CA2466979A1 - Sled stereometrique buled - Google Patents
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Abstract
Dans le domaine d'électronique se develope éxtrement vite la partie appel ée optoélectronique. Dans leurs éléments de base l'important partie occupe très bien connue déjà SLED(Super Light Emitted Diodes)( p. I). Il s'agit des éléments semi-conducteurs avec PN passage de InGaN (Indium Gallium Nitrite diodes) mis dans le corps hermétique. Si on applique courant dans la sens"droit" il donne l'émission des ondes quantiques qui l'oeil de l'homme accepte comme lumière par exemple blanche. Dans la présente invention il s'agit d'amélioration du fonctionnement de SLE D. Les SLED's connues jusqu'à maintenant ont une grande imperfection. C'est le ur diagramme de la diffusion (p. II) de la lumière. Elle occupe une partie peti te dans l'espace autour. La lumière se diffuse dans un petit angle stéréométrique surtout de front, devons SLED(max.45.degree.).Si on change l'angle de vue par rappor t de la direction frontale, l'intensité de la lumière diminue et presque disparu si on regard de coté. Dans cette nouvelle construction, cette imperfection est complètement éliminée. Cette nouvelle génération SLED propose la diffusion de la lumière avec la force égale dans 99% de l'espace autour. Le diagramme (p. IV) de la diffusion reçois la forme d'une sphère. Cette petite étoile super brillante reçoit un diagramme comple t et parfait.
Description
MÉMOIRE DESCRIPTIF
La présente invention ce rapport a totalité des éléments électroniques bien connues SLED (Super Lights Emitted Diodes)(p. II).
Jusqu'à maintenant l'industrie fabrique SLED's avec des différentes couleurs, différente intensité de l'émission, etc. . Leur diapason des températures durant utilisation est actuellement entre --40 °C et +85° C. Les SLED's se caractérisent premièrement avec leur diagramme de la diffusion(p. II) - la distribution de la lumière dans l'espace autour.
EIIe dépend des quelques facteurs, les plus importantes sont: la construction mécanique du corps, présence ou absence de lentille optique, propriétés optiques du matériel du corps ou de la lentille, etc.
Présentement toutes les SLED's produits ont un DEFAULT ESSENSIELLE : l'angle du vue ne se trouve que dans les 45° degré du volume entourant. Cette particularité
limite beaucoup Leur fonctionnalité vers l'espace entourant. Alors restant environs 31 S degrës l'espace NE SONT PAS couverts par la luminescence(p. II).
Autrement dit c'est la plus grande majorité de l'espace qui n'est pas couverte!
Pour des cas nombreux de la pratique c'est inacceptable, parce qu'on n'est peut pas recevoir la luminescence electro-magnetique dans 99% de l'espace entourant.
Avec cette NOUVELLE GENER.ATION SLED's ce problème est éliminé. On reçoit la luminescence (p. TV) dans tout l'espace autour. Voilà comment on fait ça:
Comme l'élément de base de la nouvelle construction arrive une support micro sphérique (6,p.III). Elle a pour fonction de supporter le passages) PIN.
Le passages) PIN peut se trouver soit sur la surface et/ou dans la profondeur de la micro sphère, sans être limité de la façon de la disposition. De cette façon on reçoit la diffusion de la luminescence selon toutes les directions possibles de l'espace autour.
Le vecteur de la luminescence se dirige dans la direction de chaque radius sphérique imaginaire possible(p. IV).Il faut examiner la possibilité d'une micro-sphère faite d'un des matériaux semi-conducteurs. II a une possibilité de disposer une couche(7) entre la micro sphère (6 ) et la lentille sphérique ( 8,p.III), qui peut change certains caractéristiques de la luminescence, par exemple le couleur.
Bien sûr on peut examiner la disposition du passages) PIN des façons les plus différentes par rapport du centre et des radius de la sphère, sans être limité.
Cette nouvelle fonction surmonte les difficultés qu'on a avec le diagramme étroit au SLED's conventionnels(p. Il~.
On attache des conducteurs micro(9,p.III) vers les partis P et N de façon appropriée pour l'alimentation avec du courant électrique, comme ça se fait habituellement chez SLED conventionnel. Ils se connectent avec les connecteurs (10) pour l'anode et la cathode.
Sur les dessins est montré une construction micro-sphérique du noyau comme exemple, attendu qu'il peut être autxe figure stéréométrique sans ètre limité. Ici c'est un exemple pour la disposition des conducteurs(9) et les connecteurs(10). Bien sur qu'elles peuvent être modifiées au besoin de la technologie et/ou le marché, sans être limité.
La micro sphère(6) peut être faite de saphir artificiel ou de verre/céramique ou
La présente invention ce rapport a totalité des éléments électroniques bien connues SLED (Super Lights Emitted Diodes)(p. II).
Jusqu'à maintenant l'industrie fabrique SLED's avec des différentes couleurs, différente intensité de l'émission, etc. . Leur diapason des températures durant utilisation est actuellement entre --40 °C et +85° C. Les SLED's se caractérisent premièrement avec leur diagramme de la diffusion(p. II) - la distribution de la lumière dans l'espace autour.
EIIe dépend des quelques facteurs, les plus importantes sont: la construction mécanique du corps, présence ou absence de lentille optique, propriétés optiques du matériel du corps ou de la lentille, etc.
Présentement toutes les SLED's produits ont un DEFAULT ESSENSIELLE : l'angle du vue ne se trouve que dans les 45° degré du volume entourant. Cette particularité
limite beaucoup Leur fonctionnalité vers l'espace entourant. Alors restant environs 31 S degrës l'espace NE SONT PAS couverts par la luminescence(p. II).
Autrement dit c'est la plus grande majorité de l'espace qui n'est pas couverte!
Pour des cas nombreux de la pratique c'est inacceptable, parce qu'on n'est peut pas recevoir la luminescence electro-magnetique dans 99% de l'espace entourant.
Avec cette NOUVELLE GENER.ATION SLED's ce problème est éliminé. On reçoit la luminescence (p. TV) dans tout l'espace autour. Voilà comment on fait ça:
Comme l'élément de base de la nouvelle construction arrive une support micro sphérique (6,p.III). Elle a pour fonction de supporter le passages) PIN.
Le passages) PIN peut se trouver soit sur la surface et/ou dans la profondeur de la micro sphère, sans être limité de la façon de la disposition. De cette façon on reçoit la diffusion de la luminescence selon toutes les directions possibles de l'espace autour.
Le vecteur de la luminescence se dirige dans la direction de chaque radius sphérique imaginaire possible(p. IV).Il faut examiner la possibilité d'une micro-sphère faite d'un des matériaux semi-conducteurs. II a une possibilité de disposer une couche(7) entre la micro sphère (6 ) et la lentille sphérique ( 8,p.III), qui peut change certains caractéristiques de la luminescence, par exemple le couleur.
Bien sûr on peut examiner la disposition du passages) PIN des façons les plus différentes par rapport du centre et des radius de la sphère, sans être limité.
Cette nouvelle fonction surmonte les difficultés qu'on a avec le diagramme étroit au SLED's conventionnels(p. Il~.
On attache des conducteurs micro(9,p.III) vers les partis P et N de façon appropriée pour l'alimentation avec du courant électrique, comme ça se fait habituellement chez SLED conventionnel. Ils se connectent avec les connecteurs (10) pour l'anode et la cathode.
Sur les dessins est montré une construction micro-sphérique du noyau comme exemple, attendu qu'il peut être autxe figure stéréométrique sans ètre limité. Ici c'est un exemple pour la disposition des conducteurs(9) et les connecteurs(10). Bien sur qu'elles peuvent être modifiées au besoin de la technologie et/ou le marché, sans être limité.
La micro sphère(6) peut être faite de saphir artificiel ou de verre/céramique ou
2 des autres matériaux différents en accord avec la technologie et selon la fonction du nouveau SLED qu'on va appeler dorénavant BULEDTM.
Présentement existent des chaînes complètement automatisées pour la production des SLED's. Ils existent plusieurs technologies de disposer des couches semi-conductrices sur des supportes. Par exemple l'épitaxie.
Si l'épitaxie ou LPE ( Liquide Phase Épitaxie ) le permettent la disposition du passages) PIN sur (ou dans) la sphère peut être faite avec. On peut étudier la possibilité de disposé les PIN passages) avec la nouvelle technologie "nanocrystals"
qui peut contrôler l'épaisseur des couches (2nm - 300nm) ou les autres technologies sans être limité pour arriver à la fonction exigée.
On ne se limite pas par rapport aux manières de la disposition des couches semi-conducteurs sur les surfaces et/ou dans la profondeur des différentes supportes stéréométriques, qui peuvent contenir ou non les éléments In, Ga, N, leurs alliages ou les autres éléments et matériaux utilisées. On peut ajouter des différents éléments, alliages et matériaux pour le but de modifier les caractéristiques de la luminescence sortante. Ici, le but de cette invention est de recevoir la surface stëréométrique lumineuse dispersant la luminescence partout dans l'espace entourant. I,e vrai but est d'envoie le bulb d'Edison (avec le wolfram brûlé) dans le musée.
Ce support micro sphérique (6) avec le passages) P/N se dispose dans une lentille optique sphérique (B,p.III) pour augmentation de I' effet de la luminescence. La fonction de cette lentille sphérique est pareille aux SLED fabriquées jusqu'à
maintenant.
Cette nouvelle BULEDTM se caractérise avec toute les avantages bien connus des SLED's:
-propagation de la luminescence partout!
-une vie énormément longue, le temps de fonctionnement sans refuse est plus de heures (si on respecte les valeurs limitées admissibles des courants et de la tentions).
-la puissance lumineuse grande dans le volume petit.
-effectivité économique.
-la plus vaste région d'utilisation: l'industrie militaire, aérospatiale, aéronautique, automobile, pour les signaux du trafic, la limitation de la vitesse, la lumière dans les rues, éclairage des sorties, dans les tunnels, dans le métro, a la maison, l'industrie de divertissements( loteries vidéo, casinos, etc.), les panneaux informatisés pour hockey et le soccer, dans le cinéma, théâtre, Disney lands, décorations Noël, dans le domaine de la médecine, tourisme, commerce, avertissements le loisir, etc.
Présentement existent des chaînes complètement automatisées pour la production des SLED's. Ils existent plusieurs technologies de disposer des couches semi-conductrices sur des supportes. Par exemple l'épitaxie.
Si l'épitaxie ou LPE ( Liquide Phase Épitaxie ) le permettent la disposition du passages) PIN sur (ou dans) la sphère peut être faite avec. On peut étudier la possibilité de disposé les PIN passages) avec la nouvelle technologie "nanocrystals"
qui peut contrôler l'épaisseur des couches (2nm - 300nm) ou les autres technologies sans être limité pour arriver à la fonction exigée.
On ne se limite pas par rapport aux manières de la disposition des couches semi-conducteurs sur les surfaces et/ou dans la profondeur des différentes supportes stéréométriques, qui peuvent contenir ou non les éléments In, Ga, N, leurs alliages ou les autres éléments et matériaux utilisées. On peut ajouter des différents éléments, alliages et matériaux pour le but de modifier les caractéristiques de la luminescence sortante. Ici, le but de cette invention est de recevoir la surface stëréométrique lumineuse dispersant la luminescence partout dans l'espace entourant. I,e vrai but est d'envoie le bulb d'Edison (avec le wolfram brûlé) dans le musée.
Ce support micro sphérique (6) avec le passages) P/N se dispose dans une lentille optique sphérique (B,p.III) pour augmentation de I' effet de la luminescence. La fonction de cette lentille sphérique est pareille aux SLED fabriquées jusqu'à
maintenant.
Cette nouvelle BULEDTM se caractérise avec toute les avantages bien connus des SLED's:
-propagation de la luminescence partout!
-une vie énormément longue, le temps de fonctionnement sans refuse est plus de heures (si on respecte les valeurs limitées admissibles des courants et de la tentions).
-la puissance lumineuse grande dans le volume petit.
-effectivité économique.
-la plus vaste région d'utilisation: l'industrie militaire, aérospatiale, aéronautique, automobile, pour les signaux du trafic, la limitation de la vitesse, la lumière dans les rues, éclairage des sorties, dans les tunnels, dans le métro, a la maison, l'industrie de divertissements( loteries vidéo, casinos, etc.), les panneaux informatisés pour hockey et le soccer, dans le cinéma, théâtre, Disney lands, décorations Noël, dans le domaine de la médecine, tourisme, commerce, avertissements le loisir, etc.
3
Claims (9)
1.Un élément électronique SLED stéréométrique, qui dorénavant va être appelé
BULED.TM. basé sur le processus physique électroluminescence injection.
BULED.TM. basé sur le processus physique électroluminescence injection.
2.Un BULED.TM.(p. III), comme il est défini dans la revendication 1 ayant comme un noyau de base un taquet(support) stéréométrique (6) pour le(les) passage(s) semi-conducteur(s) P/N.
3.Le noyau (6), défini dans la revendication 2 a une forme stéréométrique (par exemple sphère), peut être fait d'un élément ou plus. Il peut être fait d'un (ou plus) élément(s) qui entrent dans la composition semi-conductrice lumineux P/N ou être fait d'un élément(s) ou des matériaux différents, qui n'entrent pas dans le processus physique de la luminescence.
4. PIN passage(s), qui sont disposées sur la surface et/ou profondeur du noyau(6) défini dans la revendication 3 et exécutent le processus physique électroluminescence injection, donnant le rayonnement lumineux dans la 99% du volume entourant.
C'est à
dire selon tout le vectoriel possible ayant la même direction avec des radius sphériques imaginaires de la micro sphère pris comme exemple, sans être limité (p. IV ). Ici, on donne comme un exemple un BULED.TM. avec le noyau sphérique(6), comme il est montré sur les dessins ( p. III ). Il n'y a aucun restriction sur la façon de la disposition des PIN passage(s) sur la surface stéréométrique et/ou dans la profondeur de la micro sphère. La seule exigence est de recevoir l'effet lumineux dans 99% de l'espace entourant le BULED.TM..
C'est à
dire selon tout le vectoriel possible ayant la même direction avec des radius sphériques imaginaires de la micro sphère pris comme exemple, sans être limité (p. IV ). Ici, on donne comme un exemple un BULED.TM. avec le noyau sphérique(6), comme il est montré sur les dessins ( p. III ). Il n'y a aucun restriction sur la façon de la disposition des PIN passage(s) sur la surface stéréométrique et/ou dans la profondeur de la micro sphère. La seule exigence est de recevoir l'effet lumineux dans 99% de l'espace entourant le BULED.TM..
5. Des conducteurs (9) qui sont connectées vers le(s) P/N passage(s), définis dans la revendication 4 qui ont la tache d'assurer l'alimentation avec l'électricité (courant électrique avec la tension appropriée) les P/N passage(s) mentionnées plus haut.
Il n'y a aucune restriction sur les questions des matériaux, de l'épaisseur( le moins possible pour le courant approprier), leur longueur, la forme, la façon de la micro soudure avec laquelle ils sont connectés. Ces questions sont résolues selon la technologie automatisée appliquée(s'il est nécessaire il est possible de corriger certains éléments de la technologie pour recevoir la fonction exigée du BULED.TM.), sans être limité.
Il n'y a aucune restriction sur les questions des matériaux, de l'épaisseur( le moins possible pour le courant approprier), leur longueur, la forme, la façon de la micro soudure avec laquelle ils sont connectés. Ces questions sont résolues selon la technologie automatisée appliquée(s'il est nécessaire il est possible de corriger certains éléments de la technologie pour recevoir la fonction exigée du BULED.TM.), sans être limité.
6.Des connecteurs (10) pour l'anode et la cathode micro soudée avec les conducteurs (9), définis dans la revendication 5, qui ont la fonction exactement la même comme dans les SLED's générations précédentes: alimenter avec l'électricité du BULED .TM..
.
.
7.Une diode SLED selon les revendications (1-6) qui consiste en addition chimiques et/ou organiques et/ou biochimiques qui exercent une influence sur la luminescence.
8.Une lentille sphérique optique convexe (8) qui a le même but comme dans les SLED précédentes - augmentation de l'effet de la luminescence. Elle peut être aussi une lentille composée avec des façons différentes de la disposition, des sortes, du nombre des éléments composées, sans être limité. Elle entoure tous les éléments décrits dans les revendications précédentes (1-8). Elle peut être faite des différentes sortes d'époxy transparent comme dans les SLED précédentes sans être limité, et avoir au besoin des additions pour modifier les caractéristiques de la luminescence reçue ou d'exécuter la filtration optique d'une partie ou plus du rayonnement.
9.Le nouveau BULED.TM., défini dans les revendications (1-8) peut être fabriqué
avec différentes proportions des éléments établis sans être limité, par exemple dans le cas de la micro- sphère(6), elle peut avoir des diamètres différentes dans chaque cas séparé. On peut le fabriquer avec des différentes caractéristiques de la luminescence sortant, comme par exemple la couleur, etc., sans être limité. Il peut être fabriqué
par connexion de plus d'un BULED.TM. des façons des plus différents possibles, sans être limité. Cette structure peut consister en BULED.TM. des sortes différentes. Il est possible de fabriqué BULED.TM. qui contient plus d'un support stéréométrique(6) dans une lentille sphérique.
avec différentes proportions des éléments établis sans être limité, par exemple dans le cas de la micro- sphère(6), elle peut avoir des diamètres différentes dans chaque cas séparé. On peut le fabriquer avec des différentes caractéristiques de la luminescence sortant, comme par exemple la couleur, etc., sans être limité. Il peut être fabriqué
par connexion de plus d'un BULED.TM. des façons des plus différents possibles, sans être limité. Cette structure peut consister en BULED.TM. des sortes différentes. Il est possible de fabriqué BULED.TM. qui contient plus d'un support stéréométrique(6) dans une lentille sphérique.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CA 2466979 CA2466979A1 (fr) | 2004-05-18 | 2004-05-18 | Sled stereometrique buled |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CA 2466979 CA2466979A1 (fr) | 2004-05-18 | 2004-05-18 | Sled stereometrique buled |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CA2466979A1 true CA2466979A1 (fr) | 2005-11-18 |
Family
ID=35452143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CA 2466979 Abandoned CA2466979A1 (fr) | 2004-05-18 | 2004-05-18 | Sled stereometrique buled |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CA (1) | CA2466979A1 (fr) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008019041A3 (fr) * | 2006-08-03 | 2008-10-30 | Intematix Corp | Dispositif d'éclairage par led comprenant un phosphore luminescent |
| CN101513120A (zh) * | 2006-08-03 | 2009-08-19 | 英特曼帝克司公司 | 包含发光磷光体的发光二极管照明布置 |
| US8604678B2 (en) | 2010-10-05 | 2013-12-10 | Intematix Corporation | Wavelength conversion component with a diffusing layer |
| US8610340B2 (en) | 2010-10-05 | 2013-12-17 | Intematix Corporation | Solid-state light emitting devices and signage with photoluminescence wavelength conversion |
| US8610341B2 (en) | 2010-10-05 | 2013-12-17 | Intematix Corporation | Wavelength conversion component |
| US8614539B2 (en) | 2010-10-05 | 2013-12-24 | Intematix Corporation | Wavelength conversion component with scattering particles |
| US8957585B2 (en) | 2010-10-05 | 2015-02-17 | Intermatix Corporation | Solid-state light emitting devices with photoluminescence wavelength conversion |
| US9512970B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-12-06 | Intematix Corporation | Photoluminescence wavelength conversion components |
| US9546765B2 (en) | 2010-10-05 | 2017-01-17 | Intematix Corporation | Diffuser component having scattering particles |
| US10557594B2 (en) | 2012-12-28 | 2020-02-11 | Intematix Corporation | Solid-state lamps utilizing photoluminescence wavelength conversion components |
-
2004
- 2004-05-18 CA CA 2466979 patent/CA2466979A1/fr not_active Abandoned
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008019041A3 (fr) * | 2006-08-03 | 2008-10-30 | Intematix Corp | Dispositif d'éclairage par led comprenant un phosphore luminescent |
| CN101513120A (zh) * | 2006-08-03 | 2009-08-19 | 英特曼帝克司公司 | 包含发光磷光体的发光二极管照明布置 |
| US8067884B2 (en) | 2006-08-03 | 2011-11-29 | Intematrix Corporation | LED lighting arrangement including a substantially spherical optical component having a surface partially coated with a light emitting phosphor |
| US9595644B2 (en) | 2006-08-03 | 2017-03-14 | Intematix Corporation | LED lighting arrangement including light emitting phosphor |
| US9045688B2 (en) | 2006-08-03 | 2015-06-02 | Intematix Corporation | LED lighting arrangement including light emitting phosphor |
| US8614539B2 (en) | 2010-10-05 | 2013-12-24 | Intematix Corporation | Wavelength conversion component with scattering particles |
| US8610341B2 (en) | 2010-10-05 | 2013-12-17 | Intematix Corporation | Wavelength conversion component |
| US8957585B2 (en) | 2010-10-05 | 2015-02-17 | Intermatix Corporation | Solid-state light emitting devices with photoluminescence wavelength conversion |
| US8610340B2 (en) | 2010-10-05 | 2013-12-17 | Intematix Corporation | Solid-state light emitting devices and signage with photoluminescence wavelength conversion |
| US9546765B2 (en) | 2010-10-05 | 2017-01-17 | Intematix Corporation | Diffuser component having scattering particles |
| US8604678B2 (en) | 2010-10-05 | 2013-12-10 | Intematix Corporation | Wavelength conversion component with a diffusing layer |
| US10557594B2 (en) | 2012-12-28 | 2020-02-11 | Intematix Corporation | Solid-state lamps utilizing photoluminescence wavelength conversion components |
| US9512970B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-12-06 | Intematix Corporation | Photoluminescence wavelength conversion components |
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