CN101206358A - 液晶显示装置 - Google Patents
液晶显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101206358A CN101206358A CNA2006101579002A CN200610157900A CN101206358A CN 101206358 A CN101206358 A CN 101206358A CN A2006101579002 A CNA2006101579002 A CN A2006101579002A CN 200610157900 A CN200610157900 A CN 200610157900A CN 101206358 A CN101206358 A CN 101206358A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- liquid crystal
- substrate
- crystal indicator
- electrode layer
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明提供一种液晶显示装置。该液晶显示装置包括一第一基板、一与该第一基板相对设置的第二基板和一夹持在该第一基板与该第二基板之间的液晶层，该第一基板包括多条数据线、一覆盖在该数据线表面的钝化层、一设置在该钝化层表面的有机层、以及在该有机层表面交替设置的多个突块和一穿透电极层，该突块与该数据线相对设置，其表面覆盖一反射电极层，该反射电极层与该数据线相互交叠。本发明的液晶显示装置有效减小串音现象，提高显示效果。
Description
技术领域
本发明是关于一种液晶显示装置，特别是关于一种半穿透半反射型液晶显示装置。
背景技术
液晶显示装置因具有辐射低、耗电少和轻薄短小等特点，广泛地得到应用，且随着相关技术的成熟和创新，其种类日益繁多。
根据液晶显示装置所利用光源的不同，液晶显示装置主要可分为穿透型液晶显示装置、反射型液晶显示装置和半穿透半反射型液晶显示装置。穿透型液晶显示装置须在液晶显示面板背面设置一背光源以实现图像显示，然而背光源的耗能约占整个穿透型液晶显示装置耗能的一半，因此穿透型液晶显示装置的耗能较大。反射型液晶显示装置能解决穿透型液晶显示装置耗能大的问题，但在光线微弱的环境下很难实现图像显示。半穿透半反射型液晶显示装置能解决以上问题。
请参阅图1，是一种现有技术半穿透半反射型液晶显示装置的剖面结构示意图。该液晶显示装置100包括相对设置的一第一基板101和一第二基板102和夹持在该第一基板101与该第二基板102之间的液晶层103。
该第一基板101包括一第一基底110和一公共电极层170，且该公共电极层170设置在该第一基底110靠近该液晶层103的表面。该第二基板102包括一第二基底120、一绝缘层140、多条数据线180、一钝化层150、多个突块104、一穿透电极层160和一反射电极层105。
该绝缘层140和该数据线180依次设置在该第二基底120朝向该第一基底110的表面，该数据线180用来传送该液晶显示装置100显示画面的灰阶电压。该钝化层150覆盖在该数据线180和该绝缘层140未被该数据线180覆盖区域的表面。
该突块104设置在该钝化层150表面，且为了保证该液晶显示装置100的开口率(Aperture Ratio)，该突块104与该数据线180相对设置。该反射电极层105覆盖在该突块104表面，且与该数据线180在垂直方向上相互交叠(Overlap)，该反射电极层105朝向该第一基底110的表面设置有开口(未标示)；该穿透电极层160与该突块104交替设置在该钝化层150表面。
当该液晶显示装置100处在反射式工作模式时，外界光线由该第一基底110射入该液晶层103，其中部分光线经该反射电极层105反射后朝该第一基底110出射。当该液晶显示装置100处在穿透式工作模式时，背光由该第二基底120射入该液晶层103，并直接穿过该液晶层103后由该第一基底110射出。该液晶显示装置100由此实现半穿透半反射的功能，既降低能耗，又实现在外界光线微弱的环境下进行图像显示。
该液晶显示装置100中，为了避免由该第二基底120入射的光线直接穿过该突块104而产生漏光现象，该突块104表面的反射电极层105与该数据线180相互交叠。但是，该反射电极层105与该数据线180相互交叠的部分容易产生寄生电容。当灰阶电压改变时，由于该寄生电容的充放电，该数据线180所传送的灰阶电压将受到严重影响，由此造成该液晶显示装置100产生严重的串音(Crosstalk)现象，影响显示效果。
发明内容
为解决现有技术液晶显示装置串音现象严重的问题，有必要提供一种减小串音现象的液晶显示装置。
一种液晶显示装置，其包括一第一基板、一与该第一基板相对设置的第二基板和一夹持在该第一基板与该第二基板之间的液晶层，该第一基板包括多条数据线、一覆盖在该数据线的钝化层、一设置在该钝化层表面的有机层、在该有机层表面交替设置的多个突块和一穿透电极层，该突块与该数据线相对设置，其表面覆盖一反射电极层，该反射电极层与该数据线相互交叠。
相较于现有技术，本发明的液晶显示装置，其在突块与数据线之间增加了一有机层，该有机层使得该突块表面的反射电极层与该数据线之间的寄生电容大大减小，由此降低由于该寄生电容充放电时对该液晶显示装置象素点显示画面的灰阶电压的影响，进而减小该液晶显示装置的串音现象，提高该液晶显示装置的显示效果。
附图说明
图1是一种现有技术液晶显示装置的剖面结构示意图。
图2是本发明一种较佳实施方式所揭示的液晶显示装置的剖面结构示意图。
具体实施方式
请参阅图2，是本发明一种较佳实施方式所揭示的液晶显示装置的剖面结构示意图。该液晶显示装置200包括相对设置的一第一基板201和一第二基板202和夹持在该第一基板201与该第二基板202之间的液晶层203。
该第一基板201包括一第一基底210和一公共电极层270，该公共电极层270设置在该第一基底210靠近该液晶层203的表面，且该公共电极层270是铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)。
该第二基板202包括一第二基底220、一绝缘层240、多条数据线280、一钝化层250、一有机层230、多个突块204、一穿透电极层260和一反射电极层205。
该绝缘层240和该数据线280依次设置在该第二基底220朝向该第一基底210的表面。该绝缘层240为氧化硅，该数据线280可以为铝、铜、铬、钨等高电导率的金属，其用于传送该液晶显示装置200显示画面的灰阶电压。
该钝化层250覆盖在该数据线280和该绝缘层240未被该数据线280覆盖区域的表面，其可以为氧化硅或氮化硅等无机材料。该有机层230设置在该钝化层250表面，且该有机层230为具有绝缘性、高透光性和低介电常数的有机材料，其厚度介于1.5微米～2.5微米之间，一种优选的方案为：该有机层230的厚度大致为2微米。
该突块204设置在该有机层230表面，且与该数据线280相对设置，由此使得该突块204不会占用该液晶显示装置200的有效透光面积，保证该液晶显示装置200的开口率，该突块204是有机绝缘材料，其厚度介于1.5微米～2.5微米之间，一种优选的方案为：该突块204的厚度大致为1.95微米。
该反射电极层205是高反射的金属或合金，其覆盖在该突块204表面，并与该数据线280在垂直方向上相互交叠，且为了保证该液晶显示装置200中相邻象素电极间不会发生短路，该反射电极层205朝向该第一基底210的表面设置有开口(未标示)。
该穿透电极层260是铟锡氧化物，其与该突块204交替设置在该有机层230表面。该反射电极层205与该穿透电极层260作为该液晶显示装置200的象素电极，与该公共电极层270形成电场，控制该液晶层203的液晶分子进行旋转。
该反射电极层205与该公共电极层270之间的距离等于该公共电极层270与该穿透电极层260之间的距离的一半。当该液晶显示装置200处在反射式工作模式时，外界光线由第一基底210射入该液晶层203，其中部分光线经该反射电极层205反射后，形成反射光并由该第一基底210出射；当该液晶显示装置200处在穿透式工作模式时，背光由该第二基底220射入该液晶层203，并直接穿过该液晶层203后，形成透射光由该第一基底210出射。由于该反射电极层205与该公共电极层270之间的厚度等于穿透电极层260与该公共电极层270之间的距离的一半，因此，该反射光与该透射光在该液晶层203中传播时两者光程一致，不会因为光线在该液晶层203发生延迟而导致两者产生相位差，影响显示效果。
该液晶显示装置200便可实现在外界光线较强的时候利用由该第一基底210入射并在该反射电极层205反射的外界光线作为该液晶显示装置200的光源；而在外界光线微弱时利用该液晶显示装置200内部提供，并由该第二基底220入射的背光源(图未示)作为光源，由此实现半穿透半反射，既降低该液晶显示装置200的能耗，又实现该液晶显示装置200在外界光线微弱的环境下进行图像显示。
该液晶显示装置200中，该突块204与该数据线280相对设置，且为了避免由该第二基底220入射的光线直接穿过该突块204而产生漏光现象，该突块204表面的反射电极层205与该数据线280相互交叠，由此导致该反射电极层205与该数据线280相互交叠的部分产生寄生电容C。由平板电容的计算公式C＝εs/d，便可得到该寄生电容C的大小；其中，ε为介电常数，s为平板面积，d为板间距离。具体而言，由于该反射电极层205与该数据线280相互交叠而产生的寄生电容C中，ε为该反射电极层205与该数据线280交叠部分的电介质的介电常数，s为该反射电极层205与该数据线280两者相对面的面积，d为该反射电极层205与该数据线280之间的距离。
该液晶显示装置200中，其在该钝化层250表面设置了该有机层230，因此该反射电极层205与该数据线280之间包括了该钝化层250、该有机层230和该突块204。由于该反射电极层205与该数据线280相互交叠而产生的寄生电容C可相当于以该钝化层250和该突块204作为电介质的平板电容C1与以该有机层230作为电介质的平板电容C2两者相互串联所得到的总电容，其电容值小于该电容C1和该电容C2两者中任意一个。因此，相较于现有技术液晶显示装置100中以该钝化层150和该突块104作为电介质的寄生电容相比，本发明液晶显示装置200的寄生电容C变小。通过有效控制该有机层230的厚度来减小电容C2的大小，便可使得由于该反射电极层205与该数据线280相互交叠而产生的寄生电容C降低到该液晶显示装置200不会产生明显的串音现象。而且，由于该有机层230的介电常数较小，该电容C2相应较小，使得该寄生电容C进一步减小。因此，相较于现有技术，本发明的液晶显示装置200，其通过在该钝化层250表面增加了该有机层230，大大减小了该寄生电容C，由此明显降低了显示画面的灰阶电压改变时由在该寄生电容C的充放电而对灰阶电压的影响，因而减小该液晶显示装置200的串音现象，提高该液晶显示装置200的显示效果。
该有机层230的形成在工艺上简单易行，其仅需在形成该钝化层250的后利用涂布法(Coating)在其表面依次形成该有机层230和一突块层，再藉由一狭缝光罩(Slit Mask)利用光学绕射原理进行蚀刻以形成该多个突块204，其制程中并不需要增加光罩数量，因此其制造成本不会大量增加。
另外，本发明液晶显示装置200并不局限于以上实施方式所描述。例如，该有机层230所采用的材料还可与该突块204相同，该液晶显示装置200还可进一步包括多个设置在该第二基板202的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)，该薄膜晶体管的漏极与该反射电极层205和该穿透电极层260相连接，且该突块204与该多个薄膜晶体管相对设置，该突块204还可以为其它高电阻率且低介电常数的材料。
Claims (10)
1.一种液晶显示装置，其包括一第一基板、一与该第一基板相对设置的第二基板和一夹持在该第一基板与该第二基板之间的液晶层，该第一基板包括多条数据线、一覆盖在该数据线表面的钝化层、在该有机层表面交替设置的多个突块和一穿透电极层，该突块与该数据线相对设置，其表面覆盖一反射电极层，该反射电极层与该数据线相互交叠，其特征在于：该钝化层及该突块之间还设置有一有机层。
2.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：该有机层为透明且绝缘的有机材料。
3.如权利要求2所述的液晶显示装置，其特征在于：该有机层是利用涂布法制作的。
4.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：该突块为绝缘的有机材料。
5.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：该第二基板包括一公共电极层，该公共电极层设置在该第二基板靠近该液晶层的表面。
6.如权利要求5所述的液晶显示装置，其特征在于：该反射电极层与该公共电极层之间的距离为该公共电极层与该穿透电极层之间的距离的一半。
7.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：该钝化层是由氧化硅或氮化硅等无机材料制成。
8.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：该第二基板还包括一基底，其设置在该第二基板远离该第一基板一侧。
9.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：该第一基板还包括另一基底，其设置在该第一基板远离该第二基板一侧。
10.如权利要求9所述的液晶显示装置，其特征在于：该第一基板还包括一绝缘层，其设置在该数据线与该基底之间。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2006101579002A CN100543564C (zh) | 2006-12-22 | 2006-12-22 | 液晶显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2006101579002A CN100543564C (zh) | 2006-12-22 | 2006-12-22 | 液晶显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101206358A true CN101206358A (zh) | 2008-06-25 |
| CN100543564C CN100543564C (zh) | 2009-09-23 |
Family
ID=39566677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2006101579002A Expired - Fee Related CN100543564C (zh) | 2006-12-22 | 2006-12-22 | 液晶显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN100543564C (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103824865A (zh) * | 2014-02-14 | 2014-05-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法和显示装置 |
| CN104483786A (zh) * | 2014-12-30 | 2015-04-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板及液晶显示装置 |
| WO2016015383A1 (zh) * | 2014-07-28 | 2016-02-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及制作方法、显示装置 |
| KR20160029487A (ko) * | 2014-09-05 | 2016-03-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| CN106773416A (zh) * | 2016-11-28 | 2017-05-31 | 友达光电股份有限公司 | 像素结构与具有此像素结构的显示装置 |
-
2006
- 2006-12-22 CN CNB2006101579002A patent/CN100543564C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103824865A (zh) * | 2014-02-14 | 2014-05-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法和显示装置 |
| CN103824865B (zh) * | 2014-02-14 | 2017-01-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法和显示装置 |
| WO2016015383A1 (zh) * | 2014-07-28 | 2016-02-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及制作方法、显示装置 |
| US10180610B2 (en) | 2014-07-28 | 2019-01-15 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof, and display device |
| KR20160029487A (ko) * | 2014-09-05 | 2016-03-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| CN105405851A (zh) * | 2014-09-05 | 2016-03-16 | 乐金显示有限公司 | 薄膜晶体管基板及其制造方法 |
| CN105405851B (zh) * | 2014-09-05 | 2019-02-05 | 乐金显示有限公司 | 薄膜晶体管基板及其制造方法 |
| KR102241442B1 (ko) | 2014-09-05 | 2021-04-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| CN104483786A (zh) * | 2014-12-30 | 2015-04-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板及液晶显示装置 |
| CN104483786B (zh) * | 2014-12-30 | 2017-04-19 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板及液晶显示装置 |
| CN106773416A (zh) * | 2016-11-28 | 2017-05-31 | 友达光电股份有限公司 | 像素结构与具有此像素结构的显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN100543564C (zh) | 2009-09-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9716116B1 (en) | TFT array substrate | |
| JP4809406B2 (ja) | 液晶ディスプレイ装置 | |
| US9715303B2 (en) | In-cell self capacitive touch control display panel and manufacture method thereof | |
| CN101419368B (zh) | 横向电场型有源矩阵寻址液晶显示装置 | |
| EP2933678B1 (en) | Array substrate and manufacturing method thereof, and liquid crystal display panel | |
| CN101276087B (zh) | 液晶显示装置 | |
| US20090128757A1 (en) | Liquid crystal device and electronic apparatus | |
| US9204532B2 (en) | Fanout line structure of array substrate and display panel | |
| TWI395332B (zh) | 薄膜電晶體陣列面板 | |
| KR20060128727A (ko) | 액정 장치 및 전자 기기 | |
| KR20060121741A (ko) | 액정 장치 및 전자기기 | |
| KR20070000109A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 | |
| KR20060136079A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 | |
| US9082665B2 (en) | Fanout line structure of array substrate and display panel | |
| CN100543564C (zh) | 液晶显示装置 | |
| CN101071243A (zh) | 薄膜晶体管基板、液晶显示面板及其制造方法 | |
| US11237443B2 (en) | Display device | |
| JP2012145628A (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR102363666B1 (ko) | 표시 장치 | |
| CN103293767A (zh) | Ips/ffs型液晶显示面板及其形成方法 | |
| EP2821845A1 (en) | Liquid crystal display device | |
| CN100380214C (zh) | 透射反射型液晶显示器 | |
| EP2508941B1 (en) | Transflective array substrate and transflective liquid-crystal display | |
| US20130278862A1 (en) | Liquid crystal display device | |
| CN101470309B (zh) | 反射透射型液晶显示装置及其制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20090923 Termination date: 20161222 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |