CH385498A - Verfahren zur Herstellung eines einkristallinen Halbleitermaterialstabes - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines einkristallinen HalbleitermaterialstabesInfo
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES63538A DE1080973B (de) | 1959-06-20 | 1959-06-20 | Verfahren zur Herstellung von einkristallinem Halbleitermaterial |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CH385498A true CH385498A (de) | 1964-12-15 |
Family
ID=7496450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CH647760A CH385498A (de) | 1959-06-20 | 1960-06-07 | Verfahren zur Herstellung eines einkristallinen Halbleitermaterialstabes |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
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| DE (1) | DE1080973B (fr) |
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Families Citing this family (2)
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|---|---|---|---|---|
| DE1182207B (de) * | 1962-07-20 | 1964-11-26 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen eines versetzungsarmen Halbleitereinkristalls durch tiegelfreies Zonenschmelzen |
| DE3322629A1 (de) * | 1983-06-23 | 1985-01-03 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen |
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Also Published As
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