CN100498393C - 光纤和传输***以及波分复用传输*** - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种光纤,其包括:中心纤芯、以及位于该纤芯外周的包层,上述纤芯具有:至少一层共掺杂层,其由掺杂了锗及氟的石英玻璃构成;以及至少一层低浓度共掺杂层,其由掺杂了锗的石英玻璃,或掺杂了锗和与上述共掺杂层相比为少量的氟的石英玻璃构成。
Description
技术领域
本发明涉及一种可抑制受激布里渊散射(以下称作SBS)的发生,且可用高功率的信号进行传输的光纤。并且,涉及使用了该光纤的传输***以及波分复用传输***。
本申请对2004年10月22日提出的JP特愿2004-308359号申请、2005年3月1日提出的JP特愿2005-55669号申请、以及2005年7月19日提出的JP特愿2005-208687号申请主张优先权,并在此引用其内容。
背景技术
近年来,开始了将光纤接入各个家庭,并用其进行各种信息的交换的光纤入户(Fiber To The Home;以下称作FTTH)服务。
作为传输各种信息的FTTH的一种形态,存在以各自不同的方式,使用一根光纤同时传输广播信号和其他通信信号的***(ITU-TRecommendation G.652)。一般来讲,在该***中,广播信号多为模拟信号或基带信号。
从作为传输介质的光纤的角度观察到的该光纤的特征如下所示。
FTTH通常为双星型的无源光网络(PON:Passive OpticalNetwork),且分配损耗较大(通常设想为最大32个分路)。
由于传输模拟信号或基带信号,因此需要增大接收机中的载噪比(CNR:Carrier Noise Ratio),所需的受光部的最低信号光功率大于通信中所使用的数字传输。
由此可知,在该***中,需要增大信号输入部的必要信号光功率。特别是考虑到信号光在传输中的衰减及分配损耗,则在更远距离的线路及更多分路的线路中,需要更高的功率。当然,对于能够使信号传输到尽量远的距离,或者可一次同时分配给很多的用户,从各方面(建设成本,维修性,***设计等)看均有优点。
然而,在使用光纤的光传输中,作为非线性现象的一种的SBS(受激布里渊散射),会导致出现即使欲使某个功率以上的光入射到光纤中,也只能入射一定光量(以下称作SBS阈值功率),其余的则成为后方散射光而返回至入射光侧的现象,从而产生有时限制了输入部的信号光功率的问题(参照例如非专利文献1)。
以往,作为实现抑制SBS的方法,公开有在长度方向上使光学特性及掺杂物浓度、残余应力发生变化的方法(参照例如专利文献1及非专利文献2)。
非专利文献1:A.R.Charaplyvy,J.Lightwave Technol.,vol.8,pp.1548-1557(1990)
专利文献1:美国专利第5,267,339号公报
非专利文献2:K.Shiraki,et al.,J.Lightwave Technol.,vol.14,pp.50-57(1996)
然而,在专利文献1及非专利文献2所述的抑制SBS方法中,由于光纤长度方向的光学特性也必然发生变化,因此在实用上并不理想。
发明内容
本发明就是鉴于上述情况而做出的,其目的在于提供一种与以往的光纤相比,可进一步提高SBS阈值功率的光纤,以及使用了该光纤的传输***及波分复用传输***。
为了达成上述目的,本发明提供一种光纤,具有:中心纤芯、以及位于该纤芯的外周的包层,纤芯具有:至少一层共掺杂层,由掺杂了锗及氟的石英玻璃构成;以及至少一层低浓度共掺杂层,由掺杂了锗的石英玻璃,或掺杂了锗及氟、且氟的掺杂量与上述共掺杂层相比为少量的石英玻璃构成;位于上述纤芯的中心附近的第一纤芯由掺杂了锗及氟的共掺杂层构成,上述第一纤芯的上述锗的浓度以氧化锗换算在4~15质量%的范围内,上述氟的浓度在0.2~5质量%的范围内。
在本发明的光纤中,优选纤芯由位于中心附近的作为上述第一纤芯的内侧纤芯和设置于该内侧纤芯的外周的外侧纤芯构成,内侧纤芯由共掺杂层构成,该共掺杂层由掺杂了锗及氟的石英玻璃构成,外侧纤芯由低浓度共掺杂层构成,该低浓度共掺杂层由掺杂了锗的石英玻璃,或掺杂了锗及氟、且氟的掺杂量与上述内侧纤芯相比为少量的石英玻璃构成。
在本发明的光纤中,优选包层由未掺杂掺杂物的石英玻璃构成。
在本发明的光纤中,也可在包层的局部掺杂氟。
在本发明的光纤中,包层由设置于纤芯外周的内侧包层和设置于该内侧包层的外周的外侧包层构成,当设内侧包层的折射率为nc1、外侧包层的折射率为nc2时,优选具有nc1<nc2的关系。
在本发明的光纤中,包层由设置于纤芯外周的内侧包层、设置于该内侧包层的外周的凹槽层、以及设置于该凹槽层的外侧的外侧包层构成,当设内侧包层的折射率为nc1、凹槽层的折射率为nc2、外侧包层的折射率为nc3时,优选具有nc2<nc1、且nc2<nc3的关系。
在本发明的光纤中,优选内侧纤芯直径与外侧纤芯直径之比在0.10~0.85的范围内。
在本发明的光纤中,优选内侧纤芯直径与外侧纤芯直径之比在0.25~0.70的范围内。
在本发明的光纤中,也可构成为内侧纤芯与外侧纤芯的光学折射率之差以相对折射率差计算,在0.07%以下。
在本发明的光纤中,优选内侧纤芯与外侧纤芯的相对于包层的相对折射率差的平均值在0.30%~0.60%的范围内,外侧纤芯直径在6.0~10.5μm的范围内。
在本发明的光纤中,纤芯由位于中心附近的第一纤芯、设置于该第一纤芯的外周的第二纤芯、以及设置于该第二纤芯的外周的第三纤芯构成,优选第一纤芯及第三纤芯由共掺杂层构成,该共掺杂层由掺杂了锗及氟的石英玻璃构成,第二纤芯由低浓度共掺杂层构成,该低浓度共掺杂层由掺杂了锗的石英玻璃,或掺杂了锗及氟、且氟的掺杂量与上述第一纤芯相比为少量的石英玻璃构成。
在本发明的光纤中,优选设第一纤芯的氟浓度为nf1质量%、第二纤芯的氟浓度为nf2质量%、第三纤芯的氟浓度为nf3质量%时,具有nf1>nf2、且nf3>nf2的关系。
在上述光纤中,也可构成为nf1与nf3大致相等。
在上述光纤中,也可具有nf1<nf3的关系。
在上述光纤中,也可具有nf1>nf3的关系。
在本发明的光纤中,优选光学特性满足ITU-T Recommendation G.652的规定。
另外,本发明提供一种构成为使用上述本发明涉及的光纤来进行模拟信号传输或基带信号传输的传输***。
并且,本发明提供一种构成为使用上述本发明涉及的光纤来进行模拟信号传输和/或基带信号传输,并且进行数据传输和/或声音传输的波分复用传输***。
根据本发明,可以提供一种可抑制SBS的发生,且可用高功率的信号进行传输的光纤,以及可利用该光纤进行多分路、远距离传输的传输***以及波分复用传输***。
附图说明
图1是表示本发明的一实施方式的光纤的端面图。
图2是表示在实施例中试作的光纤的内侧纤芯直径/外侧纤芯直径比率及内侧纤芯Ge浓度与阈值功率的关系的曲线图。
图3A是例示本发明的光纤的折射率分布的图。
图3B是例示本发明的光纤的折射率分布的图。
图3C是例示本发明的光纤的折射率分布的图。
图3D是例示本发明的光纤的折射率分布的图。
图3E是例示本发明的光纤的折射率分布的图。
图3F是例示本发明的光纤的折射率分布的图。
图4A是表示第二实施方式中基于以往方法的光纤的Ge浓度分布的曲线图。
图4B是表示第二实施方式中基于以往方法的光纤的F浓度分布的曲线图。
图4C是表示第二实施方式中基于以往方法的光纤的折射率分布差的曲线图。
图5是表示图4A~图4C的光纤的相对布里渊增益谱的曲线图。
图6A是表示第二实施方式中基于本发明方法的光纤的Ge浓度分布的曲线图。
图6B是表示第二实施方式中基于本发明方法的光纤的折射率分布和F浓度分布的曲线图。
图6C是表示第二实施方式中基于本发明方法的光纤的折射率分布差的曲线图。
图7是表示图6A~图6C的光纤的相对布里渊增益谱的曲线图。
图8A是表示第三实施方式中基于以往方法的光纤的Ge浓度分布的曲线图。
图8B是表示第三实施方式中基于以往方法的光纤的F浓度分布的曲线图。
图8C是表示第三实施方式中基于以往方法的光纤的折射率分布差的曲线图。
图9是表示图8A~图8C的光纤的相对布里渊增益谱的曲线图。
图10A是表示第三实施方式中基于本发明方法的光纤的Ge浓度分布的曲线图。
图10B是表示第三实施方式中基于本发明方法的光纤的F浓度分布的曲线图。
图10C是表示第三实施方式中基于本发明方法的光纤的折射率分布差的曲线图。
图11是表示图10A~图10C的光纤的相对布里渊增益谱的曲线图。
图12A是表示第四实施方式中基于本发明方法的光纤的Ge浓度分布的曲线图。
图12B是表示第四实施方式中基于本发明方法的光纤的F浓度分布的曲线图。
图12C是表示第四实施方式中基于本发明方法的光纤的折射率分布差的曲线图。
图13是表示图12A~图12C的光纤的相对布里渊增益谱的曲线图。
图14A是表示第五实施方式中基于本发明方法的光纤的Ge浓度分布的曲线图。
图14B是表示第五实施方式中基于本发明方法的光纤的F浓度分布的曲线图。
图14C是表示第五实施方式中基于本发明方法的光纤的折射率分布差的曲线图。
图15是表示图14A~图14C的光纤的相对布里渊增益谱的曲线图。
图16A是表示第六实施方式中基于本发明方法的光纤的Ge浓度分布的曲线图。
图16B是表示第六实施方式中基于本发明方法的光纤的F浓度分布的曲线图。
图16C是表示第六实施方式中基于本发明方法的光纤的折射率分布差的曲线图。
图17是表示图16A~图16C的光纤的相对布里渊增益谱的曲线图。
图18A是表示第七实施方式中基于本发明方法的光纤的Ge浓度分布的曲线图。
图18B是表示第七实施方式中基于本发明方法的光纤的F浓度分布的曲线图。
图18C是表示第七实施方式中基于本发明方法的光纤的折射率分布差的曲线图。
图19是表示图18A~图18C的光纤的相对布里渊增益谱的曲线图。
图20A是表示第八实施方式中基于本发明方法的光纤的Ge浓度分布的曲线图。
图20B是表示第八实施方式中基于本发明方法的光纤的F浓度分布的曲线图。
图20C是表示第八实施方式中基于本发明方法的光纤的折射率分布差的曲线图。
图21是表示图20A~图20C的光纤的相对布里渊增益谱的曲线图。
图22A是表示第九实施方式中基于本发明方法的光纤的Ge浓度分布的曲线图。
图22B是表示第九实施方式中基于本发明方法的光纤的F浓度分布的曲线图。
图22C是表示第九实施方式中基于本发明方法的光纤的折射率分布差的曲线图。
图23是表示图22A~图22C的光纤的相对布里渊增益谱的曲线图。
图24A是表示第十实施方式中基于本发明方法的光纤的Ge浓度分布的曲线图。
图24B是表示第十实施方式中基于本发明方法的光纤的F浓度分布的曲线图。
图24C是表示第十实施方式中基于本发明方法的光纤的折射率分布差的曲线图。
图25是表示图24A~图24C的光纤的相对布里渊增益谱的曲线图。
图26是表示使用本发明的光纤构成的光传输***(波分复用传输***)的图。
符号说明:1...光纤;2...内侧纤芯;3...外侧纤芯;4...包层;10...光传输***(波分复用传输***)。
具体实施方式
以下,参照附图,对本发明的实施方式进行说明。
图1是表示本发明涉及的光纤的一实施方式的图。本实施方式的光纤1包括:内侧纤芯2,其由掺杂了锗及氟的石英玻璃构成;外侧纤芯3,其设置于该内侧纤芯2的外周,由掺杂了锗的石英玻璃,或掺杂了锗及氟、且氟的掺杂量与上述内侧纤芯2相比为少量的掺杂了氟的石英玻璃构成;以及包层4,其设置于该外侧纤芯3的外周。通过形成本构造,可以抑制光纤传输中成为问题的SBS的发生,并可提高SBS阈值功率,以更高功率的信号进行传输。
优选内侧纤芯2的锗的浓度以氧化锗换算在4~15质量%的范围内,并且,氟的浓度在0.2~5质量%的范围内。当内侧纤芯2的锗及氟的浓度高于上述范围时,雷利散射增加,光纤1的传输损耗增大,从而实用上发生问题。另一方面,当内侧纤芯2的锗及氟的浓度低于上述范围时,SBS阈值功率的增大效果不充分,从而有可能不能达成本发明的目的。
另外,优选将内侧纤芯直径与外侧纤芯直径之比设定在0.10~0.85的范围内。通过将内侧纤芯直径与外侧纤芯直径之比设定在上述范围内,相对于标准单模光纤(以下称作标准SM光纤),可获得大约1.5倍的SBS阈值功率。
此外,优选将内侧纤芯直径与外侧纤芯直径之比设定在0.25~0.70的范围内。通过将内侧纤芯直径与外侧纤芯直径之比设定在上述范围内,可将SBS阈值功率提高至标准SM光纤的大约2倍。
另外,优选内侧纤芯2与外侧纤芯3的光学折射率实质上相等。如果内侧纤芯2与外侧纤芯3的光学折射率不同,则光纤的波导色散(也叫结构色散)移向长波长侧,从而有可能难以将光学特性控制在所希望的范围内。这里,所谓光学折射率实质上相等,是设想各个折射率的差以相对折射率差(Δ)计算,大约在0.07%以下。但是,由于内侧纤芯2与外侧纤芯3具有由各自制造偏差等引起的折射率在径向的不均匀,因此,用各自内侧纤芯2与外侧纤芯3的平均折射率进行比较较为适当。并且,这里所谓所希望的范围是指,满足例如ITU-T Recommendation G.652的规定的范围。在G.652所规定的特性中,至少波长色散特性相同,这对于进行传输线路的设计是非常重要的。即使在其他情况下,根据现有的各种光纤的光学特性,通过采用本发明的结构,也可使光学特性不产生大的偏移。
另外,为了获得满足ITU-T Recommendation G.652的规定的光学特性,包括内侧纤芯2与外侧纤芯3的整个纤芯部的光学折射率平均值,作为相对于包层4的相对折射率差,需要分别在0.30~0.40%的范围内,且外侧纤芯直径在7.5~11μm的范围内。
具有上述本发明的结构、且具有满足ITU-T Recommendation G.652的规定的光学特性的光纤,具有可与以往的光纤同样地使用的优点,这是因为使除了所谓具有高SBS阈值功率的本发明的特征以外的光学特性,与构成现存的传输路的光纤相同的缘故。
图3A~图3F是例示本发明涉及的光纤的径向折射率分布的图,但本发明不局限于本示例。
具有图3A所示的折射率分布的光纤包括:内侧纤芯2,具有阶梯形折射率分布,折射率最高;外侧纤芯3,设置于该内侧纤芯2的外周,折射率比内侧纤芯2低一些;以及包层4,由设置于外侧纤芯3的外周的石英玻璃构成。
具有图3B所示的折射率分布的光纤包括:内侧纤芯2,具有阶梯形折射率分布;外侧纤芯3,设置于该内侧纤芯2的外周,折射率比内侧纤芯2高一些;以及包层4,由设置于外侧纤芯3的外周的石英玻璃构成。
具有图3C所示的折射率分布的光纤包括:内侧纤芯2,具有折射率向中心逐渐升高的折射率分布;外侧纤芯3,设置于该内侧纤芯2的外周;以及包层4,由设置于外侧纤芯3的外周的石英玻璃构成。
具有图3D所示的折射率分布的光纤包括:内侧纤芯2,外周附近部的折射率高于中心部;外侧纤芯3,设置于该内侧纤芯2的外周,外周附近部的折射率较高;以及包层4,由设置于外侧纤芯3的外周的石英玻璃构成。
具有图3E所示的折射率分布的光纤包括:内侧纤芯2,具有中心部的折射率低的大致凹字状的折射率分布;外侧纤芯3,设置于该内侧纤芯2的外周,具有外周部的折射率逐渐降低的折射率分布;以及包层4,由设置于外侧纤芯3的外周的石英玻璃构成。
具有图3F所示的折射率分布的光纤包括:内侧纤芯2,在中央部具有楔状低折射率部;外侧纤芯3,设置于该内侧纤芯2的外周,折射率高于内侧纤芯2,具有折射率向外周逐渐降低的折射率分布;以及包层4,由设置于外侧纤芯3的外周的石英玻璃构成。
本发明还提供一种使用了上述本发明涉及的光纤的传输***。
使用上述本发明涉及的光纤的优点在于,如上所述,可以导入更高功率的信号光。因此,可使用本发明的光纤进行需要较高功率的模拟信号传输或基带信号传输,从而可以实现更多分路、更远距离的传输,并由此受益。特别是传输距离在15km以上和/或分路数在32分路以上的***受益最大。
并且,使用本发明涉及的光纤,除了可以进行上述的模拟信号传输或基带信号传输以外,还可同时进行其他传输,也可进行波分复用传输。作为波分复用传输可以考虑如ITU-T G.983.3所示的FTTH中的一个形态,或者CWDM等。特别是传输距离在15km以上和/或分路数在32分路以上的***受益最大。
当然,作为传输***无需局限于这些用途。例如,不仅可用于普通的公共数据通信,也可用于数码远距离无中继传输***、及智能交通***(ITS)、传感器用途、远程激光切割***等。
实施例
[第一实施方式]
试作了本发明第一实施方式涉及的光纤。表1~表3的No.2~No.25表示试作的光纤的实施例、其构造及光学特性。另外,在表1的No.1中,作为比较例还同样表示了标准SM光纤(ITU-T Recommendation G.652标准)。在表1~表3中,“Ge浓度”表示掺杂于内侧纤芯或外侧纤芯的锗的浓度(换算为氧化锗),“F浓度”表示掺杂于内侧纤芯或外侧纤芯的氟的浓度。另外,在No.2~No.25的各个实施例的光纤中,“相对布里渊增益”是将用比较例的光纤测定的SBS光强度设为1时的用各个实施例的光纤测定的SBS光强度的相对值。同样,“相对阈值功率”是将用比较例的光纤测定的SBS阈值功率设为1时的用各个实施例的光纤测定的SBS阈值功率的相对值。
【表1】
【表2】
【表3】
由表1~表3的结果可知,No.2~No.25所示的实施例的光纤,采用了以下结构,即、具有:内侧纤芯,含有锗及氟;以及外侧纤芯,只含有锗或含有锗及少量的氟,由此,与比较例的标准SM光纤相比,可以抑制SBS的发生,并获得相对较高的SBS阈值功率,与比较例的标准SM光纤相比,可以传输更高功率的信号光。
图2表示从在本实施方式中试作的光纤中发现的、内侧纤芯直径/外侧纤芯直径比率及内侧纤芯Ge浓度与阈值功率的关系。
从图2可知,通过大致满足上述参数范围,可以获得所希望的阈值功率。
[第二实施方式]
第二实施方式涉及波长1310nm下的MFD为8.6μm左右的SM光纤。该种光纤作为在满足ITU-T Recommendation G.652的范围内,减小了弯曲损耗的光纤被商品化。在图4A~图4C及表4中表示用以往方法设计此种光纤时的掺杂物(Ge、F)浓度分布及相对折射率差。
【表4】
半径[μm] | Ge浓度[质量%] | F浓度[质量%] | 相对折射率差[%] | |
中心纤芯 | 4.256 | 4.21 | 0.15 | 0.37 |
内侧包层 | 10.64 | 0.00 | 0.15 | -0.05 |
外侧包层 | 62.5 | 0.00 | 0.00 | 0.00 |
利用该种折射率分布,可以获得呈现如下光学特性的光纤。
光纤截止波长:1.26μm。
波长1310nm下的MFD:8.59μm。
波长1550nm下的MFD:9.56μm。
零色散波长:1305.8nm。
波长1550nm下的波长色散:17.1ps/nm/km。
波长1550nm下的色散斜率:0.057ps/nm2/km。
弯曲直径30mm、波长1310nm下的弯曲损耗:<0.01dB/m。
弯曲直径30mm、波长1550nm下的弯曲损耗:1.89×10-2dB/m。
基于图4A~图4C的折射率分布的光纤,与实施例1及比较例所示的普通SM光纤相比,通过减小MFD,改善了弯曲损耗。然而,存在因小MFD化而使SBS阈值功率劣化的问题。
图5表示由图4A~图4C的折射率分布获得的相对布里渊增益谱。将实施例1及比较例的光纤的布里渊增益的最大值设为1,而进行了归一化。相对布里渊增益的最大值变为1.18,SBS阈值功率降低了0.7dB。
图6A~图6C及表5表示基于本发明第二实施方式的光纤的实施例26。
【表5】
半径[μm] | Ge浓度[质量% | F浓度[质量%] | 相对折射率差[%] | |
内侧纤芯 | 2.128 | 10.31 | 2.00 | 0.37 |
外侧纤芯 | 4.256 | 4.21 | 0.15 | 0.37 |
内侧包层 | 10.64 | 0.00 | 0.15 | -0.05 |
外侧包层 | 62.5 | 0.00 | 0.00 | 0.00 |
与基于以往方法的实施例相比,虽然内侧纤芯部的Ge、F浓度增大,但是相对折射率差Δ相同,MFD及波长色散这样的光学特性与图4A~图4C的折射率分布相同。
图7表示图6A~图6C的折射率分布的光纤的相对布里渊增益谱。与图5一样,以实施例1及比较例的光纤作为基准。相对布里渊增益的最大值变为0.55,SBS阈值功率则改善了2.6dB。
基于本实施方式的光纤,呈现满足ITU-T Recommendation G.652的光学特性,并且具有低弯曲损耗、高SBS阈值功率,因此作为面向FTTH的光纤具有优良的特性。
[第三实施方式]
第三实施方式涉及进一步改善了弯曲特性的光纤。
图8A~图8C表示基于以往方法的低弯曲损耗光纤的例子。本光纤具有表6所示的浓度分布及折射率分布。
【表6】
半径[μm] | Ge浓度[质量%] | F浓度[质量%] | 相对折射率差[%] | |
中心纤芯 | 3.47 | 5.21 | 0.15 | 0.47 |
内侧包层 | 6.94 | 0.00 | 0.15 | -0.05 |
凹槽 | 12.15 | 0.00 | 0.76 | -0.25 |
外侧包层 | 62.50 | 0.00 | 0.00 | 0.00 |
利用该种折射率分布,可以获得显现如下光学特性的光纤。
光纤截止波长:1.26μm。
波长1310nm下的MFD:7.36μm.
波长1550nm下的MFD:8.19μm。
零色散波长:1319.2nm。
波长1550nm下的波长色散:17.4ps/nm/km。
波长1550nm下的色散斜率:0.060ps/nm2/km。
弯曲直径30mm、波长1310nm下的弯曲损耗:<0.01dB/m。
弯曲直径30mm、波长1550nm下的弯曲损耗:<0.01dB/m。
弯曲直径15mm、波长1310nm下的弯曲损耗:<0.01dB/m。
弯曲直径15mm、波长1550nm下的弯曲损耗:0.29dB/m。
波长1310nm下的MFD虽然较小,为7.36μm,但弯曲损耗得到改善,即使以直径15mm进行卷绕也几乎不发生损耗增加。然而,MFD变小,会导致SBS阈值功率劣化。图9表示本例的光纤的相对布里渊增益谱。与图5一样,以实施例1及比较例作为基准。相对布里渊增益的最大值变为1.7,SBS阈值功率则降低了2.3dB。
图10A~图10C及表7表示基于本发明第三实施方式的光纤的实施例27。
【表7】
半径[μm] | Ge浓度[质量%] | F浓度[质量%] | 相对折射率差[%] | |
内侧纤芯 | 1.74 | 11.32 | 2.00 | 0.47 |
外侧纤芯 | 3.47 | 5.21 | 0.15 | 0.47 |
内侧包层 | 6.94 | 0.00 | 0.15 | -0.05 |
凹槽 | 12.15 | 0.00 | 0.76 | -0.25 |
外侧包层 | 62.50 | 0.00 | 0.00 | 0.00 |
与基于以往方法的实施例相比,虽然内侧纤芯的Ge、F浓度增大,但是相对折射率差Δ相同,MFD及波长色散这样的光学特性与图8A~图8C的折射率分布相同。
图11表示图10A~图10C的折射率分布的光纤的相对布里渊增益谱。与图5一样,以实施例1及比较例作为基准。相对布里渊增益的最大值变为0.67,SBS阈值功率则改善了1.7dB。
基于本实施方式的光纤,除了呈现出与ITU-T Recommendation G.652同样的波长色散特性以外,还具有低弯曲损耗、高SBS阈值功率,因此作为面向FTTH的光纤具有优良的特性。
[第四实施方式]
第四实施方式涉及如下光纤,其纤芯由中心附近的第一共掺杂层(第一层)、位于第一共掺杂层的外周的非共掺杂层(第二层)、以及位于非共掺杂层的外周的第二共掺杂层(第三层)构成。图12A~图12C表示本实施方式的光纤的折射率分布及掺杂物分布。以下示出各层的直径、光学相对折射率差、Ge及F浓度。
第一层半径(r1):1.66μm。
第二层半径(r2):3.33μm。
第三层半径(r3):4.43μm。
第一层Ge浓度(nG1):5.0质量%。第一层F浓度(nF1):0.45质量%。
第二层Ge浓度(nG2):3.5质量%。第二层F浓度(nF2):0.00质量%
第三层Ge浓度(nG3):5.0质量%。第三层F浓度(nF3):0.45质量%。
相对折射率差(Δ):0.35%。
调整了第一层、第二层及第三层的各自的Ge浓度和F浓度,使得相对折射率差Δ相同,都成为0.35%。
利用该种折射率分布,可以获得呈现如下光学特性的光纤。
光纤截止波长:1292nm。
光缆截止波长:1240nm。
波长1310nm下的MFD:9.21μm。
波长1550nm下的MFD:10.30μm。
零色散波长:1307.2nm。
波长1550nm下的波长色散:17.38ps/nm/km。
波长1550nm下的色散斜率:0.060ps/nm2/km。
弯曲直径30mm、波长1310nm下的弯曲损耗:0.13dB/m。
弯曲直径30mm、波长1550nm下的弯曲损耗:3.73dB/m。
本实施方式的光纤具有与实施例1及比较例所示的普通光纤大致相同的MFD。
图13表示由图12A~图12C的折射率分布获得的光纤的相对布里渊增益谱。将实施例1及比较例的光纤的布里渊增益的最大值设为1,而进行了归一化。相对布里渊增益的最大值变为0.46,SBS阈值功率降低了4.3dB。
在本实施方式中。对于从小到大的10760MHz、10840MHz、10950MHz、11060MHz、11180MHz的频率偏移而言,分别存在具有0.46、0.32、0.20、0.07、0.02的相对增益的峰值。
[第五实施方式]
第五实施方式涉及如下一种光纤,其纤芯由中心附近的第一共掺杂层(第一层)、位于第一共掺杂层的外周的非共掺杂层(第二层)、以及位于非共掺杂层的外周的第二共掺杂层(第三层)构成。图14A~图14C表示本实施方式的光纤的折射率分布及掺杂物分布。以下示出各层的直径、光学相对折射率差、Ge及F浓度。
第一层半径(r1):1.11μm。
第二层半径(r2):3.33μm。
第三层半径(r3):4.43μm。
第一层Ge浓度(nG1):5.0质量%。第一层F浓度(nF1):0.45质量%。
第二层Ge浓度(nG2):3.5质量%。第二层F浓度(nF2):0.00质量%。
第三层Ge浓度(nG3):5.0质量%。第三层F浓度(nF3):0.45质量%。
相对折射率差(Δ):0.35%。
调整了第一层、第二层及第三层的各自的Ge浓度和F浓度,使得相对折射率差Δ相同,都成为0.35%。由此获得的光学特性与第四实施方式相同。
图15表示由图14A~图14C的折射率分布获得的光纤的相对布里渊增益谱。将实施例1及比较例的光纤的布里渊增益的最大值设为1,而进行了归一化。相对布里渊增益的最大值变为0.67,SBS阈值功率降低了2.4dB。
在本实施方式中,对于从小到大的10800MHz、10840MHz、11030MHz、11200MHz的频率偏移而言,分别存在具有0.45、0.44、0.67、0.02的相对增益的峰值。
[第六实施方式]
第六实施方式涉及如下一种光纤,其纤芯由中心附近的第一共掺杂层(第一层)、位于第一共掺杂层的外周的非共掺杂层(第二层)、以及位于非共掺杂层的外周的第二共掺杂层(第三层)构成。图16A~图16C表示本实施方式的光纤的折射率分布及掺杂物分布。以下示出各层的直径、光学相对折射率差、Ge及F浓度。
第一层半径(r1):2.22μm。
第二层半径(r2):3.33μm。
第三层半径(r3):4.43μm
第一层Ge浓度(nG1):5.0质量%。第一层F浓度(nF1):0.45质量%。
第二层Ge浓度(nG2):3.5质量%。第二层F浓度(nF2):0.00质量%。
第三层Ge浓度(nG3):5.0质量%。第三层F浓度(nF3):0.45质量%。
相对折射率差(Δ):0.35%。
调整了第一层、第二层及第三层的各自的Ge浓度和F浓度,使得相对折射率差Δ相同,都成为0.35%。由此获得的光学特性与第四实施方式相同。
图17表示由图16A~图16C的折射率分布获得的光纤的相对布里渊增益谱。将实施例1及比较例的光纤的布里渊增益的最大值设为1,而进行了归一化。相对布里渊增益的最大值变为0.66,SBS阈值功率降低了2.9dB。
在本实施方式中,对于从小到大的10740MHz、10830MHz、11050MHz的频率偏移而言,分别存在具有0.62、0.66、0.07的相对增益的峰值。
[第七实施方式]
第七实施方式涉及如下一种光纤,其纤芯由中心附近的第一共掺杂层(第一层)、位于第一共掺杂层的外周的非共掺杂层(第二层)、以及位于非共掺杂层的外周的第二共掺杂层(第三层)构成。图18A~图18C表示本实施方式的光纤的折射率分布及掺杂物分布。以下示出各层的直径、光学相对折射率差、Ge及F浓度。
第一层半径(r1):1.66μm。
第二层半径(r2):3.33μm。
第三层半径(r3):4.43μm。
第一层Ge浓度(nG1):5.0质量%。第一层F浓度(nF1):0.45质量%。
第二层Ge浓度(nG2):3.5质量%。第二层F浓度(nF2):0.00质量%。
第三层Ge浓度(nG3):5.0质量%。第三层F浓度(nF3):0.45质量%。
相对折射率差(Δ):0.35%。
调整了第一层、第二层及第三层的各自的Ge浓度和F浓度,使得相对折射率差Δ相同,都成为0.35%。由此获得的光学特性与第四实施方式相同。
图19表示由图18A~图18C的折射率分布获得的光纤的相对布里渊增益谱。将实施例1及比较例的光纤的布里渊增益的最大值设为1,而进行了归一化。相对布里渊增益的最大值变为0.44,SBS阈值功率降低了3.9dB。
在本实施方式中,对于从小到大的10670MHz、10760MHz、11950MHz、11000MHz、11140MHz的频率偏移而言,分别存在具有0.25、0.44、0.26、0.03、0.07的相对增益的峰值。
[第八实施方式]
第八实施方式涉及如下一种光纤,其纤芯由中心附近的第一共掺杂层(第一层)、位于第一共掺杂层的外周的非共掺杂层(第二层)、以及位于非共掺杂层的外周的第二共掺杂层(第三层)构成。图20A~图20C表示本实施方式的光纤的折射率分布及掺杂物分布。以下表示各层的直径、光学相对折射率差、Ge及F浓度。
第一层半径(r1):1.66μm。
第二层半径(r2):3.33μm。
第三层半径(r3):4.43μm。
第一层Ge浓度(nG1):5.0质量%。第一层F浓度(nF1);0.45质量%。
第二层Ge浓度(nG2):3.5质量%。第二层F浓度(nF2):0.00质量%。
第三层Ge浓度(nG3):5.5质量%。第三层F浓度(nF3):0.60质量%。
相对折射率差(Δ):0.35%。
调整了第一层、第二层及第三层的各自的Ge浓度和F浓度,使得相对折射率差Δ相同,都成为0.35%。由此获得的光学特性与第四实施方式相同。
图21表示由图20A~图20C的折射率分布获得的光纤的相对布里渊增益谱。将实施例1及比较例的光纤的布里渊增益的最大值设为1,而进行了归一化。相对布里渊增益的最大值变为0.69,SBS阈值功率降低了2.9dB。
在本实施方式中,对于从小到大的10760MHz、10950MHz、11040MHz、11160MHz的频率偏移而言,分别存在具有0.69、0.24、0.06、0.04的相对增益的峰值。
[第九实施方式]
第九实施方式涉及如下一种光纤,其纤芯由中心附近的第一共掺杂层(第一层)、位于第一共掺杂层的外周的非共掺杂层(第二层)、以及位于非共掺杂层的外周的第二共掺杂层(第三层)构成。图22A~图22C表示本实施方式的光纤的折射率分布及掺杂物分布。以下示出各层的直径、光学相对折射率差、Ge及F浓度。
第一层半径(r1):1.66μm。
第二层半径(r2):3.33μm。
第三层半径(r3):4.43μm。
第一层Ge浓度(nG1):5.0质量%。第一层F浓度(nF1):0.45质量%。
第二层Ge浓度(nG2):3.5质量%。第二层F浓度(nF2):0.00质量%。
第三层Ge浓度(nG3);7.0质量%。第三层F浓度(nF3):1.05质量%。
相对折射率差(Δ):0.35%。
调整了第一层、第二层及第三层的各自的Ge浓度和F浓度,使得相对折射率差Δ相同,都成为0.35%。由此获得的光学特性与第四实施方式相同。
图23表示由图22A~图22C的折射率分布获得的光纤的相对布里渊增益谱。将实施例1及比较例的光纤的布里渊增益的最大值设为1,而进行了归一化。相对布里渊增益的最大值变为0.44,SBS阈值功率降低了4.0dB。
在本实施方式中,对于从小到大的10760MHz、10900MHz、10960MHz、11120MHz的频率偏移而言,分别存在具有0.44、0.24、0.18、0.13的相对增益的峰值。
[第十实施方式]
第十实施方式涉及如下一种光纤,其纤芯由中心附近的第一共掺杂层(第一层)、位于第一共掺杂层的外周的非共掺杂层(第二层)、以及位于非共掺杂层的外周的第二共掺杂层(第三层)构成。图24A~图24C表示本实施方式的光纤的折射率分布及掺杂物分布。以下表示各层的直径、光学相对折射率差、Ge及F浓度。
第一层半径(r1):1.66μm。
第二层半径(r2):3.33μm。
第三层半径(r3):4.43μm。
第一层Ge浓度(nG1):7.0质量%。第一层F浓度(nF1):1.05质量%.
第二层Ge浓度(nG2):3.5质量%。第二层F浓度(nF2):0.00质量%。
第三层Ge浓度(nG3):7.0质量%。第三层F浓度(nF3):1.05质量%。
相对折射率差(Δ):0.35%。
调整了第一层、第二层及第三层的各自的Ge浓度和F浓度,使得相对折射率差Δ相同,都成为0.35%。由此获得的光学特性与第四实施方式相同。
图25表示由图24A~图24C的折射率分布获得的光纤的相对布里渊增益谱。将实施例1及比较例的光纤的布里渊增益的最大值设为1,而进行了归一化。相对布里渊增益的最大值变为0.34,SBS阈值功率降低了4.7dB。
在本实施方式中,对于从小到大的10420MHz、10520MHz、10660MHz、10900MHz、11010MHz的频率偏移而言,分别存在具有0.34、0.21、0.09、0.05、0.21的相对增益的峰值。
图26表示使用了本发明涉及的光纤1的、由PON构成的光传输***(波分复用传输***)10。光传输***10以ITU-T G.983.3的规定为基准,利用波长1.31μm及1.49μm进行数据信号的传输,并利用波长1.55μm进行图像信号的传输。图26作为数据传输的例子,表示通过互联网及流的方式进行数码图像分发的例子。但是,通过追加适当的装置,也可以进行声音信号的传输。并且,1.55μm波段的图像传输广泛使用如下方式,即,将普通的广播波以模拟信号的形式直接传送。在该种方式中,在用户侧的广播***接收部中,可以解调为原来的广播波的信号,从而可以原封不动地使用以往的电视接收机。
在图26的***中,以一根光纤1进行数据信号及模拟信号(图像信号)的传输。但是,在本发明的传输***中,也可分别使用数据信号用光纤和模拟信号用光纤。在该种***中,通过使用本发明的光纤,可以获得延长传输距离等的效果。
以上,对本发明的优选实施例进行了说明,但本发明不局限于这些实施例。在不脱离本发明的主旨的范围内,可以进行结构的追加、省略、置换及其他变更。本发明不由上述说明限定,而仅由权利要求限定。
Claims (18)
1.一种光纤,其特征在于,具有:
中心纤芯、以及位于该纤芯的外周的包层,
上述纤芯具有:至少一层共掺杂层,由掺杂了锗及氟的石英玻璃构成;以及至少一层低浓度共掺杂层,由掺杂了锗的石英玻璃,或掺杂了锗和氟、且上述氟的掺杂量与上述共掺杂层相比为少量的石英玻璃构成;位于上述纤芯的中心附近的第一纤芯由掺杂了锗及氟的共掺杂层构成,上述第一纤芯的上述锗的浓度以氧化锗换算在4~15质量%的范围内,上述氟的浓度在0.2~5质量%的范围内。
2.根据权利要求1所述的光纤,其特征在于,
上述纤芯由位于中心附近的作为上述第一纤芯的内侧纤芯和设置于该内侧纤芯外周的外侧纤芯构成,上述外侧纤芯由低浓度共掺杂层构成,该低浓度共掺杂层由掺杂了锗的石英玻璃,或掺杂了锗和氟、且上述氟的掺杂量与上述内侧纤芯相比为少量的石英玻璃构成。
3.根据权利要求1所述的光纤,其特征在于,
上述包层由未掺杂掺杂物的石英玻璃构成。
4.根据权利要求1所述的光纤,其特征在于,
在上述包层的局部掺杂了氟。
5.根据权利要求4所述的光纤,其特征在于,
上述包层由设置于上述纤芯外周的内侧包层和设置于该内侧包层的外周的外侧包层构成,当设上述内侧包层的折射率为nc1、上述外侧包层的折射率为nc2时,具有nc1<nc2的关系。
6.根据权利要求4所述的光纤,其特征在于,
上述包层由设置于上述纤芯外周的内侧包层、设置于该内侧包层的外周的凹槽层、以及设置于该凹槽层的外侧的外侧包层构成,当设上述内侧包层的折射率为nc1、上述凹槽层的折射率为nc2、上述外侧包层的折射率为nc3时,具有nc2<nc1、且nc2<nc3的关系。
7.根据权利要求2所述的光纤,其特征在于,
内侧纤芯直径与外侧纤芯直径之比在0.10~0.85的范围内。
8.根据权利要求7所述的光纤,其特征在于,
上述内侧纤芯直径与上述外侧纤芯直径之比在0.25~0.70的范围内。
9.根据权利要求2所述的光纤,其特征在于,
上述内侧纤芯与上述外侧纤芯的光学折射率之差以相对折射率差计算,在0.07%以下。
10.根据权利要求2所述的光纤,其特征在于,
上述内侧纤芯与上述外侧纤芯的相对于上述包层的相对折射率差的平均值在0.30%~0.60%的范围内,外侧纤芯直径在6.0~10.5μm的范围内。
11.根据权利要求1所述的光纤,其特征在于,
上述纤芯由位于中心附近的上述第一纤芯、设置于该第一纤芯的外周的第二纤芯、以及设置于该第二纤芯的外周的第三纤芯构成,上述第一纤芯及上述第三纤芯由共掺杂层构成,该共掺杂层由掺杂了锗及氟的石英玻璃构成,上述第二纤芯由低浓度共掺杂层构成,该低浓度共掺杂层由掺杂了锗的石英玻璃,或掺杂了锗及氟、且上述氟的掺杂量与上述第一纤芯相比为少量的石英玻璃构成。
12.根据权利要求11所述的光纤,其特征在于,
当设上述第一纤芯的氟浓度为nf1质量%、上述第二纤芯的氟浓度为nf2质量%、上述第三纤芯的氟浓度为nf3质量%时,具有nf1>nf2、且nf3>nf2的关系。
13.根据权利要求12所述的光纤,其特征在于,
nf1与nf3大致相等。
14.根据权利要求12所述的光纤,其特征在于,
具有nf1<nf3的关系。
15.根据权利要求12所述的光纤,其特征在于,
具有nf1>nf3的关系。
16.根据权利要求1所述的光纤,其特征在于,
光学特性满足ITU-T Recommendation G.652的规定。
17.一种传输***,其特征在于,
构成为使用权利要求1所述的光纤,进行模拟信号传输或基带信号传输。
18.一种波分复用传输***,其特征在于,
构成为使用权利要求1所述的光纤,进行模拟信号传输和/或基带信号传输,并且进行数据传输和/或声音传输。
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