CN101047141A - 平坦度调整***及可调变针型承载吸盘 - Google Patents

平坦度调整***及可调变针型承载吸盘 Download PDF

Info

Publication number
CN101047141A
CN101047141A CNA2006101000235A CN200610100023A CN101047141A CN 101047141 A CN101047141 A CN 101047141A CN A2006101000235 A CNA2006101000235 A CN A2006101000235A CN 200610100023 A CN200610100023 A CN 200610100023A CN 101047141 A CN101047141 A CN 101047141A
Authority
CN
China
Prior art keywords
thimble
flatness
modulation
recess
base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2006101000235A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100490109C (zh
Inventor
林本坚
高蔡胜
陈政宏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Original Assignee
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd filed Critical Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Publication of CN101047141A publication Critical patent/CN101047141A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100490109C publication Critical patent/CN100490109C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本发明提供一种平坦度调整***及可调变针型承载吸盘。该平坦度调整***包括可调变针型承载吸盘、平坦度检测装置以及长度控制装置。该可调变针型承载吸盘具有底座以及至少一可调变顶针。该平坦度检测装置设置于该可调变针型承载吸盘之上。该长度控制装置电性连接于该平坦度检测装置以及该可调变顶针,以及该长度控制装置用以改变该可调变顶针的长度。使用本发明,可以很好地调整基材的待测表面的平坦度。

Description

平坦度调整***及可调变针型承载吸盘
技术领域
本发明涉及一种平坦度调整***,特别涉及一种可调整基材的平坦度的平坦度调整***。
背景技术
在目前的半导体制造工艺中,针型承载吸盘(pin chuck)已被广泛地应用来承载晶片(wafer),以便在晶片上进行曝光(exposure)等工艺。
请参阅图1,一种公知的针型承载吸盘1主要包括有底座11、真空管路12、多个中空针型承载元件13以及两个干扰性反射镜片(interferometermirror)14。多个中空针型承载元件13均匀地成形于底座11之上,而真空管路12是位于底座11之中,并且真空管路12是连通于每一个中空针型承载元件13的中空内部。两个干扰性反射镜片14设置于底座11的两侧上,其可用来定位晶片W的位置。
如图1所示,当晶片W被放置于底座11以及多个中空针型承载元件13之上后,利用真空抽气装置15来对真空管路12抽气,可使得晶片W的下表面被牢牢地吸附于底座11以及多个中空针型承载元件13之上,接着,在晶片W的上表面即可进行曝光等工艺。
请参阅图2,另一种公知的针型承载吸盘2主要包括有底座21、真空管路22、多个实心针型承载元件23以及两个干扰性反射镜片(interferometermirror)24。多个实心针型承载元件23也是均匀地成形于底座21之上,而真空管路22位于底座21之中以及多个实心针型承载元件23的下方。两个干扰性反射镜片24设置于底座21的两侧上,其也可用来定位晶片W的位置。
如图2所示,当晶片W被放置于底座21以及多个实心针型承载元件23之上后,利用真空抽气装置25来对真空管路22抽气,可使得晶片W的下表面被牢牢地吸附于底座21以及多个实心针型承载元件23之上,接着,在晶片W的上表面即可进行曝光等工艺。
然而,针型承载吸盘1、2在应用时会具有问题,也就是说,晶片W虽可牢牢地被吸附于针型承载吸盘1、2之上,但晶片W的表面通常都是不平坦的。更详细地说,当晶片W的上表面不平坦时,曝光工艺的结果就会受到影响,或甚至使得曝光工艺无法进行。
举例来说,如图3所示,步进式或扫描式曝光设备3是位于针型承载吸盘1的上方,并且步进式或扫描式曝光设备3主要包括有光源31、光掩模32以及镜头33。当步进式或扫描式曝光设备3对设置于晶片W的上表面上的光致抗蚀剂(photoresist)4进行曝光时,针型承载吸盘1(或针型承载吸盘1及步进式或扫描式曝光设备3)会做横向移动。然而,由于步进式或扫描式曝光设备3的镜头33与晶片W的光致抗蚀剂4之间的距离D通常都很小(例如在1mm至10mm之间),由不平坦的晶片W表面所造成的距离D改变将会导致其光致抗蚀剂离开镜头33的对焦范围。
发明内容
本发明基本上采用如下所详述的特征以为了要解决上述的问题。也就是说,本发明的一个目的为提供一种平坦度调整***,其包括可调变针型承载吸盘,用以承载基材,并且具有底座以及至少一可调变顶针,其中,该底座具有凹入部以及抽气管路,该抽气管路连接于该凹入部,以及该可调变顶针设置于该凹入部之中;抽气装置,连接于该底座的该抽气管路,用以对该凹入部抽气以使该基材被吸附于该底座与该可调变顶针之上;平坦度检测装置,设置于该可调变针型承载吸盘之上,用以检测该基材的待测表面的平坦度;以及长度控制装置,电性连接于该平坦度检测装置以及该可调变顶针,其中,该长度控制装置根据该平坦度检测装置所检测的该基材的该待测表面的平坦度来改变该可调变顶针的长度,以调整该基材的该待测表面的平坦度。
同时,根据本发明的上述目的,该平坦度检测装置还具有光源模块、分光镜、光学平坦玻璃以及接收器,该光源模块设置于该分光镜之上,该分光镜设置于该光学平坦玻璃之上,该光学平坦玻璃设置于该基材之上,以及该接收器设置于该分光镜的一侧边上,并且电性连接于该长度控制装置。
又根据上述目的,该光学平坦玻璃还具有半反射面,大致上平行于该基材的该待测表面。
又根据上述目的,该接收器为CCD传感器。
又根据上述目的,该平坦度检测装置为气压测距计。
又根据上述目的,该气压测距计还具有至少一吹气管路以及至少一压力传感器,该吹气管路间隔于该基材的该待测表面,以及该压力传感器设置于该吹气管路之上,并且电性连接于该长度控制装置。
又根据上述目的,该平坦度检测装置为电容测距计。
又根据上述目的,该电容测距计还具有至少一金属片,大致上平行于该基材的该待测表面。
又根据上述目的,该平坦度检测装置还具有光源模块以及光线接收器,该光源模块以预定距离连接于该光线接收器,该光线接收器电性连接于该长度控制装置,该光源模块与该光线接收器相对移动于该基材的该待测表面之上,该光源模块以预定夹角对该基材的该待测表面发射光束,以及该光束经由该待测表面反射而由该光线接收器所接收。
又根据上述目的,该可调变顶针由压电材料所制成。
又根据上述目的,该可调变顶针还具有压电元件以及承载元件,该压电元件设置于该底座之上,并且电性连接于该长度控制装置,以及该承载元件设置于该压电元件之上,并且用以承载该基材。
又根据上述目的,该承载元件还具有L形通孔,连通于该凹入部。
又根据上述目的,该可调变顶针还包括中空柱体以及压电元件,该中空柱体连接于该抽气管路,并且用以承载该基材,该中空柱体的外壁具有环形凹槽,该压电元件设置于该环形凹槽之中,并且电性连接于该长度控制装置。
本发明的另一目的为提供一种可调变针型承载吸盘,其包括底座,具有凹入部以及抽气管路,其中,该抽气管路连接于该凹入部;以及至少一可调变顶针,设置于该凹入部之中,其中,该底座以及该可调变顶针承载基材,该凹入部经由该抽气管路被抽气以使该基材被吸附于该底座与该可调变顶针之上,以及该可调变顶针可做伸缩变形以调整该基材的平坦度。
又根据上述目的,该可调变顶针由压电材料所制成。
又根据上述目的,该可调变顶针还包括压电元件以及承载元件,该压电元件设置于该底座之上,以及该承载元件设置于该压电元件之上,用以承载该基材。
又根据上述目的,该承载元件还具有L形通孔,连通于该凹入部。
又根据上述目的,该可调变顶针还具有中空柱体以及压电元件,该中空柱体连接于该抽气管路,并且用以承载该基材,该中空柱体的外壁具有环形凹槽,该压电元件设置于该环形凹槽之中。
本发明的又一目的为提供一种可调变针型承载吸盘,包括:底座,具有凹入部以及抽气管路,其中,该抽气管路连接于该凹入部;多个可调变顶针,设置于该凹入部之中;以及多个固定式顶针,设置于该凹入部之中,其中,所述可调变顶针以及所述固定式顶针彼此交错地设置于该凹入部之中,该底座、所述可调变顶针以及所述固定式顶针承载基材,该凹入部经由该抽气管路被抽气以使该基材被吸附于该底座、所述可调变顶针以及所述固定式顶针之上,以及所述可调变顶针用以做伸缩变形以调整该基材的平坦度。
使用本发明,可以很好地调整基材的待测表面的平坦度。
为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例并配合附图做详细说明。
附图说明
图1显示一种公知的针型承载吸盘的剖面示意图;
图2显示另一种公知的针型承载吸盘的剖面示意图;
图3显示根据图1的针型承载吸盘的一种工艺应用示意图;
图4显示本发明的第一个实施例的平坦度调整***的示意图;
图5显示本发明的第两个实施例的平坦度调整***的示意图;
图6显示本发明的第三个实施例的平坦度调整***的示意图;
图7显示本发明的第四个实施例的平坦度调整***的示意图;
图8显示本发明的一种可调变针型承载吸盘的剖面示意图;
图9A显示本发明的一种可调变针型承载吸盘的剖面示意图;
图9B显示根据图9A的部分放大示意图;以及
图10显示本发明的一种可调变针型承载吸盘的剖面示意图。
其中,附图标记说明如下:
1、2针型承载吸盘
3步进式或扫描式曝光设备
4光致抗蚀剂
11、21底座
12、22真空管路
13中空针型承载元件
14、24、118干扰性反射镜片
15、25真空抽气装置
23实心针型承载元件
31光源
32光掩模
33镜头
100、200、300、400平坦度调整***
110、110’、110”、110可调变针型承载吸盘
111~底座
112、112’、112”、112可调变顶针
113凹入部
114抽气管路
115、115’压电元件
116承载元件
117L形通孔
119中空柱体
119a环形凹槽
120抽气装置
130、230、330、430平坦度检测装置
131光源模块
132分光镜
133光学平坦玻璃
134接收器
135半反射面
140长度控制装置
231吹气管路
232压力传感器
331金属片
431光源模块
432光线接收器
D距离
L1、L2光束
P固定式顶针
S基材
S1待测表面
W晶片
θ夹角
具体实施方式
现配合附式说明本发明的较佳实施例。
第一实施例
请参阅图4,本实施例的平坦度调整***100主要包括有可调变针型承载吸盘110、抽气装置120、平坦度检测装置130以及长度控制装置140。
再如图4所示,可调变针型承载吸盘110具有底座111以及多个可调变顶针112。同时,底座111还具有凹入部113以及抽气管路114,抽气管路114是连接于凹入部113,而多个可调变顶针112是均匀地排列设置于凹入部113之中。在本实施例之中,每一个可调变顶针112还具有压电元件115以及承载元件116,压电元件115设置于底座111之上,而承载元件116设置于压电元件115之上。此外,每一个承载元件116还具有L形通孔117,此L形通孔117仍连通于底座111的凹入部113。
抽气装置120是连接于底座111的抽气管路114。
平坦度检测装置130设置于可调变针型承载吸盘110之上。更详细地说,本实施例的平坦度检测装置130具有光源模块131、分光镜132、光学平坦玻璃133以及接收器134。光源模块131设置于分光镜132之上,分光镜132设置于光学平坦玻璃133之上,而接收器134则设置于分光镜132的一侧边上。此外,光学平坦玻璃133还具有半反射面135,此反射面135是非常平坦的,而可作为基准参考面。至于接收器134则可以是CCD传感器。
长度控制装置140是分别地电性连接于平坦度检测装置130以及每一个可调变顶针112。更详细地说,长度控制装置140分别地电性连接于平坦度检测装置130的接收器134以及每一个可调变顶针112的压电元件115。
此外,两个干扰性反射镜片118还可分别设置于可调变针型承载吸盘110的底座111的两侧上。
接下来将说明本实施例的平坦度调整***100调整基材S的平坦度的操作方式。
仍如图4所示,首先,将基材S放置于可调变针型承载吸盘110的底座111及多个可调变顶针112上,并且基材S是利用两个干扰性反射镜片118而定位于底座111及多个可调变顶针112之上。此时,基材S的待测表面S1是面向光学平坦玻璃133的半反射面135,并且待测表面S1是大致上平行于光学平坦玻璃133的半反射面135。接着,利用抽气装置120经由抽气管路114来对可调变针型承载吸盘110的底座111的凹入部113抽气,使得基材S被吸附于底座111以及多个可调变顶针112之上。然后,以平坦度检测装置130来检测基材S的待测表面S1的平坦度。更详细地说,平坦度检测装置130的光源模块131会发出多条平行光束L1来射向基材S,每一条光束L1在穿过分光镜132后,一部分会被光学平坦玻璃133的半反射面135所反射,而另一部分会穿透半反射面135而被基材S的待测表面S1所反射,此分别被半反射面135及待测表面S1所反射的光束会再经由分光镜132的反射而同时射向接收器134,并由接收器134所接收。特别地,由于反射面135是基准参考面,因此,就单一光束L1从待测表面S1上的特定位置反射回接收器134以及从对应此特定位置的反射面135反射回接收器134而言,其会因待测表面S1与反射面135间不平行的缘故而在接收器134上产生相位差,并因而产生干涉条纹(fringes)。此时,长度控制装置140即可根据接收器134上的干涉条纹来判断待测表面S1的平坦度,并可根据需求来输出正电压或负电压给对应或特定的压电元件115,以迫使压电元件115伸长或缩短。此时,由于基材S是被吸附于底座111与多个可调变顶针112之上,故当压电元件115伸长或缩短时,压电元件115即会迫使基材S(或待测表面S1)产生变形,使得待测表面S1的平坦度被调整至符合需求为止。
第二实施例
在本实施例中,与第一实施例相同的元件均标示以相同的符号。
请参阅图5,本实施例的平坦度调整***200主要包括有可调变针型承载吸盘110、抽气装置120、平坦度检测装置230以及长度控制装置140。
仍如图5所示,平坦度检测装置230设置于可调变针型承载吸盘110之上。更详细地说,本实施例的平坦度检测装置230是气压测距计,并且具有多个吹气管路231以及多个压力传感器232。每一个压力传感器232设置于每一个吹气管路231之上,并且电性连接于长度控制装置140。
至于本实施例的其它元件构造或特征均与第一实施例相同,故为了使本发明的说明书内容能更清晰易懂起见,在此省略其重复的说明。
接下来将说明本实施例的平坦度调整***200调整基材S的平坦度的操作方式。
仍如图5所示,首先,将基材S放置于可调变针型承载吸盘110的底座111及多个可调变顶针112上,并且基材S是利用两个干扰性反射镜片118而定位于底座111及多个可调变顶针112之上。此时,基材S的待测表面S1是面向多个吹气管路231,并且多个吹气管路231皆是间隔于基材S的待测表面S1。接着,利用抽气装置120经由抽气管路114来对可调变针型承载吸盘110的底座111的凹入部113抽气,使得基材S被吸附于底座111与多个可调变顶针112之上。然后,以平坦度检测装置230来检测基材S的待测表面S1的平坦度。更详细地说,多个吹气管路231会同时吹出气体,而由于每一个吹气管路231皆是间隔于待测表面S1,故从吹气管路231所吹出的气体会因待测表面S1的阻挡而使吹气管路231中的气压产生变化,也就是说,吹气管路231与待测表面S1之间的距离会影响吹气管路231中的气压值,理论上,当待测表面S1非常平坦时,各吹气管路231中的气压值应为相同。因此,利用多个压力传感器232分别读取多个吹气管路231中的气压值,并传送至长度控制装置140之中,即可判断待测表面S1的平坦度。此时,长度控制装置140可根据需求来输出正电压或负电压给对应或特定的压电元件115,以迫使压电元件115伸长或缩短。此时,由于基材S是被吸附于底座111与多个可调变顶针112之上,故当压电元件115伸长或缩短时,压电元件115即会迫使基材S(或待测表面S1)产生变形,使得待测表面S1的平坦度被调整至符合需求为止。
第三实施例
在本实施例中,与第一实施例相同的元件均标示以相同的符号。
请参阅图6,本实施例的平坦度调整***300主要包括有可调变针型承载吸盘110、抽气装置120、平坦度检测装置330以及长度控制装置140。
仍如图6所示,平坦度检测装置330设置于可调变针型承载吸盘110之上。更详细地说,本实施例的平坦度检测装置330是电容测距计,此电容测距计具有多个平行的金属片331,并且多个金属片331皆电性连接于长度控制装置140。
至于本实施例的其它元件构造或特征均与第一实施例相同,故为了使本发明的说明书内容能更清晰易懂起见,在此省略其重复的说明。
接下来将说明本实施例的平坦度调整***300调整基材S的平坦度的操作方式。
仍如图6所示,首先,将基材S放置于可调变针型承载吸盘110的底座111及多个可调变顶针112上,并且基材S是利用两个干扰性反射镜片118而定位于底座111及多个可调变顶针112之上。此时,基材S的待测表面S1是面向多个金属片331,并且多个金属片331皆是间隔于基材S的待测表面S1。接着,利用抽气装置120经由抽气管路114来对可调变针型承载吸盘110的底座111的凹入部113抽气,使得基材S被吸附于底座111与多个可调变顶针112之上。然后,以平坦度检测装置(电容测距计)330来检测基材S的待测表面S1的平坦度。更详细地说,每一个金属片331都会被通以交流电压,而由于每一个金属片331皆是间隔于待测表面S1,故当基材S也为金属时,每一个金属片331与待测表面S1之间便会产生电容值。特别地,每一个金属片331与待测表面S1之间的电容值会随其彼此之间的距离而有所不同,理论上,当每一个金属片331与待测表面S1之间的距离愈小时,其彼此之间的电容值就会愈大。因此,长度控制装置140利用读取每一个金属片331与待测表面S1之间的电容值大小,即可判断待测表面S1的平坦度。此时,长度控制装置140可根据需求来输出正电压或负电压给对应或特定的压电元件115,以迫使压电元件115伸长或缩短。此时,由于基材S是被吸附于底座111与多个可调变顶针112之上,故当压电元件115伸长或缩短时,压电元件115即会迫使基材S(或待测表面S1)产生变形,使得待测表面S1的平坦度被调整至符合需求为止。
第四实施例
在本实施例中,与第一实施例相同的元件均标示以相同的符号。
请参阅图7,本实施例的平坦度调整***400主要包括有可调变针型承载吸盘110、抽气装置120、平坦度检测装置430以及长度控制装置140。
仍如图7所示,平坦度检测装置430设置于可调变针型承载吸盘110之上。更详细地说,本实施例的平坦度检测装置430具有光源模块431以及光线接收器432,光源模块431是以预定距离连接于光线接收器432,而光线接收器432是电性连接于长度控制装置140。特别地,光源模块431与光线接收器432是同时相对移动于基材S的待测表面S1之上。
至于本实施例的其它元件构造或特征均与第一实施例相同,故为了使本发明的说明书内容能更清晰易懂起见,在此省略其重复的说明。
接下来将说明本实施例的平坦度调整***400调整基材S的平坦度的操作方式。
仍如图7所示,首先,将基材S放置于可调变针型承载吸盘110的底座111及多个可调变顶针112上,并且基材S是利用两个干扰性反射镜片118而定位于底座111及多个可调变顶针112之上。此时,基材S的待测表面S1是面向平坦度检测装置430的光源模块431以及光线接收器432,并且待测表面S1是间隔于光源模块431以及光线接收器432。接着,利用抽气装置120经由抽气管路114来对可调变针型承载吸盘110的底座111的凹入部113抽气,使得基材S被吸附于底座111与多个可调变顶针112之上。然后,以平坦度检测装置430来检测基材S的待测表面S1的平坦度。更详细地说,光源模块431可以预定夹角θ对基材S的待测表面S1发射光束L2,而此光束L2在经由待测表面S1反射后会由光线接收器432所接收。当光源模块431以及光线接收器432相对平行移动于待测表面S1之上并持续对待测表面S1发射光束时,光线接收器432即可接收来自待测表面S1上各不同位置的反射光束,因此,长度控制装置140可利用待测表面S1上各不同位置的反射光束的反射角差异来判断待测表面S1的平坦度。此时,长度控制装置140可根据需求来输出正电压或负电压给对应或特定的压电元件115,以迫使压电元件115伸长或缩短。此时,由于基材S是被吸附于底座111与多个可调变顶针112之上,故当压电元件115伸长或缩短时,压电元件115即会迫使基材S(或待测表面S1)产生变形,使得待测表面S1的平坦度被调整至符合需求为止。
特别地,虽然本发明的上述平坦度调整***100、200、300及400是分别用来调整基材S的平坦度,但平坦度调整***100、200、300及400也可以根据需求来分别调整基材S的弯曲度(曲率),而其弯曲度(曲率)调整的操作方式也与上述的平坦度调整的操作方式相同。
此外,当基材S是晶片时,则基材S的平坦度就变得非常重要,特别是当步进式或扫描式曝光设备对基材S(晶片)进行曝光时,基材S(晶片)的表面平坦与否将会影响曝光工艺的进行。
再者,基材S并不局限于为晶片,换句话说,基材S也可以是LCD面板、光掩模(photo mask)等。
特别地,除了以上四个实施例中所揭示的可调变针型承载吸盘110,本发明还揭示有可调变针型承载吸盘110’(如图8所示)、110”(如图9A所示)以及110(如图10所示),以下将分别叙述说明。
如图8所示,在可调变针型承载吸盘110’之中,与可调变针型承载吸盘110相同的元件均标示以相同的符号。可调变针型承载吸盘110’也具有底座111以及多个可调变顶针112’。底座111具有凹入部113以及抽气管路114,抽气管路114是连接于凹入部113,而多个可调变顶针112’是均匀地排列设置于凹入部113之中。特别地,每一个可调变顶针112’都是由压电材料所制成,并且设置于底座111之上。此外,两个干扰性反射镜片118还可分别设置于可调变针型承载吸盘110’的底座111的两侧上。
可调变针型承载吸盘110’也可用来取代平坦度调整***100、200、300及400中的可调变针型承载吸盘110,而多个可调变顶针112’则是直接电性连接于长度控制装置140。
如图9A所示,在可调变针型承载吸盘110”之中,与可调变针型承载吸盘110相同的元件均标示以相同的符号。可调变针型承载吸盘110”也具有底座111以及多个可调变顶针112”。底座111具有凹入部113以及抽气管路114,抽气管路114也是连接于凹入部113,而多个可调变顶针112”是均匀地排列设置于凹入部113之中。特别地,如图9B所示,每一个可调变顶针112”具有中空柱体119以及压电元件115’。中空柱体119是连接于抽气管路114,并且设置于底座111之上。特别地,中空柱体119的外壁还具有环形凹槽119a,压电元件115’则设置于环形凹槽119a之中。此外,如图9A所示,两个干扰性反射镜片118还可分别设置于可调变针型承载吸盘110”的底座111的两侧上。
可调变针型承载吸盘110”也可用来取代平坦度调整***100、200、300及400中的可调变针型承载吸盘110,而多个可调变顶针112”则可利用其压电元件115’来电性连接于长度控制装置140。
如图10所示,在可调变针型承载吸盘110之中,与可调变针型承载吸盘110相同的元件均标示以相同的符号。可调变针型承载吸盘110具有底座111、多个可调变顶针112以及多个固定式顶针P。底座111具有凹入部113以及抽气管路114,抽气管路114是连接于凹入部113,而多个可调变顶针112与多个固定式顶针P则是交错地排列设置于凹入部113之中以及底座111之上。特别地,每一个可调变顶针112都是由压电材料所制成。此外,两个干扰性反射镜片118还可分别设置于可调变针型承载吸盘110的底座111的两侧上。
可调变针型承载吸盘110也可用来取代平坦度调整***100、200、300及400中的可调变针型承载吸盘110,而多个可调变顶针112则是直接电性连接于长度控制装置140。
虽然本发明已以较佳实施例揭示于上,然其并非用以限定本发明,任何本领域的技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作些许的修改与变更,因此本发明的保护范围当视所附的权利要求所界定的范围为准。

Claims (15)

1.一种平坦度调整***,包括:
可调变针型承载吸盘,具有底座以及至少一可调变顶针;
平坦度检测装置,设置于该可调变针型承载吸盘之上;以及
长度控制装置,电性连接于该平坦度检测装置以及该可调变顶针,其中,该长度控制装置用以改变该可调变顶针的长度。
2.根据权利要求1所述的平坦度调整***,其中,该平坦度检测装置还具有光源模块、分光镜、光学平坦玻璃以及接收器,该光源模块设置于该分光镜之上,该分光镜设置于该光学平坦玻璃之上,以及该接收器设置于该分光镜的一侧边上,并且电性连接于该长度控制装置。
3.根据权利要求2所述的平坦度调整***,其中,该光学平坦玻璃还具有半反射面。
4.根据权利要求1所述的平坦度调整***,其中,该平坦度检测装置为气压测距计。
5.根据权利要求4所述的平坦度调整***,其中,该气压测距计还具有至少一吹气管路以及至少一压力传感器,以及该压力传感器设置于该吹气管路之上,并且电性连接于该长度控制装置。
6.根据权利要求1所述的平坦度调整***,其中,该平坦度检测装置为电容测距计。
7.根据权利要求6所述的平坦度调整***,其中,该电容测距计还具有至少一金属片。
8.根据权利要求1所述的平坦度调整***,其中,该平坦度检测装置还具有光源模块以及光线接收器,该光源模块以预定距离连接于该光线接收器,该光线接收器电性连接于该长度控制装置。
9.根据权利要求1所述的平坦度调整***,其中,该可调变顶针由压电材料制成。
10.根据权利要求1所述的平坦度调整***,其中,该可调变顶针还具有压电元件以及承载元件,该压电元件设置于该底座之上,并且电性连接于该长度控制装置,以及该承载元件设置于该压电元件之上。
11.根据权利要求10所述的平坦度调整***,其中,该承载元件还具有L形通孔,连通于该凹入部。
12.根据权利要求1所述的平坦度调整***,其中,该可调变顶针还具有中空柱体以及压电元件,该中空柱体连接于该抽气管路,该中空柱体的外壁具有环形凹槽,该压电元件设置于该环形凹槽之中,并且电性连接于该长度控制装置。
13.根据权利要求1所述的平坦度调整***,其中,该底座具有凹入部以及抽气管路,该抽气管路连接于该凹入部,以及该可调变顶针设置于该凹入部之中。
14.一种可调变针型承载吸盘,包括:
底座,具有凹入部以及抽气管路,其中,该抽气管路连接于该凹入部;以及
至少一可调变顶针,设置于该凹入部之中,其中,该底座以及该可调变顶针承载基材,以及该可调变顶针用以做伸缩变形以调整该基材的平坦度。
15.一种可调变针型承载吸盘,包括:
底座,具有凹入部以及抽气管路,其中,该抽气管路连接于该凹入部;
多个可调变顶针,设置于该凹入部之中;以及多个固定式顶针,设置于该凹入部之中,其中,所述可调变顶针以及所述固定式顶针彼此交错地设置于该凹入部之中,该底座、所述可调变顶针以及所述固定式顶针承载基材,该凹入部经由该抽气管路被抽气以使该基材被吸附于该底座、所述可调变顶针以及所述固定式顶针之上,以及所述可调变顶针用以做伸缩变形以调整该基材的平坦度。
CNB2006101000235A 2006-03-28 2006-06-28 平坦度调整***及可调变针型承载吸盘 Expired - Fee Related CN100490109C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/390,944 2006-03-28
US11/390,944 US7659964B2 (en) 2006-03-28 2006-03-28 Level adjustment systems and adjustable pin chuck thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101047141A true CN101047141A (zh) 2007-10-03
CN100490109C CN100490109C (zh) 2009-05-20

Family

ID=38574987

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2006101000235A Expired - Fee Related CN100490109C (zh) 2006-03-28 2006-06-28 平坦度调整***及可调变针型承载吸盘

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7659964B2 (zh)
CN (1) CN100490109C (zh)
TW (1) TWI313907B (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103165506A (zh) * 2011-12-08 2013-06-19 南亚科技股份有限公司 晶片承载结构
CN103575231A (zh) * 2013-04-19 2014-02-12 帝麦克斯(苏州)医疗科技有限公司 大面积玻片的物体表面轮廓的处理方法
CN104956465A (zh) * 2012-11-30 2015-09-30 株式会社尼康 搬送***、曝光装置、搬送方法、曝光方法及器件制造方法、以及吸引装置
CN108007372A (zh) * 2017-11-28 2018-05-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 基板顶针座的监测方法及监测装置
CN110544644A (zh) * 2019-09-12 2019-12-06 深圳市联润丰电子科技有限公司 一种半封装堆叠晶片检测分类装置
CN112105166A (zh) * 2020-09-02 2020-12-18 深圳市鑫达辉软性电路科技有限公司 一种fpc翘曲修复装置

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8408262B2 (en) * 2009-10-08 2013-04-02 International Business Machines Corporation Adaptive chuck for planar bonding between substrates
US8914143B1 (en) * 2010-04-30 2014-12-16 Applied Materials, Inc. Method and system for handling substrates
US9435991B2 (en) * 2012-03-15 2016-09-06 Dmetrix, Inc. Manipulation of topography of large-format glass slides
CN103084432B (zh) * 2013-01-10 2015-05-20 天津英利新能源有限公司 一种光伏电池片的矫正装置及其所应用的印刷***
KR102507283B1 (ko) * 2015-12-22 2023-03-07 삼성전자주식회사 기판 척 및 이를 포함하는 기판 접합 시스템
US10522385B2 (en) * 2017-09-26 2019-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer table with dynamic support pins

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3110341C2 (de) * 1980-03-19 1983-11-17 Hitachi, Ltd., Tokyo Verfahren und Vorrichtung zum Ausrichten eines dünnen Substrats in der Bildebene eines Kopiergerätes
DE69127335T2 (de) * 1990-10-08 1998-01-15 Canon Kk Projektionsbelichtungsapparat mit einer Vorrichtung zur Ausgleichung der Verzeichnung einer Projektionslinse
EP1052683A4 (en) * 1998-01-29 2004-03-17 Nikon Corp EXPOSURE METHOD AND ASSOCIATED DEVICE
JP2001332609A (ja) * 2000-03-13 2001-11-30 Nikon Corp 基板保持装置及び露光装置
JP4288694B2 (ja) * 2001-12-20 2009-07-01 株式会社ニコン 基板保持装置、露光装置及びデバイス製造方法
US6805338B1 (en) * 2003-06-13 2004-10-19 Lsi Logic Corporation Semiconductor wafer chuck assembly for a semiconductor processing device
EP1491967A1 (en) * 2003-06-27 2004-12-29 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus for positioning a substrate on a substrate table

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103165506A (zh) * 2011-12-08 2013-06-19 南亚科技股份有限公司 晶片承载结构
US10744648B2 (en) 2012-11-30 2020-08-18 Nikon Corporation Carrier system, exposure apparatus, carrier method, exposure method, device manufacturing method, and suction device
US9821469B2 (en) 2012-11-30 2017-11-21 Nikon Corporation Carrier system, exposure apparatus, carrier method, exposure method, device manufacturing method, and suction device
US11511438B2 (en) 2012-11-30 2022-11-29 Nikon Corporation Carrier system, exposure apparatus, carrier method, exposure method, device manufacturing method, and suction device
US11097426B2 (en) 2012-11-30 2021-08-24 Nikon Corporation Carrier system, exposure apparatus, carrier method, exposure method, device manufacturing method, and suction device
US10081108B2 (en) 2012-11-30 2018-09-25 Nikon Corporation Carrier system, exposure apparatus, carrier method, exposure method, device manufacturing method, and suction device
CN104956465A (zh) * 2012-11-30 2015-09-30 株式会社尼康 搬送***、曝光装置、搬送方法、曝光方法及器件制造方法、以及吸引装置
US10384350B2 (en) 2012-11-30 2019-08-20 Nikon Corporation Carrier system, exposure apparatus, carrier method, exposure method, device manufacturing method, and suction device
CN104956465B (zh) * 2012-11-30 2018-05-29 株式会社尼康 搬送***、曝光装置、搬送方法、曝光方法及器件制造方法、以及吸引装置
CN103575231A (zh) * 2013-04-19 2014-02-12 帝麦克斯(苏州)医疗科技有限公司 大面积玻片的物体表面轮廓的处理方法
WO2019104661A1 (zh) * 2017-11-28 2019-06-06 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 基板顶针座的监测方法及监测装置
US10656099B2 (en) 2017-11-28 2020-05-19 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Monitoring method and monitoring apparatus of thimble bases
CN108007372B (zh) * 2017-11-28 2019-09-17 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 基板顶针座的监测方法及监测装置
CN108007372A (zh) * 2017-11-28 2018-05-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 基板顶针座的监测方法及监测装置
CN110544644A (zh) * 2019-09-12 2019-12-06 深圳市联润丰电子科技有限公司 一种半封装堆叠晶片检测分类装置
CN112105166A (zh) * 2020-09-02 2020-12-18 深圳市鑫达辉软性电路科技有限公司 一种fpc翘曲修复装置
CN112105166B (zh) * 2020-09-02 2024-03-29 深圳市鑫达辉软性电路科技有限公司 一种fpc翘曲修复装置

Also Published As

Publication number Publication date
TWI313907B (en) 2009-08-21
CN100490109C (zh) 2009-05-20
US20070236857A1 (en) 2007-10-11
US7659964B2 (en) 2010-02-09
TW200737396A (en) 2007-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101047141A (zh) 平坦度调整***及可调变针型承载吸盘
CN1707248A (zh) 载物台装置和图像测量装置
CN1721842A (zh) 图形检查装置
CN1696672A (zh) 表面检测装置和表面检测方法
CN1313633A (zh) 衬底保持装置和具备该装置的曝光装置
CN1940540A (zh) 缺陷检查装置和缺陷检查方法
CN104928621A (zh) 一种制作掩膜板时使用的张网装置及张网方法
CN1924513A (zh) 用于玻璃面板的微观检测装置
CN1621818A (zh) 玻璃基板的切断面检查装置
CN101046624A (zh) 图案缺陷检查装置、图案缺陷检查方法及光掩模的制造方法
CN1392949A (zh) 光学传感器
CN1574243A (zh) 蚀刻量检测方法、蚀刻方法和蚀刻装置
JP2009239018A (ja) 投影露光装置
CN1808625A (zh) 平台装置
CN1537225A (zh) 宏观照明装置
CN1474236A (zh) 十字标记保持方法、十字标记保持装置以及曝光装置
CN1714298A (zh) 用于接触检验对象的装置及方法
CN1452215A (zh) 图案形成方法
KR20090095837A (ko) 웨이퍼 에지영역 검사장치, 이를 이용하는 웨이퍼 에지영역검사방법 및 웨이퍼 정렬방법
JP5344598B2 (ja) 基板保持装置、欠陥検査装置及び欠陥修正装置
CN1551327A (zh) 基板保持用具、基板处理装置、基板检查装置及使用方法
CN1534386A (zh) 用于光刻设备的支撑结构
CN109702320A (zh) 一种玻璃激光标刻***
KR20130078004A (ko) 유브이 엘이디를 이용한 스캔타입 노광 장치
US10986283B2 (en) Device for inspecting mask plate, method for inspecting mask plate, and corresponding method for controlling light sources

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20090520

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee