AT399960B - Method for producing a temperature-dependent resistor - Google Patents

Abstract

In a method for producing a temperature-dependent resistor, in particular a temperature sensor for resistance thermometers, in which case a layer of a metal, in particular molybdenum, is applied onto a base composed of an electrically insulating material, in particular aluminium oxide, aluminium nitride or other insulating materials, preferably insulating layers with a complex composition, and a first thin metal layer is then applied to the electrically insulating base in an RF plasma process. The desired layer thickness is then deposited by sputtering the same metal on using a direct-current method. In this case, the ratio of the thickness of the first layer to the thickness of the overall layer is advantageously less than 1:50, in particular less than 1:100.

Description

AT 399 960 BAT 399 960 B

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines temperaturabhängigen Widerstandes, insbesondere eines Temperatursensors für Widerstandsthermometer, wobei auf einen Träger aus einem elektrisch isolierenden Material, insbesondere Aluminiumoxid, Aluminiumnitrid oder andere isolierende Materialien, vorzugsweise komplex zusammengesetzte isolierende Schichten, eine Schicht eines Metalles, insbesondere Molybdän, aufgebracht wird.The invention relates to a method for producing a temperature-dependent resistor, in particular a temperature sensor for resistance thermometers, a layer of a metal, in particular, to a carrier made of an electrically insulating material, in particular aluminum oxide, aluminum nitride or other insulating materials, preferably complex composite layers Molybdenum is applied.

Elektrische Temperaturfühler der eingangs genannten Art sind beispielsweise der DE-OS 25 38 966 zu entnehmen. Bei dieser bekannten Ausbildung eines elektrischen Temperaturfühlers wird auf einem Träger zunächst eine Schicht eines elektrisch leitfähigen Metalloxides aufgetragen, worauf anschließend die gewünschte Schichtstärke eines Metalles, beispielsweise Nickel, Chrom, Platin. Zirkon, Zink, Molybdän oder Eisen aufgebracht wird, welches gemeinsam mit der elektrisch leitenden Metalloxidschicht den temperaturabhängigen Widerstand ausbildet. Je nach Wahl des Metalles bzw. der Kombination von Metalloxid und Metall soll dabei ein positiver Temperaturkoeffizient des Widerstandes erzielt werden, welcher eine geringe Veränderlichkeit des elektrischen Widerstandes in Folge mechanischer Vibrationen und hohe Wärmebeständigkeit und Wiederholbarkeit aufweisen soll.Electrical temperature sensors of the type mentioned at the outset can be found, for example, in DE-OS 25 38 966. In this known design of an electrical temperature sensor, a layer of an electrically conductive metal oxide is first applied to a carrier, followed by the desired layer thickness of a metal, for example nickel, chromium, platinum. Zircon, zinc, molybdenum or iron is applied, which together with the electrically conductive metal oxide layer forms the temperature-dependent resistance. Depending on the choice of metal or the combination of metal oxide and metal, a positive temperature coefficient of resistance should be achieved, which should have little variability in electrical resistance due to mechanical vibrations and high heat resistance and repeatability.

Alle temperaturabhängigen Metallwiderstände, sei es in Form von gewickelten Drähten oder dünnen Schichten, haben üblicherweise eine mehr oder weniger lineare Temperatur-Widerstandscharakteristik. Um in der Folge beispielsweise unter Verwendung eines Parallelwiderstandes oder Serienwiderstandes eine Linearisierung des Verhaltens zu erreichen, ist es Voraussetzung, daß die Temperatur-Widerstandscharakteristik eine positive Krümmung der Abhängigkeit des Widerstandes von der Temperatur aufweist. Platinwiderstände weisen in der Regel eine negative Krümmung der Abhängigkeit des Widerstandes von der Temperatur auf und sind daher für eine nachträgliche Linearisierung durch Anwendung von Parallelwiderständen oder Serienwiderständen nicht ohne weiteres geeignet.All temperature-dependent metal resistors, be it in the form of wound wires or thin layers, usually have a more or less linear temperature resistance characteristic. In order to subsequently achieve a linearization of the behavior, for example using a parallel resistor or series resistor, it is a prerequisite that the temperature-resistance characteristic has a positive curvature of the dependence of the resistance on the temperature. Platinum resistors generally have a negative curvature of the dependence of the resistance on the temperature and are therefore not readily suitable for subsequent linearization by using parallel or series resistors.

Unter den bisher verwendeten Metallen für temperaturabhängige findet sich auch Molybdän, welches sich durch eine wesentlich linearere Kennlinie gegenüber einem Platinwiderstand auszeichnet und darüber hinaus die gewünschte positive Krümmung der Abhängigkeit des Widerstandes von der Temperatur aufweistAmong the metals used so far for temperature-dependent, there is also molybdenum, which is characterized by a much more linear characteristic compared to a platinum resistor and also has the desired positive curvature of the resistance depending on the temperature

Beim Aufbringen von Molybdän auf Trägersubstanzen kann eine Vermeidung einer Veränderlichkeit des Widerstandes als Folge mechanischer Vibrationen oder Schwingungen sowie eine hohe mechanische Beständigkeit, hohe Wärmebeständigkeit und Wiederholbarkeit, wenn Molybdän in geringer Schichtstärke aufgetragen wird, nicht ohne weiteres erreicht werden.When applying molybdenum to carrier substances, avoiding a variability of the resistance as a result of mechanical vibrations or vibrations, as well as high mechanical resistance, high heat resistance and repeatability, if molybdenum is applied in a thin layer, cannot be achieved easily.

Die Erfindung zielt nun darauf ab, einen temperaturabhängigen Widerstand der eingangs genannten Art aut der Basis von Metallen, vorzugsweise von Metallen mit positiver Krümmung der Abhängigkeit des Widerstands von der Temperatur, und im besonderen temperaturabhängige Widerstände mit Molybdän als Material für die temperaturabhängige Schicht zu schaffen, welcher sich durch hohe mechanische Stabilität, hohe Linearität der Temperatur-Widerstandscharakteristik, hohe Wärmebeständigkeit und Wiederholbarkeit so wie sehr kurze Ansprechzeiten auszeichnet und insbesondere auch zur Erzielung besonders kurzer Ansprechzeiten in besonders dünnen Schichten herstellbar ist. Insbesondere soll die Erzielung stabiler und mechanisch hochfester, dünner Schichten die Möglichkeit bieten, Widerstände mit für übliche Auswerteschaltungen geeignetem Widerstandswert und entsprechend großer temperaturempfindlicher Oberfläche herstellen zu können. Zur Lösung dieser Aufgabe besteht die erfindungsgemäße Verfahrensweise im wesentlichen darin, daß auf den Träger in einem Hochfrequenzplasmaprozeß eine erste dünne Metallschicht unter Verwendung eines Hochfrequenzplasmas aufgebracht wird und daß anschließend unter Verwendung von Gleichstrom ein Sputtern des gleichen Metalles zur Erzielung der gewünschten Schichtstärke vorgenommen wird. Dadurch, daß zunächst eine erste, dünne Metallschicht in einem Hochfrequenzplasmaprozeß aufgebracht wird, wird eine Haftschicht erzielt, auf welcher in Cer Folge durch Sputtern unter Anwendung eines Gleichstromverfahrens eine überaus gleichmäßige, dünne Gesamtschicht aufgetragen werden kann, welche sich durch hohe mechanische Stabilität auszeichnet. Dadurch daß die Gesamtschichtstärke bei gleichzeitig hoher mechanischer Stabilität gegenüber bekannten Verfahrensweisen wesentlich herabsetzen läßt, wird bei gleichem Widerstandswert eine kleinere aktive bzw. temperaturempfindliche Fläche geschaffen und insgesamt aufgrund der relativ dünnen Schichten eine hohe Ansprechgeschwindigkeit erzielt. Die zweistufige Verfahrensweise zum Aufbringen einer einheitlichen Metallschicht dient dabei neben der Verbesserung der mechanischen Festigkeit auch dazu, über die gesamte Fläche eine auch in elektrischen Parametern überaus homogene und konstante Schichtstärke sicherzustellen, ohne daß die Gefahr von Rissen bei der Handhabung von großen Trägerplatten besteht. Insgesamt eignet sich ein derartiges Verfahren daher bevorzugt für die Anordnung einer großen Anzahl derartiger temperaturabhängiger Widerstände auf einem Trägersubstrat, welches in der Folge nach entsprechender, beispielsweise photolitogra-phischer Strukturierung in einzelne temperaturabhängige Widerstände zerteilt werden kann. Gerade beim Zerteilen des Trägermaterials werden die aufgebrachten Schichten in der Regel mechanisch stark bean- 2 10:10:02The invention now aims to create a temperature-dependent resistor of the type mentioned at the outset based on metals, preferably of metals with a positive curvature depending on the resistance of the temperature, and in particular temperature-dependent resistors with molybdenum as material for the temperature-dependent layer, which is characterized by high mechanical stability, high linearity of the temperature-resistance characteristics, high heat resistance and repeatability as well as very short response times and can also be produced in particularly thin layers to achieve particularly short response times. In particular, the achievement of stable and mechanically high-strength, thin layers should offer the possibility of being able to produce resistors with a resistance value suitable for conventional evaluation circuits and a correspondingly large temperature-sensitive surface. To achieve this object, the procedure according to the invention essentially consists in that a first thin metal layer is applied to the carrier in a high-frequency plasma process using a high-frequency plasma and that subsequently the same metal is sputtered using direct current in order to achieve the desired layer thickness. Because a first, thin metal layer is first applied in a high-frequency plasma process, an adhesive layer is achieved, on which a very uniform, thin overall layer, which is characterized by high mechanical stability, can be applied in cerium sequence by sputtering using a direct current method. Characterized in that the total layer thickness with high mechanical stability can be significantly reduced compared to known methods, a smaller active or temperature-sensitive area is created with the same resistance value and overall a high response speed is achieved due to the relatively thin layers. The two-stage procedure for applying a uniform metal layer serves not only to improve the mechanical strength but also to ensure a homogeneous and constant layer thickness over the entire surface, even in electrical parameters, without the risk of cracks when handling large carrier plates. Overall, such a method is therefore preferably suitable for the arrangement of a large number of such temperature-dependent resistors on a carrier substrate, which can subsequently be divided into individual temperature-dependent resistors after corresponding, for example photolithographic structuring. Especially when the carrier material is cut up, the applied layers are usually subjected to strong mechanical stress

AT 399 960 B sprucht und die überaus große Widerstandsfähigkeit, welche aufgrund der erfindungsgemäßen zweistufigen Verfahrensweise erzielbar ist, ermöglicht es daher, auch Trennvorgänge ohne Zerstörung der bereits gebildeten Widerstände sicher durchführen zu können.AT 399 960 B speaks and the extremely high resistance, which can be achieved due to the two-step procedure according to the invention, therefore makes it possible to safely carry out separation processes without destroying the resistors already formed.

Mit Vorteil wird das erfindungsgemäße Verfahren so durchgeführt, daß das Verhältnis der Dicke der ersten Schicht zur Dicke der Gesamtschicht kleiner als 1:50, insbesondere kleiner als 1:100 gewählt wird. In der Praxis hat sich gezeigt, daß mit einer derartigen zweistufigen Verfahrensweise unter Einhaltung der genannten Dickenverhältnisse überaus dünne Beschichtungen, insbesondere Beschichtungen, bei welchen die Dicke der Gesamtschicht mit 100 bis 1000 nm, insbesondere mehr als 250 nm, gewählt wird, sicher hergestellt werden können. Derartig dünne Beschichtungen zeichnen sich durch hinreichend hohe Flexibilität ohne die Gefahr von Rissen über den Querschnitt der Widerstandsleiterbahn aus.The method according to the invention is advantageously carried out in such a way that the ratio of the thickness of the first layer to the thickness of the entire layer is chosen to be less than 1:50, in particular less than 1: 100. In practice, it has been shown that with such a two-stage procedure, while adhering to the thickness ratios mentioned, extremely thin coatings, in particular coatings in which the thickness of the entire layer is chosen to be 100 to 1000 nm, in particular more than 250 nm, can be reliably produced . Such thin coatings are characterized by sufficiently high flexibility without the risk of cracks across the cross section of the resistance conductor track.

Die gleichbleibende und konstante Schichtstärke läßt sich im Anschluß an die Grundbeschichtung unter Verwendung eines HF-Plasmaprozesses in besonders einfacher Weise so hersteilen, daß das Sputtern im Gleichstromverfahren mit einem DC-Magnetron vorgenommen wird. Mittels einem derartigen Gleichstromverfahrens läßt sich die Schichtstärke überaus exakt einstellen und es lassen sich auch geringe Gesamtschichtstärken mit gleichbieibender Schichtstärke und elektrischen Eigenschaften ohne weiteres erzielen. Für die vorangehende Abscheidung einer ersten dünnen Metallschicht wird der HF-Plasmaprozeß bevorzugt bei sehr kleiner Leistungsdichte und hohem Arbeitsgasdruck eingesetzt, um auf diese Weise zu einer Bekeimung des Trägermaterials zu kommen, welches in der Folge zu einer sicheren Haftung und homogenen Verbindung mit der nachfolgenden Beschichtung führt. Bevorzugt wird hiebei so vorgegangen, daß der Hochfrequenzplasmaprozeß bei Leistungsdichten von kleiner als 5 kW/m2 und/oder einem Arbeitsgasdruck von größer als 1.0 Pa durchgeführt wird, wobei in an sich bekannter Weise beim Hochfrequenzplasmaprozeß Argon als Arbeitsgas eingesetzt werden kann.The constant and constant layer thickness can be produced in a particularly simple manner after the base coating using an HF plasma process in such a way that the sputtering is carried out using the DC method with a DC magnetron. By means of such a direct current method, the layer thickness can be set extremely precisely and it is also easily possible to achieve low total layer thicknesses with the same layer thickness and electrical properties. For the preceding deposition of a first thin metal layer, the HF plasma process is preferably used at a very low power density and high working gas pressure, in order in this way to germinate the carrier material, which consequently leads to reliable adhesion and a homogeneous connection with the subsequent coating leads. Preferably, the procedure is such that the high-frequency plasma process is carried out at power densities of less than 5 kW / m2 and / or a working gas pressure of more than 1.0 Pa, argon being able to be used as the working gas in a manner known per se in the high-frequency plasma process.

Insbesondere bei der .gleichzeitigen Herstellung einer größeren Anzahl von temperaturabhängigen Widerständen auf einem entsprechend groß dimensionierten, flächigen Substrat, kann mit Vorteil so vorgegangen werden, daß nach einer, insbesondere photolithographischen, Strukturierung der Metallschicht eine temperaturstabile Schutzschicht, beispielsweise aus Quarz, Glas, Runststoffen, Lacken od.dgl., aufgebracht wird, wobei die Aufbringung einer temperaturstabilen Schutzschicht auch bei großflächigen Bauteilen mit Rücksicht auf die hohe Stabilität der Verbindung der dünnen Schicht mit dem Trägermaterial ohne Gefahr einer Zerstörung der Widerstandsbahnen erfolgen kann.In particular when producing a large number of temperature-dependent resistors on a correspondingly large, flat substrate at the same time, the procedure can advantageously be such that, after photolithographic structuring of the metal layer, a temperature-stable protective layer, for example made of quartz, glass, plastics, Lacquers or the like, is applied, wherein the application of a temperature-stable protective layer can also take place with large-area components with due regard to the high stability of the connection of the thin layer with the carrier material without risk of destroying the resistance tracks.

Um die Widerstands-Temperaturcharakteristik weitergehend zu stabilisieren und linearisieren, kann mit Vorteil so vorgegangen werden, daß der mit der Metallschicht und gegebenenfalls mit der Schutzschicht beschichtete Träger im Vakuum, insbesondere unter Einsatz von Infrarotstrahlern, getempert wird und unter atmosphärischen Bedingunoen unter gegenüber Betriebstemperatur erhöhter Temperatur gealtert wird, wobei insbesondere durch der. Alterungsprozeß bei gegenüber Betriebstemperatur erhöhter Temperatur und unter atmosphärischen Bedingungen die Langzeitstabilität des Temperatur-Widerstandsverhaltens wesentlich verbessert werden kann.In order to further stabilize and linearize the resistance-temperature characteristic, it can be advantageously carried out in such a way that the support coated with the metal layer and optionally with the protective layer is annealed in a vacuum, in particular using infrared radiators, and under atmospheric conditions at an elevated temperature compared to the operating temperature is aged, in particular by the. Aging process when the temperature is higher than the operating temperature and under atmospheric conditions the long-term stability of the temperature resistance behavior can be significantly improved.

Beim Tempern wird bevorzugt eine Temperatur von unter 650 *C, insbesondere etwa 550 *C bis 600 *C, über einer Dauer von wenigstens 2 min, insbesondere wenigstens 5 min, eingestellt, wobei es hiebei wesentlich erscheint, daß mit Vorteil zwischen 550 *C und 650 *C die Mindesthaltezeit von 5 mm eingehalten wird.When tempering, a temperature of below 650 * C, in particular about 550 * C to 600 * C, over a period of at least 2 min, in particular at least 5 min, is preferably set, it being essential that between 550 * C is advantageous and 650 * C the minimum holding time of 5 mm is observed.

Die Abstimmung des Widerstandswertes auf die nachfolgenden Erfordernisse der Auswerteschaitung, insbesondere die Einstellung eines Widerstandswertes R0 für eine vorgegebene Temperature, insbesondere 0‘C, kann in an sich bekannter Weise dadurch erfolgen, daß in an sich bekannter Weise nach einer Herstellung der Anschlußkontakte die Einstellung des Widerstandes durch ein Lasertrimmen erfolgt.The adjustment of the resistance value to the subsequent requirements of the evaluation circuit, in particular the setting of a resistance value R0 for a predetermined temperature, in particular 0'C, can be carried out in a manner known per se in that, in a manner known per se, the setting of the Resistance is done by laser trimming.

Die Erfindung wird nachfolgend an Hand eines Ausführungsbeispieles näher erläutert.The invention is explained in more detail below using an exemplary embodiment.

Auf eine Dünnschichtkeramik, beispielsweise aus Aluminiumoxid, wird mittels eines Hochfrequenzplasmaprozesses eine ca. 5 nm dicke Molybdänschicht bei einer Leistungsdichte von etwa 2,5 kW/m2 und einem Druck des Arbeitsgases Argon von etwa 2,65 Pa aufgebracht. Der Restgasdruck darf dabei einen Wert von etwa 2xi0~‘ Pa nicht überschreiten. Die gewünschte Schichtstärke des temperaturabhängigen Widerstandes wird darauf im selben Vakuum in einem Gleichstromverfahren mil einem DC-Magnetron aufgetragen, wobei beispielsweise eine Schichtdicke von 250 nm Molybdän aufgebracht wird.An approximately 5 nm thick molybdenum layer is applied to a thin-layer ceramic, for example made of aluminum oxide, by means of a high-frequency plasma process at a power density of approximately 2.5 kW / m 2 and a pressure of the working gas argon of approximately 2.65 Pa. The residual gas pressure must not exceed a value of about 2xi0 ~ 'Pa. The desired layer thickness of the temperature-dependent resistor is then applied in the same vacuum in a direct current method using a DC magnetron, with a layer thickness of 250 nm molybdenum being applied, for example.

Das derart mit Molybdän beschichtete Trägermaterial wird anschließend photolitographisch strukturiert, worauf in Liftoff-Technik auf der gesamten Fläche des Widerstandsthermometers eine Schutzschicht aus SiOz in einer Stärke von etwa 500 nm durch Sputtern aufgebracht wird. Die soweit fertiggestellten Temperatursensoren, wobei auf einem Träger eine Vielzahl von in weiterer Folge durch Zerteilen des Trägers mitsamt der strukturierten Metallschicht herstellbaren Einzelsensoren ausgebildet ist. werden nachfolgend einer Temperaturbehandlung im Vakuum unter Einsatz von Infrarotstrahlen unterzogen, wobei eine Temperatur von etwa 575'C für die Dauer von wenigstens 5 min erhalten wird. Daran anschließend 3 10:10:02The support material coated with molybdenum in this way is then photolithographically structured, after which a protective layer of SiOz with a thickness of approximately 500 nm is applied to the entire surface of the resistance thermometer by sputtering in the liftoff technique. The temperature sensors thus far completed, wherein a plurality of individual sensors that can subsequently be produced by dividing the carrier together with the structured metal layer are formed on a carrier. are subsequently subjected to a temperature treatment in a vacuum using infrared rays, a temperature of about 575'C being obtained for a period of at least 5 minutes. Then 3 10:10:02

Claims (17)

AT 399 960 B wird unter atmosphärischer Bedingungen unter gegenüber Betriebstemperatur erhöhter Temperatur ein Alterungsprozeß durchgeführt. Die Fertigstellung der einzelnen Sensoren erfolgt anschließend in bekannter Weise durch ein Herstellen von Anschlußkontakten, ein Trimmen, insbesonderer Lasertrimmen, zur Einstellung des Widerstandes, ein s Trennen des Trägermaterials mitsamt der strukturierten Metallschicht zur Ausbildung der einzelnen Sensoren, ein Kontaktieren sowie die Durchführung von Tests der hergestellten Temperatursensoren. Patentansprüche 1. Verfahren zur Herstellung eines temperaturabhängigen Widerstandes, insbesondere eines Temperatursensors für Widerstandsthermometer, wobei auf einen Träger aus einem elektrisch isolierenden Material, insbesondere Aluminiumoxid, Aluminiumnitrid oder andere isolierende Materialien, vorzugsweise komplex zusammengesetzte isolierende Schichten, eine Schicht eines Metalles, insbesondere Molybdän, aufgebracht wird dadurch gekennzeichnet, daß auf den Träger in einem Hochfrequenz-75 plasmaprozeß eine erste dünne Metallschicht unter Verwendung eines Hochfrequenzplasmas aufgebracht wird und daß anschließend unter Verwendung von Gleichstrom ein Sputtern des gleichen Metalles zur Erzielung der gewünschten Schichtstärke vorgenommen wird.AT 399 960 B an aging process is carried out under atmospheric conditions at a temperature which is higher than the operating temperature. The completion of the individual sensors is then carried out in a known manner by producing connection contacts, trimming, in particular laser trimming, for adjusting the resistance, separating the carrier material together with the structured metal layer to form the individual sensors, contacting and carrying out tests on the manufactured temperature sensors. 1. A method for producing a temperature-dependent resistor, in particular a temperature sensor for resistance thermometers, wherein a layer of a metal, in particular molybdenum, applied to a carrier made of an electrically insulating material, in particular aluminum oxide, aluminum nitride or other insulating materials, preferably complex insulating layers is characterized in that a first thin metal layer is applied to the carrier in a high-frequency plasma process using a high-frequency plasma and that a sputtering of the same metal is then carried out using direct current to achieve the desired layer thickness. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis der Dicke der ersten 20 Schicht zur Dicke der Gesamtschicht kleiner als 1:50 gewählt wird.2. The method according to claim 1, characterized in that the ratio of the thickness of the first 20 layer to the thickness of the entire layer is chosen to be less than 1:50. 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet daß das Verhältnis kleiner als 1:100 gewählt wird.3. The method according to claim 2, characterized in that the ratio is chosen to be less than 1: 100. 4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet daß das Sputtern im Gieichstromver-fahren mit einem DC-Magnetron vorgenommen wird.4. The method according to claim 1, 2 or 3, characterized in that the sputtering in the Gieichstromver method is carried out with a DC magnetron. 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet daß der Hochfrequenzplasmaprozeß bei Leistungsdichten von kleiner als 5 kW/m2 und/oder einem Arbeitsgasdruck von größer so als 1,0 Pa durchgeführt wird.5. The method according to any one of claims 1 to 4, characterized in that the high-frequency plasma process is carried out at power densities of less than 5 kW / m2 and / or a working gas pressure of greater than 1.0 Pa. 6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß beim Hochfrequenzplasmaprozeß Argon als Arbeitsgas eingesetzt wird.6. The method according to any one of claims 1 to 5, characterized in that argon is used as the working gas in the high-frequency plasma process. 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Gesamt schicht mit 100 bis 1000 nm gewählt wird.7. The method according to any one of claims 1 to 6, characterized in that the thickness of the entire layer is chosen to be 100 to 1000 nm. 8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke mit mehr als 250 nm gewählt wird. 408. The method according to claim 7, characterized in that the thickness is selected with more than 250 nm. 40 9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß nach einer Strukturierung der Metallschicht eine temperaturstabile Schutzschicht aufgebracht wird.9. The method according to any one of claims 1 to 8, characterized in that a temperature-stable protective layer is applied after structuring the metal layer. 10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß eine photolitographische Strukturierung 45 vorgenommen wird.10. The method according to claim 9, characterized in that a photolithographic structuring 45 is carried out. 11. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß eine Schicht aus Quarz, Glas, Kunststoffen, Lacken od.dgl. aufgebracht wird. so11. The method according to claim 9 or 10, characterized in that a layer of quartz, glass, plastics, paints or the like. is applied. so 12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der mit der Metallschich! und gegebenenfalls mit der Schutzschicht beschichtete Träger im Vakuum getempert wird und unter atmosphärischen Bedingungen unter gegenüber Betriebstemperatur erhöhter Temperatur gealtert wird.12. The method according to any one of claims 1 to 7, characterized in that with the metal layer! and optionally the carrier coated with the protective layer is annealed in a vacuum and aged under atmospheric conditions at a temperature which is higher than the operating temperature. 13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennezeichnet, daß der Träger unter Einsatz von Infrarot- 55 Strahlern getempert wird.13. The method according to claim 12, characterized in that the carrier is annealed using infrared radiators. 14. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, daß beim Tempern eine Temperatur von unter 650’C über einer Dauer von wenigstens 2 min eingestellt wird. 4 10:10:02 ΑΤ 399 960 Β14. The method according to claim 12 or 13, characterized in that a temperature of below 650'C is set for a duration of at least 2 min during annealing. 4 10:10:02 ΑΤ 399 960 Β 15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß beim Tempern eine Temperatur von etwa 550 bis 600 · C eingestellt wird.15. The method according to claim 14, characterized in that a temperature of about 550 to 600 · C is set during annealing. 16. Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, daß beim Tempern die Temperatur über wenigstens 5 min gehalten wird.16. The method according to claim 14 or 15, characterized in that the temperature is maintained for at least 5 min during annealing. 17. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß in an sich bekannter Weise nach einer Herstellung der Anschlußkontakte die Einstellung des Widerstandes durch ein Lasertrimmen erfolgt. 5 10:10:0217. The method according to any one of claims 1 to 16, characterized in that the resistance is set by laser trimming in a manner known per se after the connection contacts have been produced. 5 10:10:02