CN101150604A - 双界面sim卡及其应用方案 - Google Patents

Abstract

本发明提出一种新型双界面SIM卡结构以及应用方案，该SIM卡不仅可以实现传统的接触式SIM卡的功能，还增加了非接触通讯功能，可支持手机的非接触支付等应用。该新型双界面SIM卡由层叠式的天线结构(1)，高导磁率介质层(2)以及双界面芯片模块(3)构成，在非接触工作方式下可通过接触触点提供芯片工作所需电源，增加非接触工作方式下卡片的通讯距离并提高通讯的稳定性，弥补非接触工作方式直接从场中获取能量弱的缺点，可在非接触方式下支持卡片进行复杂的操作或带动大容量的存储器。在该卡片应用时采用非金属的卡座以及手机后盖，尽量减少金属对非接触通讯的影响，同时卡座的金属接触触点采用弹簧针结构以减小其对非接触通讯的影响。

Description

双界面SIM卡及其应用方案

技术领域

该项发明提供了一种新型的双界面SIM卡，通过这种新型的智能卡为手机的非接触应用提供新的解决方案。

背景技术

手机的非接触应用是近年来兴起的一种新型应用，它通过无线方式使手机可以方便快捷地下载新的应用功能，并完成非接触支付，门禁管理，尤其是在人流密度大的区域可以快速完成验票，支付，准入等应用。目前支持该应用的技术主要是近距离无线通讯技术(NFC)，它通过手机中的NFC模块完成无线通讯的建立与连接，但它需要手机本身带有NFC功能，而对应大多数不具备NFC模块的手机则无法支持该功能。

发明内容

本发明提出的双界面SIM卡解决了上述问题，只需在普通手机中***该SIM卡，就可以很方便地为不具备NFC通讯功能的手机提供无线通讯能力，且与NFC手机相比成本低廉。

该双界面SIM卡芯片模块由层叠式卡片天线(1)，高导磁率介质层(2)以及双界面芯片模块(3)构成。芯片模块(3)与天线(1)连接构成双界面卡。

卡片天线采用层叠式结构(图1)，而非传统的平铺式绕线结构(图4)。该结构的天线可加大通过天线线圈的磁通量，有利于信号的接收。

卡片内部具有高导磁率介质层(2)，同样可加大通过天线线圈的磁通量，提高信号接收能量。

该芯片在非接触工作方式下可通过接触电源触点VDD(4)加入芯片所需电源电压，从而为芯片工作提供更多的能量，以弥补非接触工作时从电磁场中直接获取芯片工作所需能量的不足，提高非接触工作方式下通讯的距离及稳定性。

通过采用非金属的SIM卡座，非金属手机机盖以及卡座接触触点采用弹簧针结构，减少了金属对非接触通讯的干扰。

附图说明

图1为层叠式的卡片天线

图2为双界面卡结构示意图，其中(1)为层叠式的卡片天线，(2)为高导磁率介质层(如铁氧体等)，(3)为双界面芯片，它与层叠式天线(2)相连

图3为双界面卡的俯视图，(4)为其接触电源电压触点VDD，在非接触方式下可同时从该触点加入电源电压以增加供给芯片的电源驱动能力

图4为传统的平铺式天线结构

具体实施方式

本发明在具体实施时，采用如下方式：

1.按照层叠方式绕制天线线圈制成INLAY层，并制作成可承载芯片模块的卡体；

2.将双界面芯片模块填装入卡体，然后将天线与芯片模块上的天线触点焊接起来；

3.将高导磁率介质(如铁氧体)放在卡体的线圈内(但不遮盖芯片)然后进行层压，完成制卡；

4.在非接触应用时可通过接触电源电压触点VDD加入电源电压，以进一步提高芯片所获得的电源驱动能力；

5.使用该双界面SIM卡时，需采用非金属的SIM卡座，非金属手机机盖以及卡座接触触点采用弹簧针结构，以减少金属对非接触通讯的干扰。

Claims (5)

1.一种双界面SIM卡其特征是包括层叠式卡片天线(1)，高导磁率介质层(2)以及双界面芯片模块(3)，该芯片在非接触工作方式下可通过接触电源触点VDD供电，在应用中采用非金属的SIM卡座，采用非金属手机机盖以及卡座接触触点采用弹簧针结构。

2.如权利要求1所述的SIM卡，其特征在于采用层叠式的卡片天线，卡片天线所围的面积不限于某种特定的形状，可依据SIM卡的卡体缠绕出围绕面积最大的线圈。

3.如权利要求1所述的SIM卡，其特征在于内含高导磁率介质层。

4.如权利要求1所述的SIM卡，其特征在于在非接触工作方式下可通过接触触点电源VDD(4)提供卡片工作所需的电源。

5.如权利要求1所述的SIM卡的应用方案，包括采用非金属的SIM卡座，采用非金属手机机盖以及卡座接触触点采用弹簧针结构。

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