CN101231470B - 确定透镜组***装置受热变形修正参数的方法 - Google Patents

确定透镜组***装置受热变形修正参数的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101231470B
CN101231470B CN2007100367237A CN200710036723A CN101231470B CN 101231470 B CN101231470 B CN 101231470B CN 2007100367237 A CN2007100367237 A CN 2007100367237A CN 200710036723 A CN200710036723 A CN 200710036723A CN 101231470 B CN101231470 B CN 101231470B
Authority
CN
China
Prior art keywords
lens array
array system
distortion correcting
system apparatus
temperature distortion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2007100367237A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101231470A (zh
Inventor
杨金坡
刘伟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Original Assignee
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp filed Critical Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority to CN2007100367237A priority Critical patent/CN101231470B/zh
Publication of CN101231470A publication Critical patent/CN101231470A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101231470B publication Critical patent/CN101231470B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本发明提供一种确定透镜组***装置受热变形修正参数的方法，该方法适用于曝光多个晶圆，其中，该方法包括如下步骤：a.在预先确定的区间内选择不同的透镜组***装置受热变形修正参数；b.通过运行曝光机台获取不同的透镜组***装置受热变形修正参数所对应的掩模板放大参数；c.选择随着曝光晶圆个数增加，掩模板放大参数变化最小的透镜组***装置受热变形修正参数值为较佳透镜组***装置受热变形修正参数。与现有技术相比，本发明可以更为精确获得较佳的透镜组***装置受热变形修正参数。此外，不同类别的晶圆在不同的制程中都可以获取相应的透镜组***装置受热变形修正参数。

Description

确定透镜组***装置受热变形修正参数的方法 
技术领域
本发明涉及晶圆曝光工艺，具体地说，涉及确定透镜组***装置受热变形修正参数的方法。 
背景技术
曝光机台中的透镜组***装置是完全封闭的，使用时间过长就会产生热膨胀效应，曝光的聚焦点会随透镜组***装置热变形发生漂移，导致光程差发生偏移，同时，对准也会发生偏移，导致晶圆上的成像发生畸变。 
目前通常采用曝光机台中设定合适的透镜组***装置受热变形修正参数提前弥补变形带来的聚焦点漂移。 
然而，现有技术中，透镜组***装置受热变形修正参数通常是根据经验算法获得的一个固定值，而且应用于各类晶圆曝光过程中。随着工艺的日益完善和工艺要求的日益精确，固定的透镜组***装置受热变形修正参数显然不能达到准确的弥补作用，反而由于其不精确性会导致弥补的过大或过小，更加剧了聚焦点的漂移。 
发明内容
本发明的目的在于提供一种新的确定透镜组***装置受热变形修正参数的方法，其可以确定更为精确的透镜组***装置受热变形修正参数。 
为实现上述目的，本发明提供一种确定透镜组***装置受热变形修正参数的方法，该方法适用于曝光多个晶圆，其中，该方法包括如下步骤：a.首先调整曝光机台上的晶圆校准选用参数，该晶圆校准选用参数用于一批晶圆中每一片晶圆进行对准，然后在预先确定的区间内选择不同的透镜组***装置受热变形修正参数；b.通过运行曝光机台获取不同的透镜组***装置受热变形修正参数所对应的表征透镜组***装置的的变形程度的掩模板放大参数；c.选择随着曝光晶圆个数增加，掩模板放大参数变化最小的透镜组***装置受热变形修正参数值为较佳透镜组***装置受热变形修正参数。 
与现有技术相比，本发明根据透镜组***装置受热变形修正参数对应的掩模板放大参数变化程度来确定最精确的透镜组***装置受热变形修正参数，这种方法利用了掩模板放大参数表征透镜组***装置变形程度的特点，在有效的透镜组***装置受热变形修正参数范围内选择透镜组***装置变形最小的透镜组***装置受热变形修正参数的方法，可以更为精确地获得较佳的透镜组***装置受热变形修正参数。此外，不同类别的晶圆在不同的制程中都可以获取相应的透镜组***装置受热变形修正参数。 
附图说明
通过以下对本发明一实施例结合其附图的描述，可以进一步理解其发明的目的、具体结构特征和优点。其中，附图为： 
图1为本发明确定透镜组***装置受热变形修正参数的曲线图。 
具体实施方式
本发明的确定透镜组***装置受热变形修正参数(CF)的方法适用于针对任一选定制程中的各种类别晶圆。当选定的制程需要确定CF值时，首先调整曝光机台上的晶圆校准选用参数，该参数用于一批晶圆中每一片晶圆进行对准。在本发明实施例中，一批晶圆为25片晶圆。 
本发明的方法具体包括如下步骤，首先设定不同的CF，运行曝光机台根据设定不同的CF获取对应的掩模板放大参数(Reticle Magnification，R-Mag)。掩模板放大参数R-Mag可以表征透镜组***装置的变形程度。 
然后根据获得的CF和R-Mag值绘制如图1所示的曲线图，该图的横坐标是表示晶圆编号。该曲线图可以表征当CF取值不同时，随着晶圆曝光个数增加，透镜组***装置的变形程度。从曲线图选择透镜组***装置变形程度最小的CF值即为多个CF值中最精确的。 
在本发明较佳实施例中，首先设定的不同的CF值是根据经验得知，例如设定CF的范围为0.6至1.6，间隔为0.2，即取值为0.6，0.8，1.0，1.4，1.6。然后在根据这些CF取值获取曝光每一片晶圆时对应的R-Mag，即可以得到如下取值关系，如表1所示： 
表1 
  CF＝0.6   CF＝0.8   CF＝1.0   CF＝1.2   CF＝1.4   CF＝1.6
  #1   0.35   0.85   0.07   -0.08   0.44   0.64
  #2   0.01   0.58   -0.26   -0.27   0.26   0.41
  #3   -0.07   0.42   -0.39   -0.32   0.03   0.41
  #4   -0.37   0.16   -0.57   -0.47   0.14   0.39
  #5   -0.37   0.07   -0.54   -0.41   0.28   0.47
  #6   -0.69   -0.07   0.61   -0.46   0.32   0.53
  #7   -0.67   -0.01   -0.60   -0.37   0.46   0.57
  #8   -0.76   -0.28   -0.74   -0.48   0.36   0.57
  #9   -0.76   -0.19   -0.62   -0.30   0.53   0.77
  #10   -0.87   -0.30   -0.64   -0.33   0.61   0.76
  #11   -0.86   -0.25   -0.74   -0.35   0.68   0.87
  #12   -1.03   -0.36   -0.75   -0.39   0.64   0.86
  #13   -0.97   -0.46   -0.71   -0.28   0.82   0.95
  #14   -1.14   -0.47   -0.75   -0.32   0.68   0.93
  #15   -1.04   -0.53   -0.70   -0.31   0.78   1.07
  #16   -1.15   -0.49   -0.73   -0.28   0.81   1.18
  #17   -1.21   -0.54   -0.65   -0.26   0.89   1.23
  #18   -1.14   -0.57   -0.81   -0.36   0.91   1.21
  #19   -1.21   -0.61   -0.73   -0.27   0.92   1.30
  #20   -1.33   -0.64   -0.82   -0.29   0.94   1.23
  #21   -1.33   -0.59   -0.75   -0.25   1.00   1.37
  #22   -1.29   -0.74   -0.71   -0.23   0.87   1.27
  #23   -1.28   -0.70   -0.72   -0.15   1.09   1.42
  #24   -1.39   -0.76   -0.74   -0.21   0.99   1.34
  #25   -1.37   -0.74   -0.76   -0.09   1.11   1.38
根据表1，绘制图1所示的曲线图。从图1中可以看出，当CF＝1.2，随着 晶圆曝光个数的增加，透镜组***装置变形的程度最小。所以，CF＝1.2是CF＝0.6至1.6范围中最精确。 
在本发明其他实施例中，为了得到更为精确的CF值，可以再细分CF＝1.2，例如1.21-1.29，间隔为0.01，然后运行曝光机台得到对应的R-Mag，并绘制曲线图，选择曲线变化最平缓的，即为随着晶圆个数增加，透镜组***装置的变形程度最小的CF值。 

Claims (5)

1.一种确定透镜组***装置受热变形修正参数的方法，该方法适用于曝光多个晶圆，其特征在于，该方法包括如下步骤：
a.首先调整曝光机台上的晶圆校准选用参数，该晶圆校准选用参数用于一批晶圆中每一片晶圆进行对准，然后在预先确定的区间内选择不同的透镜组***装置受热变形修正参数；
b.通过运行曝光机台获取不同的透镜组***装置受热变形修正参数所对应的表征透镜组***装置的的变形程度的掩模板放大参数；
c.选择随着曝光晶圆个数增加，掩模板放大参数变化最小的透镜组***装置受热变形修正参数值为较佳透镜组***装置受热变形修正参数。
2.如权利要求1所述的确定透镜组***装置受热变形修正参数的方法，其特征在于：掩模板放大参数表征透镜组***装置的变形程度。
3.如权利要求1所述的确定透镜组***装置受热变形修正参数的方法，其特征在于：步骤c可以采用曲线图来辅助选择，横坐标是晶圆编号，纵坐标表征掩模板放大参数，不同的透镜组***装置受热变形修正参数对应不同的曲线。
4.如权利要求3所述的确定透镜组***装置受热变形修正参数的方法，其特征在于：在曲线图中选择曲线起伏最平缓的透镜组***装置受热变形修正参数作为较佳透镜组***装置受热变形修正参数。
5.如权利要求1所述的确定透镜组***装置受热变形修正参数的方法，其特征在于：根据步骤c中选择的较佳透镜组***装置受热变形修正参数，确定其邻近的一个较小区间，并重复步骤a，b及c以获取更为精确的透镜组***装置受热变形修正参数。
CN2007100367237A 2007-01-23 2007-01-23 确定透镜组***装置受热变形修正参数的方法 Expired - Fee Related CN101231470B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2007100367237A CN101231470B (zh) 2007-01-23 2007-01-23 确定透镜组***装置受热变形修正参数的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2007100367237A CN101231470B (zh) 2007-01-23 2007-01-23 确定透镜组***装置受热变形修正参数的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101231470A CN101231470A (zh) 2008-07-30
CN101231470B true CN101231470B (zh) 2011-03-23

Family

ID=39898037

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007100367237A Expired - Fee Related CN101231470B (zh) 2007-01-23 2007-01-23 确定透镜组***装置受热变形修正参数的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101231470B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102591135A (zh) * 2011-10-12 2012-07-18 上海华力微电子有限公司 一种连续曝光时透镜受热引起图形变化的监控方法
CN105093857B (zh) * 2015-07-22 2017-06-27 上海华力微电子有限公司 解决高能量下连续片晶圆孤立线宽下降的方法
CN108581243B (zh) * 2018-05-15 2020-06-09 大族激光科技产业集团股份有限公司 激光焦点偏移量消除方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5581324A (en) * 1993-06-10 1996-12-03 Nikon Corporation Thermal distortion compensated projection exposure method and apparatus for manufacturing semiconductors
US5633101A (en) * 1993-09-14 1997-05-27 Nikon Corporation Mask and projection exposure method
CN1431560A (zh) * 2002-01-11 2003-07-23 南亚科技股份有限公司 自动回馈修正的曝光方法与***

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5581324A (en) * 1993-06-10 1996-12-03 Nikon Corporation Thermal distortion compensated projection exposure method and apparatus for manufacturing semiconductors
US5633101A (en) * 1993-09-14 1997-05-27 Nikon Corporation Mask and projection exposure method
CN1431560A (zh) * 2002-01-11 2003-07-23 南亚科技股份有限公司 自动回馈修正的曝光方法与***

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2005-251781A 2005.09.15
余斌 等.步进扫描投影光刻机投影物镜精密温度控制***.《机床与液压》.2006,(第10期),127-130.
余斌等.步进扫描投影光刻机投影物镜精密温度控制***.《机床与液压》.2006,(第10期),127-130. *

Also Published As

Publication number Publication date
CN101231470A (zh) 2008-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109391754B (zh) 基于个体镜头特性利用粘合剂收缩偏移的相机组装方法
TWI618130B (zh) 用於晶圓安裝的接收構件
CN101231470B (zh) 确定透镜组***装置受热变形修正参数的方法
EP1850372A1 (en) Temperature setting method for heat treating plate, temperature setting device for heat treating plate, program and computer-readable recording medium recording program
CN108055471B (zh) 一种光圈校正方法及装置
US10531060B2 (en) Method, apparatus, computer-readable storage medium, and terminal for calibrating automatic white balance
US20160048087A1 (en) Scanner and method for performing exposure process on wafer
CN109974866B (zh) 一种红外焦平面阵列非均匀性校正方法及校正电路
CN106773542A (zh) 一种光刻机的晶圆保护模块的位置调整方法及光刻机
US20140168629A1 (en) Drawing apparatus, and article manufacturing method
CN103545174A (zh) 光刻对焦参数测试方法及***
CN115752757A (zh) 探测器和内黑体分离的红外扫描相机在轨非均匀校正方法
CN101727011A (zh) 光刻机对准方法
CN108198771B (zh) 一种流量控制方法及流量控制装置
US20160091391A1 (en) Reticle transmittance measurement method, projection exposure device, and projection exposure method
CN105509879A (zh) 一种紫外探测器的非均匀校正方法
WO2022016962A1 (zh) 温度调控***及温度调控方法
TW202218007A (zh) 對齊晶圓的方法
JP2012190945A (ja) 露光装置およびデバイス製造方法
CN103809382B (zh) 用于光刻设备的匀光调节装置及使用该装置的照明***
CN111696908B (zh) 晶片夹盘装置、晶片形变量的测量方法及半导体制造流程
CN115542679B (zh) 调制板透过率分布生成方法、调制板及光刻机照明***
CN113012078B (zh) 高温测试图像热流扰动校正装置及方法
US8404433B2 (en) Method for forming resist pattern and method for manufacturing semiconductor device
CN111435068B (zh) Ic载板测试机整机分步定位精度校验方法及***

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20110323

Termination date: 20190123

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee