WO2018028947A1 - Schaltzelle mit halbleiterschaltelement und mikroelektromechanischem schaltelement - Google Patents

Schaltzelle mit halbleiterschaltelement und mikroelektromechanischem schaltelement Download PDF

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WO2018028947A1
WO2018028947A1 PCT/EP2017/068075 EP2017068075W WO2018028947A1 WO 2018028947 A1 WO2018028947 A1 WO 2018028947A1 EP 2017068075 W EP2017068075 W EP 2017068075W WO 2018028947 A1 WO2018028947 A1 WO 2018028947A1
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switching
switching element
mems
semiconductor
cell
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PCT/EP2017/068075
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Anne Bauer
Holger SCHÖNHERR
Werner Hartmann
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Siemens Aktiengesellschaft
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H89/00—Combinations of two or more different basic types of electric switches, relays, selectors and emergency protective devices, not covered by any single one of the other main groups of this subclass
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    • H01H2071/008—Protective switches or relays using micromechanics

Definitions

  • the invention relates to a switching cell having a semiconductor switching element ⁇ and a microelectromechanical switching element according to claim 1 and a switching unit according to claim 7, an inverter according to claim 9, a switching device according to claim 10 and a method for operating a switching unit according to claim 1.
  • Microelectromechanical systems or in this case more specific microelectromechanical switching elements represent a possible replacement for conventional power switches in electrical power distribution, especially in the low-voltage range.
  • MEMS microelectromechanical switching elements
  • the withstand voltage of a typical be is ⁇ range between 50 - 100 V limited.
  • a limited be ⁇ rich typically less than 100mA. This requires that in practice for switching higher currents when used as a power switch a plurality of these MEMS must be arranged in a circuit electrically parallel. Since in the low-voltage switchgear also higher voltages in the range of 700 V to 1000 V must be mastered, a corresponding number of MEMS must also be electrically arranged in series. Due to manufacturing tolerances and
  • the object of the invention is to provide a switching cell which is fundamentally suitable for use in a circuit breaker and which distinguishes itself from the prior art in that the individual MEMS components contained therein have a longer service life.
  • the object is achieved in a switching cell with the features of claim 1, in a switching unit with the features of claim 7, in an inverter and a switching device with the features of claim 9 and 10 and in a method for operating a switching cell with the Features of claim 1.
  • the switching cell according to claim 1 comprises a semiconductor switching element, a microelectromechanical switching element (MEMS) and an electronic drive circuit.
  • the semiconductor switching element and the MEMS are connected in parallel and the drive circuit is designed such that for a shutdown of the switching cell, the switching off of the semiconductor switching element after turning off the MEMS he follows ⁇ .
  • MEMS here is a switching element verstan ⁇ the, which is produced by the means of microsystem technology.
  • microsystems technology which is able to produce micro- scopically small mechanically acting components, such as switches or gears, which can thereby perform a BEWE ⁇ supply.
  • Techno ⁇ technologies which are known from semiconductor technology, while also micro-electromechanical switch on substrates can be manufactured typically silicon or gallium arsenide.
  • the length of a MEMS is in this case we ⁇ niger than 1mm, preferably less than 100 ym.
  • the advantage of the described arrangement of the switching cell is that the semiconductor switching element only very briefly, i. for a few microseconds, in particular less than 50 ys, must carry the current so as to relieve the electromechanical contacts of the MEMS, in particular during the turn-off.
  • the turn-off process of the MEMS is particularly critical, since switching-off plasmas such as sparks or arcs may occur during the switch-off process.
  • the bypassing of the circuit of the MEMS by a semiconductor component but also during the switch-on process is very expedient, since welding may occur at the switch-on process if the currents applied to the MEMS are too high.
  • Semiconductor switching elements are typically transistors, e.g. as a field effect transistors, in particular as a particularly low-impedance, low-loss MOSFETs (CoolFETs) formed.
  • transistors e.g. as a field effect transistors, in particular as a particularly low-impedance, low-loss MOSFETs (CoolFETs) formed.
  • Other embodiments are IGBTs and thyristor structures, each in antiparallel design to allow bipolar current flow, especially in AC applications.
  • Semiconductor switching elements can be charged significantly higher for such a short time than is possible in continuous operation. Since, due to having a characterized by possible smaller dimensioning requires less space, thus they can also, if this is otherwise advantageous to di rectly ⁇ be integrated on the silicon chip on which the MEMS structure is shown. As a result, component scatter ⁇ ments are avoided and parasitic elements, in particular
  • the drive circuit is designed such that it comprises a delay element and / or a pulse extension element.
  • the circuit of the drive circuit and its connection with gate electrodes of the semiconductor switching element and the MEMS takes place, to achieve the desired effects of the currentless switching of the MEMS either a delay of the switching operation of the MEMS at power on or a pulse ⁇ extension in the circuit of the semiconductor switching element be useful when switching off.
  • a plurality of MEMS may also be expedient for a plurality of MEMS to be connected in parallel to an array and in series, and for the array in turn to be connected in parallel to the semiconductor switching element.
  • a larger-sized semiconductor switching element could be provided so that it is pa rallel ⁇ connected to a plurality of MEMS, which are arranged in egg ⁇ nem array and are again switched in parallel and in series.
  • a switching cell can therefore also be designed so that by a
  • Semiconductor switch a plurality of MEMS, both in series connection or in parallel or combinations thereof, with respect to the described switching on and off are supported.
  • a part of the invention is a switching unit which comprises a plurality of switch cells, again using the switching ⁇ cells may be connected in series and in series.
  • the arrangement in series and series connection means that a total of a higher current or a higher voltage in the respective switching operation can be applied in total.
  • a large number of corresponding ⁇ the switching cells connected in parallel in order to control the required currents which can be up to 500 A,.
  • a series connection of a plurality of described parallel arrays of switching cells is necessary for technical control of the mains voltage.
  • a further component of the invention is a method for operating a switching cell, wherein a Halbleiterschaltele ⁇ ment and a MEMS are connected in parallel and an elekt ⁇ ronic drive circuit is provided, wherein the half ⁇ conductor switching element is turned off in time after the MEMS by the drive circuit during a turn-off ,
  • the semiconductor switching element currency ⁇ rend of switching off can be switched on during power switching preferred.
  • the semiconductor switching element currency ⁇ rend of switching off
  • the MEMS can carry greater currents and voltages over a longer period of time without extremely heating up
  • the advantages of the semiconductor switching element which can absorb higher voltages and currents for a short time without being destroyed, can be combined with each other and thereby the Life of the entire switching cell, so the combination of the MEMS and the
  • Figure 1 a greatly enlarged cross-sectional view
  • Figure 2 is an equivalent circuit diagram of a switching cell with semiconducting ⁇ terschaltelement and MEMS,
  • Figure 3 a switching cell with a plurality in series
  • FIG. 4 a switching unit with several parallel and in
  • FIG. 1 shows a microelectromechanical switching element, MEMS, 8, which is arranged on a substrate 17, wherein the substrate 17 is generally in the form of a
  • the MEMS 8 further comprises a switching tongue 18, which is worked out of the substrate 17 by methods of semiconductor electronics and microsystem technology.
  • a switching tongue 18 which is worked out of the substrate 17 by methods of semiconductor electronics and microsystem technology.
  • On the substrate 17 is a
  • Gate electrode 19 is provided, which can be electronically controlled accordingly, which is opposite to a counter electrode 19 'is arranged on the switching tab 18, wherein by applying a voltage to the gate electrode 19, a movement of Switching tab 18 is caused to the substrate 17 and the two switching contacts 20 are brought together, whereby an electrical contact on the contacts 20 occurs. The actual current flow in the MEMS is then conducted via the contacts 20.
  • FIG. 1 now describes a switching cell 2 which comprises a MEMS 8, as illustrated by way of example in FIG. 1, and which comprises a semiconductor switching element 6, wherein the semiconductor switching element 6 and the MEMS 8 are connected in parallel. Furthermore, the switching cell 2 comprises an elekt ⁇ ronic drive circuit 10, which is in this example in contact with a gate electrode 11 of the semiconductor switching element 6. Furthermore, the drive circuit 10 is in communication with the gate electrode 19 of the MEMS 8.
  • the drive circuit 10 is embodied such that when the switch cell 2 is switched off (see reference numeral 12 in FIG. 5), the switching off of the semiconductor switching element 6 always takes place only after the MEMS 8 has been switched off. From the ⁇ switching operation 12 as well as the switch-on of 13
  • Switching cell 2 are illustrated in a current-time diagram in FIG.
  • the left y-axis has the current profile that takes place in the MEMS and is denoted there on the axis with I MEMS .
  • the right y-axis Stromver ⁇ run is shown, which flows through the semiconductor device 6 and is characterized by I trans.
  • the x-axis shows the time ⁇ union history.
  • the curve 21 in the graph according to FIG. 5 thus relates to the left y-axis I MEMS 1, the group 22 relates to the right y-axis I trans - In FIG. 5, as already described, both the switch-on process 13 as well as the turn-off 12 of the switching element 2 beschrie ⁇ ben.
  • the start 13 here has a power-14 of the semiconductor component 6 and a gear 15 of the MEMS Einschaltvor ⁇ 8, wherein the starting operation is illustrated by dashed lines 15 in this case.
  • the switch-off Operation 7 of the semiconductor switching element 6 and the off ⁇ switching operation 9 of the MEMS 8 shown.
  • the drive circuit 10 is designed so that during the turn-off operation 12 before switching off the MEMS, the semiconductor switching element 6 is turned on ⁇ and the current flow takes place via this semiconductor ⁇ switching element 6.
  • the MEMS is turned off, wherein this switching off takes place for the MEMS substantially without current, so that thereby a flashover or a sparking or total plasma formation between the contacts 20 is avoided.
  • the contacts 20 can be separated from each other cleanly and without mate ⁇ rialabtrag.
  • the drive circuit also switches off the semiconductor switching element 6, which is represented by the turn-off 7 in the curve 22 of Figure 5.
  • the drive circuit may comprise a delay element deferrers ⁇ which is connected to the gate electrode 11 of the semiconductor switching element 6 and its switching off is delayed. The delay takes place in the microsecond range, preferably the delay is in a period of less than 50 ys, preferably less than 10 ys.
  • the same advantageous method is also applicable to the turn-on 13, here is controlled by the drive circuit, the semiconductor switching element so that it is already energized before the switching of the MEMS 8 and the turn-15 for the MEMS 8 as well as the switch-off ⁇ process. 9 largely de-energized.
  • the switching curve 22, which illustrates the current flow I trans of the semiconductor switching element 2 in Figure 5, can between the switch-on
  • the semiconductor switching element can be switched off during the current-carrying phase 23 of the MEMS 8. the, so that this component is preserved, but it can remain fundamentally ⁇ additionally also turned on as the dashed Li ⁇ never illustrated in Figure 22, since the greatest current carrying burden due to the lower internal resistance during the time period 23 flows over the MEMS 8 and so the Semiconductor switching element 6 is hardly loaded.
  • the circuit described in Figure 5 or current conduction of the two parallel-connected components 6 and 8 is therefore expedient, since on the one hand, the MEMS 8 and the semiconductor ⁇ switching element 6 design-related advantages and disadvantages, which compensate themselves by the described circuit.
  • the semiconductor switching element is geeig ⁇ net, for a short time, so in the microsecond range to handle higher currents or to switch as the mechanically acting
  • the semiconductor switching element 6 al ⁇ has the disadvantage that it comes in continuous operation to a strong tem- perature development, which makes a complex cooling required. This is where the advantage of the MEMS 8 comes into play, which comparatively high currents without major thermi ⁇ specific development can lead, since it has a lower internal resistance than the semiconductor switching element. 6 This in turn means that during continuous operation, ie during the current-carrying phase of the MEMS 23, this can be operated with a low heat development and thus a high energy efficiency. It should be noted that the area 23 in practice compared to the areas 13 and 12 is many times longer than that shown in Figure 5 for the sake of clarity half.
  • FIG. 3 shows a switching cell 2 which has a certain change with respect to the switching cell 2 according to FIG.
  • a semiconductor switching element 6 is likewise provided, which, however, is arranged parallel to a multiplicity of MEMS 8.
  • a plurality of MEMS 8 form an array 16, which consists of a series connection and series connection of MEMS 8 consists.
  • the number of MEMS 8 used in the array 16 is very large depending on the design, several hundred thousand MEMS 8 can be arranged on the substrate 17.
  • a drive circuit 10 is also provided in the switching cell 2 according to FIG. 3, which activates both the semiconductor switching element 6 and the individual MEMS 8 of the array 16.
  • the Halbleiterschaltele- ment on the one hand and the control electronics 10 on the other hand, both on the same substrate 17 can be integrated or ange ⁇ arranged.
  • the semiconductor switching ⁇ element and / or the circuit 10 are arranged as a separate chip on the common substrate.
  • This in turn is a corresponding chip, for example a silicon chip or a gallium arsenide chip.
  • a variant can be chosen, in which the semiconducting ⁇ terschaltelement is disposed generally remote from the MEMS 8 on a separate chip.
  • a switching unit is shown, which in turn is designed in the form of an array 24 of different switching cells 2 connected in parallel and in series.
  • These individual switching cells 2 in the array 24 of the switching unit 4 can be controlled by one or more drive circuits 10, which is as described, either mounted on the same substrate or externally.
  • the difference between FIGS. 4 and 3 is that the array 24 in FIG. 4 is just single
  • Switching cell 2 contains, which in turn may be configured in the form of switching cells 2 according to Figure 3 or Figure 2. Such an arrangement is referred to as a switching unit. Such a switching unit 4 may in turn be used as a switch in an inverter or in a switchgear for low voltage and medium voltage networks ⁇ .

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Schaltzelle umfassend ein Halbleiterschaltelement (6), ein mikroelektromechanisches Schaltelement (8) (MEMS), eine elektronische Ansteuerschaltung (10), wobei das Halbleiterschaltelement (6) und das mikroelektromechanisches Schaltelement (8) parallel geschaltet sind und wobei die Ansteuerschaltung (10) in der Art ausgestaltet ist, dass für einen Abschaltvorgang (12) der Schaltzelle (2) das Ausschalten des Halbleiterschaltelementes (6) nach dem Ausschalten (9) des mikroelektromechanischen Schaltelements (8) erfolgt.

Description

Beschreibung
Schaltzelle mit Halbleiterschaltelement und mikroelektrome- chanischem Schaltelement
Die Erfindung betrifft eine Schaltzelle mit einem Halbleiter¬ schaltelement und einem mikroelektromechanischen Schaltelement nach Anspruch 1 sowie eine Schalteinheit nach Anspruch 7, einen Inverter nach Anspruch 9, ein Schaltgerät nach An- spruch 10 und ein Verfahren zum Betreiben einer Schalteinheit nach Anspruch 1.
Mikroelektromechanische Systeme bzw. hier konkreter mikro- elektromechanische Schaltelemente, die im Weiteren als MEMS bezeichnet werden, stellen einen möglichen Ersatz für herkömmliche Leistungsschalter in der elektrischen Energieverteilung, speziell im Niederspannungsbereich dar. Da ein einzelnes Schaltelement nach der MEMS-Bauweise mikroskopische Abmessungen, typischerweise im Bereich von einigen 10 ym auf- weist, ist die Spannungsfestigkeit auf einen typischen Be¬ reich zwischen 50 - 100 V beschränkt. Für die Stromtragfähigkeit dieser MEMS gilt ebenfalls ein beschränkter Einsatzbe¬ reich von typischerweise weniger als 100mA. Dies erfordert, dass in der Praxis zur Schaltung von höheren Strömen bei dem Einsatz als Leistungsschalter eine Vielzahl dieser MEMS in einer Schaltung elektrisch parallel angeordnet sein muss. Da in der Niederspannungsschalttechnik zudem höhere Spannungen im Bereich von 700 V bis 1000 V beherrscht werden müssen, muss auch eine entsprechende Anzahl an MEMS elektrisch in Se- rie angeordnet sein. Aufgrund von Fertigungstoleranzen und
Schwankungen im Schaltprozess , beispielsweise unterschiedli¬ che Kontaktübergangswiderständen oder unterschiedliche
Schaltzeiten wegen Kontaktklebens, herrscht zwischen den Schaltern eine unterschiedliche Spannungs- und Stromauftei- lung vor. Dies wiederum führt dazu, dass manche Elemente überlastet werden können, was sich beispielsweise im Verkle¬ ben von Schaltkontakten oder im Verschmelzen bei Entstehen eines Lichtbogens äußert. Dies würde zu einer deutlichen Ver- ringerung der zu erwartenden Lebensdauer der MEMS bzw. der Vielzahl von MEMS führen.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Schaltzelle be- reitzustellen, die grundsätzlich für den Einsatz in einem Leistungsschalter geeignet ist und die sich gegenüber dem Stand der Technik darin auszeichnet, dass die einzelnen darin enthaltenen MEMS-Bauteile eine höhere Lebensdauer aufweisen. Die Lösung der Aufgabe besteht in einer Schaltzelle mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1, in einer Schalteinheit mit den Merkmalen des Patentanspruchs 7, in einem Inverter und einem Schaltgerät mit den Merkmalen des Anspruchs 9 bzw. 10 sowie in einem Verfahren zum Betreiben einer Schaltzelle mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1.
Die Schaltzelle nach Patentanspruch 1 umfasst ein Halbleiterschaltelement, ein mikroelektromechanisches Schaltelement (MEMS) und eine elektronische Ansteuerschaltung. Das Halblei- terschaltelement und das MEMS sind dabei parallel geschaltet und die Ansteuerschaltung ist derart ausgestaltet, dass für einen Abschaltvorgang der Schaltzelle das Ausschalten des Halbleiterschaltelements nach dem Ausschalten des MEMS er¬ folgt .
Unter dem Begriff MEMS ist hierbei ein Schaltelement verstan¬ den, das mit den Mitteln der Mikrosystemtechnik hergestellt wird. Dabei wird unter dem Begriff Mikrosystemtechnik ganz allgemein die Technik verstanden, die in der Lage ist, mikro- skopisch kleine mechanisch wirkende Komponenten herzustellen, beispielsweise Schalter oder Zahnräder, die dabei eine Bewe¬ gung vollziehen können. Hierbei wird in der Regel auf Techno¬ logien zurückgegriffen, die aus der Halbleiterelektronik bekannt sind, wobei auch mikroelektromechanische Schalter auf Substraten, in der Regel Silizium oder Galliumarsenid gefertigt werden können. Die Länge eines MEMS beträgt hierbei we¬ niger als 1mm, bevorzugt weniger als 100 ym. Hierbei ist als größtes konstruktives Element eines MEMS die Schaltzunge ei¬ nes Schaltelementes nach der MEMS-Bauweise verstanden.
Der Vorteil der beschriebenen Anordnung der Schaltzelle be- steht darin, dass das Halbleiterschaltelementnur sehr kurzzeitig, d.h. für wenige Mikrosekunden, insbesondere weniger als 50 ys, den Strom tragen muss, um so die elektromechani- schen Kontakte des MEMS, insbesondere beim Ausschaltvorgang zu entlasten. Dabei ist der Ausschaltvorgang des MEMS beson- ders kritisch, da beim Ausschaltvorgang Schaltplasmen wie Funken oder Lichtbögen entstehen können. Grundsätzlich ist die Umgehung der Schaltung der MEMS durch ein Halbleiterbauelement aber auch beim Einschaltvorgang sehr zweckmäßig, da beim Einschaltvorgang bei zu hohen anliegenden Strömen an dem MEMS Verschweißungen auftreten können.
Halbleiterschaltelemente sind typischerweise Transistoren, z.B. als Feldeffekttransistoren, insbesondere als besonders niederohmige, verlustarme MOSFETS (CoolFETs) ausgebildet. An- dere Ausgestaltungsformen sind IGBTs und Thyristorstrukturen, jeweils in antiparalleler Ausführung um bipolaren Stromfluss insbesondere bei Wechselspannungsanwendungen zuzulassen.
Halbleiterschaltelemente können für solche kurze Zeit deut- lieh höher belastet werden als dies im Dauerbetrieb möglich ist. Da sie, bedingt durch eine dadurch mögliche geringere Dimensionierung, einen geringeren Platzbedarf aufweisen, können sie somit auch, wenn dies anderweitig zweckmäßig ist, di¬ rekt auf dem Siliziumchip integriert sein, auf dem auch die MEMS-Struktur dargestellt ist. Hierdurch werden Bauteilstreu¬ ungen vermieden und parasitäre Elemente, insbesondere
Leitungsinduktivitäten minimiert, ferner wird der Schaltvorgang an sich optimiert. Ein solches Hybridbauteil hat einen erheblichen Vorteil gegenüber der reinen ausschließlich durch MEMS betriebenen Schaltung. Durch die beschriebene Schaltung entfallen statistische Schwankungen der Schaltzeiten beim Ein- und Ausschalten, da während dieser kritischen, aber zeitlich sehr kurzen Phase die Halbleiterschalter den Strom- fluss übernehmen und somit die MEMS-Schaltkontakte ström- und spannungslos schalten. Dadurch entfallen insbesondere tran- siente Ungleichverteilungen von Strom und Spannungen, die ansonsten aufgrund unterschiedlicher Kontaktwiderstände und Spannungsabfälle auftreten. Insbesondere wird damit die Bil¬ dung von Schaltplasmen beim Ein- und Ausschalten unterdrückt, wodurch eine sehr viel höhere Lebensdauer für die Kontakte der MEMS erzielt werden kann. Grundsätzlich kann davon ausgegangen werden, dass die beschriebene Anordnung einen Weg er- öffnet, der den großtechnischen Einsatz von MEMS in Leistungsschaltern in einer praktischen Anwendung erlaubt.
In einer Ausgestaltungsform der Erfindung ist die Ansteuerschaltung so ausgestaltet, dass sie ein Verzögerungsglied und/oder ein Impulsverlängerungsglied umfasst. Je nachdem wie die Schaltung der Ansteuerungsschaltung und deren Verbindung mit Gateelektroden des Halbleiterschaltelementes und des MEMS erfolgt, kann zur Erzielung der gewünschten Effekte des stromlosen Schaltens des MEMS entweder eine Verzögerung des Schaltvorganges des MEMS beim Einschalten bzw. eine Impuls¬ verlängerung bei der Schaltung des Halbleiterschaltelementes beim Ausschalten zweckmäßig sein.
Grundsätzlich kann, wie bereits erwähnt, in einer zweckmäßi- gen Ausgestaltungsform das Halbleiterschaltelement auf dem¬ selben Substrat, insbesondere auf einem Siliziumchip angeord¬ net sein, auf dem auch das MEMS dargestellt ist. Hierdurch kann eine hohe Integrationsdichte erzielt werden, wobei es jedoch grundsätzlich möglich ist, das Halbleiterschaltelement auf einem separaten Chip darzustellen, der auf demselben Substrat montiert ist, wie das MEMS. Grundsätzlich kann der Halbleiterschalter jedoch auch als separate Komponente parallel geschaltet werden. Besonders vorteilhaft ist dabei die Integration der Halbleiterschaltelemente und gegebenenfalls der Gatetreiber sowohl für die MEMS-Elemente als auch für die Halbleiterschaltelemente auf dem Siliziumchip des MEMS, da bekanntermaßen das Packaging von Mikroelektronik ein wesentlicher Kosten- und Raumfaktor ist und auf die beschriebene Weise erheblich verringert werden kann. Dies ist in vergleichbarem Maße auch möglich, wenn MEMS-Chips und Treiberchips sowie Halbleiterchips auf einem gemeinsamen Substrat aufgebracht sind.
Hierbei kann es auch zweckmäßig sein, dass mehrere MEMS zu einem Array parallel und in Serie geschaltet sind und dass das Array wiederum parallel zu dem Halbleiterschaltelement geschaltet ist. Hierbei könnte ein größer dimensioniertes Halbleiterschaltelement so ausgestattet werden, dass es pa¬ rallel zu einer Vielzahl von MEMS geschaltet ist, die in ei¬ nem Array angeordnet sind und dabei wieder parallel und in Serie geschaltet sind. Bei einer solchen Anordnung wird wei¬ terhin von einer Schaltzelle gesprochen. Eine Schaltzelle kann demnach auch so ausgestaltet sein, dass durch einen
Halbleiterschalter mehrere MEMS, sowohl in Serienschaltung als auch in Parallelschaltung oder Kombinationen davon, bzgl. des beschriebenen Ein - und Ausschaltvorganges unterstützt werden .
Ferner ist ein Bestandteil der Erfindung eine Schalteinheit, die mehrere Schaltzellen umfasst, wobei wiederum die Schalt¬ zellen in Serie und in der Reihe geschaltet sein können. Die Anordnung in Serien- und Reihenschaltung führt dazu, dass insgesamt ein höherer Strom bzw. eine höhere Spannung bei dem jeweiligen Schaltvorgang insgesamt anliegen kann. Für die in Niederspannungsnetzen auftretenden Spannungen und Ströme ist es daher zweckmäßig, dass eine große Anzahl von entsprechen¬ den Schaltzellen parallel geschaltet wird, um die notwendigen Ströme, die bis zu 500 A betragen können, zu beherrschen. Zusätzlich ist zur technischen Beherrschung der Netzspannung eine Reihenschaltung von mehreren beschriebenen parallelen Anordnungen von Schaltzellen notwendig. Somit sind für eine Schalteinheit, die wiederum in einem Schaltgerät bzw. aber auch in einem Inverter gebaut sein kann, bis zu 500.000, gegebenenfalls bis zu einer Million Einzelelemente notwendig. Die jeweilige Anzahl hängt von der Art der Anwendung, von den Anforderungen, insbesondere der zu beherrschenden oder zu schaltenden Stromstärke und der anliegenden Spannung ab.
Weiterhin ist ein Bestandteil der Erfindung, sowohl ein Um- richter (Inverter) als auch ein Schaltgerät für Niederspan- nungs- oder Mittelspannungsnetze, die jeweils mindestens eine Schalteinheit nach einem der Ansprüche 7 oder 8 umfassen.
Ein weiterer Bestandteil der Erfindung ist ein Verfahren zum Betreiben einer Schaltzelle, wobei ein Halbleiterschaltele¬ ment und eine MEMS parallel geschaltet werden und eine elekt¬ ronische Ansteuerschaltung vorgesehen ist, wobei durch die Ansteuerschaltung während eines Ausschaltvorgangs das Halb¬ leiterschaltelement zeitlich nach dem MEMS ausgeschaltet wird.
Eine weitere vorteilhafte Ausgestaltungsform dieses Verfah¬ rens besteht darin, dass während des Einschaltvorgangs der Schaltzelle das Halbleiterschaltelement bereits vor dem MEMS eingeschaltet wird. In beiden Fällen ergibt sich wieder der
Vorteil, der bereits bzgl. der entsprechenden Vorrichtung beschrieben wird, nämlich dass das Halbleiterschaltelement wäh¬ rend des Ausschaltens, aber auch bevorzugt während des Ein- schaltens zugeschaltet werden kann. Somit können während des eigentlichen Schaltvorgangs Strom- und Spannungsspitzen durch das für kurze Zeit robustere Halbleiterschaltelement abgefan¬ gen werden und das MEMS während dieses Vorgangs, also während des Einschaltens und während des Ausschaltens praktisch stromlos geschaltet wird. Somit können die Vorteile des MEMS, das über längere Zeit größere Ströme und Spannungen führen kann, ohne dabei extrem aufzuheizen, und die Vorteile des Halbleiterschaltelementes, das kurzzeitig höhere Spannungen und Ströme aufnehmen kann, ohne dabei zerstört zu werden, miteinander vereint werden und dadurch die Lebensdauer der gesamten Schaltzelle, also der Kombination des MEMS und des
Halbleiterschaltelementes, vergrößert werden. Dies ermöglicht auch Anwendungen der Schaltzellen in Invertern und in Schaltgeräten für Niederspannungsnetzen. Weitere Ausgestaltungsformen und weitere Merkmale werden anhand der folgenden Zeichnungen näher erläutert. Dabei handelt es sich um rein exemplarische Darstellungen, die keine Be- grenzung des Schutzbereichs darstellen. Gleiche Merkmale, mit den gleichen Bezeichnungen und den unterschiedlichen Ausgestaltungsformen werden dabei mit denselben Bezugszeichen versehen . Dabei zeigen:
Figur 1: eine stark vergrößerte Querschnittsdarstellung
durch einen mikroelektromechanischen Schalter, Figur 2: ein Ersatzschaltbild einer Schaltzelle mit Halblei¬ terschaltelement und MEMS,
Figur 3: eine Schaltzelle mit einer Vielzahl in Reihe und
Serie geschalteter MEMS und einem Halbleiterschalt- element,
Figur 4: eine Schalteinheit mit mehreren parallel und in
Reihe geschalteten Schaltzellen und Figur 5: eine Darstellung des Stromverlaufs bezogen auf die
Zeit, beim Ein- und Ausschalten einer Schaltzelle.
In Figur 1 ist ein mikroelektromechanisches Schaltelement, MEMS, 8 dargestellt, das auf einem Substrat 17 angeordnet ist, wobei das Substrat 17 in der Regel in Form eines
Siliziumchips ausgestaltet ist. Das MEMS 8 umfasst des Weite¬ ren eine Schaltzunge 18, die durch Verfahren der Halbleiterelektronik und der Mikrosystemtechnik aus dem Substrat 17 herausgearbeitet ist. Auf dem Substrat 17 ist eine
Gateelektrode 19 vorgesehen, die entsprechend elektronisch angesteuert werden kann, der gegenüber eine Gegenelektrode 19' an der Schaltzunge 18 angeordnet ist, wobei durch Anlegen einer Spannung an der Gateelektrode 19 eine Bewegung der Schaltzunge 18 zum Substrat 17 hin hervorgerufen wird und die zwei Schaltkontakte 20 zusammengeführt werden, wodurch ein elektrischer Kontakt an den Kontakten 20 auftritt. Über die Kontakte 20 wird dann der eigentliche Stromfluss in dem MEMS geführt.
Aufbauend auf dieser allgemeinen Beschreibung eines MEMS bzgl . Figur 1 wird nun eine Schaltzelle 2 beschrieben, die ein MEMS 8 umfasst, wie es beispielhaft in Figur 1 darge- stellt ist, und die ein Halbleiterschaltelement 6 umfasst, wobei das Halbleiterschaltelement 6 und das MEMS 8 parallel geschaltet sind. Ferner umfasst die Schaltzelle 2 eine elekt¬ ronische Ansteuerschaltung 10, die in diesem Beispiel in Kontakt mit einer Gateelektrode 11 des Halbleiterschaltelementes 6 steht. Ferner steht die Ansteuerschaltung 10 in Verbindung mit der Gateelektrode 19 des MEMS 8.
Dabei ist die Ansteuerschaltung 10 so ausgestaltet, dass bei einem Ausschaltvorgang der Schaltzelle 2 (vgl. Bezugszeichen 12 in Figur 5) das Ausschalten des Halbleiterschaltelements 6 stets erst nach dem Ausschalten des MEMS 8 erfolgt. Der Aus¬ schaltvorgang 12 sowie auch der Einschaltvorgang 13 der
Schaltzelle 2 sind in einem Strom-Zeit-Diagramm in Figur 5 veranschaulicht. Dabei weist die linke y-Achse den Stromver- lauf auf, der im MEMS stattfindet und ist dort an der Achse mit IMEMS bezeichnet. An der rechten y-Achse ist der Stromver¬ lauf dargestellt, der durch das Halbleiterbauelement 6 fließt und ist mit I trans gekennzeichnet. Die x-Achse zeigt den zeit¬ lichen Verlauf. Die Kurve 21 in der Grafik nach Figur 5 be- zieht sich somit auf die linke y-Achse IMEMS^ die Gruppe 22 bezieht sich auf die rechte y-Achse I trans - In Figur 5 ist, wie bereits beschrieben, sowohl der Einschaltvorgang 13 als auch der Ausschaltvorgang 12 des Schaltelementes 2 beschrie¬ ben. Der Einschaltvorgang 13 weist dabei einen Einschaltvor- gang 14 des Halbleiterbauelementes 6 und einen Einschaltvor¬ gang 15 des MEMS 8 auf, wobei der Einschaltvorgang 15 hierbei gestrichelt dargestellt ist. Analog ist hierzu der Ausschalt- Vorgang 7 des Halbleiterschaltelementes 6 sowie der Aus¬ schaltvorgang 9 des MEMS 8 dargestellt.
Es hat sich herausgestellt, dass es besonders vorteilhaft ist, wenn der Ausschaltvorgang 12 für das MEMS 8 stromlos erfolgt, da hierbei das Risiko des Auftretens von Lichtbögen besonders hoch ist und damit die Gefahr einer Beschädigung des MEMS besonders hoch ist. Daher ist die Ansteuerschaltung 10 so ausgelegt, dass während des Ausschaltvorgangs 12 vor dem Ausschalten des MEMS das Halbleiterschaltelement 6 einge¬ schaltet wird und der Stromfluss über dieses Halbleiter¬ schaltelement 6 erfolgt. Während des Stromflusses über das Halbleiterschaltelement 6 wird das MEMS abgeschaltet, wobei dieses Abschalten dabei für das MEMS im Wesentlichen stromlos erfolgt, sodass dabei ein Überschlag oder eine Funkenbildung bzw. insgesamt eine Plasmabildung zwischen den Kontakten 20 vermieden wird. Die Kontakte 20 können sauber und ohne Mate¬ rialabtrag voneinander getrennt werden. Erst wenn dieser Trennvorgang der Schalter 20 vonstattengegangen ist, schaltet die Ansteuerschaltung auch das Halbleiterschaltelement 6 ab, was durch den Ausschaltvorgang 7 in der Kurve 22 nach Figur 5 dargestellt ist. Dabei kann die Ansteuerschaltung ein Verzö¬ gerungselement enthalten, das mit der Gateelektrode 11 des Halbleiterschaltelementes 6 verbunden ist und dessen Aus- schalten verzögert. Die Verzögerung spielt sich dabei im Mik- rosekundenbereich ab, bevorzugt liegt die Verzögerung in einer Zeitspanne von weniger als 50 ys, bevorzugt weniger als 10 ys . Das gleiche vorteilhafte Verfahren ist ebenso auf den Einschaltvorgang 13 anwendbar, hier wird durch die Ansteuer- Schaltung das Halbleiterschaltelement so angesteuert, dass es bereits vor dem Schalten des MEMS 8 stromführend ist und der Einschaltvorgang 15 für das MEMS 8 ebenso wie der Ausschalt¬ vorgang 9 weitgehend stromlos erfolgt. Die Schaltkurve 22, die den Stromfluss I trans des Halbleiterschaltelementes 2 in Figur 5 veranschaulicht, kann zwischen dem Einschaltvorgang
13 und dem Ausschaltvorgang 12 zwei unterschiedliche Verläufe annehmen, grundsätzlich kann das Halbleiterschaltelement während der stromführenden Phase 23 des MEMS 8 abgeschaltet wer- den, sodass dieses Bauteil geschont wird, es kann aber grund¬ sätzlich auch eingeschaltet bleiben, wie die gestrichelte Li¬ nie in Figur 22 veranschaulicht, da die größte stromführende Belastung aufgrund des geringeren Innenwiderstandes während des Zeitabschnittes 23 über das MEMS 8 fließt und so das Halbleiterschaltelement 6 kaum belastet wird.
Die in Figur 5 beschriebene Schaltung bzw. Stromführung der beiden parallel geschalteten Bauelemente 6 und 8 ist deshalb zweckmäßig, da einerseits das MEMS 8 und das Halbleiter¬ schaltelement 6 bauartbedingte Vor- und Nachteile aufweisen, die sich durch die beschriebene Schaltung kompensieren. Auf der einen Seite ist das Halbleiterschaltelement dazu geeig¬ net, kurzzeitig, also im Mikrosekundenbereich höhere Ströme zu verkraften bzw. zu schalten als die mechanisch wirkende
MEMS-Struktur . Daher erfolgt der Ausschaltvorgang, aber auch bevorzugt der Einschaltvorgang durch das beschriebene Halb¬ leiterschaltelement 6. Das Halbleiterschaltelement 6 hat al¬ lerdings den Nachteil, dass es im Dauerbetrieb zu einer star- ken Temperaturentwicklung kommt, was eine aufwändige Kühlung erforderlich macht. Hier kommt nun der Vorteil des MEMS 8 zum Tragen, das vergleichsweise hohe Ströme ohne größere thermi¬ sche Entwicklung führen kann, da es einen niedrigeren Innenwiderstand als das Halbleiterschaltelement 6 aufweist. Dies führt wiederum dazu, dass während des Dauerbetriebs, also während der stromführenden Phase des MEMS 23 dieses mit einer geringen Wärmeentwicklung und damit einer hohen Energieeffizienz betrieben werden kann. Dabei ist anzumerken, dass der Bereich 23 in der Praxis gegenüber den Bereichen 13 und 12 um ein Vielfaches länger ist, als dies in der Figur 5 der Anschaulichkeit halber dargestellt ist.
In Figur 3 ist eine Schaltzelle 2 dargestellt, die gegenüber der Schaltzelle 2 nach Figur 2 eine gewisse Veränderung auf- weist. Hierbei ist ebenfalls ein Halbleiterschaltelement 6 vorgesehen, das jedoch parallel zu einer Vielzahl von MEMS 8 angeordnet ist. Hierbei bilden mehrere MEMS 8 ein Array 16, das aus einer Reihenschaltung und Serienschaltung von MEMS 8 besteht. In der Praxis ist die Anzahl der verwendeten MEMS 8 in dem Array 16 je nach Bauart sehr groß, es können mehrere hunderttausend MEMS 8 auf dem Substrat 17 angeordnet sein. Analog dazu ist auch in der Schaltzelle 2 gemäß Figur 3 eine Ansteuerschaltung 10 vorgesehen, die sowohl das Halbleiterschaltelement 6 als auch die einzelnen MEMS 8 des Arrays 16 ansteuert .
Dabei ist darauf hinzuweisen, dass das Halbleiterschaltele- ment einerseits als auch die Ansteuerelektronik 10 andererseits sowohl auf demselben Substrat 17 integriert bzw. ange¬ ordnet sein können. Es ist aber auch möglich, und bei einigen Ausgestaltungsformen zweckmäßig, dass das Halbleiterschalt¬ element und/oder die Schaltung 10, als separater Chip auf dem gemeinsamen Substrat angeordnet sind. Das ist wiederum ein entsprechender Chip, beispielsweise ein Siliziumchip oder ein Galliumarsenidchip . Je nach Leistungsklasse oder Anwendung kann auch eine Variante gewählt werden, bei der das Halblei¬ terschaltelement grundsätzlich entfernt von dem MEMS 8 auf einem separaten Chip angeordnet ist.
In einer weiteren Ausgestaltungsform gemäß Figur 4 ist eine Schalteinheit gezeigt, die wiederum in Form eines Arrays 24 von verschiedenen, parallel und in Serie geschalteten Schalt- zellen 2 ausgestaltet ist. Auch diese einzelnen Schaltzellen 2 im Array 24 der Schalteinheit 4 können durch eine oder durch mehrere Ansteuerschaltungen 10 angesteuert werden, die wie beschrieben, entweder auf demselben Substrat oder extern montiert ist. Der Unterschied zwischen den Figuren 4 und 3 besteht darin, dass das Array 24 in Figur 4 eben einzelne
Schaltzellen 2 enthält, die wiederum in Form von Schaltzellen 2 gemäß Figur 3 oder Figur 2 ausgestaltet sein können. Eine derartige Anordnung wird als Schalteinheit bezeichnet. Eine derartige Schalteinheit 4 kann wiederum als Schalter in einem Inverter bzw. in einem Schaltgerät für Niederspannungs¬ und Mittelspannungsnetze eingesetzt werden.

Claims

Patentansprüche
1. Schaltzelle umfassend ein Halbleiterschaltelement (6), ein mikroelektromechanisches Schaltelement (8) (MEMS) , eine elektronische Ansteuerschaltung (10), wobei das Halbleiterschaltelement (6) und das mikroelektromechanische Schaltele¬ ment (8) parallel geschaltet sind und wobei die Ansteuer¬ schaltung (10) in der Art ausgestaltet ist, dass für einen Abschaltvorgang (12) der Schaltzelle (2) das Ausschalten des Halbleiterschaltelementes (6) nach dem Ausschalten (9) des mikroelektromechanischen Schaltelements (8) erfolgt.
2. Schaltzelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass für einen Einschaltvorgang (13) der Schaltzelle (2) ein Ein- schalten (14) des Halbleiterschaltelements vor dem Einschal¬ ten (13) des mikroelektromechanischen Schaltelements (8) erfolgt .
3. Schaltzelle nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeich- net, dass die Ansteuerschaltung (10) ein Verzögerungsglied und/oder ein Impulsverlängerungsglied umfasst.
4. Schaltzelle nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das mikroelektromechanisches Schaltelement (8) und das Halbleiterschaltelement (6) gemeinsam auf einem Substrat (17) angeordnet sind.
5. Schaltzelle nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das mikroelektromechanische Schaltelement (8) und das Halb- leiterschaltelement (6) gemeinsam auf einem Siliziumchip integriert sind.
6. Schaltzelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da¬ durch gekennzeichnet, dass mehrere mikroelektromechanische Schaltelemente (8) zu einem Array parallel und in Serie ge- schaltet sind und das Array (16) parallel zu dem Halbleiter¬ schaltelement (6) geschaltet ist.
7. Schalteinheit, umfassend mehrere Schaltzellen (2) nach ei- nem der Ansprüche 1 bis 6.
8. Schalteinheit nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass mehrere Schaltzellen (2) in Reihe und parallel geschal¬ tet sind.
9. Inverter, umfassend mindestens eine Schalteinheit (4) nach einem der Ansprüche 7 oder 8.
10. Schaltgerät für Niederspannungs- oder Mittelspannungsnet- ze umfassend mindestens eine Schalteinheit (4) nach einem der
Ansprüche 7 oder 8.
11. Verfahren zum Betreiben einer Schaltzelle, wobei ein Halbleiterschaltelement (6) und ein mikroelektromechanisches Schaltelement (8) (MEMS) parallel geschaltet werden und eine elektronische Ansteuerschaltung (10) vorgesehen ist, wobei durch die Ansteuerschaltung (10) während eines Ausschaltvorgangs (12) das Halbleiterschaltelement (6) nach dem mikro- elektromechanischen Schaltelement (8) ausgeschaltet wird.
12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass während eines Einschaltvorgangs (13) der Schaltzelle (2) das Halbleiterschaltelement (6) vor dem mikroelektromechanischen Schaltelement (8) eingeschaltet wird.
13. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleiterschaltelement (6) zwischen einem Ein¬ schaltvorgang (13) und einem Ausschaltvorgang (12) der
Schaltzelle (2) ausgeschaltet wird.
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ES17743302T ES2898900T3 (es) 2016-08-11 2017-07-18 Celda de conmutación con elemento de conmutación de semiconductor y elemento de conmutación microelectromecánico
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10763066B2 (en) 2016-08-11 2020-09-01 Siemens Aktiengesellschaft Switch cell having a semiconductor switch element and micro-electromechanical switch element
EP3979291A1 (de) 2020-09-30 2022-04-06 Siemens Aktiengesellschaft Elektronikmodul und anlage
EP4002407A1 (de) 2020-11-24 2022-05-25 Siemens Aktiengesellschaft Mikroelektromechanisches schaltelement, vorrichtung und herstellungsverfahren
EP4057317A1 (de) 2021-03-11 2022-09-14 Siemens Aktiengesellschaft Gekapseltes mems-schaltelement, vorrichtung und herstellungsverfahren
EP4075469A1 (de) 2021-04-15 2022-10-19 Siemens Aktiengesellschaft Mikroelektromechanisches schaltelement, vorrichtung und betriebsverfahren

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11482998B2 (en) * 2019-06-12 2022-10-25 Qorvo Us, Inc. Radio frequency switching circuit
DE102019211460A1 (de) * 2019-07-31 2021-02-04 Siemens Aktiengesellschaft Anordnung von MEMS-Schaltern
GB2587810B (en) * 2019-10-02 2022-04-06 Siemens Ag Subsea Connector
DE102020208054A1 (de) * 2020-06-29 2021-12-30 Siemens Aktiengesellschaft Elektronikmodul

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19850397A1 (de) * 1998-11-02 2000-05-11 Abb Research Ltd Elektrische Fehlerstromschutz-Schalteinrichtung
US20070009202A1 (en) * 2005-07-08 2007-01-11 Cammen Chan MEMS switching device protection
EP1930922A2 (de) * 2006-12-06 2008-06-11 General Electric Company Elektromechanischer Parallelschaltkreis mit selektiv umschaltbarem Festkörperschaltkreis zum Tragen eines für einen solchen Schaltkreis geeigneten Laststroms
EP2056315A2 (de) * 2007-11-01 2009-05-06 General Electric Company Umschaltung auf Basis eines mikroelektromechanischen Systems
EP2337043A1 (de) * 2009-12-16 2011-06-22 General Electric Company Schaltstruktur und zugehörige Schaltung
EP2541568A1 (de) * 2011-06-29 2013-01-02 General Electric Company Elektrisches Verteilungssystem mit MEMS-Vorrichtungen

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6831542B2 (en) * 2003-02-26 2004-12-14 International Business Machines Corporation Micro-electromechanical inductive switch
JP4626142B2 (ja) * 2003-11-18 2011-02-02 株式会社日立製作所 装置およびそれを用いたデータ処理方法
US7504841B2 (en) * 2005-05-17 2009-03-17 Analog Devices, Inc. High-impedance attenuator
JP2007149370A (ja) * 2005-11-24 2007-06-14 Fujitsu Media Device Kk スイッチ
US7663456B2 (en) * 2005-12-15 2010-02-16 General Electric Company Micro-electromechanical system (MEMS) switch arrays
EP1995744B1 (de) * 2007-05-25 2014-03-19 Rohde & Schwarz GmbH & Co. KG Miniaturrelais-Schalter
US20090161277A1 (en) * 2007-12-21 2009-06-25 Robert Roesner Method and device for preventing damage to a semiconductor switch circuit during a failure
US8405936B2 (en) * 2008-05-02 2013-03-26 Agilent Technologies, Inc. Power diverter having a MEMS switch and a MEMS protection switch
US7679872B2 (en) * 2008-07-21 2010-03-16 Synopsys, Inc. Electrostatic-discharge protection using a micro-electromechanical-system switch
US8803631B2 (en) * 2010-03-22 2014-08-12 Blackberry Limited Method and apparatus for adapting a variable impedance network
DE112011102203B4 (de) 2010-06-29 2021-09-30 International Business Machines Corporation Elektromechanische Schaltereinheit und Verfahren zum Betätigen derselben
US10033179B2 (en) * 2014-07-02 2018-07-24 Analog Devices Global Unlimited Company Method of and apparatus for protecting a switch, such as a MEMS switch, and to a MEMS switch including such a protection apparatus
DE102016215001A1 (de) 2016-08-11 2018-02-15 Siemens Aktiengesellschaft Schaltzelle mit Halbleiterschaltelement und mikroelektromechanischem Schaltelement

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19850397A1 (de) * 1998-11-02 2000-05-11 Abb Research Ltd Elektrische Fehlerstromschutz-Schalteinrichtung
US20070009202A1 (en) * 2005-07-08 2007-01-11 Cammen Chan MEMS switching device protection
EP1930922A2 (de) * 2006-12-06 2008-06-11 General Electric Company Elektromechanischer Parallelschaltkreis mit selektiv umschaltbarem Festkörperschaltkreis zum Tragen eines für einen solchen Schaltkreis geeigneten Laststroms
EP2056315A2 (de) * 2007-11-01 2009-05-06 General Electric Company Umschaltung auf Basis eines mikroelektromechanischen Systems
EP2337043A1 (de) * 2009-12-16 2011-06-22 General Electric Company Schaltstruktur und zugehörige Schaltung
EP2541568A1 (de) * 2011-06-29 2013-01-02 General Electric Company Elektrisches Verteilungssystem mit MEMS-Vorrichtungen

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10763066B2 (en) 2016-08-11 2020-09-01 Siemens Aktiengesellschaft Switch cell having a semiconductor switch element and micro-electromechanical switch element
EP3979291A1 (de) 2020-09-30 2022-04-06 Siemens Aktiengesellschaft Elektronikmodul und anlage
WO2022069469A1 (de) 2020-09-30 2022-04-07 Siemens Aktiengesellschaft Elektronikmodul und anlage
EP4002407A1 (de) 2020-11-24 2022-05-25 Siemens Aktiengesellschaft Mikroelektromechanisches schaltelement, vorrichtung und herstellungsverfahren
EP4057317A1 (de) 2021-03-11 2022-09-14 Siemens Aktiengesellschaft Gekapseltes mems-schaltelement, vorrichtung und herstellungsverfahren
WO2022189128A1 (de) 2021-03-11 2022-09-15 Siemens Aktiengesellschaft Gekapseltes mems-schaltelement, vorrichtung und herstellungsverfahren
EP4075469A1 (de) 2021-04-15 2022-10-19 Siemens Aktiengesellschaft Mikroelektromechanisches schaltelement, vorrichtung und betriebsverfahren
WO2022218595A1 (de) 2021-04-15 2022-10-20 Siemens Aktiengesellschaft Mikroelektromechanisches schaltelement, vorrichtung und betriebsverfahren

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ES2898900T3 (es) 2022-03-09

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