CN101068032B - 半导体变形测量仪及其制造方法 - Google Patents
半导体变形测量仪及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101068032B CN101068032B CN2007101077848A CN200710107784A CN101068032B CN 101068032 B CN101068032 B CN 101068032B CN 2007101077848 A CN2007101077848 A CN 2007101077848A CN 200710107784 A CN200710107784 A CN 200710107784A CN 101068032 B CN101068032 B CN 101068032B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- high concentration
- resistance zone
- diffusion resistance
- diffusion layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
- G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
- G01L1/2287—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges constructional details of the strain gauges
- G01L1/2293—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges constructional details of the strain gauges of the semi-conductor type
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Abstract
本发明提供半导体变形测量仪及其制造方法。该半导体变形测量仪防止半导体的变形测量仪的沟道的产生,在扩散电阻区域的周围附着了杂质或电荷的情况下,或在半导体基板的杂质浓度低的情况下,防止在电极焊盘之间容易产生的沟道的产生,使输出的电阻值稳定。该半导体变形测量仪具备扩散电阻区域,该扩散电阻区域形成在规定的导电性的半导体基板的表面、且与该半导体基板的导电性相反,在该扩散电阻区域的两端具备电极,其中,在扩散电阻区域的周围具备与该半导体基板相比掺杂了高浓度的杂质的、与半导体基板的导电性相同的高浓度杂质扩散层,上述电极中的一方延伸形成至该高浓度杂质扩散层、连接了该扩散电阻区域和该高浓度杂质扩散层。
Description
技术领域
本发明涉及使用扩散电阻的半导体变形测量仪的结构及其制造方法,本发明能够利用在各种加速度传感器、压力传感器等中。
背景技术
作为以往的技术,将变形测量仪作为对加速度、压力进行检测的传感器来使用,该变形测量仪有各种类型。其中,多使用应用了半导体单晶的变形测量仪,这些变形测量仪利用半导体的压电电阻效应,将所施加的力的变化作为电阻的变化进行检测。在利用了这样的压电电阻效应的半导体变形测量仪中,存在体积(bulk)型测量仪和扩散型测量仪,任意一种测量仪中,因为半导体基板本身成为测量仪,所以需要对该半导体基板施加加工。
图7是示出以往以来被普遍使用的扩散型测量仪的结构的图,(a)是垂直剖面图,(b)是从(a)的向视A-A线方向观察到的俯视图。在N型单晶硅基板1的表面,使P型杂质扩散而形成了导电性相反的扩散电阻体2。使用绝缘膜即SiO2等的氧化膜3来保护该扩散电阻体2的表面,对该氧化膜3的一部分进行蚀刻,使用铝等的金属膜形成正(+)电极4以及负(-)电极5。像这样在作为半导体基板的N型单晶硅基板1上,通过扩散来形成电阻层时,无需对半导体基板进行机械加工。
[专利文献1]美国专利第6635910号
[专利文献2]日本特开2001-264188号公报
[专利文献3]日本特表2004-531699号公报
但是,在所述的以往技术的扩散型测量仪的结构中,仅是在N型半导体基板、即N型单晶硅基板1的表面上通过扩散形成了P型电阻体2而已,由于周围的杂质或电荷,并且,在该N型半导体基板的杂质浓度低的情况下,处于在氧化膜(绝缘膜)3下方容易产生沟道的状态。因此,在上述P型扩散电阻体2的部分之外,也存在电流流过的路径,从而出现扩散型测量仪的电阻值变得不稳定的问题。
发明内容
本发明的半导体变形测量仪及其制造方法用于防止扩散型的变形测量仪的沟道产生,在上述P型扩散电阻体2的周围附着了杂质或电荷的情况下,或在半导体基板、即N型单晶硅基板1的杂质浓度低的情况下,防止在电极焊盘之间容易产生的沟道的产生,使扩散型测量仪的输出的电阻值稳定,例如,在P型扩散电阻体的周围形成高浓度的相反导电性的杂质扩散层,从而解决上述的课题。即,本发明的半导体变形测量仪具备:规定的导电性的半导体基板;扩散电阻区域,其形成在该半导体基板的表面且与该半导体基板的导电性相反;以及电极,其设置在该扩散电阻区域的两端部,其特征在于,在所述扩散电阻区域的周围,具备与所述半导体基板相比掺杂了高浓度的杂质的、与所述半导体基板的导电性相同的高浓度杂质扩散层,所述电极中的一方延伸形成至该高浓度杂质扩散层、连接了所述扩散电阻区域和该高浓度杂质扩散层,在所述电极上施加不会发生从该扩散电阻区域到该高浓度杂质扩散层的漏泄的电压。
并且,本发明的半导体变形测量仪具备:规定的导电性的半导体基板;扩散电阻区域,其形成在该半导体基板的表面且与该半导体基板的导电性相反;以及电极,其设置在该扩散电阻区域的两端部以及中间部以便构成为半桥(halfbridge)结构,其特征在于,在所述扩散电阻区域的周围,具备与所述半导体基板相比掺杂了高浓度的杂质的、与所述半导体基板的导电性相同的高浓度杂质扩散层,所述电极中的任一方延伸形成至该高浓度杂质扩散层、连接了所述扩散电阻区域和该高浓度杂质扩散层,在所述电极上施加不会发生从该扩散电阻区域到该高浓度杂质扩散层的漏泄的电压。
并且,本发明的半导体变形测量仪具备:规定的导电性的半导体基板;扩散电阻区域,其形成在该半导体基板的表面且与该半导体基板的导电性相反;以及电极,其设置在该扩散电阻区域的四个部位上以便构成为全桥结构,其特征在于,在所述扩散电阻区域的周围,具备与所述半导体基板相比掺杂了高浓度的杂质的、与所述半导体基板的导电性相同的高浓度杂质扩散层,所述电极中的任一方延伸形成至该高浓度杂质扩散层、连接了所述扩散电阻区域和该高浓度杂质扩散层,在所述电极上施加不会发生从该扩散电阻区域到该高浓度杂质扩散层的漏泄的电压。
并且,本发明的半导体变形测量仪的特征在于,在所述扩散电阻区域的一部分上形成有与所述半导体基板电极性相反的高浓度杂质扩散层,并且与所述电极连接。
并且,本发明的半导体变形测量仪的特征在于,所述扩散电阻区域和所述高浓度杂质扩散层之间的间隔为5μm以上。
并且,本发明的半导体变形测量仪的制造方法的特征在于,在规定的导电性的半导体基板的表面上形成与该半导体基板的导电性相反的扩散电阻区域,在所述扩散电阻区域的周围形成与所述半导体基板相比掺杂了高浓度的杂质的、与所述半导体基板的导电性相同的高浓度杂质扩散层,在所述半导体基板的表面形成保护膜,除去所述扩散电阻区域的两个部位的一部分以及所述高浓度杂质扩散层的一部分的上表面上的所述保护膜部分,形成两个电极膜,所述两个电极膜中的一方连接到所述扩散电阻区域的一个部位,另一方连接到所述高浓度杂质扩散层以及该扩散电阻区域的另一个部位。
并且,本发明的半导体变形测量仪的制造方法的特征在于,在规定的导电性的半导体基板的表面上形成与该半导体基板的导电性相反且为半桥结构的扩散电阻区域,在所述扩散电阻区域的周围形成与所述半导体基板相比掺杂了高浓度的杂质的、与所述半导体基板的导电性相同的高浓度杂质扩散层,在所述半导体基板的表面形成保护膜,除去所述扩散电阻区域的三个部位的一部分以及所述高浓度杂质扩散层的一部分的上表面上的所述保护膜部分,形成三个电极膜,所述三个电极膜中的任一方与所述高浓度杂质扩散层连接。
进而,本发明的半导体变形测量仪的制造方法的特征在于,在规定的导电性的半导体基板的表面上形成与该半导体基板的导电性相反且为全桥结构的扩散电阻区域,在所述扩散电阻区域的周围形成与所述半导体基板相比掺杂了高浓度的杂质的高浓度杂质扩散层,在所述半导体基板的表面形成保护膜,除去所述扩散电阻区域的四个部位的一部分以及所述高浓度杂质扩散层的两个部位的一部分的上表面上的所述保护膜部分,形成四个电极膜,所述四个电极膜中的任一方与所述高浓度杂质层连接。
本发明的半导体变形测量仪及其制造方法具有上述的结构、作用,所以存在如下的效果。
根据第一至第八方面所述的本发明,通过在扩散电阻体的外周部形成高浓度的相反导电性的杂质扩散层,从而具有如下的效果:能够防止沟道的产生,防止作为输出的扩散型测量仪的电阻值变得不稳定。
附图说明
图1是示出本发明的半导体变形测量仪的实施例1的图,(a)是垂直剖面图,(b)是从(a)的向视B-B线方向观察到的俯视图。
图2是示出本发明的半导体变形测量仪的实施例2的图,(a)是垂直剖面图,(b)是从(a)的向视C-C线方向观察到的俯视图。
图3是示出本发明的半导体变形测量仪的实施例3的图,(a)是垂直剖面图,(b)是从(a)的向视D-D线方向观察到的俯视图。
图4是示出本发明的半导体变形测量仪的实施例4的俯视图。
图5是示出本发明的半导体变形测量仪的实施例5的俯视图。
图6是示出本发明的半导体变形测量仪的实施例6的俯视图。
图7是示出以往技术的扩散型测量仪的结构的图,(a)是垂直剖面图,(b)是从(a)的向视A-A线方向观察到的俯视图。
标号说明
6:N型单晶硅基板(半导体基板);7:P型扩散电阻区域(P型扩散电阻体);8:保护膜;9a:正(+)侧电极;9b:负(-)侧电极;9c:中间电极;10:高浓度N型杂质扩散层;11:高浓度P型杂质扩散层;12:P型单晶硅基板(半导体基板);13:N型扩散电阻区域(N型扩散电阻体);14:高浓度N型杂质扩散层;15:高浓度P型杂质扩散层;16:P型扩散电阻区域(P型扩散电阻体);17:高浓度N型杂质扩散层;18:高浓度N型杂质扩散层;19:P型扩散电阻区域(P型扩散电阻体);20a:高浓度N型杂质扩散层(外侧);20b:高浓度N型杂质扩散层(内侧)。
具体实施方式
下面,说明本发明的半导体变形测量仪的实施方式。
在规定的导电性的半导体基板上表面或表面上,使杂质扩散而形成相反导电性的扩散电阻区域或扩散电阻体。在该扩散电阻体的周围,形成用于防止沟道的产生的与半导体基板导电性相同的高浓度杂质扩散层。使用保护膜覆盖该半导体基板上表面或表面,进行蚀刻而除去上述扩散电阻区域的一部分以及高浓度杂质扩散层的一部分的上表面上的保护膜部分、即与上述电极连接的部分中的保护膜。
然后,使用铝等的导体膜来形成电极,从而能够与外部电路连接。
例如,当N型硅基板的电位比P型扩散电阻体或扩散电阻区域的电位低时,会产生漏泄,所以利用正(+)侧电极将高浓度N型杂质扩散层和P型扩散电阻区域或扩散电阻体进行连接而使成为相同电位。并且,为了获得该扩散电阻体和电极的欧姆接触(ohmic contact),优选在该电极的下部设置与扩散电阻体导电性相同的高浓度扩散层。
(实施例1)
接下来,基于图1至图6说明本发明的半导体变形测量仪的具体实施例。
以下,参照附图,说明本发明的实施例1。图1为示出基本结构体的图,示出了适用于单一元件的本发明的实施例1。(a)为垂直剖面图,(b)为从(a)的向视B-B线方向观察到的俯视图。在作为半导体基板的N型单晶硅基板6的表面上,使杂质扩散而形成相反导电性的P型扩散电阻区域(扩散电阻体)7。在该P型扩散电阻区域7的表面上,使用SiO2等的氧化膜等形成了保护膜8,进行蚀刻而除去该保护膜8的一部分,在该部位使用铝等的金属膜来形成电极9a、9b。本发明的特征在于:形成高浓度N型杂质扩散层10以包围P型扩散电阻区域7的周围。并且,在该实施例1中将正(+)侧的电极9a连接到高浓度N型杂质扩散层10。
(实施例2)
接下来,说明本发明的实施例2。图2是具备与图1示出的本发明的实施例1大概相同的结构的半导体变形测量仪。(a)为垂直剖面图,(b)为从(a)的向视C-C线方向观察到的俯视图。与该实施例1之间的区别点为,采用了如下的结构:在上述实施例1中示出的电极9a、9b的下表面上,形成高浓度P型杂质扩散层11,从而将该电极9a、9b和所述P型扩散电阻区域7进行了欧姆连接。
其他的结构要素与所述的实施例1相同,赋予相同编号和相同标号,省略其说明。
(实施例3)
接下来,说明本发明的实施例3。图3示出适用于单一元件的本发明的实施例3。(a)为垂直剖面图,(b)为从(a)的向视D-D线方向观察到的俯视图。
在作为半导体基板的P型单晶硅基板12的表面上,使杂质扩散而形成相反导电性的N型扩散电阻区域(N型扩散电阻体)13。在该N型扩散电阻区域13的表面上,使用SiO2等的氧化膜等形成保护膜8,对该保护膜8的一部分进行蚀刻,使用铝等的金属膜形成电极9a、9b。在该电极9a、9b的下表面上,形成高浓度N型杂质扩散层14。本发明的特征在于:形成高浓度P型杂质扩散层15以便包围所述N型扩散电阻区域13的周围。在该实施例3中,将负(-)侧的电极9b连接到高浓度P型杂质扩散层15。
图4至图6为分别示出本发明的其他的实施例、即实施例4至实施例6的俯视图。另外,各俯视图示出了保护膜下方的半导体基板的上表面。为便于说明,在各图中使用单点虚线来示出了存在于半导体基板上方的电极的俯视形状和位置。
图4为将P型扩散电阻区域16设为半桥结构(halfbridge)的图,因为使用了P型电阻体,所以将正(+)侧电极9a和高浓度N型杂质扩散层17进行了连接。在扩散电阻区域使用了N型电阻体的情况下,只要将负(-)侧电极9b和P型高浓度杂质扩散层(未图示)连接即可。并且,也可以将位于中间的中间电极9c设为正(+)电极9a,与高浓度N型杂质扩散层17连接来实施。
图5示出与图4导电性相同的半导体基板,但是高浓度N型杂质扩散层的形状不同的实施例。与P型扩散电阻区域16的形状相配合地将高浓度N型杂质扩散层18折曲而形成。
在图6中示出将P型扩散电阻区域19设为全桥(full bridge)结构,在P型扩散电阻区域19的外侧和内侧分别形成高浓度N型杂质扩散层20a、20b,将该形成的外侧和内侧的各自的高浓度N型杂质扩散层20a、20b和正(+)侧电极9a连接。
另外,图4至图6示出的实施例的其他结构要素与所述的实施例1相同,所以此处省略其说明。
接下来,说明本发明的半导体变形测量仪的制造方法,从而使本发明变得明确。
本发明的半导体变形测量仪的制造方法的步骤如下。
(1)在规定的导电性的半导体基板、即N型或P型单晶硅基板6、12的表面上,形成成为与该半导体基板的导电性相反的P型或N型的扩散电阻区域7、13的杂质扩散层。
(2)在该P型或N型扩散电阻区域7、13的周围,形成与该一个半导体基板的导电性相同且与该半导体基板相比掺杂了高浓度的杂质的高浓度N型或P型杂质扩散层10、15。可以以与P型或N型扩散电阻区域7、13相隔5μm左右的间隔来形成该高浓度N型或P型杂质扩散层10、15。如果高浓度N型或P型杂质扩散层10、15和P型或N型扩散电阻区域7、13的间隔扩大,则使半导体变形测量仪的输出的电阻值稳定的效果将会消失,所以可以将上述间隔设为3mm左右以下的范围。
(3)在该半导体基板的表面上形成保护膜8。
(4)除去上述P型或N型扩散电阻区域7、13这两个部位的一部分和上述高浓度N型或P型杂质扩散层10、15的一部分的上表面上的所述保护膜8。
(5)形成两个电极9a、9b,所述电极9a、9b中的一方与除去了保护膜8的P型或N型扩散电阻区域7、13的一个部位连接,另一方与除去了保护膜8的高浓度N型或P型杂质扩散层10、15以及P型或N型扩散电阻区域7、13的另一个部位连接。
接下来,说明试作例。在N型半导体基板上,通过使P型电阻体扩散而形成为使电阻值为3.5kΩ。分别在正(+)侧电极的下部形成高浓度N型杂质扩散层,在负(-)侧电极的下部形成高浓度N型杂质扩散层。在N型半导体基板的表面,形成1μm的SiO2绝缘保护膜,在通过蚀刻形成了窗之后,形成1μm厚的铝电极。研磨该N型半导体基板的背面而加工到25μm的厚度,进行切割(dice)而得到元件。
当设电阻率为0.03Ω·cm时,将试作品的电阻体的尺寸中的剖面面积设为60μm2(宽30μm、深2μm)、长度设为750μm。可以使元件的大小为0.36mm×2.73mm×0.025mm。试作品的测量率G为G=(ΔR/R)·(1/ε)(其中,ε:变形,ΔR/R:电阻变化率),为约100。
Claims (8)
1.一种半导体变形测量仪,所述半导体变形测量仪具备:规定的导电性的半导体基板;扩散电阻区域,其形成在该半导体基板的表面且与该半导体基板的导电性相反;以及电极,其设置在该扩散电阻区域的两端部,其特征在于,在所述扩散电阻区域的周围,具备与所述半导体基板相比掺杂了高浓度的杂质的、与所述半导体基板的导电性相同的高浓度杂质扩散层,所述电极中的一方延伸形成至该高浓度杂质扩散层、连接了所述扩散电阻区域和该高浓度杂质扩散层,在所述电极上施加不会发生从该扩散电阻区域到该高浓度杂质扩散层的漏泄的电压。
2.一种半导体变形测量仪,所述半导体变形测量仪具备:规定的导电性的半导体基板;扩散电阻区域,其形成在该半导体基板的表面且与该半导体基板的导电性相反;以及电极,其设置在该扩散电阻区域的两端部以及中间部以便构成半桥结构,其特征在于,在所述扩散电阻区域的周围,具备与所述半导体基板相比掺杂了高浓度的杂质的、与所述半导体基板的导电性相同的高浓度杂质扩散层,所述电极中的任一方延伸形成至该高浓度杂质扩散层、连接了所述扩散电阻区域和该高浓度杂质扩散层,在所述电极上施加不会发生从该扩散电阻区域到该高浓度杂质扩散层的漏泄的电压。
3.一种半导体变形测量仪,所述半导体变形测量仪具备:规定的导电性的半导体基板;扩散电阻区域,其形成在该半导体基板的表面且与该半导体基板的导电性相反;以及电极,其设置在该扩散电阻区域的四个部位上以便构成全桥结构,其特征在于,在所述扩散电阻区域的周围,具备与所述半导体基板相比掺杂了高浓度的杂质的、与所述半导体基板的导电性相同的高浓度杂质扩散层,所述电极中的任一方延伸形成至该高浓度杂质扩散层、连接了所述扩散电阻区域和该高浓度杂质扩散层,在所述电极上施加不会发生从该扩散电阻区域到该高浓度杂质扩散层的漏泄的电压。
4.根据权利要求1、或2或3所述的半导体变形测量仪,其特征在于,在所述扩散电阻区域的一部分上形成有与所述半导体基板的导电性相反的高浓度杂质扩散层,并且与所述电极连接。
5.根据权利要求1、或2或3所述的半导体变形测量仪,其特征在于,所述扩散电阻区域和所述高浓度杂质扩散层的间隔为5μm以上。
6.一种半导体变形测量仪的制造方法,其特征在于,在规定的导电性的半导体基板的表面上形成与该半导体基板的导电性相反的扩散电阻区域,在所述扩散电阻区域的周围形成与所述半导体基板相比掺杂了高浓度的杂质的、与所述半导体基板的导电性相同的高浓度杂质扩散层,在所述半导体基板的表面形成保护膜,除去所述扩散电阻区域的两个部位的一部分以及所述高浓度杂质扩散层的一部分的上表面上的所述保护膜部分,形成两个电极膜,所述两个电极膜中的一方连接到所述扩散电阻区域的一个部位,另一方连接到所述高浓度杂质扩散层以及该扩散电阻区域的另一个部位。
7.一种半导体变形测量仪的制造方法,其特征在于,在规定的导电性的半导体基板的表面上形成与该半导体基板的导电性相反且为半桥结构的扩散电阻区域,在所述扩散电阻区域的周围形成与所述半导体基板相比掺杂了高浓度的杂质的、与所述半导体基板的导电性相同的高浓度杂质扩散层,在所述半导体基板的表面形成保护膜,除去所述扩散电阻区域的三个部位的一部分以及所述高浓度杂质扩散层的一部分的上表面上的所述保护膜部分,形成三个电极膜,所述三个电极膜中的任一方与所述高浓度杂质扩散层连接。
8.一种半导体变形测量仪的制造方法,其特征在于,在规定的导电性的半导体基板的表面上形成与该半导体基板的导电性相反且为全桥结构的扩散电阻区域,在所述扩散电阻区域的周围形成与所述半导体基板相比掺杂了高浓度的杂质的高浓度杂质扩散层,在所述半导体基板的表面形成保护膜,除去所述扩散电阻区域的四个部位的一部分以及所述高浓度杂质扩散层的两个部位的一部分的上表面上的所述保护膜部分,形成四个电极膜,所述四个电极膜中的任一方与所述高浓度杂质扩散层连接。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006127267 | 2006-05-01 | ||
JP2006-127267 | 2006-05-01 | ||
JP2006127267 | 2006-05-01 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101068032A CN101068032A (zh) | 2007-11-07 |
CN101068032B true CN101068032B (zh) | 2010-09-29 |
Family
ID=38648797
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2007101077848A Expired - Fee Related CN101068032B (zh) | 2006-05-01 | 2007-04-30 | 半导体变形测量仪及其制造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7666699B2 (zh) |
CN (1) | CN101068032B (zh) |
TW (1) | TWI416739B (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4810690B2 (ja) | 2008-11-11 | 2011-11-09 | 株式会社豊田中央研究所 | 力検知素子 |
US10491177B2 (en) * | 2015-07-30 | 2019-11-26 | Circuit Seed, Llc | Multi-stage and feed forward compensated complementary current field effect transistor amplifiers |
JP7298092B2 (ja) * | 2019-01-30 | 2023-06-27 | ミネベアミツミ株式会社 | センサ装置 |
EP3832279B1 (en) * | 2019-12-06 | 2023-11-29 | Melexis Technologies NV | Semiconductor stress sensor |
US11906375B1 (en) * | 2021-03-23 | 2024-02-20 | Piezo-Metrics Inc | Semiconductor strain gage and method of fabrication |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5231301A (en) * | 1991-10-02 | 1993-07-27 | Lucas Novasensor | Semiconductor sensor with piezoresistors and improved electrostatic structures |
CN1432801A (zh) * | 2003-02-28 | 2003-07-30 | 北京大学 | Mems压阻式压力传感器芯片及其制备方法 |
CN1715854A (zh) * | 2004-06-29 | 2006-01-04 | 株式会社电装 | 压力传感器 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4498229A (en) * | 1982-10-04 | 1985-02-12 | Becton, Dickinson And Company | Piezoresistive transducer |
JP2729005B2 (ja) * | 1992-04-01 | 1998-03-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
JPH06204408A (ja) * | 1993-01-07 | 1994-07-22 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置用拡散抵抗 |
JP3344138B2 (ja) * | 1995-01-30 | 2002-11-11 | 株式会社日立製作所 | 半導体複合センサ |
JP3624597B2 (ja) * | 1996-12-10 | 2005-03-02 | 株式会社デンソー | 半導体装置及びその製造方法 |
JP3426498B2 (ja) * | 1997-08-13 | 2003-07-14 | 株式会社日立ユニシアオートモティブ | 圧力センサ |
WO2000047969A1 (en) * | 1999-02-15 | 2000-08-17 | Yamatake Corporation | Semiconductor pressure sensor |
US6635910B1 (en) * | 1999-07-22 | 2003-10-21 | Measurement Specialties, Inc. | Silicon strain gage having a thin layer of highly conductive silicon |
JP2001264188A (ja) | 2000-03-21 | 2001-09-26 | Olympus Optical Co Ltd | 半導体歪ゲージおよび半導体歪ゲージの製造方法 |
JP2002190607A (ja) * | 2000-12-22 | 2002-07-05 | Denso Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US6595056B2 (en) | 2001-02-07 | 2003-07-22 | Litton Systems, Inc | Micromachined silicon gyro using tuned accelerometer |
JP2003004567A (ja) * | 2001-06-19 | 2003-01-08 | Omron Corp | 圧力センサ及び血圧計 |
US6823744B2 (en) * | 2002-01-11 | 2004-11-30 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Six-axis force sensor |
JP3713008B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2005-11-02 | 長野計器株式会社 | 歪み量検出装置の製造方法 |
JP3915715B2 (ja) * | 2003-03-07 | 2007-05-16 | 株式会社デンソー | 半導体圧力センサ |
JP4452526B2 (ja) * | 2004-03-03 | 2010-04-21 | 長野計器株式会社 | 歪検出素子及び圧力センサ |
TWI286383B (en) * | 2005-12-23 | 2007-09-01 | Delta Electronics Inc | Semiconductor piezoresistive sensor and operation method thereof |
JP4697004B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2011-06-08 | 株式会社日立製作所 | 力学量測定装置 |
-
2007
- 2007-04-25 TW TW096114541A patent/TWI416739B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-04-30 CN CN2007101077848A patent/CN101068032B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-05-01 US US11/799,412 patent/US7666699B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-11-12 US US12/590,694 patent/US8063457B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5231301A (en) * | 1991-10-02 | 1993-07-27 | Lucas Novasensor | Semiconductor sensor with piezoresistors and improved electrostatic structures |
CN1432801A (zh) * | 2003-02-28 | 2003-07-30 | 北京大学 | Mems压阻式压力传感器芯片及其制备方法 |
CN1715854A (zh) * | 2004-06-29 | 2006-01-04 | 株式会社电装 | 压力传感器 |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
CN 1715854 A,全文. |
JP特开2001-264188A 2001.09.26 |
JP特表2004-531699A 2004.10.14 |
同上. |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070254387A1 (en) | 2007-11-01 |
US20100065933A1 (en) | 2010-03-18 |
TW200743221A (en) | 2007-11-16 |
US8063457B2 (en) | 2011-11-22 |
TWI416739B (zh) | 2013-11-21 |
US7666699B2 (en) | 2010-02-23 |
CN101068032A (zh) | 2007-11-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR930003148B1 (ko) | 반도체 압력 감지장치 | |
KR100502497B1 (ko) | 다이어프램식 반도체 압력 센서 | |
WO2017028466A1 (zh) | 一种mems应变计芯片及其制造工艺 | |
CN100374838C (zh) | 单片硅基soi高温低漂移压力传感器 | |
US7926354B2 (en) | Semiconductor pressure sensor and method of producing the same | |
JP2560140B2 (ja) | 半導体装置 | |
CN101068032B (zh) | 半导体变形测量仪及其制造方法 | |
CN104062463B (zh) | 一种压阻式加速度传感器及其制造方法 | |
EP0671629A3 (en) | Semiconductor acceleration sensor and manufacturing method thereof | |
US5412993A (en) | Pressure detection gage for semiconductor pressure sensor | |
KR20010074906A (ko) | 마이크로 기계 부품 및 그의 제조 방법 | |
JPH0239574A (ja) | 半導体圧力センサ | |
US6510742B1 (en) | Sensor formed on silicon on insulator structure and having reduced power up drift | |
JPS5828876A (ja) | 半導体圧力センサ装置 | |
JP5191030B2 (ja) | 半導体歪みゲージ | |
US6184774B1 (en) | Semiconductor pressure detecting device with piezo resistance crossing grain boundaries | |
JP2715738B2 (ja) | 半導体応力検出装置 | |
US5223444A (en) | Method for making a pressure sensor of the semiconductor-on-insulator type | |
JPH0337534A (ja) | 半導体歪検出装置 | |
JPH01236659A (ja) | 半導体圧力センサ | |
TWI247102B (en) | Semiconductor pressure sensor and method of making the same | |
CN117804647A (zh) | 一种高温高灵敏度压力传感器芯片及加工方法 | |
JPH04262578A (ja) | 半導体装置 | |
JPH07302917A (ja) | 半導体圧力センサ | |
JP2717033B2 (ja) | 半導体集積回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C17 | Cessation of patent right | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20100929 Termination date: 20140430 |