CH706035A2 - Method and measuring system for the thermal calibration of an electronic circuit. - Google Patents
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Abstract
Le procédé de mesure permet de calibrer thermiquement un circuit électronique intégré (1). Pour ce faire, le circuit intégré comprend une résistance de chauffage intégrée (2), au moins une jonction bipolaire (3) en tant que capteur de température et un ensemble électronique (4) à calibrer du circuit intégré. Selon le procédé de mesure, une première température est établie dans le circuit intégré par la résistance de chauffage traversée par un premier courant, et mesurée par la jonction bipolaire traversée par un courant continu (Im) d’une source de courant externe (12). Des paramètres électroniques de l’ensemble électronique sont mesurés à la première température stable et mémorisés dans une mémoire. Par la suite, une seconde température supérieure à la première température est établie dans le circuit intégré par la résistance de chauffage (2) traversée par un second courant, et mesurée par la jonction bipolaire (3) traversée par le courant continu (Im). Les paramètres électroniques sont mesurés à la seconde température stable et mémorisés dans la mémoire. Une variation en température des paramètres est déterminée sur la base des paramètres mémorisés afin de calibrer ces paramètres en fonction de paramètres de référence.The measurement method thermally calibrates an integrated electronic circuit (1). To do this, the integrated circuit comprises an integrated heating resistor (2), at least one bipolar junction (3) as a temperature sensor and an electronic assembly (4) to calibrate the integrated circuit. According to the measuring method, a first temperature is set in the integrated circuit by the heating resistor crossed by a first current, and measured by the bipolar junction through which a direct current (Im) of an external current source (12) passes. . Electronic parameters of the electronic assembly are measured at the first stable temperature and stored in a memory. Thereafter, a second temperature higher than the first temperature is established in the integrated circuit by the heating resistor (2) traversed by a second current, and measured by the bipolar junction (3) traversed by the direct current (Im). The electronic parameters are measured at the second stable temperature and stored in the memory. A temperature variation of the parameters is determined on the basis of the stored parameters in order to calibrate these parameters according to reference parameters.
Description
[0001] L’invention concerne un procédé de mesure pour la calibration thermique d’un circuit électronique intégré. Le circuit électronique intégré comprend au moins un élément de chauffage disposé dans ou sur un substrat semi-conducteur du circuit intégré, au moins un capteur de température disposé dans ou sur le substrat semi-conducteur du circuit intégré, et un ensemble électronique à calibrer du circuit intégré. The invention relates to a measurement method for the thermal calibration of an integrated electronic circuit. The integrated electronic circuit comprises at least one heating element disposed in or on a semiconductor substrate of the integrated circuit, at least one temperature sensor disposed in or on the semiconductor substrate of the integrated circuit, and an electronic assembly for calibrating the integrated circuit.
[0002] L’invention concerne également un système de mesure pour la mise en œuvre du procédé de mesure pour la calibration thermique d’un circuit électronique. The invention also relates to a measurement system for implementing the measurement method for the thermal calibration of an electronic circuit.
[0003] L’invention concerne également un circuit électronique intégré convenant à la mise en œuvre du procédé de mesure pour la calibration thermique dudit circuit électronique. The invention also relates to an integrated electronic circuit suitable for implementing the measurement method for the thermal calibration of said electronic circuit.
[0004] Au terme du procédé de fabrication des circuits électroniques intégrés, il doit être effectué un test électrique de différents paramètres électroniques de chaque circuit intégré. Généralement le test électrique de ces paramètres électroniques est effectué sur chaque plaquette, qui comprend plusieurs circuits intégrés réalisés dans un substrat semi-conducteur. Dans le cas où il doit encore être effectué un test en température d’un circuit intégré sur plaquette ou enfermé dans un boîtier plastique sous forme de module électronique, il est nécessaire de placer un ou plusieurs circuits intégrés dans une enceinte thermique. Cette enceinte thermique est encombrante et le temps pris pour stabiliser la température de mesure du ou des circuits intégrés en phase de test est relativement grand. Le test en température de plusieurs circuits intégrés dans une enceinte thermique est de ce fait long à mettre en œuvre. Cela rend ce test des paramètres électroniques en température relativement coûteux et difficile à réaliser pour permettre de calibrer en température rapidement et précisément chaque circuit intégré, ce qui constitue un inconvénient, At the end of the manufacturing process of the integrated electronic circuits, it must be performed an electrical test of different electronic parameters of each integrated circuit. Generally the electrical test of these electronic parameters is performed on each wafer, which comprises several integrated circuits made in a semiconductor substrate. In the case where it is yet to be carried out a temperature test of an integrated circuit on a wafer or enclosed in a plastic housing in the form of an electronic module, it is necessary to place one or more integrated circuits in a thermal enclosure. This thermal enclosure is bulky and the time taken to stabilize the measurement temperature of the integrated circuit or circuits in test phase is relatively large. The temperature test of several integrated circuits in a thermal chamber is therefore long to implement. This makes this test of the electronic temperature parameters relatively expensive and difficult to achieve to enable temperature calibration quickly and accurately each integrated circuit, which is a drawback,
[0005] Comme différents paramètres électroniques varient généralement de manière non linéaire avec la température, il peut être prévu pour faciliter la mesure précise de la température du circuit intégré en phase de test d’utiliser la méthode de mesure décrite dans le brevet US 5 195 827. Dans ce brevet, il est utilisé, dans le circuit intégré, soit une diode bipolaire, soit de préférence un transistor bipolaire, qui est traversé successivement par des courants continus de valeur différente. Des mesures de la différence de la tension de jonction ou de la tension base-émetteur suite à au moins deux courants traversant la diode ou le transistor sont effectuées. Sur la base d’une ou plusieurs mesures de l’écart de la tension de jonction, il est possible de déterminer exactement la température localement du circuit intégré à proximité de la diode ou du transistor de mesure. Plus de deux courants pour traverser successivement par exemple le transistor bipolaire peuvent aussi être prévus notamment pour pouvoir éliminer les effets des résistances parasites liées au transistor de mesure. As various electronic parameters generally vary nonlinearly with temperature, it may be provided to facilitate accurate measurement of the integrated circuit temperature in test phase using the measurement method described in US Patent 5,195 827. In this patent, it is used, in the integrated circuit, either a bipolar diode, or preferably a bipolar transistor, which is crossed successively by DC currents of different value. Measurements of the difference of the junction voltage or of the base-emitter voltage as a result of at least two currents passing through the diode or the transistor are carried out. Based on one or more measurements of the junction voltage difference, it is possible to accurately determine the temperature locally of the integrated circuit in the vicinity of the measurement diode or transistor. More than two currents for successively crossing for example the bipolar transistor can also be provided in particular to be able to eliminate the effects of parasitic resistors related to the measurement transistor.
[0006] Cependant rien n’est décrit concernant l’utilisation d’une telle mesure précise de la température du circuit intégré en phase de test à plusieurs niveaux de température. Le circuit intégré décrit n’est également pas adapté pour pouvoir effectuer une calibration rapide de certains paramètres électroniques du circuit intégré électronique par un test en température, ce qui peut constituer un inconvénient d’une telle solution. Il doit encore être utilisé un ampèremètre pour mesurer précisément la valeur de chaque source de courant connectée successivement au transistor bipolaire de mesure ou à la diode bipolaire pour pouvoir déterminer la température, ce qui complique la mesure de température. However, nothing is described concerning the use of such an accurate measurement of the temperature of the integrated circuit in test phase at several temperature levels. The integrated circuit described is also not adapted to perform a quick calibration of certain electronic parameters of the electronic integrated circuit by a temperature test, which may be a drawback of such a solution. It must still be used an ammeter to accurately measure the value of each current source connected successively to the bipolar measurement transistor or to the bipolar diode to determine the temperature, which complicates the temperature measurement.
[0007] Dans le brevet US 4 284 872, il est décrit un appareil pour compenser l’écart thermique d’un circuit sensible à la température dans un circuit intégré. Pour ce faire, il est prévu d’insérer directement dans le circuit intégré un élément de chauffage local. Cet élément de chauffage local est de préférence constitué par une résistance diffusée ou implantée, qui entoure le circuit sensible à la température. La température du circuit intégré peut ainsi être augmentée rapidement par ladite résistance de chauffage traversée par un courant adapté. Le circuit intégré comprend également une résistance de compensation à film fin dans le circuit sensible à la température. Cette résistance de compensation à film fin affecte ou détermine le degré de sensibilité en température du circuit sensible à la température. Quand la température du circuit sensible à la température augmente, l’appareil de test est utilisé pour mesurer un paramètre sensible à la température du circuit sensible à la température. Des signaux de commande sont produits en réponse au test pour compenser de manière adéquate l’écart thermique du circuit sensible à la température. Les signaux de commande sont utilisés pour commander les opérations d’un laser, qui trime précisément la résistance de compensation à film fin par la quantité désirée. In US Pat. No. 4,284,872 there is disclosed an apparatus for compensating for the temperature difference of a temperature sensitive circuit in an integrated circuit. To do this, it is intended to insert directly in the integrated circuit a local heating element. This local heating element is preferably a diffused or implanted resistor surrounding the temperature sensitive circuit. The temperature of the integrated circuit can thus be increased rapidly by said heating resistor crossed by a suitable current. The integrated circuit also includes a thin film compensation resistor in the temperature sensitive circuit. This thin film compensation resistor affects or determines the degree of temperature sensitivity of the temperature sensitive circuit. As the temperature of the temperature sensitive circuit increases, the test apparatus is used to measure a temperature sensitive parameter of the temperature sensitive circuit. Control signals are generated in response to the test to adequately compensate for the temperature difference of the temperature sensitive circuit. The control signals are used to control the operations of a laser, which precisely trims the thin-film compensation resistor by the desired amount.
[0008] Cependant rien n’est prévu dans ce brevet US 4 284 872 concernant un test pour pouvoir calibrer en température différents paramètres électriques suite à une mesure à plusieurs niveaux de température du circuit intégré, ce qui constitue un inconvénient. Il n’est également pas spécifié précisément une manière de mesurer précisément la température localement dans le circuit intégré pour pouvoir effectuer un calibrage en température du circuit intégré, ce qui constitue un autre inconvénient. However, nothing is provided in this patent US 4,284,872 relating to a test to be able to calibrate various electrical parameters temperature following a measurement at several levels of temperature of the integrated circuit, which is a drawback. It is also not precisely specified a way to accurately measure the temperature locally in the integrated circuit to be able to perform a temperature calibration of the integrated circuit, which is another drawback.
[0009] L’invention a donc pour but de fournir un procédé de mesure pour la calibration thermique d’un circuit électronique intégré rapide et précise, qui est susceptible de pallier aux inconvénients de l’état de la technique susmentionné. The invention therefore aims to provide a measurement method for the thermal calibration of an integrated electronic circuit fast and accurate, which is likely to overcome the disadvantages of the state of the art mentioned above.
[0010] A cet effet, l’invention concerne un procédé de mesure pour la calibration thermique d’un circuit électronique, qui comprend les caractéristiques mentionnées dans la revendication indépendante 1. For this purpose, the invention relates to a measurement method for the thermal calibration of an electronic circuit, which comprises the characteristics mentioned in the independent claim 1.
[0011] Des étapes particulières du procédé de mesure sont définies dans les revendications dépendantes 2 à 9. Particular steps of the measuring method are defined in the dependent claims 2 to 9.
[0012] Un avantage du procédé de mesure pour la calibration thermique d’un circuit électronique selon l’invention, réside dans le fait qu’il permet d’effectuer des mesures de différents paramètres électroniques à différentes températures stables très rapidement sans avoir besoin d’utiliser une enceinte thermique. L’élément de chauffage intégré dans le circuit électronique permet d’augmenter généralement la température localement du circuit électronique rapidement pour permettre, une fois la température stabilisée, d’effectuer des mesures de différents paramètres électroniques. Un capteur de température sous la forme d’une jonction bipolaire permet de déterminer la température localement et à proximité d’une partie électronique à calibrer du circuit électronique. Plusieurs mesures à des températures différentes stables, peuvent ainsi être effectuées et mémorisées. Sur la base des résultats des mesures effectuées, cela permet de calibrer un ou plusieurs paramètres électroniques, tels qu’une fréquence d’un oscillateur, qui varie avec la température. Cela permet également de pouvoir calibrer la fréquence exacte d’un oscillateur du type LC pour réaliser une base de temps précise d’une montre. An advantage of the measuring method for the thermal calibration of an electronic circuit according to the invention resides in the fact that it makes it possible to measure various electronic parameters at different stable temperatures very rapidly without the need to use a thermal enclosure. The integrated heating element in the electronic circuit makes it possible to increase the temperature locally of the electronic circuit rapidly so as to allow, once the temperature has stabilized, to measure various electronic parameters. A temperature sensor in the form of a bipolar junction makes it possible to determine the temperature locally and in the vicinity of an electronic part to be calibrated of the electronic circuit. Several measurements at different stable temperatures can thus be performed and stored. Based on the results of the measurements made, this makes it possible to calibrate one or more electronic parameters, such as a frequency of an oscillator, which varies with the temperature. It also allows you to be able to calibrate the exact frequency of an LC-type oscillator to achieve a precise timebase of a watch.
[0013] Avantageusement, le capteur de température est de préférence une jonction bipolaire, telle qu’une diode bipolaire ou un transistor monté en diode. L’élément de chauffage est de préférence une résistance de manière à pouvoir être traversée par un courant déterminé selon une consigne de mesure fournie, afin de chauffer localement le circuit électronique à une température stable de mesure. Le courant déterminé à fournir à la résistance de chauffage est asservi en fonction d’une mesure d’une tension de jonction de la diode traversée par au moins un courant constant, qui peut être comparée à la tension de consigne pour avoir la température souhaitée. [0013] Advantageously, the temperature sensor is preferably a bipolar junction, such as a bipolar diode or a diode-mounted transistor. The heating element is preferably a resistor so as to be traversed by a current determined according to a measurement setpoint provided, in order to locally heat the electronic circuit to a stable measurement temperature. The determined current to be supplied to the heating resistor is slaved according to a measurement of a junction voltage of the diode traversed by at least one constant current, which can be compared to the setpoint voltage to obtain the desired temperature.
[0014] A cet effet, l’invention concerne également un système pour fa mise en œuvre du procédé de mesure pour la calibration thermique d’un circuit électronique, qui comprend les caractéristiques définies dans la revendication indépendante 10. For this purpose, the invention also relates to a system for implementing the measurement method for the thermal calibration of an electronic circuit, which comprises the characteristics defined in the independent claim 10.
[0015] Des formes particulières d’exécution du système sont définies dans les revendications dépendantes 11 à 15. Particular embodiments of the system are defined in the dependent claims 11 to 15.
[0016] A cet effet, l’invention concerne également un circuit électronique intégré dans un substrat semi-conducteur, qui est prévu pour la mise en œuvre du procédé de mesure, et qui comprend les caractéristiques définies dans la revendication indépendante 16. For this purpose, the invention also relates to an electronic circuit integrated in a semiconductor substrate, which is provided for the implementation of the measurement method, and which comprises the characteristics defined in the independent claim 16.
[0017] Des formes particulières d’exécution du circuit électronique sont définies dans les revendications dépendantes 17 et 18. Particular embodiments of the electronic circuit are defined in the dependent claims 17 and 18.
[0018] Les buts, avantages et caractéristiques du procédé et du système de mesure pour la calibration thermique d’un circuit électronique intégré, apparaîtront mieux dans la description suivante sur la base de formes d’exécution non limitatives illustrées par les dessins sur lesquels: <tb>la fig. 1<sep>représente de manière simplifiée une première forme d’exécution d’un système de mesure pour la calibration thermique de différents paramètres électroniques d’un circuit électronique intégré selon l’invention, <tb>la fig. 2<sep>représente de manière simplifiée une seconde forme d’exécution d’un système de mesure pour la calibration thermique de différents paramètres électroniques d’un circuit électronique intégré selon l’invention, et <tb>la fig. 3<sep>représente un graphique de la tension de jonction d’une diode bipolaire traversée par un courant constant dans le temps et à différents niveaux de température du procédé de mesure selon l’invention.The aims, advantages and characteristics of the method and the measurement system for the thermal calibration of an integrated electronic circuit, will appear better in the following description on the basis of non-limiting embodiments illustrated by the drawings in which: <tb> fig. 1 <sep> represents in a simplified manner a first embodiment of a measurement system for the thermal calibration of various electronic parameters of an integrated electronic circuit according to the invention, <tb> fig. 2 <sep> is a simplified embodiment of a second embodiment of a measurement system for the thermal calibration of various electronic parameters of an integrated electronic circuit according to the invention, and <tb> fig. 3 <sep> represents a graph of the junction voltage of a bipolar diode crossed by a constant current in time and at different temperature levels of the measuring method according to the invention.
[0019] Dans la description suivante, tous les composants électroniques du système de mesure et du circuit électronique intégré pour le système de mesure, qui sont bien connus d’un homme du métier dans ce domaine technique, ne sont décrits que de manière simplifiée. Le circuit électronique intégré peut être testé soit sur une plaquette au terme du procédé de fabrication, soit une fois enfermé dans un boîtier plastique en tant que module électronique. In the following description, all the electronic components of the measurement system and the integrated electronic circuit for the measuring system, which are well known to a person skilled in this technical field, are only described in a simplified manner. The integrated electronic circuit can be tested either on a wafer at the end of the manufacturing process, or once enclosed in a plastic housing as an electronic module.
[0020] La fig. 1 représente de manière simplifiée une première forme d’exécution du système de mesure avec le circuit électronique 1. Ce circuit électronique est intégré dans un substrat semi-conducteur traditionnel, tel qu’un substrat en silicium ou en arséniure de gallium ou en germanium, selon un procédé de fabrication en technologie CMOS. FIG. 1 is a simplified representation of a first embodiment of the measurement system with the electronic circuit 1. This electronic circuit is integrated in a conventional semiconductor substrate, such as a substrate made of silicon or gallium arsenide or germanium, according to a manufacturing method in CMOS technology.
[0021] Le circuit électronique 1 comprend un élément de chauffage 2, qui est de préférence constitué d’une résistance diffusée ou implantée ou d’une résistance en poly-silicium, si le substrat semi-conducteur utilisé est un substrat en silicium. Cet élément de chauffage 2 sous forme de résistance entoure un ensemble électronique 4 du circuit intégré, dont des paramètres électroniques sont susceptibles de varier avec la température. Le circuit électronique 1 comprend encore au moins un capteur de température 3, 3 ́, qui est constitué par une jonction bipolaire, telle qu’une diode bipolaire ou un transistor bipolaire NPN ou PNP monté en diode. The electronic circuit 1 comprises a heating element 2, which preferably consists of a diffused or implanted resistor or a polysilicon resistor, if the semiconductor substrate used is a silicon substrate. This heating element 2 in the form of resistance surrounds an electronic assembly 4 of the integrated circuit, electronic parameters of which may vary with temperature. The electronic circuit 1 further comprises at least one temperature sensor 3, 3, which is constituted by a bipolar junction, such as a bipolar diode or a bipolar transistor NPN or PNP mounted diode.
[0022] Dans cette première forme d’exécution, le circuit électronique 1 comprend deux jonctions bipolaires 3 et 3» pour la mesure de température et l’adaptation du courant à travers l’élément de chauffage 2. Ces jonctions bipolaires 3, 3 ́ peuvent faire partie de l’ensemble électronique 4, dont certains paramètres électroniques doivent être calibrés en température comme expliqué ci-après. Plusieurs autres capteurs de température peuvent aussi être prévus dans le circuit intégré 1 à différents emplacements du circuit intégré. In this first embodiment, the electronic circuit 1 comprises two bipolar junctions 3 and 3 "for the measurement of temperature and the adaptation of the current through the heating element 2. These bipolar junctions 3, 3 may be part of the electronic assembly 4, some electronic parameters must be calibrated temperature as explained below. Several other temperature sensors may also be provided in the integrated circuit 1 at different locations of the integrated circuit.
[0023] L’ensemble électronique 4 peut comprendre un oscillateur, dont la fréquence change en fonction de la température. Cet oscillateur peut également servir de capteur de température, qu’il faut calibrer. L’oscillateur peut aussi être un oscillateur du type LC, qu’il faut calibrer selon le procédé de mesure de la présente invention pour connaître la fréquence exacte en fonction de la température. Cet oscillateur LC peut être utilisé pour réaliser une base de temps précise pour une montre. The electronic assembly 4 may include an oscillator whose frequency changes as a function of temperature. This oscillator can also serve as a temperature sensor, which must be calibrated. The oscillator may also be an LC-type oscillator, which must be calibrated according to the measurement method of the present invention to determine the exact frequency as a function of the temperature. This LC oscillator can be used to make a precise timebase for a watch.
[0024] Plusieurs plages métalliques de contact 5 sont également prévues sur le circuit électronique 1 de manière à relier la résistance de chauffage 2, les jonctions bipolaires 3, 3 ́ et différentes parties électroniques de l’ensemble électronique 4. Ces plages de contact 5 permettent d’une part d’opérer un test électrique dans un appareil de test des fonctionnalités du circuit électronique 1, et d’autre part de relier vers l’extérieur les différents composants électroniques du circuit électronique 1. Après la phase de calibration en température de l’ensemble électronique 4, il peut être prévu de déconnecter la ou les jonctions bipolaires 3, 3 ́. Ceci permet de pouvoir utiliser les plages de contact 5 reliant précédemment les jonctions pour d’autres éléments électroniques du circuit électronique, afin de réduire la taille du circuit intégré électronique. Several metal contact pads 5 are also provided on the electronic circuit 1 so as to connect the heating resistor 2, the bipolar junctions 3, 3 and different electronic parts of the electronic assembly 4. These contact pads 5 allow on the one hand to perform an electrical test in a test device of the functionalities of the electronic circuit 1, and on the other hand to connect to the outside the various electronic components of the electronic circuit 1. After the temperature calibration phase of the electronic assembly 4, it may be provided to disconnect the bipolar junction (s) 3, 3. This makes it possible to use the contact pads 5 previously connecting the junctions for other electronic elements of the electronic circuit, in order to reduce the size of the electronic integrated circuit.
[0025] Généralement au terme du procédé de fabrication, chaque plaquette de circuits intégrés est disposée dans l’appareil de test pour effectuer tous les tests de fonctionnalités du circuit électronique dans des limites spécifiées à une température bien définie. Un test individuel des fonctionnalités de chaque circuit électronique peut également être effectué une fois que la plaquette est sciée et chaque circuit électronique enfermé dans un boîtier plastique sous forme de module électronique. Ce test du circuit électronique encapsulé peut être nécessaire pour tenir compte de toute contrainte mécanique suite à l’encapsulation. Pour pouvoir calibrer certains paramètres électroniques notamment de l’ensemble électronique 4 de chaque circuit électronique, il doit encore être effectué un test à différentes températures stables comme expliqué ci-après. Generally at the end of the manufacturing process, each integrated circuit board is disposed in the test apparatus to perform all functional tests of the electronic circuit within specified limits at a defined temperature. An individual test of the functionality of each electronic circuit can also be performed once the wafer is sawn and each electronic circuit enclosed in a plastic housing in the form of an electronic module. This encapsulated electronic circuit test may be necessary to take account of any mechanical stress following encapsulation. In order to be able to calibrate certain electronic parameters, in particular of the electronic assembly 4 of each electronic circuit, it is still necessary to carry out a test at various stable temperatures as explained below.
[0026] Le système de mesure avec le circuit électronique 1 comprend encore au moins une source de courant externe d’adaptation 12. Cette source de courant d’adaptation 12 est par exemple reliée entre une borne de potentiel haut Vdd d’une source de tension d’alimentation non représentée, et une borne de la première jonction bipolaire 3 par l’intermédiaire d’une plage de contact 5. L’autre borne de la jonction bipolaire 3 est reliée à une autre plage de contact 5, afin d’être reliée par exemple à une borne de potentiel bas de la source de tension d’alimentation. Ainsi la source de courant d’adaptation 12 fournit un courant continu bien déterminé Im à la première jonction bipolaire 3, afin de pouvoir mesurer par l’intermédiaire des plages de contact 5 reliées à la première jonction bipolaire, une tension de jonction VBE. Dans cette version analogique du système de mesure, cette tension de jonction de la première jonction 3, qui varie généralement de -2 mV/°K, est utilisée pour réguler le courant fourni à travers l’élément de chauffage, c’est-à-dire à travers la résistance de chauffage 2. Il n’est par contre pas possible d’effectuer une mesure précise de température uniquement par une seule mesure de la tension de jonction VBE. The measurement system with the electronic circuit 1 also comprises at least one external current supply source 12. This adaptation current source 12 is for example connected between a high potential terminal Vdd of a source of power. supply voltage not shown, and a terminal of the first bipolar junction 3 via a contact pad 5. The other terminal of the bipolar junction 3 is connected to another contact pad 5, in order to be connected for example to a low potential terminal of the supply voltage source. Thus, the source of the matching current 12 supplies a well-defined direct current Im at the first bipolar junction 3, in order to be able to measure, via the contact pads 5 connected to the first bipolar junction, a junction voltage VBE. In this analog version of the measuring system, this junction voltage of the first junction 3, which generally varies by -2 mV / ° K, is used to regulate the current supplied through the heating element, that is to say say, through the heating resistor 2. However, it is not possible to make an accurate temperature measurement by only one measurement of the VBE junction voltage.
[0027] Dans cette première forme d’exécution du système de mesure, il est encore prévu une seconde jonction bipolaire 3 ́ pour la mesure de température. Cette seconde jonction 3 ́ est reliée par une de ses bornes à une plage de contact 5 différente de celle de la première jonction 3. Par cette plage de contact 5, la seconde jonction 3 ́ peut recevoir successivement deux courants l1, l2, et de préférence trois courants l1, l2, l3 provenant d’une première source de courant 14, d’une seconde source de courant 15 et d’une troisième source de courant 16. Ces trois sources de courant sont par exemple reliées à une borne de potentiel haut VDD de la source de tension d’alimentation non représentée. Un élément de commutation 13 est encore prévu entre les première, seconde et troisième sources de courant 14, 15,16 et la plage de contact 5 reliée à une des bornes de la seconde jonction 3 ́. L’autre borne de la seconde jonction 3 ́ est reliée par l’intermédiaire d’une plage de contact 5 à la borne de potentiel bas de la source de tension d’alimentation, tout comme pour la première jonction bipolaire 3. In this first embodiment of the measuring system, there is still provided a second bipolar junction 3 for the temperature measurement. This second junction 3 is connected by one of its terminals to a contact area 5 different from that of the first junction 3. By this contact area 5, the second junction 3 can successively receive two currents I1, I2, and preferably three currents I1, I2, I3 coming from a first current source 14, a second current source 15 and a third current source 16. These three current sources are for example connected to a potential terminal high VDD of the supply voltage source not shown. A switching element 13 is further provided between the first, second and third current sources 14, 15, 16 and the contact pad 5 connected to one of the terminals of the second junction 3. The other terminal of the second junction 3 is connected via a contact pad 5 to the low potential terminal of the supply voltage source, as for the first bipolar junction 3.
[0028] L’élément de commutation 13, qui peut comprendre des interrupteurs sous forme de transistors MOS, est contrôlé par un signal binaire de commande Bc. Ce signal binaire Bc est fourni par une unité de traitement logique 18 pour fournir successivement le premier courant continu 11, le second courant continu l2 et éventuellement le troisième courant continu 13, qui sont de valeur différente, à la jonction bipolaire 3 ́. La première tension de jonction VBE relative au premier courant l1 est convertie par un convertisseur analogique-numérique ADC 17, afin de fournir une première tension convertie Vm à traiter dans l’unité de traitement logique 18. Il en est de même successivement pour la seconde tension de jonction relative au second courant 12, et éventuellement pour la troisième tension de jonction relative au troisième courant 13. Ces seconde et troisième tensions de jonction sont converties en des seconde et troisième tensions converties Vm par le convertisseur 17 pour être traitées dans l’unité de traitement logique 18. Un ou deux écarts ΔVBE de tension de jonction peuvent être déterminés dans l’unité de traitement logique sur la base des deux ou trois courants successifs fournis à la seconde jonction bipolaire 3 ́. The switching element 13, which may include switches in the form of MOS transistors, is controlled by a binary control signal Bc. This binary signal Bc is provided by a logic processing unit 18 for successively supplying the first direct current 11, the second direct current 12 and possibly the third direct current 13, which are of different value, at the bipolar junction 3. The first junction voltage VBE relating to the first current I1 is converted by an ADC analog-to-digital converter 17, in order to provide a first converted voltage Vm to be processed in the logic processing unit 18. The same is also true for the second junction voltage relative to the second current 12, and possibly for the third junction voltage relative to the third current 13. These second and third junction voltages are converted into second and third converted voltages Vm by the converter 17 to be processed in the logical processing unit 18. One or two junction voltage deviations ΔVBE can be determined in the logic processing unit on the basis of the two or three successive currents supplied to the second bipolar junction 3.
[0029] Par l’utilisation des trois courants l1, l2, l3 fournis à la seconde jonction bipolaire, cela permet de déterminer précisément une température locale du circuit intégré tout en tenant compte des éléments parasites liés à la seconde jonction bipolaire 3 ́, tels que des résistances parasites. Cette température mesurée est pratiquement indépendante des variations des paramètres technologiques du procédé de fabrication d’une plaquette de circuits intégrés à une autre plaquette de circuits intégrés. Cette température mesurée est également pratiquement indépendante des valeurs des courants traversant la jonction bipolaire. L’exactitude de la température mesurée par ce procédé peut être de l’ordre d’environ ± 0.1 °C. By using the three currents I1, I2, I3 supplied to the second bipolar junction, this makes it possible to precisely determine a local temperature of the integrated circuit while taking into account the parasitic elements related to the second bipolar junction 3, such as that parasitic resistances. This measured temperature is virtually independent of variations in the technological parameters of the method of manufacturing an integrated circuit board to another integrated circuit board. This measured temperature is also practically independent of the values of the currents crossing the bipolar junction. The accuracy of the temperature measured by this method may be of the order of about ± 0.1 ° C.
[0030] Dans le cas d’une seconde jonction bipolaire 3 ́ sous la forme d’un transistor PNP ou NPN monté en diode par exemple, la mesure exacte de la température peut être réalisée par deux courants continus de collecteurs l1 et l2 traversant successivement le transistor monté en diode. De préférence, trois courants l1, l2, l3 traversant successivement la seconde jonction sont nécessaires pour mesurer précisément la température. Pour deux courants successifs traversant la seconde jonction 3 ́, la différence de tension de jonction, qui est la tension base-émetteur VBE est donnée par la formule suivante: ΔVBE= VBE2 – VBE1= (k · T/q)·ln(l2/l1) où k est la constante de Boltzmann, q est la charge élémentaire et T est la température en Kelvin. Il peut encore être déterminé un second écart de tension de jonction avec le second courant l2 et le troisième courant l3, ce qui permet de s’affranchir de tout élément parasite lié à la seconde jonction bipolaire 3 ́, comme également mentionné dans le brevet US 5 195 827. In the case of a second bipolar junction 3 in the form of a PNP or NPN transistor mounted diode for example, the exact measurement of the temperature can be performed by two continuous currents of collectors I1 and I2 passing through successively the transistor mounted diode. Preferably, three streams 11, 12, 13 passing successively through the second junction are required to accurately measure the temperature. For two successive currents crossing the second junction 3, the junction voltage difference, which is the base-emitter voltage VBE, is given by the following formula: ΔVBE = VBE2 - VBE1 = (k · T / q) · ln (l2 / l1) where k is the Boltzmann constant, q is the elementary charge and T is the temperature in Kelvin. It is also possible to determine a second junction voltage gap with the second current 12 and the third current 13, which makes it possible to overcome any parasitic element linked to the second bipolar junction 3, as also mentioned in the US Pat. 5195827.
[0031] Le système de mesure comprend encore un comparateur 11 pour comparer la tension de jonction VBE de la première jonction 3 avec une tension de consigne Vc. La sortie du comparateur 11 est reliée à la base d’un transistor PNP P1, dont l’émetteur est relié à la borne de potentiel haut VDD de la source de tension d’alimentation. Le collecteur du transistor PNP P1 est relié à une extrémité de la résistance de chauffage 2 par l’intermédiaire d’une plage de contact 5. L’autre extrémité de la résistance de chauffage 2 est reliée à la borne de potentiel bas de la source de tension d’alimentation par l’intermédiaire d’une autre plage de contact 5. The measurement system further comprises a comparator 11 for comparing the VBE junction voltage of the first junction 3 with a set voltage Vc. The output of the comparator 11 is connected to the base of a PNP transistor P1, the emitter of which is connected to the high potential terminal VDD of the supply voltage source. The collector of the PNP transistor P1 is connected to one end of the heating resistor 2 via a contact pad 5. The other end of the heating resistor 2 is connected to the low potential terminal of the source supply voltage via another contact pad 5.
[0032] En fonction de la valeur de consigne Vc fournie par l’unité de traitement logique, un courant est fourni par le transistor PNP P1 pour traverser la résistance de chauffage 2, afin de la faire chauffer. Ce courant peut être de l’ordre de 300 mA. Cette résistance 2 traversée par le courant du transistor PNP P1 dissipe de la chaleur donnée par l’équation de puissance P = R·l<2>. Pour établir trois températures différentes, il peut être prévu trois valeurs de consigne pour avoir trois courants différents traversant la résistance de chauffage 2. En fonction de l’élévation de la température locale dans le circuit intégré, la valeur de la tension de jonction VBE de la première jonction 3 traversée par le courant bien déterminé Im, va diminuer. Comme cette tension de jonction est comparée à la valeur de consigne, qui est une tension de consigne Vc, cela a pour effet de plus ou moins augmenter le courant traversant la résistance de chauffage 2 dans une boucle de d’asservissement de courant. Le courant devient stable dès que la tension de jonction VBEest proche de la tension de consigne Vc. La température déterminée par la tension de consigne va être bien déterminée et rester stable pour pouvoir effectuer les tests de paramètres électroniques à cette température. According to the set value Vc provided by the logic processing unit, a current is supplied by the PNP transistor P1 to pass through the heating resistor 2, in order to heat it. This current can be of the order of 300 mA. This resistance 2 crossed by the current of the PNP transistor P1 dissipates heat given by the power equation P = R · 1 <2>. To set three different temperatures, three setpoints can be provided to have three different currents flowing through the heating resistor 2. Depending on the rise of the local temperature in the integrated circuit, the value of the VBE junction voltage of the first junction 3 crossed by the current well determined Im, will decrease. Since this junction voltage is compared with the set value, which is a set voltage Vc, this has the effect of more or less increasing the current flowing through the heating resistor 2 in a current control loop. The current becomes stable as soon as the junction voltage VBE is close to the nominal voltage Vc. The temperature determined by the target voltage will be well determined and remain stable to perform the electronic parameter tests at this temperature.
[0033] II est à noter qu’en lieu et place d’une boucle d’asservissement pour un réglage du courant de manière analogique, il peut aussi être prévu d’effectuer un tel réglage du courant dans une boucle de réglage numérique comme expliqué ci-dessous en référence à la fig. 2. Sur cette fig. 2, il est représenté une seconde forme d’exécution du système de mesure avec le circuit électronique 1. Il est à noter que tous les mêmes éléments du système préalablement décrits en référence à la fig. 1, portent des signes de référence identiques. Ainsi par simplification, il ne sera pas répété la description détaillée de chacun de ces éléments pour cette fig. 2. It should be noted that instead of a control loop for a current setting analog manner, it can also be expected to perform such a setting of the current in a digital control loop as explained below with reference to FIG. 2. In this fig. 2, there is shown a second embodiment of the measuring system with the electronic circuit 1. It should be noted that all the same elements of the system previously described with reference to FIG. 1, bear identical reference signs. Thus for simplification, it will not be repeated the detailed description of each of these elements for this fig. 2.
[0034] Par le système de mesure de la fig. 2, le circuit électronique 1 ne comprend qu’une seule jonction bipolaire 3 pour la mesure de température et pour permettre l’adaptation numériquement du courant traversant l’élément de chauffage 2, tel qu’une résistance de chauffage. Pour la mesure de température, la première jonction bipolaire 3 est prévue pour recevoir successivement deux courants continus 11 et 12, et de préférence trois courants continus l1, l2, l3 de valeur différente. Ces trois courants l1, l2, l3 proviennent respectivement des première, seconde et troisième sources de courant l4, l5, l6. Une mesure successive des première, seconde et troisième tensions de jonction VBE de la première jonction 3, traversée successivement par les trois courants l1, l2 et l3, est effectuée par l’intermédiaire des plages de contact 5 reliées à la première jonction bipolaire 3. By the measuring system of FIG. 2, the electronic circuit 1 comprises only one bipolar junction 3 for the temperature measurement and to allow the numerical adaptation of the current flowing through the heating element 2, such as a heating resistor. For temperature measurement, the first bipolar junction 3 is provided for successively receiving two DC currents 11 and 12, and preferably three DC currents 11, 12, 13 of different value. These three currents l1, l2, l3 respectively come from the first, second and third current sources l4, l5, l6. A successive measurement of the first, second and third VBE junction voltages of the first junction 3, crossed successively by the three currents I1, I2 and I3, is performed via the contact pads 5 connected to the first bipolar junction 3.
[0035] La sélection des trois sources de courant 14, 15, 16 pour la fourniture successive des trois courants l1, l2 et l3 est opérée par l’intermédiaire d’un élément de commutation 13. Cet élément de commutation est commandé par un signal binaire de commande Bc fourni par une unité de traitement logique 18. Les première, seconde et troisième tensions de jonction mesurées sur la base des trois courants continus l1, l2, l3 traversant successivement la première jonction 3, sont converties par un convertisseur analogique-numérique ADC 17 pour fournir des première, seconde et troisième tensions converties Vm à l’unité de traitement logique. The selection of the three current sources 14, 15, 16 for the successive supply of the three currents I1, I2 and I3 is carried out via a switching element 13. This switching element is controlled by a signal control bit Bc provided by a logic processing unit 18. The first, second and third junction voltages measured on the basis of the three DC currents I1, I2, I3 successively crossing the first junction 3, are converted by an analog-to-digital converter ADC 17 for providing first, second and third converted voltages Vm to the logic processing unit.
[0036] L’unité de traitement logique 18 permet donc de réguler le courant de chauffage à fournir à la résistance de chauffage 2 et de mesurer la valeur absolue exacte de la température avec la même première jonction 3. En fonction de la mesure des trois tensions de jonction converties par le convertisseur analogique-numérique 17, il est possible d’effectuer un traitement numérique efficace dans ladite unité. Deux écarts de tension de jonction peuvent ainsi être déterminés dans l’unité de traitement logique 18 pour connaître exactement la température locale dans le circuit électronique intégré. The logic processing unit 18 thus makes it possible to regulate the heating current to be supplied to the heating resistor 2 and to measure the exact absolute value of the temperature with the same first junction 3. Depending on the measurement of the three junction voltages converted by the analog-to-digital converter 17, it is possible to perform an effective digital processing in said unit. Two junction voltage gaps can thus be determined in the logic processing unit 18 to know exactly the local temperature in the integrated electronic circuit.
[0037] Suite à ce traitement numérique, l’unité de traitement logique 18 fournit encore un signal numérique de commande à un convertisseur numérique-analogique 19, qui convertit ce signal numérique pour fournir un courant déterminé à la résistance de chauffage 2 par l’intermédiaire des plages de contact 5 du circuit intégré. L’adaptation de ce courant est entièrement traitée numériquement dans l’unité de traitement logique 18 sur la base d’une valeur de consigne. Cette valeur de consigne peut être un courant ou une tension de manière à fournir un signal numérique de commande, afin d’atteindre la température souhaitée. L’adaptation du courant peut aussi tenir compte de la mesure de la ou des tensions de jonction de la jonction bipolaire 3, qui ont été converties numériquement. Following this digital processing, the logic processing unit 18 further provides a digital control signal to a digital-to-analog converter 19, which converts this digital signal to provide a determined current to the heating resistor 2 by the intermediate contact pads 5 of the integrated circuit. The adaptation of this current is fully digitally processed in the logic processing unit 18 on the basis of a set value. This setpoint may be a current or a voltage so as to provide a digital control signal, in order to reach the desired temperature. The adaptation of the current may also take into account the measurement of the junction voltages or junctions of the bipolar junction 3, which have been converted numerically.
[0038] Le procédé de mesure pour la calibration du circuit électronique 1 va maintenant être décrit plus en détail. Il peut être prévu d’effectuer un test de différentes parties électroniques du circuit intégré pour détecter tout circuit en dehors de limites prédéfinies à une température définie. De plus, il doit encore être opéré une calibration d’un ou plusieurs circuits électroniques intégrés ou tous les circuits électroniques intégrés, qui sont sur une plaquette ou déjà encapsulés sur un banc de test. La calibration d’au moins certaines parties de chaque circuit intégré est opérée, sur la base de résultats de certains paramètres à différents paliers de températures stables. Il est donc nécessaire de rapidement et facilement placer une zone du circuit intégré à calibrer à une température stable durant la mesure. Pour ce test en température afin de calibrer certains paramètres électroniques, il peut être effectué le procédé de mesure pour quelques circuits intégrés ou tous les circuits intégrés d’une même plaquette. Tous les autres circuits peuvent, par la suite, être calibrés sur la base des mesures effectuées à différentes températures pour quelques circuits intégrés de la même plaquette. Les circuits intégrés à tester de la même plaquette peuvent être choisis de manière aléatoire, mais en assurant une bonne répartition de circuits à tester sur la plaquette. The measurement method for the calibration of the electronic circuit 1 will now be described in more detail. It may be provided to test different electronic parts of the integrated circuit to detect any circuit outside predefined limits at a defined temperature. In addition, it must still be operated a calibration of one or more integrated electronic circuits or all integrated electronic circuits, which are on a wafer or already encapsulated on a test bench. Calibration of at least some parts of each integrated circuit is performed, based on the results of certain parameters at different stable temperature levels. It is therefore necessary to quickly and easily place an area of the integrated circuit to be calibrated at a stable temperature during the measurement. For this temperature test in order to calibrate certain electronic parameters, it is possible to perform the measurement process for some integrated circuits or all the integrated circuits of the same board. All other circuits can subsequently be calibrated on the basis of measurements made at different temperatures for some integrated circuits of the same wafer. The integrated circuits to be tested on the same wafer may be chosen randomly, but by ensuring a good distribution of circuits to be tested on the wafer.
[0039] Pour le procédé de mesure, il peut être prévu d’effectuer deux points de mesure à deux températures stables différentes pour toute variation linéaire en température de paramètres électroniques du circuit. Cependant, il peut être prévu d’effectuer de préférence au moins trois points de mesure à trois températures stables différentes pour toute variation non linéaire en température de paramètres électroniques du circuit. For the measurement method, it can be provided to perform two measurement points at two different stable temperatures for any linear temperature variation of electronic circuit parameters. However, it may be provided to preferably perform at least three measurement points at three different stable temperatures for any non-linear variation in temperature of electronic circuit parameters.
[0040] Il peut tout d’abord être mesuré que la température du circuit électronique est à une température initiale T0 sur la base de l’écart mesuré de la tension de jonction à deux courants déterminés l1 et l2 traversant successivement la première jonction bipolaire 3 ou la seconde jonction bipolaire 3 ́. De préférence, il peut être déterminé deux écarts de tension de jonction à trois courants déterminés l1, l2 et l3 pour avoir une mesure précise de la température locale. Cette température initiale T0 peut être la température ambiante. Cependant cette mesure de la température initiale peut également être omise avant d’établir une première température de mesure dans le circuit électronique. It can first be measured that the temperature of the electronic circuit is at an initial temperature T0 on the basis of the measured difference in the junction voltage with two determined currents I1 and I2 successively crossing the first bipolar junction 3 or the second bipolar junction 3. Preferably, two junction voltage gaps at three determined currents I1, I2 and I3 can be determined to provide an accurate measure of the local temperature. This initial temperature T0 may be the ambient temperature. However, this measurement of the initial temperature can also be omitted before establishing a first measurement temperature in the electronic circuit.
[0041] Après la mesure de la température initiale T0, la température locale dans le circuit électronique est établie de manière constante par réglage à une première température T1. Cette première température T1 est normalement supérieure à la température initiale T0. Pour ce faire, la boucle d’asservissement en courant envoie un premier courant réglé à travers l’élément de chauffage, qui est la résistance de chauffage 2 intégrée dans le circuit électronique 1. Un nouvel écart de tension de jonction est mesuré sur la base des deux courants déterminés l1 et l2 injectés dans la première jonction bipolaire 3 ou la seconde jonction bipolaire 3 ́, une fois que la première température T1 est stable. De préférence, il peut être déterminé deux écarts de tension de jonction à trois courants déterminés l1, l2 et l3 pour avoir une mesure précise de la première température T1. Cela permet de déterminer la température locale dans le circuit intégré. A cette première température T1, certains paramètres électroniques susceptibles de varier avec la température de l’ensemble électronique 4 sont mesurés et mémorisés en particulier dans une mémoire du circuit intégré et/ou dans une mémoire externe. After measuring the initial temperature T0, the local temperature in the electronic circuit is established in a constant manner by adjusting to a first temperature T1. This first temperature T1 is normally greater than the initial temperature T0. To do this, the current control loop sends a first regulated current through the heating element, which is the heating resistor 2 integrated in the electronic circuit 1. A new junction voltage difference is measured on the basis of of the two determined currents 11 and 12 injected into the first bipolar junction 3 or the second bipolar junction 3, once the first temperature T1 is stable. Preferably, two junction voltage gaps at three determined currents I1, I2 and I3 can be determined to have an accurate measurement of the first temperature T1. This makes it possible to determine the local temperature in the integrated circuit. At this first temperature T1, certain electronic parameters that may vary with the temperature of the electronic assembly 4 are measured and stored in particular in a memory of the integrated circuit and / or in an external memory.
[0042] La température du circuit électronique 1 à calibrer est établie de manière constante à une seconde température T2 supérieure à la première température T1. Pour ce faire, la résistance de chauffage 2 est traversée par un second courant adapté dans la boucle d’asservissement de courant. Ce second courant est supérieur au premier courant. L’écart de tension de jonction de la première jonction bipolaire 3 ou de la seconde jonction bipolaire 3 ́, est mesuré sur la base des deux courants déterminés 11 et 12 injectés dans la première jonction bipolaire 3 ou la seconde jonction bipolaire 3 ́, une fois que la seconde température T2 est stable. De préférence, il est déterminé deux écarts de tension de jonction à trois courants déterminés 11,12 et 13 pour avoir une mesure précise de la seconde température T2. A cette seconde température T2, les mêmes paramètres électroniques de l’ensemble électronique sont mesurés et mémorisés. The temperature of the electronic circuit 1 to be calibrated is established steadily at a second temperature T2 greater than the first temperature T1. To do this, the heating resistor 2 is traversed by a second current adapted in the current control loop. This second current is greater than the first current. The junction voltage difference of the first bipolar junction 3 or the second bipolar junction 3 is measured on the basis of the two determined currents 11 and 12 injected into the first bipolar junction 3 or the second bipolar junction 3, a time that the second temperature T2 is stable. Preferably, two junction voltage gaps at three determined currents 11, 12 and 13 are determined to have an accurate measurement of the second temperature T2. At this second temperature T2, the same electronic parameters of the electronic assembly are measured and stored.
[0043] Ces deux points de mesure peuvent suffire pour calibrer certains paramètres dont la variation en température est linéaire, mais généralement la plupart des paramètres électroniques mesurés varient de manière non linéaire avec la température. Dans ces conditions, la température du circuit électronique à calibrer est établie de manière constante à une troisième température T3 supérieure à la seconde température T2. Pour ce faire, la résistance de chauffage 2 est traversée par un troisième courant adapté dans la boucle d’asservissement de courant. Ce troisième courant est supérieur au second courant. L’écart de tension de jonction de la première jonction bipolaire 3 ou de la seconde jonction bipolaire 3 ́, est mesuré sur la base des deux courants déterminés l1 et l2 injectés dans la première jonction bipolaire 3 ou la seconde jonction bipolaire 3 ́, une fois que la troisième température T3 est stable. De préférence, il est déterminé deux écarts de tension de jonction à trois courants déterminés l1, l2 et l3 pour avoir une mesure précise de la troisième température T3. A cette troisième température T3, les mêmes paramètres électroniques de l’ensemble électronique 4 sont mesurés et mémorisés. These two measurement points may be sufficient to calibrate some parameters whose temperature variation is linear, but generally most measured electronic parameters vary non-linearly with temperature. Under these conditions, the temperature of the electronic circuit to be calibrated is steadily established at a third temperature T3 greater than the second temperature T2. To do this, the heating resistor 2 is traversed by a third current adapted in the current control loop. This third current is greater than the second current. The junction voltage difference of the first bipolar junction 3 or the second bipolar junction 3 is measured on the basis of the two determined currents I1 and I2 injected into the first bipolar junction 3 or the second bipolar junction 3. time that the third temperature T3 is stable. Preferably, two junction voltage deviations at three determined currents I1, I2 and I3 are determined to have an accurate measurement of the third temperature T3. At this third temperature T3, the same electronic parameters of the electronic assembly 4 are measured and stored.
[0044] Les paramètres de l’ensemble électronique 4 à calibrer sont calculés sur la base des trois mesures effectuées aux trois températures. Ces paramètres peuvent être adaptés sur la base de paramètres de référence. Les paramètres adaptés sont stockés dans la mémoire non volatile du circuit intégré. La calibration est ainsi terminée et tous les paramètres adaptés, qui ont été mémorisés dans les circuits électroniques testés peuvent généralement être mémorisés dans les autres circuits électroniques de la même plaquette de circuits intégrés. The parameters of the electronic assembly 4 to be calibrated are calculated on the basis of the three measurements made at three temperatures. These parameters can be adapted based on reference parameters. The adapted parameters are stored in the nonvolatile memory of the integrated circuit. Calibration is thus complete and all the appropriate parameters, which have been stored in the tested electronic circuits, can generally be stored in the other electronic circuits of the same integrated circuit board.
[0045] Il est à noter que les valeurs des première, seconde et troisième températures de mesure peuvent être différentes d’un circuit électronique en test à un autre circuit électronique, mais leur valeur absolue est connue précisément. Cela permet ainsi de calculer les paramètres de correction de parties de l’ensemble électronique 4. Il peut encore être prévu d’effectuer des mesures à plus de trois températures stables. It should be noted that the values of the first, second and third measurement temperatures may be different from an electronic circuit under test to another electronic circuit, but their absolute value is known precisely. This thus makes it possible to calculate the correction parameters of parts of the electronic assembly 4. It can also be expected to make measurements at more than three stable temperatures.
[0046] Comme susmentionné en phase de test, il est imposé au circuit intégré 1 une série de paliers de températures précises de fonctionnement. Des sauts thermiques sont rapidement effectués par la résistance de chauffage intégrée dans un intervalle temporel, qui peut être de l’ordre de 20 ms ou inférieur en fonction de l’écart d’un palier de température à un autre palier de température. Il peut être très rapidement passé d’une première température à une seconde température, qui peut être supérieure de près de 50 °C en 20 ms. Cela permet de facilement et rapidement effectuer une mesure de certains paramètres à une température de palier fixée et stable. Il n’est pas nécessaire pour effectuer ces tests thermiques d’utiliser une enceinte thermique, qui est encombrante et dont le temps de mesure est relativement long. Les contraintes de précision sont déplacées vers l’extérieur. As mentioned above in the test phase, it is imposed on the integrated circuit 1 a series of precise operating temperature bearings. Thermal jumps are quickly made by the integrated heating resistor in a time interval, which can be of the order of 20 ms or less depending on the deviation of a temperature step to another temperature step. It can be very quickly passed from a first temperature to a second temperature, which can be higher by nearly 50 ° C in 20 ms. This allows easy and quick measurement of certain parameters at a fixed and stable plateau temperature. It is not necessary to carry out these thermal tests to use a thermal enclosure, which is bulky and whose measurement time is relatively long. Precision constraints are moved outward.
[0047] Généralement les paramètres mémorisés peuvent être les coefficients d’un polynôme d’ordre n. Grâce aux différentes valeurs prélevées pour au moins trois températures différentes de mesure, ii est possible de mesurer des paramètres du circuit, tels que la fréquence d’oscillation, une ou plusieurs tensions de parties du circuit, un ou plusieurs courants de parties du circuit. Aux différents paliers thermiques de mesure, par exemple à trois paliers de mesure, il est possible par une interpolation polynomiale par exemple ou une opération pour minimiser l’erreur quadratique des trois points de mesure de s’approcher d’une courbe de variation de référence de tel ou tel paramètre à calibrer. Le comportement thermique peut être stocké dans une mémoire du circuit intégré. Generally, the stored parameters can be the coefficients of a polynomial of order n. Thanks to the different values taken for at least three different measurement temperatures, it is possible to measure circuit parameters, such as oscillation frequency, one or more voltages of parts of the circuit, one or more currents of parts of the circuit. At different thermal measurement steps, for example at three measurement steps, it is possible by a polynomial interpolation, for example, or an operation to minimize the quadratic error of the three measurement points to approach a reference variation curve. of a particular parameter to be calibrated. The thermal behavior can be stored in a memory of the integrated circuit.
[0048] Dans le cas de deux fréquences mesurées dans le circuit intégré, la valeur précise de la température de mesure n’est plus importante. Ce n’est que la variation des trois points de mesure aux deux fréquences, qui est importante pour déterminer la courbe de variation de la fréquence. In the case of two frequencies measured in the integrated circuit, the precise value of the measurement temperature is no longer important. Only the variation of the three measurement points at both frequencies is important for determining the frequency variation curve.
[0049] La fig. 3 représente à titre illustratif un graphique de la tension de jonction d’une diode bipolaire traversée par un courant constant dans le temps et à différents niveaux de température du procédé de mesure selon l’invention. Sur cette fig. 3, il est opéré des sauts en température pour chaque palier de température de 10 °C. La tension de jonction VBE peut valoir environ 700 mV à la première température T1 avec une valeur de consigne Vc imposée dans la boucle d’asservissement en courant notamment dans la version analogique du système de mesure. FIG. 3 represents by way of illustration a graph of the junction voltage of a bipolar diode crossed by a constant current over time and at different temperature levels of the measuring method according to the invention. In this fig. 3, temperature jumps are made for each temperature step of 10 ° C. The junction voltage VBE may be about 700 mV at the first temperature T1 with a set value Vc imposed in the current control loop in particular in the analog version of the measurement system.
[0050] Comme la tension de diode VBE varie de l’ordre de -2 mV/°C, la tension de jonction diminue de -20 mV pour passer de la première température T1 à la seconde température T2. Le temps de stabilisation de la tension de jonction à la seconde température est d’environ 10 ms. Dès la stabilisation de la température T2, les mesures des différents paramètres peuvent être effectuées à cette seconde température T2 stable. Une nouvelle fois pour passer de la seconde température T2 à la troisième température T3, qui est 10 °C supérieure à la seconde température T2, la tension de jonction diminue encore de -20 mV. Il doit encore être attendu un temps de l’ordre de 10 ms pour avoir la tension de jonction établie à la troisième température T3 stable afin d’effectuer les mesures des paramètres électroniques. As the diode voltage VBE varies of the order of -2 mV / ° C, the junction voltage decreases -20 mV to go from the first temperature T1 to the second temperature T2. The time of stabilization of the junction voltage at the second temperature is about 10 ms. As soon as the temperature T2 stabilizes, the measurements of the different parameters can be made at this second stable temperature T2. Again to move from the second temperature T2 to the third temperature T3, which is 10 ° C higher than the second temperature T2, the junction voltage decreases further by -20 mV. It must still be expected a time of about 10 ms to have the junction voltage established at the third stable temperature T3 in order to perform the measurements of the electronic parameters.
[0051] Pour le procédé de mesure pour la calibration thermique du circuit électronique, il est toujours effectué une augmentation de la température par la résistance de chauffage 2 pour rapidement mesurer les différents paramètres. Pour pouvoir abaisser la température au lieu de l’augmenter, il faudrait munir le circuit électronique d’un élément du type Pelletier. For the measurement method for the thermal calibration of the electronic circuit, it is always carried out an increase in temperature by the heating resistor 2 to quickly measure the various parameters. In order to be able to lower the temperature instead of increasing it, it would be necessary to provide the electronic circuit with a Pelletier element.
[0052] Il est encore à noter que dans le cas où il est utilisé un capteur thermique disposé dans un coin du circuit intégré, il peut y avoir un fort gradient thermique de stabilisation en température. Cela est différent pour un capteur thermique placé à proximité de la résistance de chauffage. Plusieurs capteurs thermiques peuvent donc être placés dans le circuit électronique à calibrer pour pouvoir calibrer au mieux différents paramètres électroniques du circuit électronique. It is also noted that in the case where it is used a thermal sensor disposed in a corner of the integrated circuit, there may be a high thermal gradient temperature stabilization. This is different for a thermal sensor placed near the heating resistor. Several thermal sensors can therefore be placed in the electronic circuit to be calibrated in order to be able to better calibrate various electronic parameters of the electronic circuit.
[0053] A partir de la description qui vient d’être faite, plusieurs variantes du procédé ou système de mesure pour la calibration thermique d’un circuit électronique peuvent être conçues par l’homme du métier sans sortir du cadre de l’invention définie par les revendications. La jonction bipolaire de mesure de la température peut être une diode ou un transistor NPN monté en diode. La jonction bipolaire peut être refiée entre la borne de potentiel haut de la source de tension d’alimentation et une source de courant reliée à la borne de masse. Le transistor bipolaire de fourniture du courant à la résistance de chauffage peut être un transistor NPN. Chaque capteur de température peut être constitué d’une résistance diffusée ou implantée en étant traversée par un courant déterminé et par une mesure de la tension aux bornes de la résistance. From the description that has just been made, several variants of the method or measurement system for the thermal calibration of an electronic circuit can be designed by those skilled in the art without departing from the scope of the invention defined by the claims. The bipolar junction for measuring the temperature may be a diode or a diode-mounted NPN transistor. The bipolar junction can be refitted between the high potential terminal of the supply voltage source and a current source connected to the ground terminal. The bipolar transistor supplying the current to the heating resistor may be an NPN transistor. Each temperature sensor may consist of a diffused or implanted resistor passing through a determined current and a measurement of the voltage across the resistor.
Claims (18)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH882012A CH706035A2 (en) | 2012-01-19 | 2012-01-19 | Method and measuring system for the thermal calibration of an electronic circuit. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CH882012A CH706035A2 (en) | 2012-01-19 | 2012-01-19 | Method and measuring system for the thermal calibration of an electronic circuit. |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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CH706035A2 true CH706035A2 (en) | 2013-07-31 |
Family
ID=48868796
Family Applications (1)
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CH882012A CH706035A2 (en) | 2012-01-19 | 2012-01-19 | Method and measuring system for the thermal calibration of an electronic circuit. |
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CH (1) | CH706035A2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114779867A (en) * | 2022-05-19 | 2022-07-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | Temperature signal acquisition circuit, light-emitting substrate and display device |
-
2012
- 2012-01-19 CH CH882012A patent/CH706035A2/en not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN114779867A (en) * | 2022-05-19 | 2022-07-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | Temperature signal acquisition circuit, light-emitting substrate and display device |
CN114779867B (en) * | 2022-05-19 | 2024-01-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | Temperature signal acquisition circuit, light-emitting substrate and display device |
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