AT190593B - Sperrschichtelektrodensystem, welches einen halbleitenden Körper aus Germanium oder Silizium enthält, insbesondere Kristalldiode oder Transistor - Google Patents
Sperrschichtelektrodensystem, welches einen halbleitenden Körper aus Germanium oder Silizium enthält, insbesondere Kristalldiode oder TransistorInfo
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL190593X | 1954-07-01 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
AT190593B true AT190593B (de) | 1957-07-10 |
Family
ID=19777850
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
AT190593D AT190593B (de) | 1954-07-01 | 1955-06-28 | Sperrschichtelektrodensystem, welches einen halbleitenden Körper aus Germanium oder Silizium enthält, insbesondere Kristalldiode oder Transistor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
AT (1) | AT190593B (de) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1102914B (de) * | 1958-06-13 | 1961-03-23 | Westinghouse Electric Corp | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen, wie Dioden, Transistoren od. dgl., mit einem Silizium-Halbleiterkoerper |
DE1120603B (de) * | 1960-01-13 | 1961-12-28 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung |
DE1133834B (de) * | 1960-09-21 | 1962-07-26 | Siemens Ag | Siliziumgleichrichter und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE1170079B (de) * | 1960-06-21 | 1964-05-14 | Siemens Ag | Halbleiteranordnung |
DE1190583B (de) * | 1960-03-18 | 1965-04-08 | Western Electric Co | Injektionsfreier Ohmscher Kontakt fuer Halbleiterkoerper |
DE1197551B (de) * | 1960-12-19 | 1965-07-29 | Elektronik M B H | Verfahren zum Herstellen von Halbleiter-anordnungen fuer grosse Stromstaerken, insbesondere von Silizium-Leistungsgleichrichtern |
DE1226212B (de) * | 1961-11-17 | 1966-10-06 | Bbc Brown Boveri & Cie | Halbleiteranordnung |
DE1242759B (de) * | 1961-09-01 | 1967-06-22 | Stackpole Carbon Co | Sintertragplatte fuer Halbleiterdioden |
DE1282195B (de) * | 1963-03-16 | 1968-11-07 | Siemens Ag | Halbleiterbauelement mit gesinterter Traeger-Zwischenplatte |
-
1955
- 1955-06-28 AT AT190593D patent/AT190593B/de active
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1102914B (de) * | 1958-06-13 | 1961-03-23 | Westinghouse Electric Corp | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen, wie Dioden, Transistoren od. dgl., mit einem Silizium-Halbleiterkoerper |
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