CN100349057C - 面内切换模式液晶显示器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

面内切换模式液晶显示器件及其制造方法。一种面内切换模式液晶显示器件，其包括：第一基板；第二基板；在所述第一和第二基板之间，基本上设置在该第一和第二基板的各个表面上的多个铁电液晶层，通过暴露在双疏介质和双亲介质之一中来设置这些铁电液晶层；在该第一基板的铁电液晶层和该第二基板的铁电液晶层之间的向列液晶层；以及设置在该第一基板和第二基板中的每一个的表面上，以向这些铁电液晶层和该向列液晶层垂直地施加电场的多个电极。

Description

面内切换模式液晶显示器件及其制造方法
技术领域
本发明涉及液晶显示器件，更具体地，涉及一种具有铁电液晶材料的面内切换模式液晶显示器件及其制造方法。
背景技术
液晶显示(LCD)器件控制施加给液晶单元的电场。控制电场来对入射到液晶单元的光进行调制，由此显示图像。注入到液晶显示器件中的液晶材料处于同时具有流动性和弹性的固体和液体的中间状态。
扭曲向列(TN)模式采用垂直电场方案，并且是到目前为止在液晶显示器件中最为普遍采用的液晶模式。TN模式的优点在于具有相对高的孔径比。另一方面，因为液晶材料的折射系数，所以TN模式的缺点在于不具有宽视角。此外，采用TN模式的液晶材料的响应速度低。
面内切换(IPS)模式采用与液晶显示器件的显示板平行的电场。在IPS模式中，在形成在基板上的多个电极之间形成电场，并且通过水平电场来驱动液晶分子。图1是示意性说明根据现有技术的面内切换模式液晶显示器件的示意性剖面图。如图1中所示，在IPS模式中，在下玻璃基板18上形成像素电极16和公共电极15，并且通过在电极15和16之间施加的电压差沿水平方向形成电场20。通过电场20使液晶分子14在基板表面上旋转，以对透过液晶层的光的偏振分量进行调制。在图1中，将偏振器11和19分别附连到上玻璃基板12和下玻璃基板18上，以使两个偏振器的轴彼此交叉。在上玻璃基板12和下玻璃基板18上分别形成配向膜(alignment film)13和17。如果通过液晶层透射的光的偏振分量变化90度，则光穿过上偏振器11。另一方面，如果光的偏振分量没有变化，则光不能穿过上偏振器11。
图1中所示的IPS模式液晶显示器件的优点在于，由于液晶材料的折射系数变化不大，所以它具有宽视角。然而，在IPS模式液晶显示器件中，通过下基板上的不透明电极15和16来向液晶分子施加电场。结果，其缺点在于孔径比低。
铁电液晶(FLC)具有高响应速度和宽视角的优点。铁电液晶具有使用电特性和磁特性的结构。可以在响应于电场沿一虚拟锥体转动的平面内驱动铁电液晶。铁电液晶具有永久极化特性(换句话说，自发极化)，而不需要施加外部电场。与两个磁体之间的相互作用相似。如果施加外部电场，则铁电液晶在外部电场和自发极化之间的相互作用下快速旋转。铁电液晶的响应速度是其它模式液晶的几百倍或几千倍。此外，由于铁电液晶本身具有面内切换特性，所以它具有宽视角，而不需要具有特殊的电极结构或补偿膜。根据响应于电场极性的反应特性，将铁电液晶分类为V切换模式(V-switching mode)和半V切换模式。
在V切换模式的铁电液晶单元中，当降低温度时，发生热力学相变，例如各向同性相→层列(smectic)A相(SA)→旋光层列(chiral smectic)X相(Sm X*)→晶体。各向同性相是液晶分子没有方向性且位置无序的状态。层列A相是将液晶分子分为虚拟层并在该虚拟层上垂直排列液晶分子，并且液晶分子大致上下对称的状态。旋光层列X相是介于层列A相和晶相之间的中间状态。图2是电压与根据现有技术的V切换模式的铁电液晶的透射特性的关系的说明图。如图2中所示，通过响应于正极性的外部电压+V和负极性的外部电压-V来改变液晶分子的排列状态，V切换模式的铁电液晶(其中液晶分子相变为旋光层列X相)提高了入射光的光透射率。
V切换模式具有响应速度高和视角宽的优点。然而，V切换模式的缺点在于需要用于驱动液晶单元以克服大的自发极化值的高功率和用来存储足够电荷以维持数据电压的大存储电容器。因此，如果在液晶显示器件中采用V切换模式，则液晶显示器件的功耗高，并且由于电容器的大电极面积，所以降低了孔径比。
相反，半V切换模式具有响应速度高、视角宽的优点，此外，它很适合于显示运动图像并且因为电容比较低，所以适合于表示液晶显示器件。图3是根据现有技术的半V切换模式的铁电液晶的相变过程的简图。如图3中所示，在转变温度(Tni)以下发生从各向同性相到旋光向列相(N*)的相变，在转变温度(Tsn)以下发生从旋光向列相(N*)到旋光层列C相(Sm C*)的相变，而当温度低于转变温度(Tcs)时，导致从旋光层列C相到晶体的相交。可以获得的热力学相变是各向同性相→旋光向列(N*)→旋光层列C相(Sm C*)→晶体。
图4是说明取决于是否将电场作用下的配向应用于根据现有技术的半V切换模式的铁电液晶的分子排列的变化的简图。以下将参照图4说明半V切换模式的液晶单元的制造方法。在不具有方向性并且位置无序的各向同性相的初始温度下，将铁电液晶注入到平行排列的多个单元中。如果将各向同性相温度降低到指定温度，则铁电液晶变为相对于研磨方向平行排列的旋光向列相(N*)。在旋光向列相(N*)状态下，如果逐渐降低温度，并在液晶单元内部施加足够的电场，则旋光向列相(N*)的铁电液晶转变为旋光层列相(Sm C*)，并且铁电液晶的自发极化方向被设置为与在单元内部形成的电场方向一致。结果，如图4所示，铁电液晶的自发极化方向与在设置平行配向时对于基于上极板和下极板的配向处理的两个分子排列方向之间的电场配向而施加的电场方向一致，并且通过电场配向，铁电液晶完全具有一致的配向状态。
图5A和5B是分别表示根据半V切换模式的铁电液晶单元中的电压的光透射率的变化的曲线图。参照图5A，在由负极性电压-V产生的电场的作用下对液晶进行配向的情况下，仅当向其施加正电压+V时，半V切换模式的铁电液晶单元才通过将入射光的偏振方向改变90。来使入射光透射，而当向其施加负电压-V时，通过保持入射光的偏振方向来阻挡大部分的入射光。光透射率与正电场强度成正比地增大，并且如果正电场强度增大到超过指定的阈值，则保持最大值。相反，如果半V切换模式的铁电液晶单元在由正极性电压+W产生的电场的作用下进行配向，如图5B中所示，仅当向其施加负电压-V时，半V切换模式的铁电液晶单元透射入射光，而当施加正电压+W时，阻挡大部分的入射光。
图6表示当对半V切换模式的铁电液晶单元施加负极性的配向电场E(-)时铁电液晶排列的变化，以及当向其分别施加正极性和负极性的外部电场E(+)和E(-)时铁电液晶排列的变化。参照图6，如果半V切换模式的铁电液晶单元在负极性的外部电场E(-)的作用下进行配向，则铁电液晶的自发极化方向Ps沿与该负极性的外部电场E(-)相同的方向一致地对准。
在如上所述对电场进行配向之后，如果将正极性的外部电场E(+)施加给半V切换模式的铁电液晶单元，则液晶分子的排列改变，并且自发极化方向Ps与该正极性的外部电场E(+)一致。通过改变液晶分子的排列将经由下极板偏振器入射到液晶层的光的极化方向改变为上极板偏振器的极化方向，并且入射光通过安装在上极板中的偏振器透射。如果向半V切换模式的铁电液晶单元施加负极性的外部电场E(-)或者不施加外部电场，则液晶分子的排列保持为其原有的初始排列状态，并且入射光保持其偏振方向。因此，入射光不能通过上极板中的偏振器。
图7是表示根据现有技术的在不进行在电场作用下的配向的情况下，在一个液晶单元中存在的两个子区域的构造。不进行电场配向处理，当从旋光向列相(N*)相变到旋光层列C相(Sm C*)时，出现各层随机分布(vent)的两种分子排列状态。如果变为其中铁电液晶的分子排列随机的随机双稳态，则难以一致地控制铁电液晶。如果各层彼此不同的两种分子排列状态随机存在于一个铁电液晶单元中，则响应于具有彼此不同极性的电场，该液晶单元被分为单独驱动的两个区域。更具体地，如图7中所示，如果在同一铁电液晶单元中随机分布(bent)具有这些层的两种分子排列，则铁电液晶分子的自发极化方向Ps在两个区域中变得不同。
图8是表示根据现有技术通过在图7中所示的两个子区域中的外部电场对液晶分子进行作用的构造。在图7中，假设符号/表示铁电液晶分子的自发极化方向与正极性电场方向相同，并且符号-表示铁电液晶分子的自发极化方向与负极性电场方向相同。如果将负极性电场施加给包括各层(具有彼此不同的自发极化方向Ps)彼此不同的两种分子排列的铁电液晶单元，则包括在液晶排列中的具有与负极性电场方向-平行的自发极化方向Ps的液晶分子不受负极性电场的作用，并保持其原有的自发极化方向，如图7的右侧区域所示。相反，如图7的左侧区域所示，包括在分子排列中的液晶分子受到负极性电场的作用，沿虚拟锥体转动，同时，如图8中所示，自发极化方向Ps沿平行于负极性电场的-方向改变。此时，当入射光通过图7的左侧区域时，偏振方向朝光输出侧(即，在上极板中的偏振器的偏振方向)的方向变化，以通过上极板中的偏振器。相反，进入到图7中的右侧区域的入射光保持其偏振方向，以进入上极板中的偏振器，由此入射光不能透过上极板中的偏振器。
因此，随机分布具有这些层的两个区域，并且在一个铁电液晶单元中的两个区域中自发极化方向Ps不同，因而不能精确地控制半V切换模式。此外，如图7中所示，如果在同一铁电液晶单元中存在彼此不同的两个区域，则因为液晶分子受到根据各个区域具有彼此不同极性的电场的作用，所以在每一个帧周期会出现亮度差。
发明内容
因此，本发明致力于一种面内切换模式液晶显示器件及其制造方法，其基本上解决了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或更多个问题。
本发明的一个目的是提供一种面内切换模式液晶显示器件及其制造方法，其能够对铁电液晶进行配向并且表现出宽视角，而不需要外部电场。
本发明的其它特征和优点将在下面的说明书中提出，部分通过说明书而明了，或者可以通过本发明的实践而体验到。本发明的目的和其它优点将通过所写说明书及其权利要求以及附图所具体指出的结构来实现和获得。
为了实现这些和其它优点并根据本发明的目的，如具体实施和广泛描述的，一种面内切换模式液晶显示器件，其包括：第一基板；第二基板；在该第一和第二基板之间，基本上设置在该第一基板和第二基板的各个表面上的铁电液晶层，通过暴露在双疏介质(amphiphobic medium)和双亲介质(amphiphibic medium)之一中来对铁电液晶层进行排列；在该第一基板的铁电液晶层和该第二基板的铁电液晶层之间的向列液晶层；以及设置在第一基板和第二基板中的每一个的表面上，以将电场垂直地施加给铁电液晶层并施加给向列液晶层的多个电极，其中所述第一基板和第二基板中的每一个的表面包括配向膜。
在本发明的另一方面，一种制造面内切换模式液晶显示器件的方法，其包括：在第一基板和第二基板中的每一个上形成电极；在该第一基板和第二基板的各个表面上形成铁电液晶层；在暴露在双疏介质和双亲介质之一中的状态下使铁电液晶层发生相变，以使铁电液晶层稳定；以及在该第一基板的铁电液晶层和该第二基板的铁电液晶层之间形成向列液晶层，其中所述第一基板和第二基板中的每一个的表面包括配向膜。
应该理解，以上概述和以下详细说明都是示例性和解释性的，并且旨在对所要求保护的本发明提供进一步的说明。
附图说明
附图说明了本发明的实施例并与说明书一起用于说明本发明的原理，包含附图以提供对本发明的进一步理解，并且将其并入并构成说明书的一部分。
图1是示意性地表示根据现有技术的面内切换模式液晶显示器件的剖面图。
图2是表示电压与根据现有技术的V切换模式的铁电液晶的透射特性的关系的曲线图。
图3是表示根据现有技术的半V切换模式的铁电液晶的相变过程的简图。
图4是表示取决于是否将电场作用下的配向应用于根据现有技术的半V切换模式的铁电液晶的分子排列的变化的简图。
图5A和5B是表示电压与根据现有技术的半V切换模式的透射特性的曲线图。
图6是表示根据现有技术，半V切换模式的铁电液晶在电场作用下进行配向时受到电场的作用，以及受到在进行驱动时所施加电场的作用的简图。
图7是表示在根据现有技术不进行在电场作用下的配向的情况下，在一个液晶单元中存在两个子区域的构造。
图8是表示根据现有技术，液晶分子受到图7中所示的两个子区域中的外部电场作用的构造。
图9A到9D是依次表示根据本发明示例性实施例的面内切换模式液晶显示器件的制造方法的剖面图。
图10是示意性地表示在图9C和9D的相变处理中将铁电液晶稳定为单稳态的构造。
图11A到11D是依次表示根据本发明另一示例性实施例的面内切换模式液晶显示器件的制造方法的剖面图。
图12是示意性地表示在图11C和11D的相变处理中将铁电液晶稳定为单稳态的构造。
图13是表示根据本发明示例性实施例的面内切换模式液晶显示器件的剖面图。
图14是表示图13中所示的铁电液晶和向列系液晶的面内切换模式的运动的构造。
图15和16是表示根据本发明另一实施例的面内切换模式液晶显示器件的剖面图。
具体实施方式
现将详细说明本发明的优选实施例，其示例在附图中示出。下文中，将参照图9到16详细说明本发明的优选实施例。
图9A到9D是依次表示根据本发明示例性实施例的面内切换模式液晶显示器件的制造方法的剖面图。首先，如图9A所示，在玻璃基板31上形成电极32和极化配向膜33。电极32由诸如铟锡氧化物(ITO)的透明导电材料形成。由于极化配向膜33具有诸如聚酰氨酸的电负性，所以极化配向膜33在电学上表现出极性，并由能够对液晶材料进行配向的有机配向材料形成。对极化配向膜33进行研磨，以确定铁电液晶分子的配向方向。
随后，在将玻璃基板31暴露在几乎不表现出电极性的双疏介质中的状态下，将均匀混合有铁电液晶和有机溶剂的混合物施加到玻璃基板31上，然后，将玻璃基板31的温度升高到大约140℃到160℃之间的温度，以使有机溶剂汽化。结果，在玻璃基板31上形成各向同性相的铁电液晶层34。例如，该双疏介质可以选自空气或氮气N2的气体。
为进行从铁电液晶层34到如图9C所示的旋光向列相(N*)的相变，将玻璃基板31的温度降低到110℃到85℃之间的相变温度。此外，为了进行从铁电液晶层34到如图9C中所示的旋光向列相(N*)，以及到如图9D中所示的旋光层列C相(Sm C*)的相变，将玻璃基板31的温度降低到大约85℃到50℃之间的相变温度。此时，如图10中所示，在到旋光层列C相(Sm C*)的相变处理过程中，在铁电液晶层34的液晶分子40中产生自发极化Ps，并且自发极化方向Ps指向极化配向膜33。换句话说，尽管铁电液晶层34的液晶分子40经历了到旋光层列C相(SmC*)的相变，但是自发极化方向Ps均匀地排列为单稳态，而不需要外部电场。另选地，铁电液晶层34的液晶分子40可以经历从各向同性相到旋光层列A相(Sm A*)的相变以及从旋光层列A相(Sm A*)到旋光层列C相(Sm C*)的相变。此外，铁电液晶层34的液晶分子40可以经历从各向同性相到旋光层列C相(Sm C*)的相变。
图11A-11D是依次表示根据本发明另一示例性实施例的面内切换模式液晶显示器件的制造方法的剖面图。
首先，如图11A中所示，在玻璃基板21上形成电极22和极化配向膜23。电极23由诸如铟锡氧化物(ITO)的透明导电材料形成。极化配向膜23由诸如聚酰氨酸的有机配向材料形成，并且对极化配向膜进行研磨，以限定铁电液晶分子的配向方向。
随后，如图11B中所示，将均匀混合有铁电液晶和有机溶剂的混合物施加到玻璃基板21上，该玻璃基板21暴露在与配向膜23相比具有高电负性(即高极性)的双亲介质中(例如暴露在H2O或O2中)，并将玻璃基板21的温度增加到大约140℃到160℃之间的温度，以使有机溶剂汽化。结果，在玻璃基板21上形成各向同性相的铁电液晶层24。
为进行从铁电液晶层24到如图11C中所示的旋光向列相(N*)的相变，将玻璃基板21的温度降低到110℃到85℃之间的相变温度。此外，为了进行从铁电液晶层24到如图11C中所示的旋光向列相(N*)的相变，以及到如图11D中所示的旋光层列C相(Sm C*)的相变，将玻璃基板21的温度降低到大约85℃到50℃之间的相交温度。此时，如图12中所示，在到旋光层列C相(Sm C*)的相变处理过程中，在铁电液晶层24的液晶分子40中产生自发极化Ps，并且自发极化方向Ps指向配向膜23的相对侧上的极化介质。这是因为与配向膜23相比，在配向膜23的相对侧上的极化介质具有较高的电负性。换句话说，尽管铁电液晶层24的液晶分子40经历了到旋光层列C相(Sm C*)的相变，但是自发极化方向Ps均匀地排列为单稳态，而不需要外部电场。
通过如图9A到9D和图11A到11D中的处理而一致地配向为单稳态的铁电液晶层24和34以如图5A或5B所示的半V切换模式进行工作。将结合图13和14对通过采用半V切换模式铁电液晶实现的面内切换模式液晶显示器件及其制造方法进行说明。通过如图9A中9D中所示的方法来制造根据本发明的面内切换模式液晶显示器件的上极板，并且通过如图11A到11D中所示的方法来制造下极板。
图13是表示根据本发明示例性实施例的面内切换模式液晶显示器件的剖面图。参照图13，根据本发明的示例性面内切换模式液晶显示器件包括通过密封剂(未示出)组合的上极板100和下极板110、以及注入在上极板100和下极板110之间的向列型液晶50。在分别形成在上极板100的上玻璃基板21和下极板110的下玻璃基板31中的铁电液晶层24和34形成与向列型液晶的界面。将透光轴彼此垂直交叉的偏振器(未示出)分别附连到下玻璃基板31的光入射表面和上玻璃基板21的光输出表面上。
在根据本发明的液晶显示器件中，向上电极22和下电极32施加电压，以在面内状态下驱动向列型液晶50，由此对光进行调制。此时，当施加极性与在到旋光层列C相(Sm C*)的相变处理过程中已进行了配向的极性不同的电场时，由于自发极化方向Ps发生变化，所以沿面内方向驱动铁电液晶40，并感应与铁电液晶40相邻的向列型液晶分子50，以在面内状态下进行驱动。
面内切换模式液晶显示器件确保了通过向列型液晶50的面内驱动来实现宽视角，以及通过以垂直电场方案向液晶50施加电场而使孔径比的降低最小。此外，由于通过铁电液晶40快速地移动向列型液晶50，所以可以提高向列型液晶50的响应速度。
图15和16是表示根据本发明另一示例性实施例的面内切换模式液晶显示器件的剖面图。参照图15和16，在根据本发明的面内切换模式液晶显示器件中，使形成在上极板110和下极板100上的铁电液晶层60、61；以及70、71中的铁电液晶80和90的自发极化方向Ps彼此不同。
由于上极板100和下极板110上的铁电液晶的自发极化方向彼此相同，所以图13中所示的液晶显示器件只受到根据半V切换模式的多种极性中的任何一种极性的电场的作用，以在面内切换状态下驱动向列型液晶50。
相反，如果使上极板100和下极板110上的铁电液晶的自发极化方向彼此不同，则当施加具有正极性或负极性的电场时，在上玻璃基板21和下玻璃基板31中的任何一个上形成的铁电液晶80或90在面内切换状态下驱动向列型液晶，同时，在另一基板21或31上形成的铁电液晶80或90不受电场的作用，并保持原有的初始排列状态。此时，由于仅通过存在于一侧的铁电液晶来面内切换向列型液晶50，所以向列型液晶50变为沿垂直方向扭曲的结构。结果，图15和16中的面内切换模式液晶显示器件受到具有正极性和负极性的电场的作用，由此能够在向列型液晶50的面内切换状态下显示图像。
在图15和16中的液晶显示器件中，通过图9A到9D和图11A到11D中所示的方法，可以沿所需的方向设置铁电液晶的自发极化方向。如上所述，在将铁电液晶31暴露在具有电极性的介质中的同时，将铁电液晶从各项同性相转变为层列相。因此，可以均匀设置液晶材料的自发极化，而不需要外部电场，并且可以通过采用铁电液晶的面内驱动来实现宽视角。
对于本领域的普通技术人员来说，显然可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下，对面内切换模式液晶显示器件及其制造方法进行各种修改和变化。因此，本发明旨在涵盖落入附加权利要求及其等同物的范围内的各种修改和变化。
本申请要求于2003年12月29日在韩国提交的韩国专利申请No.P2003-99337的优先权，在此通过引用将其并入。

Claims (24)

1、一种面内切换模式液晶显示器件，其包括：
第一基板；
第二基板；
在所述第一基板和第二基板之间，基本上设置在所述第一基板和第二基板的各个表面上的多个铁电液晶层，将所述铁电液晶层设置为暴露在双疏介质和双亲介质之一中；
在所述第一基板的所述铁电液晶层和所述第二基板的所述铁电液晶层之间的向列液晶层；以及
设置在所述第一基板和第二基板中的任何一个的表面上，以向所述铁电液晶层和所述向列液晶层垂直地施加电场的多个电极，其中
所述第一基板和第二基板中的每一个的表面包括配向膜。
2、根据权利要求1的面内切换模式液晶显示器件，其中所述铁电液晶层包括从各向同性相到旋光层列C相的相变。
3、根据权利要求2的面内切换模式液晶显示器件，其中所述相变包括所述各向同性相到所述旋光层列C相之间的旋光层列A相。
4、根据权利要求2的面内切换模式液晶显示器件，其中所述相变包括所述各向同性相到所述旋光层列C相之间的旋光向列相。
5、根据权利要求1的面内切换模式液晶显示器件，其中所述配向膜包括双疏介质和双亲介质之一。
6、根据权利要求1的面内切换模式液晶显示器件，其中所述第二基板的所述铁电液晶层的自发极化指向所述配向膜。
7、根据权利要求1的面内切换模式液晶显示器件，其中所述第一基板的所述铁电液晶层的自发极化指向所述配向膜的相对侧。
8、根据权利要求1的面内切换模式液晶显示器件，其中所述第一基板的所述铁电液晶层的自发极化方向与所述第二基板的所述铁电液晶层的自发极化方向不同。
9、根据权利要求1的面内切换模式液晶显示器件，其中所述第一基板的所述铁电液晶层的自发极化方向与所述第二基板的所述铁电液晶层的自发极化方向相同。
10、根据权利要求1的面内切换模式液晶显示器件，其中在所述第一基板和第二基板上以单稳态设置所述铁电液晶层。
11、一种制造面内切换模式液晶显示器件的方法，其包括：
在第一基板和第二基板中的每一个上形成电极；
在所述第一基板和第二基板上的各个表面上形成铁电液晶层；
在暴露在双疏介质和双亲介质之一中的状态下进行所述铁电液晶层的相变，以使所述铁电液晶层稳定；以及
在所述第一基板的所述铁电液晶层和所述第二基板的所述铁电液晶层之间形成向列液晶层，其中
所述第一基板和第二基板中的每一个的表面包括配向膜。
12、根据权利要求11的方法，其中所述配向膜包括所述双亲介质。
13、根据权利要求12的方法，其中所述配向膜包括聚酰胺酸和聚酰亚胺之一。
14、根据权利要求11的方法，其中将所述多个铁电液晶层中的至少一个暴露在极性比所述配向膜弱的介质中，以使自发极化指向所述配向膜。
15、根据权利要求14的方法，其中所述介质包括空气和氮气之一。
16、根据权利要求11的方法，其中将所述多个铁电液晶层中的至少一个暴露在极性比所述配向膜强的介质中，以使自发极化指向所述配向膜的相对侧。
17、根据权利要求16的方法，其中所述介质包括氧气和水之一。
18、根据权利要求11的方法，其中在所述第一基板和第二基板上以单稳态设置所述铁电液晶层。
19、根据权利要求11的方法，其中所述多个铁电液晶层包括从各向同性相到旋光层列C相的相变。
20、根据权利要求11的方法，其中所述多个铁电液晶层的所述相变包括从随机相到各向同性相的第一相变、从所述各向同性相到旋光向列相的第二相变以及从所述旋光向列相到旋光层列C相的第三相变。
21、根据权利要求20的方法，其中通过将所述铁电液晶层和有机溶剂的混合物施加到所述第一基板和第二基板上并将所述第一基板和第二基板加热到大约140℃到160℃之间的温度来进行所述第一相变。
22、根据权利要求20的方法，其中通过将所述第一基板和第二基板冷却到大约110℃到85℃之间的温度来进行所述第二相变。
23、根据权利要求20的方法，其中通过将所述第一基板和第二基板冷却到大约80℃到50℃之间的温度来进行所述第三相变。
24、根据权利要求11的方法，其中所述多个铁电液晶层的所述相变包括从各向同性相到旋光层列A相的第一相变以及从所述旋光层列A相到旋光层列C相的第二相变。
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