AT216575B - Verfahren zur großflächigen Kontaktierung eines einkristallinen Siliziumkörpers - Google Patents

Verfahren zur großflächigen Kontaktierung eines einkristallinen Siliziumkörpers

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AT216575B
AT216575B AT648458A AT648458A AT216575B AT 216575 B AT216575 B AT 216575B AT 648458 A AT648458 A AT 648458A AT 648458 A AT648458 A AT 648458A AT 216575 B AT216575 B AT 216575B
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antimony
gold
sulfur
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monocrystalline silicon
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AT648458A
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Adolf Dr Herlet
Hubert Dr Patalong
Norbert Dr Schink
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Siemens Ag
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  Verfahren zur grossflächigen Kontaktierung eines einkristallinen
Siliziumkörper 
 EMI1.1 
 

 <Desc/Clms Page number 2> 

 ten kann, direkt beimengen, u. zw. zunächst einem Teile der gesamten   Goldmenge,   und die endgültige Zusammensetzung durch einen oder mehrere weitere Schmelzprozesse, bei denen das Antimon beigemengt und der Goldanteil stufenweise erhöht wird, beispielsweise bis zu dem oben erwähnten optimalen Mengenverhältnis 99 : 1 herbeigeführt werden. Die auf diese Weise hergestellte schwefelhaltige Gold/ Antimon-Legierung kann zu einer Folie bis herab zu einer Stärke von 0,05 mm oder weniger ausgewalzt werden. In dieser Foliengestalt lässt sich das Elektrodenmetall erfahrungsgemäss bequem handhaben. 



   Die schwefelhaltige   Gold/Antimon-Legierung   kann zusätzlich nach dem eingangs erwähnten früheren Vorschlag mit einem Spurengehalt an Arsen versehen werden, wobei der Arsengehalt, bezogen auf die Menge der Gold/Antimon-Legierung, mit Vorteil zwischen   10-3 % und 10 1 %   gewählt werden kann. Die Beimengung des Arsens kann in ähnlicher Weise wie die des Schwefels vorgenommen werden. 



   Der eigentliche Legierungsprozess kann z. B. mittels nachgiebiger und einstellbarer Druckvorrichtungen, in welchen die Silizium-Scheiben mit den beiderseits anliegenden   Elekifodenfolien   und gegebenenfalls   Trägerplatten zwischen Druckplatten, z. B.   aus Graphit, eingeklemmt und   50 der Erhitzung auf   zirka   700 - 8000   C auf einige Minuten ausgesetzt werden. oder nach Patent Nr. 196920 durch Einbetten des Halbleiteraggregats in eine Pulverfüllung, z. B. von Graphitpulver, und Zusammenpressen der letzteren sowie Erhitzung, wie erwähnt, gegebenenfalls unter mässiger Druckbelastung bis zu etwa 1   kg/cm2   oder weniger durchgeführt werden. Auf solche Weise können in Siliziumscheiben hochdotierte   Überschuss-   leitende Bereiche geschaffen werden.

   Zwischen einem derartigen Bereich und dem benachbarten, bei der Behandlung unverändert gebliebenen Silizium befindet sich jeweils, falls das Silizium bereits vor der Behandlung mangelleitend war, ein   p-n-Übergang,   welcher, wie bekannt, den Stromdurchgang in einer Richtung zu sperren vermag. 



   Die obenerwähnten, zur Dosierung der genannten Zusatzstoffe zum Gold dienenden Schmelzprozesse sowie der Legierungsprozess und etwaige spätere Schmelzprozesse z. B. zur Befestigung von   Stromanschlüs-   sen, können, insbesondere insofern dabei Temperaturen über   5000   C angewendet werden, vorteilhaft in einer inerten Atmosphäre, z. B. Argon, Stickstoff, Kohlenoxyd, vorgenommen werden. Eine Beigabe von Borax ist zu vermeiden. 



    PATENTANSPRÜCHE :    
1. Verfahren zur grossflächigen Kontaktierung eines einkristallinen   SiliziumkÏrpers   mit einer antimonhaltigen Goldfolie durch Zusammenlegieren beider über eine Fläche von mehreren   mm2 bis zu   einigen   cm2nach   Patent Nr. 212877, dadurch gekennzeichnet, dass die Folie aus einer   Gold/Antimon-Legierung   mit einem Schwefelgehalt zwischen   10-4 %   und   10-10/0,   bezogen auf   die Gold/Antimonmenge,   hergestellt wird.

Claims (1)

  1. 2. Verfahren nach Anspruch l, dadurch gekennzeichnet, dass zur Aufbereitung der schwefelhaltigen Gold/Antimon-Legierung durch einen ersten Schmelzprozess Schwefel in reiner oder gebundener Form, z. B. als Antimonsulfid (SbSg), dem hochreinen Antimon und durch mindestens einen zweiten Schmelzprozess das schwefelhaltige bzw. antimonsulfidhaltige Antimon dem hochreinen Gold beigemengt wird.
    3. Verfahren nach Anspruch l, dadurch gekennzeichnet, dass Schwefel in reiner oder gebundener Form, z. B. als Antimonsulfid, in einem ersten Schmelzprozess mindestens einem Teil der Goldmenge, welche bereits Antimon enthalten kann, beigemengt und die endgültige Zusammensetzung durch mindestens einen weiteren Schmelzprozess herbeigeführt wird.
    4. Verfahren nach Anspruch l, dadurch gekennzeichnet, dass die Folie aus einer schwefelhaltigen Gold/Antimon-Legierung mit einem Arsengehalt zwischen 10'% und 10' %, bezogen auf die Gold/ Antimonmenge, hergestellt wird.
AT648458A 1957-11-08 1958-09-16 Verfahren zur großflächigen Kontaktierung eines einkristallinen Siliziumkörpers AT216575B (de)

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