CN100414701C - 发光***、发光装置及其形成方法 - Google Patents

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CN100414701C CNB200610087001XA CN200610087001A CN100414701C CN 100414701 C CN100414701 C CN 100414701C CN B200610087001X A CNB200610087001X A CN B200610087001XA CN 200610087001 A CN200610087001 A CN 200610087001A CN 100414701 C CN100414701 C CN 100414701C
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Abstract

本发明提供一种发光***、发光装置及其形成方法,所述发光***,包括:多个发光单元;以及一框架,用于连接该些发光单元,其中每一个发光单元包括:一基板;一或多个晶片,置于基板上方;一环形结构,置于基板上且环绕此一或多个晶片,其中环形结构用于调整来自晶片所发出的光线的方向;及一保护层,至少覆盖此一或多个晶片,且保护层的高度不高于环形结构。本发明所述发光***、发光装置及其形成方法可以聚集来自该些晶片侧壁所发出的光线外,更有避免热量囤积产生的功能。

Description

发光***、发光装置及其形成方法
技术领域
本发明是有关于一种发光***、发光装置及其形成方法,且特别有关于一种具有发光二极管的发光***、发光装置及其形成方法。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode,简称LED)因其具有高亮度、体积小、重量轻、不易破损、低耗电量和寿命长等优点,所以被广泛地应用各式显示产品中,其发光原理如下:施加一电压于二极管上,驱使二极管里的电子与空穴结合,此结合所产生的能量是以光的形式释放出来;此外,尚可添加荧光体于此结构里,以调整发光波长(颜色)与强度。
其中白光发光二极管的出现,更是将发光二极管的应用延伸至照明领域;以白光发光二极管与目前照明中最常使用的白炽灯泡与日光灯比较,发光二极管具有低发热量、低耗电量、寿命长、反应速度快、体积小等优点,故为业界所发展的重点。
目前制造白光发光二极管的方式主要有两类,一为单晶型发光二极管发光方式,即利用单一发光二极管晶粒搭配各色荧光粉来混成白光,目前使用的方法主要是利用蓝光发光二极管晶粒与黄光荧光粉所发出的光混合成白光,及利用紫外光发光二极管晶粒、蓝光荧光粉、绿光荧光粉与红光荧光粉所发出的光混合成白光;一为多晶型发光二极管发光方式,即利用多个发光二极管晶粒搭配各色荧光粉来混成白光,目前使用的方法主要是利用蓝光发光二极管、绿光发光二极管与红光发光二极管所发出的光混合成白光;但多晶型发光二极管发光方式所使用的多个发光二极管,其驱动电压、发光强度、温度特性与寿命长短皆不相同,而在应用中这些特性皆需要相互匹配,使设计的难度大增,故所生产的成本也相对较高,所以目前较倾向朝单晶型发光二极管方向开发。
然而,目前使用发光二极管的发光装置由于有可能发生侧部漏光的现象,例如蓝光,因此可能有色偏的问题,而散热效率也有待提升。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种发光装置或发光单元,包括:一基板;至少一晶片,置于基板上;一环形结构(enclosedstructure),置于基板上且环绕晶片,其中环形结构用于调整来自晶片所发出光线的方向;及一保护层,至少覆盖该荧光粉粒层,且该保护层的高度不高于该环形结构。
本发明所述的发光装置,该保护层为一平坦化层。
本发明所述的发光装置,该保护层更覆盖该晶片及延伸至该环形结构内侧壁。
本发明所述的发光装置,该保护层的高度为该环形结构高度的2/3、1/2或两者之间。
本发明所述的发光装置,该环形结构包括一塑胶本体,及一反光材料层,形成于该塑胶本体表面。
本发明所述的发光装置,该环形结构由具有反光面的金属材料制成。
本发明所述的发光装置,该环形结构的内侧壁为一平坦表面或圆弧面,且剖面为一梯形或三角形。
本发明所述的发光装置,更包括一透镜,其覆盖该基板、晶片、保护层及环形结构。
本发明所述的发光装置,该透镜与该保护层之间更包括一填充层,其与该保护层的折射率相同。
本发明所述的发光装置,该荧光粉粒层包括多个荧光粉粒,且至少一部分是凝结成块且不含粘着剂。
本发明所述的发光装置,该保护层的一部分是自该荧光粉粒层的表面渗透进入一既定深度。
本发明所述的发光装置,保护层亦可延伸至环形结构侧壁以增加附着力。
本发明所述的发光装置,由于环形结构可用来调整晶片所发出光线的方向,例如遮蔽、反射、收集、或聚焦,因此可以解决晶片侧部的漏蓝光现象,并改善光线色偏的问题。
环形结构一般可为塑胶材料制成,表面则可选择电镀一层铬、镍、银、氟化锌、或硫化镁等反光材料。
此外,由于环形结构与晶片设置在同一面,因此如果选择散热特性较佳的材质,例如金属材料制成,则可以提高散热效率。
在另一较佳实施例中,发光装置可更包括一置于基板下方的散热座,可以与环形结构达到双重散热的效果,其中此散热座可以由金属材料组成。
本发明另提供一种发光***,包括:多个发光单元;以及一框架(frame),用于连接该些发光单元,其中每一个发光单元包括:一基板;一或多个晶片,置于基板上方;一环形结构,置于基板上且环绕此一或多个晶片,其中环形结构用于调整晶片所发出光线的方向;及一保护层,至少覆盖此一或多个晶片,且保护层的高度不高于环形结构。
本发明所述的发光***,该环形结构所围成的区域是为正方形、长方形、圆形或多边形,且该些发光单元的排列方式包括串联排列、并联排列、同心圆排列或涡卷式排列。
本发明所述的发光***,该些发光单元的各基板间包括一隔离间隙以避免热累积。
本发明所述的发光***,该荧光粉粒层包括多个荧光粉粒,且至少一部分是凝结成块且不含粘着剂。
本发明所述的发光***,该保护层的一部分是自该荧光粉粒层的表面渗透进入一既定深度。
本发明还提供一种发光装置的制造方法,包括:提供一基板,其中基板上方具有至少一晶片;提供一环形结构,置于该基板上且环绕晶片;使多颗荧光粉粒与一不含粘着剂的液体混合形成混合液;使基板处于上述混合液中以使荧光粉粒沉降于基板上;及移除液体并取出该基板,其中该些荧光粉粒结块成一荧光粉粒层并至少附着于上述环形结构内的晶片上;及形成一保护层以覆盖此晶片。
本发明所述的发光装置的制造方法,移除该液体的方法包括:使用一第一移除步骤,以移除位于该环形结构外的混合液,留下位于该环形结构内的混合液;及使用一第二移除步骤,移除位于该环形结构内的混合液的液体,使该些荧光粉粒结块成一荧光粉粒层并附着于上述环形结构内的晶片及基板上。
本发明所述的发光装置的制造方法,该荧光粉粒层包括多个荧光粉粒,且至少一部分是凝结成块且不含粘着剂。
本发明所述的发光装置的制造方法,该保护层的一部分是自该荧光粉粒层的表面渗透进入一既定深度。
其中,本发明中,所述保护层是一个平坦化层,而其高度则可选择不高于环形结构,原则上保护层略高于该荧光粉粒层即可,例如在较低的高度如环形结构的三分之二、二分之一或其间的高度,以提供一定的保护能力,同时可以避免保护层厚度过厚而影响发光效率及降低散热效果,但本发明并不限于此,其高度只需足以覆盖晶片以避免刮伤发光粉粒层即可。
一般而言,保护层的材料可以选择软质的高分子材料,如此,可以通过其弹性抵消晶片发光时所产生的热应力,因而保护晶片和所连接的金属导线。保护层的一部分也有可能自荧光粉粒层的表面渗透进入一既定深度而增加其表面粘着力,本实施例则以硅胶为例。
此外,可以在上述发光装置或发光单元上选择性覆盖一透镜,例如是由环氧树脂或聚乙烯(PE)塑胶材料制成,而在透镜与保护层之间则可选择性填充与保护层的折射率相同的材料,例如硅胶。
在此说明书中,所谓“环形结构”是泛指一封闭结构。在本发明中,虽列举长方形、正方形、或圆形的环形结构所围成的区域作为说明,但是并非用以限定本发明的范围;在其他实施例中,此环形结构所围成的区域也可以是其它任意形状,例如配合背光模组的空间制造适当的长条状环形结构。
根据本发明使用的环形结构,除了可以聚集来自该些晶片侧壁所发出的光线外,更有避免热量囤积(heat sink)产生的功能。也就是说,通过环形结构的各种排列方式,例如是并联排列、串联排列、或同心圆排列,并将该些晶片分置于不同环形结构内,以避免晶片集中配置所造成的热量囤积。尤其是,每一个发光单元是各自独立,也就是说各发光单元彼此间并非由基板连结,而是切割基板形成隔离间隙,以避免热累积,再通过框架个别连结以构成一发光***。而在另一实施例中,则可再利用配置于个别发光单元基板下方的散热座散热,而达到所谓“二重散热”的效果。
此外,根据本发明所使用的环形结构,亦改善了一般沉淀法的问题。也就是说,当荧光粉粒沉降于基板后会被环形结构分开成内外两区,因此可以容易的移除在外区的混合液,并只有部分的混合液留在环形结构内区,由于此部分的混合液远少于原有的混合液,因此,透过烘干方式可以更快的形成荧光粉粒层并附着于环形结构内的晶片上,如此一来,也提升了制程效率。
附图说明
图1A是绘示本发明第一实施例的发光装置;
图1B至图1E是绘示本发明第一实施例的发光装置的散热座的变形例;
图2A是绘示图1A的俯视图;
图2B是绘示图1A的晶片阵列的俯视图;
图3是绘示图1A所示的环形结构的变形例;
图4是绘示本发明第二实施例的发光***;
图5是绘示本发明第三实施例的发光***;
图6是绘示本发明第四实施例的发光***;
图7是绘示本发明第五实施例的发光***;
图8是绘示本发明第六实施例的发光***。
具体实施方式
为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举出较佳实施例,并配合所附图式,作详细说明如下:
在本发明的下列实施例中,主要分别说明发光***、环形结构的排列方式、具有环形结构的发光装置与散热座的组合、以及环形结构在沉淀法的应用,但是此些实施例仅用于说明本发明而非用以限定本发明的范围。
第一实施例
图1A是绘示本发明第一较佳实施例的具有环形结构的发光装置或发光单元。图2A是绘示图1A的俯视图。图2B是绘示图1A的晶片阵列的俯视图。图3是绘示图1A所示的环形结构的变形例。
如图1A所示,发光装置或发光单元100包括一散热座112,一般是由金属构成。一置于散热座112上方的基板102及置于基板102上方的单一晶片或多个晶片,在此是以晶片阵列104为例。以及置于晶片阵列104上方的发光粉粒层,例如是荧光粉粒层106。在一较佳实施例中,发光装置可选择用以覆盖荧光粉粒层106的保护层108,及一置于基板102上的环形结构110。此外,在本例中,环形结构110可以通过绝缘胶而附着于基板102上;且环形结构110为一封闭结构。而在此实施例以及后述的实施例中,晶片阵列104、荧光粉粒层106以及保护层108皆位于环形结构110内。在此实施例中,发光单元100即可构成一个发光***,且环形结构110所围成的区域为正方形,如图2A所示。请特别参考图2B,荧光粉粒层106下方的晶片阵列104的配置是如图所示,其由环形结构110所围绕。
在一较佳实施例中,保护层108亦可延伸至环形结构110侧壁以增加附着力。
一般而言,保护层的材料可以选择软质的高分子材料,如此,可以通过其弹性抵消晶片发光时所产生的热应力,因而保护晶片和所连接的金属导线,此外,保护层的一部分有可能自荧光粉粒层106的表面渗透进入一既定深度而增加其表面粘着力,其中本实施例是以硅胶为例。
在另一较佳实施例中,由于环形结构110可用来调整来自晶片104所发出光线的方向,例如遮蔽、反射、收集或聚焦,因此可以解决晶片104侧部的漏蓝光现象,并改善光线色偏的问题。
环形结构110一般可为塑胶本体,表面则可形成一反光材料层,例如选择电镀一层铬、镍、银、氟化锌或硫化镁等反光材料。
其中,由于环形结构110与晶片104设置在同一面,因此如果选择散热特性较佳的材质,例如抛光形成具有反光面的金属材料,则可以提高散热效率。
此外,可以在上述发光装置或发光单元上选择性覆盖一透镜200,例如是由玻璃、环氧树脂或PE塑料制成以覆盖基板102、晶片104、保护层108和环形结构110,而在透镜200与保护层108之间则可选择性填充与保护层的折射率相同的材料作为填充层150,例如硅胶。
在另一实施例中,环形结构110的内侧壁与基板102表面形成一角度θ,且0°<θ<90°,但是以θ=45°较佳;环形结构110的材料为金属,例如是不锈钢材料;且环形结构110表面可以选择一层镀膜以增加反射效果。其中,在一较佳实施例中,保护层108是一个平坦化层,而其高度则可选择不高于环形结构110,原则上保护层略高于荧光粉粒层即可,例如,选择低于环形结构的高度如三分之二、二分之一或其间的高度,以提供一定的保护能力,同时可以避免保护层108厚度过厚而影响发光效率及降低散热效果,但本发明并不限于此,其高度只需足以覆盖晶片104以避免刮伤荧光粉粒层106即可。
尤其是在本例中,荧光粉粒层106内的荧光粉粒间并不含胶,因此可以增加发光效率。其中,晶片阵列104的晶片数量是依据需要而决定,例如可以是单颗或多颗;在本例中,此晶片是为发光二极管。其中,基板102为铜覆基板,但也可使用铝覆基板或氧化铝基板。其中,散热座112的形状为梯形,但也可是矩形或凹形及其它利于散热的形状,如图1B至图1E所示;散热座112的材料如金属等以具高导热系数的材料较佳。
另外,在其它实例中,环形结构110所围成的区域的形状亦可依据需要而作适当变更,例如是长方形、圆形或其它形状等;且环形结构110本身的形状也可以做任意变更,例如其剖面形状可以是梯形、三角形或弧形等,如图3所示,而环形结构内侧壁也可以是平坦表面或圆弧面。在其他实施例中,此环形结构所围成的区域也可以是其它任意形状,例如配合背光模组的空间制造适当的长条状环形结构。
此外通过实验发现,以不锈钢材质分别制作高度0.2mm和0.3mm、剖面呈45度等边三角形、而直径同为1.6公分的环形结构,并搭配在电路基板上分别设置16颗由荧光粉粒层覆盖的LED晶片(中国台湾广嫁公司514型号14mil晶片)时,发现由高度0.3mm的环形结构围绕的发光装置,其亮度比由0.2mm高度的环形结构围绕者多出1-3流明,而在覆盖环氧树脂透镜前后的亮度则没有差别。
第二实施例
图4是绘示本发明第二实施例的发光***。
如图4所示,本实施例的发光***400的特征在于具有多个图1A所示的发光单元100、以及一用于连接该些发光单元100的框架(frame)410,其余皆与第一实施例类似。也就是说,多个图1A所示的发光单元100构成本实施例的发光装置400。其中,发光单元100彼此之间具有一适当的间隙距离d,且此间隙距离d是依据每一发光单元100所发出的亮度与所产生的热量而决定。其中,该些发光单元100的数量是可依据需要而决定;且该些发光单元100的配置可以有各种变化。其中,框架410是由金属材料所构成。
因此根据本发明的实施例所使用的环形结构110,除了可以聚集来自该些晶片侧壁所发出的光线外,更有避免热量囤积(heatsink)产生的功能。也就是说,通过环形结构的各种排列方式,例如是并联排列、串联排列或同心圆排列,并将该些晶片分置于不同环形结构内,可以避免晶片集中配置所造成的热量囤积。尤其是在一发光***400中,每一个发光单元100是各自独立,也就是说各发光单元100彼此间并非由整片基板连结,而是切割基板形成隔离间隙d,再通过框架410个别连结以构成发光***,如此可以避免热累积及达到热源分散的良好效果。
第三实施例
图5是绘示本发明第三实施例的发光***。
如5图所示,在本实施例中,除了环形结构510所围成的区域的形状是长方形之外,其余皆与第一实施例类似,在此不再赘述。根据用途,可以直接以一个单独发光单元500作为发光***;亦可以将多个发光单元500串联排列而成一直线形的发光***。
第四实施例
图6是绘示本发明第四实施例的发光***。
如6图所示,在本实施例中,除了发光单元500为并联排列之外,其余皆与第三实施例类似,在此不再赘述。其中,多个发光单元500并联排列而成一发光***600,且发光单元500彼此之间的间隙距离d是依据每一发光单元500所发出的亮度与所产生的热量而决定。
第五实施例
图7是绘示本发明第五实施例的发光***。
如7图所示,在本实施例中,除了环形结构710所围成的区域的形状是多边形(例如,八边形)之外,其余皆与第一实施例类似,在此不再赘述。在本实施例中,是直接以一个单独发光单元700作为发光***。在其它实施例中,环形结构710所围成的区域的形状也可以是圆形。
第六实施例
图8是绘示本发明第六实施例的发光***。
如8图所示,在本实施例中,除了发光单元700为涡卷式(vortex)排列之外,其余皆与第五实施例类似,在此不再赘述。其中,多个发光单元700以涡卷式(vortex)排列而成一发光***800,且发光单元700彼此之间的间隙距离d是依据每一发光单元700所发出的亮度与所产生的热量而决定。在其它实施例中,发光单元700的环形结构所围成的区域的形状也可以是圆形,且发光单元700呈同心圆状排列(图未显示)。
值得注意的是,在第一至六实施例中,晶片皆配置于环形结构内,且晶片数量是依用途与需要而决定。另外,在第一至六实施例的发光装置上方也可以使用封装材料加以封装,但是以不封装为较佳。
第七实施例
本实施例提供一种发光二极管的制造方法,以下虽举“沉淀法”为例,在此并入申请人的中国专利申请号200510008606.0及美国专利申请号11/059554作为本发明参考,但是本发明的制造方法不以此为限。
请参阅图1A,本实施例的制造流程包括下列步骤,但其步骤顺序可以依据制程需要进行调整而不以此为限。
首先,提供一基板102,其中基板102上具有至少一晶片104,例如制作一发光二极管晶片阵列于一铜覆基板上。其次,提供一环形结构110,置于该基板102上且环绕晶片104,例如使用粘胶以固定具有镀铬反光面的塑胶环形结构110于基板102上。
接着使多颗荧光粉粒与一不含粘着剂的液体混合形成混合液,并使基板102处于上述混合液中以使荧光粉粒沉降于基板102上。而一较佳实施例中,可选择先置入上述基板102于一容器中,然后使多颗荧光粉粒与一不含粘着剂的液体混合形成混合液并导入该容器中,进而让上述混合液中的荧光粉粒自然沉降于基板102上。
然后,移除液体并取出基板102,其中该些荧光粉粒是结块成一荧光粉粒层106并至少附着于上述环形结构110内的晶片104上,及形成一保护层108以至少覆盖此荧光粉粒层106。
而根据本发明的实施例所使用的环形结构110,是可提高一般沉淀法的效率。也就是说,当荧光粉粒沉降于基板102后会被环形结构110分开成内外两区,而在初步移除混合液后,将只有部分的混合液留在环形结构110的内区,由于此部分的混合液远少于原有大量的混合液,因此,透过烘干方式可以更快的移除剩余液体而形成荧光粉粒层106并附着于环形结构110内的晶片上,如此一来即可提升制程效率。
以下针对上述制程的一较佳实施例进行详细说明。首先荧光粉粒的比重是选择大于此液体且较佳不溶或难溶于此液体中,且荧光粉粒在此液体中必须具有安定性且不起化学反应;接着利用搅拌子(stir bar)或超音波震荡器等工具或仪器使荧光粉粒与液体均匀混合,以形成一分散液。荧光粉粒可由荧光粉组成,此荧光粉可为硫化物荧光粉或非硫化物荧光粉;其中硫化物荧光粉表面尚可包覆一层保护层,如有机聚合物保护层,以阻隔外界环境如水气与氧气等对硫化物荧光粉的影响,使硫化物荧光粉维持稳定状态;而非硫化物荧光粉可为钇铝石榴石(yttrium aluminumgarnet,简称YAG)荧光粉、铽铝石榴石(terbium aluminumgarnet,简称TAG)荧光粉等常见用于发光二极管中的荧光粉,或是任何其它可用的发光粉。
其次将一上方具有一环形结构110的基板102置于上述分散液中静置一段时间,此分散液的液面必须高于基板表面,且至少要比基板表面高10μm以上。接着再利用自然的重力因素使混合液中的荧光粉粒直接淀积在基板上,故此荧光粉粒的比重必须大于此液体,否则无法进行淀积行为;荧光粉粒的粒径一般为0.1~100μm,由于此制造方法是利用重力使荧光粉粒直接淀积在基板上,所以若荧光粉粒的粒径过小,淀积时间会过长,使产能降低,此外,若荧光粉粒的粒径太大,可能会造成最后所形成的荧光粉粒层均匀度太差的结果;此外,为使淀积时间与最后所形成的荧光粉粒层的厚度在一定标准内,此发光粉占液体的浓度约为0.001~1g/ml,较佳为0.01~0.15g/ml,若浓度过高,会使发光粉产生浪费或是使最后所形成的荧光粉粒层过厚,若浓度过低,则会使淀积时间过长且最后所形成的荧光粉粒层过薄。在此淀积过程中,环形结构可以将沉降的荧光粉粒区分为内外两区。其中,在此淀积制程前,环形结构内的基板表面已形成有晶体阵列,例如是发光二极管阵列。
最后将上述***中的液体进行初步移除,如利用抽取与/或流放等方式将液体移除,仅留下部分混合液于环形结构内的基板上,接续利用快速烘干方式形成荧光粉粒层并附着于晶片上或环形结构内的基板上。上述将液体移除的方式以不会对荧光粉粒层产生扰动作用为准,否则将无法形成理想的荧光粉粒层,而其中该烘干步骤的温度设定,是选择大于使液体挥发的温度,小于使基板如晶体的破坏、或发光粉产生变质的温度,例如约为摄氏40~300度,其中若烘干温度太低,则会使烘干时间过长或是无法烘干,这会导致产能下降;若烘干温度过高,不但会使基板或发光粉产生变质,产生品质不良的荧光粉粒层而使良率下降,还会因为激烈的沸腾现象而使发光粉的分散液被搅动而无法得到理想的荧光粉粒层。此烘干步骤是要将发光粉中的液体移除,当液体移除时,发光粉体间的空隙就会减少,且通过发光粉体间的范德华力使彼此更加密合,而形成紧密不易剥落的发光粉体层。此外,此烘干步骤可包括第一烘干步骤与第二烘干步骤,在第一烘干步骤中,使用较低的温度使液体慢慢挥发,此温度较佳小于所使用的液体的沸点,以避免液体的快速挥发使荧光粉粒层的表面产生孔洞,待一段时间后,再进行较高温的烘干步骤,以使发光粉状膜中的液体完全挥发,另外此烘干温度较佳可选择小于摄氏300度,其中此温度的设定是用以避免基板或发光粉产生变质,并非限定为300度。
此外,尚可在荧光粉粒层106上再形成一保护层108,以对此荧光粉粒层形成更好的保护;此保护层108可为有机高分子材料,并可以涂布等方式形成于荧光粉粒层上,也可延伸至环形结构内侧以增加附着力。
在上述的制造方法中,所使用的液体最好要与发光粉不溶、难溶、安定且不起化学作用。其中该液体可为水、醇类、酮类或醚类,如醇类可为乙醇、酮类为丙酮、醚类可为***。
虽然本发明已通过较佳实施例说明如上,但该较佳实施例并非用以限定本发明。本领域的技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,应有能力对该较佳实施例做出各种更改和补充,因此本发明的保护范围以权利要求书的范围为准。
附图中符号的简单说明如下:
d:间距
100:发光装置
102:基板
104:晶片阵列
106:荧光粉粒层
108:保护层
150:填充层
200:透镜
110、510、710:环形结构
112:散热座
400、500、600、700、800:发光***
410、610、715:框架

Claims (22)

1. 一种发光装置,其特征在于,所述发光装置包括:
一基板;
至少一晶片,置于该基板上,该晶片表面包括一荧光粉粒层;
一环形结构,置于该基板上且环绕该晶片,其中该环形结构用于调整该晶片所发出光线的方向;及
一保护层,至少覆盖该荧光粉粒层,且该保护层的高度不高于该环形结构。
2. 根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该保护层为一平坦化层。
3. 根据权利要求2所述的发光装置,其特征在于,该保护层更覆盖该晶片及延伸至该环形结构内侧壁。
4. 根据权利要求3所述的发光装置,其特征在于,该保护层的高度为该环形结构高度的2/3、1/2或两者之间。
5. 根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该环形结构用以遮蔽、反射、收集或聚焦该晶片所发出的光线。
6. 根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该环形结构包括一塑胶本体,及一反光材料层,形成于该塑胶本体表面。
7. 根据权利要求6所述的发光装置,其特征在于,该反光材料层为一电镀层。
8. 根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该环形结构由具有反光面的金属材料制成。
9. 根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该环形结构的内侧壁为一平坦表面或圆弧面,且剖面为一梯形或三角形。
10. 根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,更包括一透镜,其覆盖该基板、晶片、保护层及环形结构。
11. 根据权利要求10所述的发光装置,其特征在于,该透镜与该保护层之间更包括一填充层,其与该保护层的折射率相同。
12. 根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该荧光粉粒层包括多个荧光粉粒,且至少一部分是凝结成块且不含粘着剂。
13. 根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该保护层的一部分是自该荧光粉粒层的表面渗透进入一既定深度。
14. 一种发光***,其特征在于,所述发光***包括:
多个发光单元;及一框架,用于连接该发光单元,其中每一个发光单元包括:
一基板;
至少一晶片,置于该基板上方,该晶片表面包括一荧光粉粒层;
一环形结构,置于该基板上且环绕该晶片,其中该环形结构用于调整该晶片所发出光线的方向;及
一保护层,至少覆盖该荧光粉粒层,且该保护层的高度不高于该环形结构。
15. 根据权利要求14所述的发光***,其特征在于,该环形结构所围成的区域是为正方形、长方形、圆形或多边形,且该发光单元的排列方式包括串联排列、并联排列、同心圆排列或涡卷式排列。
16. 根据权利要求14所述的发光***,其特征在于,该发光单元的各基板间包括一隔离间隙以避免热累积。
17. 根据权利要求14所述的发光***,其特征在于,该荧光粉粒层包括多个荧光粉粒,且至少一部分是凝结成块且不含粘着剂。
18. 根据权利要求14所述的发光***,其特征在于,该保护层的一部分是自该荧光粉粒层的表面渗透进入一既定深度。
19. 一种发光装置的制造方法,其特征在于,所述发光装置的制造方法包括:
提供一基板,其中该基板上方具有至少一晶片;
提供一环形结构,置于该基板上且环绕该晶片;
使多颗荧光粉粒与一不含粘着剂的液体混合形成混合液;
使该基板处于上述混合液中以使荧光粉粒沉降于该基板上;
移除该液体使该荧光粉粒结块成一荧光粉粒层并至少附着于上述环形结构内的晶片上;及
形成一保护层以覆盖该荧光粉粒层。
20. 根据权利要求19所述的发光装置的制造方法,其特征在于,移除该液体的方法包括:
使用一第一移除步骤,以移除位于该环形结构外的混合液,留下位于该环形结构内的混合液;及
使用一第二移除步骤,移除位于该环形结构内的混合液的液体,使该荧光粉粒结块成一荧光粉粒层并附着于上述环形结构内的晶片及基板上。
21. 根据权利要求20所述的发光装置的制造方法,其特征在于,该荧光粉粒层包括多个荧光粉粒,且至少一部分是凝结成块且不含粘着剂。
22. 根据权利要求20所述的发光装置的制造方法,其特征在于,该保护层的一部分是自该荧光粉粒层的表面渗透进入一既定深度。
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