液晶显示驱动芯片中静态存储器的控制电路设计方法
技术领域
本发明涉及一种存储器的控制电路设计方法,特别是液晶显示驱动芯片中静态存储器的控制电路设计方法。
背景技术
参照图6、图7,在液晶显示驱动电路芯片中,为了减少与MPU的数据交换次数,从而达到减小MPU的负担和芯片功耗的目的,通常需要内置SRAM,以存储一帧画面的图像显示数据。对内置SRAM的访问和数据操作有两种情形,一种是MPU对SRAM的读写操作以更新图像显示数据;另外一种是将存储在SRAM的图像显示数据逐行输出到输出锁存单元,并通过Source Driver驱动显示屏以显示彩色图像(以下称为行扫描操作)。为了节省芯片面积,通常采用单口SRAM以及一套地址译码电路,这样就会出现MPU对SRAM的读写操作与行扫描的时序冲突问题。
为了解决上述时序冲突问题,需要加入时序冲突解决电路,判别上述两种操作是否发生时序冲突以及发生时序冲突时进行选择控制,使得在任一时刻只有一套地址进入地址译码电路,并且只进行其中的一种操作。DATA1是MPU对SRAM的读写数据,而DATA2是输出到Source Driver的图像显示数据。
文献“Bo-Sung Kim,Young-Gi Kim,Soon-Yang Hong,“Low Power 260k Color TFT LCDOne-chip Driver IC”,COMPUTER SOCIETY,2004”介绍了一种液晶显示驱动芯片中静态存储器的控制电路设计方法,即时序冲突解决方法。这种方案里,MPU读写地址和行扫描地址的选择是由行扫描屏蔽信号控制的,且MPU读写操作优先。当MPU读写操作与行扫描发生冲突时,行扫描使能信号被行扫描屏蔽信号屏蔽,行扫描中断,MPU对SRAM进行读写操作;当MPU对某一地址的SRAM单元读写操作完成后,屏蔽信号消失,行扫描使能信号有效,继续进行当前行扫描操作,直至本次行扫描使能信号结束为止。这种方法需要在MPU读写地址和行扫描地址之间频繁地进行切换,另外行扫描操作不能一次完成,导致电路结构复杂,增加了芯片功耗。
发明内容
为了克服现有技术电路结构复杂、芯片功耗高的不足,本发明提供一种液晶显示驱动芯片中静态存储器的控制电路设计方法。
本发明解决上述技术问题所采用的技术方案是:一种液晶显示驱动芯片中静态存储器的控制电路设计方法,包括下述步骤:
1)当MPU_PULSE1信号不落在CL1的上升沿与CL1_PULSE1的下降沿之间时,不发生时序冲突,否则判定为发生时序冲突;
2)行扫描信号CL1的上升沿产生的第一个子控制信号CL1_PULSE1,作为行扫描的操作区,在此操作区内产生行扫描需要的所有控制信号,同时选择行扫描地址,完成所有行扫描操作;
3)MPU读写时钟MPU_SYS_CLK的上升沿产生的第一个子控制信号MPU_PULSE1,作为MPU读写SRAM的操作区,在此操作区内产生MPU读写SRAM需要的所有控制信号,同时选择MPU读写SRAM的地址,完成MPU读写操作;
4)当行扫描与MPU读写操作不发生时序冲突时,使用各自第一个操作区内的控制信号,第二个操作区的控制信号舍弃;
当发生时序冲突时,当前使用的命令继续使用自身的第一个操作区的控制信号直到完成该命令的所有操作,而后到的命令则在当前进行命令的第二个操作区内完成其所有操作,并且舍弃后到命令的第一、二操作区。
所述的发生时序冲突,当MPU读写操作时钟MPU_SYS_CLK先到,但MPU读写操作还未结束时行扫描时钟CL1来临,此时在MPU读写的第一个操作区MPU_PLUSE1内产生MPU读写SRAM的控制信号,完成MPU读写操作;而在MPU读写的第二个操作区MPU_PLUSE2内产生行扫描的控制信号,完成行扫描操作,此时,先选择MPU读写地址MPU_ADDR,然后选择行扫描地址Z_ADDR。
所述的发生时序冲突,当行扫描时钟CL1先到,但行扫描操作CL1_PULSE1还未开始时MPU读写操作时钟MPU_SYS_CLK来临,此时暂时放弃行扫描操作,先进行MPU读写操作,在MPU_PLUSE1操作区内进行,此时选择MPU读写地址MPU_ADDR,而在MPU读写操作的第二个操作区MPU_PLUSE2内产生行扫描操作的控制信号,完成行扫描操作,此时选择行扫描地址Z_ADDR。
所述的发生时序冲突,当在CL1_PULSE1操作区内,正在进行行扫描时发生MPU读写请求,此时先搁置MPU读写请求,继续进行行扫描操作,直到行扫描结束为止,此时选择行扫描地址Z_ADDR;而在行扫描的第二个操作区CL1_PLUSE2内产生MPU读写操作的控制信号,完成MPU读写操作,此时选择MPU读写地址MPU_ADDR。
本发明的有益效果是:由于本发明是在每次行扫描信号的有效期内只进行一次行扫描操作,与现有技术相比,减少了行扫描操作的次数,而且不需要在MPU读写操作与行扫描操作之间进行频繁的切换,降低了芯片功耗;同时时序冲突解决电路采用全硬件实现,减少了时序冲突解决的处理时间。
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
附图说明
图1是本发明液晶显示驱动芯片中静态存储器的控制电路设计方法框图
图2是本发明液晶显示驱动芯片中静态存储器的控制电路设计方法用电路中由CL1和MPU_SYS_CLK产生的子控制信号及操作区示意图
图3是本发明液晶显示驱动芯片中静态存储器的控制电路设计方法解决时序冲突情形一,MPU***时钟先到
图4是本发明液晶显示驱动芯片中静态存储器的控制电路设计方法解决时序冲突情形二,行扫描时钟CL1先到
图5是本发明液晶显示驱动芯片中静态存储器的控制电路设计方法解决时序冲突情形三,行扫描时钟CL1先到
图6是单口SRAM的访问时序冲突框图
图7是文献中时序冲突解决方法的波形图
具体实施方式
参照图1~2,本发明以行扫描时钟CL1和MPU***时钟MPU_SYS_CLK为基本操作时钟,每个基本操作时钟都在其上升沿到来时产生两个脉宽为Ta的子控制信号。
为了保证MPU读写操作优先于行扫描操作,CL1产生的子控制信号延迟Ta后输出。这两个子控制信号分别代表两个时间操作区。当MPU_PULSE1信号不落在CL1的上升沿与CL1_PULSE1的下降沿之间时,不发生时序冲突,否则判定为发生时序冲突。行扫描信号CL1的上升沿产生的第一个子控制信号CL1_PULSE1,作为行扫描的操作区,在此操作区内产生行扫描需要的所有控制信号,同时选择行扫描地址,完成所有行扫描操作;MPU读写时钟MPU_SYS_CLK的上升沿产生的第一个子控制信号MPU_PULSE1,作为MPU读写SRAM的操作区,在此操作区内产生MPU读写SRAM需要的所有控制信号,同时选择MPU读写SRAM的地址,完成MPU读写操作。当行扫描与MPU读写操作不发生时序冲突时,使用各自第一个操作区内的控制信号,第二个操作区的控制信号舍弃;当发生时序冲突时,例如A命令正在进行时B命令到来,则A命令继续使用自身的第一个操作区的控制信号直到完成A命令的所有操作,而B命令则在A命令的第二个操作区内完成其所有操作,并且舍弃B命令的第一、二操作区。这里设定,MPU***时钟信号MPU_SYS_CLK的最小周期为250ms,最大频率为4MHz,行扫描信号CL1的周期为78us,每个操作区的长度Ta为100ns,因此发生时序冲突时行扫描操作与MPU读写操作都能在MPU***时钟的一个周期内完成。
参照图3,MPU读写操作时钟MPU_SYS_CLK先到,但MPU读写操作还未结束时行扫描时钟CL1来临,发生时序冲突。此时在MPU读写的第一个操作区MPU_PLUSE1内产生MPU读写SRAM的控制信号,完成MPU读写操作;而在MPU读写的第二个操作区MPU_PLUSE2内产生行扫描的控制信号,完成行扫描操作。此时,先选择MPU读写地址MPU_ADDR,然后选择行扫描地址Z_ADDR。
参照图4,行扫描时钟CL1先到,但行扫描操作CL1_PULSE1还未开始时MPU读写操作时钟MPU_SYS_CLK来临,发生时序冲突。此时暂时放弃行扫描操作,先进行MPU读写操作,在MPU_PLUSE1操作区内进行,此时选择MPU读写地址MPU_ADDR,而在MPU读写操作的第二个操作区MPU_PLUSE2内产生行扫描操作的控制信号,完成行扫描操作,此时选择行扫描地址Z_ADDR。
参照图5,在CL1_PULSE1操作区内,正在进行行扫描时发生MPU读写请求,此时先搁置MPU读写请求,继续进行行扫描操作,直到行扫描结束为止,此时选择行扫描地址Z_ADDR;而在行扫描的第二个操作区CL1_PLUSE2内产生MPU读写操作的控制信号,完成MPU读写操作,此时选择MPU读写地址MPU_ADDR。