CN100435380C - 带支撑板的有机电致发光器件及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

一种有机电致发光器件，包括：在具有第一和第二侧的第一基板上的具有焊盘的阵列元件层；连接到阵列元件的有机电致发光二极管，有机电致发光二极管朝背离第一基板的反方向发光；与第一基板的背面毗邻的印刷电路板，印刷电路板通过焊盘为阵列元件层提供外部信号；以及第一基板和印刷电路板之间的一个支撑板，支撑板的热传导性大于第一基板的热传导性。

Description

带支撑板的有机电致发光器件及其制作方法
本发明要求享有2003年12月29日在韩国递交的韩国专利申请P2003-0099355号的权益，该申请可供参考。
技术领域
本发明涉及到显示器件，具体涉及到一种有机电致发光器件及其制作方法。
背景技术
有机电致发光器件(ELD)的发光原理是向发光层注入来自阴极的电子和来自阳极的空穴，电子和空穴复合产生电子-空穴对，并且电子-空穴对从激发态过渡到基态。与液晶显示(LCD)器件相比，由于电子-空穴对在两态之间的过渡会造成发光，有机ELD器件不需要额外的光源来发光。因此，有机ELD器件的体积和重量都比LCD器件要小。有机ELD器件还具有其他特性优异，诸如低功耗，高亮度，和快速响应时间等等。由于具备这些特性，有机ELD器件适合被用作新一代消费性电子设备的显示器，例如有蜂窝电话，汽车导航***(CNS)，个人数字助理(PDA)，摄像机和掌上计算机。另外，由于有机ELD器件是用少数加工步骤制作完成的，有机ELD器件的制作成本比LCD器件低得多。
目前有两种类型的有机ELD：无源矩阵型和有源矩阵型。尽管无源矩阵型有机ELD器件和有源矩阵型有机ELD器件都具有简单的结构并能用简单的工艺制作，无源矩阵型有机ELD器件在工作中需要较大的功耗。另外，无源矩阵型有机ELD器件的显示尺寸受结构中使用的导线的宽度和厚度限制。另外，无源矩阵型有机ELD器件的孔径比会随着导线数量的增加而下降。另一方面，有源矩阵型有机ELD器件具有高发光效率并能用较低的功率在大型显示器上产生高质量图像。
图1是按照现有技术中第一比较例的一种朝底部方向发光的有机ELD的截面图。如图1所示，在包括象素区P的第一基板12上形成包括一个薄膜晶体管(TFT)T的阵列元件层14。第一电极16，有机电致发光(EL)层18，和第二电极20形成在阵列元件层14上面。有机EL层18可以按各个象素区P单独显示红、绿、蓝色。第二基板28面对第一基板12并且与第一基板12分开。
用密封剂26将第一和第二基板12和28彼此接合。第二基板28包括用来消除可能会渗入有机EL层18的膜片内的潮气和氧的一种干燥剂22。干燥剂被一个保持元件25固定。
第一电极16或下电极是透明的，而第二电极或上电极20是不透明的。从有机EL层18发出的光射向第一电极16。因此将这种有机ELD称为底部发光型。
在第一基板12上密封图形26的***区形成一个焊盘40。外部电路装置EC被连接到焊盘40向阵列元件层14提供信号。外部电路装置EC有一个载带封装(tape carrier package)(TCP)44和一个印刷电路板(PCB)46，其中，该载带封装包括直接连接到焊盘40的驱动集成电路(IC)42，该印刷电路板(PCB)46连接到TCP44用来提供信号。
在底部发光型中，外部电路装置EC的位置毗邻第二基板28的顶面。具体地说，PCB 46被附着在第二基板28的背面，而TCP44按弯折形状连接到焊盘40和PCB 46。然而，在这种底部发光型器件中难以在透射区获得高亮度，因为发射的光是通过有许多不透明金属线的阵列元件层14发射的。因此为了解决上述问题，建议采用朝顶部方向发光的顶部发光型有机ELD，其发光方向与底部发光型相反。
图2是现有技术中第二比较例的一种有机ELD的截面图。如图2所示的顶部发光型有机ELD80包括在具有焊盘90的一个基板62上的阵列元件层64，第一不透明电极66，第一不透明电极66上的有机EL层68，以及第二透明电极70。例如，如果用第一电极66作为阳极而第二电极70作为阴极，第一电极66就包括具有高功函的透明材料，而第二电极70包括具有低功函的不透明材料。在这种情况下，第一电极66难以实现完全不透明，而第二电极难以实现完全透明。因此，第一电极66还包括一种不透明导电材料，而第二电极70是一种薄到足以透光的金属材料。
在第二基板70的整个表面上形成一个钝化层96来保护有机ELD80。换句话说，钝化层96覆盖阵列元件层64和有机EL层68的表面。另外，参见图1，外部电路装置94通过基板62的***区内的焊盘90被连接到阵列元件层64。与图1所示的底部发光型有机ELD相比，外部电路装置EC的位置如图2所示毗邻基板62的底面。为此将PCB 96安装在基板62的背面，而TCP94按照对应着基板62侧部的弯折形状被布置在基板62的焊盘90与PCB 96之间。
基板62上用来附着具有驱动IC 92的TCP 94的那一部位至少需要有2～3mm。另外，PCB 96难以完全附着在基板62上。具体地说，TCP 94在可靠性冲击测试情况下可能发生脱离现象。此外，由于上述顶部发光型有机ELD具有不容易散发有机EL层68所产生热量的结构，有机ELD 80容易过热。
发明内容
为此，本发明提出了一种有机ELD及其制作方法，能够基本上消除因现有技术的局限和缺点造成的这些问题。
本发明的一个目的是提供一种能够防止过热的有机EL器件及其制作方法。
本发明的另一目的是提供一种具有稳固附着的外部电路装置的有机EL器件及其制作方法。
以下要说明本发明的附加特征和优点，有些内容可以从说明书中看出，或者是通过对本发明的实践来学习。采用说明书及其权利要求书和附图中具体描述的结构就能实现并达到本发明的目的和其他优点。
为了按照本发明的意图实现上述目的和其他优点，以下要具体和概括地说明，一种有机电致发光器件包括：在具有第一和第二侧的第一基板上的具有焊盘的阵列元件层；连接到阵列元件层的有机电致发光二极管，有机电致发光二极管朝第一基板的反方向发光；与第一基板的背面毗邻的印刷电路板，印刷电路板通过焊盘为阵列元件层提供外部信号；以及第一基板和印刷电路板之间的一个支撑板，支撑板的热传导性大于第一基板的热传导性。
按照另一方面，制作有机电致发光器件的一种方法包括：在包括第一和第二侧的第一基板上形成具有焊盘的阵列元件层；形成连接到阵列元件层的有机电致发光二极管，有机电致发光二极管朝第一基板的反方向发光；毗邻第一基板的背面安装一个印刷电路板，印刷电路板通过焊盘为阵列元件层提供外部信号；并且将一个支撑板附着在第一基板和印刷电路板之间，支撑板的热传导性大于第一基板的热传导性。
应该意识到以上对本发明的概述和下文的详细说明都是解释性的描述，都是为了进一步解释所要求保护的发明。
附图说明
所包括的用来便于理解本发明并且作为本申请一个组成部分的附图表示了本发明的实施例，连同说明书一起可用来解释本发明的原理。
图1是按照现有技术中第一比较例的一种朝底部方向发光的有机ELD的截面图。
图2是现有技术中第二比较例的一种有机ELD的截面图。
图3A和3B是按照本发明一个实施例的顶部发光型有机ELD的截面图。
图4是按照本发明一个实施例的有机ELD中一个象素区的平面图。
图5A到5F是沿图4中V-V线截取的按照本发明一个实施例的顶部发光型有机ELD的一种制作方法的截面图。
图6A到6F是沿图4中VI-VI线截取的按照本发明一个实施例的顶部发光型有机ELD的一种制作方法的示意性截面图。
图7和8是按照本发明一个实施例的朝顶部方向发光的一种双面板型有机ELD的截面图。
图9A和9B是按照本发明一个实施例的朝顶部方向发光的一种双面板型有机ELD中阵列元件层的截面图。
图10A到10C是按照本发明一个实施例的朝顶部方向发光的一种双面板型有机ELD中有机EL二极管的一种制作方法的截面图。
具体实施方式
以下要具体描述本发明的最佳实施例，在附图中表示了这些例子。有机ELD可以是阵列元件层和有机EL二极管都被形成在单一面板内的单一面板型，或是阵列元件层和有机EL二极管被形成在各自基板上的双面板型。所有图中尽可能用相同的符号代表相同或相似的部分。
图3A和3B是按照本发明一个实施例的顶部发光型有机ELD的截面图。如图3A所示，顶部发光型有机ELD 250包括在具有焊盘256的一个基板254上的阵列元件层252，不透明第一电极258，第一电极258上的有机EL层260，以及基本上透明的第二电极262。第一电极258，有机EL层260和第二电极262构成一个有机EL二极管DEL。
如果第一电极258作为阳极而第二电极262作为阴极，第一电极258就包括具有高功函的透明材料，而第二电极262包括具有低功函的材料。为了实现高功函，可以用透明导电材料和不透明金属材料制作第一电极258，而第二电极262可以包括一种厚度仍然能允许透射光的金属材料。
在阵列元件层252的整个表面上形成一个钝化层264并且覆盖有机EL层260。
一个支撑板266附着在基板254背面，并且其热传导性比基板254要好，以免有机ELD 250过热。支撑板266包括能够接触到基板254整个背面的碳成分。
外部电路装置EC的位置毗邻支撑板266的背面。外部电路装置EC包括PCB 272和TCP 274。PCB 272被安装在支撑板266的背面。TCP 274包括位于基板254的焊盘256与PCB 272之间的驱动IC 276。TCP 274具有弯折形状，并且覆盖基板254的侧部和支撑板266的侧部。
如图3B所示，可以在支撑板268和PCB 272之间增加一个辅助支撑板270，辅助支撑板270要大于支撑板268并且接触到基板254背面的***部位。例如，图3B中的支撑板268要小于图3A中的支撑板266，因为增加了用于结构支撑的辅助支撑板270。辅助支撑板270包括压克力树脂。辅助支撑板270还包括一种热传导性比支撑板268要高的材料。
因此，具有支撑板的顶部发光型有机ELD有若干优点，例如有外部电路装置的接合点并且能防止顶部发光型有机ELD过热。由于顶部发光型有机ELD250产生的热量被散发到外部，能够改善顶部发光型有机ELD 250的工作特性，并且能减少故障。
图4是按照本发明一个实施例的有机ELD中一个象素区的平面图。如图4所示，栅极线GL沿第一方向形成在一个基板100上，数据线DL在第二方向上与栅极线GL交叉限定一个象素区P。电源线130与数据线DL平行布置。电源线130同样与栅极线GL交叉。毗邻象素区P的一个开关薄膜晶体管Ts被连接到栅极线GL和数据线DL。一个驱动薄膜晶体管TD被连接到开关薄膜晶体管Ts。开关薄膜晶体管Ts还包括开关栅极电极102，开关有源层110，开关源极电极118和开关漏极电极120。驱动薄膜晶体管TD包括驱动栅极104，驱动有源层114，驱动源极电极122和驱动漏极电极124。具体地说，驱动栅极电极104被连接到开关漏极电极120。驱动源极电极122被连接到电源线130，而驱动漏极电极124被连接到(图3的)有机EL二极管DEL。可以用非晶硅(a-Si)形成开关层110和有源层114。为了驱动(图3的)有机EL二极管DEL，非晶硅驱动TFT可以具有很大的宽度-长度比例(W/L比例)。驱动薄膜晶体管TD的W/L比例要远远大于开关薄膜晶体管Ts的W/L比例。
以下要参照图5A到5F和图6A到6F说明按照本发明一个实施例的顶部发光型有机ELD的一种制作方法。图5A到5F是沿图4中V-V线截取的按照本发明一个实施例的顶部发光型有机ELD的一种制作方法的截面图。图6A到6F是沿图4中VI-VI线截取的按照本发明一个实施例的顶部发光型有机ELD的一种制作方法的示意性截面图。
如图5A和6A所示，包括开关区S和驱动区D的一个象素区P被限定在第一基板100上。另外，开关栅极电极102和驱动栅极电极104是通过分别在开关区S和驱动区D内沉积一种金属并且构图而形成的，例如是铝(Al)，铝合金，铜(Cu)，钨(W)，钽(Ta)和钼(Mo)。
如图5B和6B所示，在第一基板100上的开关栅极电极102和驱动栅极电极104的整个表面上面沉积一种无机绝缘材料例如是氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)形成一个栅极绝缘层106。分别在开关栅极电极102和驱动栅极电极104上沉积本征非晶硅(a-Si)并且构图而形成开关有源层110和驱动有源层114。用沉积本征非晶硅(a-Si)之后掺杂的非晶硅(n+或p+a-Si)形成开关欧姆接触层112和驱动欧姆接触层116，并且在对本征非晶硅(a-Si)构图的过程中构图。还要在栅极绝缘层106中形成暴露出驱动栅极电极104端部的第一接触孔107。
如图5C和6C所示，分别在开关欧姆接触层112和驱动欧姆接触层116上沉积一种金属例如是铬(Cr)，Mo，Ta和W并且构图，形成开关源极电极118，驱动源极电极122，开关漏极电极120和驱动漏极电极124。另外，开关源极电极118，驱动源极电极122被彼此分开。还要将开关漏极电极120和驱动漏极电极124彼此分开。
如图5D和6D所示，在开关和驱动源极电极118和122及开关和驱动漏极电极120和124的整个表面上沉积一种无机绝缘材料形成第一钝化层126。第一钝化层126还具有暴露出一部分驱动源极电极122的第二接触孔127。然后在第一钝化层126上沉积一种金属材料并且构图形成电源线130，并通过第二接触孔127将电源线连接到驱动源极电极122。可以用源极和漏极电极118和122或是120和124相同的材料制成电源线130。
如图5E和6E所示，在电源线130的整个表面上形成第二钝化层132。例如是在电源线130的整个表面上沉积一种诸如苯丙环丁烯(benzocylcobutene，BCB)的无机绝缘材料形成第二钝化层132，或是涂覆一种有机绝缘材料例如是丙烯酸树脂。蚀刻第二钝化层132和第一钝化层126的一部分形成暴露出一部分驱动漏极电极124的第三接触孔133。
如图5F和6F所示，在子象素区P内的第二钝化层132上电极一种导电材料并且构图而形成第一电极136，并且通过第三接触孔133连接到驱动漏极电极124。如果在顶部发光型器件中将第一电极136作为阳极，还包括一种具有高功函的不透明金属材料。例如，如果第一电极136是阳极，而此后形成的第二电极作为阴极，有机EL层138就包括空穴输送层138a，发射层138b和电子输送层138c。在有机EL层138的整个表面上形成第二电极140。如果在顶部发光型器件中将第二电极140作为阴极，第二电极就采用一种具有低功函的金属材料，其厚度薄到足以透光。
尽管图中没有表示，在第二电极140和(图3A和3B中的)支撑层266和268的整个表面上要形成用于封装的一个钝化层。支撑层266和268的热传导性比基板100要好。然而如上所述，在顶部发光型有机ELD结构中，阵列元件层和有机EL二极管是在同一基板上形成的，因此，用来形成作为阳极和阴极的第一和第二电极的材料会因对各个电极的透明度和功函要求而受到限制。双面板型有机ELD在为顶部发光型有机ELD选择阳极和阴极材料时不受这种选择。
图7和8是按照本发明一个实施例的朝顶部方向发光的一种双面板型有机ELD的截面图。如图7所示，第一基板310和第二基板350各自包括彼此面对并且彼此分开的多个子象素区P。在第一基板310上形成包括薄膜晶体管T的阵列元件层312。在第二基板350上形成包括第一电极314，有机EL层316和第二电极318的一个有机EL二极管DEL。在阵列元件层312和有机EL二极管DEL之间形成一个连接电极320，用来连接阵列元件层312和有机EL二极管DEL。
尽管图中没有表示，薄膜晶体管T包括一个开关薄膜晶体管和在各个象素区P内连接到开关薄膜晶体管的一个驱动薄膜晶体管。由于双面板型有机ELD 300是顶部发光型的，第一电极314是基本上透明的，而第二电极318不透明。如果用第一电极314作为阳极而第二电极318作为阴极，第一电极314就包括一种透明导电材料例如是铟锡氧化物(ITO)，而第二电极318包括一种不透明金属材料，例如有铝(Al)，钙(Ga)，镁(Mg)，氟化锂/铝(LiF/Al)等等。在这种情况下，有机EL层316包括第一电极314上的空穴输送层316a，空穴输送层316a上的发射层316b，以及发射层316b上的电子输送层316c。
热传导率比第一基板310要好的支撑板322被装配在第一基板310的背面。支撑板322包括碳复合材料。支撑板322接触到第一基板310，并且能接触到第一基板310的整个底面面积。焊盘328被形成在第一基板310的***区域。外部电路装置EC的位置在背离发光方向的方向上毗邻第一基板的背面。外部电路装置EC包括PCB 330和TCP 324。PCB 330被安装在支撑板322的背面。TCP 324包括位于第一基板310的焊盘328与PCB 330之间的驱动IC326。PCB 330具有的弯折形状覆盖第一基板310和支撑板322的侧部。
如图8所示，在支撑板325和PCB 330之间增加一个辅助支撑板332，辅助支撑板332要大于支撑板325并且接触到第一基板310背面的***部分。例如，图8中的支撑板325要小于图7中的支撑板322，因为增加了辅助支撑的辅助支撑板332。辅助支撑板332包括一种压克力树脂。辅助支撑板332还可以包括热传导率大于支撑板325的一种材料。
图9A和9B是按照本发明一个实施例的朝顶部方向发光的一种双面板型有机ELD中阵列元件层的截面图。包括开关区S和驱动区D的一个象素区P被限定在第一基板400内。开关和驱动栅极电极402和404分别被形成在开关区S和驱动区D内。栅极绝缘层406被形成在开关栅极电极402和驱动栅极电极404的整个表面上。开关有源层410和驱动有源层414被依次分别形成在开关和驱动栅极电极402和404上。开关欧姆接触层412和驱动欧姆接触层416分别被形成在开关有源层410和驱动有源层414上。进而分别在开关欧姆接触层412上形成分开的开关源极和漏极电极418和420。接着分别在驱动欧姆接触层412和416上形成分开的驱动源极和漏极电极423和424。
开关栅极电极402，开关有源层410，开关欧姆接触层412，开关源极电极418和开关漏极电极420构成一个开关薄膜晶体管Ts。驱动栅极电极404，驱动有源层414，驱动欧姆接触层416，驱动源极电极422和驱动漏极电极424构成一个驱动薄膜晶体管TD。第一钝化层426被形成在开关和驱动薄膜晶体管Ts和TD的整个表面上。电源线430被形成在第一钝化层426上并且连接到驱动源极电极422。第二钝化层432被形成在电源线430的整个表面上。
连接电极452被形成在第二钝化层432上并且连接到驱动漏极电极424。由于连接电极452要在图7的阵列元件层312和图7的有机EL二极管DEL之间连接，它的高度应该对应着图7的阵列元件层312和图7的有机EL二极管DEL之间的间隙。例如，连接电极452可以包括被金属层452b覆盖的一个有机图形452a来获得预定的高度，以便在阵列元件层312和有机EL二极管DEL之间形成导电路径。
图10A到10C是按照本发明一个实施例的朝顶部方向发光的一种双面板型有机ELD中有机EL二极管的一种制作方法的截面图。如图10A所示，第一电极552是用透明导电材料形成在包括许多子象素区P的一个基板550上的。透明导电材料可以包括具有高功函的铟锡氧化物(ITO)。
如图10B所示，在第一电极552上形成一个有机EL层554，并且在子象素区P内包括按顺序重复的红、绿、蓝EL层(未表示)。具体地说，如果第一电极552作为阳极，并且用此后形成的第二电极556作为阴极，有机EL层554就包括第一电极552上的空穴输送层554a，空穴输送层554a上的发射层554b，以及发射层554b上的电子输送层554c。
如图10C所示，第二电极556被形成在有机EL层554的整个表面上。例如，第二电极556应是不透明的。在这种情况下，第二电极556包括一种不透明金属材料，例如是铝(Al)，钙(Ga)，镁(Mg)，氟化锂/铝(LiF/Al)等等。
如上所述，图9A和9B中的阵列基板和图10A到10C中所示的有机EL二极管基板构成一个发光呈顶部发光型的双面板型有机ELD。用密封剂将面板彼此接合。在面板接合之后，在第一基板的背面附着一个支撑板，并且在支撑板的背面安装一个印刷电路板(PCB)。这样就能将封装元件例如是一个载带封装稳固连接到阵列基板的焊盘和支撑板上的PCB上。具体地说，增加支撑板能够获得用来连接TCP的一个驱动IC的侧部。
按照本发明的有机ELD具有若干优点。首先，由于这种有机ELD是顶部发光型，能够获得高孔径比。其次，由于在基板上附着了热传导率比基板要好的支撑板，能够防止过热，并能使有机ELD稳定工作。第三，增加一个支撑板能够将位于有机ELD的侧部且包括驱动IC和一个PCB的弯折形状的封装元件稳固附着到有机ELD上。这样就能提高生产成品率，因为用支撑板能够防止TCP发生脱离现象等等缺陷。第四，由于阵列元件层和有机EL二极管在双面板型有机ELD中是在各自的基板上形成的，能够防止因有机EL二极管的制作工艺产生不利缺陷，从而提高总体生产成品率。
显然，本领域的技术人员无需脱离本发明的原理和范围还能对本发明的有机电致发光器件及其制作方法作出各种各样的修改和变更。因此，本发明的意图是要覆盖权利要求书及其等效物范围内的修改和变更。

Claims (38)

1.一种有机电致发光器件，包括：
在第一基板上的具有焊盘的阵列元件层；
连接到阵列元件的有机电致发光二极管，有机电致发光二极管朝背离第一基板的方向发光；
与第一基板的背面毗邻的印刷电路板，印刷电路板通过焊盘为阵列元件层提供外部信号；以及
第一基板和印刷电路板之间的一个支撑板，支撑板的热传导性大于第一基板的热传导性。
2.按照权利要求1的器件，其特征在于，支撑板包括碳复合材料。
3.按照权利要求1的器件，其特征在于，支撑板跨第一基板的整个背面接触到第一基板。
4.按照权利要求1的器件，其特征在于，在支撑板和印刷电路板之间还包括一个辅助支撑板。
5.按照权利要求4的器件，其特征在于，辅助支撑板包围支撑板，并且其两端接触到第一基板背面的***部位。
6.按照权利要求4的器件，其特征在于，辅助支撑板包括压克力树脂。
7.按照权利要求4的器件，其特征在于，辅助支撑板包括的材料的热传导率比支撑板要高。
8.按照权利要求1的器件，其特征在于，在焊盘与印刷电路板之间还包括一个封装元件，焊盘与印刷电路板通过封装元件彼此连接，并且封装元件包括一个驱动集成电路。
9.按照权利要求8的器件，其特征在于，封装元件对应着一个载带封装。
10.按照权利要求9的器件，其特征在于，载带封装具有连接焊盘和印刷电路板的弯折形状。
11.按照权利要求10的器件，其特征在于，载带封装的驱动集成电路对应着第一基板和支撑板的侧部。
12.按照权利要求1的器件，其特征在于，有机电致发光二极管包括阵列元件上的第一电极，第一电极上的有机电致发光层，以及有机电致发光层上具有透明特性的第二电极，有机电致发光层朝第二电极发光。
13.按照权利要求12的器件，其特征在于，第一电极作为阳极。
14.按照权利要求13的器件，其特征在于，第一电极包括一种透明导电材料和一种不透明材料。
15.按照权利要求12的器件，其特征在于，第二电极作为阴极。
16.按照权利要求15的器件，其特征在于，第二电极包括一种薄到足以透光的金属。
17.按照权利要求1的器件，其特征在于，还包括面对并且离开第一基板的第二基板，有机电致发光二极管在第二基板上。
18.按照权利要求17的器件，其特征在于，还包括连接阵列元件和有机电致发光二极管的连接电极。
19.按照权利要求17的器件，其特征在于，有机电致发光二极管包括第二基板上透明的第一电极，第一电极上的有机电致发光层，以及有机电致发光层上的第二电极，有机电致发光层朝第一电极发光。
20.按照权利要求19的器件，其特征在于，第一电极作为阳极。
21.按照权利要求20的器件，其特征在于，第一电极包括透明导电材料。
22.按照权利要求19的器件，其特征在于，第二电极作为阴极。
23.按照权利要求22的器件，其特征在于，第二电极包括不透明金属材料。
24.按照权利要求1的器件，其特征在于，还包括覆盖有机电致发光二极管的一个钝化层，通过钝化层暴露出焊盘。
25.按照权利要求1的器件，其特征在于，阵列元件包括栅极线，与栅极线交叉的数据线，以及与栅极线和数据线之一交叉的电源线。
26.按照权利要求25的器件，其特征在于，还包括连接到栅极和数据线的开关薄膜晶体管，以及连接到开关薄膜晶体管和电源线的驱动薄膜晶体管。
27.按照权利要求18的器件，其特征在于，阵列元件包括栅极线，与栅极线交叉的数据线，以及与栅极线和数据线之一交叉的电源线，连接到栅极和数据线的开关薄膜晶体管，以及连接到开关薄膜晶体管，电源线和连接电极的驱动薄膜晶体管。
28.一种制作有机电致发光器件的方法，包括：
在第一基板上形成具有焊盘的阵列元件层；
形成连接到阵列元件层的有机电致发光二极管，有机电致发光二极管朝背离第一基板的反方向发光；毗邻第一基板的背面安装一个印刷电路板，印刷电路板通过焊盘为阵列元件层提供外部信号；并且
将一个支撑板附着在第一基板和印刷电路板之间，支撑板的热传导性大于第一基板的热传导性。
29.按照权利要求28的方法，其特征在于，还包括在支撑板和印刷电路板之间附着一个辅助支撑板。
30.按照权利要求28的方法，其特征在于，还包括在焊盘和印刷电路板之间安装一个封装元件，焊盘和印刷电路板通过封装元件彼此连接，并且封装元件具有驱动集成电路。
31.按照权利要求30的方法，其特征在于，封装元件对应着一个载带封装。
32.按照权利要求30的方法，其特征在于，驱动集成电路对应着基板和支撑板的侧部。
33.按照权利要求28的方法，其特征在于，还包括制备面对并且离开第一基板的第二基板，有机电致发光二极管在第二基板上。
34.按照权利要求33的方法，其特征在于，还包括形成连接阵列元件和有机电致发光二极管的一个连接电极。
35.按照权利要求28的方法，其特征在于，还包括在有机电致发光二极管上面形成一个钝化层，焊盘没有被钝化层覆盖。
36.按照权利要求28的方法，其特征在于，形成阵列元件包括形成栅极线，与栅极线交叉的数据线，以及与栅极和数据线之一交叉的电源线。
37.按照权利要求36的方法，其特征在于，还包括形成连接到栅极线和数据线的开关薄膜晶体管，和连接到开关薄膜晶体管和电源线的驱动薄膜晶体管。
38.按照权利要求34的方法，其特征在于，还包括形成阵列元件包括形成栅极线，与栅极线交叉的数据线，以及与栅极和数据线之一交叉的电源线，连接到栅极线和数据线的开关薄膜晶体管，和连接到开关薄膜晶体管，电源线和连接电极的驱动薄膜晶体管。
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