CN101180582B - 光刻设备和器件制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种利用代表辐射源的波长改变的数据提供焦平面控制或提供传感器数据修正的方法和设备。在第一方面，波长变化数据被提供用于控制***，所述控制***通过移动包括例如掩模台、衬底台或投影光学***的光学元件的设备部件控制聚焦。在第二方面，变化的数据用于修正例如由机内传感器，例如透射图像传感器，测量的焦平面位置数据。这两个方面可以组合在单个设备中，或者可以独立地使用。

Description

光刻设备和器件制造方法
本申请是2005年3月23日递交的美国申请No.11/086,667的部分继续申请，该申请的整个内容在此以引用的方式并入本文中。
本发明主要涉及一种光刻设备、一种用于制造器件的方法。
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上(通常到所述衬底的目标部分上)的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版(reticle)的图案形成装置用于在所述IC的单层上产生待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或多个管芯的部分)上。典型地，经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单独的衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。现有的光刻设备包括：所谓步进机，在所述步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过沿给定方向(“扫描”方向)以辐射束扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。还可以通过将所述图案压印(imprinting)到所述衬底上，将所述图案从所述图案形成装置转移到所述衬底上。
根据本发明的一个方面，提供一种采用光刻设备将图案成像到衬底上的方法，所述方法包括对辐射束进行图案化、测量辐射束的波长变化、将图案化的辐射束投影到衬底上、和基于所测量到的波长变化调整投影的焦平面。
根据本发明的另一个方面，提供一种修正在光刻设备内的投影图像测量的方法，所述方法包括采用投影光学***投影图案化的辐射束、测量辐射束的波长变化、测量图案化的辐射束的图像信息、以及基于所测量到的波长变化修正所测量到的图像信息。
根据本发明的另一个方面，提供一种光刻设备，包括：照射***，配置用于调节辐射束；支架，被构造用于支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将在其横截面上的图案赋予辐射束，以形成图案化的辐射束；衬底台，被构造用于保持衬底；以及投影***，配置用于将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上；传感器，被构造并设置用于测量辐射束的波长变化；以及控制器，配置并设置用于至少部分地基于传感器的波长变化测量调整光刻投影设备的焦平面。
在此仅借助示例，参照所附示意图对本发明的实施例进行描述，在所附示意图中，相同的附图标记表示相同的部件，且其中：
图1示出根据本发明的实施例的光刻设备；
图2是根据本发明的实施例的***的原理图。
图1示意性地示出根据本发明的一个实施例的光刻设备。所述设备包括：
照射***(照射器)IL，配置用于调节辐射束B(例如，紫外辐射或极紫外辐射)；
支撑结构(例如掩模台)MT，被构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA并与被配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置的第一***PM相连；
衬底台(例如晶片台)WT，被构造用于保持衬底(例如覆盖有抗蚀剂的晶片)W，并与被配置用于根据确定的参数精确地定位衬底的第二***PW相连；以及
投影***(例如折射投影透镜***)PS，配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。
所述照射***可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其他类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。
支撑结构支撑，即承受图案形成装置的重量。它以依赖于图案形成装置的取向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置。支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其他夹持技术来保持图案形成装置。支撑结构可以是框架或台，例如它们可以根据需要成为固定的或可移动的。支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影***)。在这里使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。
这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为能够用于将其横截面上的图案赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相对应(例如如果该图案包括相移特征或所谓辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。
图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替相移掩模类型、衰减相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵排列，可以独立地倾斜每一个小反射镜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。
应该将这里使用的术语“投影***”广义地解释为包括任意类型的投影***，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学***、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液体或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的任何术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影***”同义。
所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的掩模台)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在将一个或更多个其他台用于曝光的同时，在一个或更多个台上执行预备步骤。
所述光刻设备也可以是其中至少一部分衬底可以被具有高折射率(例如水)的液体覆盖、以便填充投影***和衬底之间的空隙的类型。浸没液也可以应用到光刻设备中的其他空隙，例如，在掩模和投影***之间的空隙。浸没技术用于增加投影***的数值孔径是本领域中公知的。这里所使用的该术语“浸没”并不意味着结构，例如衬底，必须浸在液体中，而仅仅意味着在曝光过程中，液***于投影***和衬底之间。
参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当该源为准分子激光器时)。在这种情况下，不会认为所述源是所述光刻设备的组成部分，并且通过包括例如合适的引导镜和/或扩束器的束传递***BD的帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其他情况下，所述源可以是所述光刻设备的组成部分，例如当所述源是汞灯时。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时的所述束传递***BD一起称作辐射***。
所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，可以对所述照射器的光瞳面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其他部件，例如积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。
所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台MT)上的所述图案形成装置(例如，掩模MA)上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。已经横穿掩模MA之后，所述辐射束B通过所述投影***PS，所述PS将所述束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二***PW和位置传感器IF(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同目标部分C定位于所述辐射束B的辐射路径中。类似地，例如在来自掩模库的机械修补之后，或在扫描期间，可以将所述第一***PM和另一个位置传感器(图1中未明确示出)用于将所述掩模MA相对于所述辐射束B的辐射路径精确地定位。通常，可以通过形成所述第一***PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)来实现所述掩模台MT的移动。类似地，可以通过形成所述第二***PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，所述掩模台MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用掩模对齐标记M1、M2和衬底对齐标记P1、P2来对齐掩模MA和衬底W。尽管所示的衬底对齐标记占据了专用目标部分，但是他们可以位于目标部分之间的空隙(这些公知为划线对齐标记)。类似地，在将多于一个的管芯设置在掩模MA上的情况下，所述掩模对齐标记可以位于所述管芯之间。
可以将所述专用设备用于以下模式的至少之一：
1.在步进模式中，在将赋予到所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上的同时，将掩模台MT和所述衬底台WT保持为实质静止(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。
2.在扫描模式中，在将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上的同时，对掩模台MT和衬底台WT同步地进行扫描(即，单一的动态曝光)。所述衬底台WT相对于所述掩模台MT的速度和方向可以通过所述投影***PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一的动态曝光中的所述目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分的高度(沿所述扫描方向)。
3.在另一个模式中，将保持可编程图案形成装置的掩模台MT保持为实质静止状态，并且在将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上的同时，对所述衬底台WT进行移动或扫描。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式易于应用于利用可编程图案形成装置的无掩模光刻中，例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列。
也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。
尽管在原理上激光器产生窄带宽的、恒定波长的辐射脉冲，但是在实际中，从脉冲到脉冲之间波长存在较小的变化。所述波长变化是指在给定的波长范围内的峰值波长的变化(即谱形状的改变)以及整个谱的波长的平移(即谱位置的改变)。该漂移的任何一种类型趋于导致谱的中心线波长的改变。设计用于光刻***的激光器包括允许激光器输出具有皮米分数量级或更小的中心线漂移的控制回路。例如，对于产生193nm的光的激光器，这表示1,000,000中的几个部分的漂移。但是，因为光刻投影透镜被设计成针对特定的波长进行修正，并保留一定的色度，所以即使这个小变化也可以导致依赖于激光的脉冲波长变化的有关聚焦的微小差异。因此，其对于修正在脉冲之间的波长变化将是有用的，以便改善成像聚焦，而不需要套色牢固的透镜设计(chromatically robust lens design)。同样地，本发明可以在修正采用连续波源的***中的漂移方面找到应用。
在1000-6000Hz的典型脉冲频率处，脉冲到脉冲的波长改变以亚毫秒量级出现。通常，投影透镜不被设计成基于一个接一个的脉冲重新聚焦，且尤其，聚焦控制的响应时间通常不足以在千赫兹的频率上修改聚焦。另一方面，公知为波长啁啾(wavelength chirp)的现象在几毫秒(例如3-25毫秒)量级的时间框架中出现。在1000-6000Hz的典型脉冲频率处，这种时间相当于3个到150个之间的激光器脉冲。于是，聚焦控制机构的响应时间可以短到足以在啁啾现象的周期内进行修正。如下文所给出的，在本发明的各种构造中，光刻设备的多个特征可以基于所测量到的激光的波长变化单独地或一致地调整。例如，设备特征可以基于对于该特征的调整所适合的时间尺度而被调整。
在此参照图2，示出根据本发明的控制回路。光源(例如激光器10)包括被设计成保持波长稳定性的内部控制回路12。因为控制回路12被设计成以脉冲到脉冲为基础控制激光器输出，所以激光器10包括用于测量脉冲到脉冲的波长变化的元件14。如图2所示，根据本实施例，波长测量元件14附加地将数据提供给扫描器20。如上所述，扫描器20通常将不能以足够的速度调整聚焦。然后，由扫描器20接收到的数据用在用于控制扫描器20聚焦的反馈或前馈控制算法中。对于一个普通的技术人员，应当理解，在扫描器20的聚焦控制的响应时间短到足以允许脉冲到脉冲的波长修正，本发明可以以脉冲到脉冲为基础实现。
扫描器聚焦可以通过多种方法进行控制。例如，图案形成装置或衬底保持器的平面可以沿着扫描器的光轴采用***PM、PW进行调整。替代地，形成投影***PS的一部分的分立的透镜元件或透镜组可以例如由为该目的而被配置的压电元件致动。在另一个替代的实施例中，为了适应聚焦，衬底台可以相对于焦平面进行局部调整。附加的聚焦控制机构对于本领域的普通技术人员是显见的，而且应当被理解为在本发明的保护范围之内。例如，如果确定波长改变(例如啁啾)发生超过大约20毫秒的时间，那么可以确定对光刻设备特征的一个或多个进行的修正可以被应用于对所观察到的改变进行补偿。
在由激光的波长的平移造成的在焦平面的垂直位置上的平移的情况下，可以通过正比于所测量到的平移对透镜元件进行动态调整来方便地对所述平移进行补偿。例如，用于曝光单根管芯区段的曝光时间可以是大约100-500毫秒，且波长啁啾的时间可以是大约20毫秒。因此，在单根管芯的曝光持续时间段内，激光的波长可以波动多次。对投影透镜的一个或多个透镜元件的修正可以被用于例如通过采用透镜元件、以与波长啁啾时间段相当的时间间隔调整焦平面，来补偿该波长啁啾，例如每10到20毫秒调整一次焦平面。在该方式中，波长波动可以被抑制，以使得所述焦平面在整个管芯的曝光过程中保持相对恒定。
另一方面，可以响应所测量到的波长的改变方便地调整衬底台的高度。例如，如果观察到激光器波长的较慢的漂移，可以方便地响应焦平面上由于波长漂移出现的漂移来调整晶片台的高度和/或台的倾斜。在一个示例中，晶片台的高度可以响应所测量到的波长漂移在每次管芯曝光之间进行调整。
脉冲到脉冲的不稳定性的附加效果在利用投影光的机内传感器***的操作中出现。采用投影光，所述机内传感器***可以帮助确定光刻设备的操作属性，例如掩模和衬底台的相对定位、投影透镜象差及其他。例如，一种类型的机内传感器是透射图像传感器(TIS)，所述透射图像传感器结合在一定的光刻装备中并对通过投影***PS透射的图像进行测量。在衬底台WT处或附近进行这些测量，并因此引起由于源的波长变化导致的焦平面的漂移带来的精度误差。TIS是测量空间中物方标记的空间图像位置以及空间图像的形状的测量仪器。物方标记可以置于掩模版上或掩模版台基准上。所述位置信息可以用于将掩模版与衬底台进行数学连接。换句话说，所述位置信息可以用于相对于衬底台的位置以六个自由度测量掩模位置。所述位置信息可以用于在衬底上曝光位于最好聚焦(BF)位置(z方向)上和正确的横向(x-y)位置(正确的重叠)上的图像。与空间图像的形状相关的信息可以用于机器建立、校准和监测。
例如，在确定最佳的对齐或最好重叠条件时，沿着平行于晶片台的X-Y平面的水平扫描可以采用TIS进行。在位于晶片台中的TIS内的图案可以与在光刻设备的掩模台上的相应图案对齐。在用于确定最好重叠的最佳对齐位置处，在TIS中的检测器上记录的强度在水平扫描过程中可以到达最大值。该水平扫描优选地在当TIS的图案化部分(光栅)位于最好聚焦(焦平面)的平面上时进行。焦平面的位置可以依次地采用TIS的垂直(即大致垂直于晶片平面的方向)扫描、并检测在接收光中的强度最大值来确定。然而，TIS扫描的持续时间可以是大约0.1-1秒量级，在所述扫描持续过程中，激光波长可以如上所述变化。相应地，例如，在没有修正的情况下，水平的TIS扫描可以包括焦平面波动或漂移的时间，以使得TIS光栅的z位置移出焦平面或在焦平面内外波动，于是对采用水平扫描确定修正重叠位置的能力受到负面影响。
因此，在本发明的第二个实施例中，激光脉冲波长变化数据被送给扫描器20并用于TIS信息的修正。在这种情况下，在前馈或实时修正模式中，数据可以直接送给TIS和/或其相应的处理器。替代地，可以被独立地送给用于TIS数据的后处理的处理器，考虑脉冲变化数据。优选地，从波长测量元件14收集的数据被用于以及时的方式修正对齐过程。例如，TIS可以用于在每次晶片曝光之后进行对齐测量。相应地，与TIS相关联的处理器可以被配置用于在TIS被接合用于进行对齐测量时接收实时的激光脉冲波长数据。如下文所述，例如可以由TIS采用波长的变化来改进最好重叠条件的确定，这可以用于基于带有衬底的图案化特征的掩模的最好重叠，通过经过掩模投影辐射束来曝光图案化的衬底。
在本发明的一个实施例中，在名义上处于焦平面内的水平扫描由TIS进行的同时，波长变化信息可以由用于TIS数据的后处理的处理器接收到。激光脉冲波长变化数据可以在TIS扫描过程中作为时间或TIS位置的函数而被收集和存储，以使得波长变化数据用于修正对齐确定。当图案化的辐射束的波长在脉冲之间或在一系列的脉冲中变化时，所述焦平面也相应地变化。因此，由于理想地，TIS光栅在水平的扫描过程中在固定的焦平面上移动，所以在TIS扫描过程中，在焦平面上该脉冲到脉冲的变化可以考虑为形成聚焦误差。然而，对于在经历波长改变的设备中的扫描，由于波长变化造成焦平面的垂直位置的改变，所以TIS光栅实际上在水平扫描的至少一部分过程中，根据在脉冲之间或一系列脉冲中的辐射波长的平移，位于焦平面的上方或下方。
无论造成聚焦误差的脉冲到脉冲的波长改变是否形成随机的波长变化或波长啁啾，在TIS扫描完成之后，所收集到的波长变化数据可以如下所示用于改进由TIS确定的曲线拟合。在TIS扫描过程中，作为水平位置的函数的辐射强度在一系列点(样本)上测量。因此所获得的样本数据可以显示辐射强度的峰值与对应于对齐条件的位置对比。曲线拟合可以用于确定在样本数据中的峰值的位置，以使得找到最好的重叠位置。所述曲线拟合结果可以通过采用处理器、算法或其他装置被改进，以去除在扫描过程中由波长改变造成的聚焦误差的贡献。相应地，可以得到更精确的重叠位置。例如，该过程可以用于改进通过根据TIS扫描所确定的重叠位置所促进的掩模版对齐。
在本发明的另一个实施例中，由波长测量元件(例如元件14)收集的波长变化数据用于修正扫描器处的集成透镜干涉仪(integrated lensinterferometer at scanner)(ILIAS)的操作。ILIAS是包括可以对透镜象差进行高阶的静态测量的干涉波前测量***的机内传感器。其可以实现作为用于***初始化和校准的集成测量***。替代地，其可以用于监测和“根据需要”重新校准。因此，波长传感器(例如元件14)可以与ILIAS相连(未示出)。波长传感器可以测量光中的波长改变，当所述光由ILIAS测量用于确定透镜属性时，所述光经过透镜投影。在由ILIAS进行的透镜测量过程中，所测量到的波长改变可以被从元件14送给与ILIAS相连或相关联的处理器。然后，ILIAS可以基于在透镜测量过程中发生的波长变化调整其透镜象差的确定，由此增加透镜属性测量的精度。
尽管在本文中可以做出特定的参考，将所述光刻设备用于制造IC，但应当理解，这里所述的光刻设备可以有其他的应用，例如，集成光学***、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器、薄膜磁头的制造等。对于普通的技术人员，应该理解的是，在这种替代应用的情况中，可以将其中使用的任意术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、度量工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。
尽管以上已经作出了特定的参考，在光学光刻的情况中使用本发明的实施例，但应该理解的是，本发明可以用于其他应用中，例如压印光刻，并且只要情况允许，不局限于光学光刻。在压印光刻中，图案形成装置中的拓扑限定了在衬底上产生的图案。可以将所述图案形成装置的拓扑印刷到提供给所述衬底的抗蚀剂层上，在其上通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来使所述抗蚀剂固化。在所述抗蚀剂固化之后，所述图案形成装置从所述抗蚀剂上移走，并在抗蚀剂中留下图案。
这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括：紫外(UV)辐射(例如具有约365、355、248、193、157或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如具有在5-20nm范围内的波长)，以及粒子束，例如离子束或电子束。
在上下文允许的情况下，所述术语“透镜”可以表示各种类型的光学部件中的任何一种或它们的组合，包括折射式、反射式、磁性式、电磁式和静电式的光学部件。
尽管以上已经描述了本发明的特定的实施例，应该理解的是本发明可以以与上述不同的形式实现。例如，本发明可以采取包含一个或更多机器可读指令序列的计算机程序的形式，来描述上述公开的方法，或者采取具有在其中存储的这种计算机程序的数据存储介质的形式(例如，半导体存储器、磁盘或光盘)。
以上的描述是说明性的，而不是限制性的。因此，本领域的技术人员应当理解，在不背离所附的权利要求的保护范围的条件下，可以对本发明进行修改。

Claims (9)

1.一种采用光刻设备将图案成像到衬底上的方法，包括步骤：
对辐射束进行图案化；
测量辐射束的波长变化；
采用透射图像传感器进行沿着平行于晶片台的X-Y平面的水平扫描；
基于所测量到的波长变化，通过将位于晶片台中的透射图像传感器内的图案与光刻设备的掩模台上的相应图案对齐来确定最好重叠条件，所述波长变化包括波长啁啾；以及
基于所确定的最好重叠条件将图案化的辐射束投影到衬底上。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，确定最好重叠条件的步骤包括以下步骤：
采用透射图像传感器的垂直扫描确定所投影的图案化的辐射束的焦平面；以及
在透射图像传感器的图案化部分位于焦平面内的同时，采用所述透射图像传感器进行水平扫描。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述确定焦平面的步骤包括检测光强的最大值的步骤，且其中在水平扫描过程中由透射图像传感器检测到的光强最大值与用于确定最好重叠条件的最佳对齐相对应。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述确定最好重叠条件的步骤包括：
在图像传感器的扫描过程中接收与所测量到的波长变化相对应的数据；以及
将数据应用到用于确定光强最大值的位置的曲线拟合过程。
5.一种光刻投影设备，包括：
照射***，其被配置用于调节辐射束；
支架，其被构造用于支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够赋予辐射束横截面图案，以形成图案化的辐射束；
衬底台，其被构造用于保持衬底；
投影***，其被配置用于将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上；
波长传感器，其被构造并设置用于测量辐射束的波长变化，所述波长变化包括波长啁啾；
机内传感器***，其被配置用于确定光刻设备的操作属性，其中机内传感器是透射图像传感器，采用透射图像传感器进行沿着平行于晶片台的X-Y平面的水平扫描时，通过将位于晶片台中的透射图像传感器内的图案与光刻投影设备中的掩模台上的相应图案对齐来确定最好重叠条件；以及
处理器，所述处理器与机内传感器***相连，并被配置用于接收来自波长传感器的波长变化数据。
6.根据权利要求5所述的光刻投影设备，其中，所述处理器被配置用于执行至少下述操作之一：
实时地修正传感器的操作；以及
对从波长传感器和机内传感器收集到的数据进行后处理。
7.根据权利要求5所述的光刻投影设备，其中，所述透射图像传感器被配置用于进行垂直扫描和水平扫描，且其中，所述处理器被配置用于应用曲线拟合过程，所述曲线拟合过程用于基于在水平扫描过程中收集的辐射强度数据确定峰值位置。
8.根据权利要求5所述的光刻投影设备，其中，所述波长变化数据与在一系列辐射脉冲中的焦平面的位置的变化相对应，且其中所述处理器被配置用于将波长变化数据应用于修改曲线拟合过程，其中确定峰值位置的操作得以改进。
9.一种光刻投影设备，包括：
照射***，其被配置用于调节辐射束；
支架，其被构造用于支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够赋予辐射束横截面图案，以形成图案化的辐射束；
衬底台，其被构造用于保持衬底；
投影***，其被配置用于将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上；
波长传感器，其被构造并设置用于测量辐射束的波长变化，所述波长变化包括波长啁啾；
机内传感器***，其被配置用于确定光刻设备的操作属性，其中，机内传感器是扫描器处的集成透镜干涉仪，其被配置用于测量光刻投影设备的透镜象差；以及
处理器，所述处理器与机内传感器***相连，并被配置用于接收来自波长传感器的波长变化数据。
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