CN101109881A - 一种液晶显示面板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明揭示了一种液晶显示面板，包括多条扫描线、多条数据线、多个像素以及像素存储电容。每个像素存储电容包括第一存储电容和第二存储电容，其电容值随着相应的像素与扫描信号输入端的距离增加而减小。本发明还揭示了一种液晶显示面板的制造方法，它包括：形成扫描线和第一电容电极；在扫描线和第一电容电极上沉积一绝缘层以形成第一绝缘层；在绝缘层上沉积一图案化的半导体层以形成电子诱导层；形成数据线和第二电容电极；以及将第二绝缘层和一透明导电层依次沉积于数据线和第二电容电极上。采用本发明的液晶显示面板及其制造方法，可以保持各像素的馈通电压基本不变，有效降低TFT－LCD的画面闪烁现象。

Description

一种液晶显示面板及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种液晶显示面板，尤其涉及有效降低画面闪烁的液晶显示面板。

背景技术

随着信息化社会的到来，近来对个人电脑(PC)、汽车导航***、个人数字助  理、信息通信设备以及上述领域的组合产品的需求增长迅速。上述这些产品要求具有高可见度，宽视角和用于显示移动图像的高速响应速度的特性。平板显示器(FPD：Flat Panel Display)具有上述的这些特点致使FPD已引起人们的注意并有可能将其发展成为下一代的显示器。

此外，薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)已广泛地用于如有机发光显示器(OLED：Organic Light Emitting Display)或平板显示器等显示设备中作为控制每个像素的开关元件。因此，人们已经提出了采用更高效的TFTs的FPD和驱动FPD方法。具体来说，薄膜晶体管平板显示器，尤其是薄膜晶体管液晶显示器(以下简称TFT-LCD)以其更薄、更轻、功耗更低以及无辐射污染等特性，已经逐渐取代了传统型的CRT(阴极射线管：Cathode Ray Tube)监视器。

在现有技术中，TFT-LCD包括多条扫描线及其扫描驱动电路、多条数据线及其数据驱动电路、多条公共电极线以及多个像素单元等。该多个像素单元中的每个像素单元形成于玻璃衬底上的多条扫描线的一条扫描线与对应的多条数据线中的一条数据线的交叉处，其中扫描线与数据线相互垂直。而且，在该扫描线与数据线的交叉处设置一薄膜晶体管以驱动像素单元，并产生各式各样、色彩斑斓的图像。当向各像素中的液晶单元(LC：Liquid Cell)施加电压时，该电压与光的穿透能力之间存在一定的关系，也就是说，只需控制施加在液晶单元上的电压数值，就可以使各个像素具有与该电压值相应的光穿透度。更具体地，当在像素电极的电位V_P中产生电压降ΔV_P时，在像素电极的电位V_P的正和负的电压振幅上产生差值：在电压振幅较大的极性下，透光率更低，在电压振幅较小的极性下，透光率更高。从而反复产生随透光率高低变化的明暗不同，这种现象称为“闪烁”。

像素电极电位的变动量ΔV_P依赖于栅极信号的下降延迟时间。当将要使TFT成为导通状态而切除栅极电压时，电压不是以锐角的矩形进行切除，而是会产生圆角化的情形，在电压变为零之前产生延迟时间(t)。当栅极信号的下降沿的延迟时间(t)较大时，由于TFT不能完全成为关断状态，则从像素电极通过TFT泄漏电荷，并产生像素电极的电位变动。该像素电极的电位变化量又称为馈通电压(Feed-through Voltage，下文中以V_FD表示)。这样，由于在各个像素中的馈通电压所造成的影响不同，就会引起TFT-LCD的图像画面发生闪烁现象。

发明内容

针对现有技术中液晶显示面板在使用时存在的上述技术缺陷，本发明提供了一种可以有效降低画面闪烁的液晶显示面板及其制造方法。

按照本发明的一个方面，提供了一种液晶显示面板。它包括多条扫描线、多条数据线、由扫描线和相应的数据线垂直交叉而形成的多个像素以及设置在像素中的多个像素存储电容。其中，每个像素存储电容包括互相并联的第一存储电容和第二存储电容，并且每个像素存储电容的电容值随着相应的像素与扫描信号输入端的距离增加而减小。

其中，第一存储电容具有第一电容电极、第二电容电极和设置于该第一电容电极和第二电容电极之间的电介质，第二存储电容具有第一电容电极、第二电容电极和设置于该第一电容电极和第二电容电极之间的电介质，并且第二存储电容的第一电容电极和第一存储电容的第一电容电极共用；

其中，第二存储电容的第一电容电极或者第二电容电极还具有电子诱导层；

其中，第二存储电容的第一电容电极和第二电容电极之间的相对面积随其相应的像素与扫描信号输入端的距离增加而减小，第一存储电容的第一电容电极和第二电容电极之间的相对面积随其相应的像素与扫描信号输入端的距离增加而增加，更具体地，第二存储电容的减小量大于第一存储电容的增加量；

其中，第二存储电容的电容值随其在第二存储电容的第一电容电极上施加电压数值的增加而增大，更具体地，在距离扫描信号输入端较近的像素中施加的电压数值大于距离扫描信号输入端较远的像素中的施加电压数值；

其中，在距离扫描信号输入端的相应位置处至远离扫描信号输入端的另一端，像素存储电容可以只含有第一存储电容，或者还可以在不同的像素中包括具有相同电容值的第二存储电容。

按照本发明的又一个方面，提供了一种液晶显示面板的制造方法。该制造方法可以通过如下的步骤实现：

通过将一图案化的金属层形成于玻璃基板上以形成扫描线和第一电容电极；

在扫描线和第一电容电极上沉积一绝缘层形成第一绝缘层；

接着，在该绝缘层上沉积一图案化的半导体层以形成薄膜晶体管中的半导体层和电子诱导层；

接着，沉积另一图案化的金属层以形成数据线和第二电容电极；以及

将第二绝缘层和一透明导电层依次沉积于数据线和第二电容电极上，该透明导电层形成像素电极和第三电容电极。其中，距离扫描信号输入端较近的像素中的像素存储电容被设置为大于距离扫描信号输入端较远的像素中的像素存储电容。

其中，电子诱导层设置在第二存储电容的第一电容电极或者第二电容电极；

其中，第二存储电容的第一电容电极和第二电容电极之间的相对面积随其相应的像素与扫描信号输入端的距离增加而减小，第一存储电容的第一电容电极和第二电容电极之间的相对面积随其相应的像素与扫描信号输入端的距离增加而增加，更具体地，第二存储电容的减小量大于第一存储电容的增加量，因此由第一存储电容和第二存储电容并联而形成的像素存储电容的电容值也相应地减小；

其中，第二存储电容的电容值随其在第二存储电容的第一电容电极和第二电容电极之间施加的电压差的数值增加而增大，更具体地，在距离扫描信号输入端较近的像素中施加的电压数值大于距离扫描信号输入端较远的像素中的施加电压数值；

其中，在距离扫描信号输入端的相应位置处至远离扫描信号输入端的另一端，像素存储电容可以只设置第一存储电容，或者还可以在不同的像素中设置具有相同电容值的第二存储电容。

其中，电子诱导层是由非晶硅材料，或者多晶半导体材料，或者单晶半导体材料制成。

采用本发明的液晶显示面板及其制造方法，可以保持各像素的馈通电压基本不变，因此能够有效降低TFT-LCD的画面闪烁现象。

附图说明

读者在参照附图阅读了本发明的具体实施方式以后，将会更清楚地了解本发明的各个方面。其中，

图1示出现有技术中TFT-LCD的面板示意图；

图2示出TFT-LCD中一像素的等效电路示意图；

图3示出现有技术中像素的馈通电压V_FD随像素距离扫描线输入端的长度L变化的曲线示意图；

图4示出根据本发明第一实施例的TFT-LCD的像素阵列基板俯视图；

图5示出根据如图4所示的像素存储电容C_SC沿I-I直线截取的剖面示意图；

图6示出第二存储电容与施加电压的变化关系曲线图；

图7示出根据本发明第二实施例的TFT-LCD的像素阵列基板俯视图；

图8示出根据本发明第三实施例的TFT-LCD的像素阵列基板俯视图；

图9示出根据本发明上述各实施例的TFT-LCD中的像素存储电容随TFT-LCD的面板长度变化的曲线示意图；而

图10示出根据本发明上述各实施例的TFT-LCD中的馈通电压V_FD随着该TFT-LCD的面板长度变化的曲线示意图。

具体实施方式

下面参照附图，对本发明的具体实施方式作进一步的详细描述。

图1示出现有技术中TFT-LCD的面板示意图。参照图1，TFT-LCD面板10包括多条扫描线12、多条数据线14和像素数组区16。其中，在该像素数组区16内含有多个像素，图1中的像素A、像素B和像素C均是位于同一扫描线G_n的三个不同像素，并按照距离该扫描线G_n的输入端的长度增加而依次排列，即，像素A靠近该扫描线G_n的输入端，像素C远离该扫描线G_n的输入端。

图2示出TFT-LCD中一像素的等效电路示意图。参照图2，像素20包括一个液晶单元LC和一像素存储电容SC。该液晶单元LC的一端与共通电极CE相连，另一端与薄膜晶体管TFT的源极连接。薄膜晶体管TFT包括一个源极、一个栅极和一个漏极，其漏极与数据线D₀相连接，栅极与扫描线G₀连接，源极与像素存储电容连接，在薄膜晶体管TFT的源极与栅极之间还有一电容GS。该像素存储电容SC的一端与液晶单元LC和薄膜晶体管的源极相连，另一端与公共电极线common0相连。利用该像素存储电容SC的电荷存储功能，可以减少漏电流对于液晶单元LC的电压的影响。

图3示出现有技术中像素的馈通电压V_FD随像素距离扫描线输入端的长度L变化的曲线示意图。假设液晶单元LC的电容值为C_LC，像素存储电容SC的电容值为C_SC，薄膜晶体管TFT栅极与源极间的电容GS的电容值为C_GS，施加于扫描线上的扫描信号开启电压与关断电压的电压差值为Δ_VG，则像素的馈通电压V_FD可表示为式(1)：

$V_{\mathrm{FD}}=\frac{C_{\mathrm{GS}}}{C_{\mathrm{LC}}+C_{\mathrm{SC}}+C_{\mathrm{GS}}}\×{\mathrm{\ΔV}}_G$

其中，ΔV_G的数值在为一固定值，而像素存储电容的电容值C_SC以及液晶单元的电容值C_LC都远大于薄膜晶体管TFT的栅极与源极间的电容GS的电容值C_GS，即C_SC＞＞C_GS，并且C_LC＞＞C_GS。上式也可改写为式(2)：

$V_{\mathrm{FD}}=\frac{C_{\mathrm{GS}}}{C_{\mathrm{LC}}+C_{\mathrm{SC}}}\×{\mathrm{\ΔV}}_G$

当同一扫描线上的像素A、像素B和像素C的C_SC、C_GS、C_LC均相等时，由于扫描线内的电阻及电容效应，在像素A、像素B和像素C的馈通电压随着像素距离扫描线的输入端的长度增加而变小，即(V_FD)_A＞(V_FD)_B＞(V_FD)_C。

图4示出根据本发明第一实施例的TFT-LCD的像素阵列基板俯视图。像素阵列基板200主要由多条扫描线20、多条数据线30和多条公共电极线40组成，其中扫描线20与数据线30相互垂直交叉设置于玻璃基板2上并形成多个像素，例如像素A、像素B和像素C。同时，在扫描线20与数据线30的交叉处设有薄膜晶体管TFT50，公共电极线40平行于扫描线20并位于像素的中间部分，该像素电极60通过薄膜晶体管50与扫描线20相连。

由上述的式(2)可知，当同一扫描线上的像素A、像素B和像素C的C_SC、C_GS、C_LC均相等时，(V_FD)_A＞(V_FD)_B＞(V_FD)_C。但是，若能够使得像素A、像素B和像素C之间的像素存储电容的电容值满足(C_SC)_A＞(C_SC)_B＞(C_SC)_C，而同时满足(C_GS)_A＝(C_GS)_B＝(C_GS)_C和(C_LC)_A＝(C_LC)_B＝(C_LC)_C，将像素A、像素B和像素C三点的馈通电压V_FD调整为相同或大致相同是完全有可能的。图5示出根据如图4所示的像素存储电容61沿I-I直线截取的剖面示意图，如图5所示，像素存储电容61形成于玻璃基板2上，并且像素存储电容61的电容值C_SC为第一存储电容的电容值C1和第二存储电容的电容值C2之和。其中，第一存储电容是由第一电容电极100、通过第一绝缘层101和第二绝缘层104构成的电介质以及第三电容电极105形成，第二存储电容是由第一电容电极100、通过第一绝缘层101构成的电介质以及第二电容电极103构成，并且在第一电容电极100和第二电容电极103之间还设有电子诱导层102。其中，电子诱导层102和形成第二电容电极的半导体层具有同样的尺寸大小。在第二电容电极103上方的第二绝缘层104开设有通孔106，以使第三电容电极105通过通孔106与第二电容电极103实现电连接。本领域的技术人员应当理解，本实施例中的电子诱导层102设置在第一电容电极100和第二电容电极103之间，更具体地，该电子诱导层102设置在第一绝缘层101和第二电容电极之间。但不只限于此。例如，通过不同的制造工艺，还可以将电子诱导层102设置在第一电容电极100和第一绝缘层101之间。

参照图4和图5，像素阵列基板200可以依次通过如下的步骤来形成：首先，将一图案化的金属层形成于玻璃基板2上以形成扫描线20和第一电容电极102；将一绝缘层沉积于扫描线20和第一电容电极100上以形成第一绝缘层101；接着，在该绝缘层上沉积一图案化的半导体层以形成薄膜晶体管50中的半导体层(未示出)和电子诱导层102；接着，沉积另一图案化的金属层以形成数据线30和第二电容电极103；然后将另一绝缘层和一透明导电层依次沉积于数据线30和第二电容电极103上，该透明导电层形成像素电极60和第三电容电极105。在本实施例中，第一电容电极100和第二电容电极103均由金属材料制成，如A1。而第三电容电极和像素电极是透明导电介质，如ITO等。

不同程度地减小像素A、像素B和像素C中第二电容电极103与第一电容电极100之间的正对面积S，以使第二存储电容的电容值C2满足如下的关系不等式(C2)_A＞(C2)_B＞(C2)_C，与此同时，像素A、像素B和像素C中的第一存储电容的电容值C1却因第一电容电极100和第三电容电极105之间的正对面积增大而增加，但是，第一存储电容的电容值C1的增加量小于第二存储电容的电容值C2的减小量，也就是说第二存储电容的电容值C2的减小量大于第一存储电容的电容值C1的增加量，从而表现为第一存储电容的电容值C1和第二存储电容的电容值C2之和的像素存储电容的电容值C_SC也相应地减小。因此，减小第二电容电极103和第一电容电极100的正对面积S，使得像素存储电容的电容值C_SC减小了，这样就可以满足关系不等式(C_SC)_A＞(C_SC)_B＞(C_SC)_C。从而调节像素A、B和C各点的馈通电压基本相同。

图6示出第二存储电容与施加电压的变化关系曲线图，在第二存储电容的两个电容电极，即，第一电容电极100和第二电容电极103之间具有由非晶硅形成的电子诱导层102。由半导体的特性可知，当将一正电压施加到第一电容电极100时，电子诱导层102与第一绝缘层101相接触的表面会产生诱导电子，这些诱导电子会对第二存储电容的电容值C2产生影响。当正电压的电压数值增大时，产生的诱导电子的数量也随之增多；当正电压的电压数值减小时，产生的诱导电子的数量也随之减少。当施加不同的电压于第一电容电极100上，电子诱导层102和第一绝缘层101相接触的表面产生的诱导电子的数量不相同，第二存储电容的电容值C2也不相同。换言之，第二存储电容的电容值C2将会随着施加在第一电容电极100上电压的变化而变化。当施加于第一电容电极100和第二电容电极103之间的电压差在0V到10V之间时，第二存储电容的电容数值C2将随着施加于第一电容电极100和第二电容电极103之间的电压差的增加而增加。图7示出根据本发明第二实施例的TFT-LCD的像素阵列基板俯视图。参照图7，当保持第二电容电极103上的电压不变时，在公共电极线，即第一电容电极100，的输入端及远离输入端的一端分别施加不同的电压V1和V2，并且满足V1＞V2。

结合图6和图7，根据第二存储电容的介质材料、电子诱导层102的材料特性、各材料的厚度以及电子诱导层102所在的位置等具体设定施加在第一电容电极100和第二电容电极103之间的电压差的数值，就可以使像素A、像素B和像素C之间的像素存储电容的电容值满足如下关系不等式：(C_SC)_A＞(C_SC)_B＞(C_SC)_C。在此实施例中，第二存储电容的介质材料是由氮化硅形成的第一绝缘层101构成的，而电子诱导层102是由非晶硅材料制成的。根据不同的制造工艺可以选择不同的材料，在本实施例中所使用的材料不应理解为是对各层材料的限定。例如，可以使用多晶半导体材料或者单晶半导体材料来形成电子诱导层102。例如，在本实施例中电子诱导层102设置在第一绝缘层101的上方并且位于第二电容电极103的下方，但是根据不同的制造工艺可以将电子诱导层102设置在第一电容电极100的上方并且位于第一绝缘层101的下方，电子诱导层的这些设置方式均可以调节像素存储电容的电容值C_SC，以实现对于各像素的馈通电压V_FD的调节。在该第二实施例中，像素A、像素B和像素C中第二电容电极103与第一电容电极100的正对面积S相同。

图3示出了像素的馈通电压V_FD随像素距离扫描线输入端的长度L变化的曲线示意图。从图3中可以看出，从距离扫描信号的输入端约为液晶显示面板长度L的1/3处至远离扫描信号输入端的另一端，各像素的馈通电压V_FD下降较为平缓或者是基本保持不变，因此从距离扫描信号的输入端的相应位置处至远离扫描信号输入端的另一端的每个像素的像素存储电容的电容值C_SC可以大致相等。图8示出根据本发明第三实施例的TFT-LCD的像素阵列基板的俯视图。参照图3和图8，当在公共电极线，即第一电容电极100，的输入端及远离该输入端的另一端施加相同的电压V1时，在距离扫描信号的输入端的适当位置处至远离扫描信号输入端的另一端的每个像素中可以只设置第一存储电容，或者设置第一存储电容和具有电容值相等的第二存储电容。该适当位置例如可以是1/4L到1/2L之间的任意位置。

图9示出根据本发明上述各实施例的TFT-LCD中的像素存储电容的电容值C_SC随TFT-LCD的面板长度变化的曲线示意图。参照图9，在距离扫描信号的输入端较近的像素A的像素存储电容的电容值(C_SC)_A最大，随着距离扫描信号的输入端远至1/3L处，像素中的像素存储电容逐渐减小。而在距离扫描信号的输入端约为液晶显示面板长度L的1/3处至远离扫描信号输入端的另一端，各像素中的像素存储电容值基本保持不变。

图10示出根据本发明上述各实施例的TFT-LCD中的馈通电压V_FD随着该TFT-LCD的面板长度变化的曲线示意图。与图3中所示现有技术中像素的馈通电压V_FD随像素距离扫描线输入端的长度L变化所产生的ΔV_FD相比，采用本发明中的各实施例来调整像素中的像素存储电容的电容值，所产生的馈通电压在距离扫描信号的输入端最近和最远处的变化量ΔV_FD’远远小于现有技术中的馈通电压V_FD的变化量ΔV_FD，即ΔV_FD’＜＜ΔV_FD。

上文中，参照附图描述了本发明的具体实施方式。但是，本领域中的普通技术人员能够理解，在不偏离本发明的精神和范围的情况下，还可以对本发明的具体实施方式作各种变更和替换。这些变更和替换都落在本发明的权利要求书所限定的范围内。

Claims (31)

1.一种液晶显示面板，包括多条扫描线、多条数据线、由所述扫描线和相应的数据线垂直交叉而形成的多个像素以及设置在所述像素中的多个像素存储电容，其中，

所述的每个像素存储电容包含第一存储电容和第二存储电容，并且所述的每个像素存储电容的数值随其相对应的像素与扫描信号输入端的距离增加而减小。

2.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第一存储电容具有所述第一存储电容的第一电容电极、所述第一存储电容的第二电容电极和设置于所述第一存储电容的第一电容电极和所述第一存储电容的第二电容电极之间的电介质。

3.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第二存储电容具有所述第二存储电容的第一电容电极、所述第二存储电容的第二电容电极和设置于所述第二存储电容的第一电容电极和所述第二存储电容的第二电容电极之间的电介质。

4.如权利要求3所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第二存储电容的第一电容电极或者所述第二存储电容的第二电容电极还具有电子诱导层。

5.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第一存储电容的第一电容电极和所述第二存储电容的第一电容电极相同。

6.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第二存储电容的电容值随其相应的像素与扫描信号输入端的距离增加而减小。

7.如权利要求6所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第一存储电容的电容值随其相应的像素与扫描信号输入端的距离增加而增加。

8.如权利要求6所述的液晶显示面板，其特征在于，随着相应的像素与扫描信号输入端的距离增加，所述第二存储电容的电容数值的减小量大于所述第一存储电容的电容数值的增加量。

9.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第二存储电容的数值随其在所述第二存储电容的第一电容电极上施加电压数值的增加而增大。

10.如权利要求9所述的液晶显示面板，其特征在于，在距离扫描信号输入端较近的像素中施加的电压数值大于距离扫描信号输入端较远的像素中的施加电压数值。

11.如权利要求9所述的液晶显示面板，其特征在于，在与扫描信号输入端的距离不同的像素的所述第二存储电容的第一电容电极上施加不同的电压值时，所述不同像素的所述第二存储电容的两极间正对面积相同。

12.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，在距离扫描信号输入端的相应位置处至远离扫描信号输入端的所述液晶显示面板的另一端，所述像素存储电容可以只含有所述第一存储电容。

13.如权利要求12所述的液晶显示面板，其特征在于，所述相应位置是所述液晶显示面板长度的1/4到1/2中的任意位置。

14.如权利要求12所述的液晶显示面板，其特征在于，在不同像素中的所述像素存储电容还包括具有相同电容值的所述第二存储电容。

15.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，若所述液晶显示面板的长度为L，则距离扫描信号输入端1/3L处至远离扫描信号输入端的所述液晶显示面板的另一端的每个像素的像素存储电容的电容值相等。

16.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第一存储电容和所述第二存储电容并联而形成所述像素存储电容。

17.一种液晶显示面板的制造方法，该方法包括：

形成扫描线和第一电容电极；

在所述扫描线和所述第一电容电极上形成第一绝缘层；

在所述绝缘层上沉积一半导体层以形成电子诱导层；

形成数据线和第二电容电极；以及

将第二绝缘层和一透明导电层依次沉积于所述数据线和所述第二电容电极上，该透明导电层形成像素电极和第三电容电极，

其中，距离扫描信号输入端较近的像素中的像素存储电容被设置为大于距离扫描信号输入端较远的像素中的像素存储电容。

18.如权利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述第一存储电容由所述第一电容电极、通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层构成的电介质以及所述第三电容电极形成的。

19.如权利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述第二存储电容由所述第一电容电极、通过所述第一绝缘层构成的电介质以及所述第二电容电极形成。

20.如权利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述电子诱导层设置在所述第一绝缘层和所述第二电容电极之间，或者在所述第一电容电极和所述第一绝缘层之间。

21.如权利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述第二存储电容的电容值随其相应的像素与扫描信号输入端的距离增加而减小。

22.如权利要求21所述的制造方法，其特征在于，所述第一存储电容的电容值随其相应的像素与扫描信号输入端的距离增加而增加。

23.如权利要求21所述的制造方法，其特征在于，随着相应的像素与扫描信号输入端的距离增加，所述第二存储电容的减小量大于所述第一存储电容的增加量。

24.如权利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述第二存储电容的数值随其在所述第二存储电容的第一电容电极上施加电压数值的增加而增大。

25.如权利要求17所述的制造方法，其特征在于，在与扫描信号输入端的距离不同的像素的所述第二存储电容的第一电容电极上施加不同的电压值时，所述不同像素的所述第二存储电容的两极间正对面积相同。

26.如权利要求17所述的制造方法，其特征在于，在距离扫描信号输入端的相应位置处至远离扫描信号输入端的所述液晶显示面板的另一端，所述像素存储电容可以只设置所述第一存储电容。

27.如权利要求26所述的制造方法，其特征在于，所述相应位置是所述液晶显示面板长度的1/4到1/2中的任意位置。

28.如权利要求26所述的制造方法，其特征在于，在不同像素中的所述像素存储电容还可以设置具有相同电容值的所述第二存储电容。

29.如权利要求17所述的制造方法，其特征在于，若所述液晶显示面板的长度为L，则距离扫描信号输入端1/3L处至远离扫描信号输入端的所述液晶显示面板的另一端的每个像素的像素存储电容的电容值相等。

30.如权利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述第一存储电容和所述第二存储电容并联而形成所述像素存储电容。

31.如权利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述电子诱导层是由非晶硅材料，或者多晶半导体材料，或者单晶半导体材料制成。

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