CH443232A - Verfahren zum Aufwachsen einer epitaxialen Schicht aus Galliumarsenid, Galliumphosphid oder Mischung en derselben - Google Patents

Verfahren zum Aufwachsen einer epitaxialen Schicht aus Galliumarsenid, Galliumphosphid oder Mischung en derselben

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CH443232A
CH443232A CH650263A CH650263A CH443232A CH 443232 A CH443232 A CH 443232A CH 650263 A CH650263 A CH 650263A CH 650263 A CH650263 A CH 650263A CH 443232 A CH443232 A CH 443232A
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CH
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gallium
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epitaxial layer
gallium arsenide
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CH650263A
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John Frosch Carl
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Western Electric Co
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    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
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