CN100399559C - 微电极防短路隔离胶结构 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种微电极防短路隔离胶结构，属于微电子技术领域。本发明包括：嵌入微电极间隙的基座部分和高于微电极的凸出部分，基座部分将微电极间隙完全填充，长度为微电极长度，宽度为微电极间隙距离，高度为微电极高度；凸出部分的长度为微电极长度，宽度为微电极间隙距离，高度为高出微电极4um～8um。凸出部分的优选为针尖状，其侧翼为圆弧形。本发明的隔离胶不但能有效防止相邻微电极间隙的导电粒子桥连而发生的电路短路，还能有效的防止相邻微电极之间压接层的导电粒子桥连而发生的电路短路。

Description

微电极防短路隔离胶结构
技术领域
本发明涉及的是一种微电子技术领域的结构，具体地说，涉及的是一种微电极防短路隔离胶结构。
背景技术
在半导体封装或液晶显示(LCD)领域，各向异性导电胶直接用于将半导体芯片安装到基板上，例如将芯片与LCD(或FPC)连接。通过热压过程，芯片直接倒装在贴有各向异性导电胶的基板上。芯片的微电极和与之对应的基板的焊盘之间夹着多个受压变形的导电粒子，由这些变形的导电粒子实现上、下微电极的电气连接。同时芯片与基板整体被各向异性导电胶的环氧树脂基材固化，实现电子封装的机械支撑和散热。按照现有技术对芯片和基板进行热压封装时，微电极对各向异性导电胶的环氧树脂基材的局部压力较大，所以各向异性导电胶的导电粒子有向微电极的间隙流动的趋势。这样，当导电粒子在间隙中形成桥连时，就会发生相邻微电极之间的短路。即使应用有绝缘层的导电粒子，此种导电粒子流入超窄的间隙(5um～8um)时，微电极之间的漏电现象也是不可避免的。桥连主要发生在两个位置：微电极间隙和两个微电极之间的压接层。
经对现有技术的文献检索发现，中国专利申请号为03819570.4公布了一种可以防止导电粒子电路短路的微电极连接结构。该方法将绝缘膜层施加于具有电路图案的电路板，然后用各向异性导电粘合剂将它们进行粘合，可以有效的防止微电极之间导电粒子桥连而发生的电路短路。但是此种连接结构很难防止相邻电极之间压接层的导电粒子桥连，还具有一定的电路短路的出现概率。
发明内容
本发明针对现有技术的不足，提供一种微电极防短路隔离胶结构，使其可以用于微电极并且防止短路。本发明的隔离胶不但能有效防止相邻微电极间隙的导电粒子桥连而发生的电路短路，还能有效的防止相邻微电极之间压接层的导电粒子桥连而发生的电路短路。
本发明是通过以下技术方案实现的，本发明隔离胶结构包括：嵌入微电极间隙的基座部分和高于微电极的凸出部分。基座部分将微电极间隙完全填充，长度为微电极长度，宽度为微电极间隙距离，高度为微电极高度。凸出部分的长度同样为微电极长度，宽度为微电极间隙距离，高度为高出微电极4um～8um。
凸出部分的形状为针尖状、倒梯形状、长方形、三角形，其中优选形状为针尖状，针尖状凸出部分的侧翼为圆弧形。
本发明中，隔离胶长度与微电极长度一致的优点在于热压封装时不会显著改变导电粒子的流动状态，因为芯片的其它区域并未覆盖隔离胶。隔离胶的凸出部分的优选形状为针尖形的优点是：较少的隔离胶从间隙溢入微电极和基板的连接层，防止导电粒子被挤出有效的导通区域。
本发明披露了一种可以用于微电极并且防止短路的隔离胶结构，其主要成分是感光环氧树脂(或其它感光树脂，如聚酰亚胺树脂)。微电极通过含有导电粒子的各向异性导电胶和本发明的隔离胶结构实现电气和机械连接。此隔离胶结构制作过程简单(包括旋转涂胶、紫外曝光、湿法刻蚀、清洗和后烘)，工艺流程具有较强的实际操作性。本发明可以使微电极捕捉更多的导电粒子，同时有效地防止因为微间距而导致的在微电极间隙和压接层的导电粒子短路，并且能够防止导电粒子被挤出有效的导通区域，从而提高微电极的连接可靠性，使封装技术向更小的特征尺寸(15um～20um)和更窄的电极间隙(5um～8um)发展。
附图说明
图1为本发明结构示意图
具体实施方式
如图1所示，本发明包括：嵌入芯片1的微电极2间隙的基座部分3和高于微电极2的凸出部分4。基座部分3将微电极2间隙完全填充，长度为微电极2长度，宽度为微电极2间隙距离，高度为微电极2高度。凸出部分4的长度同样为微电极2长度，宽度为微电极2间隙距离，高度为高出微电极2大约4um～8um。
凸出部分4的形状为针尖状、倒梯形状、长方形、三角形，其中优选形状为针尖状，针尖状凸出部分4的侧翼为圆弧形。
应用本发明优选的隔离胶结构进行热压封装时，隔离胶的凸出部分4的局部压力较大。并且，经过后烘后的隔离胶已经发生部分固化，强度远大于未固化的各向异性导电胶的环氧树脂基材，这样流动性非常好的导电粒子就能沿着隔离胶的凸出部分4的圆弧结构更多的被微电极2捕捉。所以在此过程就能体现本发明结构的三个优点：1.防止导电粒子流入微电极2间隙形成间隙桥连；2.分离导电粒子，防止形成压接层桥连；3.导流导电粒子，使微电极2能够捕捉更多的导电粒子。
在导电粒子变形的热压过程中，隔离胶的凸出部分4也随之受压变形，在各向异性导电胶的环氧树脂基材和隔离胶的充分固化后，永久的形成微电极2间的绝缘层，有效的防止微电极2间的短路。

Claims (3)

1.一种微电极防短路隔离胶结构，包括：嵌入微电极(2)间隙的基座部分(3)和高于微电极(2)的凸出部分(4)，其特征在于，基座部分(3)将微电极(2)间隙完全填充，长度为微电极(2)长度，宽度为微电极(2)间隙距离，高度为微电极(2)高度；凸出部分(4)的长度同样为微电极(2)长度，宽度为微电极(2)间隙距离，高度为高出微电极(2)4um～8um。
2.根据权利要求1所述的微电极防短路隔离胶结构，其特征是，凸出部分(4)形状为针尖状、倒梯形状、长方形或者三角形。
3.根据权利要求1或者2所述的微电极防短路隔离胶结构，其特征是，凸出部分(4)为针尖状，其侧翼为圆弧形。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN112235942B (zh) * 2020-09-21 2021-10-22 广州国显科技有限公司 一种显示模组及显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11145562A (ja) * 1997-11-07 1999-05-28 Sharp Corp 半導体レーザ装置
US6362641B2 (en) * 1998-08-25 2002-03-26 Nec Corporation Integrated circuit device and semiconductor wafer having test circuit therein
CN1452241A (zh) * 2002-04-12 2003-10-29 Nec化合物半导体器件株式会社 具有连接到导线的焊盘电极的半导体器件
CN1808710A (zh) * 2004-12-07 2006-07-26 三星电子株式会社 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11145562A (ja) * 1997-11-07 1999-05-28 Sharp Corp 半導体レーザ装置
US6362641B2 (en) * 1998-08-25 2002-03-26 Nec Corporation Integrated circuit device and semiconductor wafer having test circuit therein
CN1452241A (zh) * 2002-04-12 2003-10-29 Nec化合物半导体器件株式会社 具有连接到导线的焊盘电极的半导体器件
CN1808710A (zh) * 2004-12-07 2006-07-26 三星电子株式会社 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

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