CN101097335A - 液晶显示器件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种液晶显示器件及液晶显示器件的制造方法。一种液晶显示器件包括第一基板；第二基板；夹在第一基板和第二基板之间的液晶层；以及光传感器，该光传感器形成在第一基板上，并且感测电容以输出电信号使得电容随光强变化。一种制造液晶显示器的方法包括：在第一基板上形成薄膜晶体管、与薄膜晶体管电连接的像素电极以及光传感器；提供其上形成有滤色片和黑矩阵的第二基板；以及在第一基板和第二基板之间形成液晶层。
Description
本发明要求享有2006年6月30日在韩国递交的韩国专利申请No.2006-60096以及2006年6月30日在韩国递交的韩国专利申请No.2006-60097的优先权，在此结合进来作为参考。
技术领域
本发明涉及一种液晶显示(LCD)器件，尤其涉及一种根据外部光强度控制背光亮度的LCD器件及其制造方法。
背景技术
LCD器件因为具有小尺寸、重量轻、低功耗、高图像质量及大规模生产的优势，LCD器件被认为是下一代显示器件的平板显示器件。LCD器件包括液晶板和背光，其中液晶板包括薄膜晶体管(TFT)阵列基板、滤色片阵列基板以及夹在两基板之间的液晶层，且背光向液晶层提供光。LCD器件通过利用液晶层中液晶分子的光学各向异性控制光通过液晶层的透射率在液晶板上显示图像。
背光因为为液晶板提供均匀的光亮度所以在黑暗环境中消耗能源。在黑暗环境中，用户具有相对高的识别度并不需要额外的光量。
发明内容
因此，本发明涉及一种基本消除由于现有技术的限制和缺陷所引起的一个或多个问题的液晶显示器件及其制造方法。
本发明的一个目的是提供一种正确地感测环绕LCD器件的外部光的强度并调节背光的亮度以减少不必要的功耗的光传感器。
本发明的其他特征和优点将在以下描述中予以阐述，并根据描述部分地变得清楚，或通过本发明的实践予以了解到。通过撰写的说明书及其权利要求以及附图中具体示出的结构能够实现并获得本发明的目的和其他优点。
为了实现这些目的和其他优点并根据本发明目的，如此具体及广泛描述的液晶显示器件及其制造方法包括液晶显示器件，其具有：第一基板；第二基板；夹在第一基板和第二基板之间的液晶层；以及光传感器，形成在第一基板上并且用以感测电容以便输出电信号，使得电容随光强变化。
在另一方面中，一种制造液晶显示器的方法包括：在第一基板上形成薄膜晶体管、与薄膜晶体管电连接的像素电极以及光传感器；提供其上形成有滤色片和黑矩阵的第二基板；以及在第一基板和第二基板之间形成液晶层。
在另一方面， 一种制造液晶显示器件的方法包括：在第一基板和第二基板上限定显示区域和非显示区域；在第一基板的非显示区域内形成光传感器，该传感器根据光强输出信号；在第一基板或第二基板的非显示区域内形成密封图案；以及利用密封图案粘接第一基板和第二基板并且在第一基板和第二基板的显示区之间形成液晶层。
在另一方面中，一种制造液晶显示器的方法包括：在第一基板和第二基板上限定显示区域和非显示区域，其中在第一基板的显示区域内形成多个像素区域；在第一基板上形成薄膜晶体管和光传感器，其中薄膜晶体管形成在每个像素区域内而光传感器形成在非显示区域的每部分内，使得光传感器根据光强输出信号；以及粘接第一基板和第二基板并在第一基板和第二基板的显示区之间形成液晶层。
应当理解，前述概括描述和之后的详细描述都是示例性和说明性的，并用于提供所请求的发明的进一步说明。
附图说明
包含以提供本发明进一步理解并包含在本申请中且构成本申请一部分的附图，示出了本发明的实施方式并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1A为根据本发明第一示例性实施方式的LCD器件的顶视图；
图1B为根据本发明第一示例性实施方式的LCD器件的截面图；
图2A至2E为示出了制造根据本发明第一实施方式的LCD器件的第一示例性工序的截面图；
图3A为根据本发明第二示例性实施方式的LCD器件的顶视图；
图3B为根据本发明第二示例性实施方式的LCD器件的截面图；以及
图4A至4E为示出了制造根据本发明第二实施方式的LCD器件的第二示例性工序的截面图。
具体实施方式
现详细参照本发明的优选实施方式，在附图中示出了所述实施方式的实例。
图1A和1B为示出了根据本发明第一示例性实施方式的LCD器件的示意图。特别地，图1A为第一示例性LCD器件的平面图，而图1B为沿图1A的预定线截取的部分截面图。
如图1A和1B所示，第一示例性LCD器件被分成显示区域“AA”和非显示区域“NA”，并第一示例性LCD器件包括第一基板100和第二基板200。第一基板100和第二基板200彼此分开预定距离，密封图案300牢固地粘接第一基板100和第二基板200，并在第一基板100和第二基板200之间夹入液晶层500。在此，显示区域“AA”对应显示图像的区域，而非显示区域“NA”对应显示区域“AA”***不显示图像的区域。在第一基板100上形成多条栅线和多条数据线。多条数据线和栅线彼此相交以在第一基板100上的显示区域“AA”内限定多个像素区域。栅绝缘层110夹入在多条栅线和多条数据线之间。
在多个像素区域中的每个中形成一个薄膜晶体管“Tr”以及与薄膜晶体管“Tr”电连接的像素电极105。薄膜晶体管“Tr”包括从多条栅线的每一个分出的第一栅极101、形成在第一栅极101上的栅绝缘层110、形成在栅绝缘层110上的第一半导体层102以及形成在第一半导体层102上的第一源极/漏极104a、104b。第一半导体层102包括由非晶硅形成的有源层102a和由掺杂非晶硅形成的欧姆接触层102b。此外，在包含薄膜晶体管“Tr”的第一基板100的整个上表面上形成钝化层120。钝化层120包括硅的氮化物层、硅的氧化物层或硅的氮化物层/硅的氧化物层的叠层。
与外部电路电连接的栅焊盘部分和数据焊盘部分形成在第一基板100上对应非显示区域“NA”的部分。驱动器600与栅焊盘部分和数据焊盘部分相连，并且驱动器600形成在非显示区域“NA”内。另外，驱动器600通过柔性印刷板电路与栅焊盘部分和数据焊盘部分相连。
感测外部光强度并输出电信号的光传感器400形成在第一基板100上的非显示区域“NA”内。背光设置在第一基板100的后面。根据从光传感器400输出的电信号调节背光的亮度以控制功耗。例如，当LCD器件周围的光强低(例如，暗)时，降低背光的亮度，进而减少功耗。
光传感器400包括形成在第一基板100上的第二栅极410、形成在第二栅极410上的栅绝缘层110、形成在栅绝缘层110上的第二半导体层420以及形成在第二半导体层420上的第二源极/漏极430a和430b。第二漏极430b与光传感器焊盘(未示出)相连并且光传感器焊盘与外部电路，例如背光驱动器相连以便输出用于控制背光亮度的信号。光传感器焊盘由与第二栅极410或第二源极/漏极430a和430b相同的导电材料形成。
第二半导体层420由具有流经光传感器400的电流随外部光强度变化的电特性的材料(例如，非晶硅)形成。换句话说，当外部光强度强时，流经光传感器400的第二源极/漏极430a和430b的电流强度增加，而当外部光强度变弱时，流经光传感器400的第二源极/漏极430a和430b的电流强度降低。因此，根据流经光传感器400的第二源极/漏极430a和430b的电流强度能够调节背光亮度。
在光传感器400上也形成钝化层120。形成在光传感器400上的钝化层120从显示区域“AA”延伸到非显示区域“NA”。因为光传感器400置于密封图案300的外侧并暴露于外部，故钝化层120起到保护光传感器400受污染的作用。
滤色片220和黑矩阵210形成在第二基板200上对应显示区域“AA”的部分处。对应每个像素区域的光透射区域设置滤色片220并对应每个像素区域之间的边界以及每个像素区域的不透明区域设置黑矩阵210。不透明区域是形成有栅线、数据线和薄膜晶体管的区域。另外，在黑矩阵210和滤色片220上可任选地形成涂覆层以补偿滤色片220和黑矩阵210的高度差。在涂覆层230上形成透明公共电极240。另外，公共电极240可延伸到非显示区域“NA”。黑矩阵210可部分地形成在第二基板上的非显示区域“NA”内。
密封图案300形成在第一基板100或第二基板200的非显示区域“NA”内。密封图案300形成在显示区域“AA”的最外侧的周边上以便牢固地粘接第一基板100和第二基板200。液晶层500设置在密封图案500的内侧。因为光传感器400置于密封图案300的外侧并且液晶层500未设置在光传感器400的上方，故液晶层500不会干扰入射到光传感器400上的光。并且，光传感器400不限于上述示例性位置并可形成在驱动器周围(例如，邻近数据焊盘部分或栅焊盘部分)。
图2A至2E为示出了制造根据本发明第一实施方式的LCD器件的第一示例性工序的截面图。
如图2A所示，制备包含显示区域“AA”和非显示区域“NA”的第一基板100。在第一基板100上形成第一导电层并随后对其构图以形成第一栅极101和第二栅极410。第一栅极101形成在显示区域“AA”内，而第二栅极410形成在非显示区域“NA”内。第一导电层可通过溅射方法或真空蒸镀方法予以形成。此时，第一导电层可由Al、Mo、Cu、AlNd、Ti、Ca、Ni或各元素的合金所形成。
栅绝缘层110形成在包含第一栅极101和第二栅极410的第一基板100的整个上表面上。栅绝缘层110由硅的氧化物层、硅的氮化物层或硅的氧化物层/硅的氮化物层的叠层形成。此时，通过化学气相沉积(CVD)方法或真空蒸镀方法形成栅绝缘层110。
如图2B所示，在栅绝缘层110上形成分别对应第一栅极101和第二栅极410的第一半导体层102和第二半导体层420。第一半导体层102包括由非晶硅形成的有源层102a和由掺杂非晶硅形成的欧姆接触层102b。第二半导体层420也包括由非晶硅形成的有源层和由掺杂非晶硅形成的欧姆接触层。第二半导体层420的非晶硅具有流经光传感器400的电流随外部光强变化的电特性。可通过CVD方法或溅射方法形成第一和第二半导体层102和420。另外，可利用半色调掩模构图工艺或衍射掩模构图工艺同时形成第一和第二半导体层102和420。
参照图2C，在包含第一和第二半导体层102和420的第一基板100的整个上表面上形成第二导电层，并随后对其构图以在第一栅极101上方的第一半导体层102上形成第一源极/漏极104a/104b，以及在第二栅极410上方的第二半导体层420上形成第二源极/漏极430a/430b。第二导电层可由Al、Mo、Cu、AlNd、Ti、Ca、Ni或各元素的合金所形成。此时，可通过溅射方法或真空蒸镀方法形成第二导电层。并且，在第一基板100上形成薄膜晶体管“Tr”和光传感器400。
第一和第二半导体层102和420每个都包括有源层和欧姆接触层以及非晶硅层。第二导电层形成在包含第一和第二半导体层102和420的第一基板100的上方。此后，同时形成第一源极/漏极104a/104b和第二源极/漏极430a/430b。
参照图2D，钝化层120形成在包含薄膜晶体管“Tr”和光传感器400的第一基板100的整个上表面上。钝化层120形成在光传感器400上以防止光传感器400由于暴露于外部而受到污染。钝化层120可由硅的氮化物层、硅的氧化物层或硅的氮化物层/硅的氧化物层的叠层形成。此时，可通过CVD方法或溅射方法形成钝化层。暴露薄膜晶体管“Tr”的第一漏极104b的接触孔限定为贯穿钝化层120。
第三导电层形成在包含薄膜晶体管“Tr”的第一基板100的整个上表面上，随后对其构图以形成与薄膜晶体管“Tr”电连接到像素电极105。同时，去除形成在光传感器400上方的部分第三导电层。第三导电层由透明导电材料，如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)形成。第三导电层可通过溅射方法或真空蒸镀方法形成。
如图2E所示，制备其上形成有滤色片220和黑矩阵210的第二基板200。在滤色片220和黑矩阵210上任选地形成涂覆层230。公共电极240形成在涂覆层230上。公共电极240由透明电极材料，诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)形成。密封图案300形成在第一基板100或第二基板200的非显示区域“NA”上，随后通过密封图案300牢固地将第一基板100和第二基板200相互粘接在一起。此后，液晶层500夹在第一基板100和第二基板之间密封图案300的内侧。另外，在将液晶层设置在第一基板100或第二基板200上之后，粘接第一基板100和第二基板200。在第一示例性实施方式中，液晶层500设置在密封图案内侧。
此时，形成密封图案300使得光传感器400置于密封图案300的外侧，进而液晶层未形成在光传感器400上。因此，光传感器400能够感测周围亮度，并通过光传感器400在确定周围亮度时产生的电信号控制背光的亮度。此后，通过将第一和第二基板、背光、支撑框架以及顶框放置在一起，执行制造示例性LCD器件的组装工序(图中未示出)。
因此，能够制造可控制背光功耗的LCD器件，进而控制LCD器件的整体功耗。另外，因为光传感器400形成在密封图案300的外侧，并且确定流经光传感器400的电流值，故液晶层500的影响可以忽略。此外，因为光传感器400形成在密封图案300的外侧，故光传感器400的尺寸没有特别限制。因此，光传感器400可形成较大的尺寸，进而增强光传感器400的灵敏度。
图3A和3B为示出了根据本发明第二示例性实施方式的LCD器件的示意图。具体地说，图3A为第二示例性LCD器件的平面图，而图3B为沿图3A预定线截取的部分截面图。
参照图3A，第二示例性LCD器件包括彼此分开以预定距离设置的第一和第二基板500和600，夹在第一和第二基板500和600之间的液晶层700，以及光传感器800，该光传感器800形成在第一基板500上的各个部分处以在光入射到光传感器800上时感测静态电容(在此***“静态电容”的限定)并输出电信号。另外，传感器800形成在第二基板600***下方的各部分。光传感器800根据入射在光传感器800上的外部光强度感测静态电容的改变。
如图3A所示，多条栅线501和多条数据线502相互交叉地设置在第一基板500上以限定多个像素区域。栅焊盘部分501a形成在多条栅线501中每条栅线的端部处，并且数据焊盘部分502a形成在多条数据线502中每条数据线的端部处。栅焊盘部分501a包括多个栅焊盘，而数据焊盘部分502a包括多个数据焊盘。每个焊盘部分501a和502a与印刷电路板“PCB”(未示出)电连接。PCB为利用载带封装(TCP)通过载带自动粘结(TAB)工艺形成。
接着，如图3B所示，光传感器800包括下电极810、上电极830和设置在两基板810和830之间的电介质层820。在第一基板500上形成下电极810，并随后在包含下电极810的第一基板500上形成第一绝缘层510。电介质层820形成在第一绝缘层510上对应下电极810的部分处。第二绝缘层520形成在包含电介质层820的第一基板500上。上电极830形成在第二绝缘层520上对应电介质层820的部分处。上电极830覆盖电介质层820和下电极810上。
下电极由导电材料形成。电介质层820由具有介电常数随入射在其上的光强变化的性质的材料形成。另外，电介质层820由非晶硅形成。上电极830由透明导电材料，如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)形成，使得光能够透射穿过电介质层820。
在示例性光传感器800中，当照射在非晶硅的光的能量增加时，非晶硅的介电常数减小。因此，光传感器800的静电电容减少。按照这种方式，光传感器800输出电信号以控制背光。
特别地，当环绕第二示例性LCD器件的光亮时，光传感器800增加从背光发出的光的强度，并且液晶板变得更亮。另一方面，当环绕第二示例性LCD器件的光暗时，光传感器800降低背光发出光的强度，并且液晶板变得更暗。因为光传感器800感测周围的亮度以控制背光的亮度，降低背光的功耗。因此，能够使第二示例性LCD器件的总功耗最小。
尽管图3A和图3B中没有特别示出，但在多条栅线501和多条数据线502之间夹有第一绝缘层510。第一绝缘层510由硅的氮化物层、硅的氧化物层或硅的氮化物层/硅的氧化物层的叠层形成。
如图3B所示，至少一个薄膜晶体管“Tr”形成在多条栅线501和多条数据线502的各个交叉处。薄膜晶体管“Tr”包括从多条栅线501的每条分出的栅极503，形成在与栅极503对应的部分在第一绝缘层510上的半导体层504，以及形成在半导体层504上的源极/漏极505a、505b。栅极503由与下电极810相同的导电材料形成。半导体层504包括由非晶硅形成的有源层504a和由掺杂非晶硅形成的欧姆接触层504b。
第二绝缘层520形成在包含薄膜晶体管“Tr”的第二基板500的整个上表面上。第二绝缘层520由硅的氮化物层、硅的氧化物层或硅的氮化物层/硅的氧化物层的叠层形成。
同时，滤色片620和黑矩阵610形成在第二基板600上。黑矩阵610形成为覆盖像素区域。黑矩阵610形成为延伸到第二基板600的***区域。形成涂覆层630以补偿滤色片620和黑矩阵610产生的高度差。透明公共电极640形成在涂覆层630上。
如图3B所示，在黑矩阵610的每个***部分处形成暴露部分第一基板500的开口。光传感器800置于该开口的下方，并且外部光可以照射在光传感器800上。尽管上述第二示例性实施方式将光传感器800置于黑矩阵610下方，但光传感器800的位置并不限于此。
图4A至图4E为示出了制造根据本发明第二示例性实施方式的LCD器件的第二示例性工序的截面图。参照图4A，制备第一基板500。在第一基板500上形成第一导电层并随后对其构图以形成栅极503和下电极810。第一导电层可通过溅射方法或真空蒸镀方法予以形成。另外，第一导电层可由Al、Mo、Cu、AlNd、Ti、Ca、Ni或各元素的合金所形成。
第一绝缘层510形成在包含栅极503和下电极810的第一基板500的整个上表面上。第一绝缘层510由硅的氧化物层、硅的氮化物层或硅的氧化物层/硅的氮化物层的叠层形成。此时，可通过化学汽相沉积(CVD)方法或真空蒸镀方法形成第一绝缘层510。
接着，如图4B所示，在第一绝缘层510上对应栅极501和下电极810的部分处分别形成半导体层504和电介质层820。此时，可通过CVD方法或溅射方法形成半导体层504和电介质层820。另外，利用半色调掩模或衍射掩模的构图工序同时形成半导体层504和电介质层820。
接着，如图4C所示，在包含半导体层504和电介质层820的第一基板500的整个上表面上形成第二导电层。此后，通过构图在半导体层504上形成源极/漏极505a/505b。第二导电层可由Al、Mo、Cu、AlNd、Ti、Ca、Cu或各元素的合金所形成。第二导电层可通过溅射方法或真空蒸镀方法形成。
参照图4D，第二绝缘层520形成在包含薄膜晶体管“Tr”和电介质层820的第一基板500的整个上表面上。第二绝缘层520可由硅的氮化物层、硅的氧化物层或硅的氮化物层/硅的氧化物层的叠层形成。此时，可通过CVD方法或溅射方法形成第二绝缘层520。暴露薄膜晶体管“Tr”的部分漏极505b的接触孔限定为贯穿第二绝缘层520。
第三导电层形成在包含薄膜晶体管“Tr”的第一基板500的整个上表面上，并随后对其构图以在第二绝缘层520上的各个部分处形成像素电极506以及上电极830。像素电极506形成在每个像素区域内并通过限定的接触孔与薄膜晶体管“Tr”电连接。第三导电层由透明导电材料，如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)形成。第三导电层可通过溅射方法或真空蒸镀方法形成。
接着，如图4E所示，制备其上形成有滤色片620和黑矩阵610的第二基板600。另外，在滤色片620和黑矩阵610上形成涂覆层630。在涂覆层630上形成透明公共电极640。公共电极640由透明电极材料，如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)形成。
第一基板500和第二基板600相互粘接在一起。此后，在第一基板500和第二基板600之间形成液晶层700。另外，可以在将液晶层700形成在第一基板500或第二基板600上之后，粘接第一基板500和第二基板600。此后，通过将第一和第二基板、背光、支撑框架以及顶框放置在一起，执行制造示例性LCD器件的组装工序(图中未示出)。
根据图3A至4E所述，形成在第一基板500上的光传感器800感测外部光的强度以控制背光的亮度。因为光传感器800通过经限定为贯穿黑矩阵610的开口暴露于外部环境，所以光能够直接入射在光传感器800上。因此，能够适当地控制示例性LCD器件的总功耗。此外，因为光传感器800形成在第一基板500上的非显示区域内，所以光传感器的尺寸和数量没有特殊限制。
如上所述，根据本发明，光传感器感测周围的亮度以控制背光的亮度，进而控制背光的功耗并进一步控制LCD的总功耗。因为光传感器形成为暴露于周围环境，故外部光能够直接入射在光传感器上。因此，能确定周围的正确的亮度。此外，光传感器的尺寸和数量没有特殊限制。提高了光传感器的灵敏度。
本领域技术人员应当理解，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可对液晶显示器件及其制造方法进行各种修改和变型。因此，本发明意欲覆盖本发明提供的修改和变型，这种修改和变型包含在所附权利要求及其等同物的范围内。
Claims (22)
1.一种液晶显示器件，包括：
第一基板；
第二基板；
夹在第一基板和第二基板之间的液晶层；以及
光传感器，形成在第一基板上用于感测电容以便输出电信号，使得电容随光强变化。
2.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，还包括设置在第基板后侧面上并且其亮度由光传感器控制的背光。
3.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，光传感器包括：
形成在第一基板上的下电极；
电介质层，其形成下电极上方并具有电介质层的介电常数随光强变化的特性；以及
形成在电介质上方的上电极。
4.根据权利要求3所述的液晶显示器件，其特征在于，电介质层包括非晶硅。
5.根据权利要求3所述的液晶显示器件，其特征在于，还包括形成在下电极和电介质层之间的第一绝缘层。
6.根据权利要求5所述的液晶显示器件，其特征在于，第一绝缘层包括硅的氧化物层、硅的氮化物层、或者由硅的氧化物层和硅的氮化物层构成的叠层。
7.根据权利要求3所述的液晶显示器件，其特征在于，还包括形成在上电极和电介质层之间的第二绝缘层。
8.根据权利要求7所述的液晶显示器件，其特征在于，第二绝缘层包括硅的氧化物层、硅的氮化物层、或者由硅的氧化物层和硅的氮化物层构成的叠层。
9.根据权利要求3所述的液晶显示器件，其特征在于，上电极由透明导电材料形成。
10.根据权利要求3所述的液晶显示器件，其特征在于，上电极包括铟锡氧化物ITO或铟锌氧化物IZO中至少之一。
11.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，还包括设置在第一基板后侧面上并且其亮度由光传感器控制的背光。
12.一种制造液晶显示器的方法，该方法包括：
在第一基板上形成薄膜晶体管、与薄膜晶体管电连接的像素电极以及光传感器；
提供其上形成有滤色片和黑矩阵的第二基板；以及
在第一基板和第二基板之间形成液晶层。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，还包括组装背光、第一和第二基板、支撑框架和顶框以制造液晶显示器件，其中背光的亮度由光传感器控制。
14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，光传感器感测随光强变化的电容并输出电信号。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述形成光传感器的步骤包括：
在第一基板上形成下电极；
在下电极上方形成电介质层，并且电介质层具有电介质层的介电常数随光强变化的特性；以及
在电介质层上方形成上电极。
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述形成光传感器的步骤还包括在下电极和电介质层之间形成第一绝缘层。
17.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述形成光传感器的步骤还包括在上电极和电介质层之间形成第二绝缘层。
18.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，利用非晶硅通过化学气相沉积或溅射方法形成电介质层。
19.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，上电极由透明导电材料并通过喷溅或真空蒸镀方法形成。
20.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，上电极包括铟锡氧化物ITO或铟锌氧化物IZO中至少之一。
21.一种制造液晶显示器的方法，该方法包括：
在第一基板和第二基板上限定显示区域和非显示区域；
在第一基板的非显示区域内形成光传感器，该传感器根据光强输出信号；
在第一基板或第二基板的非显示区域内形成密封图案；以及
利用密封图案粘接第一基板和第二基板并在第一基板和第二基板的显示区之间形成液晶层。
22.一种制造液晶显示器的方法，该方法包括：
在第一基板和第二基板上限定显示区域和非显示区域，其中在第一基板的显示区域内形成有多个像素区域；
在第一基板上形成薄膜晶体管和光传感器，其中薄膜晶体管形成在每个像素区域内而光传感器形成在每部分的非显示区域内，使得光传感器根据光强输出信号；以及
粘接第一基板和第二基板并在第一基板和第二基板的显示区域之间形成液晶层。
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Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101494202B (zh) * | 2008-05-21 | 2010-12-08 | 友达光电股份有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板与液晶显示面板的制作方法 |
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| CN103578443A (zh) * | 2012-08-10 | 2014-02-12 | 乐金显示有限公司 | 显示装置及其驱动方法 |
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| CN106935190A (zh) * | 2017-02-22 | 2017-07-07 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种有机发光显示面板、有机发光显示装置、有机发光显示面板的驱动方法 |
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Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101556388B (zh) * | 2008-04-11 | 2013-03-13 | 瀚宇彩晶股份有限公司 | 一种可输入信号的触控式面板 |
| US8415182B2 (en) | 2008-05-16 | 2013-04-09 | Au Optronics Corporation | Manufacturing method of thin film transistor array substrate and liquid crystal display panel |
| CN101494202B (zh) * | 2008-05-21 | 2010-12-08 | 友达光电股份有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板与液晶显示面板的制作方法 |
| CN103578443A (zh) * | 2012-08-10 | 2014-02-12 | 乐金显示有限公司 | 显示装置及其驱动方法 |
| CN103578443B (zh) * | 2012-08-10 | 2017-03-01 | 乐金显示有限公司 | 显示装置及其驱动方法 |
| US9646559B2 (en) | 2012-08-10 | 2017-05-09 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| CN105739753B (zh) * | 2014-12-30 | 2018-12-04 | 乐金显示有限公司 | 使用内嵌式触摸模式的液晶显示装置及其制造方法 |
| CN105739753A (zh) * | 2014-12-30 | 2016-07-06 | 乐金显示有限公司 | 使用内嵌式触摸模式的液晶显示装置及其制造方法 |
| CN106935190A (zh) * | 2017-02-22 | 2017-07-07 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种有机发光显示面板、有机发光显示装置、有机发光显示面板的驱动方法 |
| US10665165B2 (en) | 2017-02-22 | 2020-05-26 | Shanghai Tianma AM-OLED Co., Ltd. | Organic light-emitting display panel, organic light-emitting display apparatus, and driving method of organic light-emitting display panel |
| US10720512B2 (en) | 2017-03-21 | 2020-07-21 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Product method of thin-film transistor, thin-film transistor, display apparatus, and fingerprint recognition unit |
| CN106876332A (zh) * | 2017-03-21 | 2017-06-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、指纹识别单元以及薄膜晶体管及其制造方法 |
| WO2018205437A1 (zh) * | 2017-05-12 | 2018-11-15 | 惠科股份有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
| US11287684B2 (en) | 2017-08-29 | 2022-03-29 | HKC Corporation Limited | Display device with automatic brightness adjustment |
| WO2019041631A1 (zh) * | 2017-08-29 | 2019-03-07 | 惠科股份有限公司 | 显示面板 |
| CN108962942A (zh) * | 2018-06-12 | 2018-12-07 | 信利半导体有限公司 | 一种自动调节亮度的pm-oled显示器及其制作方法 |
| WO2019237404A1 (zh) * | 2018-06-12 | 2019-12-19 | 信利半导体有限公司 | 一种自动调节亮度的pm-oled显示器及其制作方法 |
| CN108962942B (zh) * | 2018-06-12 | 2021-01-26 | 信利半导体有限公司 | 一种自动调节亮度的pm-oled显示器及其制作方法 |
| CN109032405B (zh) * | 2018-07-06 | 2021-09-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 |
| CN109032405A (zh) * | 2018-07-06 | 2018-12-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 |
| CN108735769A (zh) * | 2018-08-25 | 2018-11-02 | Oppo广东移动通信有限公司 | 显示屏组件及电子装置 |
| CN111223458A (zh) * | 2020-01-06 | 2020-06-02 | 昆山龙腾光电股份有限公司 | 显示模组及电子设备 |
| CN111223458B (zh) * | 2020-01-06 | 2022-02-15 | 昆山龙腾光电股份有限公司 | 显示模组及电子设备 |
| CN114726971A (zh) * | 2021-01-04 | 2022-07-08 | 北京小米移动软件有限公司 | 一种显示模组、屏幕组件和电子设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
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| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
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Granted publication date: 20100519 Termination date: 20201208 |