CN100345303C - 影像感测器微透镜组、影像感测器及其制造方法 - Google Patents
影像感测器微透镜组、影像感测器及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN100345303C CN100345303C CNB021274541A CN02127454A CN100345303C CN 100345303 C CN100345303 C CN 100345303C CN B021274541 A CNB021274541 A CN B021274541A CN 02127454 A CN02127454 A CN 02127454A CN 100345303 C CN100345303 C CN 100345303C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- dielectric layer
- lens
- colored filter
- image sensor
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 132
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 20
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 14
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 13
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 9
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 abstract description 6
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 abstract description 4
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 abstract description 4
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 abstract 1
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000012940 design transfer Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- KNVAYBMMCPLDOZ-UHFFFAOYSA-N propan-2-yl 12-hydroxyoctadecanoate Chemical compound CCCCCCC(O)CCCCCCCCCCC(=O)OC(C)C KNVAYBMMCPLDOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
一种影像感测器微透镜组、影像感测器及其制造方法。为提供一种提高影像解析度、成像感光效率高、确保光电二极管区域光敏感度的影像感测器组件、影像感测器及其制造方法,提出本发明,微透镜组包括彩色滤光片、微凸透镜、第一介电层、微凹透镜及设置于微凸透镜与彩色滤光片之间且与微凸透镜及彩色滤光片接触的第三介电层;影像感测器包括基底、形成于基底上的内连线结构、设置于内连线结构上的微透镜组及设置于内连线结构下并形成于基底内的光电二极管;制造方法包括提供形成光电二极管的基底、多层内连线结构、保护层、具有开口的光阻图案层、蚀刻保护层形成微凹透镜、移除罩幕层后依序形成第一介电层、彩色滤光片及微凸透镜。
Description
技术领域
本发明属于影像感测器组件、影像感测器及其制造方法,特别是一种影像感测器微透镜组、影像感测器及其制造方法。
背景技术
影像感测器分为CCD(Charge Coupled Device;电荷耦合元件)与CMOS(互补金属氧化半导体)影像感测器两种。一般而言,影像感测器的元件大致包括光电二极管(photodiode)、彩色滤光片(color filer)和微透镜(microlens)。
光电二极管系设置在半导体矽基底内,作为感测区(sensor area),以感沿不同色彩的光。
彩色滤光片设置于光电二极管上方。当入射光通彩色滤光片后,会被过滤分成红(R)、绿(G)及蓝(B)三种原色光。然后再被对应的光极体吸收及感测。
微透镜则放置于彩色滤光片的上面,藉以增加光学灵敏度。
如图1所示,传统固态影像装置的微透镜制造方法包括如下步骤:
首先在半导体矽基体100中形成光电二极管102,而每一个光电二极管102均有其对应的用以读取影像资料的电晶体;
然后,进行内连线结构制程,以形成所需的导线104;
待内连线结构106完成后,覆盖一层保护层108和透明且平坦化的第一氧化层110;
接着于平坦化的第一氧化层110上形成彩色滤光片112;
继续于彩色滤光片112的上方形成另一层透明且平坦的第二氧化层114;
然后在第二氧化层114上覆盖光阻层,藉由显影制程(developing process)将其图案化后,进行热处理,以将图案化的光阻层完全融化,利用其本身的表面张力,以形成微透镜116。
然而,随着目前提高影像解析度的趋势,势必提高像素(pixel)密度,因此必须缩小每一像素的面积。然而,如图2所示,当像素的积集度提高后,必须增加内连线结构106的层数以满足其电路设计的要求,故微透镜116与光电二极管102的距离亦随之增加。若不改变微透镜116的曲率半径,则入射光线会聚焦在光电二极管102的上方,造成成像效率及感光效率差。因此,如图3所示,必须增加微透镜116的聚焦长度,使入射光线经由空气进入微透镜116后,可以聚焦在光电二极管102的区域内。而提高微透镜116聚焦长度的方法为增加微透镜116的曲率半径(即降低曲率)。但是,当微透镜116的曲率降低时,会影响光线的入射量,使得光电二极管102区域的光敏感度(photosensitivity)降低,反而影响影像的解析度。
发明内容
本发明的目的是提供一种提高影像解析度、成像感光效率高、确保光电二极管区域光敏感度的影像感测器微透镜组、影像感测器及其制造方法。
本发明影像感测器微透镜组包括彩色滤光片、设置于彩色滤光片上用以聚集入射光的微凸透镜、设置于彩色滤光片下的第一介电层、设置于第一介电层下微凹透镜及设置于微凸透镜与彩色滤光片之间且与微凸透镜及彩色滤光片接触的第三介电层;第一介电层与彩色滤光片接触的顶表面为平面,其底表面为曲率与微凹透镜曲率相同并接触的凸面。
本发明影像感测器包括基底、形成于基底上的内连线结构、设置于内连线结构上的微透镜组及设置于内连线结构下并形成于基底内的光电二极管;微透镜组包括彩色滤光片、设置于彩色滤光片上用以聚集入射光的微凸透镜、设置于彩色滤光片下的第一介电层、设置于第一介电层下微凹透镜及设置于微凸透镜与彩色滤光片之间且与微凸透镜及彩色滤光片接触的第三介电层;第一介电层与彩色滤光片接触的顶表面为平面,其底表面为曲率与微凹透镜曲率相同并接触的凸面。
本发明影像感测器制造方法包括提供形成光电二极管的基底;于基底上形成多层内连线结构;在多层内连线结构上形成保护层;于保护层上形成定义罩幕层的光阻图案层,于光阻图案层中形成对应于光电二极管的开口;以定义罩幕层的光阻图案层作为蚀刻罩幕对保护层进行等向性蚀刻,以于保护层中形成作为对应于光电二极管具有弧形凹槽微凹透镜;移除罩幕层;于微凹透镜上形成一层具有平坦表面的第一介电层;于第一介电层上形成彩色滤光片,并于彩色滤光片上形成微凸透镜。
其中:
微凸透镜、第三介电层、彩色滤光片及第一介电层的折射率大于空气的折射率,并且小于微凹透镜的折射率。
第一介电层的材质为氧化硅;微凹透镜的材质为氮化硅/氮氧化硅。
微凸透镜、第三介电层、彩色滤光片及第一介电层的折射率大于空气的折射率,并且小于微凹透镜的折射率;第一介电层的材质为氧化硅;微凹透镜的材质为氮化硅/氮氧化硅。
影像感测器制造方法还包括于彩色滤光片表面与微凸透镜之间形成与微凸透镜及彩色滤光片接触的第三介电层。
第一介电层的材质为氧化硅;微凹透镜的材质为氮化硅/氮氧化硅。
由于本发明微透镜组包括彩色滤光片、设置于彩色滤光片上的微凸透镜及依序设置于彩色滤光片下的第一介电层、微凹透镜及设置于微凸透镜与彩色滤光片之间且与微凸透镜及彩色滤光片接触的第三介电层;第一介电层顶、底表面为与彩色滤光片接触的平面及曲率与微凹透镜曲率相同并接触的凸面;影像感测器包括基底、形成于基底上的内连线结构、设置于内连线结构上的微透镜组及设置于内连线结构下并形成于基底内的光电二极管;微透镜组包括彩色滤光片、设置于彩色滤光片上的微凸透镜、依序设置于彩色滤光片下的第一介电层、微凹透镜及设置于微凸透镜与彩色滤光片之间且与微凸透镜及彩色滤光片接触的第三介电层;第一介电层顶、底表面为与彩色滤光片接触的平面及曲率与微凹透镜曲率相同并接触的凸面;制造方法包括提供形成光电二极管的基底;形成多层内连线结构;形成保护层;形成具有开口的光阻图案层;对保护层进行等向性蚀刻,以形成微凹透镜;移除罩幕层;于微凹透镜上形成第一介电层;于第一介电层上形成彩色滤光片,并于彩色滤光片上形成微凸透镜。于微凸透镜下方增加微凹透镜构成的微透镜组,使入射光线经此微透镜组后成平行光,因此,不论作为感光区的光电二极管与微透镜组之间的距离为何,均不会发生成像困难的问题;制造方法系于传统内连线结构的最上层形成介电层后,增加形成为罩幕层的保护层、湿蚀刻及移除罩幕层等步骤后,再继续进行传统的制程;且在形成微凹透镜的过程中所使用的光罩系与形成作为感光区的光电二极管光罩相同,因此,其微透镜组的制程并不需增加额外的光罩因此制程相当简单,极容易与目前的制程相容;影像感测器并未改变微凸透镜的曲率半径,故可使入射光线的进光量能维持在较佳状态。不仅提高影像解析度,而且成像感光效率高、确保光电二极管区域光敏感度,从而达到本发明的目的。
附图说明
图1、为传统的固态影像装置结构示意剖视图。
图2、为传统的固态影像装置结构示意剖视图(内连线结构层数增加、微透镜曲率半径不变时)。
图3、为传统的固态影像装置结构示意剖视图(内连线结构层数增加、微透镜曲率半径增加时)。
图4、为本发明影像感测器制造方法步骤一示意图。
图5、为本发明影像感测器制造方法步骤二示意图。
图6、为本发明影像感测器制造方法步骤三示意图。
图7、为本发明影像感测器制造方法步骤四示意图。
具体实施方式
本发明影像感测器微透镜组可适用于任何影像感测器,例如CCD或CMOS影像感测器。
如图7所示,本发明影像感测器微透镜组包括彩色滤光片424、设置于彩色滤光片424上用以聚集入射光的微凸透镜428、设置于彩色滤光片424下的微凹透镜418、设置于微凸透镜428与彩色滤光片424之间的第三介电层426及设置于微凹透镜418与彩色滤光片424之间的第一介电层420。
微凹透镜418系为设有弧形凹槽416的介电层408a。微凹透镜418的材质可为氮化硅(SiN)或氮氧化硅(SiON)。
第一介电层420与彩色滤光片424接触的顶表面为平面,其底表面为曲率与微凹透镜418曲率相同并接触的凸面。
微凸透镜428、第三介电层426、彩色滤光片424及第一介电层420的折射率大致相同,且大于空气的折射率,并且小于微凹透镜418的折射率。通常微凸透镜428、第三介电层426、彩色滤光片424及第一介电层420的折射率大约介于1.2至1.6之间;微凹透镜418的折射率大约介于1.8至2.2之间。
如图7所示,本发明影像感测器包括基底400、形成于基底上的内连线结构404、设置于内连线结构404上的微透镜组及设置于内连线结构404下并形成于基底400内的光电二极管402。
多层内连线结构404置于具有光电二极管402的基座400上。此多层内连线结构404具有视需要调整的多层,如六层由材质可为氧化硅介电层409作电性隔离的导线407。
微透镜组包括彩色滤光片424、设置于彩色滤光片424上用以聚集入射光的微凸透镜428、设置于彩色滤光片424下的微凹透镜418、设置于微凸透镜428与彩色滤光片424之间的第三介电层426及设置于微凹透镜418与彩色滤光片424之间的第一介电层420。
微凹透镜418系为设有弧形凹槽416的介电层408a。微凹透镜418的材质可为氮化硅(SiN)或氮氧化硅(SiON)。
第一介电层420与彩色滤光片424接触的顶表面为平面,其底表面为曲率与微凹透镜418曲率相同并接触的凸面。
微凸透镜428、第三介电层426、彩色滤光片424及第一介电层420的折射率大致相同,且大于空气的折射率,并且小于微凹透镜418的折射率。通常微凸透镜428、第三介电层426、彩色滤光片424及第一介电层420的折射率大约介于1.2至1.6之间;微凹透镜418的折射率大约介于1.8至2.2之间。
本发明影像感测器制造方法包括如下步骤:
步骤一
如图4所示,首先提供为矽基底的基底400,并于基底400中形成作为感光区的光电二极管402;每一个光电二极管402均有其对应的用以读取感测区所产生的电荷资料的电晶体,以藉由一系列电路设计转换成影像资料;
于光电二极管402电晶体上方覆盖一层透明且平坦化的介电层406;
于基底400上形成多层内连线结构404,此多层内连线结构404具有视需要调整的多层,如六层由材质可为氧化硅介电层409作电性隔离的导线407;
多层内连线结构404上方覆盖一层材质为氮化硅(SiN)或氮氧化硅(SiON)介电层的保护层408;
于保护层408上形成一层为不同材质,如氧化硅(SiO)的介电层410,并于介电层410上形成一层定义罩幕层的光阻图案层412,于光阻图案层412中形成对应于光电二极管402的开口414,并利用与形成感光区相同的光罩,而无须额外制备光罩;
步骤二
如图5所示,以定义罩幕层的光阻图案层412的图案转移至介电层410中,以形成具有开口414的介电层410a,并移除光阻图案层412;
以介电层410a作为蚀刻罩幕对保护层408进行等向性蚀刻,以于保护层408中形成作为对应于光电二极管402具有弧形凹槽416的介电层408a以构成微凹透镜418,并移除介电层410a;微凹透镜418的折射率大约介于1.8至2.2之间;
当为介电层的保护层408的材质为氮化硅(SiN)或氮氧化硅(SiON)时,等向蚀刻所使用的蚀刻液为磷酸;
步骤三
如图6所示,于微凹透镜418上形成一层具有平坦表面422的第一介电层420,而于靠近微凹透镜418的表面则为凸面416;第一介电层420为折射率上于微凹透镜418折射率的材质,如氧化硅(SiO);
步骤四
如图7所示,于第一介电层420上形成彩色滤光片424,并于彩色滤光片424上形成微凸透镜428;彩色滤光片424会形成不平坦表面,因此于彩色滤光片424表面与微凸透镜428之间形成一层材质与微凸透镜428及彩色滤光片424接触为氧化硅(SiO)的透明且平坦化的第三介电层426。
凸透镜428、第三介电层426、彩色滤光片424及第一介电层420的折射率大致相同,且大于空气的折射率,并且小于微凹透镜418的折射率。通常微凸透镜428、第三介电层426、彩色滤光片424及第一介电层420的折射率大约介于1.2至1.6之间。
综上所述,本发明至少具有下列优点:
1、本发明影像感测器藉由于微凸透镜428下方增加微凹透镜418构成的微透镜组,使入射光线经此微透镜组后成平行光,因此,不论作为感光区的光电二极管402与微透镜组之间的距离为何,均不会发生成像困难的问题。
2、本发明影像感测器制造方法系于传统内连线结构404的最上层形成介电层410后,增加形成为罩幕层的保护层、湿蚀刻及移除罩幕层等步骤后,再继续进行传统的制程。因此制程相当简单,极容易与目前的制程相容。
3、由于本发明影像感测器并未改变微凸透镜的曲率半径,故可使入射光线的进光量能维持在较佳状态。
4、本发明影像感测器制造方法在形成微凹透镜的过程中所使用的光罩系与形成作为感光区的光电二极管光罩相同,因此,其微透镜组的制程并不需增加额外的光罩。
即本发明藉包括彩色滤光片及设置于彩色滤光片上、下的微凸透镜、微凹透镜,使光线入射至微凸透镜聚集后,再经由凹透镜聚焦的光线略为发散而成平行光入射至作为感光区的光电二极管,因此,不论内连线结构的层数增加或减少,入射的光线均可以入射至感光区,不仅增加了聚焦长度,而且维持入射光量,不会影响影像的解析度。
Claims (8)
1、一种影像感测器微透镜组,它包括彩色滤光片、设置于彩色滤光片上用以聚集入射光的微凸透镜及设置于彩色滤光片下的第一介电层;第一介电层下设有微凹透镜;第一介电层与彩色滤光片接触的顶表面为平面,其底表面为曲率与微凹透镜曲率相同并接触的凸面;其特征在于所述的微凸透镜与彩色滤光片之间设有与微凸透镜与彩色滤光片接触的第三介电层。
2、根据权利要求1所述的影像感测器微透镜组,其特征在于所述的微凸透镜、第三介电层、彩色滤光片及第一介电层的折射率大于空气的折射率,并且小于微凹透镜的折射率。
3、根据权利要求1所述的影像感测器微透镜组,其特征在于所述的第一介电层的材质为氧化硅;微凹透镜的材质为氮化硅/氮氧化硅。
4、一种影像感测器,它包括基底、形成于基底上的内连线结构、设置于内连线结构上的微透镜组及设置于内连线结构下并形成于基底内的光电二极管;微透镜组包括彩色滤光片、设置于彩色滤光片上用以聚集入射光的微凸透镜及设置于彩色滤光片下的第一介电层;第一介电层下设有微凹透镜;第一介电层与彩色滤光片接触的顶表面为平面,其底表面为曲率与微凹透镜曲率相同并接触的凸面;其特征在于所述的微凸透镜与彩色滤光片之间设有与微凸透镜与彩色滤光片接触的第三介电层。
5、根据权利要求4所述的影像感测器,其特征在于所述的微凸透镜、第三介电层、彩色滤光片及第一介电层的折射率大于空气的折射率,并且小于微凹透镜的折射率;第一介电层的材质为氧化硅;微凹透镜的材质为氮化硅/氮氧化硅。
6、一种影像感测器制造方法,它包括提供形成光电二极管的基底;于基底上形成多层内连线结构;其特征在于它还包括在多层内连线结构上形成保护层;于保护层上形成定义罩幕层的光阻图案层,于光阻图案层中形成对应于光电二极管的开口;
以定义罩幕层的光阻图案层作为蚀刻罩幕对保护层进行等向性蚀刻,以于保护层中形成作为对应于光电二极管具有弧形凹槽微凹透镜;
并移除罩幕层;
于微凹透镜上形成一层具有平坦表面的第一介电层;
于第一介电层上形成彩色滤光片,并于彩色滤光片上形成微凸透镜。
7、根据权利要求6所述的影像感测器制造方法,其特征在于它还包括于彩色滤光片表面与微凸透镜之间形成与微凸透镜及彩色滤光片接触的第三介电层。
8、根据权利要求6所述的影像感测器制造方法,其特征在于所述的第一介电层的材质为氧化硅;微凹透镜的材质为氮化硅/氮氧化硅。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB021274541A CN100345303C (zh) | 2002-08-01 | 2002-08-01 | 影像感测器微透镜组、影像感测器及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB021274541A CN100345303C (zh) | 2002-08-01 | 2002-08-01 | 影像感测器微透镜组、影像感测器及其制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1472818A CN1472818A (zh) | 2004-02-04 |
CN100345303C true CN100345303C (zh) | 2007-10-24 |
Family
ID=34143539
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB021274541A Expired - Lifetime CN100345303C (zh) | 2002-08-01 | 2002-08-01 | 影像感测器微透镜组、影像感测器及其制造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN100345303C (zh) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7196012B2 (en) * | 2004-04-13 | 2007-03-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Methods for planarization of dielectric layer around metal patterns for optical efficiency enhancement |
US7443005B2 (en) * | 2004-06-10 | 2008-10-28 | Tiawan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Lens structures suitable for use in image sensors and method for making the same |
US7253458B2 (en) * | 2004-09-14 | 2007-08-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | CMOS image sensor |
US7078779B2 (en) * | 2004-10-15 | 2006-07-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Enhanced color image sensor device and method of making the same |
US7704778B2 (en) | 2005-02-23 | 2010-04-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Microlens structure for image sensors |
CN102024829B (zh) * | 2009-09-17 | 2014-03-26 | 联华电子股份有限公司 | 影像传感器结构及其制法 |
CN102522415A (zh) * | 2011-12-22 | 2012-06-27 | 上海宏力半导体制造有限公司 | Cmos图像传感器及其制作方法 |
JP6650075B2 (ja) * | 2018-02-01 | 2020-02-19 | 株式会社京都セミコンダクター | 半導体受光素子 |
CN114664876B (zh) * | 2022-05-25 | 2022-08-23 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 一种图像传感器及其制作方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0627637A1 (en) * | 1990-02-05 | 1994-12-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of forming microlenses |
US5595930A (en) * | 1995-06-22 | 1997-01-21 | Lg Semicon Co., Ltd. | Method of manufacturing CCD image sensor by use of recesses |
US6274917B1 (en) * | 1999-10-12 | 2001-08-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | High efficiency color filter process for semiconductor array imaging devices |
-
2002
- 2002-08-01 CN CNB021274541A patent/CN100345303C/zh not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0627637A1 (en) * | 1990-02-05 | 1994-12-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of forming microlenses |
US5595930A (en) * | 1995-06-22 | 1997-01-21 | Lg Semicon Co., Ltd. | Method of manufacturing CCD image sensor by use of recesses |
US6274917B1 (en) * | 1999-10-12 | 2001-08-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | High efficiency color filter process for semiconductor array imaging devices |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1472818A (zh) | 2004-02-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1271722C (zh) | 一种半导体器件及其制造方法 | |
CN1992212A (zh) | 制造cmos图像传感器的方法 | |
CN1873995A (zh) | Cmos图像传感器及其制造方法 | |
CN1838419B (zh) | 固态成像器件 | |
CN1893098A (zh) | Cmos图像传感器及其制造方法 | |
CN1819220A (zh) | Cmos图像传感器及其制造方法 | |
EP2595189A1 (en) | Solid-state imaging element, process for producing solid-state imaging element, and electronic device | |
US20060187381A1 (en) | Solid State imaging device and method for producing the same | |
CN1941396A (zh) | Cmos图像传感器及其制造方法 | |
CN1747178A (zh) | 互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法 | |
CN1753186A (zh) | 固体摄像装置、其制造方法和摄像机 | |
CN1794462A (zh) | Cmos图像传感器及其制造方法 | |
CN1694259A (zh) | 具有棱镜的cmos图像传感器及其制造方法 | |
CN1574377A (zh) | 固态成像器件及其制造方法 | |
CN1862823A (zh) | 具有嵌入式透镜的图像传感器 | |
CN1815266A (zh) | 制造微透镜、微透镜阵列和图像传感器的方法 | |
CN1773714A (zh) | Cmos图像传感器及其制造方法 | |
CN1822381A (zh) | Cmos图像传感器及其制造方法 | |
CN1773713A (zh) | Cmos图像传感器及其制造方法 | |
KR100832710B1 (ko) | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 | |
CN100345303C (zh) | 影像感测器微透镜组、影像感测器及其制造方法 | |
CN1992299A (zh) | 图像传感器及其制造方法 | |
JP2004047682A (ja) | 固体撮像装置 | |
CN1921132A (zh) | Cmos图像传感器及其制造方法 | |
CN1992310A (zh) | Cmos图像传感器及其制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CX01 | Expiry of patent term | ||
CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20071024 |