WO2018055919A1 - 表示装置、投射型表示装置および電子機器 - Google Patents

表示装置、投射型表示装置および電子機器 Download PDF

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WO2018055919A1
WO2018055919A1 PCT/JP2017/027808 JP2017027808W WO2018055919A1 WO 2018055919 A1 WO2018055919 A1 WO 2018055919A1 JP 2017027808 W JP2017027808 W JP 2017027808W WO 2018055919 A1 WO2018055919 A1 WO 2018055919A1
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WO
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display device
liquid crystal
pattern
heat radiation
radiation pattern
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Application number
PCT/JP2017/027808
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English (en)
French (fr)
Inventor
前田　圭一
Original Assignee
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
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    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods

Definitions

  • the present technology relates to a display device having a liquid crystal panel such as a transmission type high temperature polysilicon influence panel (HTPS), a projection type display device including the display device, and an electronic apparatus.
  • a liquid crystal panel such as a transmission type high temperature polysilicon influence panel (HTPS)
  • HTPS transmission type high temperature polysilicon influence panel
  • HTPS is used, for example, in projectors (projection display devices). Such projectors are used in various applications for home use and business use. For business use, higher brightness is required than for home use. Business uses include, for example, educational institutions, corporate presentations, and digital signage (advertisements).
  • the luminous intensity of light emitted from a light source such as a laser is set high.
  • Part of the energy of the light emitted from the light source is absorbed by the liquid crystal panel such as HTPS, so that the temperature of the liquid crystal panel itself rises.
  • various methods have been proposed (for example, Patent Documents 1 to 5).
  • a display device includes a liquid crystal panel having a display area, and a heat radiation pattern provided at a position facing at least a part of the display area.
  • a projection display device includes the display device according to the embodiment of the present technology.
  • An electronic apparatus includes the display device according to the embodiment of the present technology.
  • the heat absorbed by the liquid crystal panel is radiated to the heat dissipation pattern.
  • the liquid crystal panel is efficiently radiated. Therefore, the liquid crystal panel can be effectively cooled. Note that the effects described here are not necessarily limited, and may be any effects described in the present disclosure.
  • FIG. 1 is a diagram illustrating an overall configuration of a projection display device according to an embodiment of the present technology. It is a disassembled perspective view of the liquid crystal display unit shown in FIG. It is sectional drawing of the edge part of the liquid crystal display unit shown in FIG. It is sectional drawing for demonstrating the structure of the pillar shown in FIG. It is sectional drawing for demonstrating the structure of the bump replaced with the pillar shown in FIG. It is a figure showing the heat dissipation pattern shown in FIG. 3, and the planar structure of a pillar with an outer frame.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating a planar configuration of a display area of a heat radiation pattern illustrated in FIG. 3 together with wiring of a TFT layer.
  • FIG. 11A is a cross-sectional diagram illustrating a process following the process in FIG. 11B. It is a top view showing the structure of the wiring of the drive board
  • FIG. 11D is a cross-sectional diagram illustrating a process following the process in FIG. 11C. It is sectional drawing showing the process of following FIG. 13A.
  • FIG. 13C is a cross-sectional diagram illustrating a process following the process in FIG. 13B. It is sectional drawing showing the process of following FIG. 13C. It is sectional drawing of the edge part of the liquid crystal display unit which concerns on a comparative example. It is sectional drawing for demonstrating the heat flow of the liquid crystal display unit shown in FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating an end portion of a liquid crystal display unit according to Modification Example 1.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view illustrating an example of a manufacturing process for the liquid crystal display unit illustrated in FIG. 16. It is sectional drawing showing the process of following FIG. 17A.
  • FIG. 17B is a cross-sectional diagram illustrating a process following the process in FIG. 17B.
  • FIG. 17D is a cross-sectional diagram illustrating a process following the process in FIG. 17C.
  • 12 is a cross-sectional view illustrating an end portion of a liquid crystal display unit according to Modification 2.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating an end portion of a liquid crystal display unit according to Modification 3.
  • FIG. 12 is a diagram illustrating a configuration of a head-up display according to application example 1.
  • FIG. 12 is a diagram illustrating a configuration of a head mounted display according to application example 2.
  • FIG. 1 illustrates a schematic configuration of a projection display device 1 (projection display device) according to an embodiment of the present technology.
  • the projection display device 1 is used as a projector in which the display device of the present technology is incorporated as a liquid crystal display unit.
  • the projection display device 1 is of a so-called three-plate type that performs color image display using three transmissive liquid crystal display units 10 (10R, 10G, 10B).
  • the projection display device 1 includes a light source 211 that emits light, a pair of first and second multi-lens array integrators 212 and 213, and a total reflection mirror 214.
  • the fan 200 is provided in the vicinity of the light source 211.
  • the fan 200 is a cooling fan, and cools the projection display device 1 by air cooling.
  • the light source 211 emits white light including red light, blue light, and green light, which is necessary for color image display.
  • the light source 211 includes, for example, a light emitter (not shown) that emits white light, and a concave mirror that reflects and collects light emitted from the light emitter.
  • the light emitter include a semiconductor laser, a light emitting diode (LED), a halogen lamp, a metal halide lamp, or a xenon lamp.
  • the concave mirror preferably has a shape with good light collection efficiency, and has a rotationally symmetric surface shape such as a spheroidal mirror or a parabolic mirror.
  • the multi-lens array integrators 212 and 213 are for uniformizing the illuminance distribution of light, and have a function of dividing incident light into a plurality of small light beams.
  • a plurality of microlenses 212M and 213M are two-dimensionally arranged.
  • the total reflection mirror 214 is provided between the multi-lens array integrator 212 and the multi-lens array integrator 213, and is arranged so that the optical path (optical axis 210) is bent by approximately 90 degrees toward the second multi-lens array integrator 213. ing.
  • the projection display device 1 further includes a PS combining element 215, a condenser lens 216, and a dichroic mirror 217 in this order on the light output side of the second multi-lens array integrator 213.
  • the dichroic mirror 217 has a function of separating incident light into, for example, red light LR and other color lights.
  • the PS combining element 215 is provided with a plurality of half-wave plates 215A at positions corresponding to adjacent microlenses in the second multi-lens array integrator 213.
  • the PS combining element 215 has a function of separating incident light L0 into two types of polarized light L1 and L2 (P-polarized component and S-polarized component).
  • the PS combining element 215 also emits one polarized light L2 of the two separated polarized lights L1 and L2 from the PS combining element 215 while maintaining its polarization direction (for example, P-polarized light).
  • the polarized light L1 for example, S-polarized component
  • the projection display device 1 also includes a total reflection mirror 218, a field lens 224R, and a liquid crystal display unit 10R in order along the optical path of the red light LR separated by the dichroic mirror 217.
  • the total reflection mirror 218 reflects the red light LR separated by the dichroic mirror 217 toward the liquid crystal display unit 10R.
  • the liquid crystal display unit 10R has a function of spatially modulating the red light LR incident through the field lens 224R according to an image signal.
  • the projection display device 1 further includes a dichroic mirror 219 along the optical path of other color light separated by the dichroic mirror 217.
  • the dichroic mirror 219 has a function of separating incident light into, for example, green light and blue light.
  • the projection display device 1 also includes a field lens 224G and a liquid crystal display unit 10G in order along the optical path of the green light LG separated by the dichroic mirror 219.
  • the liquid crystal display unit 10G has a function of spatially modulating the green light LG incident through the field lens 224G according to an image signal. Further, along the optical path of the blue light LB separated by the dichroic mirror 219, the relay lens 220, the total reflection mirror 221, the relay lens 222, the total reflection mirror 223, the field lens 224B, and the liquid crystal display unit 10B In order.
  • the total reflection mirror 221 reflects the blue light LB incident through the relay lens 220 toward the total reflection mirror 223.
  • the total reflection mirror 223 reflects the blue light LB reflected by the total reflection mirror 221 and incident via the relay lens 222 toward the liquid crystal display unit 10B.
  • the liquid crystal display unit 10B has a function of spatially modulating the blue light LB reflected by the total reflection mirror 223 and incident through the field lens 224B according to an image signal.
  • the projection display device 1 also includes a cross prism 226 having a function of combining the three color lights LR, LG, and LB at a position where the optical paths of the red light LR, the green light LG, and the blue light LB intersect. .
  • the projection display device 1 also includes a projection lens 227 for projecting the combined light emitted from the cross prism 226 toward the screen 228.
  • the cross prism 226 has three entrance surfaces 226R, 226G, and 226B and one exit surface 226T.
  • the red light LR emitted from the liquid crystal display unit 10R is emitted to the incident surface 226R
  • the green light LG emitted from the liquid crystal display unit 10G is emitted to the incident surface 226G
  • the liquid crystal display unit 10B is emitted to the incident surface 226B.
  • the blue light LB thus made enters each.
  • the cross prism 226 combines the three color lights incident on the incident surfaces 226R, 226G, and 226G and outputs the combined light from the output surface 226T.
  • FIG. 2 is an exploded view of the main part of the liquid crystal display units 10R, 10G, and 10B (hereinafter simply referred to as “liquid crystal display unit 10” when there is no need to distinguish between colors).
  • FIG. 3 illustrates a cross-sectional configuration of the end portion of the liquid crystal display unit 10.
  • the liquid crystal display unit 10 is, for example, a transmission type HTPS. From the light incident side, the parting plate 13, the incident side dustproof glass 12A (dustproof member), the liquid crystal panel 11, the emission side dustproof glass 12B (dustproof member), and the outer frame 14 in this order.
  • the liquid crystal panel 11 functions as a light modulation element, and has a display area 11a that modulates light from the light source 211 and emits light corresponding to an image at the center.
  • a liquid crystal layer 112 is sealed between a pair of drive substrates 111 and a counter substrate 113. Light incident on the counter substrate 113 is modulated by the liquid crystal layer 112 and extracted from the drive substrate 111.
  • a film substrate 110 is connected to the liquid crystal panel 11, and video information necessary for modulation of incident light is supplied from the main body side of the projection display device 1 through the film substrate 110.
  • the drive substrate 111 includes a substrate 111a and a TFT (Thin Film Transistor) layer 111b.
  • the TFT layer 111b is provided with a TFT 111T as a switching element for each pixel.
  • the TFT layer 111b is provided with wiring such as data lines and scanning lines (wiring 111W in FIG. 7 described later) in a grid pattern, for example.
  • a pixel electrode and an alignment film are provided on the surface of the driving substrate 111 on the liquid crystal layer 112 side.
  • a counter electrode (common electrode) and an alignment film are provided on the surface of the counter substrate 113 on the liquid crystal layer 112 side.
  • the substrate 111a and the counter substrate 113 are made of a light transmissive material.
  • the substrate 111a and the counter substrate 113 are made of, for example, quartz, glass, and a resin material.
  • a quartz substrate with high heat resistance is preferably used for the substrate 111a, and glass is preferably used for the counter substrate 113.
  • the substrate 111a and the counter substrate 113 are provided with a polarizing plate (not shown), for example.
  • the liquid crystal layer 112 modulates incident light by controlling the alignment direction by a pair of alignment films.
  • the incident-side dustproof glass 12A is bonded to the light incident side of the liquid crystal panel 11, and the emission-side dustproof glass 12B is bonded to the light-emitting side.
  • the incident-side dustproof glass 12A and the emission-side dustproof glass 12B are for preventing the liquid crystal panel 11 from being contaminated by dust or the like, and are made of, for example, a glass plate.
  • the parting plate 13 is mounted on the incident surface side of the liquid crystal panel 11, and has an opening 13a facing the display area 11a.
  • the outer frame 14 is attached to the light emitting side of the liquid crystal panel 11 and has a frame shape surrounding the end surface portion of the liquid crystal panel 11.
  • the outer frame 14 also has an opening 14a facing the display area 11a.
  • the outer frame 14 and the parting plate 13 are in contact with each other, and the liquid crystal panel 11 is accommodated together with the incident side dustproof glass 12A and the emission side dustproof glass 12B.
  • the parting plate 13 is made of, for example, a metal having high thermal conductivity and high reflectance.
  • a stainless steel thin plate can be used.
  • the outer frame 14 is made of, for example, a single metal such as aluminum (Al), silver (Ag), magnesium (Mg), or titanium (Ti) or an alloy.
  • the heat radiation pattern 15 is provided at a position facing at least a part of the display area 11a of the liquid crystal panel 11. Although details will be described later, this allows the heat absorbed by the liquid crystal panel 11 to be efficiently dissipated and the liquid crystal panel 11 to be effectively cooled.
  • the heat radiation pattern 15 is provided on the drive substrate 111. Specifically, the heat radiation pattern 15 is provided on the surface opposite to the surface on which the TFT layer 111b of the substrate 111a is provided via the etching stopper layer 15a.
  • the heat dissipation pattern 15 is provided in a predetermined pattern, and a pattern forming layer 15 b is embedded in the opening 15 ⁇ / b> M of the heat dissipation pattern 15.
  • the heat radiation pattern 15 and the pattern forming layer 15b are covered with a cap layer 15c, and for example, the cap layer 15c is in contact with the emission-side dustproof glass 12B.
  • the heat dissipation pattern 15 is made of a base material on which the heat dissipation pattern 15 is provided, that is, a material having a thermal conductivity higher than that of the substrate 111a.
  • a metal such as copper (Cu), aluminum (Al), gold (Au), silver (Ag), or a compound thereof can be used.
  • an insulating material such as DLC (Diamond) Like Carbon) may be used, or CNT (Carbon nano tube) or the like may be used.
  • the thickness of the heat radiation pattern 15 (Z direction in FIG. 3) may be appropriately adjusted according to the line width (line width LW1 described later), and is, for example, 1 ⁇ m to 10 ⁇ m when the line width is 1 ⁇ m. As the thickness of the heat radiation pattern 15 increases, the heat radiation effect increases.
  • the etching stopper layer 15a functions as an etching stopper when forming the heat radiation pattern 15, and also functions as a barrier film that prevents diffusion of the constituent material of the heat radiation pattern 15 into the substrate 111a.
  • the etching stopper layer 15a is made of, for example, silicon nitride (SiN) having a thickness of 20 nm.
  • the pattern forming layer 15b is for defining the thickness of the heat dissipation pattern 15 when the heat dissipation pattern 15 is formed, and is formed of an oxide film such as silicon oxide (SiO 2 ) having a thickness of 400 nm, for example.
  • the cap layer 15c prevents the reliability of the liquid crystal panel 11 from being lowered due to the constituent material of the heat dissipation pattern 15 being oxidized in the manufacturing process or due to diffusion into the interlayer film. And is made of a transparent barrier material. For example, silicon nitride (SiN) having a thickness of 20 nm can be used for the cap layer 15c.
  • pillars 15 ⁇ / b> P connection portions
  • the pillar 15P is provided on the outer peripheral portion (the outer peripheral portion 11b) of the drive substrate 111 covered with the outer frame 14, and the outer frame 14 and the pillar 15P are thermally connected.
  • the pillar 15P is for radiating the heat conducted to the heat radiation pattern 15 in the display region 11a to the outer frame 14 having high thermal conductivity.
  • a material having a thermal conductivity higher than that of the substrate 111a can be used for the pillar 15P.
  • the pillar 15P is made of, for example, a metal such as copper (Cu), aluminum (Al), gold (Au), silver (Ag), or a compound thereof.
  • the pillar 15P may be made of an insulating material such as DLC or CNT.
  • FIG. 4 shows an example of a cross-sectional configuration of the pillar 15P.
  • the width W1 of the pillar 15P is, for example, 20 ⁇ m to 40 ⁇ m, and the height H1 is 30 ⁇ m to 70 ⁇ m.
  • the pitch P1 between the adjacent pillars 15P is, for example, 30 ⁇ m to 70 ⁇ m, and the distance S1 is 10 ⁇ m to 30 ⁇ m.
  • bumps 15U may be provided as shown in FIG.
  • the same material as the pillar 15P can be used for the bump 15U.
  • the width W2 of the bump 15U is, for example, 30 ⁇ m to 120 ⁇ m, and the height H2 is 25 ⁇ m to 90 ⁇ m.
  • the pitch P2 of the adjacent bumps 15U is, for example, 50 ⁇ m to 200 ⁇ m, and the distance S2 is 20 ⁇ m to 80 ⁇ m.
  • FIG. 6 shows a planar configuration of the heat radiation pattern 15 and the pillar 15P together with the outer frame 14.
  • the heat dissipation pattern 15 is provided in a grid pattern in the display area 11a.
  • pillars 15P are provided at both ends of each of the lattice-like heat radiation patterns 15 extending vertically and horizontally.
  • the heat radiation pattern 15 of the outer peripheral portion 11b surrounds the display area 11a so as to connect these pillars 15P.
  • FIG. 6 shows an example in which the pillars 15P are provided at both ends extending vertically and horizontally, the pillars 15P are not necessarily provided at all ends, and may be provided at intervals.
  • FIG. 7 shows the planar configuration of the heat radiation pattern 15 together with the planar configuration of the wiring 111W of the TFT layer 111b.
  • the line width LW1 of the heat dissipation pattern 15 is smaller than the line width LW2 of the wiring 111W, and the opening 15M of the heat dissipation pattern 15 is disposed at a position overlapping the opening 111WM of the wiring 111W in plan view. That is, the heat radiation pattern 15 is arranged at a position overlapping the pattern of the wiring 111W in plan view so as not to block the opening 111WM of the wiring 111W.
  • the line width LW2 of the wiring 111W is 1.0 ⁇ m
  • the line width LW1 of the heat radiation pattern 15 is 0.5 ⁇ m.
  • the heat radiation pattern 15 may be provided in a stripe shape in only one of the vertical and horizontal directions.
  • the heat radiation pattern 15 does not need to be provided at regular intervals, and as shown in FIG. 10, the heat radiation pattern 15 may be provided at different intervals.
  • the heat radiation pattern 15 may be provided so that the density of the region facing the central portion of the liquid crystal panel 11 that tends to increase in temperature increases.
  • Such a liquid crystal display unit 10 can be manufactured, for example, by the following method (FIGS. 11A to 13D).
  • FIGS. 11A to 13D An example in which the heat radiation pattern 15 is formed using metal will be described.
  • a TFT layer 111b including a TFT 111T and wiring (wiring 111W in FIG. 7) is formed on the surface of the substrate 111a.
  • a known method can be used.
  • an etching stopper layer 15a and a pattern formation layer 15b are formed in this order on the entire back surface of the substrate 111a using, for example, a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) method (FIG. 11B).
  • the etching stopper layer 15a forms a silicon nitride film having a thickness of 20 nm
  • the pattern formation layer 15b forms a silicon oxide film having a thickness of 400 nm.
  • the etching stopper layer 15a is formed by using, for example, 75 sccm of SiH 4 , 50 sccm of NH 3 and 3 L of N 2 as process gases, a pressure of 1064 Pa, a substrate temperature of 380 ° C., RF power of 500 W and 13.56 MHz. Can do.
  • the pattern forming layer 15b uses, for example, TEOS (Si (OC 2 H 5 ) 4 , Tetraethyl orthosilicate) 100 sccm, O 2 1000 sccm, He 500 sccm as a process gas, a pressure of 133 Pa, a substrate temperature of 380 ° C., RF
  • the power can be formed as 13.56 MHz / 1000 W.
  • grooves 15bg are formed in the pattern formation layer 15b in the display region 11a and the outer peripheral portion 11b.
  • a known lithography process can be used to form the groove 15bg.
  • the grooves 15bg are formed by, for example, dry etching.
  • 12A shows a planar configuration of the front surface (TFT layer 111b) of the substrate 111a
  • FIG. 12B shows a planar configuration of the back surface (groove 15bg) of the substrate 111a.
  • the groove 15bg is for forming the pattern forming layer 15b.
  • the groove 15bg is formed so that its width GW is smaller than the line width LW2 of the wiring 111W of the TFT layer 111b, and is formed at a position overlapping the pattern of the wiring 111W.
  • a barrier metal film 151, a seed layer (not shown), and a metal film 152 are formed in this order on the entire surface of the substrate 111a including the inside of the groove 15bg (FIG. 13A).
  • the barrier metal film 151 is for preventing the heat dissipation pattern 15 formed by the metal film 152 from diffusing into the etching stopper layer 15a and the like, and is made of, for example, tantalum (Ta) having a thickness of 20 nm.
  • the barrier metal film 151 may be formed as necessary.
  • the barrier metal film 151 is formed using, for example, a magnetron sputtering method in a high vacuum.
  • the magnetron sputtering method for example, DC power is 5 kW, Ar is 100 scm as a process gas, a pressure is 0.4 Pa, and a substrate temperature is 100 ° C.
  • the seed layer and the metal film 152 for example, copper (Cu) is used.
  • the seed layer is formed using, for example, a magnetron sputtering method in a high vacuum.
  • DC power is 3 kW
  • Ar is 100 scm as a process gas
  • a pressure is 0.4 Pa
  • a substrate temperature is 100 ° C.
  • the seed layer has a thickness of 50 nm, for example.
  • the metal film 152 is formed using, for example, an electrolytic plating method.
  • This electrolytic plating method is performed by using CuSO 4 67 g / L, H 2 SO 4 170 g / L, HCl 70 ppm, and adding a surfactant as an additive.
  • the solution temperature is 20 ° C. and the current is 20 A.
  • the metal film 152 is formed with a thickness that sufficiently fills the groove 15bg.
  • heat treatment is performed.
  • crystal growth of the metal film 152 made of copper is promoted, and the thermal conductivity of the heat radiation pattern 15 is stabilized.
  • the heat treatment is performed, for example, at an annealing temperature of 150 ° C. and in a 10% hydrogen (H 2 ) atmosphere.
  • the thermal radiation pattern 15 is formed (FIG. 13B).
  • the CMP method uses, for example, a polishing pressure of 100 g / cm 2 , a rotational speed of 30 rpm, a polishing head of 30 rpm, and a foamed polyurethane resin / nonwoven fabric laminate structure (IC1000 / SUBA IV laminate manufactured by Rodel) as a polishing pad.
  • H 2 O 2 is added (colloidal silica-containing slurry), the flow rate is 100 cc / min, and the temperature is 25 ° C. to 30 ° C.
  • a cap layer 15c made of, for example, silicon nitride is formed on the entire surface of the substrate 111a.
  • the cap layer 15c can be formed in the same manner as the etching stopper layer 15a (FIG. 13C).
  • pillars 15P connected to the heat radiation pattern 15 of the outer peripheral portion 11b are formed.
  • the cap layer 15c formed on the heat radiation pattern 15 of the outer peripheral portion 11b is removed using, for example, a lithography process and a dry etching method.
  • the heat radiation pattern 15 is exposed in the outer peripheral part 11b.
  • the pillar 15P is formed by connecting to the exposed heat radiation pattern 15.
  • the pillar 15P is formed, for example, by depositing copper on the opening formed by applying a resist on the heat dissipation pattern 15 and then exposing and developing the resist using an electroless plating method.
  • the counter substrate 113 is attached to the drive substrate 111 with the liquid crystal layer 112 interposed therebetween. Thereby, the liquid crystal panel 11 is formed. Thereafter, between the parting plate 13 and the outer frame 14, together with the liquid crystal panel 11, the incident side dustproof glass 12A and the emission side dustproof glass 12B are sandwiched. At this time, the pillar 15P is brought into contact with the outer frame 14. Thereby, the liquid crystal display unit 10 is completed.
  • red light LR, green light LG, and blue light LB based on white light emitted from the light source 211 are modulated in the corresponding liquid crystal display units 10R, 10G, and 10B, respectively. Thereafter, color light corresponding to the image is emitted from each of the liquid crystal display units 10R, 10G, and 10B, and after being synthesized by the cross prism 226, the projection lens 227 enlarges and projects the projected light onto the screen 228. In this way, video display is performed.
  • FIG. 14 illustrates a cross-sectional configuration of an end portion of a liquid crystal display unit (liquid crystal display unit 300) according to a comparative example.
  • a heat radiation pattern for example, the heat radiation pattern 15 in FIG. 3
  • the liquid crystal panel 11 is cooled by air cooling of the wind AC sent from a fan (for example, the fan 200 of FIG. 1).
  • the cooling only by air cooling cannot sufficiently cope with the high brightness of the projection display device, and the temperature of the liquid crystal panel 11 may be greatly increased.
  • it is possible to suppress the temperature rise of the liquid crystal panel 11 by increasing the volume and speed of the wind AC from the fan in this case, it becomes difficult to reduce the size of the projection display device. Since noise due to the noise is generated, it is difficult to reduce the noise.
  • the air volume and speed of the wind AC from the fan are increased, the amount of outside air taken into the projection display device is increased accordingly, so that it becomes easier to inhale dust and oily smoke. For this reason, optical elements, such as the liquid crystal panel 11, a prism, a lens, and a polarizing plate, are contaminated and there exists a possibility that optical performance may fall.
  • Patent Document 5 proposes a method of liquid-cooling the frame portion of the liquid crystal display unit.
  • the thermal conductivity of the glass substrate constituting the liquid crystal display unit is low, the entire liquid crystal panel is efficiently cooled. I can't. In particular, the central portion of the liquid crystal panel that tends to become high temperature is difficult to be cooled.
  • Patent Document 4 a method of cooling the entire liquid crystal panel by immersing it in a cooling liquid has been proposed (for example, Patent Document 4).
  • optical properties are caused by the refractive index difference between the interfaces of the cooling liquid, the container, and the outside air. There is a possibility that the performance is lowered.
  • the cooling structure is large, it is difficult to reduce the size of the projection display device.
  • a liquid cooling mechanism can be mounted on the silicon substrate side that is the back surface.
  • a method of cooling the entire liquid crystal panel by attaching an electronic cooling element such as a Peltier element to a silicon substrate is also conceivable.
  • these methods cannot be used for transmissive HTPS.
  • it is conceivable to provide a cooling mechanism on the outer periphery of the liquid crystal panel efficient cooling is difficult if the thermal conductivity of each component of the liquid crystal panel is low.
  • the heat radiation pattern 15 is provided in the liquid crystal display unit 10, heat conduction is performed from the display region 11 a of the liquid crystal panel 11 to the heat radiation pattern 15. As shown in FIG. 15, the heat H conducted to the heat radiation pattern 15 is radiated to the outer frame 14 via the pillars 15P of the outer peripheral portion 11b. Therefore, the liquid crystal panel 11 can be effectively cooled without increasing the volume and speed of the wind AC sent from the fan 200.
  • the heat radiation pattern 15 is provided in the display area 11a of the liquid crystal panel 11, the central portion (display area 11a) of the liquid crystal panel 11 that is likely to become high temperature can be efficiently cooled. Furthermore, since no cooling liquid is used, the optical performance is not deteriorated and the image quality is maintained. In addition, a large-scale device is not necessary, and the projection display device 1 can be downsized.
  • the heat radiation pattern 15 can be provided so as to overlap with the pattern of the wiring 111W of the TFT layer 111b, and can be formed so as not to narrow the opening 111WM of the wiring 111W. That is, since the heat radiation pattern 15 does not hinder the light transmission of the liquid crystal panel 11, it is also suitable for a transmission type HTPS.
  • the heat radiation pattern 15 is provided in the liquid crystal display unit 10
  • the heat of the liquid crystal panel 11 is radiated from the heat radiation pattern 15 to the outer frame 14, and the liquid crystal panel 11 is effectively removed. Can be cooled to. Therefore, the life of the liquid crystal panel 11 can be extended.
  • FIG. 16 illustrates a cross-sectional configuration of an end portion of the liquid crystal display unit (liquid crystal display unit 30) according to the first modification.
  • a heat dissipation pattern (heat dissipation pattern 16) is provided on the counter substrate 113.
  • the liquid crystal display unit 30 is different from the liquid crystal display unit 10.
  • the heat radiation pattern 16 is provided on the back surface of the counter substrate 113 (the surface opposite to the surface facing the drive substrate 111) via an insulating film 16a.
  • the heat radiation pattern 16 is made of a substance having a thermal conductivity higher than that of the constituent material of the counter substrate 113.
  • the arrangement, shape, exemplified constituent materials and functions of the heat radiation pattern 16 are the same as those of the heat radiation pattern 15.
  • the entire surface of the counter substrate 113 (insulating film 16a) including the heat radiation pattern 16 is covered with the insulating film 16b.
  • the insulating film 16a may be provided as necessary in consideration of the constituent material of the counter substrate 113 and the like.
  • the insulating film 16a is made of, for example, silicon oxide having a thickness of 50 nm, and is provided on the entire back surface of the counter substrate 113.
  • the insulating film 16b is for protecting the heat radiation pattern 16, and is made of, for example, silicon oxide having a thickness of 50 nm.
  • Bumps 16U are provided outside the display area 11a so as to be connected to the heat radiation pattern 16, and the bumps 16U are in contact with the parting plate 13 through the pressing member 31.
  • the bumps 16U are provided on the outer peripheral portion (the outer peripheral portion 11c) of the counter substrate 113 covered with the parting plate 13.
  • the arrangement, constituent materials, functions, and the like of the bumps 16U are the same as those of the pillar 15P (bumps 15U).
  • a UBM (Under Barrier Metal) 16C is provided between the heat radiation pattern 16 and the bumps 16U.
  • pillars may be provided.
  • the pressing member 31 is provided to fill the difference between the height of the bump 16U and the thickness of the incident-side dust-proof glass 12A.
  • the pressing member 31 presses the upper surface of the bump 16U, and the side surface is in contact with the parting plate 13.
  • the pressing member 31 is made of a material having high thermal conductivity such as a metal such as copper (Cu) and aluminum (Al).
  • the heat radiation pattern 16 can be formed by an electrolytic plating method as described in the liquid crystal display unit 10.
  • a method of forming the metal heat radiation pattern 16 using a lithography method and an etching technique will be described (FIGS. 17A to 17D).
  • the insulating film 16 a is formed on the entire back surface of the counter substrate 113.
  • a 100 nm silicon oxide film is formed using a plasma CVD method.
  • the formation conditions are, for example, 100 sccm of TEOS, 1000 sccm of O 2 and 500 sccm of He as a process gas, a pressure of 133 Pa, a substrate temperature of 380 ° C., and an RF power of 13.56 MHz / 1000 W.
  • a metal film is formed on the insulating film 16a and then patterned to form a heat radiation pattern 16 (FIG. 17B).
  • the heat radiation pattern 16 is formed as follows. First, using a magnetron sputtering apparatus, for example, a titanium (Ti) film having a thickness of 20 nm functioning as a barrier metal and an aluminum (Al) film having a thickness of 400 nm for forming the heat radiation pattern 16 are successively formed in this order. Subsequently, the heat dissipation pattern 16 is formed by patterning the titanium film and the aluminum film, for example, in a lattice shape by using a lithography method and an etching technique.
  • a magnetron sputtering apparatus for example, a titanium (Ti) film having a thickness of 20 nm functioning as a barrier metal and an aluminum (Al) film having a thickness of 400 nm for forming the heat radiation pattern 16 are successively formed in this order.
  • the heat radiation pattern 16 is formed such that the line width LW1 is smaller than the line width LW2 of the wiring 111W of the TFT layer 111b, and is formed at a position overlapping the pattern of the wiring 111W (see FIG. 7).
  • the line width LW2 of the wiring 111W is about 1.0 ⁇ m
  • the line width LW1 of the heat radiation pattern 16 is 0.5 ⁇ m.
  • an insulating film 16b is formed on the entire back surface of the counter substrate 113 including the heat radiation pattern 16 as shown in FIG. 17C.
  • the insulating film 16b for example, a silicon oxide film having a thickness of 50 nm is formed using a plasma CVD method.
  • an opening for exposing the surface of the heat radiation pattern 16 of the outer peripheral portion 11c is formed, and the UBM 16C and the bump 16U are formed in the opening (FIG. 17D). Specifically, it is formed as follows.
  • the photoresist in the opening formed previously is removed by exposure and development.
  • the bump 16U is formed by embedding copper (Cu) in the portion from which the photoresist has been removed by using, for example, an electroless plating method.
  • the photoresist is lifted off, and the metal layer other than the UBM 16C is removed by etching. Thereby, the bump 16U connected to the heat radiation pattern 16 of the outer peripheral part 11c is formed.
  • the counter substrate 113 is bonded to the drive substrate 111 with the liquid crystal layer 112 interposed therebetween. Thereby, the liquid crystal panel 11 is formed. Thereafter, between the parting plate 13 and the outer frame 14, together with the liquid crystal panel 11, the incident side dustproof glass 12A and the emission side dustproof glass 12B are sandwiched. At this time, the bump 16U is brought into contact with the parting plate 13. Thereby, the liquid crystal display unit 30 is completed.
  • the heat of the liquid crystal panel 11 is radiated from the heat radiation pattern 16 to the parting plate 13 in the same manner as the liquid crystal display unit 10. Can be cooled to.
  • FIG. 18 illustrates a cross-sectional configuration of an end portion of a liquid crystal display unit (liquid crystal display unit 40) according to Modification 2.
  • a heat radiation pattern (heat radiation pattern 18) is provided on the heat radiation board (heat radiation board 17).
  • the liquid crystal display unit 40 is different from the liquid crystal display unit 10.
  • the heat dissipation substrate 17 is provided, for example, between the counter substrate 113 and the incident side dust-proof glass 12A, and is sandwiched between the parting plate 13 and the outer frame 14 together with these.
  • the heat dissipation substrate 17 may be provided between the drive substrate 111 (substrate 111a) and the emission-side dust-proof glass 12B, or may be disposed at a place other than these. In particular, it is preferable to provide the heat dissipation substrate 17 at a position in contact with the drive substrate 111 (substrate 111a) that easily generates heat.
  • the heat dissipating substrate 17 is a dedicated substrate for forming the heat dissipating pattern 18 and is made of, for example, a light transmissive material such as quartz, glass and resin material.
  • the heat dissipation pattern 18 is provided on the surface of the heat dissipation substrate 17 (the surface facing the incident-side dustproof glass 12A) via an insulating film 18a.
  • the heat dissipation pattern 18 is made of a substance having a thermal conductivity higher than that of the constituent material of the heat dissipation substrate 17.
  • the arrangement, shape, constituent material, function, and the like of the heat dissipation pattern 18 are the same as those of the heat dissipation pattern 15.
  • the entire surface of the heat dissipation substrate 17 (insulating film 18a) including the heat dissipation pattern 18 is covered with the insulating film 18b.
  • the insulating film 18a may be provided as necessary in consideration of the constituent material of the heat dissipation substrate 17 and the like.
  • the insulating film 18 a is made of, for example, silicon oxide having a thickness of 50 nm, and is provided on the entire surface of the heat dissipation substrate 17.
  • the insulating film 18b is for protecting the heat radiation pattern 18, and is made of, for example, silicon oxide having a thickness of 50 nm.
  • bumps 18 ⁇ / b> U are provided in connection with the heat dissipation pattern 18, and the bumps 18 ⁇ / b> U are in contact with the parting plate 13 through the pressing member 31.
  • the bumps 18U are provided on the outer peripheral portion 11c covered with the parting plate 13.
  • a UBM 18C is provided between the heat radiation pattern 18 and the bump 18U.
  • the arrangement, constituent materials, functions, and the like of the bumps 18U are the same as those of the pillar 15P (bumps 15U).
  • a pillar may be provided in place of the bump 18U.
  • the heat radiation pattern 18 can be formed of a metal such as copper and aluminum in the same manner as described in the liquid crystal display units 10 and 30.
  • a method of forming the heat radiation pattern 18 using DLC will be described.
  • an insulating film 18 a is formed on the entire surface of the heat dissipation substrate 17.
  • a 20 nm silicon nitride film is formed by plasma CVD.
  • a DLC film having a thickness of, for example, 500 nm is formed on the insulating film 18a by using a plasma CVD method or a magnetron sputtering method, the heat dissipation pattern 18 is formed by patterning the film. The patterning is performed using a lithography method and an etching technique.
  • the heat radiation pattern 18 is formed such that the line width LW1 is smaller than the line width LW2 of the wiring 111W of the TFT layer 111b, and is formed at a position overlapping the pattern of the wiring 111W (see FIG. 7).
  • the line width LW2 of the wiring 111W is about 1.0 ⁇ m
  • the line width LW1 of the heat radiation pattern 16 is 0.5 ⁇ m.
  • an insulating film 18b is formed on the entire surface of the heat radiation substrate 17 including the heat radiation pattern 18.
  • a silicon oxide film having a thickness of 50 nm is formed by plasma CVD.
  • an opening for exposing the surface of the heat radiation pattern 18 of the outer peripheral portion 11c is formed, and the UBM and the bump 18U are formed in the opening.
  • the method for forming the UBM and the bump 18U is the same as that described in the first modification.
  • the liquid crystal panel 11 After forming the bumps 18U, the liquid crystal panel 11, the incident side dustproof glass 12A, and the emission side dustproof glass 12B are sandwiched between the parting plate 13 and the outer frame 14 together with the heat dissipation substrate 17 having the heat dissipation pattern 18. At this time, the bump 18U is brought into contact with the parting plate 13. Thereby, the liquid crystal display unit 40 is completed.
  • the heat of the liquid crystal panel 11 is radiated from the heat dissipation pattern 18 to the parting plate 13 in the same manner as the liquid crystal display unit 10. Can be cooled to.
  • FIG. 19 illustrates a cross-sectional configuration of an end portion of a liquid crystal display unit (liquid crystal display unit 50) according to Modification 3.
  • a heat radiation pattern (heat radiation pattern 19) is provided on the incident-side dustproof glass 12A.
  • the liquid crystal display unit 50 is different from the liquid crystal display unit 10.
  • the heat radiation pattern 19 is provided on the light incident surface (the surface opposite to the surface facing the liquid crystal panel 11) of the incident-side dustproof glass 12A via an insulating film 19a.
  • the heat radiation pattern 19 is made of a material having a thermal conductivity higher than that of the constituent material of the incident side dust-proof glass 12A.
  • the arrangement, shape, constituent material, function, and the like of the heat dissipation pattern 19 are the same as those of the heat dissipation pattern 15.
  • the entire surface of the incident side dust-proof glass 12A (insulating film 19a) including the heat radiation pattern 19 is covered with the insulating film 19b.
  • the insulating film 19a may be provided as necessary.
  • the insulating film 19a is made of, for example, silicon oxide having a thickness of 50 nm, and is provided on the entire light incident surface of the incident side dust-proof glass 12A.
  • the insulating film 19b is for protecting the heat radiation pattern 19, and is made of, for example, silicon oxide having a thickness of 50 nm.
  • a bump 19U is provided in connection with the heat radiation pattern 19, and the bump 19U is in contact with the parting plate 13.
  • the bumps 19U are provided on the outer peripheral portion 11c covered with the parting plate 13.
  • the arrangement, constituent materials, functions, and the like of the bumps 19U are the same as those of the pillar 15P (bumps 15U).
  • a pillar may be provided.
  • the heat radiation pattern 19 and the bump 19U may be provided on the light exit surface of the exit side dust-proof glass 12B (the surface opposite to the surface facing the liquid crystal panel 11).
  • Such a liquid crystal display unit 50 can be manufactured in the same manner as described for the liquid crystal display units 10, 30 and 40.
  • the heat of the liquid crystal panel 11 is radiated from the heat radiation pattern 19 to the parting plate 13 in the same manner as the liquid crystal display unit 10.
  • the liquid crystal panel 11 can be effectively cooled.
  • the projection display device 1 including the liquid crystal display unit 10 (or the liquid crystal display units 30, 40, 50) of the present technology is a projection such as a wearable display such as a head-up display, a portable display that can be carried, or a smartphone or a tablet.
  • the present invention can be applied to all types of electronic devices having functions. As an example, schematic configurations of the head-up display 600 (FIG. 20) and the head-mounted display 500 (FIG. 21) will be described.
  • FIG. 20 shows the appearance of the head-up display.
  • the head-up display 600 directly displays information in the user's field of view. For example, when the head-up display 600 is mounted on a vehicle or the like, navigation information or the like can be displayed without blocking the front view.
  • the head-up display 600 includes, for example, a light emitting unit 610, a screen unit 620, and a concave half mirror 630.
  • FIG. 21 shows the appearance of the head mounted display 500.
  • the head mounted display 500 includes a display unit 510 and a mounting unit 520.
  • the present technology has been described with the embodiment and the modification, the present technology is not limited to the above-described embodiment and the like, and various modifications can be made.
  • the transmissive liquid crystal display unit is illustrated, but the display device and the like of the present technology is not limited thereto, and may be a reflective liquid crystal display unit such as LCOS.
  • the display device of the present technology is not limited to the configuration described in the above embodiments and the like, and may be any type of display device that modulates light from a light source via a liquid crystal display unit. Is effectively applied to a display device used in a projection display device.
  • the present technology may be configured as follows.
  • (1) A liquid crystal panel having a display area; And a heat radiation pattern provided at a position facing at least a part of the display area.
  • (2) The display device according to (1), wherein the liquid crystal panel includes a liquid crystal layer between a driving substrate having wiring and a counter substrate.
  • (3) The display device according to (2), wherein a line width of the heat dissipation pattern is smaller than a line width of the wiring.
  • the heat dissipation pattern is provided at a position overlapping the wiring pattern in plan view.
  • the heat dissipation pattern is made of a substance having a higher thermal conductivity than the substrate material of the drive substrate, and is provided on the surface of the drive substrate opposite to the surface facing the counter substrate.
  • the heat dissipation pattern is made of a substance having a higher thermal conductivity than the substrate material of the counter substrate, and is provided on a surface of the counter substrate opposite to the surface facing the drive substrate.
  • a dustproof member facing the liquid crystal panel is provided, The heat dissipation pattern is made of a material having a higher thermal conductivity than the constituent material of the dustproof member, and the heat dissipation pattern is provided on the dustproof member.
  • any one of (1) to (4) The display device according to one. (8) Furthermore, it has a heat dissipation board provided with the heat dissipation pattern, The display device according to any one of (1) to (4), wherein the heat dissipation pattern is made of a substance having a higher thermal conductivity than a constituent material of the heat dissipation substrate. (9) The display device according to any one of (1) to (8), wherein the liquid crystal panel is a transmissive high-temperature polysilicon liquid crystal panel. (10) The display device according to any one of (1) to (9), wherein the heat dissipation pattern is made of metal. (11) The display device according to any one of (1) to (9), wherein the heat dissipation pattern is made of an insulating material.
  • the display device according to any one of (1) to (9), wherein the heat dissipation pattern is configured by carbon nanotubes. (13) Furthermore, it has an outer frame and a parting plate that sandwich the liquid crystal panel, The display device according to any one of (1) to (12), wherein a connection portion that thermally connects the heat dissipation pattern and the outer frame or the parting plate is provided. (14) The display device according to (13), wherein the connection portion is provided outside the display area. (15) The display device according to (13) or (14), wherein the connection portion is configured by a bump or a pillar. (16) The display device according to any one of (1) to (15), wherein the heat dissipation pattern has a stripe shape extending in one direction.
  • the display device according to any one of (1) to (15), wherein the heat dissipation pattern has a lattice shape.
  • the light modulation element is A liquid crystal panel having a display area;
  • a projection type display device including at least a heat radiation pattern provided at a position facing a part of the display region.
  • An electronic device including at least a heat dissipation pattern provided at a position facing a part of the display region.

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Abstract

表示領域を有する液晶パネルと、少なくとも前記表示領域の一部に対向する位置に設けられた放熱パターンとを備えた表示装置。

Description

表示装置、投射型表示装置および電子機器
　本技術は、例えば透過型高温ポリシリコン影響パネル（ＨＴＰＳ：High Temperature Poly Silicon）などの液晶パネルを有する表示装置、この表示装置を備えた投射型表示装置および電子機器に関する。
　ＨＴＰＳは、例えばプロジェクタ（投射型表示装置）に用いられている。このようなプロジェクタは、家庭用および業務用の各種用途に利用されている。業務用は、家庭用よりも高輝度が要求される。業務用としては、例えば、教育機関、企業でのプレゼンテーションおよびデジタルサイネージ（広告）等の用途が挙げられる。
　高輝度表示を実現するためには、例えばレーザ等の光源から出射される光の光度を高く設定する。この光源から出射される光のエネルギーの一部は、ＨＴＰＳなどの液晶パネルに吸収されるので、液晶パネル自体の温度が上昇する。この温度上昇を抑えるために、種々の方法が提案されている（例えば、特許文献１～５）。
特開２００６－１８１３５号公報 特開２００６－１８１３６号公報 特開２００５－２８３９６９号公報 特開平１０－２９３２８１号公報 特開２００７－２７９６２９号公報
　しかしながら、プロジェクタの高輝度化に伴い、より効果的にＨＴＰＳ等の液晶パネルを冷却する方法が望まれている。
　したがって、液晶パネルを効果的に冷却することが可能な表示装置、投射型表示装置および電子機器を提供することが望ましい。
　本技術の一実施の形態の表示装置は、表示領域を有する液晶パネルと、少なくとも表示領域の一部に対向する位置に設けられた放熱パターンとを備えたものである。
　本技術の一実施の形態の投射型表示装置は、上記本技術の一実施の形態の表示装置を備えたものである。
　本技術の一実施の形態の電子機器は、上記本技術の一実施の形態の表示装置を備えたものである。
　本技術の一実施の形態の表示装置、投射型表示装置および電子機器では、液晶パネルに吸収された熱が放熱パターンに放熱される。
　本技術の一実施の形態の表示装置、投射型表示装置および電子機器によれば、表示領域に対向する位置に放熱パターンを設けるようにしたので、効率よく液晶パネルの放熱がなされる。よって、液晶パネルを効果的に冷却することが可能となる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれの効果であってもよい。
本技術の一実施の形態に係る投射型表示装置の全体構成を表す図である。 図１に示した液晶表示ユニットの分解斜視図である。 図１に示した液晶表示ユニットの端部の断面図である。 図３に示したピラーの構成について説明するための断面図である。 図３に示したピラーに代わるバンプの構成について説明するための断面図である。 図３に示した放熱パターンおよびピラーの平面構成を外枠とともに表す図である。 図３に示した放熱パターンの表示領域の平面構成をＴＦＴ層の配線とともに表す図である。 図６に示した放熱パターンおよびピラーの平面構成の他の例（１）を表す図である。 図６に示した放熱パターンおよびピラーの平面構成の他の例（２）を表す図である。 図６に示した放熱パターンおよびピラーの平面構成の他の例（３）を表す図である。 図３に示した液晶表示ユニットの製造工程の一例を表す断面図である。 図１１Ａに続く工程を表す断面図である。 図１１Ｂに続く工程を表す断面図である。 図１１Ｃに示した駆動基板の配線の構成を表す平面図である。 図１１Ｃに示したパターン形成層の溝の構成を表す平面図である。 図１１Ｃに続く工程を表す断面図である。 図１３Ａに続く工程を表す断面図である。 図１３Ｂに続く工程を表す断面図である。 図１３Ｃに続く工程を表す断面図である。 比較例に係る液晶表示ユニットの端部の断面図である。 図３に示した液晶表示ユニットの熱の流れについて説明するための断面図である。 変形例１に係る液晶表示ユニットの端部を表す断面図である。 図１６に示した液晶表示ユニットの製造工程の一例を表す断面図である。 図１７Ａに続く工程を表す断面図である。 図１７Ｂに続く工程を表す断面図である。 図１７Ｃに続く工程を表す断面図である。 変形例２に係る液晶表示ユニットの端部を表す断面図である。 変形例３に係る液晶表示ユニットの端部を表す断面図である。 適用例１に係るヘッドアップディスプレイの構成を表す図である。 適用例２に係るヘッドマウントディスプレイの構成を表す図である。
　以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
　　１．実施の形態
　　　　放熱パターンを駆動基板に設けた例
　　２．変形例１
　　　　放熱パターンを対向基板に設けた例
　　３．変形例２
　　　　放熱パターンを有する放熱基板を設けた例
　　４．変形例３
　　　　放熱パターンを防塵ガラス（防塵部材）に設けた例
　　５．適用例
　〔実施の形態〕
　（構成）
　図１は、本技術の一実施の形態に係る投射型表示装置１（投射型表示装置）の概略構成を表したものである。投射型表示装置１は、本技術の表示装置を液晶表示ユニットとして組み込んだプロジェクタとして用いられるものである。投射型表示装置１は、透過型の液晶表示ユニット１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）を３枚用いてカラー映像表示を行ういわゆる３板方式のものである。この投射型表示装置１は、光を発する光源２１１と、一対の第１、第２マルチレンズアレイインテグレータ２１２，２１３と、全反射ミラー２１４とを備えている。投射型表示装置１では、光源２１１の近傍にファン２００が設けられている。ファン２００は、冷却用ファンであり、空冷により、投射型表示装置１の冷却を行う。
　光源２１１は、カラー画像表示に必要とされる、赤色光、青色光および緑色光を含んだ白色光を発するものである。この光源２１１は、例えば、白色光を発する発光体（図示せず）と、発光体から発せられた光を反射、集光する凹面鏡とを含んでいる。発光体としては、例えば、半導体レーザ、発光ダイオード（ＬＥＤ：Light emitting diode）、ハロゲンランプ、メタルハライドランプまたはキセノンランプ等が挙げられる。凹面鏡は、集光効率が良い形状であることが望ましく、例えば回転楕円面鏡や回転放物面鏡等の回転対称な面形状となっている。
　マルチレンズアレイインテグレータ２１２，２１３は、光の照度分布を均一化させるためのものであり、入射した光を複数の小光束に分割する機能を有している。マルチレンズアレイインテグレータ２１２，２１３では、それぞれ複数のマイクロレンズ２１２Ｍ，２１３Ｍが２次元的に配列されている。全反射ミラー２１４は、マルチレンズアレイインテグレータ２１２とマルチレンズアレイインテグレータ２１３との間に設けられており、光路（光軸２１０）を第２マルチレンズアレイインテグレータ２１３側に略９０度曲げるように配置されている。
　この投射型表示装置１は、また、第２マルチレンズアレイインテグレータ２１３の光出射側に、ＰＳ合成素子２１５と、コンデンサレンズ２１６と、ダイクロイックミラー２１７とをこの順に備えている。ダイクロイックミラー２１７は、入射した光を、例えば赤色光ＬＲと、その他の色光とに分離する機能を有している。
　ＰＳ合成素子２１５には、第２マルチレンズアレイインテグレータ２１３における隣り合うマイクロレンズ間に対応する位置に、複数の１／２波長板２１５Ａが設けられている。ＰＳ合成素子２１５は、入射した光Ｌ０を２種類（Ｐ偏光成分およびＳ偏光成分）の偏光光Ｌ１，Ｌ２に分離する機能を有している。ＰＳ合成素子２１５は、また、分離された２つの偏光光Ｌ１，Ｌ２のうち、一方の偏光光Ｌ２を、その偏光方向（例えばＰ偏光）を保ったままＰＳ合成素子２１５から出射し、他方の偏光光Ｌ１（例えばＳ偏光成分）を、１／２波長板２１５Ａの作用により、他の偏光成分（例えばＰ偏光成分）に変換して出射する機能を有している。
　この投射型表示装置１は、また、ダイクロイックミラー２１７によって分離された赤色光ＬＲの光路に沿って、全反射ミラー２１８と、フィールドレンズ２２４Ｒと、液晶表示ユニット１０Ｒとを順番に備えている。全反射ミラー２１８は、ダイクロイックミラー２１７によって分離された赤色光ＬＲを、液晶表示ユニット１０Ｒに向けて反射するようになっている。液晶表示ユニット１０Ｒは、フィールドレンズ２２４Ｒを介して入射した赤色光ＬＲを、画像信号に応じて空間的に変調する機能を有している。
　この投射型表示装置１は、さらに、ダイクロイックミラー２１７によって分離された他の色光の光路に沿って、ダイクロイックミラー２１９を備えている。ダイクロイックミラー２１９は、入射した光を、例えば緑色光と青色光とに分離する機能を有している。
　この投射型表示装置１は、また、ダイクロイックミラー２１９によって分離された緑色光ＬＧの光路に沿って、フィールドレンズ２２４Ｇと、液晶表示ユニット１０Ｇとを順番に備えている。液晶表示ユニット１０Ｇは、フィールドレンズ２２４Ｇを介して入射した緑色光ＬＧを、画像信号に応じて空間的に変調する機能を有している。さらに、ダイクロイックミラー２１９によって分離された青色光ＬＢの光路に沿って、リレーレンズ２２０と、全反射ミラー２２１と、リレーレンズ２２２と、全反射ミラー２２３と、フィールドレンズ２２４Ｂと、液晶表示ユニット１０Ｂとを順番に備えている。全反射ミラー２２１は、リレーレンズ２２０を介して入射した青色光ＬＢを、全反射ミラー２２３に向けて反射するようになっている。全反射ミラー２２３は、全反射ミラー２２１によって反射され、リレーレンズ２２２を介して入射した青色光ＬＢを、液晶表示ユニット１０Ｂに向けて反射するようになっている。液晶表示ユニット１０Ｂは、全反射ミラー２２３によって反射され、フィールドレンズ２２４Ｂを介して入射した青色光ＬＢを、画像信号に応じて空間的に変調する機能を有している。
　この投射型表示装置１は、また、赤色光ＬＲ、緑色光ＬＧおよび青色光ＬＢの光路が交わる位置に、３つの色光ＬＲ，ＬＧ，ＬＢを合成する機能を有したクロスプリズム２２６を備えている。この投射型表示装置１は、また、クロスプリズム２２６から出射された合成光を、スクリーン２２８に向けて投射するための投射レンズ２２７を備えている。クロスプリズム２２６は、３つの入射面２２６Ｒ，２２６Ｇ，２２６Ｂと、一つの出射面２２６Ｔとを有している。入射面２２６Ｒには、液晶表示ユニット１０Ｒから出射された赤色光ＬＲが、入射面２２６Ｇには、液晶表示ユニット１０Ｇから出射された緑色光ＬＧが、入射面２２６Ｂには、液晶表示ユニット１０Ｂから出射された青色光ＬＢが、それぞれ入射するようになっている。クロスプリズム２２６は、入射面２２６Ｒ，２２６Ｇ，２２６Ｇに入射した３つの色光を合成して出射面２２６Ｔから出射する。
　図２は、液晶表示ユニット１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ（以下、特に色の区別の必要がない場合には、単に「液晶表示ユニット１０」と称す）の要部を分解して表したものである。図３は、液晶表示ユニット１０の端部の断面構成を表したものである。液晶表示ユニット１０は、例えば、透過型のＨＴＰＳであり、光入射側から、見切り板１３、入射側防塵ガラス１２Ａ（防塵部材）、液晶パネル１１、出射側防塵ガラス１２Ｂ（防塵部材）および外枠１４をこの順に有している。
　液晶パネル１１は、光変調素子として機能するものであり、光源２１１からの光を変調して映像に対応する光を出射する表示領域１１ａを中央部に有している。この液晶パネル１１は、一対の駆動基板１１１と対向基板１１３との間に液晶層１１２を封止したものである。対向基板１１３に入射した光が液晶層１１２で変調されて、駆動基板１１１から取り出されるようになっている。この液晶パネル１１には、フィルム基板１１０が接続されており、フィルム基板１１０を通じて、入射光の変調に必要な映像情報が投射型表示装置１の本体側から供給される。
　駆動基板１１１は、基板１１１ａおよびＴＦＴ（Thin Film Transistor）層１１１ｂにより構成されている。ＴＦＴ層１１１ｂには画素毎に、スイッチング素子としてＴＦＴ１１１Ｔが設けられている。ＴＦＴ層１１１ｂにはＴＦＴ１１１Ｔとともに、データ線および走査線等の配線（後述の図７の配線１１１Ｗ）が例えば格子状に設けられている。駆動基板１１１の液晶層１１２側の面には、図示しない画素電極および配向膜が設けられている。対向基板１１３の液晶層１１２側の面には、図示しない対向電極（共通電極）および配向膜が設けられている。基板１１１ａおよび対向基板１１３は、光透過性材料により構成されている。基板１１１ａおよび対向基板１１３は、例えば、石英，ガラスおよび樹脂材料等により構成されている。基板１１１ａには耐熱性の高い石英基板を用いることが好ましく、対向基板１１３にはガラスを用いることが好ましい。基板１１１ａおよび対向基板１１３には、例えば偏光板等（図示せず）が設けられている。
液晶層１１２は、一対の配向膜により、その配向方向が制御されて、入射した光の変調を行う。
　この液晶パネル１１の光入射側に入射側防塵ガラス１２Ａ、光出射側に出射側防塵ガラス１２Ｂがそれぞれ貼り合わせられている。入射側防塵ガラス１２Ａ，出射側防塵ガラス１２Ｂは、液晶パネル１１が塵埃等に汚染されるのを防ぐためのものであり、例えばガラス板により構成されている。
　見切り板１３は、液晶パネル１１の入射面側に装着され、その表示領域１１ａに対向して開口１３ａを有する。外枠１４は、液晶パネル１１の光出射側に取り付けられ、液晶パネル１１の端面部を囲む枠形状を有する。外枠１４も、表示領域１１ａに対向して開口１４ａを有している。液晶パネル１１の端面で、例えば、外枠１４と見切り板１３とが接し、これらの間に入射側防塵ガラス１２Ａ，出射側防塵ガラス１２Ｂとともに液晶パネル１１が収容されている。見切り板１３は、例えば、熱伝導性および反射率の高い金属により構成されている。見切り板１３には、例えばステンレスの薄板を用いることができる。外枠１４は、例えば、アルミニウム（Ａｌ），銀（Ａｇ），マグネシウム（Ｍｇ）およびチタン（Ｔｉ）等の金属単体または合金等により構成されている。
　本実施の形態では、液晶パネル１１の表示領域１１ａの少なくとも一部に対向する位置に放熱パターン１５が設けられている。詳細は後述するが、これにより、液晶パネル１１に吸収された熱が効率良く放熱され、液晶パネル１１を効果的に冷却することができる。
　放熱パターン１５は、駆動基板１１１に設けられている。具体的には、放熱パターン１５は、基板１１１ａのＴＦＴ層１１１ｂが設けられた面と反対の面に、エッチングストッパ層１５ａを介して設けられている。放熱パターン１５は所定のパターンで設けられており、放熱パターン１５の開口部１５Ｍにはパターン形成層１５ｂが埋め込まれている。放熱パターン１５およびパターン形成層１５ｂは、キャップ層１５ｃに覆われており、例えばキャップ層１５ｃが出射側防塵ガラス１２Ｂに接している。
　放熱パターン１５は、放熱パターン１５が設けられている基材、即ち、基板１１１ａの熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する物質により構成されている。このような放熱パターン１５には、例えば、銅（Ｃｕ），アルミニウム（Ａｌ），金（Ａｕ）および銀（Ａｇ）等の金属またはこれらの化合物等を用いることができる。放熱パターン１５には、ＤＬＣ（Diamond Like Carbon）等の絶縁材料を用いるようにしてもよく、あるいは、ＣＮＴ（Carbon nano tube）などを用いるようにしてもよい。放熱パターン１５の厚み（図３のＺ方向）は、その線幅（後述の線幅ＬＷ１）に応じて適宜調整すればよいが、例えば線幅が１μｍのとき、１μｍ～１０μｍである。放熱パターン１５は、その厚みが大きいほど放熱効果が高くなる。
　エッチングストッパ層１５ａは、放熱パターン１５を形成する際にエッチングストッパとして機能するとともに、基板１１１ａへの放熱パターン１５の構成材料の拡散を防ぐバリア膜として機能する。エッチングストッパ層１５ａは、例えば厚み２０ｎｍの窒化シリコン（ＳｉＮ）により構成されている。パターン形成層１５ｂは、放熱パターン１５を形成する際に、放熱パターン１５の厚みを規定するためのものであり、例えば、厚み４００ｎｍの酸化シリコン（ＳｉＯ2）等の酸化膜により構成されている。キャップ層１５ｃは、放熱パターン１５の構成材料が、製造工程において酸化されることに起因して、あるいは層間膜中に拡散することに起因して液晶パネル１１の信頼性が低下するのを防ぐためのものであり、透明なバリア材料により構成されている。このキャップ層１５ｃには、例えば、厚み２０ｎｍの窒化シリコン（ＳｉＮ）を用いることができる。
　表示領域１１ａの外側では、放熱パターン１５に接続してピラー１５Ｐ（接続部）が設けられ、ピラー１５Ｐが外枠１４に接している。換言すれば、外枠１４に覆われる駆動基板１１１の外周部（外周部１１ｂ）にピラー１５Ｐが設けられ、外枠１４とピラー１５Ｐとが熱的に接続されている。ピラー１５Ｐは、表示領域１１ａの放熱パターン１５に伝導された熱を、熱伝導性の高い外枠１４に放熱するためのものである。ピラー１５Ｐには、放熱パターン１５と同様に、基板１１１ａの熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する物質を用いることができる。ピラー１５Ｐは、例えば、銅（Ｃｕ），アルミニウム（Ａｌ），金（Ａｕ）および銀（Ａｇ）等の金属またはこれらの化合物等により構成されている。ピラー１５Ｐは、ＤＬＣ等の絶縁材料、あるいは、ＣＮＴにより構成するようにしてもよい。
　図４は、ピラー１５Ｐの断面構成の一例を表したものである。ピラー１５Ｐの幅Ｗ１は、例えば２０μｍ～４０μｍ、高さＨ１は３０μｍ～７０μｍである。隣り合うピラー１５ＰのピッチＰ１は例えば３０μｍ～７０μｍであり、距離Ｓ１は１０μｍ～３０μｍである。
　ピラー１５Ｐに代えて、図５に示したように、バンプ１５Ｕを設けるようにしてもよい。バンプ１５Ｕにも、上記ピラー１５Ｐと同様の材料を用いることができる。バンプ１５Ｕの幅Ｗ２は、例えば３０μｍ～１２０μｍ、高さＨ２は２５μｍ～９０μｍである。隣り合うバンプ１５ＵのピッチＰ２は例えば５０μｍ～２００μｍであり、距離Ｓ２は２０μｍ～８０μｍである。
　図６は、放熱パターン１５およびピラー１５Ｐの平面構成を外枠１４とともに表したものである。放熱パターン１５は例えば、表示領域１１ａに格子（グリッド）状に設けられている。外周部１１ｂでは、この縦横に延在する格子状の放熱パターン１５各々の両端に、ピラー１５Ｐが設けられている。例えば、外周部１１ｂの放熱パターン１５は、これらのピラー１５Ｐを連結するように表示領域１１ａを囲んでいる。図６では、縦横に延在する各々の両端全てにピラー１５Ｐを設けた例を示したが、ピラー１５Ｐは全ての端に設ける必要はなく、間隔をあけて設けるようにしてもよい。
　図７は、放熱パターン１５の平面構成を、ＴＦＴ層１１１ｂの配線１１１Ｗの平面構成とともに表したものである。放熱パターン１５の線幅ＬＷ１は、配線１１１Ｗの線幅ＬＷ２よりも小さく、放熱パターン１５の開口部１５Ｍは、配線１１１Ｗの開口部１１１ＷＭと平面視で重なる位置に配置されている。即ち、放熱パターン１５は、配線１１１Ｗの開口部１１１ＷＭを塞ぐことのないよう、配線１１１Ｗのパターンと平面視で重なる位置に配置されている。例えば、配線１１１Ｗの線幅ＬＷ２が１．０μｍであるとき、放熱パターン１５の線幅ＬＷ１は０．５μｍである。
　図８および図９に示したように、放熱パターン１５は縦横いずれか一方のみにストライプ状に設けるようにしてもよい。
　放熱パターン１５は、一定の間隔で設ける必要はなく、図１０に示したように、異なる間隔で放熱パターン１５を設けるようにしてもよい。例えば、温度の高くなりやすい液晶パネル１１の中央部に対向する領域の密度が高くなるように、放熱パターン１５を設けるようにしてもよい。
　（液晶表示ユニット１０の製造方法）
　このような液晶表示ユニット１０は、例えば以下のような方法で製造することが可能である（図１１Ａ～図１３Ｄ）。ここでは、放熱パターン１５を金属を用いて形成する例について説明する。
　まず、図１１Ａに示したように、基板１１１ａの表面に、ＴＦＴ１１１Ｔおよび配線（図７の配線１１１Ｗ）を含むＴＦＴ層１１１ｂを形成する。この形成方法には、既知の方法を用いることができる。次いで基板１１１ａの裏面全面に、エッチングストッパ層１５ａおよびパターン形成層１５ｂをこの順に、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical vapor deposition）法を用いて形成する（図１１Ｂ）。エッチングストッパ層１５ａは、例えば厚み２０ｎｍの窒化シリコン膜、パターン形成層１５ｂは厚み４００ｎｍの酸化シリコン膜を形成する。エッチングストッパ層１５ａは、例えば、プロセスガスとして、ＳｉＨ4を７５ｓｃｃｍ，ＮＨ3を５０ｓｃｃｍ，Ｎ2を３Ｌ用い、圧力を１０６４Ｐａ、基板温度を３８０℃、ＲＦパワーを５００Ｗ、１３．５６ＭＨｚとして形成することができる。パターン形成層１５ｂは、例えば、プロセスガスとして、ＴＥＯＳ（Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4，Tetraethyl orthosilicate）を１００ｓｃｃｍ，Ｏ2を１０００ｓｃｃｍ，Ｈｅを５００ｓｃｃｍ用い、圧力を１３３Ｐａ、基板温度を３８０℃、ＲＦパワーを１３．５６ＭＨｚ／１０００Ｗとして形成することができる。
　パターン形成層１５ｂを成膜した後、図１１Ｃに示したように、表示領域１１ａおよび外周部１１ｂのパターン形成層１５ｂに溝１５ｂｇを形成する。溝１５ｂｇの形成には、既知のリソグラフィ工程を用いることができる。リソグラフィ工程を用いてパターニングした後、例えばドライエッチング法により溝１５ｂｇを形成する。図１２Ａは基板１１１ａの表面（ＴＦＴ層１１１ｂ）の平面構成を表し、図１２Ｂは基板１１１ａの裏面（溝１５ｂｇ）の平面構成を表している。溝１５ｂｇは、パターン形成層１５ｂを形成するためのものである。溝１５ｂｇは、その幅ＧＷがＴＦＴ層１１１ｂの配線１１１Ｗの線幅ＬＷ２よりも小さくなるように形成し、配線１１１Ｗのパターンに重なる位置に形成する。
　パターン形成層１５ｂに溝１５ｂｇを形成したあと、例えば、溝１５ｂｇ内を含む基板１１１ａの全面に、バリアメタル膜１５１、シード層（図示せず）および金属膜１５２をこの順に成膜する（図１３Ａ）。バリアメタル膜１５１は、金属膜１５２により形成される放熱パターン１５がエッチングストッパ層１５ａ等へと拡散するのを防ぐためのものであり、例えば、厚み２０ｎｍのタンタル（Ｔａ）により構成されている。バリアメタル膜１５１は、必要に応じて形成すればよい。バリアメタル膜１５１は、例えば、高真空中でのマグネトロンスパッタ法を用いて形成する。このマグネトロンスパッタ法は、例えば、ＤＣパワーを５ｋＷ、プロセスガスとしてＡｒを１００ｓｃｍ、圧力を０．４Ｐａ、基板温度を１００℃として行う。シード層および金属膜１５２には、例えば銅（Ｃｕ）を用いる。シード層は、例えば高真空中でのマグネトロンスパッタ法を用いて形成する。このマグネトロンスパッタ法は、例えば、ＤＣパワーを３ｋＷ、プロセスガスとしてＡｒを１００ｓｃｍ、圧力を０．４Ｐａ、基板温度を１００℃として行う。シード層の厚みは、例えば５０ｎｍである。金属膜１５２は、例えば電解メッキ法を用いて形成する。この電解メッキ法は、ＣｕＳＯ4を６７ｇ／Ｌ、Ｈ2ＳＯ4を１７０ｇ／Ｌ、ＨＣｌを７０ｐｐｍ用い、添加剤として界面活性剤を加えて行う。溶液温度を２０℃、電流を２０Ａとする。金属膜１５２は、溝１５ｂｇを十分に埋め込む厚みで形成する。
　金属膜１５２を成膜した後、加熱処理を行う。この加熱処理により、例えば銅からなる金属膜１５２の結晶成長が促され、放熱パターン１５の熱伝導率が安定化する。加熱処理は、例えば、アニール温度１５０度とし、１０％の水素（Ｈ2）雰囲気下で３０行う。
　金属膜１５２の加熱処理を行った後、例えばＣＭＰ(Chemical Mechanical Polishing)法を用いて、溝１５ｂｇの外側に露出した部分のバリアメタル膜１５１、シード層および金属膜１５２を除去する。これにより、放熱パターン１５が形成される（図１３Ｂ）。ＣＭＰ法は、例えば、研磨圧力が１００ｇ／ｃｍ2、回転数が定盤３０ｒｐｍ、研磨ヘッド３０ｒｐｍ、研磨パッドとして発泡ポリウレタン樹脂／不織布積層構造（ロデール社製ＩＣ１０００／ＳＵＢＡ　ＩＶ積層）を用い、スラリーは、Ｈ2Ｏ2添加（コロイダルシリカ含有スラリー）し、流量を１００ｃｃ／ｍｉｎ、温度を２５℃～３０℃として行う。
　放熱パターン１５を形成した後、基板１１１ａの全面に、例えば窒化シリコンからなるキャップ層１５ｃを形成する。キャップ層１５ｃは、エッチングストッパ層１５ａと同様に形成することができる（図１３Ｃ）。
　続いて、図１３Ｄに示したように、外周部１１ｂの放熱パターン１５に接続するピラー１５Ｐを形成する。具体的には、外周部１１ｂの放熱パターン１５に形成されたキャップ層１５ｃを、例えば、リソグラフィ工程およびドライエッチング法を用いて除去する。これにより、外周部１１ｂでは、放熱パターン１５が露出される。この露出された放熱パターン１５に接続させてピラー１５Ｐを形成する。ピラー１５Ｐは、例えば、放熱パターン１５上にレジストを塗布した後、レジストの露光、現像処理を行って形成した開口に、無電解メッキ法を用いて銅を成膜することにより形成する。
　ピラー１５Ｐを形成した後、液晶層１１２を間にして、対向基板１１３を駆動基板１１１に張り合わせる。これにより液晶パネル１１が形成される。その後、見切り板１３と外枠１４との間に、この液晶パネル１１とともに、入射側防塵ガラス１２Ａおよび出射側防塵ガラス１２Ｂを挟持させる。このとき、ピラー１５Ｐを外枠１４に接触させる。これにより、液晶表示ユニット１０が完成する。
（動作）
　投射型表示装置１では、光源２１１から発せられた白色光に基づく赤色光ＬＲ，緑色光ＬＧおよび青色光ＬＢが、それぞれ対応する液晶表示ユニット１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにおいて変調される。この後、各液晶表示ユニット１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂから映像に対応する色光が出射され、これらがクロスプリズム２２６において合成された後、投射レンズ２２７によってスクリーン２２８に拡大投射される。このようにして映像表示がなされる。
（作用・効果）
　本実施の形態の投射型表示装置１の液晶表示ユニット１０では、表示領域１１ａに放熱パターン１５が設けられているので、液晶パネル１１内の熱が放熱パターン１５に移動する。更に、放熱パターン１５は、外周部１１ｂで熱伝導性の高い外枠１４に接続されているので、放熱パターン１５から外枠１４に熱伝導がなされる。以下、これについて図１４および図１５を用いて説明する。
　図１４は、比較例に係る液晶表示ユニット（液晶表示ユニット３００）の端部の断面構成を表したものである。この液晶表示ユニット３００では、放熱パターン（例えば図３の放熱パターン１５）が設けられていない。液晶パネル１１の冷却は、ファン（例えば図１のファン２００）から送られる風ＡＣの空冷によってなされる。
　このように、空冷のみによる冷却では、投射型表示装置の高輝度化に十分に対応できず、液晶パネル１１の温度が大きく上昇する虞がある。ファンからの風ＡＣの風量および風速を大きくすることで、液晶パネル１１の温度上昇を抑えることが可能であるが、この場合、投射型表示装置を小型化することが困難となり、また、風ＡＣに起因した騒音が発生するので、静音化も困難となる。更に、ファンからの風ＡＣの風量および風速を大きくすると、その分、投射型表示装置の内部に取り込まれる外気の量も増えるので、塵埃および油煙などを吸気しやすくなる。このため、液晶パネル１１、プリズム、レンズおよび偏光板などの光学素子が汚染され、光学性能が低下する虞がある。
　風ＡＣによる空冷の他に、冷却効率を上げるための種々の方法が提案されているが、いずれも、課題を抱えている。例えば、特許文献５では、液晶表示ユニットの枠部分を液冷する方法が提案されているが、液晶表示ユニットを構成するガラス基板の熱伝導率が低いので、液晶パネル全面を効率よく冷却することができない。特に、高温になりやすい液晶パネルの中央部分が冷却されにくい。
　また、液晶パネル全体を冷却液に浸けて冷却する方法も提案されている（例えば、特許文献４）が、この方法では、冷却液、容器および外気それぞれの界面の屈折率差に起因して光学性能が低下する虞がある。加えて、冷却構造が大掛かりであるので、投射型表示装置を小型化することが困難である。
　例えば、ＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）などの反射型のＨＴＰＳであれば、裏面となるシリコン基板側に液冷機構を搭載することが可能である。例えばペルチェ素子などの電子冷熱素子をシリコン基板に貼り付けて液晶パネル全体を冷却する方法も考えられる。しかしながら、これらの方法は、透過型のＨＴＰＳに用いることはできない。液晶パネルの外周部に冷却機構を設けることも考え得るが、液晶パネルの各構成部品の熱伝導率が低いと、効率的な冷却は困難である。
　これに対し、本実施の形態では、液晶表示ユニット１０に放熱パターン１５を設けるようにしたので、液晶パネル１１の表示領域１１ａから、放熱パターン１５に熱伝導がなされる。図１５に示したように、放熱パターン１５に伝導された熱Ｈは、外周部１１ｂのピラー１５Ｐを介して外枠１４に放熱される。したがって、ファン２００から送られる風ＡＣの風量および風速を大きくすることなく、効果的に液晶パネル１１を冷却することができる。
　また、放熱パターン１５は、液晶パネル１１の表示領域１１ａに設けられているので、高温になりやすい、液晶パネル１１の中央部（表示領域１１ａ）を効率的に冷却することができる。更に、冷却液を使用しないので光学性能が低下することもなく、画質が維持される。加えて、大掛かりな装置も不要であり、投射型表示装置１を小型化することも可能である。
　また、放熱パターン１５は、ＴＦＴ層１１１ｂの配線１１１Ｗのパターンと重ねて設けることができ、配線１１１Ｗの開口部１１１ＷＭを狭めないように形成することができる。即ち、放熱パターン１５は、液晶パネル１１の光透過を妨げないので、透過型のＨＴＰＳにも好適である。
　以上説明したように、本実施の形態では、液晶表示ユニット１０に放熱パターン１５を設けるようにしたので、液晶パネル１１の熱が放熱パターン１５から外枠１４に放熱され、液晶パネル１１を効果的に冷却することができる。よって、液晶パネル１１の寿命を延ばすことができる。
　また、外気の温度が低いときには、外枠１４から熱を加えて、液晶パネル１１の温度を上昇させることも可能である。
　以下、上記実施の形態の変形例について説明するが、上記実施の形態と共通の構成要素については同一符号を付してその説明は省略する。
　〔変形例１〕
　図１６は、変形例１に係る液晶表示ユニット（液晶表示ユニット３０）の端部の断面構成を表したものである。この液晶表示ユニット３０では、対向基板１１３に放熱パターン（放熱パターン１６）が設けられている。この点において、液晶表示ユニット３０は、液晶表示ユニット１０と異なっている。
　放熱パターン１６は、対向基板１１３の裏面（駆動基板１１１との対向面とは反対の面）に、絶縁膜１６ａを介して設けられている。放熱パターン１６は、対向基板１１３の構成材料の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する物質により構成されている。放熱パターン１６の配置、形状、例示される構成材料および機能等は、上記放熱パターン１５と同様である。放熱パターン１６を含む対向基板１１３（絶縁膜１６ａ）の全面が絶縁膜１６ｂに覆われている。絶縁膜１６ａは、対向基板１１３の構成材料等を考慮して必要に応じて設けるようにすればよい。絶縁膜１６ａは、例えば厚み５０ｎｍの酸化シリコンにより構成され、対向基板１１３の裏面全面に設けられている。絶縁膜１６ｂは、放熱パターン１６を保護するためのものであり、例えば厚み５０ｎｍの酸化シリコンにより構成されている。
　表示領域１１ａの外側では、放熱パターン１６に連結してバンプ１６Ｕが設けられ、バンプ１６Ｕが押さえ部材３１を介して見切り板１３に接している。換言すれば、見切り板１３に覆われる対向基板１１３の外周部（外周部１１ｃ）にバンプ１６Ｕが設けられている。バンプ１６Ｕの配置、構成材料および機能等は、上記ピラー１５Ｐ（バンプ１５Ｕ）と同様である。放熱パターン１６とバンプ１６Ｕとの間にはＵＢＭ（Under Barrier Metal）１６Ｃが設けられている。バンプ１６Ｕに代えて、ピラーを設けるようにしてもよい。押さえ部材３１は、バンプ１６Ｕの高さと入射側防塵ガラス１２Ａの厚みとの差を埋めるために設けられており、バンプ１６Ｕの上面を押さえるとともに、その側面が見切り板１３に接している。押さえ部材３１は、例えば銅（Ｃｕ）およびアルミニウム（Ａｌ）等の金属など、熱伝導性の高い物質により構成されている。
　このような液晶表示ユニット３０は、上記液晶表示ユニット１０で説明したのと同様に、電解メッキ法により放熱パターン１６を形成することも可能である。ここでは、リソグラフィ法およびエッチング技術を用いて金属の放熱パターン１６を形成する方法について説明する（図１７Ａ～図１７Ｄ）。
　まず、図１７Ａに示したように、対向基板１１３の裏面全面に絶縁膜１６ａを成膜する。絶縁膜１６ａは、例えば、プラズマＣＶＤ法を用いて、１００ｎｍの酸化シリコン膜を形成する。形成条件は、例えば、プロセスガスとして、ＴＥＯＳを１００ｓｃｃｍ，Ｏ2を１０００ｓｃｃｍ，Ｈｅを５００ｓｃｃｍ用い、圧力を１３３Ｐａ、基板温度を３８０℃、ＲＦパワーを１３．５６ＭＨｚ／１０００Ｗとする。
　次いで、絶縁膜１６ａ上に、例えば金属膜を成膜した後、これをパターニングして放熱パターン１６を形成する（図１７Ｂ）。具体的には、以下のようにして放熱パターン１６を形成する。まず、例えばマグネトロンスパッタ装置を用いて、バリアメタルとして機能する厚み２０ｎｍのチタン（Ｔｉ）膜、放熱パターン１６を形成するための厚み４００ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）膜をこの順に連続成膜する。続いて、リソグラフィ法およびエッチング技術を用いて、チタン膜およびアルミニウム膜を例えば格子状にパターニングすることにより放熱パターン１６を形成する。このとき、放熱パターン１６は、その線幅ＬＷ１がＴＦＴ層１１１ｂの配線１１１Ｗの線幅ＬＷ２よりも小さくなるように形成し、配線１１１Ｗのパターンに重なる位置に形成する（図７参照）。例えば、配線１１１Ｗの線幅ＬＷ２が約１．０μｍであり、放熱パターン１６の線幅ＬＷ１が０．５μｍである。
　放熱パターン１６を形成した後、図１７Ｃに示したように、放熱パターン１６上を含む対向基板１１３の裏面全面に絶縁膜１６ｂを形成する。絶縁膜１６ｂは、例えば厚み５０ｎｍの酸化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法を用いて形成する。続いて、外周部１１ｃの放熱パターン１６の表面を露出させるための開口部を形成し、この開口部にＵＢＭ１６Ｃおよびバンプ１６Ｕを形成する（図１７Ｄ）。具体的には、以下のように形成する。まず、外周部１１ｃの放熱パターン１６の直上に例えば開口径０．４μｍの開口部を形成し、この開口にＵＢＭ１６Ｃを形成するための金属層を形成する。次いで、この金属層上にフォトレジストを塗布した後、先に形成した開口部のフォトレジストを露光現像処理を用いて除去する。その後、このフォトレジストを除去した部分に、例えば無電解メッキ法を用いて銅（Ｃｕ）を埋めこんでバンプ１６Ｕを形成する。最後に、フォトレジストをリフトオフするとともに、ＵＢＭ１６Ｃ以外の部分の金属層をエッチングして除去する。これにより、外周部１１ｃの放熱パターン１６に接続されたバンプ１６Ｕが形成される。バンプ１６Ｕを形成した後、液晶層１１２を間にして、対向基板１１３を駆動基板１１１に張り合わせる。これにより液晶パネル１１が形成される。その後、見切り板１３と外枠１４との間に、この液晶パネル１１とともに、入射側防塵ガラス１２Ａおよび出射側防塵ガラス１２Ｂを挟持させる。このとき、バンプ１６Ｕを見切り板１３に接触させる。これにより、液晶表示ユニット３０が完成する。
　このように対向基板１１３に放熱パターン１６を有する液晶表示ユニット３０も、上記液晶表示ユニット１０と同様に、液晶パネル１１の熱が放熱パターン１６から見切り板１３に放熱され、液晶パネル１１を効果的に冷却することができる。
　〔変形例２〕
　図１８は、変形例２に係る液晶表示ユニット（液晶表示ユニット４０）の端部の断面構成を表したものである。この液晶表示ユニット４０では、放熱基板（放熱基板１７）に放熱パターン（放熱パターン１８）が設けられている。この点において、液晶表示ユニット４０は、液晶表示ユニット１０と異なっている。
　放熱基板１７は、例えば、対向基板１１３と入射側防塵ガラス１２Ａとの間に設けられており、これらと共に、見切り板１３と外枠１４との間に挟持されている。放熱基板１７は、駆動基板１１１（基板１１１ａ）と出射側防塵ガラス１２Ｂとの間に設けるようにしてもよく、あるいは、これら以外の場所に配置するようにしてもよい。特に、発熱しやすい駆動基板１１１（基板１１１ａ）に接する位置に放熱基板１７を設けることが好ましい。放熱基板１７は、放熱パターン１８を形成するための専用基板であり、例えば、石英，ガラスおよび樹脂材料等の光透過性材料により構成されている。
　放熱パターン１８は、この放熱基板１７の表面（入射側防塵ガラス１２Ａとの対向面）に、絶縁膜１８ａを介して設けられている。放熱パターン１８は、放熱基板１７の構成材料の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する物質により構成されている。放熱パターン１８の配置、形状、構成材料および機能等は、上記放熱パターン１５と同様である。放熱パターン１８を含む放熱基板１７（絶縁膜１８ａ）の全面が絶縁膜１８ｂに覆われている。絶縁膜１８ａは、放熱基板１７の構成材料等を考慮して必要に応じて設けるようにすればよい。絶縁膜１８ａは、例えば厚み５０ｎｍの酸化シリコンにより構成され、放熱基板１７の表面全面に設けられている。絶縁膜１８ｂは、放熱パターン１８を保護するためのものであり、例えば厚み５０ｎｍの酸化シリコンにより構成されている。
　放熱基板１７の端部では、放熱パターン１８に連結してバンプ１８Ｕが設けられ、バンプ１８Ｕが押さえ部材３１を介して見切り板１３に接している。換言すれば、見切り板１３に覆われる外周部１１ｃにバンプ１８Ｕが設けられている。放熱パターン１８とバンプ１８Ｕとの間にはＵＢＭ１８Ｃが設けられている。バンプ１８Ｕの配置、構成材料および機能等は、上記ピラー１５Ｐ（バンプ１５Ｕ）と同様である。バンプ１８Ｕに代えて、ピラーを設けるようにしてもよい。
　このような液晶表示ユニット４０では、上記液晶表示ユニット１０，３０で説明したのと同様に、銅およびアルミニウム等金属により放熱パターン１８を形成することも可能である。ここでは、ＤＬＣ用いて放熱パターン１８を形成する方法について説明する。
　まず、放熱基板１７の表面全面に絶縁膜１８ａを成膜する。絶縁膜１８ａは、例えば、プラズマＣＶＤ法を用いて、２０ｎｍの窒化シリコン膜を形成する。次いで、絶縁膜１８ａ上に、例えば５００ｎｍのＤＬＣ膜をプラズマＣＶＤ法またはマグネトロンスパッタ法等を用いて成膜した後、これをパターニングして放熱パターン１８を形成する。パターニングは、リソグラフィ法およびエッチング技術を用いて行う。このとき、放熱パターン１８は、その線幅ＬＷ１がＴＦＴ層１１１ｂの配線１１１Ｗの線幅ＬＷ２よりも小さくなるように形成し、配線１１１Ｗのパターンに重なる位置に形成する（図７参照）。例えば、配線１１１Ｗの線幅ＬＷ２が約１．０μｍであり、放熱パターン１６の線幅ＬＷ１が０．５μｍである。
　放熱パターン１８を形成した後、放熱パターン１８上を含む放熱基板１７の表面全面に絶縁膜１８ｂを形成する。絶縁膜１８ｂは、例えば厚み５０ｎｍの酸化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法を用いて形成する。続いて、外周部１１ｃの放熱パターン１８の表面を露出させるための開口部を形成し、この開口部にＵＢＭおよびバンプ１８Ｕを形成する。ＵＢＭおよびバンプ１８Ｕの形成方法は、上記変形例１で説明したのと同様である。バンプ１８Ｕを形成した後、見切り板１３と外枠１４との間に、この放熱パターン１８を有する放熱基板１７とともに、液晶パネル１１、入射側防塵ガラス１２Ａおよび出射側防塵ガラス１２Ｂを挟持させる。このとき、バンプ１８Ｕを見切り板１３に接触させる。これにより、液晶表示ユニット４０が完成する。
　このように放熱基板１７に放熱パターン１８を有する液晶表示ユニット４０も、上記液晶表示ユニット１０と同様に、液晶パネル１１の熱が放熱パターン１８から見切り板１３に放熱され、液晶パネル１１を効果的に冷却することができる。
　〔変形例３〕
　図１９は、変形例３に係る液晶表示ユニット（液晶表示ユニット５０）の端部の断面構成を表したものである。この液晶表示ユニット５０では、入射側防塵ガラス１２Ａに放熱パターン（放熱パターン１９）が設けられている。この点において、液晶表示ユニット５０は、液晶表示ユニット１０と異なっている。
　放熱パターン１９は、この入射側防塵ガラス１２Ａの光入射面（液晶パネル１１との対向面とは反対の面）に、絶縁膜１９ａを介して設けられている。放熱パターン１９は、入射側防塵ガラス１２Ａの構成材料の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する物質により構成されている。放熱パターン１９の配置、形状、構成材料および機能等は、上記放熱パターン１５と同様である。放熱パターン１９を含む入射側防塵ガラス１２Ａ（絶縁膜１９ａ）の全面が絶縁膜１９ｂに覆われている。絶縁膜１９ａは、必要に応じて設けるようにすればよい。絶縁膜１９ａは、例えば厚み５０ｎｍの酸化シリコンにより構成され、入射側防塵ガラス１２Ａの光入射面全面に設けられている。絶縁膜１９ｂは、放熱パターン１９を保護するためのものであり、例えば厚み５０ｎｍの酸化シリコンにより構成されている。
　入射側防塵ガラス１２Ａの端部では、放熱パターン１９に連結してバンプ１９Ｕが設けられ、バンプ１９Ｕが見切り板１３に接している。換言すれば、見切り板１３に覆われる外周部１１ｃにバンプ１９Ｕが設けられている。バンプ１９Ｕの配置、構成材料および機能等は、上記ピラー１５Ｐ（バンプ１５Ｕ）と同様である。バンプ１９Ｕに代えて、ピラーを設けるようにしてもよい。放熱パターン１９およびバンプ１９Ｕは、出射側防塵ガラス１２Ｂの光出射面（液晶パネル１１との対向面とは反対の面）に設けるようにしてもよい。
　このような液晶表示ユニット５０は、上記液晶表示ユニット１０，３０，４０で説明したのと同様に、製造することが可能である。
　このように入射側防塵ガラス１２Ａ，出射側防塵ガラス１２Ｂに放熱パターン１９を有する液晶表示ユニット５０も、上記液晶表示ユニット１０と同様に、液晶パネル１１の熱が放熱パターン１９から見切り板１３に放熱され、液晶パネル１１を効果的に冷却することができる。
〔適用例〕
　本技術の液晶表示ユニット１０（または液晶表示ユニット３０，４０，５０）を備えた投射型表示装置１は、例えばヘッドアップディスプレイ等のウェアラブルディスプレイや持ち運び可能なポータブルディスプレイ、あるいはスマートフォンやタブレット等の投射機能を有するあらゆるタイプの電子機器に適用することができる。一例として、ヘッドアップディスプレイ６００（図２０）およびヘッドマウントディスプレイ５００（図２１）の概略構成を説明する。
　図２０は、ヘッドアップディスプレイの外観を表したものである。このヘッドアップディスプレイ６００は、利用者の視野に直接情報を映し出すものであり、例えば車両等に搭載することによって、前方の視界を遮ることなくナビゲーション情報等を表示することができる。このヘッドアップディスプレイ６００は、例えば、光出射部６１０と、スクリーン部６２０と、凹面ハーフミラー６３０とを有する。
　図２１は、ヘッドマウントディスプレイ５００の外観を表している。このヘッドマウントディスプレイ５００は、表示部５１０と、装着部５２０とを備えている。
　以上、実施の形態および変形例を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、上記実施の形態等では、透過型の液晶表示ユニットを例示したが、本技術の表示装置等はこれに限定されず、例えばＬＣＯＳ等の反射型の液晶表示ユニットでもよい。
　また、本技術の表示装置は、上記実施の形態等で説明した構成のものに限定されず、光源からの光を液晶表示ユニットを介して変調するタイプの表示装置であればよいが、本技術は、投射型表示装置に用いられる表示装置に効果的に適用される。
　なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であってこれに限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。
　なお、本技術は、以下のような構成も可能である。
（１）
　表示領域を有する液晶パネルと、
　少なくとも前記表示領域の一部に対向する位置に設けられた放熱パターンと
　を備えた表示装置。
（２）
　前記液晶パネルは、配線を有する駆動基板と対向基板との間に液晶層を有する
　前記（１）に記載の表示装置。
（３）
　前記放熱パターンの線幅は前記配線の線幅よりも小さい
　前記（２）に記載の表示装置。
（４）
　前記放熱パターンは、前記配線のパターンと平面視で重なる位置に設けられている
　前記（２）または（３）に記載の表示装置。
（５）
　前記放熱パターンは、前記駆動基板の基板材料よりも高い熱伝導率を有する物質により構成され、かつ、前記駆動基板の、前記対向基板との対向面と反対の面に設けられている
　前記（２）乃至（４）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（６）
　前記放熱パターンは、前記対向基板の基板材料よりも高い熱伝導率を有する物質により構成され、かつ、前記対向基板の、前記駆動基板との対向面と反対の面に設けられている
　前記（２）乃至（４）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（７）
　更に、前記液晶パネルに対向する防塵部材を備え、
　前記放熱パターンは、前記防塵部材の構成材料よりも高い熱伝導率を有する物質により構成され、かつ、前記防塵部材に前記放熱パターンが設けられている
　前記（１）乃至（４）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（８）
　更に、前記放熱パターンが設けられた放熱基板を有し、
　前記放熱パターンは、前記放熱基板の構成材料よりも高い熱伝導率を有する物質により構成されている
　前記（１）乃至（４）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（９）
　前記液晶パネルは透過型高温ポリシリコン液晶パネルである
　前記（１）乃至（８）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１０）
　前記放熱パターンは金属により構成されている
　前記（１）乃至（９）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１１）
　前記放熱パターンは絶縁材料により構成されている
　前記（１）乃至（９）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１２）
　前記放熱パターンはカーボンナノチューブにより構成されている
　前記（１）乃至（９）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１３）
　更に、前記液晶パネルを挟持する外枠および見切り板を有し、
　前記放熱パターンと前記外枠または前記見切り板とを熱的に接続する接続部が設けられている
　前記（１）乃至（１２）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１４）
　前記接続部は前記表示領域の外側に設けられている
　前記（１３）記載の表示装置。
（１５）
　前記接続部はバンプまたはピラーにより構成されている
　前記（１３）または（１４）記載の表示装置。
（１６）
　前記放熱パターンは一方向に延在するストライプ状である
　前記（１）乃至（１５）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１７）
　前記放熱パターンは格子状である
　前記（１）乃至（１５）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１８）
　光変調素子および前記光変調素子を通過した光を投射する投射光学系を備え、
　前記光変調素子は、
　表示領域を有する液晶パネルと、
　少なくとも前記表示領域の一部に対向する位置に設けられた放熱パターンとを含む
　投射型表示装置。
（１９）
　表示装置を備え、
　前記表示装置は、
　表示領域を有する液晶パネルと、
　少なくとも前記表示領域の一部に対向する位置に設けられた放熱パターンとを含む
　電子機器。
　本出願は、日本国特許庁において２０１６年９月２３日に出願された日本特許出願番号第２０１６－１８５０６４号を基礎として優先権を主張するものであり、この出願の全ての内容を参照によって本出願に援用する。
　当業者であれば、設計上の要件や他の要因に応じて、種々の修正、コンビネーション、サブコンビネーション、および変更を想到し得るが、それらは添付の請求の範囲やその均等物の範囲に含まれるものであることが理解される。

Claims (19)

  1. 　表示領域を有する液晶パネルと、
    　少なくとも前記表示領域の一部に対向する位置に設けられた放熱パターンと
    　を備えた表示装置。
  2. 　前記液晶パネルは、配線を有する駆動基板と対向基板との間に液晶層を有する
    　請求項１に記載の表示装置。
  3. 　前記放熱パターンの線幅は前記配線の線幅よりも小さい
    　請求項２に記載の表示装置。
  4. 　前記放熱パターンは、前記配線のパターンと平面視で重なる位置に設けられている
    　請求項３に記載の表示装置。
  5. 　前記放熱パターンは、前記駆動基板の基板材料よりも高い熱伝導率を有する物質により構成され、かつ、前記駆動基板の、前記対向基板との対向面と反対の面に設けられている
    　請求項２記載の表示装置。
  6. 　前記放熱パターンは、前記対向基板の基板材料よりも高い熱伝導率を有する物質により構成され、かつ、前記対向基板の、前記駆動基板との対向面と反対の面に設けられている
    　請求項２記載の表示装置。
  7. 　更に、前記液晶パネルに対向する防塵部材を備え、
    　前記放熱パターンは、前記防塵部材の構成材料よりも高い熱伝導率を有する物質により構成され、かつ、前記防塵部材に前記放熱パターンが設けられている
    　請求項１記載の表示装置。
  8. 　更に、前記放熱パターンが設けられた放熱基板を有し、
    　前記放熱パターンは、前記放熱基板の構成材料よりも高い熱伝導率を有する物質により構成されている
    　請求項１記載の表示装置。
  9. 　前記液晶パネルは透過型高温ポリシリコン液晶パネルである
    　請求項１記載の表示装置。
  10. 　前記放熱パターンは金属により構成されている
    　請求項１記載の表示装置。
  11. 　前記放熱パターンは絶縁材料により構成されている
    　請求項１記載の表示装置。
  12. 　前記放熱パターンはカーボンナノチューブにより構成されている
    　請求項１記載の表示装置。
  13. 　更に、前記液晶パネルを挟持する外枠および見切り板を有し、
    　前記放熱パターンと前記外枠または前記見切り板とを熱的に接続する接続部が設けられている
    　請求項１記載の表示装置。
  14. 　前記接続部は前記表示領域の外側に設けられている
    　請求項１３記載の表示装置。
  15. 　前記接続部はバンプまたはピラーにより構成されている
    　請求項１３記載の表示装置。
  16. 　前記放熱パターンは一方向に延在するストライプ状である
    　請求項１記載の表示装置。
  17. 　前記放熱パターンは格子状である
    　請求項１記載の表示装置。
  18. 　光変調素子および前記光変調素子を通過した光を投射する投射光学系を備え、
    　前記光変調素子は、
    　表示領域を有する液晶パネルと、
    　少なくとも前記表示領域の一部に対向する位置に設けられた放熱パターンとを含む
    　投射型表示装置。
  19. 　表示装置を備え、
    　前記表示装置は、
    　表示領域を有する液晶パネルと、
    　少なくとも前記表示領域の一部に対向する位置に設けられた放熱パターンとを含む
    　電子機器。
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