CN100578914C - 温度依赖性减小的可变电抗器装置 - Google Patents
温度依赖性减小的可变电抗器装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN100578914C CN100578914C CN200480044193A CN200480044193A CN100578914C CN 100578914 C CN100578914 C CN 100578914C CN 200480044193 A CN200480044193 A CN 200480044193A CN 200480044193 A CN200480044193 A CN 200480044193A CN 100578914 C CN100578914 C CN 100578914C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- capacitor
- pressurizer
- variable reactor
- temperature
- decoupling network
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 46
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims abstract description 28
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H5/00—One-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H5/12—One-port networks comprising only passive electrical elements as network components with at least one voltage- or current-dependent element
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/92—Capacitors having potential barriers
- H01L29/93—Variable capacitance diodes, e.g. varactors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/02—Details
- H03B5/04—Modifications of generator to compensate for variations in physical values, e.g. power supply, load, temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
- H03J3/00—Continuous tuning
- H03J3/02—Details
- H03J3/04—Arrangements for compensating for variations of physical values, e.g. temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
- H03J3/00—Continuous tuning
- H03J3/02—Details
- H03J3/16—Tuning without displacement of reactive element, e.g. by varying permeability
- H03J3/18—Tuning without displacement of reactive element, e.g. by varying permeability by discharge tube or semiconductor device simulating variable reactance
- H03J3/185—Tuning without displacement of reactive element, e.g. by varying permeability by discharge tube or semiconductor device simulating variable reactance with varactors, i.e. voltage variable reactive diodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
Abstract
本发明涉及温度依赖性减小的可变电抗器装置,公开了一种温度稳定性改进的可变电抗器装置(100),该可变电抗器装置(100)包括与去耦网络(150)相连接的第一可变电抗器(160)。所述装置还包括稳压器(110),所述稳压器包括电容器(140)和温度依赖电容器(130),并且其中,所述稳压器包括用于连接到直流电源的装置(120)。合适的是,去耦网络(150)与第一可变电抗器(160)并联连接,而稳压器(110)的电容器(140)与去耦网络(150)并联连接,稳压器(110)的温度依赖电容器(130)与稳压器(110)的电容器(140)串联连接。
Description
技术领域
本发明公开了一种温度稳定性改进的可变电抗器装置,该可变电抗器装置包括与去耦网络相连接的第一可变电抗器。
背景技术
由于铁电材料的固有温度依赖性,诸如可变电抗器、移相器、延迟线等以集总元件或者分布式铁电可变电抗器为基础的调谐微波组件,通常存在其参数的温度依赖性较大的问题。
当然,这种温度依赖性是不希望的,因为它尤其会给在各种设计中使用这些组件带来问题。
发明内容
因此,需要比现有的可变电抗器的温度依赖性更小的可变电抗器或可变电抗器装置。
本发明解决了这种需求,本发明公开了一种温度稳定性改进的可变电抗器装置,该可变电抗器装置包括与去耦网络相连接的第一可变电抗器。该装置还包括稳压器,所述稳压器包括电容器和温度依赖电容器。而且,所述稳压器包括用于连接到直流电源的装置。所述去耦网络并联连接到所述第一可变电抗器,而所述稳压器的所述电容器并联连接到所述去耦网络,所述稳压器的所述温度依赖电容器串联连接到所述稳压器的所述电容器。
附图说明
现将参照附图,在下面的具体说明中更加详细地描述本发明,其中:
图1示出了铁电可变电抗器的温度依赖性,和
图2示出了根据本发明的装置的框图,和
图3示出了本发明的实施例的具体示例的框图,和
图4示出了电容器CT上的温度依赖性电压降,和
图5示出了本发明的可变电抗器装置的温度依赖性。
具体实施方式
为了首先说明本发明的装置要解决的问题,参照图1,其示出了典型可变电抗器的电容为周围环境温度的函数。示出了多条不同的曲线,每一条曲线表示可变电抗器所用的不同偏压。图中最上面一条曲线示出了偏压为0伏时的可变电抗器的电容。
从图1可知,该可变电抗器的电容的温度依赖性非常高。本发明的目的是使可变电抗器的电容相对于周围环境温度保持稳定。
图2示出了装置100的框图,用于说明本发明的原理。如图2所示,根据本发明的装置包括第一可变电抗器160,该第一可变电抗器160用于为装置100提供稳定的温度特性。
除了第一可变电抗器160及其输出端口170,所述装置100还包括去耦网络150。使用去耦网络150的原因之一是将装置100的其余部分相对于施加给第一可变电抗器160的信号屏蔽开来,特别是因为主要在高频(通常是微波频率)下使用第一可变电抗器160。
合适的是,将去耦网络150与第一可变电抗器160并联连接。图3示出了图2的装置100,而且示出了在此情况下形状为线圈155的去耦网络的示例。
去耦网络150也可以就是一个电阻器,特别是对于宽带应用。由于没有电流流过所述电容器,所以在这种电阻器上不会出现电压降。对于窄带应用,去耦网络150可以是并联LC电路,其谐振频率对应于第一可变电抗器160的工作频率。
装置100还包括稳压器110,根据下面的描述将清楚稳压器110的功能。稳压器110包括用于直流电压的输入装置120、温度依赖电容器130以及电容器140。
如图2所示,稳压器110的电容器140并联连接到去耦网络150,而稳压器110的温度依赖电容器130串联连接到电容器140。
为了利用装置100的稳压特性,向所述稳压器的直流输入装置120施加直流电压VDC。该电压VDC被分为电容器140上的电压VC和温度依赖电容器130上的电压VT。如果电容器140的电容为C而温度依赖电容器130的电容为CT,则输入直流电压VDC将按如下公式被分压:
稳压器110中包括的温度依赖电容器130由与第一可变电抗器160相似类型的、优选地为相同类型的铁电材料制成,因此优选地具有如图1所示的温度依赖电容,即与第一可变电抗器160相同的温度依赖电容。
现在考虑,在第一可变电抗器160和温度依赖电容器130电抗器的电容因周围环境温度变化而升高时将会发生什么:
由于这种电容变化,在稳压器110中会发生电压的重新分布,使得当温度依赖电容器130的电容升高时其上的电压会下降。
根据上述的公式(1)和(2),电容器140上的电压VC为VC=VDC-VT。对于诸如图2所示的无损去耦网络,第一可变电抗器160上的电压VV与电容器140上的电压VC相同,即VV=VC,因此VV=VDC-VT。
第一可变电抗器160的电容的温度依赖性下降将引起类似的温度依赖电容器130的电容下降。温度依赖电容器130的这种电容下降将引起稳定电压VDC被重新分布,使得在温度依赖电容器130上施加更小的电压。由于温度依赖电容器130并联连接到去耦网络150,并且还并联连接到第一可变电抗器160,所以从稳压器120施加到第一可变电抗器160的电压将下降。
由于从稳压器120施加到第一可变电抗器160的电压VC下降,由温度引起的第一可变电抗器的电容下降将被下降的电压VC和由此下降的电压VV补偿,使得第一可变电抗器的电容升高。
按照类似的方式,第一可变电抗器160的任何由温度引起的电容升高都将被升高的电压VC补偿,电压VC的升高引起第一可变电抗器上的电压VV的对应变化。
为了实现希望的效果,即,第一可变电抗器160和温度依赖电容器130的电容发生对应的变化,温度依赖电容器130合适地是由与第一可变电抗器160相似类型的、优选地为相同类型的铁电材料制成,因此具有与图3所示类似的温度依赖特性。
图4示出了当温度依赖电容器130的电容例如由于周围环境温度变化而升高时其上的电压如何下降。
图5示出了当第一可变电抗器160用在本发明的装置100中时该第一可变电抗器160的温度依赖性。从图中可见,通过本发明大大降低了温度依赖性。
本发明不限于上面所示的实施例的示例,而是可以在权利要求的范围内自由变化。例如,如果温度依赖电容器130具有“相反的”温度依赖性,即当可变电抗器160的电容升高时温度依赖电容器140的电容下降,温度依赖电容器130和电容器140可以相对于图2和图3所示的位置而改变位置。
当然,在所示的实施例中,希望电容器140是不依赖温度的。
Claims (3)
1、一种温度稳定性改进的可变电抗器装置(100),该可变电抗器装置(100)包括与去耦网络(150)相连接的第一可变电抗器(160),其特征在于,所述可变电抗器装置还包括稳压器(110),所述稳压器包括电容器(140)和温度依赖电容器(130),并且所述稳压器包括用于连接到直流电源的装置(120),
其中,所述去耦网络(150)并联连接到所述第一可变电抗器(160),而所述稳压器(110)的所述电容器(140)并联连接到所述去耦网络(150),所述稳压器(110)的所述温度依赖电容器(130)串联连接到所述稳压器(110)的所述电容器(140)。
2、如权利要求1所述的可变电抗器装置(100),其中,所述第一可变电抗器(160)和所述温度依赖电容器(130)针对它们的电气参数中的一个或更多个具有相同的温度依赖性。
3、如任一上述权利要求所述的可变电抗器装置(100),其中,所述去耦网络(150)包括线圈(155)。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/SE2004/001443 WO2006041336A1 (en) | 2004-10-11 | 2004-10-11 | A varactor device with reduced temperature dependence |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101044674A CN101044674A (zh) | 2007-09-26 |
CN100578914C true CN100578914C (zh) | 2010-01-06 |
Family
ID=36148561
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200480044193A Expired - Fee Related CN100578914C (zh) | 2004-10-11 | 2004-10-11 | 温度依赖性减小的可变电抗器装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7679461B2 (zh) |
EP (1) | EP1803214A1 (zh) |
JP (1) | JP4634459B2 (zh) |
KR (1) | KR101180179B1 (zh) |
CN (1) | CN100578914C (zh) |
CA (1) | CA2582322C (zh) |
WO (1) | WO2006041336A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102009059873A1 (de) * | 2009-12-21 | 2011-06-22 | Epcos Ag, 81669 | Varaktor und Verfahren zur Herstellung eines Varaktors |
US8928418B2 (en) * | 2013-02-13 | 2015-01-06 | International Business Machines Corporation | Compensating for process variation in integrated circuit fabrication |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5323041Y2 (zh) * | 1972-03-25 | 1978-06-15 | ||
US3757245A (en) * | 1972-06-02 | 1973-09-04 | Western Electric Co | Temperature compensated field effect transistor crystal oscillator |
JPS5087559A (zh) * | 1973-12-05 | 1975-07-14 | ||
JPS53118404U (zh) * | 1977-02-28 | 1978-09-20 | ||
JPS5426601A (en) * | 1977-08-01 | 1979-02-28 | Pioneer Electronic Corp | Temperature compensating circuit for varactor |
JPS61125208A (ja) * | 1984-11-21 | 1986-06-12 | Alps Electric Co Ltd | 温度補償型水晶発振回路 |
JPH0799411A (ja) * | 1993-09-28 | 1995-04-11 | Japan Radio Co Ltd | 水晶発振回路 |
JP3395361B2 (ja) * | 1994-05-25 | 2003-04-14 | 日新電機株式会社 | 充電導体支持装置 |
JP3876594B2 (ja) * | 1999-06-17 | 2007-01-31 | エプソントヨコム株式会社 | 温度補償発振器 |
JP2002084135A (ja) * | 2000-09-08 | 2002-03-22 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 電圧制御型発振器 |
US6690251B2 (en) * | 2001-04-11 | 2004-02-10 | Kyocera Wireless Corporation | Tunable ferro-electric filter |
CN101814903B (zh) * | 2001-04-11 | 2012-09-05 | 京瓷公司 | 可调谐铁电滤波器 |
-
2004
- 2004-10-11 CA CA2582322A patent/CA2582322C/en active Active
- 2004-10-11 KR KR1020077008218A patent/KR101180179B1/ko active IP Right Grant
- 2004-10-11 WO PCT/SE2004/001443 patent/WO2006041336A1/en active Application Filing
- 2004-10-11 EP EP04793786A patent/EP1803214A1/en not_active Ceased
- 2004-10-11 US US11/577,063 patent/US7679461B2/en active Active
- 2004-10-11 CN CN200480044193A patent/CN100578914C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-10-11 JP JP2007535627A patent/JP4634459B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7679461B2 (en) | 2010-03-16 |
CA2582322C (en) | 2013-12-10 |
KR101180179B1 (ko) | 2012-09-05 |
EP1803214A1 (en) | 2007-07-04 |
CN101044674A (zh) | 2007-09-26 |
US20090027132A1 (en) | 2009-01-29 |
JP2008516444A (ja) | 2008-05-15 |
JP4634459B2 (ja) | 2011-02-16 |
KR20070091102A (ko) | 2007-09-07 |
CA2582322A1 (en) | 2006-04-20 |
WO2006041336A1 (en) | 2006-04-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI388128B (zh) | 用於單片式時脈產生器及時序/頻率參考器之頻率控制器 | |
US7504899B2 (en) | Inductor and capacitor-based clock generator and timing/frequency reference | |
US7248124B2 (en) | Frequency calibration for a monolithic clock generator and timing/frequency reference | |
TWI426701B (zh) | 電感與電容為基礎的時脈產生器及時序/頻率參考器 | |
US20080272851A1 (en) | LC voltage controlled oscillator with tunable capacitance unit | |
EP0501620B1 (en) | Wideband oscillator with bias compensation | |
CN101227169A (zh) | 压控振荡器电路及其操作方法 | |
CN101729023B (zh) | 晶体振荡器 | |
CN102868362A (zh) | 温度补偿电路以及合成器 | |
CN201243273Y (zh) | 温补压控恒温晶体振荡器 | |
CN101488750A (zh) | 振荡频率的补偿方法和装置及锁相环电路 | |
CN101356736B (zh) | 具有高分辨率值选择与控制的可变无源元件 | |
CN100578914C (zh) | 温度依赖性减小的可变电抗器装置 | |
CN101764571A (zh) | 具备温度补偿的晶体振荡器 | |
CN105553473A (zh) | 补偿装置和基于电感的装置 | |
US7812685B2 (en) | Automatic regulator of filter | |
JP5034772B2 (ja) | 温度補償圧電発振器 | |
EP1783905A1 (en) | Impedance circuit, power supply device | |
CN102468846A (zh) | 环型振荡器与环型振荡器的控制方法 | |
JP2006033238A (ja) | 電圧制御型発振器 | |
US7990226B1 (en) | Non-linear crystal oscillator capacitive load circuits | |
CN1879252B (zh) | 具有精度控制的延迟的延迟锁定环 | |
CN101453213A (zh) | 电荷泵锁相环阻尼因子补偿电路 | |
CN201323551Y (zh) | 全差分压控振荡器电路 | |
CN110392982A (zh) | 交错偏置变容二极管 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20100106 Termination date: 20191011 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |