WO2021181565A1 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム - Google Patents

基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム Download PDF

Info

Publication number
WO2021181565A1
WO2021181565A1 PCT/JP2020/010543 JP2020010543W WO2021181565A1 WO 2021181565 A1 WO2021181565 A1 WO 2021181565A1 JP 2020010543 W JP2020010543 W JP 2020010543W WO 2021181565 A1 WO2021181565 A1 WO 2021181565A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
processing
substrate
container
resonance coil
electrode
Prior art date
Application number
PCT/JP2020/010543
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
康寿 坪田
雅則 中山
克典 舟木
上田　立志
雄一郎 竹島
圭太 市村
博登 井川
宥貴 山角
宗樹 岸本
Original Assignee
株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ filed Critical 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ
Priority to KR1020227021823A priority Critical patent/KR20220106181A/ko
Priority to EP20923891.4A priority patent/EP4120804A4/en
Priority to JP2022507081A priority patent/JP7241961B2/ja
Priority to PCT/JP2020/010543 priority patent/WO2021181565A1/ja
Priority to CN202080083477.4A priority patent/CN114788419A/zh
Priority to TW110103429A priority patent/TWI792163B/zh
Publication of WO2021181565A1 publication Critical patent/WO2021181565A1/ja
Priority to US17/853,248 priority patent/US20220328289A1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H01J37/32183—Matching circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32541—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32559—Protection means, e.g. coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32651—Shields, e.g. dark space shields, Faraday shields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Definitions

  • This disclosure relates to a substrate processing apparatus, a manufacturing method and a program of a semiconductor apparatus.
  • a step of performing a predetermined process such as an oxidation process or a nitriding process on the substrate may be performed.
  • Patent Document 1 discloses that a pattern surface formed on a substrate is modified using a plasma-excited processing gas.
  • Japanese Unexamined Patent Publication No. 2014-75579 discloses that a pattern surface formed on a substrate is modified using a plasma-excited processing gas.
  • the shape of the processing container in which the processing chamber in which the substrate is arranged varies, the position of the spiral electrode that generates plasma surrounding the processing container varies, the strength of the electromagnetic field generated from the electrode varies, and the substrate.
  • the plasma distribution in the processing container may not be the desired distribution along the circumferential direction of the processing container due to the difference in the processing conditions for processing.
  • the substrate processing apparatus includes a processing container having a cylindrical portion in which a processing chamber in which the substrate is arranged is formed, a gas supply unit for supplying a processing gas to the processing chamber, and a gas supply unit.
  • An electrode is spirally provided so as to surround the processing container from the outside of the tubular portion of the processing container, and high-frequency power is supplied to plasma-excite the processing gas, and the electrode in the radial direction of the tubular portion. Is provided with a moving portion that moves the gas relative to the processing container.
  • the plasma distribution in the processing chamber can be made to be a desired distribution along the circumferential direction of the processing container.
  • FIGS. 1 to 7. An example of the first embodiment of the present disclosure will be described with reference to FIGS. 1 to 7.
  • the arrow H shown in each figure is the vertical direction and indicates the vertical direction of the device
  • the arrow W is the horizontal direction and indicates the width direction of the device
  • the arrow D is the horizontal direction and indicates the depth direction of the device.
  • the substrate processing apparatus 100 is configured to mainly perform an oxidation treatment on a film formed on the substrate.
  • the substrate processing apparatus 100 includes a processing furnace 202 for plasma processing the wafer 200.
  • the processing furnace 202 is provided with a processing container 203 that constitutes the processing chamber 201.
  • the processing container 203 includes a dome-shaped upper container 210, which is a first container, and a bowl-shaped lower container 211, which is a second container.
  • the substrate processing apparatus 100 includes a base plate 248 that surrounds the upper end of the lower container 211 and has a through hole formed therein.
  • the upper container 210 has a cylindrical cylindrical portion (cylindrical portion) 210a extending in the vertical direction, and the processing chamber 201 is formed by covering the upper container 210 on the lower container 211.
  • the upper container 210 is made of a non-metallic material such as aluminum oxide (Al 2 O 3 ) or quartz (SiO 2 ), and the lower container 211 is made of aluminum (Al), for example.
  • the wafer 200 is an example of a substrate.
  • a gate valve 244 is provided on the lower side wall of the lower container 211.
  • the gate valve 244 When the gate valve 244 is open, the wafer 200 is carried into the processing chamber 201 through the carry-in outlet 245 using a transport mechanism (not shown), or the wafer 200 is carried out to the outside of the processing chamber 201. It is configured so that it can be used.
  • the gate valve 244 is configured to be a sluice valve that maintains the airtightness of the processing chamber 201 when it is closed.
  • the processing chamber 201 has a plasma generation space 201a in which a resonance coil 212 is provided in the periphery, and a substrate processing space 201b that communicates with the plasma generation space 201a and processes the wafer 200.
  • the plasma generation space 201a is a space in which plasma is generated, which is above the lower end of the resonance coil 212 and below the upper end of the resonance coil 212 in the processing chamber.
  • the substrate processing space 201b is a space in which the substrate is processed by using plasma, and refers to a space below the lower end of the resonance coil 212.
  • the diameters of the plasma generation space 201a and the substrate processing space 201b in the horizontal direction are substantially the same.
  • the susceptor 217 as a substrate mounting portion on which the wafer 200 is mounted is arranged in the center of the bottom side of the processing chamber 201.
  • a heater 217b as a heating mechanism is integrally embedded inside the susceptor 217.
  • the heater 217b is configured to be able to heat the surface of the wafer 200 from, for example, about 25 ° C. to about 750 ° C. when electric power is supplied.
  • the susceptor 217 is provided with a susceptor elevating mechanism 268 provided with a drive mechanism for elevating and lowering the susceptor. Further, the susceptor 217 is provided with a through hole 217a, and a wafer push-up pin 266 is provided on the bottom surface of the lower container 211. When the susceptor 217 is lowered by the susceptor elevating mechanism 268, the wafer push-up pin 266 is configured to penetrate the through hole 217a in a non-contact state with the susceptor 217.
  • the susceptor 217 and the heater 217b constitute the substrate mounting portion according to the present embodiment.
  • the gas supply unit 230 is provided above the processing chamber 201.
  • the gas supply head 236 is provided above the processing chamber 201, that is, above the upper container 210.
  • the gas supply head 236 includes a cap-shaped lid 233, a gas introduction port 234, a buffer chamber 237, an opening 238, a shielding plate 240, and a gas outlet 239, and supplies the reaction gas to the processing chamber 201. It is configured so that it can be done.
  • the gas inlet 234 is supplied with a downstream end of an oxygen-containing gas supply pipe 232a for supplying oxygen (O 2 ) gas as an oxygen-containing gas and a hydrogen-containing gas supply for supplying hydrogen (H 2) gas as a hydrogen-containing gas.
  • the downstream end of the pipe 232b and the inert gas supply pipe 232c for supplying an argon (Ar) gas as an inert gas are connected so as to merge.
  • the oxygen-containing gas supply pipe 232a is provided with an O 2 gas supply source 250a, a mass flow controller (MFC) 252a as a flow rate control device, and a valve 253a as an on-off valve in this order from the upstream side.
  • the hydrogen-containing gas supply pipe 232b is provided with an H 2 gas supply source 250b, an MFC 252b, and a valve 253b in this order from the upstream side.
  • the inert gas supply pipe 232c is provided with an Ar gas supply source 250c, an MFC 252c, and a valve 253c in this order from the upstream side.
  • a valve 243a is provided on the downstream side where the oxygen-containing gas supply pipe 232a, the hydrogen-containing gas supply pipe 232b, and the inert gas supply pipe 232c merge, and is connected to the upstream end of the gas introduction port 234.
  • gas supply head 236 (lid 233, gas introduction port 234, buffer chamber 237, opening 238, shielding plate 240, gas outlet 239), oxygen-containing gas supply pipe 232a, hydrogen-containing gas supply pipe 232b, inert
  • the gas supply section 230 (gas supply system) according to the present embodiment is configured by the gas supply pipes 232c, MFC252a, 252b, 252c, and valves 253a, 253b, 253c, 243a.
  • the exhaust unit 228 is provided below the processing chamber 201 so as to face the carry-in outlet 245 in the horizontal direction.
  • a gas exhaust port 235 for exhausting the reaction gas from the processing chamber 201 is provided on the side wall of the lower container 211.
  • the upstream end of the gas exhaust pipe 231 is connected to the gas exhaust port 235.
  • the gas exhaust pipe 231 is provided with an APC (Auto Pressure Controller) 242 as a pressure regulator (pressure regulator), a valve 243b as an on-off valve, and a vacuum pump 246 as a vacuum exhaust device in order from the upstream side.
  • APC Auto Pressure Controller
  • the gas exhaust port 235, the gas exhaust pipe 231 and the APC 242, and the valve 243b constitute the exhaust unit 228 according to the present embodiment.
  • the vacuum pump 246 may be included in the exhaust unit.
  • the plasma generation unit 216 is mainly provided on the outside of the outer wall of the cylindrical portion 210a of the upper container 210.
  • a spiral resonance coil 212 is provided on the outer periphery of the processing chamber 201, that is, on the outside of the side wall of the upper container 210 so as to surround the processing chamber 201.
  • a spiral resonance coil is provided so as to surround the processing container 203 from the outside (the side away from the center of the cylindrical portion 210a) in the radial direction of the cylindrical portion 210a (hereinafter, “container radial direction”).
  • the resonance coil 212 is an example of an electrode.
  • a matching device 274 that matches the impedance and output frequency of the RF sensor 272, the high frequency power supply 273, and the high frequency power supply 273 is connected to the resonance coil 212.
  • the high frequency power supply 273 supplies high frequency power (RF power) to the resonance coil 212.
  • the RF sensor 272 is provided on the output side of the high frequency power supply 273 and monitors the information of the supplied high frequency traveling wave and reflected wave.
  • the reflected wave power monitored by the RF sensor 272 is input to the matching device 274, and the matching device 274 uses the high frequency power supply 273 to minimize the reflected wave based on the reflected wave information input from the RF sensor 272. It controls the impedance and the frequency of the output high-frequency power.
  • the high-frequency power supply 273 includes a power supply control means (control circuit) including a high-frequency oscillation circuit and a preamplifier for defining an oscillation frequency and an output, and an amplifier (output circuit) for amplifying to a predetermined output.
  • the power supply control means controls the amplifier based on preset frequency and power output conditions through the control panel.
  • the amplifier supplies constant high frequency power to the resonant coil 212 via a transmission line.
  • the resonance coil 212 forms a standing wave having a predetermined wavelength, the winding diameter, winding pitch, and number of turns are set so as to resonate at a constant wavelength. That is, the electrical length of the resonance coil 212 is set to a length corresponding to an integral multiple (1 times, 2 times, ...) Of one wavelength at a predetermined frequency of the high frequency power supplied from the high frequency power supply 273.
  • the substrate processing apparatus 100 includes 273 high-frequency power supplies that supply high-frequency power having a wavelength that is an integral multiple of the electrical length of the resonant coil 212 to the electrodes.
  • the resonant coil 212 is 0.01 to 10 gauss by, for example, 800 kHz to 50 MHz and 0.5 to 5 kW high frequency power. It has an effective cross-sectional area of 50 to 300 mm 2 and a coil diameter of 200 to 500 mm so that a magnetic field of about 2 to can be generated, and 2 to 2 to the outer peripheral side of the room forming the plasma generation space 201a (see FIG. 2). It is wound about 60 times.
  • the frequency is 13.56 MHz or 27.12 MHz.
  • the frequency of the high frequency power is set to 27.12 MHz, and the electrical length of the resonance coil 212 is set to the length of one wavelength (about 11 meters).
  • the winding pitch of the resonance coil 212 is provided at equal intervals of, for example, 24.5 mm.
  • the winding diameter (diameter) of the resonance coil 212 is set to be larger than the diameter of the wafer 200.
  • the diameter of the wafer 200 is set to 300 mm, and the winding diameter of the resonance coil 212 is provided so as to be 500 mm, which is larger than the diameter of the wafer 200.
  • a copper pipe, a thin copper plate, an aluminum pipe, a thin aluminum plate, a material in which copper or aluminum is vapor-deposited on a polymer belt, or the like is used as the material constituting the resonance coil 212.
  • Both ends of the resonant coil 212 are electrically grounded, and at least one of them is a movable tap 213 to fine-tune the electrical length of the resonant coil during the initial installation of the device or when the processing conditions are changed. It is grounded through.
  • Reference numeral 214 in FIG. 1 indicates the other fixed ground.
  • a feeding portion is configured by a movable tap 215 between the grounded ends of the resonant coil 212.
  • the shielding plate 224 covers the resonance coil 212 from the outside in the radial direction of the container, shields the electric field generated by the resonance coil 212, and holds the capacitance component (C component) necessary for forming the resonance circuit between the resonance coil 212 and the resonance coil 212. It is provided to form in.
  • the shielding plate 224 is an example of a shielding portion.
  • the shielding plate 224 is formed by using a conductive material such as an aluminum alloy, and is connected to a cylindrical main body 225 that covers the resonance coil 212 from the outside in the radial direction of the container and the upper end of the main body 225. It also has an upper flange 226 extending inward in the radial direction of the container. Further, the shielding plate 224 has a lower flange 227 connected to the lower end of the main body 225 and extending inward in the container radial direction.
  • the resonance coil 212 described above is supported by a plurality of supports 229 vertically erected on the upper end surface of the lower flange 227. Further, a support plate 256 is provided which is placed on the base plate 248 and has a through hole through which the upper container 210 passes, and the shielding plate 224 is supported from below by the support plate 256. In other words, the support plate 256 supports the shielding plate 224 and the resonance coil 212 from below.
  • the support plate 256 is an example of a support portion.
  • the shielding plate 224 is arranged at a distance of about 5 to 150 mm from the outer circumference of the resonance coil 212.
  • the resonance coil 212, the RF sensor 272, and the matching device 274 constitute the plasma generation unit 216 according to the present embodiment.
  • the high frequency power supply 273 may be included as the plasma generation unit.
  • the plasma generation circuit composed of the resonance coil 212 is composed of the parallel resonance circuit of RLC.
  • the resonance frequency of the actual resonance coil 212 fluctuates slightly depending on the excitation state and the like.
  • the matching unit 274 is used from the resonance coil 212 when the plasma detected by the RF sensor 272 is generated. Based on the reflected wave power, the impedance or output frequency of the high frequency power supply 273 is increased or decreased so that the reflected wave power is minimized.
  • the resonance coil 212 in the present embodiment is supplied with high-frequency power at the actual resonance frequency of the resonance coil containing the plasma (or the actual resonance coil containing the plasma). (Because the high frequency power is supplied so as to match the impedance of), a standing wave is formed in which the phase voltage and the antiphase voltage are always offset.
  • the electrical length of the resonance coil 212 is the same as the wavelength of high frequency power, the highest phase current is generated at the electrical midpoint (node of zero voltage) of the coil. Therefore, in the vicinity of the electrical midpoint, there is almost no capacitive coupling with the processing chamber wall or the susceptor 217, and a donut-shaped inductive plasma having an extremely low electrical potential is formed.
  • the moving unit 310 is configured to move the resonance coil 212 with respect to the processing container 203. First, the purpose of moving the resonance coil 212 with respect to the processing container 203 will be described.
  • the plasma distribution in the processing chamber 201 is desirable because of variations in the position of the resonance coil 212, variations in the shape of the processing container 203, variations in the strength of the electromagnetic field generated from the resonance coil 212, and differences in the processing conditions for processing the wafer 200. May not be distributed. Specifically, the plasma distribution in the processing chamber 201 may not be uniform along the circumferential direction of the processing container 203. That is, the film formed on the wafer 200 may not be uniformly oxidized or the like.
  • the distance between the resonance coil 212 and the processing container 203 (hereinafter, may be referred to as “distance between coil containers”) can be changed to the processing container 203. It becomes different in the circumferential direction of.
  • the plasma distribution in the processing container 203 is changed so that the plasma distribution becomes uniform along the circumferential direction of the processing container 203.
  • the moving portion 310 for moving the resonance coil 212 with respect to the processing container 203 is provided on the upper surface 248a of the base plate 248, and is provided from the first moving portion 320 and the second moving portion 370. It is configured.
  • the first moving unit 320 moves the resonance coil 212 and the shielding plate 224 in the device depth direction in the container radial direction
  • the second moving unit 370 moves the resonance coil 212 and the shielding plate 224 in the container radial direction and the device depth. It is designed to move in the width direction of the device orthogonal to the direction.
  • the device depth direction is an example of one direction
  • the device width direction is an example of another direction.
  • the first moving portion 320 is arranged on the front side (lower side of the paper surface) in the device depth direction and one side (left side of the paper surface) in the device width direction in the base plate 248. .. As shown in FIG. 5, the first moving portion 320 moves the movable portion 322 that is indirectly attached to the resonance coil 212 and moves integrally with the resonance coil 212, and the movable portion 322 that moves by operating. It includes an adjusting unit 332, which is a mechanism for adjusting the position of the movable unit 322, and a driving unit 340, which is a stepping motor.
  • "moving as one" means moving without changing the relative relationship.
  • the movable portion 322 includes a main body portion 324 and a support portion 328 supported by the main body portion 324.
  • the main body portion 324 has a rectangular parallelepiped base portion 324a extending in the device width direction and a plate-shaped extending portion 324b extending from the base portion 324a to one side in the device width direction.
  • the lower end portion of the base portion 324a is inserted into the guide groove 248b formed in the upper surface 248a of the base plate 248.
  • the main body 324 is guided by the guide groove 248b and moves in the depth direction of the device.
  • a guide groove 326 extending in the width direction of the device is formed on the upper surface of the base portion 324a.
  • the extension portion 324b has a plate thickness direction as the device depth direction, and has a rectangular shape extending in the device width direction when viewed from the device depth direction.
  • a female screw 330 penetrating in the depth direction of the device is formed in the extension portion 324b.
  • the support portion 328 has a rectangular parallelepiped base portion 328a extending in the width direction of the device and a cylindrical columnar portion 328b protruding upward from the base portion 328a.
  • the portion of the base portion 328a excluding the upper end portion is inserted into the guide groove 326 formed on the upper surface of the base portion 324a of the main body portion 324.
  • the support portion 328 is guided by the guide groove 326 and moves in the device width direction.
  • the support plate 256 is formed with a protruding portion 258 that protrudes from the outer peripheral surface 256a and has the vertical direction as the plate thickness direction. Further, a through hole 258a penetrating in the vertical direction is formed in the protruding portion 258. The columnar portion 328b of the support portion 328 is inserted into the through hole 258a.
  • the adjusting unit 332 includes a screw shaft 334 extending in the depth direction of the device and a pair of support plates 336 that rotatably support the screw shaft 334.
  • a male screw 334a is formed on the outer peripheral surface of the screw shaft 334, and the male screw 334a of the screw shaft 334 is tightened to the female screw 330 of the main body 324.
  • a known ball screw structure is formed including a screw shaft 334, a female screw 330, a ball (not shown), and the like. Further, the drive unit 340 is provided so as to rotate the screw shaft 334.
  • the drive unit 340 rotates the screw shaft 334 in one direction, so that the first moving unit 320 moves the resonance coil 212 and the shielding plate 224 to the back side in the device depth direction with respect to the processing container 203. .. Specifically, when the drive unit 340 rotates the screw shaft 334 in one direction, the main body unit 324 and the support unit 328 move to the inner side in the device depth direction. Further, when the main body portion 324 and the support portion 328 move to the depth side in the device depth direction, the resonance coil 212 and the shielding plate 224 move to the depth side in the device depth direction via the support plate 256.
  • the first moving unit 320 moves the resonance coil 212 and the shielding plate 224 toward the front side in the device depth direction with respect to the processing container 203.
  • the main body unit 324 and the support unit 328 move toward the front side in the device depth direction.
  • the resonance coil 212 and the shielding plate 224 move to the front side in the device depth direction via the support plate 256. In this way, the resonance coil 212 and the shielding plate 224 move together.
  • the second moving portion 370 is arranged on the base plate 248 on the back side (upper side of the paper surface) in the device depth direction and on one side (left side of the paper surface) in the device width direction.
  • the second moving portion 370 moves the movable portion 372 that is indirectly attached to the resonance coil 212 and moves integrally with the resonance coil 212, and the movable portion 372 that moves by operating. It includes an adjusting unit 382, which is a mechanism for adjusting the position of the movable unit 372, and a driving unit 390, which is a stepping motor.
  • the movable portion 372 includes a main body portion 374 and a support portion 378 supported by the main body portion 374.
  • the main body portion 374 has a rectangular parallelepiped base portion 374a extending in the device depth direction and a plate-shaped extending portion 374b extending from the base portion 374a to the depth side in the device depth direction.
  • the lower end portion of the base portion 374a is inserted into the guide groove 248c formed in the upper surface 248a of the base plate 248.
  • the main body portion 374 is guided by the guide groove 248c and moves in the device width direction.
  • a guide groove 376 extending in the depth direction of the device is formed on the upper surface of the base portion 374a.
  • extension portion 374b has a rectangular shape extending in the device depth direction when viewed from the device width direction, with the plate thickness direction as the device width direction.
  • a female screw 380 penetrating in the width direction of the device is formed in the extension portion 374b.
  • the support portion 378 has a rectangular parallelepiped base portion 378a extending in the depth direction of the device and a cylindrical columnar portion 378b protruding upward from the base portion 378a.
  • the portion of the base portion 378a excluding the upper end portion is inserted into the guide groove 376 formed on the upper surface of the base portion 374a of the main body portion 374.
  • the support portion 378 is guided by the guide groove 376 and moves in the depth direction of the device.
  • the support plate 256 is formed with a protruding portion 260 that protrudes from the outer peripheral surface 256a and has the vertical direction as the plate thickness direction. Further, the protruding portion 260 is formed with a through hole 260a penetrating in the vertical direction. The columnar portion 378b of the support portion 378 is inserted into the through hole 260a.
  • the adjusting unit 382 includes a screw shaft 384 extending in the width direction of the device and a pair of support plates 386 that rotatably support the screw shaft 384.
  • a male screw 384a is formed on the outer peripheral surface of the screw shaft 384, and the male screw 384a of the screw shaft 384 is tightened to the female screw 380 of the main body 374.
  • a known ball screw structure is formed including a screw shaft 384, a female screw 380, a ball (not shown), and the like. Further, the drive unit 390 is provided so as to rotate the screw shaft 384.
  • the drive unit 390 rotates the screw shaft 384 in one direction, so that the second moving unit 370 moves the resonance coil 212 and the shielding plate 224 to one side in the device width direction with respect to the processing container 203. .. Specifically, when the drive unit 390 rotates the screw shaft 384 in one direction, the main body unit 374 and the support unit 378 move to one side in the device width direction. Further, when the main body portion 374 and the support portion 378 move to one side in the device width direction, the resonance coil 212 and the shielding plate 224 move to one side in the device width direction via the support plate 256.
  • the second moving unit 370 moves the resonance coil 212 and the shielding plate 224 to the other side in the device width direction with respect to the processing container 203.
  • the main body unit 374 and the support unit 378 move to the other side in the device width direction.
  • the resonance coil 212 and the shielding plate 224 move to the other side in the device width direction via the support plate 256.
  • the controller 221 connects the APC 242, the valve 243b and the vacuum pump 246 through the signal line A, the susceptor elevating mechanism 268 through the signal line B, the heater power adjusting mechanism 276 through the signal line C, and the signal line D.
  • the gate valve 244 is controlled through the signal line E
  • the RF sensor 272 the high frequency power supply 273 and the matching unit 274 are controlled through the signal line E
  • the MFCs 252a to 252c and the valves 253a to 253c and 243a are controlled through the signal line F, respectively.
  • the controller 221 is configured as a computer including a CPU (Central Processing Unit) 221a, a RAM (Random Access Memory) 221b, a storage device 221c, and an I / O port 221d.
  • the RAM 221b, the storage device 221c, and the I / O port 221d are configured so that data can be exchanged with the CPU 221a via the internal bus 221e.
  • An input / output device 222 configured as, for example, a touch panel or a display is connected to the controller 221.
  • the input / output device 222 is an example of an input unit and a display unit.
  • the input / output device 222 is input with an operation command and processing conditions as movement information for moving the resonance coil 212. Further, the input / output device 222 displays the amount of movement of the resonance coil 212 with respect to a predetermined reference position.
  • the processing conditions input to the input / output device 222 and the displayed movement amount of the resonance coil 212 will be described together with the actions described later.
  • the storage device 221c is composed of, for example, a flash memory, an HDD (Hard Disk Drive), or the like.
  • a control program for controlling the operation of the substrate processing apparatus, a program recipe in which the procedures and conditions for substrate processing described later are described, and the like are readablely stored.
  • the storage device 221c is an example of a storage unit.
  • the process recipe is a combination of the process recipes so that the CPU 221a can execute each procedure in the substrate processing step described later and obtain a predetermined result, and functions as a program.
  • this program recipe, control program, etc. are collectively referred to as a program.
  • the term program may include only the program recipe alone, the control program alone, or both.
  • the RAM 221b is configured as a memory area (work area) in which programs, data, and the like read by the CPU 221a are temporarily held.
  • the storage device 221c stores a plurality of processing conditions as movement information for moving the resonance coil 212 and the positions of the resonance coil 212 corresponding to each processing condition with respect to the processing container 203.
  • the processing conditions are supplied to the temperature of the wafer 200 to be processed, the pressure of the processing chamber 201, the type of processing gas for processing the wafer 200, the flow rate of the processing gas for processing the wafer 200, and the resonance coil 212. Includes at least one condition in the power.
  • the position of the resonance coil 212 with respect to the processing container 203 is derived as follows, and this position is stored in the storage device 221c.
  • the plasma distribution is confirmed by changing the positions of the resonance coil 212 with respect to the processing container 203 at a plurality of locations for each processing condition.
  • the position of the resonance coil 212 with respect to the processing container 203 which can be made uniform along the circumferential direction of the processing container 203 in the processing container 203, is derived, and this position is stored in the storage device 221c.
  • the I / O port 221d includes the above-mentioned MFC 252a to 252c, valves 253a to 253c, 243a, 243b, gate valve 244, APC valve 242, vacuum pump 246, RF sensor 272, high frequency power supply 273, matching unit 274, and susceptor elevating mechanism 268. , Heater power adjustment mechanism 276, drive unit 340, 390, etc.
  • the CPU 221a is configured to read and execute a control program from the storage device 221c and read a process recipe from the storage device 221c in response to an input of an operation command from the input / output device 222 or the like.
  • the CPU 221a is an example of a control unit.
  • the CPU 221a adjusts the opening degree of the APC valve 242, opens and closes the valve 243b, and starts the vacuum pump 246 through the I / O port 221d and the signal line A so as to follow the contents of the read process recipe. Stopping, ascending / descending operation of the susceptor elevating mechanism 268 through the signal line B, adjusting the amount of power supplied to the heater 217b by the heater power adjusting mechanism 276 through the signal line C (temperature adjusting operation), and performing the operation of adjusting the amount of power supplied to the heater 217b through the signal line D of the gate valve 244.
  • Opening / closing operation, operation of RF sensor 272, matching unit 274 and high frequency power supply 273 through signal line E, flow rate adjustment operation of various gases by MFC 252a to 252c through signal line F, opening / closing operation of valves 253a to 253c, 243a, etc. Is configured to control.
  • the controller 221 is stored in an external storage device (for example, magnetic tape, magnetic disk such as flexible disk or hard disk, optical disk such as CD or DVD, magneto-optical disk such as MO, semiconductor memory such as USB memory or memory card) 223. It can be configured by installing the above program on the computer.
  • the storage device 221c and the external storage device 223 are configured as computer-readable recording media. Hereinafter, these are collectively referred to simply as a recording medium. In the present specification, when the term recording medium is used, it may include only the storage device 221c alone, it may include only the external storage device 223 alone, or it may include both of them.
  • the program may be provided to the computer by using a communication means such as the Internet or a dedicated line without using the external storage device 223.
  • the method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment is carried out using the above-mentioned substrate processing device 100 as one step of a manufacturing process for a semiconductor device such as a flash memory.
  • the operation of each part constituting the substrate processing apparatus 100 is controlled by the CPU 221a.
  • a trench having at least a surface made of a silicon layer and having an uneven portion having a high aspect ratio is formed in advance.
  • the silicon layer exposed on the inner wall of the trench is subjected to an oxidation treatment as a treatment using plasma.
  • the resonance coil 212 is arranged at a predetermined reference position.
  • the wafer 200 is carried into the processing chamber 201. Specifically, the susceptor elevating mechanism 268 shown in FIG. 1 lowers the susceptor 217 to the transport position of the wafer 200, and causes the wafer push-up pin 266 to penetrate through the through hole 217a of the susceptor 217.
  • the gate valve 244 is opened, and the wafer 200 is carried from the vacuum transfer chamber adjacent to the processing chamber 201 into the processing chamber 201 using a wafer transfer mechanism (not shown).
  • the carried-in wafer 200 is supported in a horizontal posture on the wafer push-up pin 266 protruding from the surface of the susceptor 217.
  • the wafer transfer mechanism is retracted to the outside of the processing chamber 201, the gate valve 244 is closed, and the processing chamber 201 is sealed.
  • the susceptor elevating mechanism 268 raises the susceptor 217, so that the wafer 200 is supported on the upper surface of the susceptor 217.
  • the first moving unit 320 moves the resonance coil 212 in the depth direction of the device based on the movement information of the resonance coil 212 input to the input / output device 222 by the operator, and the second moving unit 370. Moves the resonant coil 212 in the width direction of the device.
  • the operator inputs the processing conditions as the movement information of the resonance coil 212 to the input / output device 222.
  • the processing conditions are supplied to the temperature of the wafer 200 to be processed, the pressure of the processing chamber 201, the type of processing gas for processing the wafer 200, the flow rate of the processing gas for processing the wafer 200, and the resonance coil 212. Includes at least one of the power sources.
  • the drive unit 340 and the drive unit 390 operate based on the position of the resonance coil 212 stored in the storage device 221c with respect to the processing container 203 corresponding to each processing condition.
  • the drive unit 340 rotates the screw shaft 334.
  • the main body portion 324 and the support portion 328 move in the device depth direction.
  • the resonance coil 212 and the shielding plate 224 move in the device depth direction via the support plate 256. Since the support portion 328 is guided by the guide groove 326 and moves in the device width direction, the position of the resonance coil 212 in the device width direction is not restricted by the operating drive unit 340.
  • the drive unit 390 rotates the screw shaft 384.
  • the main body portion 374 and the support portion 378 move in the device width direction.
  • the resonance coil 212 and the shielding plate 224 move in the device width direction via the support plate 256. Since the support portion 378 is guided by the guide groove 376 and moves in the device depth direction, the position of the resonance coil 212 in the device depth direction is not regulated by the operating drive unit 390.
  • the resonance coil 212 and the shielding plate 224 move based on the position of the resonance coil 212 with respect to the processing container 203 corresponding to each processing condition. Then, while the wafer 200 is being processed in the processing chamber 201, the drive units 340 and 390 are put into a non-operating state. In other words, while the wafer 200 is being processed in the processing chamber 201, the relative relationship between the resonance coil 212 and the processing container 203 is maintained.
  • the operator directly inputs the amount of movement of the resonance coil 212 with respect to the reference position (or the position information of the resonance coil 212 after movement with respect to the processing container 203) from the input / output device 222 as movement information.
  • the drive unit 340 and the drive unit 390 may be operated based on the input movement information.
  • the temperature raising / vacuum exhaust step S300 the temperature of the wafer 200 carried into the processing chamber 201 is raised.
  • the heater 217b shown in FIG. 1 is preheated, and the wafer 200 is heated by holding the wafer 200 on the susceptor 217 in which the heater 217b is embedded.
  • the wafer 200 is heated so as to have a temperature of 600 ° C.
  • the processing chamber 201 is evacuated through the gas exhaust pipe 231 by the vacuum pump 246, and the pressure in the processing chamber 201 is set to a predetermined value.
  • the vacuum pump 246 is operated at least until the substrate unloading step S700, which will be described later, is completed.
  • reaction gas supply step S400 In the reaction gas supply step S400, supply of O 2 gas, which is an oxygen-containing gas, and H 2 gas, which is a hydrogen-containing gas, is started as the reaction gas. Specifically, the valves 253a and 253b shown in FIG. 1 are opened, and the supply of O 2 gas and H 2 gas to the processing chamber 201 is started while the flow rate is controlled by the MFC 252a and 252b. At this time, the flow rate of the O 2 gas is set to a predetermined value within the range of, for example, 20 to 2000 sccm. Further, the flow rate of the H 2 gas is set to a predetermined value in the range of, for example, 20 to 1000 sccm.
  • the exhaust gas of the processing chamber 201 is controlled by adjusting the opening degree of the APC 242 so that the pressure of the processing chamber 201 becomes a predetermined pressure in the range of, for example, 1 to 250 Pa. In this way, while appropriately exhausting the processing chamber 201, the supply of O 2 gas and H 2 gas is continued until the end of the plasma processing step S500 described later.
  • the plasma processing step S500 After the pressure in the processing chamber 201 stabilizes, in the plasma processing step S500, supply of high-frequency power to the resonance coil 212 shown in FIG. 1 is started from the high-frequency power supply 273 via the RF sensor 272.
  • the high frequency power supply 273 supplies high frequency power of 27.12 MHz to the resonance coil 212.
  • the high frequency power supplied to the resonance coil 212 is, for example, a predetermined power in the range of 100 to 5000 W.
  • a high-frequency electric field is formed in the plasma generation space 201a (see FIG. 2) to which the O 2 gas and the H 2 gas are supplied, and the electric field corresponds to the electrical midpoint of the resonance coil 212 of the plasma generation space 201a.
  • a donut-shaped induced plasma having the highest plasma density is excited at the height position.
  • Plasma-like O 2 gas and H 2 gas are dissociated to generate reactive species such as oxygen radicals containing oxygen (oxygen active species) and oxygen ions, hydrogen radicals containing hydrogen (hydrogen active species) and hydrogen ions. ..
  • the resonance coil 212 is arranged at a position corresponding to the input processing conditions.
  • the plasma distribution in the processing chamber 201 can be made uniform along the circumferential direction of the processing container 203.
  • radicals and ions generated by inductive plasma are supplied into the trench on the surface of the wafer 200 to the wafer 200 held on the susceptor 217 in the substrate processing space 201b (see FIG. 2).
  • the supplied radicals and ions react with the side walls of the trench to modify the surface silicon layer into a silicon oxide layer.
  • the power supply from the high frequency power supply 273 is stopped, and the plasma discharge in the processing chamber 201 is stopped. Further, the valves 253a and 253b are closed to stop the supply of the O 2 gas and the H 2 gas to the processing chamber 201. As a result, the plasma processing step S500 is completed.
  • the drive units 340 and 390 are operated to move the resonance coil 212 with respect to the processing container 203.
  • the plasma distribution (plasma density distribution) in the processing chamber 201 can be made uniform along the circumferential direction of the processing container 203.
  • the plasma distribution in the processing chamber 201 can be made a desired distribution.
  • the first moving portion 320 of the moving portion 310 moves the resonance coil 212 with respect to the processing container 203 in the device depth direction.
  • the second moving unit 370 of the moving unit 310 moves the resonance coil 212 with respect to the processing container 203 in the device width direction.
  • the first moving portion 320 is a movable portion 322 that is indirectly attached to the resonance coil 212 and moves integrally with the resonance coil 212, and a movable portion 322 that moves the movable portion 322. It is provided with an adjusting unit 332 which is a mechanism for adjusting the position of.
  • the second moving portion 370 is a mechanism that is indirectly attached to the resonance coil 212 and moves integrally with the resonance coil 212, and a mechanism that moves the movable portion 372 to adjust the position of the movable portion 372.
  • the adjustment unit 382 is provided.
  • the first moving unit 320 includes a driving unit 340 for rotating the screw shaft 334 of the adjusting unit 332, and the second moving unit 370 is a driving unit for rotating the screw shaft 384 of the adjusting unit 382. It is equipped with 390.
  • the resonance coil 212 can be moved with respect to the processing container 203 without manually turning the screw shafts 334 and 384.
  • the board processing device 100 controls the input / output device 222 to which the movement information for moving the resonance coil 212 is input and the drive units 340 and 390, and the movement input to the input / output device 222. It includes a CPU 221a that rotates the screw shafts 334 and 384 of the adjusting units 332 and 382 based on the information. Thereby, for example, the resonance coil 212 can be moved with respect to the processing container 203 only by the operator inputting the movement amount.
  • the substrate processing device 100 includes a storage device 221c that stores processing conditions as movement information and relative positions of the resonance coil 212 corresponding to each processing condition with respect to the processing container 203, and the CPU 221a is an input / output device 222.
  • the drive units 340 and 390 are controlled based on the processing conditions as the movement information input to the storage device 221c and the relative positions of the resonance coil 212 corresponding to each processing condition stored in the storage device 221c with respect to the processing container 203.
  • the generated plasma distribution or the plasma distribution obtained for each processing condition differs depending on the processing conditions. Therefore, by storing the relative position of the resonance coil 212 with respect to the processing container 203 for each processing condition, the plasma distribution in the processing chamber 201 can be made a desired distribution for each processing condition.
  • the processing conditions for processing the wafer 200 input to the input / output device 222 are the temperature of the wafer 200 to be processed, the pressure in the processing chamber 201, the type of processing gas for processing the wafer 200, and the wafer. Includes at least one condition in the flow rate of the processing gas processing 200 and the power supplied to the resonant coil 212. Since the generated plasma distribution changes depending on such processing conditions, the plasma distribution in the processing chamber 201 can be made into a desired distribution by storing the position of the resonance coil 212 with respect to the processing container 203 for each such processing condition. can do.
  • the drive units 340 and 390 are in the non-operating state while the wafer 200 is being processed in the processing chamber 201.
  • the relative relationship between the resonance coil 212 and the processing container 203 is maintained. Thereby, the plasma distribution of the processing chamber 201 can be stabilized.
  • the resonance coil 212 and the shielding plate 224 move integrally. In other words, the relative positions of the resonant coil 212 and the shielding plate 224 do not change. Therefore, it is possible to suppress the disturbance of the plasma distribution generated by the resonance coil 212 due to the change in the position of the shielding plate.
  • a support plate 256 for supporting the shielding plate 224 and the resonance coil 212 from below is provided, and by moving the support plate 256, the shielding plate 224 and the resonance coil 212 can be moved. There is. In this way, the shielding plate 224 and the resonance coil 212 can be moved only by moving the support plate 256.
  • the input / output device 222 displays the amount of movement of the resonance coil 212 with respect to the reference position. Therefore, the operator can visually confirm the amount of movement of the resonance coil 212 with respect to the reference position. For example, the operator can manually fine-tune the position of the resonance coil 212 based on this amount of movement. can.
  • the drive units 340 and 390 are operated to move the resonance coil 212 with respect to the processing container 203.
  • the plasma distribution in the processing chamber 201 can be made uniform along the circumferential direction of the processing container 203.
  • the plasma distribution in the processing chamber 201 can be made a desired distribution.
  • the moving portion 410 of the substrate processing apparatus 400 according to the second embodiment is not provided on the upper surface 248a of the base plate 248, but is provided on the upper surface 226a of the upper flange 226 of the shielding plate 224. There is.
  • the moving portion 410 is provided on the upper surface 226a of the upper flange 226 of the shielding plate 224, and is composed of the first moving portion 420 and the second moving portion 470.
  • the first moving unit 420 moves the resonance coil 212 and the shielding plate 224 shown in FIG. 8 in the device depth direction with respect to the processing container 203
  • the second moving unit 470 moves the resonance coil 212 and the shielding plate 224 shown in FIG. 8 in the device depth direction. Is moved in the width direction of the device with respect to the processing container 203.
  • the first moving portion 420 includes an operating portion 430 arranged on the front side in the device depth direction on the upper surface 226a of the upper flange 226 of the shielding plate 224, and the upper surface of the upper flange 226 of the shielding plate 224. It is provided with an actuating portion 440 arranged on the inner side of the device in the depth direction of the 226a. Further, as shown in FIG. 8, the processing container 203 is provided with a disk-shaped disk portion 218 on the upper surface of the lid 233.
  • the operating portion 430 includes a plate member 432 attached to the upper surface 218a of the disk portion 218, a plate member 434 attached to the upper surface 226a of the upper flange 226 of the shielding plate 224, and a bolt 436. , With a gauge of 438.
  • the plate member 432 and the plate member 434 face each other in the device depth direction, and the plate thickness direction of the plate member 432 and the plate thickness direction of the plate member 434 are the device depth directions.
  • a female screw 432a is formed on the plate member 432.
  • the bolt 436 is fastened to the female screw 432a of the plate member 432 from the inside in the radial direction of the container, and the tip of the bolt 436 is abutted against the plate surface of the plate member 434.
  • the gauge 438 is attached to the plate member 434, and the gauge 438 measures the distance between the plate member 432 and the plate member 434 in the device depth direction.
  • the operating portion 440 includes a plate member 442 attached to the upper surface 218a of the disk portion 218, a plate member 444 attached to the upper surface 226a of the upper flange 226 of the shielding plate 224, a bolt 446, and a gauge 448. ..
  • the plate member 442 and the plate member 444 face each other in the device depth direction, and the plate thickness direction of the plate member 442 and the plate thickness direction of the plate member 444 are the device depth directions.
  • a female screw 442a is formed on the plate member 442.
  • the bolt 446 is tightened to the female screw 442a of the plate member 442 from the inside in the radial direction of the container, and the tip of the bolt 446 is abutted against the plate surface of the plate member 444.
  • the gauge 448 is attached to the plate member 444, and the gauge 448 measures the distance between the plate member 442 and the plate member 444 in the device depth direction.
  • the second moving portion 470 includes an operating portion 480 arranged on one side in the device width direction on the upper surface 226a of the upper flange 226 of the shielding plate 224, and the upper surface of the upper flange 226 of the shielding plate 224.
  • 226a includes an actuating portion 490 arranged on the other side in the device width direction.
  • the operating portion 480 includes a plate member 482 attached to the upper surface 218a of the disk portion 218, a plate member 484 attached to the upper surface 226a of the upper flange 226 of the shielding plate 224, and the plate member 484. It includes a bolt 486 and a gauge 488.
  • the plate member 482 and the plate member 484 face each other in the device width direction, and the plate thickness direction of the plate member 482 and the plate thickness direction of the plate member 484 are the device width directions.
  • a female screw 482a is formed on the plate member 482.
  • the bolt 486 is fastened to the female screw 482a of the plate member 482 from the inside in the radial direction of the container, and the tip of the bolt 486 is abutted against the plate surface of the plate member 484.
  • the gauge 488 is attached to the plate member 484, and the gauge 488 measures the distance between the plate member 482 and the plate member 484 in the device width direction.
  • the operating portion 490 includes a plate member 492 attached to the upper surface 218a of the disk portion 218, a plate member 494 attached to the upper surface 226a of the upper flange 226 of the shielding plate 224, a bolt 496, and a gauge 498. ..
  • the plate member 492 and the plate member 494 face each other in the device width direction, and the plate thickness direction of the plate member 492 and the plate thickness direction of the plate member 494 are in the device width direction.
  • a female screw 492a is formed on the plate member 492.
  • the bolt 496 is fastened to the female screw 492a of the plate member 442 from the inside in the radial direction of the container, and the tip of the bolt 496 is abutted against the plate surface of the plate member 494.
  • the gauge 498 is attached to the plate member 494, and the gauge 498 measures the distance between the plate member 492 and the plate member 494 in the device width direction.
  • the action other than the action played by providing the drive unit 340 and 390 in the first embodiment is performed.
  • the moving portion 510 of the substrate processing apparatus 500 is provided on the upper surface 226a of the upper flange 226 of the shielding plate 224, and the first moving portion 520 and the moving portion 510 are provided. It is composed of a second moving unit 570.
  • the first moving unit 520 moves the resonance coil 212 and the shielding plate 224 shown in FIG. 11 in the depth direction of the device with respect to the processing container 203
  • the second moving unit 570 moves the resonance coil 212 and the shielding plate 224 shown in FIG. 11 in the depth direction of the device. Is moved in the width direction of the device with respect to the processing container 203.
  • the first moving portion 520 includes an operating portion 430 arranged on the front side in the device depth direction on the upper surface 226a of the upper flange 226 of the shielding plate 224, and the upper surface of the upper flange 226 of the shielding plate 224. It is provided with an actuating portion 540 arranged on the inner side of the device in the depth direction of the 226a.
  • the operating portion 430 includes a plate member 432 attached to the upper surface 218a of the disk portion 218, a plate member 434 attached to the upper surface 226a of the upper flange 226 of the shielding plate 224, and a bolt 436. , With a gauge of 438.
  • the operating portion 540 includes a plate member 542 attached to the upper surface 218a of the disk portion 218, a plate member 544 attached to the upper surface 226a of the upper flange 226 of the shielding plate 224, and a piston (plunger) urged by a compression coil spring. ) 546 and is provided.
  • the plate member 542 and the plate member 544 face each other in the device depth direction, and the plate thickness direction of the plate member 542 and the plate thickness direction of the plate member 544 are the device depth directions.
  • the piston 546 is arranged in a state of urging the plate member 542 and the plate member 544 in a direction away from each other.
  • the second moving unit 570 includes an operating unit 480 and an operating unit 590 arranged on the other side of the upper surface 226a of the upper flange 226 of the shielding plate 224 in the device width direction.
  • the operating portion 590 includes a plate member 592 attached to the upper surface 218a of the disk portion 218, a plate member 594 attached to the upper surface 226a of the upper flange 226 of the shielding plate 224, and the plate member 594. It is equipped with a piston (plunger) 596 urged by a compression coil spring.
  • the plate member 592 and the plate member 594 face each other in the device width direction, and the plate thickness direction of the plate member 592 and the plate thickness direction of the plate member 594 are the device width directions.
  • the piston 596 is arranged so as to urge the plate member 592 and the plate member 594 in a direction away from each other.
  • an action other than the action played by providing the drive unit 340 and 390 is performed.
  • the resonance coil 212 is moved relative to the processing container 203 by moving the resonance coil 212 with respect to the processing container 203, but the processing container 203 is moved with respect to the resonance coil 212. As a result, the resonance coil 212 may be moved relative to the processing container 203.
  • the processing conditions include at least the relative positions of the resonance coil 212 and the wafer 200 to be processed in the axial direction (up and down direction of the device) of the cylindrical portion 210a of the processing container 203. You may be. Since the desired plasma distribution differs depending on such processing conditions, the plasma distribution in the processing chamber 201 can be made into a desired distribution by storing the position of the resonance coil 212 with respect to the processing container 203 for each such processing condition. Can be done.
  • the processing conditions may include at least the type of wafer 200 to be processed. Since the desired plasma distribution differs depending on such processing conditions, the position of the resonance coil 212 with respect to the processing container 203 is stored for each such processing condition to make the plasma distribution in the processing chamber 201 a desired distribution. be able to.
  • the processing conditions may include at least the processing time of the wafer 200 to be processed. Since the desired plasma distribution differs depending on such processing conditions, the position of the resonance coil 212 with respect to the processing container 203 is stored for each such processing condition to make the plasma distribution in the processing chamber 201 a desired distribution. be able to.
  • the drive units 340 and 390 are in a non-operating state, but the drive unit is operated at a predetermined timing during the processing of the wafer 200. Therefore, the resonance coil 212 may be moved to a predetermined position of the resonance coil 212 with respect to the processing container 203.
  • the plasma distribution in the processing chamber 201 can be made into a desired distribution by moving the resonance coil 212 during the treatment so as to compensate for the bias.
  • the position adjusting step S200 is performed after the substrate loading step S100, but the order may be reversed or may be executed at the same time. (Explanation of symbols)
  • Substrate processing device 200 Wafer 203
  • Processing container 212 Resonant coil

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

処理室のプラズマ分布を処理容器の周方向に沿って所望の分布となるようにすることができる技術を提供する。　本技術に係る装置は、筒状部を有する処理容器と、処理室へ処理ガスを供給するガス供給部と、処理容器の筒状部の外側から処理容器を囲むように螺旋状に設けられ、高周波電力が供給されて処理ガスをプラズマ励起する電極と、筒状部の径方向に電極を処理容器に対して相対移動させる移動部と、を備える。

Description

基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
　本開示は、基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラムに関する。
　近年、フラッシュメモリ等の半導体装置は高集積化の傾向にある。それに伴い、パターンサイズが著しく微細化されている。これらのパターンを形成する際、製造工程の一工程として、基板に酸化処理や窒化処理等の所定の処理を行う工程が実施される場合がある。
　例えば、特許文献１には、プラズマ励起した処理ガスを用いて基板上に形成されたパターン表面を改質処理することが開示されている。
特開２０１４－７５５７９号公報
　従来の構成では、基板が配置される処理室が形成された処理容器の形状ばらつき、処理容器を囲む螺旋状でプラズマを生成する電極の位置ばらつき、電極から発生する電磁界の強度ばらつき、及び基板を処理する処理条件の違い等から、処理容器内のプラズマ分布が、処理容器の周方向に沿って所望の分布にならない場合がある。
　本開示の一態様によれば、基板処理装置は、内部に基板が配置される処理室が形成された筒状部を有する処理容器と、前記処理室へ処理ガスを供給するガス供給部と、前記処理容器の前記筒状部の外側から前記処理容器を囲むように螺旋状に設けられ、高周波電力が供給されて前記処理ガスをプラズマ励起する電極と、前記筒状部の径方向に前記電極を前記処理容器に対して相対移動させる移動部とを備えることを特徴とする。
　本開示によれば、処理室のプラズマ分布を処理容器の周方向に沿って所望の分布となるようにすることができる。
本開示の第１実施形態に係る基板処理装置を示した概略構成図である。 本開示の第１実施形態に係る基板処理装置の遮蔽板、及び共振コイル等を示した斜視図である。 本開示の第１実施形態に係る基板処理装置のコントローラの制御系を示した制御ブロック図である。 本開示の第１実施形態に係る基板処理装置の移動部、及び遮蔽板等を示した平面図である。 本開示の第１実施形態に係る基板処理装置の移動部を示した斜視図である。 本開示の第１実施形態に係る基板処理装置の移動部を示した斜視図である。 本開示の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法の各工程を示したフロー図である。 本開示の第２実施形態に係る基板処理装置を示した概略構成図である。 本開示の第２実施形態に係る基板処理装置の移動部を示した斜視図である。 本開示の第２実施形態に係る基板処理装置の移動部を示した拡大斜視図である。 本開示の第３実施形態に係る基板処理装置を示した概略構成図である。 本開示の第３実施形態に係る基板処理装置の移動部を示した斜視図である。 本開示の第４実施形態に係る基板処理装置の移動部を示した拡大斜視図である。
　＜第１実施形態＞
　本開示の第１実施形態の一例を図１～図７に従って説明する。なお、各図に示す矢印Ｈは鉛直方向であって装置上下方向を示し、矢印Ｗは、水平方向であって装置幅方向を示し、矢印Ｄは、水平方向であって装置奥行向を示す。
　（基板処理装置１００）
　本第１実施形態に係る基板処理装置１００は、主に基板に形成された膜に対して酸化処理を行うように構成されている。
　基板処理装置１００は、図１に示されるように、ウエハ２００をプラズマ処理する処理炉２０２を備えている。処理炉２０２には、処理室２０１を構成する処理容器２０３が設けられている。処理容器２０３は、第１の容器であるドーム型の上側容器２１０と、第２の容器である碗型の下側容器２１１とを備えている。さらに、基板処理装置１００は、下側容器２１１の上端を囲むと共に貫通孔が形成されたベースプレート２４８を備えている。
　上側容器２１０は、上下方向に延びる円筒状の円筒部（筒状部）２１０ａを有し、上側容器２１０が下側容器２１１の上に被さることにより処理室２０１が形成される。上側容器２１０は、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）または石英（ＳｉＯ２）等の非金属材料で形成されており、下側容器２１１は、例えばアルミニウム（Ａｌ）で形成されている。ウエハ２００は、基板の一例である。
　また、下側容器２１１の下部側壁には、ゲートバルブ２４４が設けられている。ゲートバルブ２４４は、開いているとき、搬送機構（図示せず）を用いて、搬入出口２４５を介して、処理室２０１へウエハ２００を搬入したり、処理室２０１の外部へウエハ２００を搬出したりすることができるように構成されている。ゲートバルブ２４４は、閉まっているときには、処理室２０１の気密性を保持する仕切弁となるように構成されている。
　処理室２０１は、図２に示されるように、周囲に共振コイル２１２が設けられているプラズマ生成空間２０１ａと、プラズマ生成空間２０１ａに連通し、ウエハ２００が処理される基板処理空間２０１ｂとを有する。プラズマ生成空間２０１ａはプラズマが生成される空間であって、処理室の内、共振コイル２１２の下端より上方であって、且つ共振コイル２１２の上端より下方の空間を言う。一方、基板処理空間２０１ｂは、基板がプラズマを用いて処理される空間であって、共振コイル２１２の下端より下方の空間を言う。本実施形態では、プラズマ生成空間２０１ａと基板処理空間２０１ｂの水平方向の径は略同一となるように構成されている。
　〔サセプタ２１７〕
　ウエハ２００を載置する基板載置部としてのサセプタ２１７は、図１に示されるように、処理室２０１の底側中央に配置されている。
　サセプタ２１７の内部には、加熱機構としてのヒータ２１７ｂが一体的に埋め込まれている。ヒータ２１７ｂは、電力が供給されると、ウエハ２００表面を例えば２５℃から７５０℃程度まで加熱することができるように構成されている。
　また、サセプタ２１７には、サセプタを昇降させる駆動機構を備えるサセプタ昇降機構２６８が設けられている。さらに、サセプタ２１７には貫通孔２１７ａが設けられると共に、下側容器２１１の底面にはウエハ突上げピン２６６が設けられている。サセプタ昇降機構２６８によりサセプタ２１７が下降させられたときには、ウエハ突上げピン２６６がサセプタ２１７とは非接触状態で、貫通孔２１７ａを突き抜けるように構成されている。
　主に、サセプタ２１７及びヒータ２１７ｂにより、本実施形態に係る基板載置部が構成されている。
　〔ガス供給部２３０〕
　ガス供給部２３０は、図１に示されるように、処理室２０１の上方に設けられている。具体的には、処理室２０１の上方、つまり上側容器２１０の上部には、ガス供給ヘッド２３６が設けられている。ガス供給ヘッド２３６は、キャップ状の蓋体２３３と、ガス導入口２３４と、バッファ室２３７と、開口２３８と、遮蔽プレート２４０と、ガス吹出口２３９とを備え、反応ガスを処理室２０１へ供給できるように構成されている。
　ガス導入口２３４には、酸素含有ガスとしての酸素（Ｏ２）ガスを供給する酸素含有ガス供給管２３２ａの下流端と、水素含有ガスとしての水素（Ｈ２）ガスを供給する水素含有ガス供給管２３２ｂの下流端と、不活性ガスとしてのアルゴン（Ａｒ）ガスを供給する不活性ガス供給管２３２ｃと、が合流するように接続されている。
　酸素含有ガス供給管２３２ａには、上流側から順に、Ｏ２ガス供給源２５０ａ、流量制御装置としてのマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２５２ａ、開閉弁としてのバルブ２５３ａが設けられている。水素含有ガス供給管２３２ｂには、上流側から順に、Ｈ２ガス供給源２５０ｂ、ＭＦＣ２５２ｂ、バルブ２５３ｂが設けられている。不活性ガス供給管２３２ｃには、上流側から順に、Ａｒガス供給源２５０ｃ、ＭＦＣ２５２ｃ、バルブ２５３ｃが設けられている。
　酸素含有ガス供給管２３２ａと水素含有ガス供給管２３２ｂと不活性ガス供給管２３２ｃとが合流した下流側には、バルブ２４３ａが設けられ、ガス導入口２３４の上流端に接続されている。
　主に、ガス供給ヘッド２３６（蓋体２３３、ガス導入口２３４、バッファ室２３７、開口２３８、遮蔽プレート２４０、ガス吹出口２３９）、酸素含有ガス供給管２３２ａ、水素含有ガス供給管２３２ｂ、不活性ガス供給管２３２ｃ、ＭＦＣ２５２ａ，２５２ｂ，２５２ｃ、バルブ２５３ａ，２５３ｂ，２５３ｃ，２４３ａにより、本実施形態に係るガス供給部２３０（ガス供給系）が構成されている。
　〔排気部２２８〕
　排気部２２８は、図１に示されるように、処理室２０１の下方で、搬入出口２４５に対して水平方向で対向するように設けられている。具体的には、下側容器２１１の側壁には、処理室２０１から反応ガスを排気するガス排気口２３５が設けられている。ガス排気口２３５には、ガス排気管２３１の上流端が接続されている。ガス排気管２３１には、上流側から順に圧力調整器（圧力調整部）としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ　Ｐｒｅｓｓｕｒｅ　Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）２４２、開閉弁としてのバルブ２４３ｂ、真空排気装置としての真空ポンプ２４６が設けられている。
　主に、ガス排気口２３５、ガス排気管２３１、ＡＰＣ２４２、バルブ２４３ｂにより、本実施形態に係る排気部２２８が構成されている。尚、真空ポンプ２４６を排気部に含めても良い。
　〔プラズマ生成部２１６〕
　プラズマ生成部２１６は、図１に示されるように、主に、上側容器２１０の円筒部２１０ａの外壁の外側に設けられている。具体的には、処理室２０１の外周部、すなわち上側容器２１０の側壁の外側には、処理室２０１を囲むように、螺旋状の共振コイル２１２が設けられている。換言すれば、円筒部２１０ａの径方向（以下「容器径方向」）の外側（円筒部２１０ａの中心から離れる側）から処理容器２０３を囲むように、螺旋状の共振コイルが設けられている。共振コイル２１２は、電極の一例である。
　また、共振コイル２１２には、ＲＦセンサ２７２、高周波電源２７３、高周波電源２７３のインピーダンスや出力周波数の整合を行う整合器２７４が接続される。
　－高周波電源２７３、ＲＦセンサ２７２、整合器２７４－
　高周波電源２７３は、共振コイル２１２に高周波電力（ＲＦ電力）を供給するものである。ＲＦセンサ２７２は高周波電源２７３の出力側に設けられ、供給される高周波の進行波や反射波の情報をモニタするものである。ＲＦセンサ２７２によってモニタされた反射波電力は整合器２７４に入力され、整合器２７４は、ＲＦセンサ２７２から入力された反射波の情報に基づいて、反射波が最小となるよう、高周波電源２７３のインピーダンスや出力される高周波電力の周波数を制御するものである。
　高周波電源２７３は、発振周波数および出力を規定するための高周波発振回路およびプリアンプを含む電源制御手段（コントロール回路）と、所定の出力に増幅するための増幅器（出力回路）とを備えている。電源制御手段は、操作パネルを通じて予め設定された周波数および電力に関する出力条件に基づいて増幅器を制御する。増幅器は、共振コイル２１２に伝送線路を介して一定の高周波電力を供給する。
　－共振コイル２１２－
　共振コイル２１２は、所定の波長の定在波を形成するため、一定の波長で共振するように巻径、巻回ピッチ、巻数が設定される。すなわち、共振コイル２１２の電気的長さは、高周波電源２７３から供給される高周波電力の所定周波数における１波長の整数倍（１倍、２倍、…）に相当する長さに設定される。換言すれば、基板処理装置１００は、共振コイル２１２の電気的長さの整数倍の波長を有する高周波電力を電極に供給する高周波電源を２７３備える。
　具体的には、印加する電力や発生させる磁界強度または適用する装置の外形などを勘案し、共振コイル２１２は、例えば、８００ｋＨｚ～５０ＭＨｚ、０．５～５ＫＷの高周波電力によって０．０１～１０ガウス程度の磁場を発生し得る様に、５０～３００ｍｍ２の有効断面積であって且つ２００～５００ｍｍのコイル直径とされ、プラズマ生成空間２０１ａ（図２参照）を形成する部屋の外周側に２～６０回程度巻回される。
　好適な実施例としては、例えば、周波数を１３．５６ＭＨｚ、又は２７．１２ＭＨｚとする。本実施形態では、高周波電力の周波数を２７．１２ＭＨｚ、共振コイル２１２の電気的長さを１波長の長さ（約１１メートル）に設定している。共振コイル２１２の巻回ピッチは、例えば、２４．５ｍｍ間隔で等間隔となるように設けられる。また、共振コイル２１２の巻径（直径）はウエハ２００の直径よりも大きくなるように設定される。本実施形態では、ウエハ２００の直径を３００ｍｍとし、共振コイル２１２の巻径はウエハ２００の直径よりも大きい５００ｍｍとなるように設けられる。
　共振コイル２１２を構成する素材としては、銅パイプ、銅の薄板、アルミニウムパイプ、アルミニウム薄板、ポリマーベルトに銅またはアルミニウムを蒸着した素材などが使用される。
　共振コイル２１２の両端は電気的に接地され、そのうちの少なくとも一端は、装置の最初の設置の際又は処理条件の変更の際に当該共振コイルの電気的長さを微調整するため、可動タップ２１３を介して接地される。図１の符号２１４は他方の固定グランドを示す。さらに、装置の最初の設置の際又は処理条件の変更の際に共振コイル２１２のインピーダンスを微調整するため、共振コイル２１２の接地された両端の間には、可動タップ２１５によって給電部が構成される。
　－遮蔽板２２４－
　遮蔽板２２４は、容器径方向の外側から共振コイル２１２を覆い、共振コイル２１２によって生じる電界を遮蔽すると共に、共振回路を構成するのに必要な容量成分（Ｃ成分）を共振コイル２１２との間に形成するために設けられている。遮蔽板２２４は、遮蔽部の一例である。
　具体的には、遮蔽板２２４は、アルミニウム合金などの導電性材料を用いて成形され、容器径方向の外側から共振コイル２１２を覆う円筒状の本体部２２５と、本体部２２５の上端に接続されると共に容器径方向の内側に延びる上側フランジ２２６とを有している。さらに、遮蔽板２２４は、本体部２２５の下端に接続されると共に容器径方向の内側に延びる下側フランジ２２７を有している。
　前述した共振コイル２１２は、下側フランジ２２７の上端面に鉛直に立設された複数のサポート２２９によって支持される。また、ベースプレート２４８に載せられると共に上側容器２１０が通る貫通孔が形成された支持プレート２５６が設けられており、遮蔽板２２４は、この支持プレート２５６によって下方から支持されている。換言すれば、支持プレート２５６は、遮蔽板２２４及び共振コイル２１２を下方から支持している。支持プレート２５６は、支持部の一例である。
　遮蔽板２２４は、共振コイル２１２の外周から５～１５０ｍｍ程度隔てて配置される。
　主に、共振コイル２１２、ＲＦセンサ２７２、整合器２７４により、本実施形態に係るプラズマ生成部２１６が構成されている。尚、プラズマ生成部として高周波電源２７３を含めても良い。
　ここで、本実施形態に係る装置のプラズマ生成原理および生成されるプラズマの性質について図２を用いて説明する。
　共振コイル２１２によって構成されるプラズマ発生回路はＲＬＣの並列共振回路で構成される。しかしながら、上記プラズマ発生回路においては、プラズマを発生させた場合、共振コイル２１２の電圧部とプラズマとの間の容量結合の変動や、プラズマ生成空間２０１ａとプラズマとの間の誘導結合の変動、プラズマの励起状態、等により、実際の共振コイル２１２の共振周波数は僅かながら変動する。
　そこで、本実施形態においては、プラズマ発生時の共振コイル２１２における共振のずれを電源側で補償するため、整合器２７４が、ＲＦセンサ２７２において検出されたプラズマが発生した際の共振コイル２１２からの反射波電力に基づいて、反射波電力が最小となる様に高周波電源２７３のインピーダンス或いは出力周波数を増加または減少させる。
　かかる構成により、本実施形態における共振コイル２１２では、図２に示す様に、プラズマを含む当該共振コイルの実際の共振周波数による高周波電力が供給されるので（或いは、プラズマを含む当該共振コイルの実際のインピーダンスに整合するように高周波電力が供給されるので）、位相電圧と逆位相電圧が常に相殺される状態の定在波が形成される。共振コイル２１２の電気的長さが高周波電力の波長と同じ場合、コイルの電気的中点（電圧がゼロのノード）に最も高い位相電流が生起される。従って、電気的中点の近傍においては、処理室壁やサセプタ２１７との容量結合が殆どなく、電気的ポテンシャルの極めて低いドーナツ状の誘導プラズマが形成される。
　〔移動部３１０〕
　移動部３１０は、共振コイル２１２を処理容器２０３に対して移動させるように構成されている。先ず、共振コイル２１２を処理容器２０３に対して移動させる目的について説明する。
　共振コイル２１２の位置ばらつき、処理容器２０３の形状ばらつき、共振コイル２１２から発生する電磁界の強度ばらつき、及びウエハ２００を処理する処理条件の違い等の理由から、処理室２０１内のプラズマ分布が所望の分布にならない場合がある。具体的には、処理室２０１内のプラズマ分布が処理容器２０３の周方向に沿って一様にならない場合がある。つまり、ウエハ２００に形成された膜に対して酸化処理等が一様に行われない場合がある。
　このような場合に、共振コイル２１２の処理容器２０３に対する位置を変えることで、共振コイル２１２と処理容器２０３との距離（以下「コイル容器間距離」と記載することがある）が、処理容器２０３の周方向で異なるようになる。このコイル容器間距離を処理容器２０３の周方向で異ならせることで、処理容器２０３内のプラズマ分布を変化させ、プラズマ分布が処理容器２０３の周方向に沿って一様となるようにする。
　共振コイル２１２を処理容器２０３に対して移動させる移動部３１０は、図４に示されるように、ベースプレート２４８の上面２４８ａに設けられており、第一移動部３２０と、第二移動部３７０とから構成されている。
　第一移動部３２０は、共振コイル２１２及び遮蔽板２２４を容器径方向である装置奥行方向に移動させ、第二移動部３７０は、共振コイル２１２及び遮蔽板２２４を容器径方向であると共に装置奥行方向に対して直交する装置幅方向に移動させるようになっている。装置奥行方向は、一の方向の一例であって、装置幅方向は、他の方向の一例である。
　－第一移動部３２０－
　第一移動部３２０は、図４に示されるように、ベースプレート２４８において装置奥行方向の手前側（紙面下側）で、かつ、装置幅方向の一方側（紙面左側）の部分に配置されている。この第一移動部３２０は、図５に示されるように、共振コイル２１２に間接的に取り付けられると共に共振コイル２１２と一体となって移動する可動部３２２と、作動することで可動部３２２を移動させて可動部３２２の位置を調整する機構である調整部３３２と、ステッピングモータである駆動部３４０とを備えている。ここで、「一体となって移動する」とは、相対関係を変えることなく移動すると言う意味である。
　－第一移動部３２０の可動部３２２－
　可動部３２２は、本体部３２４と、本体部３２４に支持されている支持部３２８とを備えている。
　本体部３２４は、装置幅方向に延びる直方体状の基部３２４ａと、基部３２４ａから装置幅方向の一方側へ延びる板状の延設部３２４ｂとを有している。基部３２４ａの下端部分は、ベースプレート２４８の上面２４８ａに形成された案内溝２４８ｂに挿入されている。これにより、本体部３２４は、案内溝２４８ｂに案内されて装置奥行方向に移動するようになっている。また、基部３２４ａの上面には、装置幅方向に延びる案内溝３２６が形成されている。
　さらに、延設部３２４ｂは、板厚方向を装置奥行方向とし、装置奥行方向から見て、装置幅方向に延びる矩形状とされている。この延設部３２４ｂには、装置奥行方向に貫通する雌ねじ３３０が形成されている。
　また、支持部３２８は、装置幅方向に延びる直方体状の基部３２８ａと、基部３２８ａから上方へ突出する円柱状の円柱部３２８ｂとを有している。基部３２８ａの上端部を除いた部分は、本体部３２４の基部３２４ａの上面に形成された案内溝３２６に挿入されている。これにより、支持部３２８は、案内溝３２６に案内されて装置幅方向に移動するようになっている。
　また、支持プレート２５６には、外周面２５６ａから突出し、上下方向を板厚方向とした突出部２５８が形成されている。さらに、この突出部２５８には、上下方向に貫通する貫通孔２５８ａが形成されている。そして、支持部３２８の円柱部３２８ｂは、この貫通孔２５８ａに挿入されている。
　－第一移動部３２０の調整部３３２－
　調整部３３２は、装置奥行方向に延びるねじ軸３３４と、ねじ軸３３４を回転可能に支持する一対の支持板３３６とを備えている。
　ねじ軸３３４の外周面には雄ねじ３３４ａが形成されており、ねじ軸３３４の雄ねじ３３４ａは、本体部３２４の雌ねじ３３０に締め込まれている。そして、ねじ軸３３４、雌ねじ３３０、及び図示せぬボール等を含んで既知のボールねじ構造が形成されている。また、駆動部３４０は、ねじ軸３３４を回転させるように設けられている。
　この構成において、駆動部３４０がねじ軸３３４を一方向に回転させることで、第一移動部３２０が、共振コイル２１２及び遮蔽板２２４を処理容器２０３に対して装置奥行方向の奥側へ移動させる。具体的には、駆動部３４０がねじ軸３３４を一方向に回転させることで、本体部３２４及び支持部３２８が装置奥行方向の奥側に移動する。さらに、本体部３２４及び支持部３２８が装置奥行方向の奥側に移動することで、支持プレート２５６を介して共振コイル２１２及び遮蔽板２２４が装置奥行方向の奥側へ移動する。
　これに対して、駆動部３４０がねじ軸３３４を他方向に回転させることで、第一移動部３２０が、共振コイル２１２及び遮蔽板２２４を処理容器２０３に対して装置奥行方向の手前側へ移動させる。具体的には、駆動部３４０がねじ軸３３４を他方向に回転させることで、本体部３２４及び支持部３２８が装置奥行方向の手前側に移動する。さらに、本体部３２４及び支持部３２８が装置奥行方向の手前側に移動することで、支持プレート２５６を介して共振コイル２１２及び遮蔽板２２４が装置奥行方向の手前側へ移動する。このように、共振コイル２１２と遮蔽板２２４とは、一体となって移動する。
　なお、第二移動部３７０によって、共振コイル２１２及び遮蔽板２２４が装置幅方向に移動した場合であっても、支持部３２８が案内溝３２６に案内されて装置幅方向に移動することで、第二移動部３７０による共振コイル２１２及び遮蔽板２２４の移動を吸収することができる。
　－第二移動部３７０－
　第二移動部３７０は、図４に示されるように、ベースプレート２４８において装置奥行方向の奥側（紙面上側）で、かつ、装置幅方向の一方側（紙面左側）の部分に配置されている。
　この第二移動部３７０は、図６に示されるように、共振コイル２１２に間接的に取り付けられると共に共振コイル２１２と一体となって移動する可動部３７２と、作動することで可動部３７２を移動させて可動部３７２の位置を調整する機構である調整部３８２と、ステッピングモータである駆動部３９０とを備えている。
　－第二移動部３７０の可動部３７２－
　可動部３７２は、本体部３７４と、本体部３７４に支持されている支持部３７８とを備えている。
　本体部３７４は、装置奥行方向に延びる直方体状の基部３７４ａと、基部３７４ａから装置奥行方向の奥側へ延びる板状の延設部３７４ｂとを有している。基部３７４ａの下端部分は、ベースプレート２４８の上面２４８ａに形成された案内溝２４８ｃに挿入されている。これにより、本体部３７４は、案内溝２４８ｃに案内されて装置幅方向に移動するようになっている。また、基部３７４ａの上面には、装置奥行方向に延びる案内溝３７６が形成されている。
　さらに、延設部３７４ｂは、板厚方向を装置幅方向とし、装置幅方向から見て、装置奥行方向に延びる矩形状とされている。この延設部３７４ｂには、装置幅方向に貫通する雌ねじ３８０が形成されている。
　支持部３７８は、装置奥行方向に延びる直方体状の基部３７８ａと、基部３７８ａから上方へ突出する円柱状の円柱部３７８ｂとを有している。基部３７８ａの上端部を除いた部分は、本体部３７４の基部３７４ａの上面に形成された案内溝３７６に挿入されている。これにより、支持部３７８は、案内溝３７６に案内されて装置奥行方向に移動するようになっている。
　また、支持プレート２５６には、外周面２５６ａから突出し、上下方向を板厚方向とした突出部２６０が形成されている。さらに、この突出部２６０には、上下方向に貫通する貫通孔２６０ａが形成されている。そして、支持部３７８の円柱部３７８ｂは、この貫通孔２６０ａに挿入されている。
　－第二移動部３７０の調整部３８２－
　調整部３８２は、装置幅方向に延びるねじ軸３８４と、ねじ軸３８４を回転可能に支持する一対の支持板３８６とを備えている。
　ねじ軸３８４の外周面には雄ねじ３８４ａが形成されており、ねじ軸３８４の雄ねじ３８４ａは、本体部３７４の雌ねじ３８０に締め込まれている。そして、ねじ軸３８４、雌ねじ３８０、及び図示せぬボール等を含んで既知のボールねじ構造が形成されている。また、駆動部３９０は、ねじ軸３８４を回転させるように設けられている。
　この構成において、駆動部３９０がねじ軸３８４を一方向に回転させることで、第二移動部３７０が、共振コイル２１２及び遮蔽板２２４を処理容器２０３に対して装置幅方向の一方側へ移動させる。具体的には、駆動部３９０がねじ軸３８４を一方向に回転させることで、本体部３７４及び支持部３７８が装置幅方向の一方側に移動する。さらに、本体部３７４及び支持部３７８が装置幅方向の一方側に移動することで、支持プレート２５６を介して共振コイル２１２及び遮蔽板２２４が装置幅方向の一方側へ移動する。
　これに対して、駆動部３９０がねじ軸３８４を他方向に回転させることで、第二移動部３７０が、共振コイル２１２及び遮蔽板２２４を処理容器２０３に対して装置幅方向の他方側へ移動させる。具体的には、駆動部３９０がねじ軸３８４を他方向に回転させることで、本体部３７４及び支持部３７８が装置幅方向の他方側に移動する。さらに、本体部３７４及び支持部３７８が装置幅方向の他方側に移動することで、支持プレート２５６を介して共振コイル２１２及び遮蔽板２２４が装置幅方向の他方側へ移動する。
　〔コントローラ２２１〕
　コントローラ２２１は、図１に示されるように、信号線Ａを通じてＡＰＣ２４２、バルブ２４３ｂ及び真空ポンプ２４６を、信号線Ｂを通じてサセプタ昇降機構２６８を、信号線Ｃを通じてヒータ電力調整機構２７６を、信号線Ｄを通じてゲートバルブ２４４を、信号線Ｅを通じてＲＦセンサ２７２、高周波電源２７３及び整合器２７４を、信号線Ｆを通じてＭＦＣ２５２ａ～２５２ｃ及びバルブ２５３ａ～２５３ｃ，２４３ａを、それぞれ制御するように構成されている。
　図３に示すように、コントローラ２２１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）２２１ａ、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）２２１ｂ、記憶装置２２１ｃ、Ｉ／Ｏポート２２１ｄを備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ２２１ｂ、記憶装置２２１ｃ、Ｉ／Ｏポート２２１ｄは、内部バス２２１ｅを介して、ＣＰＵ２２１ａとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ２２１には、例えばタッチパネルやディスプレイ等として構成された入出力装置２２２が接続されている。入出力装置２２２は、入力部、及び表示部の一例である。
　ここで、入出力装置２２２には、操作コマンドの入力、及び共振コイル２１２を移動させるための移動情報としての処理条件が入力されるようになっている。また、入出力装置２２２には、予め決められた基準位置に対する共振コイル２１２の移動量が表示されるようになっている。なお、入出力装置２２２に入力される処理条件、及び表示される共振コイル２１２の移動量については、後述する作用と共に説明する。
　－記憶装置２２１ｃ－
　記憶装置２２１ｃは、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ　Ｄｉｓｋ　Ｄｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶装置２２１ｃには、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムや、後述する基板処理の手順や条件などが記載されたプログラムレシピ等が読み出し可能に格納されている。記憶装置２２１ｃは、記憶部の一例である。
　プロセスレシピは、後述する基板処理工程における各手順をＣＰＵ２２１ａに実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、このプログラムレシピや制御プログラム等を総称して、単にプログラムともいう。なお、本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、プログラムレシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。また、ＲＡＭ２２１ｂは、ＣＰＵ２２１ａによって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。
　本実施形態では、記憶装置２２１ｃには、共振コイル２１２を移動させるための移動情報としての複数の処理条件と、各処理条件に対応する共振コイル２１２の処理容器２０３に対する位置が記憶されている。本実施形態では、処理条件は、処理されるウエハ２００の温度、処理室２０１の圧力、ウエハ２００を処理する処理ガスの種類、ウエハ２００を処理する処理ガスの流量、及び共振コイル２１２へ供給される電力の中で、少なくとも一個の条件を含む。
　なお、共振コイル２１２の処理容器２０３に対する位置については次のように導出し、この位置を記憶装置２２１ｃに記憶させる。まず、処理条件毎に、共振コイル２１２の処理容器２０３に対する位置を複数箇所変えてプラズマ分布を確認する。そして、処理条件毎に、処理容器２０３で処理容器２０３の周方向に沿って一様となるようにすることができる共振コイル２１２の処理容器２０３に対する位置を導出し、この位置を記憶装置２２１ｃに記憶させる。
　－Ｉ／Ｏポート２２１ｄ－
　Ｉ／Ｏポート２２１ｄは、上述のＭＦＣ２５２ａ～２５２ｃ、バルブ２５３ａ～２５３ｃ、２４３ａ、２４３ｂ、ゲートバルブ２４４、ＡＰＣバルブ２４２、真空ポンプ２４６、ＲＦセンサ２７２、高周波電源２７３、整合器２７４、サセプタ昇降機構２６８、ヒータ電力調整機構２７６、駆動部３４０、３９０等に接続されている。
　－ＣＰＵ２２１ａ－
　ＣＰＵ２２１ａは、記憶装置２２１ｃからの制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置２２２からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置２２１ｃからプロセスレシピを読み出すように構成されている。ＣＰＵ２２１ａは、制御部の一例である。
　そして、ＣＰＵ２２１ａは、読み出されたプロセスレシピの内容に沿うように、Ｉ／Ｏポート２２１ｄ及び信号線Ａを通じてＡＰＣバルブ２４２の開度調整動作、バルブ２４３ｂの開閉動作、及び真空ポンプ２４６の起動・停止を、信号線Ｂを通じてサセプタ昇降機構２６８の昇降動作を、信号線Ｃを通じてヒータ電力調整機構２７６によるヒータ２１７ｂへの供給電力量調整動作（温度調整動作）を、信号線Ｄを通じてゲートバルブ２４４の開閉動作を、信号線Ｅを通じてＲＦセンサ２７２、整合器２７４及び高周波電源２７３の動作を、信号線Ｆを通じてＭＦＣ２５２ａ～２５２ｃによる各種ガスの流量調整動作、及びバルブ２５３ａ～２５３ｃ、２４３ａの開閉動作、等を制御するように構成されている。
　コントローラ２２１は、外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯなどの光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）２２３に格納された上述のプログラムをコンピュータにインストールすることにより構成することができる。記憶装置２２１ｃや外部記憶装置２２３は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成されている。以下、これらを総称して、単に記録媒体ともいう。本明細書において、記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置２２１ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置２２３単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合が有る。なお、コンピュータへのプログラムの提供は、外部記憶装置２２３を用いず、インターネットや専用回線等の通信手段を用いて行ってもよい。
　（作用）
　次に、基板処理装置１００を用いて半導体装置を製造する方法について、図７に示すフロー図を用いて説明する。
　本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、例えばフラッシュメモリ等の半導体デバイスの製造工程の一工程として、前述の基板処理装置１００を用いて実施される。以下の説明において、基板処理装置１００を構成する各部の動作は、ＣＰＵ２２１ａにより制御される。
　なお、本実施形態に係る基板処理工程で処理されるウエハ２００の表面には、例えば、少なくとも表面がシリコンの層で構成され、アスペクト比の高い凹凸部を有するトレンチが予め形成されている。本実施形態においては、トレンチの内壁に露出したシリコン層に対して、プラズマを用いた処理として酸化処理を行う。
　なお、基板処理装置１００が稼働する前の状態では、共振コイル２１２は、予め決められた基準位置に配置されている。
　〔基板搬入工程Ｓ１００〕
　基板搬入工程Ｓ１００では、ウエハ２００を処理室２０１に搬入する。具体的には、図１に示すサセプタ昇降機構２６８がウエハ２００の搬送位置までサセプタ２１７を下降させて、サセプタ２１７の貫通孔２１７ａにウエハ突上げピン２６６を貫通させる。
　続いて、ゲートバルブ２４４を開き、処理室２０１に隣接する真空搬送室から、ウエハ搬送機構（図示せず）を用いて処理室２０１にウエハ２００を搬入する。搬入されたウエハ２００は、サセプタ２１７の表面から突出したウエハ突上げピン２６６上に水平姿勢で支持される。処理室２０１にウエハ２００を搬入したら、ウエハ搬送機構を処理室２０１外へ退避させ、ゲートバルブ２４４を閉じて処理室２０１を密閉する。そして、サセプタ昇降機構２６８がサセプタ２１７を上昇させることにより、ウエハ２００はサセプタ２１７の上面に支持される。
　〔位置調整工程Ｓ２００〕
　位置調整工程Ｓ２００では、作業者によって入出力装置２２２に入力された共振コイル２１２の移動情報に基づいて、第一移動部３２０が、共振コイル２１２を装置奥行方向に移動させ、第二移動部３７０が、共振コイル２１２を装置幅方向に移動させる。
　具体的には、先ず、作業者によって、共振コイル２１２の移動情報としての処理条件が入出力装置２２２に入力される。本実施形態では、処理条件は、処理されるウエハ２００の温度、処理室２０１の圧力、ウエハ２００を処理する処理ガスの種類、ウエハ２００を処理する処理ガスの流量、及び共振コイル２１２へ供給される電力の中で、少なくとも一個を含む。そして、記憶装置２２１ｃに記憶された各処理条件に対応する共振コイル２１２の処理容器２０３に対する位置に基づいて、駆動部３４０、及び駆動部３９０が稼働する。
　駆動部３４０は、ねじ軸３３４を回転させる。ねじ軸３３４が回転することで、本体部３２４及び支持部３２８が装置奥行方向に移動する。さらに、本体部３２４及び支持部３２８が装置奥行方向に移動することで、支持プレート２５６を介して共振コイル２１２及び遮蔽板２２４が装置奥行方向に移動する。なお、支持部３２８が案内溝３２６に案内されて装置幅方向に移動することで、稼働する駆動部３４０によって、共振コイル２１２の装置幅方向の位置が規制されることはない。
　また、駆動部３９０は、ねじ軸３８４を回転させる。ねじ軸３８４が回転することで、本体部３７４及び支持部３７８が装置幅方向に移動する。さらに、本体部３７４及び支持部３７８が装置幅方向に移動することで、支持プレート２５６を介して共振コイル２１２及び遮蔽板２２４が装置幅方向に移動する。なお、支持部３７８が案内溝３７６に案内されて装置奥行方向に移動することで、稼働する駆動部３９０によって、共振コイル２１２の装置奥行方向の位置が規制されることはない。
　以上説明したように、各処理条件に対応する共振コイル２１２の処理容器２０３に対する位置に基づいて、共振コイル２１２及び遮蔽板２２４が移動する。そして、処理室２０１でウエハ２００を処理している間は、駆動部３４０、３９０が非稼働状態とされる。換言すれば、処理室２０１でウエハ２００を処理している間は、共振コイル２１２と処理容器２０３との相対関係は維持される。
　なお、他の実施形態として、作業者が、基準位置に対する共振コイル２１２の移動量（又は、移動後の共振コイル２１２の処理容器２０３に対する位置情報）を、移動情報として入出装置２２２から直接入力し、入力された移動情報に基づいて駆動部３４０、及び駆動部３９０を動作させるようにしてもよい。
　〔昇温・真空排気工程Ｓ３００〕
　昇温・真空排気工程Ｓ３００では、処理室２０１に搬入されたウエハ２００の昇温を行う。図１に示すヒータ２１７ｂは予め加熱されており、ヒータ２１７ｂが埋め込まれたサセプタ２１７上にウエハ２００を保持することでウエハ２００を加熱する。ここでは、ウエハ２００の温度が６００℃となるよう加熱する。また、ウエハ２００の昇温を行う間、真空ポンプ２４６によりガス排気管２３１を介して処理室２０１を真空排気し、処理室２０１の圧力を所定の値とする。真空ポンプ２４６は、少なくとも後述の基板搬出工程Ｓ７００が終了するまで稼働させておく。
　〔反応ガス供給工程Ｓ４００〕
　反応ガス供給工程Ｓ４００では、反応ガスとして、酸素含有ガスであるＯ２ガスと水素含有ガスであるＨ２ガスの供給を開始する。具体的には、図１に示すバルブ２５３ａ及び２５３ｂを開け、ＭＦＣ２５２ａ及び２５２ｂにて流量制御しながら、処理室２０１へＯ２ガス及びＨ２ガスの供給を開始する。このとき、Ｏ２ガスの流量を、例えば２０～２０００ｓｃｃｍの範囲内の所定値とする。また、Ｈ２ガスの流量を、例えば２０～１０００ｓｃｃｍの範囲内の所定値とする。
　また、処理室２０１の圧力が、例えば１～２５０Ｐａの範囲内の所定圧力となるように、ＡＰＣ２４２の開度を調整して処理室２０１の排気を制御する。このように、処理室２０１を適度に排気しつつ、後述のプラズマ処理工程Ｓ５００の終了時までＯ２ガス及びＨ２ガスの供給を継続する。
　〔プラズマ処理工程Ｓ５００〕
　処理室２０１の圧力が安定した後に、プラズマ処理工程Ｓ５００では、図１に示す共振コイル２１２に対して高周波電源２７３からＲＦセンサ２７２を介して、高周波電力の供給が開始される。本実施形態では、高周波電源２７３から共振コイル２１２に２７．１２ＭＨｚの高周波電力を供給する。共振コイル２１２に供給する高周波電力は、例えば１００～５０００Ｗの範囲内の所定の電力である。
　これにより、Ｏ２ガス及びＨ２ガスが供給されているプラズマ生成空間２０１ａ（図２参照）に高周波電界が形成され、係る電界により、プラズマ生成空間２０１ａの共振コイル２１２の電気的中点に相当する高さ位置に、最も高いプラズマ密度を有するドーナツ状の誘導プラズマが励起される。プラズマ状のＯ２ガス及びＨ２ガスは解離し、酸素を含む酸素ラジカル（酸素活性種）や酸素イオン、水素を含む水素ラジカル（水素活性種）や水素イオン、等の反応種が生成される。
　前述したように、位置調整工程Ｓ２００において、共振コイル２１２は、入力された処理条件に対応した位置に配置されている。これにより、処理室２０１のプラズマ分布を処理容器２０３の周方向に沿って一様となるようにすることができる。
　そして、基板処理空間２０１ｂ（図２参照）でサセプタ２１７上に保持されているウエハ２００には、誘導プラズマにより生成されたラジカルとイオンがウエハ２００の表面上のトレンチ内に供給される。供給されたラジカル及びイオンはトレンチの側壁と反応し、表面のシリコン層をシリコン酸化層へと改質する。
　その後、所定の処理時間、例えば１０～３００秒が経過したら、高周波電源２７３からの電力の供給を停止して、処理室２０１におけるプラズマ放電を停止する。また、バルブ２５３ａ及び２５３ｂを閉めて、Ｏ２ガス及びＨ２ガスの処理室２０１への供給を停止する。以上により、プラズマ処理工程Ｓ５００が終了する。
　〔真空排気工程Ｓ６００〕
　Ｏ２ガス及びＨ２ガスの供給を停止した後に、真空排気工程Ｓ６００では、図１に示すガス排気管２３１を介して処理室２０１内を真空排気する。これにより、処理室２０１のＯ２ガスやＨ２ガス、これらガスの反応により発生した排ガス等を処理室２０１の外部へと排気する。その後、ＡＰＣ２４２の開度を調整し、処理室２０１の圧力を処理室２０１に隣接する真空搬送室（ウエハ２００の搬出先。図示せず）と同じ圧力に調整する。
　〔基板搬出工程Ｓ７００〕
　処理室２０１が所定の圧力となった後に、基板搬出工程Ｓ７００では、図１に示すサセプタ２１７をウエハ２００の搬送位置まで下降させ、ウエハ突上げピン２６６上にウエハ２００を支持させる。そして、ゲートバルブ２４４を開き、ウエハ搬送機構を用いてウエハ２００を処理室２０１の外部へ搬出する。さらに、駆動部３４０、３９０を稼働させて、共振コイル２１２を基準位置に移動させる。以上により、本実施形態に係る基板処理工程を終了する。
　（まとめ）
　以上説明したように、基板処理装置１００では、位置調整工程Ｓ２００で、駆動部３４０、３９０を稼働させて、共振コイル２１２を処理容器２０３に対して移動させる。これにより、処理室２０１内のプラズマ分布（プラズマ密度分布）を処理容器２０３の周方向に沿って一様となるようにすることができる。換言すれば、共振コイル２１２を処理容器２０３に対して相対移動させることで、処理室２０１内のプラズマ分布を所望の分布にすることができる。
　また、基板処理装置１００では、位置調整工程Ｓ２００で、移動部３１０の第一移動部３２０は、共振コイル２１２を処理容器２０３に対して装置奥行方向に移動させる。さらに、移動部３１０の第二移動部３７０は、共振コイル２１２を処理容器２０３に対して装置幅方向に移動させる。これにより、共振コイルが一方向だけに移動可能とされている場合と比して、共振コイル２１２の移動範囲を広くすることができる。
　また、基板処理装置１００では、第一移動部３２０は、共振コイル２１２に間接的に取り付けられると共に共振コイル２１２と一体となって移動する可動部３２２と、可動部３２２を移動させて可動部３２２の位置を調整する機構である調整部３３２とを備えている。さらに、第二移動部３７０は、共振コイル２１２に間接的に取り付けられると共に共振コイル２１２と一体となって移動する可動部３７２と、可動部３７２を移動させて可動部３７２の位置を調整する機構である調整部３８２とを備えている。このように、可動部３２２、３７２と調整部３３２、３８２とを備えることで、共振コイル２１２を所望の位置へ精度良く移動させることができる。
　また、基板処理装置１００では、第一移動部３２０は、調整部３３２のねじ軸３３４を回転させる駆動部３４０を備え、第二移動部３７０は、調整部３８２のねじ軸３８４を回転させる駆動部３９０を備えている。これにより、手動でねじ軸３３４、３８４を回すことなく、共振コイル２１２を処理容器２０３に対して移動させることができる。
　また、基板処理装置１００では、基板処理装置１００は、共振コイル２１２を移動させる移動情報が入力される入出力装置２２２と、駆動部３４０、３９０を制御し、入出力装置２２２に入力された移動情報に基づいて調整部３３２、３８２のねじ軸３３４、３８４を回転させるＣＰＵ２２１ａとを備えている。これにより、例えば、作業者が移動量を入力するだけで、共振コイル２１２を処理容器２０３に対して移動させることができる。
　また、基板処理装置１００では、移動情報としての処理条件と、各処理条件に対応する共振コイル２１２の処理容器２０３に対する相対位置と、を記憶した記憶装置２２１ｃを備え、ＣＰＵ２２１ａは、入出力装置２２２に入力された移動情報としての処理条件と、記憶装置２２１ｃに記憶された各処理条件に対応する共振コイル２１２の処理容器２０３に対する相対位置と、に基づいて駆動部３４０、３９０を制御する。ここで、発生するプラズマ分布、又は処理条件ごとに求められるプラズマ分布は、処理条件によって異なる。このため、処理条件ごとに共振コイル２１２の処理容器２０３に対する相対位置を記憶させることで、処理条件ごとに処理室２０１内のプラズマ分布を所望の分布にすることができる。
　また、基板処理装置１００では、入出力装置２２２に入力されるウエハ２００を処理する処理条件は、処理されるウエハ２００の温度、処理室２０１の圧力、ウエハ２００を処理する処理ガスの種類、ウエハ２００を処理する処理ガスの流量、及び共振コイル２１２へ供給される電力の中で、少なくとも一個の条件を含む。このような処理条件によって、発生するプラズマ分布が変化するため、このような処理条件ごとに共振コイル２１２の処理容器２０３に対する位置を記憶することで、処理室２０１内のプラズマ分布を所望の分布にすることができる。
　また、基板処理装置１００では、処理室２０１でウエハ２００を処理している間は、駆動部３４０、３９０が非稼働状態とされる。換言すれば、処理室２０１でウエハ２００を処理している間は、共振コイル２１２と処理容器２０３との相対関係は維持される。これにより、処理室２０１のプラズマ分布を安定させることができる。
　また、基板処理装置１００では、共振コイル２１２と遮蔽板２２４とは、一体となって移動する。換言すれば、共振コイル２１２と遮蔽板２２４との相対位置は、変化しない。このため、遮蔽板の位置の変化に起因して、共振コイル２１２によって生成されるプラズマ分布が乱れるのを抑制することができる。
　また、基板処理装置１００では、遮蔽板２２４及び共振コイル２１２を下方から支持する支持プレート２５６が設けられ、支持プレート２５６を移動させることで、遮蔽板２２４及び共振コイル２１２が移動するようになっている。このように、支持プレート２５６を移動させるだけで、遮蔽板２２４及び共振コイル２１２を移動させることができる。
　また、基板処理装置１００では、入出力装置２２２には、共振コイル２１２の基準位置に対する移動量が表示される。このため、作業者が、共振コイル２１２の基準位置に対する移動量を目視で確認することができ、例えば、この移動量に基づいて、作業者が手動で共振コイル２１２の位置を微調整することができる。
　また、半導体装置の製造方法では、位置調整工程Ｓ２００で、駆動部３４０、３９０を稼働させて、共振コイル２１２を処理容器２０３に対して移動させる。これにより、処理室２０１内のプラズマ分布を処理容器２０３の周方向に沿って一様となるようにすることができる。換言すれば、共振コイル２１２を処理容器２０３に対して相対移動させることで、処理室２０１内のプラズマ分布を所望の分布にすることができる。
　＜第２実施形態＞
　本開示の第２実施形態の一例を図８～図１０に従って説明する。なお、第２実施形態については、第１実施形態と異なる部分を主に説明する。
　第２実施形態に係る基板処理装置４００の移動部４１０は、図８に示されるように、ベースプレート２４８の上面２４８ａに設けられておらず、遮蔽板２２４の上側フランジ２２６の上面２２６ａに設けられている。
　移動部４１０は、図９に示されるように、遮蔽板２２４の上側フランジ２２６の上面２２６ａに設けられており、第一移動部４２０と、第二移動部４７０とから構成されている。
　第一移動部４２０は、図８に示す共振コイル２１２及び遮蔽板２２４を処理容器２０３に対して装置奥行方向に移動させ、第二移動部４７０は、図８に示す共振コイル２１２及び遮蔽板２２４を処理容器２０３に対して装置幅方向に移動させるようになっている。
　－第一移動部４２０－
　第一移動部４２０は、図９に示されるように、遮蔽板２２４の上側フランジ２２６の上面２２６ａにおける装置奥行方向の手前側に配置された作動部４３０と、遮蔽板２２４の上側フランジ２２６の上面２２６ａにおける装置奥行方向の奥側に配置された作動部４４０とを備えている。また、図８に示されるように、処理容器２０３に蓋体２３３の上面には、円盤状の円盤部２１８が設けられている。
　作動部４３０は、図９に示されるように、円盤部２１８の上面２１８ａに取り付けられた板部材４３２と、遮蔽板２２４の上側フランジ２２６の上面２２６ａに取り付けられた板部材４３４と、ボルト４３６と、ゲージ４３８とを備えている。
　板部材４３２と板部材４３４とは、装置奥行方向で対向しており、板部材４３２の板厚方向及び板部材４３４の板厚方向は、装置奥行方向とされている。板部材４３２には、雌ねじ４３２ａが形成されている。そして、ボルト４３６は、容器径方向の内側から板部材４３２の雌ねじ４３２ａに締め込まれており、ボルト４３６の先端は、板部材４３４の板面に突き当てられている。さらに、ゲージ４３８は、板部材４３４に取り付けられており、ゲージ４３８によって、板部材４３２と板部材４３４との装置奥行方向の距離が測定されるようになっている。
　作動部４４０は、円盤部２１８の上面２１８ａに取り付けられた板部材４４２と、遮蔽板２２４の上側フランジ２２６の上面２２６ａに取り付けられた板部材４４４と、ボルト４４６と、ゲージ４４８とを備えている。
　板部材４４２と板部材４４４とは、装置奥行方向で対向しており、板部材４４２の板厚方向及び板部材４４４の板厚方向は、装置奥行方向とされている。板部材４４２には、雌ねじ４４２ａが形成されている。そして、ボルト４４６は、容器径方向の内側から板部材４４２の雌ねじ４４２ａに締め込まれており、ボルト４４６の先端は、板部材４４４の板面に突き当てられている。さらに、ゲージ４４８は、板部材４４４に取り付けられており、ゲージ４４８によって、板部材４４２と板部材４４４との装置奥行方向の距離が測定されるようになっている。
　この構成において、ボルト４３６を締め、かつ、ボルト４４６を緩めることで、図８に示す共振コイル２１２及び遮蔽板２２４が、装置奥行方向の手前側へ移動する。さらに、ボルト４３６を緩め、かつ、ボルト４４６を締めることで、図８に示す共振コイル２１２及び遮蔽板２２４が、装置奥行方向の奥側へ移動する。
　－第二移動部４７０－
　第二移動部４７０は、図９に示されるように、遮蔽板２２４の上側フランジ２２６の上面２２６ａにおける装置幅方向の一方側に配置された作動部４８０と、遮蔽板２２４の上側フランジ２２６の上面２２６ａにおける装置幅方向の他方側に配置された作動部４９０とを備えている。
　作動部４８０は、図９、図１０に示されるように、円盤部２１８の上面２１８ａに取り付けられた板部材４８２と、遮蔽板２２４の上側フランジ２２６の上面２２６ａに取り付けられた板部材４８４と、ボルト４８６と、ゲージ４８８とを備えている。
　板部材４８２と板部材４８４とは、装置幅方向で対向しており、板部材４８２の板厚方向及び板部材４８４の板厚方向は、装置幅方向とされている。板部材４８２には、雌ねじ４８２ａが形成されている。そして、ボルト４８６は、容器径方向の内側から板部材４８２の雌ねじ４８２ａに締め込まれており、ボルト４８６の先端は、板部材４８４の板面に突き当てられている。さらに、ゲージ４８８は、板部材４８４に取り付けられており、ゲージ４８８によって、板部材４８２と板部材４８４との装置幅方向の距離が測定されるようになっている。
　作動部４９０は、円盤部２１８の上面２１８ａに取り付けられた板部材４９２と、遮蔽板２２４の上側フランジ２２６の上面２２６ａに取り付けられた板部材４９４と、ボルト４９６と、ゲージ４９８とを備えている。
　板部材４９２と板部材４９４とは、装置幅方向で対向しており、板部材４９２の板厚方向及び板部材４９４の板厚方向は、装置幅方向とされている。板部材４９２には、雌ねじ４９２ａが形成されている。そして、ボルト４９６は、容器径方向の内側から板部材４４２の雌ねじ４９２ａに締め込まれており、ボルト４９６の先端は、板部材４９４の板面に突き当てられている。さらに、ゲージ４９８は、板部材４９４に取り付けられており、ゲージ４９８によって、板部材４９２と板部材４９４との装置幅方向の距離が測定されるようになっている。
　この構成において、ボルト４８６を締め、かつ、ボルト４９６を緩めることで、図８に示す共振コイル２１２及び遮蔽板２２４が、装置幅方向の一方側へ移動する。さらに、ボルト４８６を緩め、かつ、ボルト４９６を締めることで、図８に示す共振コイル２１２及び遮蔽板２２４が、装置幅方向の他方側へ移動する。
　第２実施形態に作用については、第１実施形態で、駆動部３４０、３９０が設けられることで奏する作用以外の作用を奏する。
　＜第３実施形態＞
　本開示の第３実施形態の一例を図１１～図１３に従って説明する。なお、第３実施形態については、第２実施形態と異なる部分を主に説明する。
　第３実施形態に係る基板処理装置５００の移動部５１０は、図１１、図１２に示されるように、遮蔽板２２４の上側フランジ２２６の上面２２６ａに設けられており、第一移動部５２０と、第二移動部５７０とから構成されている。
　第一移動部５２０は、図１１に示す共振コイル２１２及び遮蔽板２２４を処理容器２０３に対して装置奥行方向に移動させ、第二移動部５７０は、図１１に示す共振コイル２１２及び遮蔽板２２４を処理容器２０３に対して装置幅方向に移動させるようになっている。
　－第一移動部５２０－
　第一移動部５２０は、図１２に示されるように、遮蔽板２２４の上側フランジ２２６の上面２２６ａにおける装置奥行方向の手前側に配置された作動部４３０と、遮蔽板２２４の上側フランジ２２６の上面２２６ａにおける装置奥行方向の奥側に配置された作動部５４０とを備えている。
　作動部４３０は、図１２に示されるように、円盤部２１８の上面２１８ａに取り付けられた板部材４３２と、遮蔽板２２４の上側フランジ２２６の上面２２６ａに取り付けられた板部材４３４と、ボルト４３６と、ゲージ４３８とを備えている。
　作動部５４０は、円盤部２１８の上面２１８ａに取り付けられた板部材５４２と、遮蔽板２２４の上側フランジ２２６の上面２２６ａに取り付けられた板部材５４４と、圧縮コイルばねにより付勢されたピストン（プランジャ）５４６とを備えている。
　板部材５４２と板部材５４４とは、装置奥行方向で対向しており、板部材５４２の板厚方向及び板部材５４４の板厚方向は、装置奥行方向とされている。そして、ピストン５４６は、板部材５４２と板部材５４４とを互いに遠ざける方向に付勢する状態で配置されている。
　この構成において、ボルト４３６を締めることで、ピストン５４６が伸びて、図１１に示す共振コイル２１２及び遮蔽板２２４が、装置奥行方向の手前側へ移動する。さらに、ボルト４３６を緩めることで、ピストン５４６が縮んで、図１１に示す共振コイル２１２及び遮蔽板２２４が、装置奥行方向の奥側へ移動する。
　－第二移動部５７０－
　第二移動部５７０は、図１２に示されるように、作動部４８０と、遮蔽板２２４の上側フランジ２２６の上面２２６ａの装置幅方向の他方側に配置された作動部５９０とを備えている。
　作動部５９０は、図１２、図１３に示されるように、円盤部２１８の上面２１８ａに取り付けられた板部材５９２と、遮蔽板２２４の上側フランジ２２６の上面２２６ａに取り付けられた板部材５９４と、圧縮コイルばねにより付勢されたピストン（プランジャ）５９６とを備えている。
　板部材５９２と板部材５９４とは、装置幅方向で対向しており、板部材５９２の板厚方向及び板部材５９４の板厚方向は、装置幅方向とされている。そして、ピストン５９６は、板部材５９２と板部材５９４とを互いに遠ざける方向に付勢する状態で配置されている。
　この構成において、ボルト４８６を締めることで、ピストン５９６が伸びて、図１１に示す共振コイル２１２及び遮蔽板２２４が、装置幅方向の一方前側へ移動する。さらに、ボルト４８６を緩めることで、ピストン５９６が縮んで、図１１に示す共振コイル２１２及び遮蔽板２２４が、装置幅方向の他方側へ移動する。
　第３実施形態に作用については、第１実施形態で、駆動部３４０、３９０が設けられることで奏する作用以外の作用を奏する。
　なお、上記実施形態では特定の実施形態について詳細に説明したが、本開示は係る実施形態に限定されるものではなく、本開示の範囲内にて他の種々の実施形態が可能であることは当業者にとって明らかである。例えば、上記実施形態では、共振コイル２１２を処理容器２０３に対して移動させることで、共振コイル２１２を処理容器２０３に対して相対移動させたが、処理容器２０３を共振コイル２１２に対して移動させることで、共振コイル２１２を処理容器２０３に対して相対移動させてもよい。
　また、上記実施形態で示した処理条件の他に、処理条件が、処理容器２０３の円筒部２１０ａの軸方向（装置上下方向）における共振コイル２１２と処理されるウエハ２００との相対位置を少なくとも含んでいてもよい。このような処理条件によって、所望のプラズマ分布が異なるため、このような処理条件ごとに共振コイル２１２の処理容器２０３に対する位置を記憶することで、処理室２０１のプラズマ分布を所望の分布にすることができる。
　また、上記実施形態で示した処理条件の他に、処理条件が、処理されるウエハ２００の種類を少なくとも含んでいてもよい。このような処理条件によって、所望のプラズマ分布が異なるため、このような処理条件ごとに共振コイル２１２の処理容器２０３に対する位置を記憶することで、処理室２０１内のプラズマ分布を所望の分布にすることができる。
　また、上記実施形態で示した処理条件の他に、処理条件が、処理されるウエハ２００の処理時間を少なくとも含んでもよい。このような処理条件によって、所望のプラズマ分布が異なるため、このような処理条件ごとに共振コイル２１２の処理容器２０３に対する位置を記憶することで、処理室２０１内のプラズマ分布を所望の分布にすることができる。
　また、上記実施形態では、処理室２０１でウエハ２００を処理している間は、駆動部３４０、３９０が非稼働状態とされたが、ウエハ２００の処理中の所定のタイミングで駆動部を稼働させて、予め決められた共振コイル２１２の処理容器２０３に対する位置に共振コイル２１２を移動させるようにしてもよい。処理が行われてからプラズマ分布に偏りが生じる場合に、この偏りを補償するように共振コイル２１２を処理中に移動させることにより、処理室２０１のプラズマ分布を所望の分布にすることができる。
　また、上記実施形態では、基板搬入工程Ｓ１００の後に、位置調整工程Ｓ２００が実施されたが、この順番が逆になってもよく、さらに、同時に実行されてもよい。
　（符号の説明）
１００ 基板処理装置
２００ ウエハ
２０３ 処理容器
２１２ 共振コイル

Claims (18)

  1. 　内部に基板が配置される処理室が形成された筒状部を有する処理容器と、
    　前記処理室へ処理ガスを供給するガス供給部と、
    　前記処理容器の前記筒状部の外側から前記処理容器を囲むように螺旋状に設けられ、高周波電力が供給されて前記処理ガスをプラズマ励起する電極と、
    　前記筒状部の径方向に前記電極を前記処理容器に対して相対移動させる移動部と、
    　を備える基板処理装置。
  2. 　前記移動部は、前記径方向である一の方向と、前記径方向であると共に前記一の方向に対して直交する他の方向とに、前記電極を前記処理容器に対して相対移動させる請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 　前記移動部は、前記電極に直接又は間接的に取り付けられると共に前記電極と一体となって移動する可動部と、前記可動部を移動させて前記可動部の位置を調整する調整部とを備える請求項１に記載の基板処理装置。
  4. 　前記移動部は、前記調整部を作動させる駆動部を備える請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 　前記電極を移動させるための移動情報が入力される入力部と、
    　前記駆動部を制御し、前記入力部に入力された移動情報に基づいて前記駆動部によって前記調整部を作動させる制御部と、
    　を備える請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 　前記移動情報としての処理条件と、前記処理条件に対応する前記電極の前記処理容器に対する相対位置と、を記憶した記憶部を備え、
    　前記制御部は、前記入力部に入力される前記処理条件と、前記記憶部に記憶された前記処理条件に対応する前記電極の前記処理容器に対する相対位置と、に基づいて前記駆動部を制御する請求項５に記載の基板処理装置。
  7. 　前記処理条件は、処理される基板の温度、前記処理室の圧力、基板を処理する前記処理ガスの種類、前記処理ガスの流量、及び前記電極へ供給される高周波電力のうち、少なくとも一個を含む請求項６に記載の基板処理装置。
  8. 　前記処理条件は、前記処理容器の前記筒状部の軸方向における、前記電極と処理される基板との相対位置を少なくとも含む請求項６に記載の基板処理装置。
  9. 　前記処理条件は、処理される基板の種類を少なくとも含む請求項６に記載の基板処理装置。
  10. 　前記処理条件は、処理される基板の処理時間を少なくとも含む請求項６に記載の基板処理装置。
  11. 　前記処理室で基板を処理している間は、前記制御部は、前記駆動部を非稼働状態とする請求項５～１０の何れか１項に記載の基板処理装置。
  12. 　前記処理室で基板を処理している間の所定のタイミングにおいて、前記制御部は、前記駆動部を稼働させて予め決められた位置に前記電極を移動させる請求項５～１０の何れか１項に記載の基板処理装置。
  13. 　前記電極の電気的長さの整数倍の波長を有する高周波電力を前記電極に供給する高周波電源を備える請求項１～１２の何れか１項に記載の基板処理装置。
  14. 　前記径方向の外側から前記電極を覆い、前記電極によって生じる電界を遮蔽する遮蔽部を備え、
    　前記遮蔽部は、前記電極と一体となって移動する請求項１～１３の何れか１項に記載の基板処理装置。
  15. 　前記遮蔽部及び前記電極を下方から支持する支持部を備え、
    　前記移動部は、前記支持部を移動させることで、前記遮蔽部及び前記電極を移動させる請求項１４に記載の基板処理装置。
  16. 　前記電極の予め決められた基準位置に対する移動量を表示する表示部を備える請求項１～１５の何れか１項に記載の基板処理装置。
  17. 　筒状部を有する処理容器に形成された処理室に基板を搬入する工程と、
    　前記処理容器の前記筒状部の外側から前記処理容器を囲むように螺旋状に設けられる電極を、前記処理容器に対して相対移動させる工程と、
    　前記処理室に処理ガスを供給する工程と、
    　前記電極に高周波電力を供給することで、前記処理室に供給された前記処理ガスをプラズマ励起する工程と、
    　を備える半導体装置の製造方法。
  18. 　筒状部を有する処理容器に形成された処理室に基板を搬入する手順と、
    　前記処理容器の前記筒状部の外側から前記処理容器を囲むように螺旋状に設けられる電極を、前記処理容器に対して相対移動させる手順と、
    　前記処理室に処理ガスを供給する手順と、
    　前記電極に高周波電力を供給することで、前記処理室に供給された前記処理ガスをプラズマ励起する手順と、
    　をコンピュータにより基板処理装置に実行させるプログラム。
PCT/JP2020/010543 2020-03-11 2020-03-11 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム WO2021181565A1 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020227021823A KR20220106181A (ko) 2020-03-11 2020-03-11 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램
EP20923891.4A EP4120804A4 (en) 2020-03-11 2020-03-11 SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PROGRAM
JP2022507081A JP7241961B2 (ja) 2020-03-11 2020-03-11 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
PCT/JP2020/010543 WO2021181565A1 (ja) 2020-03-11 2020-03-11 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
CN202080083477.4A CN114788419A (zh) 2020-03-11 2020-03-11 基板处理装置、半导体器件的制造方法以及程序
TW110103429A TWI792163B (zh) 2020-03-11 2021-01-29 基板處理裝置，半導體裝置的製造方法及程式
US17/853,248 US20220328289A1 (en) 2020-03-11 2022-06-29 Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2020/010543 WO2021181565A1 (ja) 2020-03-11 2020-03-11 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US17/853,248 Continuation US20220328289A1 (en) 2020-03-11 2022-06-29 Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2021181565A1 true WO2021181565A1 (ja) 2021-09-16

Family

ID=77671327

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2020/010543 WO2021181565A1 (ja) 2020-03-11 2020-03-11 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20220328289A1 (ja)
EP (1) EP4120804A4 (ja)
JP (1) JP7241961B2 (ja)
KR (1) KR20220106181A (ja)
CN (1) CN114788419A (ja)
TW (1) TWI792163B (ja)
WO (1) WO2021181565A1 (ja)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0888190A (ja) * 1994-09-16 1996-04-02 Nec Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JPH08330281A (ja) * 1995-05-30 1996-12-13 Anelva Corp 真空処理装置及びその真空処理装置における真空容器内面堆積膜の除去方法
JPH11317397A (ja) * 1998-03-06 1999-11-16 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2006253250A (ja) * 2005-03-09 2006-09-21 Samco Inc 誘導結合型プラズマ処理装置
JP2008516426A (ja) * 2004-10-04 2008-05-15 エリコン ユーエスエイ、インコーポレイテッド プラズマ・エッチング均一性を改良するための方法および装置
JP2009239210A (ja) * 2008-03-28 2009-10-15 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
WO2012073449A1 (ja) * 2010-11-30 2012-06-07 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置
JP2014075579A (ja) 2012-09-12 2014-04-24 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7504041B2 (en) * 2006-05-03 2009-03-17 Applied Materials, Inc. Method of processing a workpiece in a plasma reactor employing a dynamically adjustable plasma source power applicator
US8652297B2 (en) * 2010-08-03 2014-02-18 Applied Materials, Inc. Symmetric VHF plasma power coupler with active uniformity steering
US20140175055A1 (en) * 2012-12-21 2014-06-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Adjustable coil for inductively coupled plasma
KR102454251B1 (ko) * 2016-04-20 2022-10-14 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램
TWI713414B (zh) * 2017-10-23 2020-12-11 日商國際電氣股份有限公司 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0888190A (ja) * 1994-09-16 1996-04-02 Nec Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JPH08330281A (ja) * 1995-05-30 1996-12-13 Anelva Corp 真空処理装置及びその真空処理装置における真空容器内面堆積膜の除去方法
JPH11317397A (ja) * 1998-03-06 1999-11-16 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2008516426A (ja) * 2004-10-04 2008-05-15 エリコン ユーエスエイ、インコーポレイテッド プラズマ・エッチング均一性を改良するための方法および装置
JP2006253250A (ja) * 2005-03-09 2006-09-21 Samco Inc 誘導結合型プラズマ処理装置
JP2009239210A (ja) * 2008-03-28 2009-10-15 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
WO2012073449A1 (ja) * 2010-11-30 2012-06-07 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置
JP2014075579A (ja) 2012-09-12 2014-04-24 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP4120804A4

Also Published As

Publication number Publication date
TWI792163B (zh) 2023-02-11
TW202135602A (zh) 2021-09-16
EP4120804A1 (en) 2023-01-18
JP7241961B2 (ja) 2023-03-17
JPWO2021181565A1 (ja) 2021-09-16
CN114788419A (zh) 2022-07-22
KR20220106181A (ko) 2022-07-28
US20220328289A1 (en) 2022-10-13
EP4120804A4 (en) 2023-11-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11905596B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device, and recording medium
JP6909824B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP6552780B1 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及び静電シールド
JP6805358B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
WO2021181565A1 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP6883620B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
JP6281964B2 (ja) 半導体装置の製造方法、プログラム及び基板処理装置
JP6976279B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
WO2022071105A1 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理方法及びプログラム
JP2024041538A (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム
KR20220104648A (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법 및 기록 매체

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 20923891

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2022507081

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20227021823

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2020923891

Country of ref document: EP

Effective date: 20221011