CH401919A - Verfahren zum Herstellen von langgestreckten, insbesondere bandförmigen Halbleiterkörpern - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von langgestreckten, insbesondere bandförmigen Halbleiterkörpern

Info

Publication number
CH401919A
CH401919A CH1472261A CH1472261A CH401919A CH 401919 A CH401919 A CH 401919A CH 1472261 A CH1472261 A CH 1472261A CH 1472261 A CH1472261 A CH 1472261A CH 401919 A CH401919 A CH 401919A
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
shaped semiconductor
semiconductor bodies
particular band
producing elongated
elongated
Prior art date
Application number
CH1472261A
Other languages
English (en)
Inventor
Werner Dr Spielmann
Heywang Walter Dr Dipl-Phys
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Publication of CH401919A publication Critical patent/CH401919A/de

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/14Heating of the melt or the crystallised materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/002Continuous growth

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
CH1472261A 1960-09-20 1961-12-19 Verfahren zum Herstellen von langgestreckten, insbesondere bandförmigen Halbleiterkörpern CH401919A (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES70427A DE1162329B (de) 1960-09-20 1960-09-20 Verfahren zum Herstellen von langgestreckten, insbesondere dendritischen Halbleiterkoerpern und Vorrichtung zur Durchfuehrung dieses Verfahrens
DES73416A DE1202248B (de) 1960-09-20 1961-04-11 Verfahren zum Herstellen von bandfoermigen Halbleiterkristallen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH401919A true CH401919A (de) 1965-11-15

Family

ID=25996215

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH915161A CH386395A (de) 1960-09-20 1961-08-04 Verfahren zum Herstellen von langgestreckten, insbesondere bandförmigen Halbleiterkörpern aus einer Halbleiterschmelze
CH1472261A CH401919A (de) 1960-09-20 1961-12-19 Verfahren zum Herstellen von langgestreckten, insbesondere bandförmigen Halbleiterkörpern

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH915161A CH386395A (de) 1960-09-20 1961-08-04 Verfahren zum Herstellen von langgestreckten, insbesondere bandförmigen Halbleiterkörpern aus einer Halbleiterschmelze

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3293001A (de)
CH (2) CH386395A (de)
DE (2) DE1162329B (de)
GB (2) GB930432A (de)
NL (1) NL269311A (de)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL6411697A (de) * 1963-10-15 1965-04-20
US3275417A (en) * 1963-10-15 1966-09-27 Texas Instruments Inc Production of dislocation-free silicon single crystals
US4040890A (en) * 1975-06-27 1977-08-09 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Neodymium oxide doped yttrium aluminum garnet optical fiber
US5108720A (en) * 1991-05-20 1992-04-28 Hemlock Semiconductor Corporation Float zone processing of particulate silicon
CN105002556A (zh) * 2014-04-21 2015-10-28 洛阳金诺机械工程有限公司 一种拉制硅芯时提高硅芯结晶速度的装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE500569A (de) * 1950-01-13
AT194444B (de) * 1953-02-26 1958-01-10 Siemens Ag Verfahren und Einrichtung zur Behandlung einer längserstreckten Halbleiterkristallanordnung
US2927008A (en) * 1956-10-29 1960-03-01 Shockley Transistor Corp Crystal growing apparatus
US2897329A (en) * 1957-09-23 1959-07-28 Sylvania Electric Prod Zone melting apparatus
FR1235341A (fr) * 1958-03-05 1960-07-08 Siemens Ag Procédé et appareil de fabrication continue de tiges mono-cristallines minces
US3096158A (en) * 1959-09-25 1963-07-02 Gerthart K Gaule Apparatus for pulling single crystals in the form of long flat strips from a melt

Also Published As

Publication number Publication date
GB944192A (en) 1963-12-11
DE1162329B (de) 1964-02-06
CH386395A (de) 1965-01-15
US3293001A (en) 1966-12-20
GB930432A (en) 1963-07-03
NL269311A (de)
DE1202248B (de) 1965-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CH503376A (de) Verfahren zum Zusammenstellen von Maskensätzen, insbesondere für die Herstellung von Halbleitervorrichtungen
CH412821A (de) Verfahren zum Herstellen von einkristallinen, insbesondere dünnen, halbleitenden Schichten
CH432656A (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
CH408219A (de) Verfahren zum Zertrennen von plattenförmigen Halbleiterkörpern in kleinflächigere Körper
CH391106A (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen
CH401273A (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterelementen
CH401919A (de) Verfahren zum Herstellen von langgestreckten, insbesondere bandförmigen Halbleiterkörpern
CH400583A (de) Verfahren zum Herstellen von Verschleissflächen an Werkzeugen
CH387720A (de) Verfahren zum Herstellen eines thermoelektrischen Bauelementes
CH404960A (de) Verfahren zum Polymerisieren von Glykolid
CH401918A (de) Verfahren zum Herstellen von langgestreckten, insbesondere bandförmigen Halbleiterkörpern
CH387176A (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen
CH507590A (de) Verfahren zum Herstellen von kleinflächigen Halbleiterbauelementen
CH444828A (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen
CH352889A (de) Verfahren zum gegenseitigen Anpassen von aneinanderliegenden Dichtungselementen, insbesondere Flanschenpaaren
CH410196A (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen
CH414019A (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Bauelements
CH393562A (de) Halbleitervorrichtung, insbesondere photoempfindliche Vorrichtung, und Verfahren zu deren Herstellung
CH446537A (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen
CH413112A (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen
CH414571A (de) Verfahren zum Herstellen von halbleitenden Elementen, insbesondere Silizium oder Germanium
CH391672A (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterstäben
CH401634A (de) Verfahren zum formgebenden Bearbeiten von Halbleiterkristallen
CH341578A (de) Verfahren zum Herstellen halbleitender, insbesondere lichtempfindlicher Vorrichtungen
AT275435B (de) Verfahren zum Trocknen von Schlamm, insbesondere Abwasserchlamm