CH624755A5 - Solar energy collector and method of manufacturing it - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen Sonnenenergiekol- Eisenatome vorzusehen. Die Kohlenstoffatome werden vor-lektor gemäss Oberbegriff des Anspruches 1 sowie ein Ver- 35 zugsweise durch Verwendung von Methan (CH4) oder einem fahren zu dessen Herstellung. andern Kohlenwasserstoff als Verunreinigung in einem iner- The invention relates to providing a solar energy iron atom. The carbon atoms are pre-proofors according to the preamble of claim 1 and a preferred method is the use of methane (CH4) or a method for its production. other hydrocarbon as an impurity in an inert

Es handelt sich dabei speziell um die Schaffung einer ten Gas (z. B. Argon) im reaktiven Zerstäubungsprozess erOberfläche, die eine relativ hohe Absorptionsfähigkeit für di- halten. Specifically, this involves the creation of a gas (e.g. argon) in the reactive sputtering process surface, which consider a relatively high absorption capacity.

rekte oder diffuse Sonnenstrahlung, die unmittelbar oder Die bevorzugte Dicke der Metallkarbidschicht ist 0,09 X right or diffuse solar radiation that is immediate or the preferred thickness of the metal carbide layer is 0.09 X

nach Reflexion durch eine andere Fläche einfällt, aufweist. 40 10-6 m. after reflection through another surface. 40 10-6 m.

Einige zurzeit erhältliche Sonnenenergiekollektoren arbei- Um eine gleichförmige Filmzusammensetzung auf einer ten nach dem Prinzip der totalen Absorption, das sich auf grossen Unterlage zu erhalten, wird vorzugsweise ein reaktives die Anordnung einer mattschwarzen Oberfläche verlässt, die Zerstäubungsverfahren angewandt, bei dem das die Verunfähig ist, einfallende Energiestrahlung zu absorbieren und sie reinigung bildende Gas daran gehindert wird, von einem Ort an ein Strömungsmittel zu übertragen, das durch den Kollek- 45 211111 andem zu wandern, wo jeweils die reaktive Zerstäubung tor fliesst. In der Praxis arbeitet die Oberfläche mit totaler stattfindet. Dies kann durch Verwendung eines Verfahrens Absorption knapp oberhalb der Temperatur des aufzuheizen- erreicht werden, wie es in der oben genannten Veröffentli-den Strömungsmittels und strahlt unvermeidbar ebenso Wär- chung beschrieben ist. Ein sich aus der Erfindung ergebender me ab, wie es sie aufnimmt. Es wurden bereits Versuche Vorteil liegt darin, dass stabile selektive Schichten aus bil-unternommen, den Anteil abgestrahlter Wärme so weit als lJgen Metallen, wie Eisen, an Stelle von teureren, wie Molyb-möglich zu reduzieren, aber die Wärmeverluste infolge Strah- dän, Wolfram oder Zirkonium, hergestellt werden können, lung wachsen mit der Betriebstemperatur, so dass Oberflä- Gewünschtenfalls können aber auch teurere Metalle verwen-chen mit totaler Absorption in der Praxis nur bis etwa 100° C det werden. Some currently available solar energy collectors work- In order to obtain a uniform film composition on a surface according to the principle of total absorption, which can be obtained on a large surface, it is preferred to use a reactive one that leaves the arrangement of a matt black surface using the sputtering process, which is incapable of absorbing incident energy radiation and cleaning gas is prevented from transferring from one place to a fluid that travels through the collector where the reactive sputtering flows. In practice the surface works with total takes place. This can be achieved by using a method of absorption just above the temperature of the heat to be heated, as is described in the above-mentioned fluid and inevitably radiates heat. A me resulting from the invention as it takes it. Attempts have already been made. The advantage is that stable, selective layers are made of possible to reduce the amount of radiated heat as much as long metals, such as iron, instead of more expensive ones, such as molybut, but the heat losses due to radiation, Tungsten or zirconium can be produced, grow with the operating temperature, so that, if desired, more expensive metals can be used with total absorption in practice only up to about 100 ° C.

verwendbar sind. Bei der Erfindung wird das Interferenzprinzip angewandt. are usable. The interference principle is used in the invention.

Es wurde auch schon vorgeschlagen, Sonnenenergiekol- 55 Obwohl dieses Prinzip bestens bekannt ist, wurden bisher se-lektoren unter Verwendung sogenannter «selektiver Oberflä- lektive Oberflächen entweder aus Metalloxyden (wie Kupferchen» zu entwickeln, die Sonnenenergie stark absorbieren, oxyd oder Chromoxyd) vorgeschlagen, die bei hohen Tempe-aber mit grösseren Wellenlängen als jene, die charakteristisch raturen im Vakuum nicht besonders stabil sind, oder verhältfür die Sonnenstrahlung sind, kräftig reflektieren. Auf diese nismässig teure hitzebeständige Metalle und Metallverbindun-Weise wird die Strahlung von einem solchen Kollektor weit- 60 gen (z. B. eine sog. «AMA»-Oberfläche, die abwechselnd aus gehend reduziert. Schichten von Aluminiumoxyd und Molybdänoxyd besteht). It has also been proposed to develop solar energy 55 Although this principle is well known, selectors using so-called “selective surface surfaces” have either been developed from metal oxides (such as copper plates) that strongly absorb solar energy, oxide or chromium oxide that strongly reflect at high temperatures but with longer wavelengths than those that are not particularly stable in vacuum or that are sensitive to solar radiation. In this reasonably expensive, heat-resistant metal and metal compound, the radiation from such a collector is expanded (eg a so-called “AMA” surface, which is alternately reduced from layers of aluminum oxide and molybdenum oxide).

Kollektoren mit solch einer selektiven Oberfläche sind Deshalb machten die bisher vorgeschlagenen selektiven zum Sammeln von Sonnenwärme bei Temperaturen oberhalb Oberflächen die kommerzielle Produktion von Hochtempe-100° C anwendbar, da ihre Strahlungsverluste geringer als ratur-Sonnenkollektoren unattraktiv. Die selektiven Oberflä-diejenigen mattschwarzer Oberflächen sind. 65 chen, die bei Ausführung der Erfindung zum Einsatz kom- Collectors with such a selective surface are therefore the previously proposed selective for collecting solar heat at temperatures above surface, the commercial production of high-temperature 100 ° C applicable because their radiation losses less than ratur solar collectors unattractive. The selective surfaces are those of matt black surfaces. 65 Chen, which are used in carrying out the invention

Ein Bericht über derartige Oberflächen erschien in der men, können unter Verwendung billiger Metalle, wie Eisen Veröffentlichung R1 8167 des Bureau of Mines Report of und Chrom, hergestellt werden und sind auch bei Tempera-Investigations 1976 unter dem Titel «Réflectance and Emit- turen oberhalb 100° C stabil. Ferner können sie durch ein A report on such surfaces appeared in the men can be made using inexpensive metals, such as iron publication R1 8167 of the Bureau of Mines Report of and chrome, and are also available from Tempera-Investigations 1976 under the title «Reflectance and Emissions Above 100 ° C stable. Furthermore, you can by a

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billiges Zerstäubungsverfahren aufgebracht werden. Die Dicke der Schicht kann leicht durch Beeinflussung der Zerstäubungszeit kontrolliert werden. cheap atomization process can be applied. The thickness of the layer can easily be controlled by influencing the atomization time.

Unter dem Ausdruck «geringes Infrarotemissionsverhältnis» soll in dieser Beschreibung ein Emissionsverhältnis bei 5 Raumtemperatur unterhalb 0,10 und vorzugsweise im Bereich zwischen 0,02 und 0,05 verstanden werden. Substratschichten, die ein solch geringes Emissionsverhältnis aufweisen, sind beispielsweise aus Kupfer, Silber und Gold. In this description, the expression “low infrared emission ratio” is to be understood as an emission ratio at room temperature below 0.10 and preferably in the range between 0.02 and 0.05. Substrate layers that have such a low emission ratio are made of copper, silver and gold, for example.

Unter dem Ausdruck «hohe Absorption für Sonnenstrah- 10 lung» soll in dieser Beschreibung eine Absorption des Films von zumindest 75 %> und vorzugsweise 76 °/o oder mehr der Sonnenstrahlung verstanden werden, die senkrecht zur Filmoberfläche einfällt, unabhängig davon, ob diese Strahlung di rekt oder nach Reflexion durch eine andere Fläche, wie durch einen Kuppen- oder Zylinderreflektor, auftrifft. In this description, the expression “high absorption for solar radiation” is to be understood to mean an absorption of the film of at least 75% and preferably 76 ° / o or more of the solar radiation that is incident perpendicular to the film surface, regardless of whether this radiation directly or after reflection from another surface, such as a dome or cylinder reflector.

Mittels des erfindungsgemässen Verfahrens wurden rou-tinemässig Metallkarbidüberzüge auf Kupfersubstratschichten hergestellt, um ein Emissionsverhältnis bei Raumtemperatur von 0,03 und eine Absorptionsfähigkeit von 80 ®/o zu erzielen. Using the method according to the invention, metal carbide coatings were routinely produced on copper substrate layers in order to achieve an emission ratio at room temperature of 0.03 and an absorption capacity of 80%.

Weitere Einzelheiten ergeben sich anhand der nachfolgenden Beschreibung eines in der Zeichnung schematisch dargestellten, bevorzugten Ausführungsbeispieles. Fig. 1 zeigt einen Sonnenenergiekollektor. Fig. 2 ist ein Querschnitt durch25 ein Energiesammeirohr in dem Kollektor. Fig. 3 veranschaulicht eine Sonnenheiztafel mit solchen Kollektoren. Further details result from the following description of a preferred exemplary embodiment schematically shown in the drawing. Fig. 1 shows a solar energy collector. Figure 2 is a cross section through an energy collector tube in the collector. Fig. 3 illustrates a solar heating panel with such collectors.

Fig. 1 zeigt einen Sonnenenergiekollektor mit einer Reflektorkuppe 1,'die eine Seite eines Energiesammeirohres 2 umgibt, durch das ein Strömungsmittel kontinuierlich in Richtung des Pfeiles 3 hindurchgeschickt wird, um die durch Rohrwand hindurchgeleitete Wärme abzuführen, und das das Arbeitsmedium darstellt. In der Praxis liegt eine Reihe solcher Kollektoren Seite an Seite, und das Arbeitsmedium durchströmt sie nacheinander. Die Öffnung der Reflektorkuppe ist gegen die Sonne gerichtet. Eine Glashülle 10 um-schliesst den Reflektor 1. Fig. 1 shows a solar energy collector with a reflector cap 1, 'which surrounds one side of an energy collection tube 2, through which a fluid is continuously passed in the direction of arrow 3 to dissipate the heat conducted through the tube wall, and which represents the working medium. In practice, a number of such collectors lie side by side and the working medium flows through them one after the other. The opening of the reflector dome is directed towards the sun. A glass envelope 10 encloses the reflector 1.

Fig. 2 ist wie Fig. 1 schematisch. Das auf das Rohr 2 direkt oder durch Reflexion;von dem Reflektor 1 fallende Licht 4Q wird durch eine wärmesammelnde Mehrlagenschicht 4 absorbiert, die einen Glaszylinder 5 bedeckt, durch den das Strömungsmittel fliesst. Fig. 2 is schematic like Fig. 1. The light 4Q falling on the tube 2 directly or by reflection; from the reflector 1 is absorbed by a heat-collecting multilayer 4, which covers a glass cylinder 5 through which the fluid flows.

Die Mehrlagenschicht 4 weist eine innere Schicht 6 auf, die auf die Oberfläche des Glaszylinders 5 durch Zerstäuben 4S aufgetragen wurde. Das Zerstäuben erfolgt in einer Atmosphäre niedrigen Druckes, die von einem inerten Gas, wie Argon, gebildet ist, um so auf dem Zylinder 5 eine Kupferschicht mit geringer Infrarotabstrahlung gemäss obiger Definition zu bilden. Das Zerstäuben wird unterbrochen, sobald 50 die Schichtdicke zumindest 0,05 X 10~° m und vorzugsweise 0,2 X 10-6 m beträgt. The multilayer 4 has an inner layer 6, which was applied to the surface of the glass cylinder 5 by atomization 4S. The atomization takes place in an atmosphere of low pressure, which is formed by an inert gas, such as argon, so as to form a copper layer with a low infrared radiation as defined above on the cylinder 5. The atomization is interrupted as soon as the layer thickness is at least 0.05 × 10 ° m and preferably 0.2 × 10-6 m.

Die Kupferschicht wird dann mit einer Schicht 7 von Eisenkarbid überdeckt, wobei das Eisenkarbid eine Dicke zwischen 0,04 X 10~8 m und 0,20 X 10~6 m, vorzugsweise 55 aber von 0,09 X 10-6 m aufweist. Die erforderliche Dicke dieser Schicht und ihre Qualität wird durch die elektrischen sowie andere Parameter des benutzten reaktiven Zerstäubungsverfahrens bestimmt. Es sei darauf hingewiesen, dass der gewünschte elektrische Widerstand durch die Verhältnisse 60 zwischen den Metall- und Kohlenstoffatomen festgelegt ist. In der Praxis wurde festgestellt, dass annehmbare Resultate durch Anwendung des im bereits früher erwähnten «Journal of Vacuum Science Technology» beschriebenen Zerstäubungsverfahrens und bei einem spezifischen elektrischen Flä- 65 chenwiderstand der Metallkarbidschicht von 10 kß bis 1 Mß erhalten werden. Der Ablagerungsvorgang kann so gesteuert werden, dass mit zunehmender Dicke der Metallschicht der The copper layer is then covered with a layer 7 of iron carbide, the iron carbide having a thickness between 0.04 X 10 ~ 8 m and 0.20 X 10 ~ 6 m, preferably 55 but 0.09 X 10-6 m. The required thickness of this layer and its quality is determined by the electrical and other parameters of the reactive sputtering process used. It should be noted that the desired electrical resistance is determined by the ratios 60 between the metal and carbon atoms. In practice, it has been found that acceptable results are obtained using the sputtering method described in the previously mentioned Journal of Vacuum Science Technology and with a specific electrical surface resistance of the metal carbide layer of 10 kSS to 1 Mß. The deposition process can be controlled so that as the thickness of the metal layer increases

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Metallkomponentenanteil der Schicht abnimmt und der Kohlenstoffkomponentenanteil zunimmt. The proportion of metal components in the layer decreases and the proportion of carbon components increases.

Die Dicke der Karbidschicht ist so gewählt, dass die Reflexionscharakteristik (bei etwa senkrechtem Lichteinfall) ein Minimum bei Wellenlängen zwischen 0,80 X 10-8 m und 1,0 X 10-e m aufweist. Dies entspricht in der Praxis einer Metallkarbidschichtdicke von annähernd 0,09 X 10-6 m. The thickness of the carbide layer is selected so that the reflection characteristic (with approximately perpendicular incidence of light) has a minimum at wavelengths between 0.80 X 10-8 m and 1.0 X 10-e m. In practice, this corresponds to a metal carbide layer thickness of approximately 0.09 X 10-6 m.

Die Schicht kann in kleinem Massstab auf einer ebenen Oberfläche durch Anordnung einer flachen Kupferscheibenelektrode parallel zu und in einem Abstand von dieser Oberfläche in einem inerten Gas, wie Argon, hergestellt werden. Die Oberfläche wird von einer zweiten flachen Elektrodenscheibe getragen, die an elektrischem Nullpotential liegt. Der Elektrodenabstand von der Oberfläche beträgt 17 mm und die Elektrodenfläche 7,5 X 10~3 m2. Unter diesen Voraussetzungen sind die folgenden Bedingungen für die Ablagerung der Kupferschicht zweckmässig: The layer can be made on a small scale on a flat surface by placing a flat copper disc electrode parallel to and spaced from that surface in an inert gas such as argon. The surface is supported by a second flat electrode disk, which is at zero electrical potential. The electrode distance from the surface is 17 mm and the electrode area is 7.5 X 10 ~ 3 m2. Under these conditions, the following conditions are appropriate for the deposition of the copper layer:

Elektrodenmaterial Kupfer Electrode material copper

Elektrodenspannung —1200 V Electrode voltage —1200 V

Gas reines Argon Gas pure argon

Strömungsgeschwindigkeit so rasch als möglich Gasdruck 0,2 Torr. Flow rate as quickly as possible Gas pressure 0.2 Torr.

Zerstäubungszeit 5 Minuten Atomization time 5 minutes

Für eine Elektrodenfläche von 7,5 X 10-3 m2 sind die folgenden Bedingungen für die Ablagerung der Eisenkarbid-schicht zweckmässig: For an electrode area of 7.5 X 10-3 m2, the following conditions are appropriate for the deposition of the iron carbide layer:

Elektrodenmaterial Eisen (oder rostfreier Stahl) Electrode material iron (or stainless steel)

Elektrodenspannung —1200 V Electrode voltage —1200 V

Gas 1,6 VoL% von Methan in Gas 1.6% by volume of methane in

Argon argon

Strömungsgeschwindigkeit 0,25 cm3 s-1 bei 1 Atmosphäre Flow rate 0.25 cm3 s-1 at 1 atmosphere

Gasdruck 0,2 Torr. Gas pressure 0.2 torr.

Zerstäubungszeit 4 Minuten Atomization time 4 minutes

Filmdicke 0,09 X 10-6 m Film thickness 0.09 X 10-6 m

Eine unter obigen Bedingungen hergestellte Schicht hat eine Absorptionsfähigkeit von 82 % und ein Emissionsverhältnis bei Raumtemperatur von 0,03. A layer produced under the above conditions has an absorption capacity of 82% and an emission ratio at room temperature of 0.03.

Zum Beschichten langer Glasrohre kann die Bildung der Metallkarbidschicht durch reaktive Zerstäubung unter Verwendung einer langen Metallelektrode (z. B. aus rostfreiem Stahl) durchgeführt werden, die sich parallel zur Achse des Rohres und in einem Abstand von etwa 10 mm von dessen Oberfläche erstreckt. Während der Zerstäubung wird das Rohr langsam um seine Achse gedreht. To coat long glass tubes, the metal carbide layer can be formed by reactive sputtering using a long metal electrode (e.g. made of stainless steel) which extends parallel to the axis of the tube and at a distance of about 10 mm from its surface. During the atomization, the tube is slowly rotated around its axis.

Argon und Methan lässt man so in die Zerstäubungskammer strömen, dass an allen Punkten in einer Zerstäubungsebene, durch die gleichzeitig die elektrische Entladung hindurchgeht, die selben Zerstäubungsbedingungen aufrecht erhalten werden. Dies wird dadurch erreicht, dass das Gas im rechten Winkel zu der Ebene aus einem perforierten Einlassrohr zu einem perforierten Auslassrohr strömt, die sich beide parallel zur Elektrode erstrecken und jeweils an gegenüberliegenden Seiten der Zerstäubungsebene liegen. Wird die Zerstäubung unter diesen Bedingungen ausgeführt, so ist die auf dem Rohr abgelagerte Schicht von gleichförmiger Dicke über seine gesamte Länge. Argon and methane are allowed to flow into the atomization chamber in such a way that the same atomization conditions are maintained at all points in an atomization plane through which the electrical discharge passes simultaneously. This is achieved in that the gas flows at right angles to the plane from a perforated inlet pipe to a perforated outlet pipe, both of which extend parallel to the electrode and are each located on opposite sides of the atomization plane. If atomization is carried out under these conditions, the layer deposited on the tube is of uniform thickness over its entire length.

Die Gesamtschichtdicke wird durch die Zeit bestimmt, während welcher die Zerstäubung stattfindet, und die Qualität der Schicht durch Überwachung ihres elektrischen Widerstandes. The total layer thickness is determined by the time during which the sputtering takes place and the quality of the layer by monitoring its electrical resistance.

Die Bildung der Kupferschicht kann durch Zerstäuben unter Verwendung einer sich parallel zur Rohrachse erstrek-kenden Kupferelektrode und von reinem Argon für den Gasstrom durchgeführt werden. The copper layer can be formed by sputtering using a copper electrode extending parallel to the tube axis and pure argon for the gas flow.

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Nach dem Bilden der Kupferschicht 6 und der Metallkarbidschicht 7 wird das so hergestellte Kollektorrohr mittels einer ständig vakuumdichten Umhüllung 10 aus gebranntem Hart- oder Sodaglas zusammen mit dem Reflektor 1 eingehüllt. Der Reflektor 1 ist übrigens nicht wesentlich. After the copper layer 6 and the metal carbide layer 7 have been formed, the collector tube thus produced is encased together with the reflector 1 by means of a constantly vacuum-tight envelope 10 made of fired hard or soda glass. Incidentally, the reflector 1 is not essential.

Das Arbeitsmedium kann Öl oder ein anderes Strömungsmittel sein, das in einem Kollektor durch eine sich in das Sammelrohr erstreckende Leitung hindurchgelassen werden kann. Das Strömungsmittel läuft dann entlang des Ringraumes zwischen der Leitung und dem Rohr und aus dem Rohr heraus. The working medium can be oil or another fluid that can be passed in a collector through a line extending into the manifold. The fluid then runs along the annular space between the line and the pipe and out of the pipe.

Eine Anzahl solcher Rohre sind Seite an Seite montiert und bildet eine Heizreihe einer Sonnenheiztafel (Fig. 3), die 5 gegen die Sonne gerichtet aufgestellt wird, wobei die Rohre hydraulisch in einem geschlossenen Kreis 21 mit einer Pumpe 22 und einem Wärmeaustauscher 23 in Serie oder parallel geschaltet sind. A number of such tubes are mounted side by side and form a heating row of a solar heating panel (Fig. 3), which is placed 5 facing the sun, the tubes hydraulically in a closed circuit 21 with a pump 22 and a heat exchanger 23 in series or are connected in parallel.

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1 Blatt Zeichnungen 1 sheet of drawings

Claims (6)

624 755624 755 1. Sonnenenergiekollektor mit einem Glasrohr, das auf trides». 1. Solar energy collector with a glass tube that runs on trides ». seiner Aussenseite mit einer Substratschicht und einer Metall- Die Metalle Titan und Zirkonium sind teuer. Aus diesem schicht belegt ist, wobei die Substratschicht eine Dicke von ufld auch aus anderen Nitridschichten betreffenden Gründen wenigstens 0,05 X 10~6 m aufweist und durch ein ein ver- 5 wurden bisher Sonnenkollektoren mit selektiver Oberfläche hältnismässig geringes Infrarotemissionsverhältnis aufweisen- wirtschaftlich nicht als tragbar betrachtet. its outside with a substrate layer and a metal. The metals titanium and zirconium are expensive. This layer is occupied, the substrate layer having a thickness of at least 0.05 × 10 ~ 6 m, also for reasons relating to other nitride layers, and due to a different solar collectors with a selective surface have so far had a relatively low infrared emission ratio — economically not as considered portable. des Metall gebildet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Me- Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ver- of the metal is formed, characterized in that the measurement- The invention is therefore based on the object tallschicht (7) ein Metallkarbid enthält und eine Dicke zwi- besserte selektive Oberflächen zum Sammeln solarer Energie sehen 0,04 X 10~6 m und 0,20 X 10~6 m aufweist. zu schaffen. metal layer (7) contains a metal carbide and has a thickness between better selective surfaces for collecting solar energy see 0.04 X 10 ~ 6 m and 0.20 X 10 ~ 6 m. to accomplish. 2. Kollektor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, » . Erfindungsgemäss wird diese Aufgabe - ausgehend von dass die Metallschicht (7) Eisen-, Chrom- und Kohlenstoff- *mei? Sonnenenerg.ekollektor der eingangs genannten Art -atome aufweist, die zur Bildung einer im wesentlichen 0,10 X d"rc* die Merkmale des kennzeichnenden Teils des Anspru- 2. Collector according to claim 1, characterized in that. This object is achieved according to the invention - starting from the fact that the metal layer (7) contains iron, chromium and carbon * mei? Solar energy collector of the type mentioned at the outset, which, in order to form an essentially 0.10 X d "rc *, has the features of the characterizing part of the claim. 10-8 m dicken Schicht abgelagert worden sind. c ge^s.t'J Tr ^ , 10-8 m thick layer have been deposited. c ge ^ s.t'J Tr ^, „ , , Das erfmdungsgemasse Verfahren zur Herstellung eines ",, The inventive method for producing a 2 2nd PATENTANSPRÜCHE tance of Spectrally Selective Titanium and Zirconium Ni- PATENT CLAIMS tance of Spectrally Selective Titanium and Zirconium Ni 3 Kollektor nach Anspruch 1oder 2 dadurch gekenn- derarti Sonnenenergiekollektors zeichnet sich durch die zeichnet, dass die Substratschicht (6) Kupfer enthalt. 15 Merkmale des Anspruches 4 aus. 3 Collector according to claim 1 or 2 characterized thereby suchi solar energy collector is characterized by the fact that the substrate layer (6) contains copper. 15 features of claim 4. 4. Verfahren zur Herstellung des Sonnenenergiekollektors Technische Einzelheiten über einige solcher Oberflächen nach Anspruch 1, bei dem auf die Oberfläche des Glasrohres uncj Verfahren zur Herstellung derselben finden sich im eine Substratschicht mit einer Dicke von mindestens 0,05 X «Journal of Vacuum Science Technology», Vol. 13, Nr. 5, 10-« m aufgebracht wird, welche durch ein ein Verhältnis- ^ Sept./Okt 1976 (veröffentlicht von der American Vacuum massig geringes Infrarotemissionsverhältnis aufweisendes Me- Society), Seite 1070, in einem Artikel des Erfinders mit dem tali gebildet wird, und auf die Substratschicht eine Metall- Titel «Sputtered Metal Carbide Solar Selective Absorbing schicht aufgebracht wird, dadurch gekennzeichnet, dass zur Surfaces» und auf Seite 1073 desselben Heftes in einem wei-Bildung der Metallschicht (7) von einer Dicke zwischen 0,04 teren Artikel des Erfinders zusammen mit D. R. McKenzie X 10~" m und 0,20 X 10~6 m ein Metallkarbid mittels eines uncj ß Window unter dem Titel «The d. c. Sputter Coating reaktiven Zerstäubungsprozesses abgelagert wird. 0f Solar Selective Surfaces onto Tubes». Auf diese beiden 4. Method for the production of the solar energy collector Technical details about some such surfaces according to claim 1, in which on the surface of the glass tube uncj methods for the production thereof are found in a substrate layer with a thickness of at least 0.05 X "Journal of Vacuum Science Technology" , Vol. 13, No. 5, 10- "m is applied, which by a ratio- ^ Sept./Oct 1976 (published by the American Vacuum moderately low infrared emission ratio Me-Society), page 1070, in an article of Inventor with whom tali is formed, and a metal title "Sputtered Metal Carbide Solar Selective Absorbing Layer is applied to the substrate layer, characterized in that for Surfaces" and on page 1073 of the same booklet in a white formation of the metal layer (7) from a thickness between 0.04 th article of the inventor together with DR McKenzie X 10 ~ "m and 0.20 X 10 ~ 6 m a metal carbide by means of an uncj ß Win dow under the title «The d. c. Sputter Coating reactive sputtering process is deposited. 0f Solar Selective Surfaces onto Tubes ». On these two 5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, Artikel sei hiermit Bezug genommen. 5. The method according to claim 4, characterized in that article is hereby incorporated by reference. dass zur Bildung der Substratschichtthat to form the substrate layer (6) Kupfer mittels eines Vom Kostenstandpunkt wird Eisen als Metall für die Her-Zerstäubungsprozesses auf der Glasrohroberfläche abgelagert Stellung der Schichten bevorzugt, obwohl man auch andere wird. 30 und teurere Metalle, wie Molybdän, Chrom, Wolfram, Tan- tal, Titan oder Mischungen davon, verwenden kann. Beispielsweise wird die Zerstäubungselektrode aus rostfreiem Stahl hergestellt, um in der Schicht Chrom-, Nickel- und (6) Copper by means of a From the cost point of view, iron is preferred as the metal for the sputtering process deposited on the glass tube surface position of the layers, although one becomes other. 30 and more expensive metals such as molybdenum, chromium, tungsten, tantalum, titanium or mixtures thereof can be used. For example, the sputtering electrode is made of stainless steel to have chromium, nickel and