CN100578913C - 一种使用于压控振荡器中的一可变电容器 - Google Patents

Abstract

本发明揭露一种通过并联电容组与变容组而使压控振荡器具有固定频率调整常数的电路。其中，电容组由并联数个开关电容支路组成，此开关电容支路以电容-开关-电容的顺序串联而成。当位于电容间的开关闭合时，开关电容支路变成电容-电容串联，进而在电容组中发挥作用。反之，若开关打开，则形成断路，使开关电容支路失效。通过外部控制电路控制电容间的开关，可达成控制电容组电容值的效果。而除了以可变电容取代前述的电容组中电容外，变容组亦通过外部控制电路控制可变电容间的开关，达成控制变容组的可变电容值范围的效果。如此，将电容组与变容组加以并联，并通过控制电路的控制，进而达成所须的定频率调整常数特性。

Description

一种使用于压控振荡器中的一可变电容器

技术领域

本发明是有关于一种可变电容器，且特别涉及一种使用于压控振荡器中的可变电容器。

背景技术

一般来说，压控振荡器(Voltage Controlled Oscillator，VCO)是包含于锁相环(Phase Locked Loop，PLL)中并应用在数字电路或者模拟电路。尤其是应用于需要大范围调整频率的通信领域。

请参照图1，其所绘示为已知压控振荡器示意图。此压控振荡器揭露于美国公告专利第7038552号，如图所示，第一电感器(Inductor)2连接于一电压源(Vcc)与第一场效应晶体管(Field Effect Transistor)6的漏极(Drain)之间，第一场效应晶体管6的源极(Source)连接至一电流源(Current Source)10。同理，第二电感器22连接于该电压源(Vcc)与第二场效应晶体管26的漏极之间，第二场效应晶体管26的源极连接至该电流源10。再者，第一场效应晶体管6的漏极与第二场效应晶体管26的栅极(Gate)相互连接，而第二场效应晶体管26的漏极与第一场效应晶体管6的栅极(Gate)也相互连接。最后，于第一场效应晶体管的漏极(节点a)与第二场效应晶体管的漏极(节点b)之间提供一个可变的电容器(Variable Capacitance)。因此，即可视为节点a与节点b之间并联一电感器(第一电感器加第二电感器)与该可变电容器而形成一LC振荡电路(LC Oscillating Circuit)。再者，此可变的电容器是由一开关电容组(Switch Capacitance Bank)40以及一变容单元(Varactor Unit)42所组成，其中，开关电容组40是用来粗调压控振荡器的输出频率，而变容单元42是用来微调压控振荡器的输出频率。

如图所示，开关电容组40中包含多个电容支路，每一个电容支路包含一第一电容器50、一开关晶体管54与一第二电容器52串接于节点a与节点b之间。经由开关晶体管54的开关控制端(Gate)的控制，每一个电容支路皆可以选择性地达成节点a与节点b之间的连接或不连接。当电容支路连接于节点a与节点b之间时，可变的电容器的等效电容值就会增加；同理，当电容支路不连接于节点a与节点b之间时，可变的电容器的等效电容值就会减少。因此，利用上述方法即可粗调压控振荡器的输出频率。

再者，如图所示，变容单元42包含漏极与源极相互连接的二个场效应晶体管60、62，而场效应晶体管60、62的栅极分别连接至节点a与节点b，场效应晶体管60、62的漏极则连接至一电压控制端64。当电压控制端64的输入电压改变时，场效应晶体管60、62漏极与栅极之间电压差的改变会导致场效应晶体管60、62的电容值改变。因此，利用电压控制端64的输入电压改变，即可达成微调压控振荡器的输出频率。再者，除了场效应晶体管60、62可以因应输入电压的改变来改变电容值之外，变容单元42也可以由变容二极管(Varicap Diode)来组成。

请参照图2，其所绘示为已知压控振荡器的输出频率示意图。由图中可知，压控振荡器的可调输出频率区间在f0～f7之间；其中，第一频带(Band)I(f5～f7)由开关电容组40的第一电容支路提供的一第一电容值(c1)以及变容单元42提供一可变动的电容值范围(Δc)来完成；第二频带II(f3～f6)由开关电容组40的第一电容支路与第二电容支路提供的该第一电容值加上一第二电容值(c1+c2)以及变容单元42提供该可变动的电容值范围(Δc)来完成；第三频带III(f1～f4)由开关电容组40的第一电容支路、第二电容支路与第三电容支路提供的该第一电容值加上该第二电容值加上一第三电容值(c1+c2+c3)以及变容单元42提供该可变动的电容值范围(Δc)来完成；其中，第四频带IV(f0～f2)由开关电容组40的第一电容支路、第二电容支路、第三电容支路、第四电容支路提供的第一电容值加上该第二电容值加上该第三电容值加上一第四电容值(c1+c2+c3+c4)以及变容单元42提供该可变动的电容值范围(Δc)来完成。由于压控振荡器的输出频率是正比于

且变容单元42可变动的电容值范围(Δc)是固定的，因此，当开关电容组40提供的电容值越大时，压控振荡器输出频率的所对应的频带会越窄。

再者，压控振荡器将其输出频率范围与输入电压(Δf/ΔV)的常数定义为频率调整常数(Kvco)。由图2可知，当已知压控振荡器的输出频率频越低时频率调整常数会越小，也就是说，已知压控振荡器无法提供一个固定的频率调整常数。在设计者的角度而言，当频率调整常数会随着输出频率变化而变化时，整个锁相环的电路设计会很复杂，尤其是锁相环中连接于压控振荡器的前一个电路单元，有关于回路滤波器(Loop Filter)的设计。

发明内容

本发明的目的是提供一种使用于压控振荡器中的可变电容器，使得该压控振荡器具有固定频率调整常数。

本发明提出一种使用于压控振荡器中的一可变电容器，包括：一开关电容组，该开关电容组包括N个电容支路，每一该电容支路具有一开关控制端，用以控制一第一节点与一第二节点之间的连接或者不连接，其中，连接于该第一节点与该第二节点之间的每一该电容支路皆可提供一电容值；以及，一开关变容组，该开关变容组包括N个变容支路以及一电压控制端，每一该变容支路具有一开关控制端并与该些电容支路的开关控制端达成一对一的对应连接关系，且每一该变容支路皆可经由该开关控制端的控制而完成该第一节点与该第二节点之间的连接或不连接，其中，连接于该第一节点与该第二节点之间的每一该变容支路根据该电压控制端所提供的一电压提供一可变电容值。

本发明所述的使用于压控振荡器中的一可变电容器，其中，每一该变容支路包括串联于该第一节点与该第二节点之间的一第一电容器、一第一变容二极管、一开关电路、一第二变容二极管与一第二电容器，其中，该第一电容器的一第一端连接至该第一节点，该第一电容器的一第二端连接至该第一变容二极管的阴极端，该第一变容二极管的阳极端连接至该开关电路的一第一端，该开关电路的一第二端连接至该第二变容二极管的阳极端，该第二变容二极管的阴极端连接至该第二电容器一第一端，该第二电容器一第二端连接至该第二节点。

其中，每一该变容支路中的该第一变容二极管与第二变容二极管可根据该电压控制端提供的该电压来控制该第一变容二极管与该第二变容二极管的耗尽层宽度，进而调整该可变电容值。

所述的使用于压控振荡器中的一可变电容器，其中，该变容支路还包括：

一反相器，该开关控制端连接至该反相器的输入端；

一第一电阻，连接于该开关电路的控制端与开关控制端之间；

一第五P型晶体管，该第五P型晶体管的源极与该第二变容二极管的阳极端之间连接一第二电阻，该五P型晶体管的栅极连接至该开关控制端，该第五P型晶体管漏极连接至一电压源；

一第四N型晶体管，该第四N型晶体管的漏极连接至该第五P型晶体管的源极，该第四N型晶体管的栅极连接至该开关控制端，该第四N型晶体管的源极连接至一接地端；

一第六P型晶体管，该第六P型晶体管的源极与该第二变容二极管的阴极端之间连接一第三电阻，该第六P型晶体管的栅极连接至该开关控制端，该第六P型晶体管的漏极连接至该电压源；

一第五N型晶体管，该第五N型晶体管的漏极连接至该第六P型晶体管的源极，该第五N型晶体管的栅极连接至该开关控制端，该第五N型晶体管的源极与该电压控制端之间连接一第六电阻；

一第七P型晶体管，该第七P型晶体管的源极连接至该第六P型晶体管源极，该第七P型晶体管的栅极连接至该反相器的输出端，该第七P型晶体管的漏极连接至该第五N型晶体管的源极；

一第四P型晶体管，该第四P型晶体管的源极与该第一变容二极管的阳极端之间连接一第四电阻，该第四P型晶体管的栅极连接至该开关控制端，该第四P型晶体管的漏极连接至该电压源；

一第三N型晶体管，该第三N型晶体管的漏极连接至该第四P型晶体管源极，该第三N型晶体管的栅极连接至该开关控制端，该第三N型晶体管的源极连接至该接地端；

一第三P型晶体管，该第三P型晶体管的源极与该第一变容二极管的阴极端之间连接一第五电阻，该第三P型晶体管的栅极连接至该开关控制端，该第三P型晶体管的漏极连接至该电压源；

一第二N型晶体管，该第二N型晶体管的漏极连接至该第三P型晶体管的源极，该第二N型晶体管的栅极连接至该开关控制端，该第二N型晶体管的源极与该电压控制端之间连接该第六电阻；以及

一第二P型晶体管，该第二P型晶体管的源极连接至该第三P型晶体管的源极，该第二P型晶体管的栅极连接至该反相器的输出端，该第二P型晶体管的漏极连接至该第二N型晶体管的源极。

其中，该开关电路为一场效应晶体管，而该场效应晶体管的一栅极为该开关电路的控制端，与所述第一电阻相连。

本发明通过提供一可变电容器，该可变电容器中包含一开关变容组和一开关电容组，其中开关变容组的变容支路与开关电容组的电容支路一一对应，在开关电容组接入电容变化时，开关变容组相应的提供变化的可变电容范围，将该可变电容器用于压控振荡器中时，经由设计使得每个变容支路所提供的可变电容值范围可以补偿频带的宽度，维持每个频带的宽度一致，从而可以使得压控振荡器的频率调整常数(Kvco)维持在一固定值，使锁相环的设计简化。

附图说明

图1所绘示为已知压控振荡器示意图；

图2所绘示为已知压控振荡器的输出频率示意图；

图3所绘示为本发明使用于压控振荡器中的可变的电容器；

图4所绘示为本发明的开关变容组；

图5所绘示为本发明的一变容支路的电路示意图；

图6所绘示为本发明压控振荡器的输出频率示意图。

具体实施方式

请参照图3，其所绘示为本发明使用于压控振荡器中的可变的电容器。此可变电容器连接于节点c与节点d之间，该可变电容器包括一开关电容组(Switch Capacitance Bank)140以及一开关变容组(Switch Varactor Bank)142，其中，开关电容组140是用来粗调压控振荡器的输出频率，而开关变容组142是用来微调压控振荡器的输出频率。

如图所示，开关电容组140与开关变容组142并联于节点c与节点d之间。在小信号模式下，节点c与节点d之间接入一电感器(L)使得该电感器与该可变电容器形成一LC振荡电路。再者，开关电容组140的构造可类似于已知开关电容组，其具有多个电容支路，每一个电容支路皆有一开关控制端，该些电容支路可经由控制而达成与节点c与节点d之间的连接或不连接。当电容支路连接于节点c与节点d之间时，可变的电容器的等效电容值就会增加；同理，当电容支路不连接于节点c与节点d之间时，可变的电容器的等效电容值就会减少。由于压控振荡器中的开关电容组的形式并不仅限于图1中的开关电容组40，也就是说本发明并未限制开关电容组的构造。

再者，开关变容组142包括有多个变容支路，每一个变容支路皆有一开关控制端，而每一个变容支路的开关控制端皆会连接到该开关电容组140中的一个电容支路的开关控制端。也就是说，开关变容组142的该些变容支路与该开关电容组140中该些电容支路是一对一的对应(One to OneCorrespondence)，当一个电容支路经由控制达成节点c与节点d之间的连接，同时，相对应的变容支路也会达成节点c与节点d之间的连接。

再者，所有的变容支路皆连接到一电压控制端，经由该电压控制端所提供的电压变化，可使得连接于节点c与节点d之间的变容支路上的电容值产生变化，进而达成压控振荡器输出频率的变化。

由于已知的变容单元可变动的电容值范围是固定的，因此，会造成每个频带的频率可调范围不同，因而导致不固定的频率调整常数(Kvco)。而运用本发明所提供的开关变容组142，经由设计后可使得每个频带的频率可调范围相同，可达成具有固定的频率调整常数(Kvco)。

请参照图4，其所绘示为本发明的开关变容组。该开关变容组142包括有n个变容支路，其分别为150～15n，每一个变容支路皆有一开关控制端160～16n，而每一个变容支路的开关控制端皆会连接到该开关电容组140中相对应的电容支路的开关控制端。也就是说，当第一开关控制端161控制第一变容支路151达成节点c与节点d之间的连接时，相对应的第一电容支路也会达成节点c与节点d之间的连接。再者，每一个变容支路至少包括变容二极管(Varicap Diode)，因此电压控制端经由变化电压值可使得变容二极管的耗尽层宽度(Depletion Layer Width)改变进而达成电容值的改变。再者，变容二级管也可以用已知的变容单元42代替，电压控制端提供变化的电压值使得场效应晶体管漏极与栅极之间的电压差的改变，进而达成电容值的改变。

请参照图5，其所绘示为本发明的一变容支路的电路示意图。节点c与节点d之间依序串联第一电容器(C1)、第一变容二极管(VCD1)、开关晶体管(Mn6)、第二变容二极管(VCD2)、第二电容器(C2)。其中，第一电容器(C1)的一端连接至节点c，第一电容器(C1)的另一端连接至第一变容二极管(VCD1)的阴极端(Kathode)，第一变容二极管(VCD1)的阳极端(Anode)连接至开关晶体管(Mn6)的一端，开关晶体管(Mn6)的另一端连接至第二变容二极管(VCD2)的阳极端，第二变容二极管(VCD2)的阴极端连接至第二电容器(C2)一端，第二电容器(C2)另一端连接至节点d。

再者，该变容支路内的控制电路包括：第一P型晶体管(Mp1)与第一N型晶体管(Mn1)连接成一反相器(Not Gate)，而开关控制端连接至反相器输入端也就是第一P型晶体管(Mp1)与第一N型晶体管(Mn1)的栅极，而反相器输出端即为第一P型晶体管(Mp1)与第一N型晶体管(Mn1)的漏极。再者，该开关晶体管(Mn6)的控制端与开关控制端之间连接一第一电阻(R1)。第二变容二极管(VCD2)的阳极端与第五P型晶体管(Mp5)源极之间连接一第二电阻(R2)，第五P型晶体管(Mp5)栅极连接至开关控制端，第五P型晶体管(Mp5)漏极连接至电压源(Vcc)；第四N型晶体管(Mn4)漏极连接至第五P型晶体管(Mp5)源极，第四N型晶体管(Mn4)栅极连接至开关控制端，第四N型晶体管(Mn4)源极连接至接地端。第二变容二极管(VCD2)的阴极端与第六P型晶体管(Mp6)源极之间连接一第三电阻(R3)，第六P型晶体管(Mp6)栅极连接至开关控制端，第六P型晶体管(Mp6)漏极连接至电压源(Vcc)；第五N型晶体管(Mn5)漏极连接至第六P型晶体管(Mp6)源极，第五N型晶体管(Mn5)栅极连接至开关控制端，第五N型晶体管(Mn5)源极与电压控制端之间连接一第六电阻(R6)；第七P型晶体管(Mp7)源极连接至第六P型晶体管(Mp6)源极，第七P型晶体管(Mp7)栅极连接至反相器输出端，第七P型晶体管(Mp7)漏极连接至第五N型晶体管(Mn5)源极。第一变容二极管(VCD1)的阳极端与第四P型晶体管(Mp4)源极之间连接一第四电阻(R4)，第四P型晶体管(Mp4)栅极连接至开关控制端，第四P型晶体管(Mp4)漏极连接至电压源(Vcc)；第三N型晶体管(Mn3)漏极连接至第四P型晶体管(Mp4)源极，第三N型晶体管(Mn3)栅极连接至开关控制端，第三N型晶体管(Mn3)源极连接至接地端。第一变容二极管(VCD1)的阴极端与第三P型晶体管(Mp3)源极之间连接一第五电阻(R5)，第三P型晶体管(Mp3)栅极连接至开关控制端，第三P型晶体管(Mp3)漏极连接至电压源(Vcc)；第二N型晶体管(Mn2)漏极连接至第三P型晶体管(Mp3)源极，第二N型晶体管(Mn2)栅极连接至开关控制端，第二N型晶体管(Mn2)源极与电压控制端之间连接一第六电阻(R6)；第二P型晶体管(Mp2)源极连接至第三P型晶体管(Mp3)源极，第二P型晶体管(Mp2)栅极连接至反相器输出端，第二P型晶体管(Mp2)漏极连接至第二N型晶体管(Mn2)源极。

当开关控制端提供一高电平时，反相器输出端会输出一低电平，开关晶体管(Mn6)、第二P型晶体管(Mp2)、第二N型晶体管(Mn2)、第三N型晶体管(Mn3)、第四N型晶体管(Mn4)、第五N型晶体管(Mn5)与第七P型晶体管(Mp7)均会导通(On)，而第三P型晶体管(Mp3)、第四P型晶体管(Mp4)、第五P型晶体管(Mp5)与第六P型晶体管(Mp6)均会截止(Off)。因此，变容支路连接至节点c与节点d之间且第一变容二极管(VCD1)的阳极端连接至接地端而第一变容二极管(VCD1)的阴极端连接至电压控制端造成第一变容二极管(VCD1)反向偏压(Reverse Bias)，因此电压控制端上的电压即可以控制第一变容二极管(VCD1)的电容值，同理，第二变容二极管(VCD2)的阳极端连接至接地端而第二变容二极管(VCD2)的阴极端连接至电压控制端造成第二变容二极管(VCD2)反向偏压，因此电压控制端上的电压也可以控制第二变容二极管(VCD1)的电容值。而当该变容支路连接至节点c与节点d之间时，第一电容器(C1)、第一变容二极管(VCD1)、第二变容二极管(VCD2)、第二电容器(C2)的串联即为该变容支路的电容等效值。而经由改变电压控制端的电压，可以改变受控路径的电容等效值。

当开关控制端提供低电平时，反相器输出端会输出高电平，开关晶体管(Mn6)、第二P型晶体管(Mp2)、第二N型晶体管(Mn2)、第三N型晶体管(Mn3)、第四N型晶体管(Mn4)、第五N型晶体管(Mn5)、第七P型晶体管(Mp7)截止，第三P型晶体管(Mp3)、第四P型晶体管(Mp4)、第五P型晶体管(Mp5)与第六P型晶体管(Mp6)会导通。因此，变容支路不连接至节点c与节点d之间且第一变容二极管(VCD1)的阴极端与阳极端连接至电压源(Vcc)，故无法造成第一变容二极管(VCD1)的反向偏压，同理，第二变容二极管(VCD2)的阴极端与阳极端连接至电压源(Vcc)，因此无法造成第二变容二极管(VCD2)的反向偏压。

请参照第六图，其所绘示为本发明压控振荡器的输出频率示意图。由图中可知，压控振荡器的可调输出频率区间在f0’～f7’之间；其中，第一频带(Band)I(f5’～f7’)系由开关电容组140的第一电容支路提供的一第一电容值(c1)以及开关变容组142的第一变容支路提供的可变动的电容值范围(Δc1)来完成；第二频带II(f3’～f6’)系由开关电容组140的第一电容支路与第二电容支路提供的该第一电容值加上一第二电容值(c1+c2)以及开关变容组142的第一变容支路与第二变容支路提供的可变动的电容值范围(Δc1+Δc2)来完成；第三频带III(f1’～f4’)系由开关电容组140的第一电容支路、第二电容支路、第三电容支路提供的该第一电容值加上该第二电容值加上一第三电容值(c1+c2+c3)以及开关变容组142的第一变容支路、第二变容支路、第三变容支路提供的可变动的电容值范围(Δc1+Δc2+Δc3)来完成；其中，第四频带IV(f0’～f2’)系由开关电容组140的第一电容支路、第二电容支路、第三电容支路、第四电容支路提供的第一电容值加上该第二电容值加上该第三电容值加上一第四电容值(c1+c2+c3+c4)以及开关变容组142的第一变容支路、第二变容支路、第三变容支路、第四变容支路提供的可变动的电容值范围(Δc1+Δc2+Δc3+Δc4)来完成。

由于压控振荡器的输出频率是正比于

因此，当连接于节点c与节点d的电容支路数目增加时，连接于节点c与节点d的变容支路数目相对地也会增加，因此，开关变容组142所提供的可变的电容值范围会变大，因此经由设计每个变容支路所提供的可变电容值范围即可以补偿频带的宽度，使得每个频带的宽度维持一致。而利用本发明所提供的开关变容组142使得每个频带的宽度维持一致时，可以确定其频率调整常数(Kvco)可维持在一固定值，使得锁相环的设计简化。

综上所述，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以后面所附的权利要求范围为准。

Claims (3)

1、一种使用于压控震荡器中的一可变电容器，包括：

一开关电容组，该开关电容组包括N个电容支路，每一该电容支路具有一开关控制端，用以控制一第一节点与一第二节点之间的连接或者不连接，其中，连接于该第一节点与该第二节点之间的每一该电容支路皆可提供一电容值；以及

一开关变容组，该开关变容组包括N个变容支路以及一电压控制端，每一该变容支路具有一开关控制端并与该些电容支路的开关控制端达成一对一的对应连接关系，且每一该变容支路皆可经由该开关控制端的控制而完成该第一节点与该第二节点之间的连接或不连接，其中，连接于该第一节点与该第二节点之间的每一该变容支路根据该电压控制端所提供的一电压提供一可变电容值，其中：

每一该变容支路包括串联于该第一节点与该第二节点之间的一第一电容器、一第一变容二极管、一开关电路、一第二变容二极管与一第二电容器，其中，该第一电容器的一第一端连接至该第一节点，该第一电容器的一第二端连接至该第一变容二极管的阴极端，该第一变容二极管的阳极端连接至该开关电路的一第一端，该开关电路的一第二端连接至该第二变容二极管的阳极端，该第二变容二极管的阴极端连接至该第二电容器一第一端，该第二电容器一第二端连接至该第二节点；

该变容支路还包括：

一反相器，该开关控制端连接至该反相器的输入端；

一第一电阻，连接于该开关电路的控制端与开关控制端之间；

一第五P型晶体管，该第五P型晶体管的源极与该第二变容二极管的阳极端之间连接一第二电阻，该五P型晶体管的栅极连接至该开关控制端，该第五P型晶体管漏极连接至一电压源；

一第四N型晶体管，该第四N型晶体管的漏极连接至该第五P型晶体管的源极，该第四N型晶体管的栅极连接至该开关控制端，该第四N型晶体管的源极连接至一接地端；

一第六P型晶体管，该第六P型晶体管的源极与该第二变容二极管的阴极端之间连接一第三电阻，该第六P型晶体管的栅极连接至该开关控制端，该第六P型晶体管的漏极连接至该电压源；

一第五N型晶体管，该第五N型晶体管的漏极连接至该第六P型晶体管的源极，该第五N型晶体管的栅极连接至该开关控制端，该第五N型晶体管的源极与该电压控制端之间连接一第六电阻；

一第七P型晶体管，该第七P型晶体管的源极连接至该第六P型晶体管源极，该第七P型晶体管的栅极连接至该反相器的输出端，该第七P型晶体管的漏极连接至该第五N型晶体管的源极；

一第四P型晶体管，该第四P型晶体管的源极与该第一变容二极管的阳极端之间连接一第四电阻，该第四P型晶体管的栅极连接至该开关控制端，该第四P型晶体管的漏极连接至该电压源；

一第三N型晶体管，该第三N型晶体管的漏极连接至该第四P型晶体管源极，该第三N型晶体管的栅极连接至该开关控制端，该第三N型晶体管的源极连接至该接地端；

一第三P型晶体管，该第三P型晶体管的源极与该第一变容二极管的阴极端之间连接一第五电阻，该第三P型晶体管的栅极连接至该开关控制端，该第三P型晶体管的漏极连接至该电压源；

一第二N型晶体管，该第二N型晶体管的漏极连接至该第三P型晶体管的源极，该第二N型晶体管的栅极连接至该开关控制端，该第二N型晶体管的源极与该电压控制端之间连接该第六电阻；以及

一第二P型晶体管，该第二P型晶体管的源极连接至该第三P型晶体管的源极，该第二P型晶体管的栅极连接至该反相器的输出端，该第二P型晶体管的漏极连接至该第二N型晶体管的源极。

2、如权利要求1所述的使用于压控震荡器中的一可变电容器，其中，该开关电路为一场效应晶体管，而该场效应晶体管的一栅极为该开关电路的控制端，与所述第一电阻相连。

3、如权利要求1所述的使用于压控震荡器中的一可变电容器，其中，每一该变容支路中的该第一变容二极管与第二变容二极管可根据该电压控制端提供的该电压来控制该第一变容二极管与该第二变容二极管的耗尽层宽度，进而调整该可变电容值。

Images