CN100443893C - 基于一维纳米材料的微气体传感器的制造方法 - Google Patents
基于一维纳米材料的微气体传感器的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN100443893C CN100443893C CNB2005101122149A CN200510112214A CN100443893C CN 100443893 C CN100443893 C CN 100443893C CN B2005101122149 A CNB2005101122149 A CN B2005101122149A CN 200510112214 A CN200510112214 A CN 200510112214A CN 100443893 C CN100443893 C CN 100443893C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- metal
- micro
- monodimension nanometer
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 61
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 19
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 6
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 16
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 9
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 5
- 238000003491 array Methods 0.000 abstract 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 6
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000002238 carbon nanotube film Substances 0.000 description 2
- YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N copper nickel Chemical compound [Ni].[Cu] YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N iron nickel Chemical compound [Fe].[Ni] UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PRORZGWHZXZQMV-UHFFFAOYSA-N azane;nitric acid Chemical compound N.O[N+]([O-])=O PRORZGWHZXZQMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002134 carbon nanofiber Substances 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- ZTXONRUJVYXVTJ-UHFFFAOYSA-N chromium copper Chemical compound [Cr][Cu][Cr] ZTXONRUJVYXVTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000005202 decontamination Methods 0.000 description 1
- 230000003588 decontaminative effect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000013332 literature search Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002048 multi walled nanotube Substances 0.000 description 1
- 239000005543 nano-size silicon particle Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- RBNWAMSGVWEHFP-UHFFFAOYSA-N trans-p-Menthane-1,8-diol Chemical compound CC(C)(O)C1CCC(C)(O)CC1 RBNWAMSGVWEHFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
一种微细加工技术领域的基于一维纳米材料的微气体传感器的制造方法，包括如下步骤：(1)衬底的清洗，(2)底电极层的制备，(3)金属支柱层的制备，(4)金属顶电极层的制备，(5)去除微铸模。本发明提出使用标准微电子加工技术中图形转换技术和金属微电铸技术，作为实现基于一维纳米材料的微气体传感器的制造工艺，可以极大提高对该种传感器核心结构要素的控制精度和器件结构设计的灵活性。因此可以极大提高器件的性能，包括提高精度、敏感度、安全性、稳定性和降低能耗与成本。并可以方便地实现器件的阵列化设计，并方便实现微型智能传感器。
Description
技术领域
本发明涉及一种微细加工技术领域的方法，具体的说，是涉及一种基于一维纳米材料的微气体传感器的制造方法。
技术背景
基于气体分子在电场中的电离与由此而产生的带电粒子输运为机理的传感器，可以用于传感不同气体成分与含量信息，相对于其他类型的传感器，这种传感器的主要优点在于它有很高的选择性。
经对现有技术的文献检索发现，Zhang Yong等人在Sensors an Actuators A(传感器与执行器A)2005年第125卷，第15-24页上的文章“Study of improvingidentification accuracy of carbon nanotube film cathode gas sensor(关于提高碳纳米管薄膜阴极气体传感器识别精度的研究)”。文章使用碳纳米管薄膜作为阴极材料，降低了离化传感器的工作电压，但文章中所使用的传感器器件是用聚酯树脂(Polyset)的厚度来控制阴阳两极的高度，而该层聚酯树脂只能靠简单堆叠的方法构建器件结构，而很难实现高精度的批量加工，因此器件结构中的核心要素——电极形状与尺寸和电极间距都很难被高精度地控制。事实上，该文献反映了整个基于一维纳米材料，尤其是基于碳纳米管的离化气体传感器在器件结构与制造工艺上的研究现状，那就是既缺少适于使用先进加工技术的合适的器件结构以及设计策略，又缺少合适的高精度的器件加工方法。这种现状极大限制了此类器件的发展，而又由于此类器件在高精密度气体传感器领域有重要应用，因此也限制了这一领域的发展。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中的不足，提出一种基于一维纳米材料的微气体传感器的制造方法，使其可以极大提高对该种传感器核心结构要素的控制精度，并适于加工实现阵列化设计和批量生产，因此可以提高此类传感器的检测精度、敏感度、安全性、稳定性和降低能耗与成本。
本发明是通过以下技术方案实现的，本发明包括如下步骤：(1)衬底的清洗，(2)底电极层的制备，(3)金属支柱层的制备，(4)金属顶电极层的制备，(5)去除微铸模，其中，
所述的(2)中，将底电极金属层图形化形成金属底电极和电铸种子层，金属底电极和电铸种子层相互隔离，一维纳米材料层处于每一个金属底电极表面，构成一个底电极单元，每个底电极单元可以构成独立单元，也可以多个底电极单元相互连通构成底电极阵列；
所述的(3)中，利用感光材料制造金属微铸模，并作为包含一维纳米材料空腔结构的牺牲层，利用感光材料层的厚度可以在几微米到几十微米的范围内控制一维纳米材料层与金属顶电极层的间距；
所述的(4)中，在顶电极金属种子层以及电铸金属层的图形上制造利于去除下层感光材料牺牲层的空洞结构。
所述的(5)，微铸模的去除，是指：在溶解感光材料的化学溶液中浸泡去除感光材料；或者在去除感光材料以后，再用反应离子刻蚀处理。
所述的衬底，其表面具有高绝缘性能。
所述的底电极层，可以是单层或者多层薄膜，包括金属层以及其表面覆盖的一维纳米材料层。
所述的金属顶电极层，可以是单层或者多层薄膜。
本发明提出使用标准微电子加工技术中图形转换技术和金属微电铸技术，作为实现基于一维纳米材料的微气体传感器的制造方法。由于图形转换技术和金属微电铸技术均属于高精度、适于批量生产的加工手段，因此可以极大提高对该种传感器核心结构要素的控制精度和器件结构设计的灵活性。因此可以极大提高器件的性能，包括提高精度、敏感度、安全性、稳定性和降低能耗与成本。并可以方便地实现器件的阵列化设计，并方便实现微型智能传感器。
附图说明
图1是本发明衬底的清洗的示意图
图2是本发明底电极的制备的示意图
其中，图2.1是在衬底a上制备图形化的单层或者多层金属薄膜b；图2.2是将一维纳米材料薄膜c选择性地布置在金属薄膜b的表面。
图3是本发明金属支柱层的制备的示意图
其中，图3.1是感光材料d的图形化；图3.2是金属微电铸。
图4是本发明金属顶电极的制备的示意图
其中，图4.1是金属种子层的制备；图4.2是感光材料的图形化；图4.3是金属种子层的图形化；图4.4是金属微电铸。
图5是本发明去除微铸模的示意图
图6是本发明具体实施例加工的传感器在不同气体中的放电特征曲线。
具体实施方式
如图1-图5所示，本发明包括如下步骤：(1)衬底的清洗，(2)底电极层的制备，(3)金属支柱层的制备，(4)金属顶电极层的制备，(5)去除微铸模，其中，
所述的(2)中，将底电极金属层图形化形成金属底电极和电铸种子层，金属底电极和电铸种子层相互隔离，一维纳米材料层处于每一个金属底电极表面，构成一个底电极单元，每个底电极单元可以构成独立单元，也可以多个底电极单元相互连通构成底电极阵列；
所述的(3)中，利用感光材料制造金属微铸模，并作为包含一维纳米材料空腔结构的牺牲层，利用感光材料层的厚度在几微米到几十微米的范围内控制一维纳米材料层与金属顶电极层的间距；
所述的(4)中，在顶电极金属种子层以及电铸金属层的图形上制造利于去除下层感光材料牺牲层的空洞结构。
所述的(5)，微铸模的去除，是指：在溶解感光材料的化学溶液中浸泡去除感光材料；或者在去除感光材料以后，再用反应离子刻蚀处理。
所述的(1)中，衬底a，其表面具有高绝缘性能，它可以是玻璃，也可以是上层带有绝缘层的硅片，绝缘层材料可以是二氧化硅、氮化硅，也可以是其它绝缘衬底。
所述的(2)中，底电极层是单层或者多层薄膜，包括金属层b以及其表面覆盖的一维纳米材料层c。所述的金属可以采用铬、铜、金、铂金、铝、镍、铁-镍、镍-铜。所述的一维纳米材料层c，其一维纳米材料可以是碳纳米管、纳米碳纤维、纳米碳化硅纤维、纳米氧化锌纤维。
所述的(3)中，金属支柱层可以是单层或者多层金属薄膜。其金属可以为铬、铜、金、铂金、铝、镍、铁-镍、镍-铜。
所述的(4)中，金属顶电极层可以是单层或者多层金属薄膜，包括金属种子层和电铸金属层。
所述的(5)中，微铸模是一种感光材料。
本发明使用标准微电子加工技术中图形转换技术和金属微电铸技术，作为实现基于一维纳米材料的微气体传感器的制造，而图形转换技术和金属微电铸技术均属于高精度、适于批量生产的加工手段。当代微电子加工技术是由膜技术尤其是多层膜技术和图形化技术为基础建立起来的，其加工精度可以达到纳米数量级。本发明充分利用了图形化技术形成高精度的电极图形，并形成高精度的感光材料微铸模图形，并以感光材料为牺牲层、利用金属微电铸技术构建含有立体空腔的多层结构。本发明的特征还在于，可以完全利用高选择性、低成本的湿法刻蚀工艺图形化各层薄膜，避免了干法刻蚀对结构和材料的破坏作用，并节约了时间、降低了成本。本发明建立立体空腔复杂结构的主要步骤只有五步，其每步组成均为标准微电子加工工艺，因此工艺简单易于量产。
实施例
(1)衬底的清洗。所使用的衬底a为玻璃，清洗过程在净化室中进行，包括依次用丙酮、酒精超声清洗3分钟，再用去离子水冲洗，并依次在60摄氏度和180摄氏度的烘箱中烘干并随炉冷却。
(2)底电极的制备。
(2.1)在衬底a上制备图形化的单层或者多层金属薄膜b：在衬底a上用磁控溅射方法依次沉积1微米的钛，作为金属层b，然后旋涂3微米正性光刻胶d，并依次在60摄氏度和90摄氏度烘箱中烘烤样品30分钟、90分钟以固化光刻胶d；然后用铬版作为掩模板，用汞灯紫外曝光机曝光30秒，在显影液中图形化光刻胶；然后用50％氢氟酸浸泡样品，图形化钛金属层，使之形成隔离的部分和连通的部分，分别作为金属底电极和电铸种子层；用丙酮超声样品3分钟去除光刻胶，用去离子水冲洗并在90摄氏度烘箱中烘干，然后随炉冷却。
(2.2)将一维纳米材料薄膜c选择性地布置在金属薄膜b的隔离部分表面：将碳纳米管浆料用350目丝网印刷方法选择性地在金属薄膜b表面成膜，然后在300摄氏度热处理炉中烘烤20分钟并随炉冷却，得到2微米平均厚度的一维纳米材料薄膜c，碳纳米管浆料为多壁碳纳米管和质量比为1∶100的乙基纤维素和松油醇组成的有机溶液混合而成。
(3)金属支柱层的制备
(3.1)感光材料d的图形化：在样片表面旋涂5微米正性光刻胶，并依次在60摄氏度和90摄氏度烘箱中烘烤样品30分钟、90分钟以固化光刻胶d；然后用铬版作为掩模板，用汞灯紫外曝光机曝光45秒，在显影液中图形化光刻胶，作为牺牲层。
(3.2)金属微电铸：用金属电镀的方法，利用图形化的光刻胶作为微铸模，选择性地在金属薄膜b的连通部分电铸5微米厚度的镍。
(4)顶电极的制备
(4.1)金属种子层的制备：用磁控溅射方法依次溅射30纳米的铬和50纳米的铜作为金属种子层。
(4.2)感光材料d的图形化：在金属种子层表面旋涂3微米正性光刻胶d，并在80摄氏度烘箱中烘烤样品40分钟以固化光刻胶d；然后用铬版作为掩模板，用汞灯紫外曝光机曝光30秒，在显影液中图形化光刻胶。
(4.3)金属种子层的图形化：在图形化的光刻胶的保护下，依次在氯化铁水溶液和质量比1∶5高氯酸与硝酸氨的水溶液中浸泡样品，湿法刻蚀金属层，使之图形化，然后将光刻胶去除。
(4.4)金属微电铸：在已经图形化形成空洞结构的铬-铜金属薄膜层的表面选择性地电铸金属镍10微米。
(5)微铸模的去除：将样品浸泡于丙酮溶液中3分钟，在50摄氏度烘箱中烘干。
最终得到的单一器件电极部分尺寸为1×1毫米，碳纳米管电极与金属顶电极的平均间距约为3微米。图6是该器件在不同气体中的放电特征曲线。由图可见，该工艺制造的器件可以高精度地控制电极间距，进而大幅度降低器件的工作电压至1伏特左右的水平。
Claims (6)
1、一种基于一维纳米材料的微气体传感器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)衬底的清洗，所述的衬底为绝缘材料；
(2)底电极层的制备，将底电极金属层图形化形成金属底电极和电铸种子层，金属底电极和电铸种子层相互隔离，一维纳米材料层处于每一个金属底电极表面，构成一个底电极单元；
(3)金属支柱层的制备，利用感光材料制造金属微铸模，并作为包含一维纳米材料空腔结构的牺牲层，利用感光材料层的厚度在几微米到几十微米的范围内控制一维纳米材料层与金属顶电极层的间距；
(4)金属顶电极层的制备，在顶电极金属种子层以及电铸金属层的图形上制造利于去除下层感光材料牺牲层的空洞结构；
(5)去除微铸模。
2、如权利要求1所述的基于一维纳米材料的微气体传感器的制造方法，其特征是，所述的步骤(2)中，底电极层是单层或者多层薄膜，包括金属层以及其表面覆盖的一维纳米材料层。
3、如权利要求1或者2所述的基于一维纳米材料的微气体传感器的制造方法，其特征是，所述的步骤(2)中，每个底电极单元构成独立单元，或多个底电极单元相互连通构成底电极阵列。
4、如权利要求1所述的基于一维纳米材料的微气体传感器的制造方法，其特征是，所述的步骤(4)中，金属顶电极层是单层或者多层金属薄膜。
5、如权利要求1所述的基于一维纳米材料的微气体传感器的制造方法，其特征是，所述的步骤(5)，微铸模的去除，是指：在溶解感光材料的化学溶液中浸泡去除感光材料；或者在去除感光材料以后，再用反应离子刻蚀处理。
6、如权利要求1或者5所述的基于一维纳米材料的微气体传感器的制造方法，其特征是，所述的步骤(5)中，微铸模是一种感光材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2005101122149A CN100443893C (zh) | 2005-12-29 | 2005-12-29 | 基于一维纳米材料的微气体传感器的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2005101122149A CN100443893C (zh) | 2005-12-29 | 2005-12-29 | 基于一维纳米材料的微气体传感器的制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1793892A CN1793892A (zh) | 2006-06-28 |
| CN100443893C true CN100443893C (zh) | 2008-12-17 |
Family
ID=36805459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2005101122149A Expired - Fee Related CN100443893C (zh) | 2005-12-29 | 2005-12-29 | 基于一维纳米材料的微气体传感器的制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN100443893C (zh) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101308108B (zh) * | 2007-05-15 | 2011-06-29 | 清华大学 | 一种包含一维纳米材料敏感元件的传感器的制备方法 |
| CN101251946B (zh) * | 2008-04-16 | 2011-04-13 | 江苏百华电子有限公司 | 人居环境有害气体自动监控仪 |
| CN101408514B (zh) * | 2008-09-04 | 2010-08-18 | 上海交通大学 | 基于气体放电光谱分析的气体传感器及其检测气体的方法 |
| CN102279210B (zh) * | 2011-07-29 | 2013-02-20 | 吉林大学 | 纳米纤维和粒子粘附层的双敏感层气体传感器及制备方法 |
| CN107460542A (zh) * | 2017-06-15 | 2017-12-12 | 南京大学 | 一种基于平面纳米线线形设计和引导的可拉伸晶体半导体纳米线的制备方法 |
| CN108128750B (zh) * | 2017-12-14 | 2020-12-11 | 上海交通大学 | 一种电离式传感器的制造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1241650A (zh) * | 1999-07-16 | 2000-01-19 | 清华大学 | 在硅衬底上直接电铸三维金属结构的方法及其专用夹具 |
| US6278231B1 (en) * | 1998-03-27 | 2001-08-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Nanostructure, electron emitting device, carbon nanotube device, and method of producing the same |
| WO2004059298A1 (en) * | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Rensselaer Polytechnic Institute | Miniaturized gas sensors featuring electrical breakdown in the vicinity of carbon nanotube tips |
| CN1632557A (zh) * | 2004-12-22 | 2005-06-29 | 浙江大学 | 多壁碳纳米管薄膜气敏传感器 |
-
2005
- 2005-12-29 CN CNB2005101122149A patent/CN100443893C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6278231B1 (en) * | 1998-03-27 | 2001-08-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Nanostructure, electron emitting device, carbon nanotube device, and method of producing the same |
| CN1241650A (zh) * | 1999-07-16 | 2000-01-19 | 清华大学 | 在硅衬底上直接电铸三维金属结构的方法及其专用夹具 |
| WO2004059298A1 (en) * | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Rensselaer Polytechnic Institute | Miniaturized gas sensors featuring electrical breakdown in the vicinity of carbon nanotube tips |
| CN1632557A (zh) * | 2004-12-22 | 2005-06-29 | 浙江大学 | 多壁碳纳米管薄膜气敏传感器 |
Non-Patent Citations (6)
| Title |
|---|
| Miniaturized gas ionization sensors using carbon nanotubes. Ashish Modi, Nikhil Koratkar, Eric Lass, Bingqing Wei,PulickelM. Ajayan.Nature,Vol.424 . 2003 |
| Miniaturized gas ionization sensors using carbon nanotubes. Ashish Modi, Nikhil Koratkar, Eric Lass, Bingqing Wei,PulickelM. Ajayan.Nature,Vol.424. 2003 * |
| Study of improving identification accuracy of carbonnanotubefilm cathode gas sensor. Zhang Yong, Liu Junhua, Li Xin, Tang Xiaojun,ZhuChangchun.Sensors and Actuators A,Vol.125 . 2005 |
| Study of improving identification accuracy of carbonnanotubefilm cathode gas sensor. Zhang Yong, Liu Junhua, Li Xin, Tang Xiaojun,ZhuChangchun.Sensors and Actuators A,Vol.125. 2005 * |
| 碳纳米管在分析化学中的应用. 蔡称心，陈静，包建春，陆天虹.碳纳米管在分析化学中的应用，第32卷第3期. 2004 |
| 碳纳米管在分析化学中的应用. 蔡称心，陈静，包建春，陆天虹. 碳纳米管在分析化学中的应用，第32卷第3期. 2004 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1793892A (zh) | 2006-06-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100443893C (zh) | 基于一维纳米材料的微气体传感器的制造方法 | |
| CN100554137C (zh) | 具有纳米尺寸孔的多比例悬臂结构及其制备方法 | |
| CN101540348B (zh) | 一种多用途硅微纳米结构制备技术 | |
| CN103594620B (zh) | 一种单层纳米薄膜忆阻器及其制备方法 | |
| CN107416762B (zh) | 一种硅纳米孔结构及其制作方法 | |
| CN109155354A (zh) | 电子无标签的dna和基因组测序 | |
| CN104458835B (zh) | 一种湿度传感器及其制备方法 | |
| Paladiya et al. | Nano structured sensing surface: Significance in sensor fabrication | |
| CN104374810B (zh) | 一种基于正交相氧化钼纳米带的氢气敏感元件制备方法 | |
| CN105741980A (zh) | 一种表面具有微结构图案的柔性自支撑石墨烯导电薄膜及其制备方法 | |
| CN108465493A (zh) | 微流控芯片的制造方法 | |
| CN103991837A (zh) | 一种基于压电基底薄片的微纳米有序通孔阵列金属薄膜传感器及其制造方法 | |
| KR20140122657A (ko) | 공중부유형 단일 탄소나노와이어 및 중첩형 나노 전극쌍의 제조방법 | |
| CN111693189A (zh) | 一种新型柔性力敏传感器及其制备方法 | |
| CN104354463A (zh) | 纳米材料图案化印刷设备 | |
| WO2019042484A1 (en) | PROCESS FOR PRODUCING A POROUS DIAMOND LAYER AND A THICK POROUS DIAMOND LAYER SUPPORTED BY NANOFIBERS | |
| CN101870446B (zh) | 多通道碳纳米管传感器制备方法 | |
| KR101478604B1 (ko) | 충격 부재를 사용한 두드림 기법으로 나노 입자를 배열 방법 및 이러한 방법을 사용한 나노 전극의 제조 방법 | |
| CN101804960B (zh) | 一种超微锥电极阵列及其制备方法 | |
| CN115121300A (zh) | 带微流道的固态纳米孔阵列芯片及其制备方法 | |
| KR101308421B1 (ko) | 포피린으로 기능화 처리한 공중부유형 산화아연 나노선 기반 ｖｏｃ 센서 제작 방법 및 그 방법으로 제작된 ｖｏｃ 센서 | |
| CN103275339B (zh) | 一种聚合物微加工方法 | |
| CN110902646A (zh) | 一种阵列结构硅基靶板及其应用 | |
| CN109108286A (zh) | 一种3d打印微结构的无损脱离方法 | |
| Taghavi et al. | Hierarchical surface patterning for triboelectric nanogenerators and sensors |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20081217 Termination date: 20111229 |