BG67136B1 - The hall effect magnetometer - Google Patents
The hall effect magnetometer Download PDFInfo
- Publication number
- BG67136B1 BG67136B1 BG112514A BG11251417A BG67136B1 BG 67136 B1 BG67136 B1 BG 67136B1 BG 112514 A BG112514 A BG 112514A BG 11251417 A BG11251417 A BG 11251417A BG 67136 B1 BG67136 B1 BG 67136B1
- Authority
- BG
- Bulgaria
- Prior art keywords
- hall
- sensor
- hall effect
- contact
- terminal
- Prior art date
Links
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
Description
Област на техникатаField of technology
Изобретението се отнася до магнитометър на Хол, приложимо в областта на роботиката и мехатрониката; контролно-измервателната технология и слабополевата магнигометрия; безконтактното измерване на ъглови и линейни премествания; позиционирането на обекти в равнината и пространството; безконтактната автоматика; микро- и наноелектрониката; биомедицинските изследвания; енергетиката и енергийната ефективност; автомобилната промишленост, в това число електромобилостроенето; военното дело и сигурността, включително контратероризма, и др.The invention relates to a Hall magnetometer applicable in the field of robotics and mechatronics; control and measurement technology and low-field magnigometry; non-contact measurement of angular and linear displacements; the positioning of objects in the plane and space; contactless automation; micro- and nanoelectronics; biomedical research; energy and energy efficiency; the automotive industry, including the electric car industry; military affairs and security, including counter-terrorism, etc.
Предшестващо състояние на техникатаBACKGROUND OF THE INVENTION
Известен е магнитометър на Хол, съдържащ полупроводников сензор на Хол с ортогонална или равнинна чувствителност и формирани два захранващи и два измервателни контакти, изграждащи съответно входа и диференциалния Холов изход на сензора. Входът е свързан с двата извода на захранващ източник, а изходът - с диференциалния вход на измервателна електронна схема с цифрова индикация (цифров дисплей), също съединена с токоизточника. Измерваното магнитно поле е перпендикулярно на съответната активна равнина на сензора на Хол, като информационният изход на магнитометъра е цифровият дисплей към електронната схема [1, 2, 3].A Hall magnetometer is known, comprising a semiconductor Hall sensor with orthogonal or planar sensitivity and formed two supply and two measuring contacts, building respectively the input and the differential Hall output of the sensor. The input is connected to the two terminals of a power supply, and the output - to the differential input of a measuring electronic circuit with digital indication (digital display), also connected to the power source. The measured magnetic field is perpendicular to the corresponding active plane of the Hall sensor, and the information output of the magnetometer is the digital display to the electronic circuit [1, 2, 3].
Недостатък на този магнитометър на Хол е нелинейността на информационния изход, в резултат на физически процеси в сензора на Хол, което налага използване на линеаризираща компенсация на предавателната (изходната) характеристика на сензора, действаща в тесен интервал на магнитната индукция и в общия случай тази компенсация е слабо ефективна.The disadvantage of this Hall magnetometer is the nonlinearity of the information output, as a result of physical processes in the Hall sensor, which requires the use of linearizing compensation of the transmitting (output) characteristic of the sensor acting in a narrow range of magnetic induction and in general this compensation is poorly effective.
Недостатък е също повишената метрологична грешка при относително по-високите стойности на магнитната индукция, свързана с нелинейността на предавателната характеристика на сензора на Хол.Another disadvantage is the increased metrological error at relatively higher values of magnetic induction associated with the nonlinearity of the transmission characteristic of the Hall sensor.
Техническа същност на изобретениетоTechnical essence of the invention
Задача на изобретението е да се създаде магнитометър на Хол с линейна характеристика на информационния изход в широк интервал на магнитната индукция и с минимална метрологична грешка.It is an object of the invention to provide a Hall magnetometer with a linear characteristic of the information output over a wide range of magnetic induction and with minimal metrological error.
Тази задача се решава с магнитометър на Хол, съдържащ полупроводников сензор на Хол с ортогонална или равнинна чувствителност и формирани два захранващи и един измервателен Холов контакт. Единият от захранващите контакти е свързан с извода на товарен резистор, съпротивлението на който е поне с един порядък по-голямо от това на сензора на Хол. Другият извод на резистора е съединен с извода на токоизточник, вторият извод на който е свързан с останалия захранващ контакт на сензора. Към двата захранващи контакта на сензора на Хол са съединени съответно двата извода на високоомен тример, средната точка на който и Холовият контакт са диференциалният изход на сензора. Този изход е свързан с диференциалния вход на измервателна електронна схема с цифров дисплей, също съединена с токоизточника. Измерваното магнитно поле е перпендикулярно на съответната активна равнина на сензора на Хол, като информационният изход на магнитометъра е цифровият дисплей към електронната схема.This problem is solved with a Hall magnetometer containing a semiconductor Hall sensor with orthogonal or planar sensitivity and formed two supply and one measuring Hall contact. One of the power contacts is connected to the output of a load resistor, the resistance of which is at least one order of magnitude greater than that of the Hall sensor. The other terminal of the resistor is connected to the terminal of the current source, the second terminal of which is connected to the rest of the power contact of the sensor. To the two supply contacts of the Hall sensor are connected respectively the two terminals of a high-impedance trimmer, the midpoint of which and the Hall contact are the differential output of the sensor. This output is connected to the differential input of a measuring electronic circuit with a digital display, also connected to the power source. The measured magnetic field is perpendicular to the corresponding active plane of the Hall sensor, and the information output of the magnetometer is the digital display to the electronic circuit.
Предимство на изобретението е линейната характеристика на информационния изход в широк интервал на магнитната индукция чрез отстраняване при измерването на тази част от физическите процеси, които генерират нелинейност на елементите на Хол.An advantage of the invention is the linear characteristic of the information output in a wide range of magnetic induction by removing in the measurement that part of the physical processes which generate nonlinearity of the Hall elements.
Предимство е също минималната метрологична грешка в широк диапазон на магнитната индукция, поради високата линейност на предавателната характеристика на сензора на Хол.Another advantage is the minimal metrological error in a wide range of magnetic induction, due to the high linearity of the transmission characteristic of the Hall sensor.
Предимство е още драстично разширеният обхват на измерваната магнитна индукция, надхвърлящ повече от 3.0 Т.Another advantage is the drastically extended range of the measured magnetic induction, exceeding more than 3.0 T.
Пояснение на приложената фигураExplanation of the attached figure
По-подробно изобретението се пояснява с едно негово примерно изпълнение, дадено на приложената фигура 1.The invention is illustrated in more detail by one of its embodiments given in the attached figure 1.
Описания на издадени патенти за изобретенияDescriptions of granted patents for inventions
Примери за изпълнение на изобретението № 09.2/30.09.2020Examples of the invention № 09.2 / 30.09.2020
Магнитометърът на Хол съдържа полупроводников сензор на Хол 1 с ортогонална или равнинна чувствителност и формирани два захранващи 2 и 3, и един измервателен Холов контакт 4. Единият от захранващите контакти 2 е свързан с извода на товарен резистор 5, съпротивлението на който е поне с един порядък по-голямо от това на сензора на Хол 1. Другият извод на резистора 5 е съединен с извода на токоизточник 6, вторият извод на който е свързан със захранващия контакт 3 на сензора 1. Към контакти 2 и 3 на сензора на Хол 1 са съединени съответно двата извода на високоомен тример 7, средната точка на който и Холовият контакт 4 са диференциалният изход на сензора 1. Този изход е свързан с диференциалния вход на измервателна електронна схема 8 с цифров дисплей 9, също съединена с токоизточника 6. Измерваното магнитно поле 10 е перпендикулярно на съответната активна равнина на сензора на Хол 1, като информационният изход на магнитометъра е цифровият дисплей 9 към електронната схема 8.The Hall magnetometer contains a semiconductor Hall sensor 1 with orthogonal or plane sensitivity and formed two supply 2 and 3, and one measuring Hall contact 4. One of the supply contacts 2 is connected to the output of a load resistor 5, the resistance of which is at least one an order of magnitude greater than that of the Hall sensor 1. The other terminal of the resistor 5 is connected to the terminal of the current source 6, the second terminal of which is connected to the power contact 3 of the sensor 1. To contacts 2 and 3 of the Hall sensor 1 are connected respectively the two terminals of a high-resistance trimmer 7, the midpoint of which and the Hall contact 4 are the differential output of the sensor 1. This output is connected to the differential input of a measuring electronic circuit 8 with a digital display 9, also connected to the current source 6. The measured magnetic field 10 is perpendicular to the respective active plane of the Hall sensor 1, the information output of the magnetometer being the digital display 9 to the electronic circuit 8.
Действието на магнитометъра на Хол, съгласно изобретението, е следното.The operation of the Hall magnetometer according to the invention is as follows.
При включване на източника 6 в полупроводниковия елемент на Хол 1 протича фиксиран ток Ig = const, състоящ се основно от електрони. Тяхната подвижност винаги многократно превъзхожда тази на дупките, поради което сензорите на Хол 1 се реализират на основата на п-тип полупроводници силиций, Ge, GaAs, InSb, InP и др. Сензорът на Хол 1 функционира в режим генератор на ток Ig = const, тъй като към контакта 2 е свързан товарен резистор 5, съпротивлението на който е поне с един порядък по-голямо от това на сензора на Хол 1. Прилагането на измерваното магнитно поле В 10 перпендикулярно на съответната активна равнина на сензора 1, води до възникване на странично отклоняваща отрицателните електрони сила на Лоренц F В резултат електричните товари се концентрират към едната гранична повърхност на елемента на Хол 1. Върху срещуположната страна на структурата 1 обаче се „оголват” неподвижните донорни йони, концентрацията ND на които съвпада с тази на допълнителните неравновесни електрони от другата гранична повърхност на сензора 1, N. = ND+. По тази причина между двете срещуположни страни на елемента 1, където се разполагат Холовите контакти се генерира електричното поле на Хол Е компенсиращо отклоняващото действие на силата на Лоренц, Ен = Fl. Полето на Хол Ен обуславя добре известното напрежение на Хол VH.When the source 6 is connected to the semiconductor element of Hall 1, a fixed current I g = const, consisting mainly of electrons, flows. Their mobility is always many times greater than that of the holes, which is why the Hall 1 sensors are realized on the basis of n-type semiconductors silicon, Ge, GaAs, InSb, InP and others. The Hall sensor 1 operates in current generator mode I g = const, as a load resistor 5 is connected to the contact 2, the resistance of which is at least one order of magnitude greater than that of the Hall sensor 1. The application of the measured magnetic field In 10 perpendicular to the corresponding active plane of the sensor 1, a lateral deflection of the negative electron force of Lorentz F occurs. As a result, the electric loads are concentrated on one boundary surface of the Hall 1 element. However, on the opposite side of the structure 1 stationary donor ions, the concentration N D of which coincides with that of the additional nonequilibrium electrons from the other boundary surface of the sensor 1, N. = N D + . For this reason, the electric field of Hall E is compensated between the two opposite sides of the element 1, where the Hall contacts are located, compensating for the deflecting action of the Lorentz force, Е н = F l . The Hall E n field determines the well-known Hall V H voltage.
До неотдавна в теорията на ефекта на Хол се приемаше, че допълнителните електрони върху съответната страна на сензорите на Хол 1 са също неподвижни както положителните донорни йони ND+. Съгласно проведените мащабни изследвания от Руменин, Лозанова и Нойков [4] е открито съществуването на неравновесен магнитноуправляем повърхностен ток \Im(4,..B) върху Холовите (страничните) повърхности. Той е линейна и нечетна функция от стойността и посоката както на захранващия ток I така и на магнитното поле В 10. Фактически допълнителните електрични товари, например електроните, генерирани от силата на Лоренц FL върху едната Холова страна увеличават повърхностния й ток, като едновременно върху срещуположната Холова страна доминира същият електричен товар, но от некомпенсирани положителни донорни йони, които са неподвижни в кристалната решетка. В същата интерфейсна зона повърхностният ток намалява със същата стойност, с каквато е нараснал върху срещуположната страна. Токът \ I/I... В) е фундаментална закономерност, възпроизводим е и не следва от класическата теория на явлението на Хол. Този ток е резултат от иновативната концепция за подвижни, а не статични неравновесни токоносители, генерирани от силата на Лоренц FUntil recently, the Hall effect theory assumed that the additional electrons on the corresponding side of the Hall 1 sensors were as stationary as the positive N D + donor ions. According to the large-scale studies conducted by Rumenin, Lozanova and Noykov [4], the existence of an nonequilibrium magnetically controlled surface current \ I m (4, .. B) on the Hall (side) surfaces was discovered. It is a linear and odd function of the value and direction of both the supply current I and the magnetic field B 10. In fact, additional electric loads, such as electrons generated by the Lorentz force F L on one Hall side, increase its surface current, while at the same time the opposite Hall side is dominated by the same electrical load, but by uncompensated positive donor ions that are stationary in the crystal lattice. In the same interface zone, the surface current decreases by the same value as it increased on the opposite side. Current \ I / I ... C) is a fundamental regularity, it is reproducible and does not follow from the classical theory of Hall's phenomenon. This current is the result of the innovative concept of mobile rather than static non-equilibrium current carriers generated by the Lorentz F force.
Същевременно магнитноуправляемият повърхностен ток AIm(Ig,B) оказва въздействие на двата Холови потенциала φ и φΗ2 върху срещуположните Холови страни на сензора 1. Именно това ново свойство съдържа решението за нелинейността на елементите на Хол 1. Хипотезата, че тези потенциали следва да са равни по абсолютна стойност φ = φΗ2, независимо от силата на захранващия ток Is и стойността на магнитната индукция В 10 е неточна. При ниски стойности на параметрите Is и В съществува симетрия на Холовите потенциали - φ и + φΗ2 - те са противоположни по знак и еднакви по абсолютна стойност φ = φΗ2, съгласно теорията на ефекта на Хол. Обаче при относително по-високи нива на захранването Is и на магнитното поле В 10 предавателните характеристики на сензорите на Хол 1 стават асиметрични. Когато силата на Лоренц FL отклонява електроните към една от страните, потенциалът φ върху срещуположната е строго линейна функция от тока Is и индукцията В 10 доAt the same time, the magnetically controlled surface current AI m (I g , B) affects the two Hall potentials φ and φ Η2 on the opposite Hall sides of sensor 1. It is this new property that contains the solution for the nonlinearity of Hall elements 1. The hypothesis that these potentials follow be equal in absolute value φ = φ Η2 , regardless of the strength of the supply current I s and the value of the magnetic induction B 10 is inaccurate. At low values of the parameters I s and B there is a symmetry of the Hall potentials - φ and + φ Η2 - they are opposite in sign and equal in absolute value φ = φ Η2 , according to the theory of the Hall effect. However, at relatively higher power levels I s and the magnetic field B 10, the transmission characteristics of the Hall 1 sensors become asymmetric. When the Lorentz force F L deflects the electrons to one of the sides, the potential φ on the opposite is a strictly linear function of the current I s and the induction B 10 to
Описания на издадени патенти за изобретения № 09.2/30.09.2020 максимално възможните в експериментите стойности на параметрите ток Ig и индукция В 10. Това е случаят на „чистата” проява на ефекта на Хол. С нарастването на задаващите параметри Is и В все повече донорни йони, легирани в регулярната кристална решетка на основния полупроводник, например силиций, „се оголват”. Зависимостта на потенциала φΗ2 (В) върху срещуположната страна във функция на полето В 10, където се натрупват електроните при същите стойности на Is и В започва съществено да се отклонява от очакваната права линия. Например, съгласно експериментите при относителна магниточувствителност на сензор на Хол 1 S = 170 V/AT, индукция В = 1.6 Т, температура 300 К и захранващ ток Is = 8 mA отклонението от правата линия съставлява около 90-100 mV или около 3 -4% от номинала. Това е съществена метрологична грешка. Тази негативна девиация на предавателната характеристика от правата линия нараства с увеличаване на индукцията В 10 и тока Ig. Причината е в генериране върху електрод Н2 на допълнителен потенциал към Холовия, свързан с магнитосъпротивление. То произлиза от повишеното разсейване на електроните, формиращи повърхностния ток от интерфейсните дефекти в приповърхностна зона с контакт Н2 на структурата 1.Descriptions of issued patents for inventions № 09.2 / 30.09.2020 the maximum possible in the experiments values of the parameters current I g and induction B 10. This is the case of the "pure" manifestation of the Hall effect. As the setting parameters I s and B increase, more and more donor ions doped in the regular crystal lattice of the main semiconductor, for example silicon, are "exposed". The dependence of the potential φ Η2 (B) on the opposite side as a function of the field B 10, where the electrons accumulate at the same values of I s and B begins to deviate significantly from the expected straight line. For example, according to experiments with a relative magnetic sensitivity of a Hall 1 sensor S = 170 V / AT, induction B = 1.6 T, temperature 300 K and supply current I s = 8 mA, the deviation from the straight line is about 90-100 mV or about 3 - 4% of face value. This is a significant metrological error. This negative deviation of the transmission characteristic from the straight line increases with increasing induction B 10 and current I g . The reason is in the generation on the H 2 electrode of an additional potential to the Hall associated with the magnetoresistance. It results from the increased scattering of the electrons forming the surface current by the interface defects in the near-surface zone with contact H 2 of the structure 1.
Следователно, ако за метрологичен информационен сигнал се използва само напрежението V (I ,В) върху Холовия електрод Ц 4, от чиято равнина се отклоняват електроните от силата F тогава негативните проблеми с нелинейността, точността на измерването и обхвата на магнитната индукция 10 са напълно технически решими. Реално се използва половината от цялото генерирано напрежение на Хол в структурата 1, обаче тази негова част, която е линейна. По тази причина се включва високоомният тример 7, двата извода на който са свързани със захранващите контакти 2 и 3 на сензора 1. Средната точка на тримера 7 служи за референтен електрод, по отношение на който се измерва стойността на магнитната индукция в изключително широк диапазон на магнитното поле В 10. Тримерът 7 се настройва така, че в отсъствие на поле В = 0 10 потенциалът върху средната точка да съвпада с този на контакта Ц 4. Това позволява постигането на висока метрологична точност и компенсиране на офсета и на проявите на квадратичното магнитосъпротивление, развиващо се в обема на елемента на Хол 1. Чрез режима на сензора 1 генератор на ток се постига синхронно (синфазно) изменение на магниторезистивното напрежение върху захранващите контакти 2 и 3 в магнитно поле В 10 и на съответния магнигорезистивен потенциал върху контакт Н 4. Режимът генератор на ток, освен с товарния резистор 5 може да се осъществи еквивалентно и с други известни решения, съдържащи, например, транзисторен модул. В нашия случай главното за действието на магнитометъра е необходимостта сензорът на Хол 1 да функционира в режим генератор на ток. Диференциалното напрежение между контакт Н 4 и средната точка на тримера 7, т. е. изходът на сензора 1 се подава на измервателната електронна схема 8, дисплеят 9 към която е изходът на магнитометъра на Хол. По този начин отпада необходимостта да се ползва вторият, „нелинейният” Холов електрод Н2. Тримерът 7 е високоомен с цел през него да протича минимален ток, за да не се смущава режима на сензора 1.Therefore, if only the voltage V (I, B) on the Hall electrode C 4 is used for the metrological information signal, from the plane of which the electrons deviate from the force F then the negative problems with the nonlinearity, measurement accuracy and magnetic induction range 10 are completely technical. let's solve. In reality, half of the total generated Hall voltage in structure 1 is used, however, that part of it that is linear. For this reason, the high-resistance trimmer 7 is switched on, the two terminals of which are connected to the supply contacts 2 and 3 of the sensor 1. The middle point of the trimmer 7 serves as a reference electrode with respect to which the value of magnetic induction is measured in an extremely wide range. the magnetic field B 10. The trimmer 7 is adjusted so that in the absence of field B = 0 10 the potential on the midpoint coincides with that of the contact C 4. This allows to achieve high metrological accuracy and compensation of the offset and the manifestations of quadratic magnetoresistance , developing in the volume of the Hall element 1. Through the mode of the sensor 1 current generator is achieved synchronous (in-phase) change of the magnetoresistive voltage on the supply contacts 2 and 3 in magnetic field B 10 and the corresponding magnetoresistive potential on contact H 4. The current generator mode, in addition to the load resistor 5, can be implemented equivalently with other known solutions containing, for example, a transistor plow module. In our case, the main thing for the operation of the magnetometer is the need for the Hall 1 sensor to operate in current generator mode. The differential voltage between contact H 4 and the midpoint of the trimmer 7, ie the output of the sensor 1 is fed to the measuring electronic circuit 8, the display 9 to which is the output of the Hall magnetometer. Thus, there is no need to use the second, "nonlinear" Hall electrode H 2 . The trimmer 7 is high-impedance in order to flow a minimum current through it, so as not to disturb the mode of the sensor 1.
Настройката за работа на новия магнитометър на Хол, аналогично на други подобни инструменти, се осъществява по следния начин. Върху една от страните на плоската измервателна сонда, в която е разположен сензорът на Хол 1 е маркирана точка с определен цвят. Посоката на тока Is през елемента 1 е предварително фиксирана и не се променя. Точката е върху тази равнина на сондата, която ако е обърната към северния полюс на магнит, показанията на дисплея 9 са положителни. Това означава, че от повърхността, върху която е формиран единственият Холов контакт Н ( 4 на сензора 1 електроните се отклоняват от силата на Лоренц към срещуположната страна. Осъществява се и задължителното калибриране на показанията на дисплея 9 чрез измервателната електронна схема 8 в магнитно поле В 10 с от напред известни стойности на индукцията В. След тези предварителни настройки, сондата с цветната точка се поставя в неизвестно по стойност и посока магнитно поле В 10. Коректното отчитане е само ако знакът на цифрите върху дисплея 7 е положителен или нула. Ако показанията върху дисплея са отрицателни, т. е. силата на Лоренц отклонява електроните към страната с контакт Н ( равнината на сондата с точката се обръща за да станат показанията върху дисплея 9 положителни и максимални по стойност. Така се получава коректна метрологична информация едновременно за посоката и стойността на полето В 10.The setting for the operation of the new Hall magnetometer, similar to other similar instruments, is performed as follows. On one of the sides of the flat measuring probe, in which the Hall 1 sensor is located, a point of a certain color is marked. The direction of the current I s through the element 1 is pre-fixed and does not change. The point is on that plane of the probe which, if facing the north pole of the magnet, the readings on the display 9 are positive. This means that from the surface on which the only Hall contact H ( 4 of the sensor 1 is formed) the electrons deviate from the Lorentz force to the opposite side. The obligatory calibration of the readings 9 is performed by the measuring electronic circuit 8 in magnetic field B 10 s pre-known induction values B. After these presets, the color dot probe is placed in an unknown value and direction magnetic field B 10. Correct reading is only if the number sign on the display 7 is positive or zero. on the display are negative, ie the Lorentz force deflects the electrons to the side with contact H (the plane of the probe with the dot is inverted to make the readings on the display 9 positive and maximum in value. Thus correct metrological information is obtained simultaneously for the direction and the value of field B 10.
Неочакваният положителен ефект на новото техническо решение е, че за първи път в магнито56The unexpected positive effect of the new technical solution is that for the first time in the magneto56
Описания на издадени патенти за изобретения № 09.2/30.09.2020 метрията се предлага иновативна конфигурация, която елиминира един от най-сериозните недостатъци - нелинейността на предавателната сензорна характеристика при максимално разширен обхват на измерваната магнитна индукция В 10 като точността е съществено повишена.Descriptions of issued patents for inventions № 09.2 / 30.09.2020 metry offers an innovative configuration that eliminates one of the most serious drawbacks - the nonlinearity of the transmitting sensor characteristic at the maximum extended range of the measured magnetic induction B 10 as accuracy is significantly increased.
Като сензори на Хол 1 в новия магнитометър могат да се използват всички видове и модификации на този клас полупроводникови преобразуватели. Това обхваща както класическите ортогонални конфигурации с правоъгълна, квадратна, триъгълна, ромбоидна и други геометрични форми, така и многобройните разновидности Холови сензори с равнинна магниточувствителност. В частност, на фигура 1 като илюстрация на решението е използван елемент на Хол 1 с ортогонално активиране.All types and modifications of this class of semiconductor converters can be used as Hall 1 sensors in the new magnetometer. This covers both the classical orthogonal configurations with rectangular, square, triangular, rhomboid and other geometric shapes, as well as the numerous varieties of Hall sensors with plane magnetic sensitivity. In particular, in Figure 1, an orthogonal activation Hall 1 element is used to illustrate the solution.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
BG112514A BG67136B1 (en) | 2017-05-30 | 2017-05-30 | The hall effect magnetometer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
BG112514A BG67136B1 (en) | 2017-05-30 | 2017-05-30 | The hall effect magnetometer |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
BG112514A BG112514A (en) | 2018-12-17 |
BG67136B1 true BG67136B1 (en) | 2020-08-31 |
Family
ID=71403272
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
BG112514A BG67136B1 (en) | 2017-05-30 | 2017-05-30 | The hall effect magnetometer |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
BG (1) | BG67136B1 (en) |
-
2017
- 2017-05-30 BG BG112514A patent/BG67136B1/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
BG112514A (en) | 2018-12-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105652220B (en) | Hall sensor and compensation method for offset caused by temperature distribution of Hall sensor | |
US9739812B2 (en) | Sensor element with temperature compensating function, and magnetic sensor and electric power measuring device which use same | |
US20150309129A1 (en) | Magnetic sensor and production method therefor | |
CN113411074B (en) | Hall sensor switch and electronic equipment | |
KR101825313B1 (en) | Magnetic detection apparatus | |
JP2015078949A (en) | Hall electromotive force signal detection circuit | |
BG67136B1 (en) | The hall effect magnetometer | |
Roumenin et al. | Double-Hall sensor with reduced offset and temperature drift | |
Lozanova et al. | Magnetotransistor Sensors with Different Operation Modes | |
BG67248B1 (en) | Semiconductor configuration with planar magnetic sensitivity | |
BG112935A (en) | Hall effect microsensor with an in-plane sensitivity | |
BG112687A (en) | Magneto-sensitive element | |
BG66310B1 (en) | Linearizing circuit for hall sensors | |
BG112804A (en) | 2d hall effect microsensor with an in-plane sensitivity | |
BG113625A (en) | INTEGRAL HALL SENSOR WITH PLANE SENSITIVITY | |
BG66839B1 (en) | Integral in-plane magnetic sensitive hall sensor | |
BG112991A (en) | Electronic device with planar magnetic sensitivity | |
BG67187B1 (en) | Offset-compensated hall effect sensor | |
BG66870B1 (en) | Two-component magnetometer with in-plane sensitivity | |
BG65231B1 (en) | Magnetosensitive sensor | |
BG66840B1 (en) | Hall effect sensor with a planar magnetic sensitivity | |
BG66954B1 (en) | A 2d semiconductor magnetometer | |
BG66985B1 (en) | A surface-magnetically sensitive hall transformer | |
BG66843B1 (en) | Two-axle hall effect magnetometer | |
BG109342A (en) | Semiconductor magnetic field sensor |