方。在本实施例中，第二半穿透膜380例如是一导电层382，其形成方式例如是以一薄膜沉积制程将银金属层沉积于保护层370上，并接着进行一微影制程将银金属层图案化，以使银金属层覆盖于保护层370的部分区域上。此外，为了进一步避免导电层382浮置所造成的问题，本实施例可于保护层370中形成第一开口S1，以使导电层382能够通过第一开口S1与漏极364电性连接。由于导电层382与漏极364电性连接，故导电层382可以作为施与液晶层电压的像素电极。

由图3G可知，本实施例的像素结构300适于配置于一基板310上，且像素结构300包括栅极层320、栅绝缘层330、沟道层340、半穿透导电层360、保护层370以及第二半穿透膜380。其中，栅极层320配置于基板310上，而栅绝缘层330也配置于基板310上，且栅绝缘层330覆盖住栅极层320。并且，沟道层340配置于栅绝缘层330上，且沟道层340位于栅极层320的上方。另外，半穿透导电层360配置于沟道层340的部份区域以及栅绝缘层330的部分区域上，其中半穿透导电层360包括源极362、漏极364以及与漏极364连接的第一半穿透膜366。保护层370配置于半穿透导电层360以及部份沟道层340上。此外，第二半穿透膜380配置于保护层370的部份区域上，其中第二半穿透膜380位于第一半穿透膜366上方。

在本实施例中，沟道层340的表面还具有一欧姆接触层342，欧姆接触层342例如是通过在沟道层340的上表面上进行离子掺杂制程而形成的，其用以降低源极362(漏极364)与栅极层320之间的接触阻抗。此外，第二半穿透膜380例如是一导电层382。并且，保护层370例如具有第一开口S1，以使半穿透导电层360能够通过第一开口S1与导电层382电性连接。并且，半穿透导电层360与导电层382的材质包括银、银合金或其他材料。其中，漏极364的厚度例如介于10～200纳米(nm)，第一半穿透膜366的厚度例如介于10～60纳米。同样地，第二半穿透膜380的厚度亦例如介于10～60纳米。

在本实施例中，像素结构300还包括一配置于基板310上的电容下电极322，其中电容下电极322与第一半穿透膜366的部份区域会构成一存储电容Cst。存储电容Cst可以有效地维持像素电极的电压，有助于使像素结构300的显示品质维持稳定。

值得一提的是，第二半穿透膜380与第一半穿透膜366之间夹一保护层370可以构成一光学滤光膜390。其主要是因为自第二半穿透膜380、第一半穿透膜366与保护层370产生薄膜干涉的作用。在如此干涉作用之下，若针对保护层370的膜厚加以调整，则可调整通过光学滤光膜390的穿透光的波长位置和其显示的颜色。换言之，通过调整保护层370的沉积厚度，就可以使像素结构300进行多彩化的显示。

具体而言，欲呈现良好的显示品质，保护层370(介电膜层)的厚度例如是依照实际需求与其材质而有所不同的。以二氧化硅(SiO₂)来制作保护层370为例，保护层370的厚度介于5～120纳米时可使光线穿过像素结构300后呈现蓝色；而其厚度介于120～145纳米时，可使光线穿过像素结构300后呈现绿色；另外，其厚度介于145～190纳米则可使光线穿过像素结构300后呈现红色。再者，以氮化硅(Si₃N₄)制作保护层370为例，当保护层370的厚度介于5～70纳米时可使光线穿过像素结构300后呈现蓝色；而其厚度介于70～95纳米时可使光线穿过像素结构300后呈现绿色；另外，其厚度介于95～120纳米时可使光线穿过像素结构300后呈现红色。当然，保护层370也可以利用其他材质来制作，例如是氮氧化硅等。

将像素结构300应用于一液晶显示面板内时，不需额外设置一彩色滤光膜于上基板上，即可进行多彩化的显示。如此，不但在制作流程上可以省去彩色滤光膜的制造步骤及成本，在液晶面板的显示效果上，更不会因为彩色滤光膜对光线的吸收作用而影响显示亮度。

以氮化硅为保护层370的材质时，经模拟所得本发明的像素结构所显示的光线波长与穿透率关系曲线如图4A、图4B及图4C所绘示。请同时参照图4A、4B及4C，光学滤光膜390对红光、绿光以及蓝光的穿透率个别可达到约70％、约80％以及约75％(如曲线410、420以及430所示)。由此可见，各色光在经过光学滤光膜390作用之后，仍可维持高的穿透率。

此外，像素结构300中，光学滤光膜390的各膜层是由主动元件中的相关膜层所组成的，故光学滤光膜中的导电性膜层不会与其他导电性膜层发生耦合现象，而产生不必要的寄生电容。另一方面，光学滤光膜390的制作与现有制程相容，因此不会造成制作成本的增加，也不会使制作过程变的复杂。

值得注意的是，本发明的像素结构300的设计还有助于提高背光源的使用率。图5绘示应用本发明的像素结构的液晶显示器的背光源利用情形。请参照图5，一般而言，背光组件500配置于液晶显示面板510的下方，且液晶显示面板510内具有多个像素结构(512A、512B及512C)。各个像素结构(512A、512B及512C)例如为上述实施例所举的各种类型的像素结构。背光组件500可提供各个像素结构(512A、512B及512C)足够的光源，以进行穿透式的显示模式。其中，像素结构512A显示的颜色例如为红色，像素结构512B显示的颜色例如为绿色，而像素结构512C显示的颜色例如为蓝色。当背光源发出的光线520经过像素结构512B后，光线520中各种波段的光会因为像素结构512B中的光学滤光膜的作用而被过滤，使得部份绿光522可以通过像素结构512B，而无法通过像素结构512B的其余波段光线524则会被反射。换言之，被反射的光线524是由未通过像素结构512B的红光、蓝光加上部分绿光所组成的。光线524中，有部分光线526会直接被反射而再一次经过像素结构512B。另外，还有部分光线528会被反射而横向传递，进而从其他像素结构(512A或是512C)穿出。如此一来，光线526将有助于提高像素结构512B的绿光显示效果，而光线528则有助于分别提高像素结构512A以及像素结构512C的红光以及蓝光显示效果。整体而言，背光组件500的光线利用率可大为提高。

为了将数据配线与源极一同制作，并使用低阻抗的金属以制作数据配线，本发明在此提出另一种方法以制作半穿透半反射式像素结构。其中，将数据配线与源极金属层的制作步骤自半穿透导电层的制作步骤中独立出来。同时，以其他的金属材质来制作数据配线与源极，以提升液晶显示面板的显示效果。以下就其制造步骤详细说明。

图6A到图6I为本发明另一较佳实施例的半穿透半反射式像素结构的制造方法。其中，图6A到图6D的制作步骤例如是与上述实施例的图3A到图3D一致，在此并不另作说明。进行至图6D的步骤为止，已于基板610上完成半反射半穿透式像素结构部分构件的制作。其中，这些构件包括栅极层620、栅绝缘层630、沟道层640以及沟道层640表面的欧姆接触层650。另外，栅极层620的一侧还包括一电容下电极622。

接着，请参照图6E，于沟道层640的部分区域上形成金属层662，其中金属层662包括源极662A以及数据配线662B。金属层662的形成方式例如是以薄膜沉积制程将铝、钼金属或是铝钼合金沉积于沟道层640上，再将铝、钼金属层或是铝钼合金层图案化以形成源极662A与数据配线662B。

随之，请参照图6F，于沟道层640的部分区域上以及栅绝缘层630的部分区域上形成一半穿透导电层664。其中，半穿透导电层664包括漏极664A以及与漏极664A连接的第一半穿透膜664B。在本实施例中，半穿透导电层664的形成方式例如是以溅镀的方式形成银金属层(未绘示)，并接着将银金属层(未绘示)图案化以形成半穿透导电层664。实质上，半穿透导电层664与金属层662是个别对应于栅极层620的两侧。此外，源极662A与漏极664A形成的同时，还包括对欧姆接触层650的部份区域进行蚀刻，以暴露出沟道层640的部份区域。其中，漏极664A的厚度例如介于10～200纳米，而第一半穿透膜664B的厚度例如介于10～60纳米。

更详细而言，第一半穿透膜664B的部分区域，与下方的电容下电极622会构成一存储电容Cst。存储电容Cst于液晶显示器进行显示时，能有效地维持像素电极的电压。

然后，请参照图6G，于金属层662、半穿透导电层664以及部份沟道层640上形成保护层670。保护层670的形成方式例如是以化学气相沉积法将二氧化硅、氮化硅或是氮氧化硅等介电膜层沉积于金属层662、半穿透导电层664以及部份沟道层640上。

再者，请参照图6H，于保护层670的部份区域上形成第二半穿透膜682，其中第二半穿透膜682位于第一半穿透膜664B上方。第二半穿透膜682包括一导电层682A，而此导电层682A的材质包括银或银合金。并且，第二半穿透膜380的厚度例如是介于10～60纳米。

由于，第二半穿透膜682具有导电性，为了不使其浮置，于保护层670中更可以形成一第一开口S1(如图6H所示)，以使导电层682A通过第一开口S1与漏极664A电性连接。

另外，请参照图6I，在形成导电层682的同时，例如还形成辅助数据配线682B于保护层670的部份区域上，以使辅助数据配线682B位于金属层662上方。同时，于保护层670中形成一第二开口S2，以使辅助数据配线682B与数据配线662B电性连接。辅助数据配线682B与数据配线662B同时进行数据信号的传输，将有助于提高数据传输的效能。

请参考图6I，配置于基板610上的半反射半穿透式像素结构600包括以下元件：栅极层620、栅绝缘层630、沟道层640、金属层662、半穿透导电层664、保护层670以及第二半穿透膜682。栅极层620配置于基板610上，同时栅绝缘层630也配置于基板610上，并且栅绝缘层620覆盖于栅极层610上。配置于栅绝缘层620上的沟道层640位于栅极层620的上方。另外，沟道层640的一侧上方配置有金属层662，而另一侧上方配置有半穿透导电层664。其中，金属层662包括源极662A以及数据配线662B，而半穿透导电层682包括漏极664A以及覆盖在栅绝缘层630部分区域上的第一半穿透膜664B。保护层670配置于金属层662、半穿透导电层664以及沟道层640的部份区域上。并且，配置于保护层670的部份区域上的第二半穿透膜682位于第一半穿透膜664B上方。

在本实施例中，金属层662的材质包括铝、钼或是铝钼合金；而半穿透导电层664的材质包括银或银合金。其中，漏极664A的厚度例如介于10～200纳米，第一半穿透膜664B的厚度例如介于10～60纳米，而第二半穿透膜682的厚度例如介于10～60纳米。

第一半穿透膜664B、第二半穿透膜682与夹于其间的保护层670例如是形成一光学滤光膜690。光学滤光膜690与上述实施例的光学滤光膜390具有相同的功能，也就是可以通过薄膜干涉的作用使像素结构600呈现多彩化的显示。详言之，调整保护层670的膜厚，可使像素结构600显示红色、蓝色及绿色，而其膜厚的设计例如是与上述实施例的保护层370的膜厚设计相同，此处则不再赘述。

第二半穿透膜682包括一导电层682A。同时，位于保护层670中的第一开口S1，使导电层682A通过此第一开口S1与第一半穿透膜664B连接，以避免导电层682A浮置。另外，为了进一步降低数据配线662B的阻抗，本实施例可将辅助数据配线682B配置于金属层662上方，并通过保护层670中的第二开口S2使辅助数据配线682B与数据配线662B电性连接。

像素结构600除了具有如像素结构300具有的优点外，将数据配线662B及源极662A另以其他金属的金属层662制成，可使数据信号的传输更加准确。另外，再加上辅助数据配线682B的配置，可更进一步地提升液晶显示面板的性能。

更进一步地说，本发明的像素结构(300与600)例如可以多种不同方式阵列排列于基板上，以形成一主动元件阵列基板。其中，将像素结构(300与600)阵列排列于基板上的方式包括条纹式、马赛克式、三角形式等。

综上所述，本发明的半穿透半反射式像素结构的制造方法与其像素结构具有至少以下所述的优点：

1.在本发明的半穿透半反射式像素结构的制造方法与其像素结构中，借着对保护层厚度进行调变，就可使本发明的像素结构发出红色、蓝色或绿色等特定颜色的光。

2.本发明的半穿透半反射式像素结构的制造方法中，光学滤光膜的制作与现有制程相容。因此，不会造成制造成本上的负担也不会造成制作步骤的复杂化。

3.本发明的半穿透半反射式像素结构的制造方法与其像素结构中不须设置反射板，而使液晶显示面板可具有较高的开口率。

4.本发明的半穿透半反射式像素结构的多彩化显示并非通过彩色滤光膜而达成，因此影像的亮度不会因为彩色滤光膜的吸收而受到影响。

5.本发明的半穿透半反射式像素结构，可使背光源的光线有效被利用，进一步有助于提升显示效果。

虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许更动与润饰，因此本发明的保护范围当以权利要求所界定的为准。

Claims (23)

1. 一种半穿透半反射式像素结构，适于配置于一基板上，该半穿透半反射式像素结构包括：

一栅极层，配置于该基板上；

一栅绝缘层，配置于该基板上，并且该栅绝缘层覆盖住该栅极层；

一沟道层，配置于该栅绝缘层上，且该沟道层位于该栅极层的上方；

一半穿透导电层，配置于该沟道层的部份区域以及该栅绝缘层的部分区域上，其中该半穿透导电层包括一源极、一漏极以及与该漏极连接的一第一半穿透膜；

一保护层，配置于该半穿透导电层以及部份该沟道层上；以及

一第二半穿透膜，配置于该保护层的部份区域上，其中该第二半穿透膜位于该第一半穿透膜上方。

2. 如权利要求1所述的半穿透半反射式像素结构，其特征在于，该半穿透导电层的材质包括银或银合金。

3. 如权利要求1所述的半穿透半反射式像素结构，其特征在于，该第一半穿透膜与该第二半穿透膜的厚度分别是介于10～60纳米之间。

4. 如权利要求1所述的半穿透半反射式像素结构，其特征在于，该第二半穿透膜包括一导电层。

5. 如权利要求4所述的半穿透半反射式像素结构，其特征在于，该导电层的材质包括银或银合金。

6. 如权利要求1所述的半穿透半反射式像素结构，其特征在于，还包括一电容下电极，配置于该基板上，其中该电容下电极与该第一半穿透膜构成一存储电容。

7. 如权利要求1所述的半穿透半反射式像素结构，其特征在于，该保护层的材质包括介电材料。

8. 如权利要求7所述的半穿透半反射式像素结构，其特征在于，该保护层的材质为二氧化硅。

9. 如权利要求8所述的半穿透半反射式像素结构，其特征在于，该保护层的厚度为介于5～120纳米时，可使光线经过该半穿透半反射式像素结构之后，呈现蓝色；而该保护层的厚度为介于120～145纳米时，可使光线经过该半穿透半反射式像素结构之后，呈现绿色，且该保护层的厚度为介于145～190纳米时，可使光线经过该半穿透半反射式像素结构之后，呈现红色。

10. 如权利要求7所述的半穿透半反射式像素结构，其特征在于，该保护层的材质为氮化硅。

11. 如权利要求10所述的半穿透半反射式像素结构，其特征在于，该保护层的厚度为介于5～70纳米时，可使光线经过该半穿透半反射式像素结构之后，呈现蓝色；而该保护层的厚度为介于70～95纳米时，可使光线经过该半穿透半反射式像素结构之后，呈现绿色；且该保护层的厚度为介于95～120纳米时，可使光线经过该半穿透半反射式像素结构之后，呈现红色。

12. 一种半穿透半反射式像素结构，适于配置于一基板上，该半穿透半反射式像素结构包括：

一栅极层，配置于该基板上；

一栅绝缘层，配置于该基板上，并且该栅绝缘层覆盖于该栅极层上；

一沟道层，配置于该栅绝缘层上，且该沟道层位于该栅极层之上方；

一金属层，配置于该沟道层的部分区域上，其中该金属层包括一源极以及一数据配线；

一半穿透导电层，配置于该沟道层的以及该栅绝缘层的部分区域上，其中该半穿透导电层包括一漏极以及与该漏极连接的一第一半穿透膜，并且该半穿透导电层与该金属层分别对应于该栅极层的两侧；

一保护层，配置于该金属层、该半穿透导电层以及该沟道层的部份区域上；以及

一第二半穿透膜，配置于该保护层的部份区域上，其中该第二半穿透膜位于该第一半穿透膜上方。

13. 如权利要求12所述的半穿透半反射式像素结构，其特征在于，该金属层的材质包括铝、钼或是铝钼合金。

14. 如权利要求12所述的半穿透半反射式像素结构，其特征在于，该半穿透导电层的材质包括银或是银合金。

15. 如权利要求12所述的半穿透半反射式像素结构，其特征在于，该第二半穿透膜包括一导电层。

16. 如权利要求15所述的半穿透半反射式像素结构，其特征在于，该导电层还包括一辅助数据配线，配置于该保护层的部份区域上，并且该辅助数据配线位于该金属层上方。

17. 如权利要求16所述的半穿透半反射式像素结构，其特征在于，该导电层的材质包括银或银合金。

18. 如权利要求12所述的半穿透半反射式像素结构，其特征在于，还包括一电容下电极，配置于该基板上，其中该电容下电极与该第一半穿透膜构成一存储电容。

19. 如权利要求12所述的半穿透半反射式像素结构，其特征在于，该保护层的材质包括介电材料。

20. 如权利要求19所述的半穿透半反射式像素结构，其特征在于，该保护层的材质为二氧化硅。

21. 如权利要求20所述的半穿透半反射式像素结构，其特征在于，该保护层的厚度为介于5～120纳米时，可使光线经过该半穿透半反射式像素结构之后，呈现蓝色；而该保护层的厚度为介于120～145纳米时，可使光线经过该半穿透半反射式像素结构之后，呈现绿色；且该保护层的厚度为介于145～190纳米时，可使光线经过该半穿透半反射式像素结构之后，呈现红色。

22. 如权利要求19所述的半穿透半反射式像素结构，其特征在于，该保护层的材质为氮化硅。

23. 如权利要求22所述的半穿透半反射式像素结构，其特征在于，该保护层的厚度为介于5～70纳米时，可使光线经过该半穿透半反射式像素结构之后，呈现蓝色；而该保护层的厚度为介于70～95纳米时，可使光线经过该半穿透半反射式像素结构之后，呈现绿色；且该保护层的厚度为介于95～120纳米时，可使光线经过该半穿透半反射式像素结构之后，呈现红色。

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