CN100568541C - 一种柔性太阳能电池及制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明专利涉及在改性的高透光率的柔性基片上制造太阳能光伏电池，属于柔性非晶硅薄膜太阳能电池制造技术领域。本发明以提高光电转化效率为目的，用改性的，透光率90%-93%的，聚酰亚胺PI基片作衬底，并改变非晶硅PIN薄膜叠层结构，在350℃以上溅射沉积透明TCO导电膜，高透光率的PI基片，用来制备单结或多结的柔性非晶硅电池。本发明积极效果在于置备和应用改性的PI基片，在温度为350℃-400℃条件下，耐温4小时不变形。显著地提高了柔性非晶硅太阳能电池的光电转换效率和性价比。
Description
技术领域
本发明专利涉及在改性的高透光率的柔性基片上制造太阳能光伏电池，属于柔性非晶硅薄膜太阳能电池制造技术领域。
背景技术
目前，商业化生产的太阳能电池分为两大类，一类是块状的晶体硅太阳能电池，另一类是以非晶硅太阳能电池和铜铟硒太阳能电池为代表的薄膜太阳能电池。薄膜太阳能以基片类型，又可分为硬基底和软基底薄膜太阳能电池。当今，薄膜太阳能电池市场，主要以玻璃为基底，属于硬基底电池，产品占有份额最大。相对来说软基片薄膜太阳能电池，在市场显得如凤毛凤毛麟角还很少，关键是选择合适的基底材料又能同时满足制造技术要求，难度大。现有软基底材料主要是不锈钢片和聚酰亚胺材料，柔性太阳能电池优选材料之一的聚酰亚胺膜，重量轻，成本低，缺点是不透明或半透明，透光率差。现有柔性太阳能电池，无论是采用聚酰亚胺膜为基底，还是不锈钢片或其它金属合金片为基底，柔性非晶硅太阳能电池的结构都一样。中国专利号98108941.0《太阳能电池极其制造方法》，依次按照基底、N型非晶硅层、本征非晶硅层、P型非晶硅，叠层结构，柔性薄膜电池，工艺沉积顺序是N→I→P与本发明的叠层结构和工艺正好相反。目前，大规模制造柔性太阳能电池，均采用卷绕式镀膜方式即roll-to-roll模式，这种制造非晶硅柔性太阳能电池的方式是生产设备造价昂贵，生产工艺复杂，产品成本高。这样以来市场上出售的柔性太阳能电池的价格与晶体硅太阳能电池的价格相当，与晶体硅太阳能电池的性价相比没有优势，这也是多年来柔性太阳能电池增长不快，产能不大的重要原因。
发明内容
针对以上提到采用聚酰亚胺基片的柔性太阳能电池，因产品结构和工艺问题，影响薄膜太阳能电池转化效率低。
本发明以提高光电转化效率为目的，使用改性的聚酰亚胺基片(以下简称PI基片)，改变非晶硅薄膜叠层之间的顺序排列结构，非晶硅可以是单结或多结，提高柔性太阳能电池的光电转换效率。
本发明的另一个目的，将不透光或半透光的基底材料聚酰亚胺改性，在350℃以上的基片上溅射沉积透明导电膜，制造出性能优良的透明导电膜，制造高透光率的基片，同时使柔性非晶硅太阳能电池的光电转换效率显著地提高。
结合本发明所提出的技术问题和实现的任务，技术解决方案是：以柔性、透明的PI改性基片为衬底的电池，可以是单结或多结的柔性非晶硅太阳能电池，以高分子聚合物为基底的非晶硅薄膜电池，包括单结或多结构成的薄膜非晶硅电池，其特征在于以改性聚酰亚胺PI透明基片为衬底的柔性薄膜非晶硅电池，包括在PI基片的透明导电膜TCO上的P型非晶硅层、I本征层、N型非晶硅薄膜层；或由多个PIN结叠加，形成多结叠层非晶硅薄膜层，还包括一层金属膜Al构成柔性非晶硅太阳能电池，所说的PIN结是同质结或异质结。
双结叠层电池，包括改性聚酰亚胺PI透明基片，还包括PI透明基片上依顺序层叠的薄膜：由复合透明导电膜TCO；P型非晶硅P+ a-Si；本征非晶硅I a-Si；N型微晶硅；P型微晶硅；本征非晶硅I a-Si；N型非晶硅N+ a-Si；金属膜Al所组成。单结薄膜非晶硅电池，是以柔性透明的PI基片为衬底，在其上顺序层叠透明导电膜TCO、P型非晶硅P+ a-Si、本征非晶硅I a-Si、N型非晶硅N+ a-Si和金属膜Al。
本发明另一个任务是制造柔性太阳能电池的方法，区别于硬基片为衬底的非晶硅太阳能电池，技术解决方案的工艺流程的步骤：
1)聚酰亚胺按摩尔比配方：3，3`-三氟代二甲基-4，4`二氨基二苯甲烷∶N，N-二甲基乙酰胺∶2，3，3`，4`-联苯四甲酸二酐＝(0.9～1.1)∶(45～50)∶(0.9～1.1)；首先制成聚酰胺酸浆料，再经真空抽滤，在0.5mm厚的不锈钢板上丝网印刷或喷涂；在120℃/1h，170℃/1h，280℃/1h，350℃/1h温度条件下烘干；冷却后制成PI基片。
2)在透明PI基片装上耐高温刚性材料制成的框架，可夹持和绷紧PI基片。
3)磁控溅射透明导电膜，温度为350℃-400℃，在PI基片上沉积一层TCO透明导电膜，可以是SnO2/ITO/ZnO。
4)预热：透明基片装沉积夹具，在温度220℃-250℃条件下，预热1.5-2小时。
5)沉积：真空室中，在温度220℃-250℃条件下，沉积非晶硅P、I、N膜；在300℃-400℃下沉积P型和N型微晶硅薄膜层，形成隧道结。
本发明以上所提及的单结或双结的柔性非晶硅太阳能电池，与现有不透明PI基片制成柔性非晶硅太阳能电池的区别主要有两点，第一点，电池的薄膜叠层结构顺序不同，本发明提出的单结或多结，都是在基片上依次制作PIN薄膜层，而后者的顺序则是NIP薄膜层；第二点，本发明采用改性的柔性透明的PI基片，后者采用不透明基片。第一点，虽然区别仅仅是叠层结构的顺序不同，但对于微观结构的薄膜电池来说涉及到工艺不同，直接影响产品的光电转换效率。
本发明在产品制造的制造方法里提到在PI基片上，先沉积P层，再沉积I层，它的意义是有利于本征层I性能的改善。通常本征层I非晶硅Ia-Si呈弱N型，先沉积P型非晶硅P+ a-Si，再沉积本征非晶硅I a-Si，自然地利用沉积P型非晶硅P+ a-Si时残留的痕量硼B原子，对本征层非晶硅I a-Si进行适度的中和，使本征层非晶硅I a-Si由原来的弱N型变为完全中性的本征非晶硅，有利于提高本征层非晶硅I a-Si的光敏特性，从而提高电池的转化效率。
第二点区别，本发明采用的基片具有很高的可见光透光率。在300℃～400℃环境下持续受热4小时不变形，不变质，且透光率仍然能保持90％～93％。
分析以上产生的原因，是制造方法中工艺的先后步骤不同。通常TCO膜制备的最佳工艺温度在350℃-400℃之间，如美国专利US5356656，公开的PI基片也能耐高温，由于采用不透明的PI基片和NIP的电池结构。必须在PI基片上先沉积非晶硅膜，后沉积TCO膜，致使因TCO膜的沉积温度350℃-400℃大于非晶硅膜的沉积温度220℃-250℃，导致先前沉积的非晶硅膜在350℃-400℃高温下，出现大量的高温释氢现象。造成了非晶硅膜出现大量微空洞，非晶硅性能急剧衰减，电池电性能随之衰减。虽然文件中没有公开温度，但根据理论推导，如果在200℃温度以下沉积TCO膜，膜的透光率和面电阻变得较差。最终会影响太阳能电池的转换效率和带负载的能力。而本发明的电池结构决定工艺步骤，采用先沉积TCO膜，因此可在350℃-400℃的最佳工艺温度沉积TCO膜，会获得透光率和面电阻均优良的TCO膜。
涉及到工艺步骤调整的理据还在于，使温度依次降低，有利于保持非晶硅膜性能稳定性。本发明的贡献在于，突破禁忌，将沉积温度提高350℃-400℃的理据，是对工艺步骤的调整，除了以上所说避免非晶硅膜在高温下大量释氢，还可防止P，I和I，N界面在高温下的杂质扩散，造成I层非晶硅膜性能衰减。
依照本发明提出的另一个目的和提出的技术问题，本发明的重要贡献在于所说改性的聚酰亚胺基片是一种具有高透光率90％-93％的PI基片，在温度为350℃-400℃真空条件下，耐温4小时不变形，其分子式如下：
依照本发明的目的和技术问题解决是产品的制造方法，区别特征在于工艺步骤调整如下：
1)制备：改性聚酰亚胺成透明基片；
2)在透明基片上装特制的框架；
3)磁控溅射复合透明导电膜TCO；
4)预热：透明基片装沉积夹具，在温度220℃-250℃，预热1.5-2小时；
5)沉积：真空室中，温度220℃-250℃，沉积非晶硅P、I、N膜；在300℃-400℃下沉积P型和N型微晶硅薄膜层，形成薄膜非晶硅电池的隧道结；
6)激光加工。
按照本发明提出的技术解决方案：PI基片的制备改性的聚酰亚胺，按摩尔比配方：3，3`-三氟代二甲基-4，4`二氨基二苯甲烷∶N，N-二甲基乙酰胺∶2，3，3`，4`-联苯四甲酸二酐＝(0.9～1.1)∶(45～50)∶(0.9～1.1)制得改性的透明基片。
使用这种基片，由于高的透光性，可获得比以玻璃为基片的太阳能电池更高的转换效率。
本发明产生的积极效果主要采用改性聚酰亚胺PI基片，在350℃以上溅射沉积导电膜，高透光率的基片，制造出性能优良的透明导电膜，使柔性非晶硅太阳能电池的光电转换效率和性价比，有显著地提高。
传统的在低温200℃以下，在软基片上沉积的透明导电膜性能较差，增加了透明导电膜的面电阻，不利于提高太阳能电池的转换效率。
本发明300℃以上的基片温度下，在改性聚酰亚胺基片上，沉积组成叠层非晶硅电池隧道结的优质N型和P型微晶硅。通常基片温度越高，300℃以上沉积在基片上的原子的能量就越大，越有可能挣脱基片的束缚在基片表面自由移动，调整在基片上所处的位置，并达到最佳状态，从而减少微晶硅膜中的缺陷，制备出优质的微晶硅膜。反之，基片温度低于200℃时，制备的微晶硅膜缺陷较多，性能较差。
本发明框架是夹紧绷直PI基片的装置，采用一种坚固耐高温的刚性材料，使改性聚酰亚胺基片的安装和拆卸方便，不易破裂，完全可与现有玻璃衬底非晶硅太阳能电池的生产工艺兼容，与美国专利US5356656使用不透明的柔性基片相比较，具有如下优点和显著效果：
在较高温度下可取出电池，缩短降温等待时间，可以与玻璃为基片的非晶硅太阳能电池生产设备和工艺相兼容，不需要另外再新建生产线，与roll-to-roll非晶硅太阳能电池的昂贵生产设备相比较，设备投资成本低。
本发明柔性非晶硅太阳能电池的制造工艺流程和步骤：
步骤一、按3，3`-三氟代二甲基-4，4`二氨基二苯甲烷∶N，N-二甲基乙酰胺∶2，3，3`，4`-联苯四甲酸二酐＝(0.9～1.1)∶(45～50)∶(0.9～1.1)的摩尔比配方制得的聚酰胺酸浆料，经真空抽滤，然后采用丝网印刷或喷涂方法在0.5mm厚的不锈钢板上制作一层薄膜，经固化烘干得到均匀的透明改性聚酰亚胺基片。
步骤二、将改性聚酰亚胺基片装于基片框架上并绷紧拉平。
步骤三、在350℃温度下用磁控溅射法在改性聚酰亚胺基片上沉积层透明导电膜SnO2，ITO或ZnO。
步骤四、激光刻划透明导电膜。
步骤五、清洁改性聚酰亚胺基片。
步骤六、将改性聚酰亚胺基片装入沉积夹具中并推入220℃-250℃的预烘箱预热1.5-2小时。
步骤七、将预热好的沉积夹具推入真空室中，在220℃-250℃的真空室温度下沉积非晶硅P、I、N膜，在300℃温度下沉积P型和N型微晶硅薄膜层形成隧道结。
步骤八、沉积夹具出炉后，将沉积夹具中的基片架和其上的改性聚酰亚胺基片取出并在20℃以下的环境下进行快速降温。
步骤九、激光刻划已沉积在改性聚酰亚胺基片上的非晶硅膜，形成连接相邻两节单元电池正负极的通道。
步骤十、将已激光刻好非晶硅膜的改性聚酰亚胺基片连同其固定框架，置于镀铝机中镀制铝金属薄膜。
步骤十一、将已镀上铝金属薄膜的改性聚酰亚胺基片连同框架置于激光刻划机中对金属薄膜按与非晶硅刻划相应的位置对金属薄膜进行刻划。
步骤十二、将已刻划金属薄膜的改性聚酰亚胺基片从固定框架上快速卸下即可到完整的柔性非晶硅太阳能电池。
本发明提供一种透光率90％-93％和耐热性达350℃-400℃的改性聚酰亚胺基片，可采用和以玻璃为衬底的相同电池结构和制备工艺流程，由于这种工艺允许TCO在高于350℃以上的温度下制备，且先沉积P层非晶硅对I层非晶硅有补偿作用，因此可获得比用不透明柔性基片更高的电池转换效率和电性能，另一方面由于本发明的改性聚酰亚胺基片的透光率比玻璃高，甚至可获得比以玻璃为衬底更高的电池转换效率和电性能。
本发明还提供一种夹持超薄改性聚酰亚胺基片的独特框架结构，可完全兼容和利用现有玻璃衬底的工艺和生产设备，不需重新投资昂贵的卷绕式生产设备，节省大量的生产设备购置费用，降低生产设备成本。与玻璃衬底相比，不存在玻璃破损，可提高成品率，当沉积夹具从镀膜室中拉出后，可立即将改性聚酰亚胺基片连同框架从沉积夹具取出置于温度低的环境下迅速降温，节约降温时间，提高生产效率。美国专利US5356656，把柔性基片制备在玻璃上，非晶硅太阳能电池制作完成后，从玻璃上剥离时，容易对薄膜电池造成损伤，生产成品率低。
附图说明
图1、是本发明的柔性非晶硅太阳能电池结构示意图。其中1为金属薄膜层，2为底电池的N型非晶硅，3为底电池的I型非晶硅，4为底电池的P型微晶硅，5为顶电池的N型微晶硅，6为顶电池的I型非晶硅，8为顶电池的P型非晶硅，7为透明导电膜，9为透明改性聚酰亚胺的PI基片，见图1柔性太阳能电池，为双结叠层非晶硅电池结构，由耐高温的改性透明柔性PI基片为基底9依次是透明导电膜7、顶电池的P型非晶硅8、顶电池的本征I型非晶硅6、顶电池的N型微晶硅5、底电池的P型微晶硅4，底电池的本征非晶硅3，底电池的N型非晶硅2，金属薄膜层1组成。
使用完全透光的高分子聚合物基片的非晶硅太阳能电池的结构以单结电池为例可采用：改性透明基片PI、透明导电膜TCO、P型非晶硅P+a-Si、本征非晶硅Ia-Si、N型非晶硅N+ a-Si、金属膜AL的结构。
具体实施例
例1制备柔性非晶硅太阳能电池的工艺：
(1)、按3，3`-三氟代二甲基-4，4`二氨基二苯甲烷∶N，N-二甲基乙酰胺∶2，3，3`，4`-联苯四甲酸二酐＝0.9∶45∶0.9的摩尔比配方制得的聚酰胺酸浆料，经真空抽滤，然后采用丝网印刷或喷涂方法在0.5mm厚的不锈钢板上制作一层薄膜，放入烘箱中按下列程序烘干：120℃/1h；170℃/1h；280℃/1h；350℃/1h.冷却后得到均匀的透明改性聚酰亚胺基片。
(2)、将改性聚酰亚胺基片装于基片框架上并绷紧拉平。基片框架长1220mm，宽356mm。
(3)、在350℃温度下用磁控溅射法在改性聚酰亚胺基片上沉积一层面电阻15Ω/□，透光率93％的ZnO透明导电膜。
(4)、激光刻划ZnO透明导电膜。
(5)、清洁改性聚酰亚胺基片。
(6)、将聚酸亚胺基片装入沉积夹具中并推入220℃-250℃的预烘箱预热1.5-2小时。
(7)、将预热好的沉积夹具推入真空室中，在220℃的真空室温度下沉积P型非晶硅
顶电池的I型非晶硅
底电池的I型非晶硅
底电池的N型非晶硅
在300℃温度下沉积底电池的P型微晶硅薄膜层和顶电池的N型微晶硅薄膜层形成隧道结。
(8)、沉积夹具出炉后，将沉积夹具中的基片架和其上的改性聚酰亚胺基片取出并在20℃以下的环境下进行快速降温。
(9)、激光刻划已沉积在改性聚酰亚胺基片上的非晶硅膜，形成连接相邻两节单元电池正负极的通道。
(10)、将已激光刻好非晶硅膜的改性聚酰亚胺基片连同其固定框架，置于镀铝机中镀制铝金属薄膜。
(11)、将已镀上铝金属薄膜的改性聚酰亚胺基片连同框架置于激光刻划机中对金属薄膜按与非晶硅刻划相应的位置对金属薄膜进行刻划。
(12)、将已刻划金属薄膜的改性聚酰亚胺基片从固定框架上快速卸下即可到完整的柔性非晶硅太阳能电池。
例2
柔性非晶硅太阳能电池制造步骤同例1，仅改变步骤1中的改性PI基片制作配方、步骤7中的非晶硅薄膜沉积温度和各层膜的厚度：
按3，3`-三氟代二甲基-4，4`二氨基二苯甲烷∶N，N-二甲基乙酰胺∶2，3，3`，4`-联苯四甲酸二酐＝1.0∶47∶1.0的摩尔比例将二胺单体3，3`-三氟代二甲基-4，4`二氨基二苯甲烷加入到N，N-二甲基乙酰胺DMAc溶液中，充入氮气，室温下搅拌5分钟后，开始加入的2，3，3`，4`-联苯四甲酸二酐a-BPDA.在氮气保护下，室温搅拌反应20小时.真空脱泡过滤后，得到无色透明的聚酰胺酸粘稠溶液.将该溶液涂布在干净的玻璃板上，再放入烘箱中按下列程序烘干：120℃/1h；170℃/1h；280℃/1h；350℃/1h.冷却后得到均匀的透明改性PI基片。
在235℃的真空室温度下沉积顶电池的P型非晶硅
顶电池的I型非晶硅
底电池的I型非晶硅
底电池的N型非晶硅
在350℃温度下沉积底电池的P型微晶硅薄膜层
和顶电池的N型微晶硅薄膜层
形成隧道结。
例3
柔性非晶硅太阳能电池制造步骤同例1，仅改变步骤3中的ZnO透明导电膜沉积温度，以及步骤7中微晶硅薄膜沉积温度：
在370℃温度下用磁控溅射法在改性PI基片上沉积一层面电阻14Ω/□，透光率90％的ZnO透明导电膜。
在400℃温度下沉积底电池的P型微晶硅薄膜层和顶电池的N型微晶硅薄膜层
形成隧道结。
例4
柔性非晶硅太阳能电池制造步骤同例1，改变步骤1中的改性PI基片制作配方，以及步骤3中的ZnO透明导电膜沉积温度：
按3，3`-三氟代二甲基-4，4`二氨基二苯甲烷∶N，N-二甲基乙酰胺∶2，3，3`，4`-联苯四甲酸二酐＝1.1∶50∶1.1的摩尔比例将二胺单体3，3`-三氟代二甲基-4，4`二氨基二苯甲烷加入到N，N-二甲基乙酰胺DMAc溶液中，充入氮气，室温下搅拌5分钟后，开始加入的2，3，3`，4`-联苯四甲酸二酐a-BPDA，在氮气保护下，室温搅拌反应20小时。真空脱泡过滤后，得到无色透明的聚酰胺酸粘稠溶液。将该溶液涂布在干净的不锈钢板上，再放入烘箱中按下列程序烘干：120℃/1h ；170℃/1h；280℃/1h；350℃/1h。冷却后得到均匀的透明改性PI基片。
在400℃温度下用磁控溅射法在改性PI基片上沉积一层面电阻13Ω/□，透光率92％的ZnO透明导电膜。
例5
柔性非晶硅太阳能电池制造步骤同例1，改变步骤7中的非晶硅和微晶硅薄膜沉积温度：
将预热好的沉积夹具推入真空室中，在250℃的真空室温度下沉积顶电池的P型非晶硅
顶电池的I型非晶硅
底电池的I型非晶硅
底电池的N型非晶硅
在350℃温度下沉积底电池的P型微晶硅薄膜层
和顶电池的N型微晶硅薄膜层
形成隧道结。
Claims (9)
1、一种柔性太阳能电池，包括单结或多结构成的薄膜非晶硅电池，其特征在于以改性聚酰亚胺透明基片为衬底的柔性薄膜非晶硅电池，包括在改性聚酰亚胺透明基片的透明导电膜上顺序沉积至少一个PIN结，还包括一层金属膜构成柔性非晶硅太阳能电池，所说的PIN结是同质结或异质结，所说的衬底是按摩尔比配方：3，3`-三氟代二甲基-4，4`二氨基二苯甲烷∶N，N-二甲基乙酰胺∶2，3，3`，4`-联苯四甲酸二酐＝(0.9～1.1)∶(45～50)∶(0.9～1.1)形成的改性聚酰亚胺透明基片。
2、根据权利要求1所述的一种柔性太阳能电池，其特征在于所说的单结薄膜非晶硅电池，是以柔性透明的改性聚酰亚胺透明基片为衬底，在其上顺序层叠透明导电膜、P型非晶硅、本征非晶硅、N型非晶硅和金属膜。
3、根据权利要求1所述的一种柔性太阳能电池，其特征在于所说改性聚酰亚胺透明基片的透光率为90％-93％，在温度为350℃-400℃条件下，耐温4小时不变形，其分子式如下：
4、一种柔性太阳能电池的制造方法，其特征在于以下工艺流程的步骤：
1)制备改性聚酰亚胺透明基片；
2)在改性聚酰亚胺透明基片上装框架；
3)在改性聚酰亚胺透明基片上，磁控溅射透明导电膜；
4)预热：改性聚酰亚胺透明基片装沉积夹具，在温度220℃-250℃条件下，预热1.5-2小时；
5)沉积：真空室中，在透明导电膜上顺序沉积至少一个PIN结，在温度220℃-250℃条件下，形成非晶硅膜；在300℃-400℃下沉积两个PIN结的相邻的P型和N型膜微晶化形成隧道结。
5、根据权利要求4所述的一种柔性太阳能电池的制造方法，其特征是在于所说的制备，聚酰亚胺按摩尔比配方：3，3`-三氟代二甲基-4，4`二氨基二苯甲烷∶N，N-二甲基乙酰胺∶2，3，3`，4`-联苯四甲酸二酐＝(0.9～1.1)∶(45～50)∶(0.9～1.1)制得改性聚酰亚胺透明基片。
6、根据权利要求5所述的一种柔性太阳能电池的制造方法，其特征在于所说的改性聚酰亚胺透明基片按摩尔比配方制备条件：首先制成聚酰胺酸浆料，再经真空抽滤，在0.5mm厚的不锈钢板上丝网印刷或喷涂；在以下温度条件下烘干：120℃/1h，170℃/1h，280℃/1h，350℃/1h；冷却后制成改性聚酰亚胺透明基片。
7、根据权利要求4所述的一种柔性太阳能电池的制造方法，其特征在于所说的框架是耐高温的刚性材料制成的装置，可夹持和绷紧改性聚酰亚胺透明基片。
8、根据权利要求4所述的一种柔性太阳能电池的制造方法，其特征在于所说的磁控溅射透明导电膜，温度为350℃-400℃，用磁控溅射法在改性聚酰亚胺透明基片上沉积一层透明导电膜SnO2、ITO或ZnO。
9、根据权利要求4所述的一种柔性太阳能电池的制造方法，其特征在于所说的柔性太阳能电池是双结的，在温度220℃-250℃条件下沉积非晶硅，真空沉积顶电池的P型非晶硅薄膜层
顶电池的I型非晶硅薄膜层
底电池的I型非晶硅薄膜层
底电池的N型非晶硅
在300℃-400℃温度下沉积底电池的P型微晶硅薄膜层
和顶电池的N型微晶硅薄膜层
形成隧道结。
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