WO2011083588A1 - 有機el素子及び有機発光デバイス - Google Patents

有機el素子及び有機発光デバイス Download PDF

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WO2011083588A1
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organic
hole
layer
light emitting
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一郎 今田
五郎丸 英貴
敦史 高橋
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三菱化学株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a high-efficiency and long-life organic EL element and an organic light-emitting device having the same.
  • light emission is basically obtained by a combination of a hole transport layer and an electron transport layer. That is, the holes injected from the anode move through the hole transport layer, recombine with the electrons injected from the cathode and moving through the electron transport layer near the interface between the two layers, and the hole transport layer and The principle is that the electron transport layer is excited to emit light, and the light emitting layer is provided between the hole transport layer and the electron transport layer to improve the light emission efficiency. is there.
  • a hole blocking layer is generally provided on the cathode side of the light emitting layer in order to increase its efficiency and lifetime.
  • the efficiency can be improved (Patent Document 1), and the deterioration of the layer on the cathode side of the light-emitting layer due to holes can be prevented, and the lifetime is improved. This is because it is considered.
  • Patent Document 2 In the case of a fluorescent organic EL element, it is sometimes possible to prevent the luminance characteristics and the lifetime from being reduced when the hole blocking layer is not formed (Patent Document 2). In addition, it is considered that there are cases where it is advantageous not to form the hole blocking layer from the viewpoint of voltage. From these facts, when producing an organic EL display device having red, green and blue organic EL elements, in order to effectively achieve a long life, high efficiency, and low voltage, the emission is phosphorescence. It is considered that it is optimal to use a hole-preventing layer and not to use a hole-preventing layer when the emission is fluorescent (Patent Document 3).
  • BCP 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline
  • BAlq aluminum (III) bis (2-methyl-)
  • Hole blocking materials such as 8-quinolinate) -4-phenylphenolate
  • BCP makes it possible to obtain very good efficiency when applied to phosphorescent organic EL elements (Non-Patent Document 1), but with the disadvantage that the lifetime of organic EL elements containing BCP is considerably limited.
  • T.A. Tsutsui et al. (Non-Patent Document 2) point out that the reason for the low stability of BCP is due to poor lifetime, which means that these devices cannot be used in high quality displays. means.
  • Non-patent Document 3 Kwon et al. (Non-Patent Document 4) achieved a lifetime of 10,000 hours at 100 cd / m 2 using tris (phenylpyridine) iridium (III).
  • this device since this device only exhibits an efficiency of only 19 cd / A, BAlq can obtain a good lifetime, but because of the low efficiency obtained, it is not a satisfactory hole blocking material.
  • the hole prevention layer is defined as “in an broad sense, an electron transport layer,... By blocking holes while transporting electrons” (Patent Document 5).
  • Patent Document 5 By using an electron transporting material as the hole blocking layer, holes are accumulated at the interface between the light emitting layer and the hole blocking layer. Thus, it is considered that the accumulation of holes at the layer interface is one of the causes of device deterioration.
  • Patent Document 6 proposes a method of using a material having a hole transport capability as a material of an electron transport layer adjacent to the light emitting layer and mitigating a voltage increase due to accumulation of holes.
  • a sufficient hole relaxation effect cannot be obtained.
  • it is difficult to say that the technology is practically practical because the scope of application of the present invention is limited to only phosphorescent light emitting elements.
  • a new layer capable of vapor deposition that prevents diffusion of excitons can be applied to fluorescent light emitting materials and phosphorescent light emitting materials, and has high efficiency and long life is required.
  • An object of the present invention is to provide a highly efficient and long-life organic EL element and an organic light-emitting device having the same without accumulating holes at the interface between the light-emitting layer and the layer adjacent to the cathode side of the light-emitting layer. To do.
  • the present invention also provides an organic EL device having a light emitting layer between an anode and a cathode, wherein the light emitting layer contains two or more kinds of light emitting materials, and has a layer adjacent to the cathode side of the light emitting layer, It is another object of the present invention to provide a high-efficiency and long-life organic EL element that does not accumulate holes at the interface with the light-emitting layer, and an organic light-emitting device having the same. Furthermore, the present invention provides an organic EL device having a light emitting layer between an anode and a cathode, the light emitting layer comprising two or more layers, and a layer adjacent to the cathode side of the light emitting layer provided on the most cathode side.
  • the present invention provides an organic EL element having a high efficiency and a long lifetime, and having no holes accumulated at the interface with the light emitting layer, and an organic light emitting device having the same.
  • the light emitting layer contains a charge transport material, and the hole of the charge transport material at an electric field strength of 160 kV / cm.
  • the detection amount is 2.5 ⁇ 10 ⁇ 10 to 1 ⁇ 10 ⁇ 8 , and there is a layer adjacent to the cathode side of the light emitting layer, and holes are not accumulated at the interface with the light emitting layer, and high efficiency is achieved.
  • It is another object of the present invention to provide a long-life organic EL element and an organic light-emitting device having the same.
  • the hole relaxation effect of Patent Document 6 is small because the material used is different from the charge transport material used in the light emitting layer, as in the conventional organic EL device. Therefore, the present inventors have found that this is because the light emitting layer and the electron transport layer are joined to each other (heterojunction) between different organic materials, and the barrier against electron injection and hole relaxation is increased.
  • the light emitting layer contains a light emitting material and a charge transport material, and a layer adjacent to the cathode side of the light emitting layer has a hole transporting unit and an electron transporting unit. It is found that the organic EL device obtained can achieve high efficiency and long life by providing a hole relaxation layer containing an organic compound having an organic compound and making the charge transport material and the hole relaxation material the same organic compound. The present invention has been completed.
  • the present invention is an organic EL element having a light emitting layer between an anode and a cathode,
  • the light emitting layer contains a light emitting material and a charge transport material, Having a hole relaxation layer adjacent to the cathode side of the light emitting layer;
  • the hole relaxation layer contains a hole relaxation material,
  • the hole relaxation material is an organic compound having a hole transporting unit and an electron transporting unit, and at least one of the charge transporting material and at least one of the hole relaxation material are the same organic compound.
  • the present invention provides an organic EL element (hereinafter sometimes referred to as “organic EL element A”).
  • the present invention is an organic EL light emitting device having red, green and blue organic EL elements
  • An organic light-emitting device is provided in which at least one of red, green, and blue organic EL elements is an organic EL element A.
  • the present invention relates to an organic EL element A,
  • the charge transport material has a hole detection amount of 2.5 ⁇ 10 ⁇ 10 to 1 ⁇ 10 ⁇ 8 at an electric field strength of 160 kV / cm, and is characterized by an organic EL device (hereinafter referred to as “organic EL device B”).
  • organic EL device B organic EL device having the organic EL element B.
  • the organic EL element (hereinafter sometimes referred to as “organic EL element C”) is characterized in that the light emitting layer contains two or more kinds of light emitting materials. And an organic EL display device having the organic EL element C and an organic EL illumination. Furthermore, the present invention relates to an organic EL element A, An organic EL element (hereinafter sometimes referred to as “organic EL element D”), and an organic having the organic EL element D, wherein the light emitting layer is composed of two or more layers each containing different light emitting materials An EL display device and organic EL lighting are provided.
  • organic EL element of the present invention refers to all of “organic EL element A”, “organic EL element B”, “organic EL element C”, and “organic EL element D”. To do.
  • the “organic light-emitting device” in the present invention refers to both “organic EL display device” and “organic EL lighting”.
  • the organic light-emitting device of the present invention can stably extend the life and suppress an increase in voltage in any of red, green and blue elements. Further, the organic EL element of the present invention hardly increases the voltage and has a long driving life. In the case of the organic EL elements C and D of the present invention, it is possible to make the driving life particularly long when white light is emitted.
  • the example of sectional drawing of the organic electroluminescence display of this invention is shown.
  • the example of sectional drawing of the organic EL element D of this invention is shown.
  • An example of a cross-sectional view of an element for measuring charge mobility in the present invention is shown.
  • the organic EL element A of the present invention is an organic EL element having a light emitting layer between an anode and a cathode, the light emitting layer contains a light emitting material and a charge transport material, and is adjacent to the cathode side of the light emitting layer.
  • the hole relaxation layer of the present invention By using the hole relaxation layer of the present invention, in any of red, green and blue elements, it is possible to stably extend the life and suppress an increase in voltage.
  • the hole prevention layer was laminated
  • the general definition of this hole-preventing layer is “in a broad sense, it is an electron transporting layer,... By blocking holes while transporting electrons” (Patent Document 5).
  • Patent Document 5 it is considered that holes are collected at the interface between the light emitting layer and the hole blocking layer by using an electron transporting material as the hole blocking layer.
  • accumulation of holes at the layer interface is considered to be one of the causes of deterioration.
  • the hole relaxation material of the hole relaxation layer uses an organic compound having a hole transporting unit and an electron transporting unit. It is thought that it will be transported. Thereby, it is thought that deterioration of the light emitting layer material due to accumulation of holes is reduced.
  • at least one kind of the charge transporting material and at least one kind of the hole relaxation material are made of the same organic compound, so that the charge associated with the formation of the heterojunction between the light emitting layer and the hole relaxation layer. It is considered that the generation of the injection barrier is relaxed and holes are more likely to flow.
  • the organic EL device of the present invention is provided with a hole relaxation layer containing an organic compound having a specific structure, and the same organic material as the charge transport material in the light emitting layer and the hole relaxation material in the hole relaxation layer.
  • the hole relaxation layer is a layer formed adjacent to the cathode side of the light emitting layer, and is a layer that functions to relax the accumulation of holes at the interface between the light emitting layer and the hole relaxation layer. It also has a role of efficiently transporting electrons toward the light emitting layer.
  • the ionization potential of the hole relaxation layer is usually 5.5 eV or more, preferably 5.6 eV or more, more preferably 5.7 eV or more, and usually 6.7 eV or less, preferably 6.4 eV or less, more preferably 6.0 eV or less. It is. If the value of the ionization potential is too large or too small, there is a possibility that holes are retained at the interface between the light emitting layer and the hole relaxation layer.
  • the ionization potential (Ip) can be measured by an ionization potential measuring apparatus PCR-101 (manufactured by Optel).
  • the thickness of the hole relaxation layer is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is preferably 0.3 nm or more, more preferably 0.5 nm or more, preferably 100 nm or less, more preferably 50 nm or less. It is. If the film thickness is too thin, defects may occur in the thin film, and if it is too thick, the drive voltage may increase.
  • the hole relaxation layer is preferably formed by vapor deposition.
  • a vacuum vapor deposition method a laser transfer method, a resistance heating method, an electron beam method, PVD (physical vapor deposition), or CVD (chemical vapor deposition) is preferable, and a vacuum vapor deposition method is more preferable.
  • the difference in ionization potential between the hole relaxation layer and the electron transport layer is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired. , Usually less than 0.5 eV, preferably less than 0.3 eV, more preferably less than 0.2 eV. If the difference in ionization potential is too large, holes may accumulate in the hole relaxation layer and cause deterioration.
  • the hole relaxation layer contains a hole relaxation material.
  • the content ratio of the hole relaxation material in the hole relaxation layer is preferably 0.1 to 100% by weight, and more preferably 10 to 100% by weight.
  • an organic compound having a hole transporting unit and an electron transporting unit is used for the hole relaxation layer as a hole relaxation material.
  • the hole transporting unit is a structure (unit) having excellent durability against holes and having hole transporting properties.
  • An electron transporting unit is a structure (unit) having excellent durability against electrons and having electron transport properties.
  • the hole mobility ⁇ H of the hole relaxation material in the present invention is usually 1 ⁇ 10 ⁇ 6 cm ⁇ 2 / V ⁇ s or more, preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 4 cm ⁇ , as measured by the following charge mobility measurement method. 2 / V ⁇ s or more, more preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 3 cm ⁇ 2 / V ⁇ s or more.
  • the electron mobility ⁇ E is usually 1 ⁇ 10 ⁇ 6 cm ⁇ 2 / V ⁇ s or more, preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 5 cm ⁇ 2 / V ⁇ s, more preferably by the following method for measuring the charge mobility. Is 1 ⁇ 10 ⁇ 4 cm ⁇ 2 / V ⁇ s or more.
  • the upper limit is not particularly limited, but it is usually 1 ⁇ 10 ⁇ 1 cm ⁇ 2 / V ⁇ s or less. Within the above range, the charge residence time in the layer is short, and the layer is not easily deteriorated by holes or electrons, which is preferable.
  • the ratio of the electron mobility to the hole mobility ( ⁇ E / ⁇ H ) of the hole relaxation material is usually 100 to 0.1, preferably 50 to 0.5, more preferably 10 to 0.5. Range. If this ratio ( ⁇ E / ⁇ H ) is within the above range, holes and electrons are unlikely to flow from the light emitting layer to other layers, so that deterioration of the elements due to holes and electrons hardly occurs. This is preferable because of its long driving life.
  • a charge mobility measuring element (hereinafter sometimes simply referred to as “measuring element”) shown in FIG. 3 is created, and measurement is performed using this element.
  • the measuring element is created by the following method, for example. First, an indium tin oxide (ITO) transparent conductive film formed on a glass substrate 1 with a thickness of, for example, 150 nm (sputtered film, sheet resistance of 15 ⁇ ) is 2 mm wide by a normal photolithography technique. The anode 2 is formed by patterning in a stripe.
  • ITO indium tin oxide
  • the substrate on which the anode is formed is cleaned in the order of ultrasonic cleaning with acetone, water with pure water, and ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol, dried with nitrogen blow, and finally treated with ultraviolet ozone cleaning.
  • a material to be measured hereinafter referred to as “measuring material”
  • a wet film forming method or a vacuum deposition method for example, a film thickness of 1.5 to 2 ⁇ m is obtained.
  • a sample layer 10 is formed.
  • the measurement material is, for example, about 2 wt% soluble in an organic solvent
  • the film is formed by a wet film formation method, particularly a spin coating method.
  • the organic solvent is not particularly limited as long as it can dissolve the measurement material.
  • chloroform, tetrahydrofuran, toluene, xylene and the like are used because they are easily available and inexpensive.
  • a composition for measurement is prepared as described below, the film is formed under the following spin coating conditions, and then heated to form a film made of the measurement material.
  • the sample layer may be formed by vacuum deposition.
  • a vacuum deposition method after roughly evacuating the apparatus with a scroll pump, the apparatus is evacuated with a turbo molecular pump until the degree of vacuum in the apparatus becomes, for example, 8.0 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa or less.
  • the degree of vacuum is controlled in the range of 0.4 to 0.8 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa and the deposition rate is controlled in the range of 1 to 2 liters / second to form a sample layer on the substrate.
  • the substrate on which the sample layer is formed as described above is carried into a vapor deposition apparatus, and the apparatus is roughly evacuated by a scroll pump.
  • the device is evacuated using a turbo molecular pump until the degree of vacuum in the apparatus becomes, for example, 8.0 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa or less, and gold and aluminum are sequentially laminated by a vacuum deposition method to form a cathode.
  • the degree of vacuum during the deposition of gold is controlled, for example, in the range of 0.8 to 3 ⁇ 10 ⁇ 3 Pa, and the deposition rate is controlled in the range of 0.2 to 0.5 ⁇ / sec. Laminate to.
  • the degree of vacuum during the deposition of aluminum is controlled, for example, within a range of 0.5 to 2.5 ⁇ 10 ⁇ 3 Pa, and the deposition rate is within a range of 0.2 to 5.0 liters / second.
  • a cathode is obtained by laminating on the sample layer.
  • a sealing process is performed by the method described below.
  • a photocurable resin 30Y-437 manufactured by ThreeBond Co., Ltd.
  • a moisture getter sheet Installed by ThreeBond Co., Ltd.
  • the measuring element is bonded so that the surface on which the cathode is deposited faces the desiccant sheet.
  • only the region where the photocurable resin is applied is irradiated with ultraviolet light to cure the resin.
  • a measuring element having an element area of 2 mm ⁇ 2 mm is manufactured.
  • the time of flight measurement method As a method for measuring the charge mobility, the time of flight measurement method (ToF method) is used. An electric field strength E (V / cm) is applied so that the ITO layer side of the measuring element has a high potential. Next, the ITO layer on the measurement element surface is irradiated with light having a wavelength of 355 nm, which is the third harmonic, for a short time using an Nd: YAG nanosecond pulse laser. The transient photocurrent generated at that time is detected, and the inflection point is defined as the flight time t tr (s).
  • the hole relaxation material used in the present invention is an organic compound having a structure in which one or more hole transport units and one or more electron transport units are combined at an arbitrary ratio.
  • the hole transport unit in the present invention is a structure (unit) having excellent durability against holes and having a hole transport property. More specifically, the unit has an ionization potential that facilitates extraction of holes from the light emitting layer and is stable to holes.
  • the ionization potential at which holes are easily extracted from the light emitting layer is usually 5.4 to 6.3 eV, preferably 5.5 to 6.2 eV, and more preferably 5.6 to 6.1 eV.
  • being stable to holes means that the hole transport unit is not easily decomposed even in a radical state. This means that the radical cation is delocalized so that it is stabilized even in the radical state.
  • Examples of the structure of the unit having the above performance include a structure containing a hetero atom having an sp3 orbital, or an aromatic condensed ring having 4n carbon atoms.
  • carbazole ring More specifically, carbazole ring, phthalocyanine ring, naphthalocyanine structure, porphyrin structure, triarylamine structure, triarylphosphine structure, benzofuran ring, dibenzofuran ring, pyrene ring, phenylenediamine structure, pyrrole ring, benzidine structure, aniline structure , Diarylamine structure, imidazolidinone structure, pyrazole ring and the like.
  • a carbazole ring, a benzofuran ring, a dibenzofuran ring, a pyrene ring, or a triarylamine structure is preferable
  • a carbazole ring, a benzofuran ring, a dibenzofuran ring, or a pyrene ring is more preferable
  • the electron transport unit in the present invention is a structure (unit) having excellent durability against electrons and having electron transport characteristics. More specifically, it is a unit in which electrons easily enter the unit, and the entered electrons are easily stabilized.
  • a pyridine ring or the like has a slight electron deficiency due to a nitrogen atom, easily accepts an electron, and the electron entering the ring is delocalized to be stabilized on the pyridine ring.
  • Examples of the structure of the unit having the above performance include a single ring or a condensed ring containing a hetero atom composed of sp2 hybrid orbitals.
  • quinoline ring quinazoline ring, quinoxaline ring, phenanthroline ring, pyridine ring, pyrimidine ring, pyridazine ring, pyrazine ring, triazine ring, thiadiazole ring, benzothiadiazole ring, quinolinol metal complex, phenanthroline metal complex, hexaazane
  • Examples include a triphenylene structure and a tetrasiabenzoquinoline structure.
  • quinoline ring, quinazoline ring, quinoxaline ring, phenanthroline ring, pyridine ring, pyrimidine ring, pyridazine ring, pyrazine ring, or triazine ring are preferable, and quinoline ring and quinazoline ring are particularly preferable in terms of electrical stability.
  • a pyridine ring, a pyrimidine ring, a triazine ring, or a 1,10-phenanthroline ring is particularly preferable.
  • the electron transport unit is a 6-membered monocyclic or condensed ring containing a nitrogen atom
  • the o-position and the p-position are all substituted with an aromatic ring with respect to the nitrogen atom.
  • the o-position and p-position of a 6-membered ring containing a nitrogen atom are active sites, and electrons are delocalized by substitution with an aromatic ring group. This makes it more stable with electrons. That is, the hole relaxation material in the present invention is excellent in durability against electrical redox.
  • the electron transport unit is a condensed ring
  • a portion of the o-position and p-position of the nitrogen atom that does not form a part of the condensed ring is substituted with an aromatic ring group. Good.
  • hole relaxation material an organic compound having a combination of a ring derivative listed in the following group (a) (hole transport unit) and a ring derivative listed in the following group (b) (electron transport unit) is more preferable. .
  • the aromatic ring group in which the hydrogen atoms on the carbon atoms at the 2, 4 and 6 positions in the same ring are substituted with respect to the nitrogen atom is not particularly limited. That is, it may be an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group, but is preferably an aromatic hydrocarbon group from the viewpoint of excellent durability against electrical oxidation.
  • Examples of the hole relaxation material include compounds having a structure represented by the following general formula (1).
  • A each independently represents a hole transport unit having 1 to 30 carbon atoms
  • Each B independently represents an electron transport unit having 1 to 30 carbon atoms
  • L represents an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenylene group having 2 to 10 carbon atoms, or a divalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 30 carbon atoms, These may have a substituent.
  • n and m represent an integer of 1 to 4, and l represents an integer of 0 to 3.
  • l, m, and n are 2 or more, a plurality of L, A, and B may be the same or different.
  • Examples of the hole transport unit A and the electron transport unit B include those described above. Specific examples and preferred embodiments are also the same.
  • L represents an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenylene group having 2 to 10 carbon atoms, or a divalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 30 carbon atoms.
  • the alkylene group having 1 to 10 carbon atoms is preferably an alkylene group having 1 to 8 carbon atoms. Specific examples thereof include a methylene group, 1,2-ethylene group, 1,3-propylene group, 1,4 -Butylene group, 1,5-pentylene group, 1,8-octylene group and the like are mentioned, and a methylene group or a 1,2-ethylene group is preferable from the viewpoint of easy synthesis.
  • the alkenylene group having 2 to 10 carbon atoms is preferably an alkenylene group having 2 to 6 carbon atoms. Specific examples thereof include 1,2-vinylene group, 1,3-propenylene group, and 1,2-propenylene group. Group, 1,4-butenylene group and the like, and further, the conjugation plane is expanded by improving the planarity of the molecule, and the stability of the compound is improved by delocalizing the charge. A vinylene group is preferable.
  • divalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 30 carbon atoms examples include a monocyclic ring and 2 to 5 condensed rings, or a divalent group formed by connecting a plurality of these rings.
  • the number is usually 2 to 8, preferably 2 to 5, in view of high ring stability.
  • Specific examples of the divalent aromatic hydrocarbon group include divalent aromatics derived from benzene ring, naphthalene ring, phenanthrene ring, anthracene ring, triphenylene ring, chrysene ring, naphthacene ring, perylene ring, coronene ring and the like.
  • a divalent group derived from a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, or a triphenylene ring is preferable from the viewpoint of high ring stability.
  • preferred specific examples of a divalent group in which a plurality of monocyclic and 2 to 5 condensed rings are linked as a divalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 30 carbon atoms are represented by the following structural formulas S1 to S15.
  • the present invention is not limited to these.
  • L may have a substituent, but is particularly preferably unsubstituted in that the stability to electrons is improved and the stability of the film is improved by reducing the crystallinity of the molecule. . Moreover, when it has a substituent, it is preferable at points, such as the electrical stability of a compound improving.
  • the substituent include an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 carbon atoms, an aromatic heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms, and an alkyloxy group having 1 to 20 carbon atoms.
  • a (hetero) aryloxy group having 3 to 20 carbon atoms an alkylthio group having 1 to 20 carbon atoms, a (hetero) arylthio group having 3 to 20 carbon atoms, or a cyano group.
  • an alkyl group is preferable from the viewpoint of stability of the compound.
  • alkyl group having 1 to 20 carbon atoms examples include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, iso-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, hexyl group, octyl group, cyclohexyl group.
  • they are a methyl group, an ethyl group, or an isopropyl group.
  • a methyl group or an ethyl group is more preferable from the viewpoint of availability of raw materials and low cost.
  • aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 carbon atoms examples include naphthyl groups such as phenyl group, 1-naphthyl group and 2-naphthyl group, phenanthyl groups such as 9-phenanthyl group and 3-phenanthyl group, and 1-anthryl.
  • anthryl group such as 2-anthryl group and 9-anthryl group, 1-naphthacenyl group, naphthacenyl group such as 2-naphthacenyl group, 1-chrycenyl group, 2-chrysenyl group, 3-chrysenyl group, 4-chrysenyl group, Chrycenyl groups such as 5-chrycenyl groups and 6-chrycenyl groups, pyrenyl groups such as 1-pyrenyl groups, triphenylenyl groups such as 1-triphenylenyl groups, coronenyl groups such as 1-coronenyl groups, 4-biphenyl groups, 3-biphenyl groups
  • a phenyl group, a 2-naphthyl group, or a 3-biphenyl group can be used.
  • a phenyl group is particularly preferable from the purification ease of the compound.
  • Examples of the aromatic heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms include a thienyl group such as a 2-thienyl group, a furyl group such as a 2-furyl group, an imidazolyl group such as a 2-imidazolyl group, and a carbazolyl group such as a 9-carbazolyl group.
  • a thienyl group such as a 2-thienyl group
  • a furyl group such as a 2-furyl group
  • an imidazolyl group such as a 2-imidazolyl group
  • a carbazolyl group such as a 9-carbazolyl group.
  • pyridyl groups such as 2-pyridyl group
  • triazinyl groups such as 1,3,5-triazin-2-yl group, and the like.
  • a carbazolyl group, particularly a 9-carbazolyl group is preferable from the viewpoint of stability.
  • Examples of the alkyloxy group having 1 to 20 carbon atoms include methoxy group, ethoxy group, isopropyloxy group, cyclohexyloxy group, octadecyloxy group and the like.
  • Examples of the (hetero) aryloxy group having 3 to 20 carbon atoms include phenoxy group, 1-naphthyloxy group, 9-anthranyloxy group, 2-thienyloxy group and the like.
  • Examples of the alkylthio group having 1 to 20 carbon atoms include methylthio group, ethylthio group, isopropylthio group, cyclohexylthio group and the like.
  • Examples of the (hetero) arylthio group having 3 to 20 carbon atoms include phenylthio group, 1-naphthylthio group, 9-anthranylthio group, 2-thienylthio group and the like.
  • the hole relaxation material a compound having a structure represented by the general formula (2) or (3) is preferable.
  • A each independently represents a hole transport unit having 1 to 30 carbon atoms
  • Each B independently represents an electron transport unit having 1 to 30 carbon atoms
  • L represents an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenylene group having 2 to 10 carbon atoms, or a divalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 30 carbon atoms, These may have a substituent.
  • x and y each represents an integer of 1 to 4.
  • LA when x is an integer of 2 or more, LA may be the same or different.
  • LB when y is an integer of 2 or more, LB may be the same or different.
  • Examples of the hole transport unit A and the electron transport unit B in the general formulas (2) and (3) include those described above. Specific examples and preferred embodiments are also the same.
  • alkylene group, alkenylene group, and divalent aromatic hydrocarbon group represented by L in the general formulas (2) and (3) are the same as those in the general formula (1).
  • compounds that are preferably used as hole relaxation materials are listed. These may be contained alone in the hole relaxation layer, or may be contained in combination of two or more.
  • the molecular weight of the organic compound used as the hole relaxation material is usually 10,000 or less, preferably 5000 or less, more preferably 4000 or less, still more preferably 3000 or less, and usually 100 or more, preferably 200 or more, more preferably 300 or more. More preferably, the range is 400 or more. Within the above range, heat resistance is good, it is difficult to cause gas generation, it is preferable in terms of easy purification and high purity.
  • a light emitting layer is provided on the hole transport layer.
  • the light emitting layer is a layer which is excited by recombination of holes injected from the anode and electrons injected from the cathode between the electrodes to which an electric field is applied, and becomes a main light emitting source.
  • the light emitting layer in the present invention contains at least a material having a light emitting property (light emitting material) as a constituent material, and a charge transport material.
  • a luminescent material may be used as a dopant material and a charge transport material may be used as a host material.
  • examples of the charge transport material include a compound having a hole transport property (hole transport compound) and a compound having an electron transport property (electron transport compound).
  • the content ratio of the charge transport material in the light emitting layer of the present invention is preferably 0.1% by weight or more and 100% by weight or less, and more preferably 5% by weight or more and 95% by weight or less.
  • Luminescent material As the luminescent material, it is preferable that at least one of red, green, and blue is phosphorescent, green and red are more preferably phosphorescent, and red is particularly preferably phosphorescent. For the purpose of improving the solubility in a solvent, it is preferable to reduce the symmetry and rigidity of the molecules of the luminescent material, or to introduce a lipophilic substituent such as an alkyl group.
  • a fluorescent light emitting material and / or a phosphorescent light emitting material can be used as the light emitting material of the present invention.
  • fluorescent dyes among fluorescent light emitting materials are given, but the fluorescent dyes are not limited to the following examples.
  • fluorescent dyes that give blue light emission include naphthalene, chrysene, perylene, pyrene, anthracene, coumarin, p-bis (2-phenylethenyl) benzene, and derivatives thereof.
  • fluorescent dyes that give green light emission (green fluorescent dyes) include quinacridone derivatives, coumarin derivatives, and aluminum complexes such as Al (C 9 H 6 NO) 3 .
  • fluorescent dyes that give yellow light include rubrene and perimidone derivatives.
  • fluorescent dyes that give red luminescence include DCM (4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6- (p-dimethylaminostyrene) -4H-pyran) compounds, benzopyran derivatives, rhodamine Derivatives, benzothioxanthene derivatives, azabenzothioxanthene and the like.
  • a long-period type periodic table (hereinafter, unless otherwise specified, the term “periodic table” refers to a long-period type periodic table) selected from Group 7 to 11 And an organometallic complex containing a metal.
  • Preferred examples of the metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table include ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum, and gold.
  • a ligand in which a (hetero) aryl group such as a (hetero) arylpyridine ligand or a (hetero) arylpyrazole ligand and a pyridine, pyrazole, phenanthroline, or the like is connected is preferable.
  • a pyridine ligand or a phenylpyrazole ligand is preferred.
  • (hetero) aryl represents an aryl group or a heteroaryl group.
  • phosphorescent materials include tris (2-phenylpyridine) iridium, tris ⁇ 2- (4-n-propylphenyl) pyridine ⁇ iridium, tris ⁇ 2- (4-n-butylphenyl) isoquinoline ⁇ iridium , Tris ⁇ 2- (4-n-hexylphenyl) pyridine ⁇ iridium, tris ⁇ 2- (4-n-hexylphenyl) isoquinoline ⁇ iridium, tris [5-methyl- ⁇ 3- (4'-n-hexylphenyl) ) Phenyl ⁇ pyridine] iridium, tris (2-phenylpyridine) ruthenium, tris (2-phenylpyridine) palladium, bis (2-phenylpyridine) platinum, tris (2-phenylpyridine) osmium, tris (2-phenylpyridine) Rhenium, octaethyl platinum porphyrin,
  • the molecular weight of the compound used as the light emitting material is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 10,000 or less, preferably 5000 or less, more preferably 4000 or less, more preferably 3000 or less, and usually 100 or more, Preferably it is 200 or more, More preferably, it is 300 or more, More preferably, it is the range of 400 or more. If the molecular weight of the light-emitting material is too small, the heat resistance is significantly reduced, gas is generated, the film quality is deteriorated when the film is formed, or the morphology of the organic EL element is changed due to migration or the like. There is a case to do. On the other hand, if the molecular weight of the luminescent material is too large, it tends to be difficult to purify the organic compound, or it may take time to dissolve in the solvent.
  • any 1 type may be used for the luminescent material mentioned above, and 2 or more types may be used together by arbitrary combinations and a ratio.
  • the ratio of the light emitting material in the light emitting layer is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 0.05% by weight or more and usually 35% by weight or less. If the amount of the light emitting material is too small, uneven light emission may occur. If the amount is too large, the light emission efficiency may be reduced.
  • 2 or more types of luminescent material it is made for the total content of these to be contained in the said range.
  • charge transport material examples include a hole transport compound and an electron transport compound.
  • the charge transport materials contained in the light emitting layer and at least one of the hole relaxation materials are the same organic compound. That is, the light emitting layer of the present invention contains the same organic compound as the hole relaxation material as one of the charge transport materials.
  • the light emitting layer of the present invention preferably contains 0.1 to 100% by weight, more preferably 5 to 95% by weight, of the same organic compound as the hole relaxation material as a charge transport material.
  • the charge transport material all the organic compounds used as the hole relaxation material can be used. That is, the compound having the electron mobility and the hole mobility is used, the compound represented by the general formula (1) is preferable, and the compound represented by the general formula (2) or (3) is more preferable. .
  • the hole detection amount is the amount of holes reaching the cathode interface of the light emitting layer, which is confirmed by the measurement of ToF.
  • the detected charge amount was calculated from the waveform obtained in the ToF measurement described in the section ⁇ Measurement method of charge mobility>, and this was used as the number of detected carriers.
  • the measurement was performed with the pulsed light energy set to about 20 ⁇ J. Thereby, the detection total amount of each charge of a hole and an electron was calculated
  • the hole detection amount of the charge transport material at an electric field strength of 160 kV / cm is usually 2.5 ⁇ 10 ⁇ 10 or more, more preferably 3.0 ⁇ 10 ⁇ 10 or more, and even more preferably 3.5 ⁇ 10.
  • Those having ⁇ 10 or more are preferably used, and those having 2.5 to 10 ⁇ 10 to 1 ⁇ 10 ⁇ 8 are more preferably used (organic EL element B). That is, in the charge transporting compound having a large hole detection amount, by preventing holes, holes are likely to stay at the interface between the light emitting layer and the layer adjacent to the cathode side interface, and in the vicinity of the interface.
  • a charge transport material having a high hole mobility can be used. More specifically, the hole mobility at 160 kV / cm of the charge transport material is usually 1 ⁇ 10 ⁇ 6 cm ⁇ 2 / V ⁇ s or more, more preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 5 cm ⁇ 2 / V ⁇ s or more. Further, a material having a density of 1 ⁇ 10 ⁇ 4 cm ⁇ 2 / V ⁇ s or more is also applicable. In other words, in the charge transport material having a high hole mobility, by preventing holes, holes are likely to stay at the interface between the light emitting layer and the layer adjacent to the cathode side interface, and the material in the vicinity of the interface.
  • the hole mobility at 160 kV / cm is a value measured by the method described in the section ⁇ Measurement method of charge mobility>.
  • the amount of detected holes or hole mobility is such that the ion transport potential of the charge transport material is closer to the ionization potential of the layer adjacent to the anode side of the light emitting layer. Of hole detection amount or hole mobility.
  • an organic compound containing at least one ring selected from the following group (b) is preferable.
  • Preferred compounds as the charge transport material include the same compounds as those used as the hole relaxation material. More specifically, a compound that is preferably used as a hole relaxation material may be mentioned. These may be contained alone in the light emitting layer, or may be contained in combination of two or more.
  • Examples of the other hole transporting compound used as the charge transporting material include a low molecular weight hole transporting compound used for the hole injection layer, and, for example, 4,4′-bis [N- (1-naphthyl). ) -N-phenylamino] biphenyl represented by an aromatic diamine containing two or more tertiary amines and having two or more condensed aromatic rings substituted with nitrogen atoms (Japanese Patent Laid-Open No. 5-23481), 4 , 4 ′, 4 ′′ -tris (1-naphthylphenylamino) triphenylamine and other aromatic amine compounds having a starburst structure (Journal of Luminescence, 1997, Vol.
  • the light emitting layer only one hole transporting compound may be used, or two or more hole transporting compounds may be used in any combination and ratio.
  • the proportion of the hole transporting compound in the light emitting layer is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but it is preferably 0.1% by weight or more and usually 100% by weight or less, and 5% by weight or more and 95% by weight or less. Is more preferable. If the amount of the hole transporting compound is too small, it may be easily affected by a short circuit, and if it is too large, the film thickness may be uneven. In addition, when using together 2 or more types of hole transportable compounds, it is made for the total content of these to be contained in the said range.
  • examples of low molecular weight electron transport compounds among charge transport materials include 2,5-bis (1-naphthyl) -1,3,4-oxadiazole (BND), 2, 5-bis (6 ′-(2 ′, 2 ′′ -bipyridyl))-1,1-dimethyl-3,4-diphenylsilole (PyPySPyPy), bathophenanthroline (BPhen), 2,9-dimethyl-4 , 7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP, bathocuproin), 2- (4-biphenylyl) -5- (p-tertiarybutylphenyl) -1,3,4-oxadiazole (tBu-PBD), 4,4′-bis (9-carbazole) -biphenyl (CBP) and the like.
  • BND 2,5-bis (1-naphthyl) -1,3,4-oxadiazole
  • the ratio of the electron transporting compound in the light emitting layer is arbitrary as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. More preferred. If the amount of the electron transporting compound is too small, it may be easily affected by a short circuit, and if it is too large, the film thickness may be uneven. In addition, when using together 2 or more types of electron transport compounds, it is made for the total content of these to be contained in the said range.
  • the above material is dissolved in an appropriate solvent to prepare a light emitting layer forming composition, which is then formed into a film.
  • the light emitting layer solvent to be contained in the light emitting layer forming composition for forming the light emitting layer by a wet film forming method any solvent can be used as long as the light emitting layer can be formed.
  • the ratio of the light-emitting layer solvent to the light-emitting layer-forming composition for forming the light-emitting layer is arbitrary as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. .
  • mixing and using 2 or more types of solvents as a solvent for light emitting layers it is made for the sum total of these solvents to satisfy
  • the solid content concentration of the light emitting material, hole transporting compound, electron transporting compound, etc. in the composition for forming a light emitting layer is usually 0.01% by weight or more and 70% by weight or less. If this concentration is too large, film thickness unevenness may occur, and if it is too small, defects may occur in the film.
  • the obtained coating film is dried and the solvent is removed to form a light emitting layer.
  • the thickness of the light emitting layer is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 3 nm or more, preferably 5 nm or more, and usually 200 nm or less, preferably 100 nm or less. If the light emitting layer is too thin, defects may occur in the film, and if it is too thick, the driving voltage may increase.
  • the organic EL device of the present invention is basically characterized by having the hole relaxation layer and the light emitting layer, but preferably further has a hole injection layer, a hole transport layer and an electron transport layer, It is particularly preferable that these layers are laminated in the order of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, a hole relaxation layer, and an electron transport layer from the anode side.
  • the hole injection layer, the hole transport layer, and the light emitting layer are layers formed by a wet film formation method
  • the hole relaxation layer and the electron transport layer are layers formed by an evaporation film formation method. Is particularly preferred.
  • the relaxation layer and the electron transport layer are preferably formed by a vacuum deposition method.
  • the wet film forming method refers to, for example, spin coating method, dip coating method, die coating method, bar coating method, blade coating method, roll coating method, spray coating method, capillary coating method, ink jet method, screen printing.
  • This method is a wet film formation method such as a method, a gravure printing method, or a flexographic printing method.
  • a spin coating method, a spray coating method, or an ink jet method is preferable. This is because it matches the liquid property peculiar to the coating composition used for the organic EL element.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a structural example of an organic EL device according to the present invention.
  • 1 is a substrate
  • 2 is an anode
  • 3 is a hole injection layer
  • 4 is a hole transport layer
  • 6 represents a hole relaxation layer
  • 7 represents an electron transport layer
  • 8 represents an electron injection layer
  • 9 represents a cathode.
  • the substrate 1 serves as a support for the organic EL element, and a quartz or glass plate, a metal plate or a metal foil, a plastic film, a sheet, or the like is used.
  • a glass plate or a transparent synthetic resin plate such as polyester, polymethacrylate, polycarbonate, polysulfone or the like is preferable.
  • a method of providing a gas barrier property by providing a dense silicon oxide film or the like on at least one surface of the synthetic resin substrate is also a preferable method.
  • the anode 2 serves to inject holes into the layer on the light emitting layer side.
  • This anode 2 is usually a metal such as aluminum, gold, silver, nickel, palladium, or platinum, a metal oxide such as an oxide of indium and / or tin, a metal halide such as copper iodide, carbon black, or It is composed of a conductive polymer such as poly (3-methylthiophene), polypyrrole, and polyaniline.
  • the anode 2 is often formed by a sputtering method, a vacuum deposition method, or the like.
  • an appropriate binder resin solution it is also possible to form the anode 2 by dispersing it and applying it onto the substrate 1. Furthermore, in the case of a conductive polymer, a thin film can be directly formed on the substrate 1 by electrolytic polymerization, or the anode 2 can be formed by applying a conductive polymer on the substrate 1 (Appl. Phys. Lett. 60, 2711, 1992).
  • the anode 2 usually has a single-layer structure, but it can also have a laminated structure made of a plurality of materials if desired.
  • the thickness of the anode 2 varies depending on the required transparency.
  • the visible light transmittance is usually 60% or more, preferably 80% or more.
  • the thickness of the anode 2 is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and is usually 1000 nm or less, preferably about 500 nm or less.
  • the thickness of the anode 2 is arbitrary, and the anode 2 may be the same as the substrate 1. Furthermore, it is also possible to laminate different conductive materials on the anode 2 described above.
  • the surface of the anode 2 is subjected to ultraviolet (UV) / ozone treatment, oxygen plasma treatment, argon plasma treatment, etc. It is preferable to do.
  • the hole injection layer 3 is a layer that transports holes from the anode 2 to the light emitting layer 5, and is usually formed on the anode 2.
  • the method for forming the hole injection layer 3 according to the present invention may be a vacuum deposition method or a wet film formation method, and is not particularly limited, but the hole injection layer 3 is formed by a wet film formation method from the viewpoint of reducing dark spots. It is preferable.
  • the thickness of the hole injection layer 3 is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 1000 nm or less, preferably 500 nm or less.
  • the material for forming the hole injection layer 3 is usually mixed with an appropriate solvent (hole injection layer solvent) to form a film-forming composition (positive A composition for forming a hole injection layer), and applying the composition for forming a hole injection layer on a layer (usually an anode) corresponding to the lower layer of the hole injection layer 3 by an appropriate technique.
  • the hole injection layer 3 is formed by coating and drying.
  • the composition for forming a hole injection layer usually contains a hole transporting compound and a solvent as a constituent material of the hole injection layer.
  • the hole transporting compound may be a polymer compound or a monomer as long as it is a compound having a hole transporting property that is usually used in a hole injection layer of an organic EL device.
  • the hole transporting compound is preferably a compound having an ionization potential of 4.5 eV to 6.0 eV from the viewpoint of a charge injection barrier from the anode 2 to the hole injection layer 3.
  • hole transporting compounds include aromatic amine compounds, phthalocyanine compounds, porphyrin compounds, oligothiophene compounds, polythiophene compounds, benzylphenyl compounds, compounds in which tertiary amines are linked by a fluorene group, hydrazones Compounds, silazane compounds, silanamin compounds, phosphamine compounds, quinacridone compounds, and the like.
  • the hole transporting compound used as the material for the hole injection layer 3 may contain any one of these compounds alone, or may contain two or more. In the case of containing two or more kinds of hole transporting compounds, the combination is arbitrary, but one or more kinds of aromatic tertiary amine polymer compounds and one or two kinds of other hole transporting compounds. It is preferable to use the above in combination.
  • an aromatic amine compound is preferable from the viewpoint of amorphousness and visible light transmittance, and an aromatic tertiary amine compound is particularly preferable.
  • the aromatic tertiary amine compound is a compound having an aromatic tertiary amine structure, and includes a compound having a group derived from an aromatic tertiary amine.
  • the type of the aromatic tertiary amine compound is not particularly limited, but from the viewpoint of uniform light emission due to the surface smoothing effect, a polymer compound having a weight average molecular weight of 1,000 or more and 1,000,000 or less (a polymerizable compound in which repeating units are linked) is further included. preferable.
  • a polymer compound having a weight average molecular weight of 1,000 or more and 1,000,000 or less a polymerizable compound in which repeating units are linked
  • the aromatic tertiary amine polymer compound include a polymer compound having a repeating unit represented by the following formula (I).
  • Ar 1 and Ar 2 each independently represent an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent.
  • Ar 3 to Ar 5 each independently represents an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent.
  • And represents a linking group selected from the group of linking groups, and two groups bonded to the same N atom among Ar 1 to Ar 5 may be bonded to each other to form a ring.
  • Ar 6 to Ar 16 each independently represents an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent.
  • R 1 and R 2 each independently represents a hydrogen atom or an arbitrary substituent.
  • the aromatic hydrocarbon group and aromatic heterocyclic group of Ar 1 to Ar 16 include a benzene ring, a naphthalene ring, a phenanthrene ring, and a thiophene from the viewpoint of the solubility, heat resistance, and hole injection / transport properties of the polymer compound.
  • a group derived from a ring or a pyridine ring is preferred, and a group derived from a benzene ring or a naphthalene ring is more preferred.
  • the aromatic hydrocarbon group and aromatic heterocyclic group of Ar 1 to Ar 16 may further have a substituent.
  • the molecular weight of the substituent is usually 400 or less, preferably about 250 or less.
  • an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an aromatic hydrocarbon group, an aromatic heterocyclic group and the like are preferable.
  • R 1 and R 2 are optional substituents
  • substituents include alkyl groups, alkenyl groups, alkoxy groups, silyl groups, siloxy groups, aromatic hydrocarbon groups, aromatic heterocyclic groups, and the like.
  • aromatic tertiary amine polymer compound having a repeating unit represented by the formula (I) include those described in International Publication No. 2005/089024 pamphlet.
  • the concentration of the hole transporting compound in the composition for forming a hole injection layer is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 0.01% by weight or more, preferably in terms of film thickness uniformity. Is 0.1% by weight or more, more preferably 0.5% by weight or more, and usually 70% by weight or less, preferably 60% by weight or less, more preferably 50% by weight or less. If this concentration is too high, film thickness unevenness may occur, and if it is too low, defects may occur in the formed hole injection layer.
  • the composition for forming a hole injection layer preferably contains an electron accepting compound as a constituent material of the hole injection layer.
  • the electron-accepting compound is preferably a compound having an oxidizing power and the ability to accept one electron from the above-described hole transporting compound, specifically, a compound having an electron affinity of 4 eV or more is preferable, and 5 eV or more. More preferred is a compound that is
  • electron-accepting compounds include triarylboron compounds, metal halides, Lewis acids, organic acids, onium salts, salts of arylamines and metal halides, and salts of arylamines and Lewis acids.
  • examples thereof include one or more compounds selected from the group. More specifically, an onium salt substituted with an organic group such as 4-isopropyl-4′-methyldiphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate and triphenylsulfonium tetrafluoroborate (WO 2005/089024 pamphlet); High-valent inorganic compounds such as iron (III) chloride (Japanese Patent Laid-Open No.
  • ammonium peroxodisulfate ammonium peroxodisulfate
  • cyano compounds such as tetracyanoethylene, tris (pendafluorophenyl) borane
  • Aromatic boron compounds Aromatic boron compounds
  • fullerene derivatives iodine and the like.
  • These electron accepting compounds can improve the conductivity of the hole injection layer by oxidizing the hole transporting compound.
  • the content of the electron-accepting compound in the hole-injecting layer or the composition for forming a hole-injecting layer with respect to the hole-transporting compound is usually 0.1 mol% or more, preferably 1 mol% or more. However, it is usually 100 mol% or less, preferably 40 mol% or less.
  • hole injection layer As a material for the hole injection layer, other components may be further contained in addition to the above-described hole transporting compound and electron accepting compound as long as the effects of the present invention are not significantly impaired.
  • other components include various light emitting materials, electron transporting compounds, binder resins, and coating property improving agents.
  • only 1 type may be used for another component and it may use 2 or more types together by arbitrary combinations and ratios.
  • At least one of the solvents of the composition for forming a hole injection layer used in the wet film formation method is preferably a compound that can dissolve the constituent material of the hole injection layer.
  • the boiling point of this solvent is usually 110 ° C. or higher, preferably 140 ° C. or higher, particularly 200 ° C. or higher, usually 400 ° C. or lower, and preferably 300 ° C. or lower. If the boiling point of the solvent is too low, the drying speed is too high and the film quality may be deteriorated. Further, if the boiling point of the solvent is too high, it is necessary to increase the temperature of the drying step, which may adversely affect other layers and the substrate.
  • ether solvents examples include aliphatic ethers such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA); 1,2-dimethoxybenzene, 1,3-dimethoxybenzene, anisole , Aromatic ethers such as phenetole, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4-methoxytoluene, 2,3-dimethylanisole, 2,4-dimethylanisole, and the like.
  • aliphatic ethers such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA); 1,2-dimethoxybenzene, 1,3-dimethoxybenzene, anisole .
  • Aromatic ethers such as phenetole, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluen
  • ester solvent examples include aromatic esters such as phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, ethyl benzoate, propyl benzoate, and n-butyl benzoate.
  • aromatic hydrocarbon solvent examples include toluene, xylene, cyclohexylbenzene, 3-isopropylpropylphenyl, 1,2,3,4-tetramethylbenzene, 1,4-diisopropylbenzene, cyclohexylbenzene, and methylnaphthalene.
  • amide solvent examples include N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide and the like. In addition, dimethyl sulfoxide and the like can also be used. These solvent may use only 1 type and may use 2 or more types by arbitrary combinations and a ratio.
  • the composition After preparing the composition for forming the hole injection layer, the composition is applied on the layer corresponding to the lower layer of the hole injection layer 3 (usually the anode 2) by wet film formation, and dried.
  • the hole injection layer 3 is formed.
  • the temperature in the film forming step is preferably 10 ° C. or higher, and preferably 50 ° C. or lower in order to prevent film loss due to the formation of crystals in the composition.
  • the relative humidity in a film-forming process is not limited unless the effect of this invention is impaired remarkably, it is 0.01 ppm or more normally and 80% or less normally.
  • the film of the composition for forming a hole injection layer is usually dried by heating or the like.
  • the heating means used in the heating step include a clean oven, a hot plate, infrared rays, a halogen heater, microwave irradiation and the like. Among them, a clean oven or a hot plate is preferable in order to uniformly apply heat to the entire film.
  • the heating temperature in the heating step is preferably heated at a temperature equal to or higher than the boiling point of the solvent used in the composition for forming a hole injection layer as long as the effects of the present invention are not significantly impaired.
  • at least one type is preferably heated at a temperature equal to or higher than the boiling point of the solvent.
  • the heating step is preferably performed at 120 ° C. or higher, preferably 410 ° C. or lower.
  • the heating time is not limited as long as the heating temperature is not lower than the boiling point of the solvent of the composition for forming a hole injection layer and sufficient insolubilization of the coating film does not occur. Is less than a minute. If the heating time is too long, the components of the other layers tend to diffuse, and if it is too short, the hole injection layer tends to be inhomogeneous. Heating may be performed in two steps.
  • the hole injection layer 3 is formed by vacuum deposition, one or more of the constituent materials of the hole injection layer 3 (the aforementioned hole transporting compound, electron accepting compound, etc.) are placed in a vacuum vessel.
  • crucibles installed (in case of using two or more materials, put them in each crucible), evacuate the inside of the vacuum vessel to about 10 -4 Pa with a suitable vacuum pump, then heat the crucible (two types When using the above materials, heat each crucible) and evaporate by controlling the amount of evaporation (when using two or more materials, evaporate by independently controlling the amount of evaporation) and face the crucible
  • the hole injection layer 3 is formed on the anode 2 of the substrate placed on the substrate.
  • the hole injection layer 3 can also be formed by putting those mixtures into a crucible, heating and evaporating.
  • the degree of vacuum at the time of vapor deposition is not limited as long as the effects of the present invention are not significantly impaired, but usually 0.1 ⁇ 10 ⁇ 6 Torr (0.13 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa) or more, usually 9.0 ⁇ 10 ⁇ 6 Torr. (12.0 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa) or less.
  • the deposition rate is not limited as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 0.1 ⁇ / second or more and usually 5.0 ⁇ / second or less.
  • the film forming temperature at the time of vapor deposition is not limited as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is preferably 10 ° C. or higher, preferably 50 ° C. or lower.
  • the formation method of the hole transport layer 4 according to the present invention may be a vacuum deposition method or a wet film formation method, and is not particularly limited, but is preferably formed by a wet film formation method from the viewpoint of reducing dark spots.
  • the hole transport layer 4 can be formed on the hole injection layer 3 when there is a hole injection layer and on the anode 2 when there is no hole injection layer 3.
  • the organic EL device of the present invention may have a configuration in which the hole transport layer is omitted.
  • the material forming the hole transport layer 4 is preferably a material having high hole transportability and capable of efficiently transporting injected holes. Therefore, it is preferable that the ionization potential is small, the transparency to visible light is high, the hole mobility is large, the stability is high, and impurities that become traps are not easily generated during manufacturing or use. In many cases, it is preferable not to quench the light emitted from the light emitting layer 5 or to form an exciplex with the light emitting layer 5 to reduce the efficiency because it is in contact with the light emitting layer 5.
  • Such a material for the hole transport layer 4 may be any material conventionally used as a constituent material for the hole transport layer.
  • the hole transport property used for the hole injection layer 3 described above. What was illustrated as a compound is mentioned.
  • two or more condensed aromatic rings including two or more tertiary amines represented by 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl are substituted with nitrogen atoms.
  • Aromatic amine compounds having a starburst structure such as aromatic diamines (Japanese Patent Laid-Open No.
  • polyvinyl carbazole polyvinyl triphenylamine (Japanese Patent Laid-Open No. 7-53953), polyarylene ether sulfone (Polym. Adv. Tech., 7, 33, 1996) containing tetraphenylbenzidine, etc. Can be mentioned.
  • a composition for forming a hole transport layer is prepared in the same manner as the formation of the hole injection layer 3 and then heated and dried after the wet film formation. .
  • the composition for forming a hole transport layer contains a solvent in addition to the above-described hole transport compound.
  • the solvent used is the same as that used for the composition for forming a hole injection layer.
  • the film forming conditions, heat drying conditions, and the like are the same as in the case of forming the hole injection layer 3.
  • the film forming conditions and the like are the same as in the case of forming the hole injection layer 3.
  • the hole transport layer 4 may contain various light emitting materials, electron transport compounds, binder resins, coating property improving agents, and the like in addition to the hole transport compound.
  • the hole transport layer 4 may also be a layer formed by crosslinking a crosslinkable compound.
  • the crosslinkable compound is a compound having a crosslinkable group, and forms a network polymer compound by crosslinking.
  • crosslinkable group examples include cyclic ethers such as oxetane and epoxy; unsaturated double bonds such as vinyl group, trifluorovinyl group, styryl group, acrylic group, methacryloyl and cinnamoyl; benzocyclobutane and the like.
  • the crosslinkable compound may be any of a monomer, an oligomer, and a polymer.
  • the crosslinkable compound may have only 1 type, and may have 2 or more types by arbitrary combinations and ratios.
  • crosslinkable group examples include cyclic ethers such as oxetane group and epoxy group; unsaturated double bonds such as vinyl group, trifluorovinyl group, styryl group, acrylic group, methacryloyl group and cinnamoyl group; benzocyclobutene Groups and the like.
  • a hole transporting compound having a crosslinkable group is preferably used.
  • hole transporting compounds include nitrogen-containing aromatic compound derivatives such as pyridine derivatives, pyrazine derivatives, pyrimidine derivatives, triazine derivatives, quinoline derivatives, phenanthroline derivatives, carbazole derivatives, phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives; triphenylamine derivatives Silole derivatives; oligothiophene derivatives, condensed polycyclic aromatic derivatives, metal complexes and the like.
  • nitrogen-containing aromatic derivatives such as pyridine derivatives, pyrazine derivatives, pyrimidine derivatives, triazine derivatives, quinoline derivatives, phenanthroline derivatives, carbazole derivatives; triphenylamine derivatives, silole derivatives, condensed polycyclic aromatic derivatives, metal complexes, etc.
  • triphenylamine derivatives particularly preferred are triphenylamine derivatives.
  • the composition for forming a hole transport layer may contain an additive that promotes a crosslinking reaction.
  • additives that promote the crosslinking reaction include polymerization initiators and polymerization accelerators such as alkylphenone compounds, acylphosphine oxide compounds, metallocene compounds, oxime ester compounds, azo compounds, onium salts; condensed polycyclic hydrocarbons, And photosensitizers such as porphyrin compounds and diaryl ketone compounds.
  • it may further contain an applicability improver such as a leveling agent, an antifoaming agent, an electron accepting compound, a binder resin, and the like.
  • an applicability improver such as a leveling agent, an antifoaming agent, an electron accepting compound, a binder resin, and the like.
  • the crosslinkable compound is usually 0.01% by weight or more, preferably 0.05% by weight or more, more preferably 0.1% by weight or more, usually 50% by weight or less, preferably 20%. It is contained by weight% or less, more preferably 10% by weight or less.
  • the composition After forming a composition for forming a hole transport layer containing a crosslinkable compound at such a concentration on the lower layer (usually the hole injection layer 3), the composition is crosslinked by heating and / or irradiation with electromagnetic energy such as light. Are crosslinked to form a network polymer compound.
  • Conditions such as temperature and humidity during film formation are the same as those during the wet film formation of the hole injection layer 3.
  • the heating method after film formation is not particularly limited, and examples thereof include heat drying and reduced pressure drying.
  • the heating temperature condition in the case of heat drying is usually 120 ° C. or higher, preferably 400 ° C. or lower.
  • the heating time is usually 1 minute or longer, preferably 24 hours or shorter.
  • the heating means is not particularly limited, and means such as placing a laminated body having a deposited layer on a hot plate or heating in an oven is used. For example, conditions such as heating on a hot plate at 120 ° C. or more for 1 minute or more can be used.
  • a method of irradiating directly using an ultraviolet / visible / infrared light source such as an ultra-high pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, a halogen lamp or an infrared lamp, or the above-mentioned light source is incorporated.
  • Examples include a mask aligner and a method of irradiation using a conveyor type light irradiation device.
  • electromagnetic energy irradiation other than light for example, there is a method of irradiation using a device that irradiates a microwave generated by a magnetron, a so-called microwave oven.
  • the irradiation time it is preferable to set conditions necessary for reducing the solubility of the film, but irradiation is usually performed for 0.1 seconds or longer, preferably 10 hours or shorter.
  • the film thickness of the hole transport layer 4 thus formed is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 300 nm or less, preferably 100 nm or less.
  • An electron transport layer 7 may be provided between the light emitting layer 5 and an electron injection layer 8 described later.
  • the electron transport layer 7 is provided for the purpose of further improving the light emission efficiency of the device, and efficiently transports electrons injected from the cathode 9 between the electrodes to which an electric field is applied in the direction of the light emitting layer 5. Formed from a compound capable of
  • the electron injection efficiency from the cathode 9 or the electron injection layer 8 is high, and the injected electrons having high electron mobility are efficiently transported.
  • the compound which can be used is used.
  • the compound satisfying such conditions include metal complexes such as aluminum complexes of 8-hydroxyquinoline (Japanese Patent Laid-Open No.
  • the material of the electron carrying layer 7 may use only 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio. There is no restriction
  • the thickness of the electron transport layer 7 is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 1 nm or more, preferably 5 nm or more, and usually 300 nm or less, preferably 100 nm or less.
  • the electron injection layer 8 plays a role of efficiently injecting electrons injected from the cathode 9 into the light emitting layer 5.
  • the material for forming the electron injection layer 8 is preferably a metal having a low work function. Examples include alkali metals such as sodium and cesium, alkaline earth metals such as barium and calcium, and the film thickness is preferably from 0.1 nm to 5 nm.
  • an organic electron transport compound represented by a metal complex such as a nitrogen-containing heterocyclic compound such as bathophenanthroline or an aluminum complex of 8-hydroxyquinoline is doped with an alkali metal such as sodium, potassium, cesium, lithium, or rubidium ( As described in JP-A-10-270171, JP-A-2002-1000047, JP-A-2002-1000048, and the like, it is possible to improve the electron injection / transport property and achieve excellent film quality.
  • the film thickness is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and is usually 200 nm or less, preferably 100 nm or less.
  • the material of the electron injection layer 8 may use only 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio. There is no restriction
  • the cathode 9 plays a role of injecting electrons into a layer on the light emitting layer 5 side (such as the electron injection layer 8 or the light emitting layer 5).
  • the material used for the anode 2 can be used.
  • a metal having a low work function is preferable.
  • tin, magnesium, indium, A suitable metal such as calcium, aluminum, silver, or an alloy thereof is used.
  • Specific examples include low work function alloy electrodes such as magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, and aluminum-lithium alloy.
  • the material of the cathode 9 may use only 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.
  • the film thickness of the cathode 9 is usually the same as that of the anode 2. Further, for the purpose of protecting the cathode 9 made of a low work function metal, it is preferable to further stack a metal layer having a high work function and stable to the atmosphere because the stability of the device is increased.
  • metals such as aluminum, silver, copper, nickel, chromium, gold and platinum are used. In addition, these materials may be used only by 1 type and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.
  • the organic EL element of the present invention may have another configuration without departing from the spirit of the organic EL element.
  • an arbitrary layer may be provided between the anode 2 and the cathode 9 in addition to the layers described above, and an arbitrary layer may be omitted.
  • a structure in which a plurality of components (light emitting units) other than the substrate are stacked in a plurality of layers (a structure in which a plurality of light emitting units are stacked) may be employed.
  • the organic EL device of the present invention may be configured as a single organic EL device, or may be applied to a configuration in which a plurality of organic EL devices are arranged in an array, and the anode and cathode are X- You may apply to the structure arrange
  • Each layer described above may contain components other than those described as materials unless the effects of the present invention are significantly impaired.
  • the organic EL element A or B is used as at least one of the red, green and blue organic EL elements, the lifetime is increased and the voltage rises. It can be set as the organic light-emitting device with suppressed.
  • the organic EL element A or B is more preferably used for all red, green, and blue organic EL elements.
  • the organic EL element C of the present invention is an organic EL element in which, in the organic EL element A, the light emitting layer contains two or more kinds of light emitting materials.
  • the organic EL element C of the present invention is an element containing two or more kinds of light emitting materials in the light emitting layer.
  • the organic EL element C two or more kinds of light emitting materials are included in one light emitting layer, and the light emission spectrum of the light emitting element has two or more kinds of maximum wavelengths, and the maximum emission intensity among the maximum wavelengths is 1. In some cases, it is preferable that the light emission intensity of the remaining maximum wavelength is 0.1 or more.
  • the organic EL element C emits yellow light, for example, there is a method in which the light emitting layer contains a green light emitting material and a red light emitting material as the light emitting material.
  • the organic EL element C can also be applied to white.
  • white for the light emitting layer, as a light emitting material, a method of combining three colors of a blue light emitting material, a green light emitting material, and a red light emitting material, or a method of combining a certain color and its complementary color, etc.
  • the light emitting layer contains a charge transport material
  • the charge transport material is selected according to the ionization potential and electron affinity of the light emitting material having the largest energy gap among the light emitting materials contained in the light emitting layer.
  • the magnitude of the ionization potential indicates the magnitude of the absolute value in the ionization potential.
  • the organic EL device C of the present invention contains two or more kinds of light emitting materials in the light emitting layer.
  • a light-emitting layer containing two or more light-emitting materials holes injected into the light-emitting layer tend to accumulate in the light-emitting material having the lowest ionization potential.
  • the luminescent material is in a radical cation state for a long time due to holes, the luminescent material becomes unstable for a long time, which promotes deterioration of the luminescent material.
  • the difference in ionization potential between the charge transport material and the light emitting material is the highest in the organic EL element A. It is selected to be smaller than the difference between the ionization potential of the large charge transport material and the light emitting material. That is, in the organic EL element that emits monochromatic light, the holes injected into the light emitting layer are more likely to stay in the charge transport material than the light emitting material, as compared to the organic EL element C. This means that the deterioration of the luminescent material due to holes is reduced. From the above, in the organic EL element C, the effect by releasing a small amount of holes is greater. That is, the effect of using the hole relaxation material in the present invention is great.
  • the organic EL element C in the present invention contains two or more kinds of light emitting materials.
  • the light emitting material contained is appropriately selected from known materials depending on the desired light emission color of the organic EL element.
  • a method including a red light emitting material and a green light emitting material can be used.
  • the content ratio (weight ratio) between the red light-emitting material and the green light-emitting material is appropriately selected depending on the desired yellow light emission color, and ⁇ green light-emitting material: red light-emitting material ⁇ is, for example, ⁇ 100: 20 to 100: 1 ⁇ is preferable.
  • the method containing a red light emitting material, a blue light emitting material, and a green light emitting material is mentioned.
  • the content ratio (weight ratio) of the blue light emitting material, the green light emitting material, and the red light emitting material is appropriately selected depending on the desired color of white light emission.
  • the luminescent material ⁇ is preferably ⁇ 100: (50-5) :( 10-0.05) ⁇ .
  • the light emitting layer of the organic EL device C of the present invention contains one or more charge transport materials.
  • the light-emitting layer containing two or more light-emitting materials further contains a charge transport material.
  • the charge transport material is selected to have an ionization potential smaller than the ionization potential of at least one light-emitting material.
  • the charge transport material in the light emitting layer and at least one kind of the hole relaxation material are the same compound, formation of a heterojunction at the interface between the light emission layer and the hole relaxation layer. As a result, the generation of the charge injection barrier is relaxed, so that holes are more likely to flow.
  • the organic EL element C is the same as the organic EL element A except that the light emitting layer contains two or more kinds of light emitting materials.
  • the organic EL element D of the present invention is an organic EL element characterized in that, in the organic EL element A, the light emitting layer comprises two or more layers each containing different light emitting materials.
  • the hole relaxation material in the present invention is used, and at least one kind of the charge transport material and at least one kind of the hole relaxation material contained in the layer adjacent to the hole relaxation layer in the light emitting layer.
  • the reason why the effect of using the same compound is great is estimated as follows.
  • an organic EL element When an organic EL element is applied with a voltage, it may cause a shift in the energy level of the electron affinity and ionization potential depending on the material type and the voltage application direction at the junction interface (heterointerface) between different organic materials.
  • Known Organic EL materials and displays", Chapter 4, CMC Publishing, etc.
  • the driving organic EL element always has a charge injection barrier at the junction interface between the organic layers.
  • the number of heterointerfaces increases as the structure of the device is a multi-layered structure, suggesting that holes are likely to accumulate at the interface between layers. For this reason, the case where the light emitting layer is composed of two or more layers is more likely to cause multiple charge injection barriers than the case where the light emitting layer is a single layer. It is considered that the influence such as a decrease in luminous efficiency due to the disappearance of the child becomes larger.
  • the configuration of the organic EL element D can reduce the formation of a heterointerface that is likely to accumulate holes more easily than the conventional monochromatic element, and therefore, the effect of using the configuration of the present invention is great. is there.
  • the light emitting layer is composed of two or more layers, and each layer contains different light emitting materials.
  • two or more kinds of light emitting materials may be contained in each layer of the light emitting layer according to the desired emission color.
  • the layer on the most anode side in the light emitting layer may be a layer containing two kinds of light emitting materials
  • the layer adjacent to the cathode side of the layer may be a layer containing one kind of light emitting material.
  • the reverse configuration may be used.
  • the light emitting layer can be a layer containing a red light emitting material and a green light emitting material and a layer containing a blue light emitting material from the anode side.
  • Organic EL element D is the same as the organic EL element A except that the light emitting layer is composed of two or more layers.
  • the organic EL elements C and D of the present invention are basically characterized by having the hole relaxation layer and the light emitting layer, but the red, green and blue organic EL elements are further injected with holes, respectively. It is preferable to have a layer, a hole transport layer, and an electron transport layer, and these layers are laminated from the anode side in the order of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, a hole relaxation layer, and an electron transport layer. It is particularly preferred. Examples of the respective layers and the formation method thereof are the same as those described in the section of ⁇ Organic EL element A>. Moreover, a preferable thing is also the same.
  • Organic EL device A, B, C or D can be used in the organic light emitting device of the present invention.
  • Organic light emitting devices include organic EL display devices and organic EL lighting.
  • Organic EL display device The organic EL element of the present invention is used in an organic EL display device.
  • the organic EL device obtained by the present invention is, for example, a method as described in “Organic EL display” (Ohm Co., Ltd., issued on August 20, 2004, Shizushi Tokito, Chiba Adachi, Hideyuki Murata). Thus, an organic EL display device can be formed.
  • Organic EL lighting of the present invention uses the above-described organic EL element of the present invention.
  • Examples 1 to 3 are for the organic EL element A or the organic EL element B of the present invention, Example 4 is for the organic EL element C of the present invention, and Example 5 is for the present invention. This corresponds to the organic EL element D.
  • ITO substrate An indium tin oxide (ITO) transparent conductive film deposited to a thickness of 150 nm on a glass substrate 1 (sputtered film product; sheet resistance 15 ⁇ ) is 2 mm wide stripes using normal photolithography and hydrochloric acid etching.
  • the anode 2 was formed by patterning.
  • the substrate (ITO substrate) on which the anode is patterned as described above is cleaned in the order of ultrasonic cleaning with a surfactant, water with pure water, and ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol, then dried with compressed air, and finally UV ozone. Washing was performed for 1 minute.
  • the hole injection layer 3 was formed by a wet film formation method as follows.
  • a material for the hole injection layer 3 2% by weight of a polymer having a repeating structure represented by the following formula (1-2) (weight average molecular mass 29400, number average molecular weight 12600, glass transition temperature 160 ° C.) and an electron accepting compound are used.
  • spinner rotation speed was 500 rpm, 2 seconds, and 1500 rpm, 30 seconds.
  • the drying condition was that a thin film having a thickness of 30 nm could be formed by heating in a clean oven at 230 ° C. for 3 hours.
  • a hole transport layer was formed by a wet film formation method as follows.
  • a composition was prepared by dissolving 0.4% by weight of a polymer having a repeating structure of the following formula (HT-1) in dehydrated toluene.
  • a film was formed by spin coating under a nitrogen atmosphere.
  • spinner rotation speed was 500 rpm, 2 seconds, and 1500 rpm, 30 seconds.
  • a 20-nm-thick thin film could be formed by heating on a hot plate at 230 ° C. for 1 hour.
  • the light emitting layer was formed by the wet film-forming method as follows.
  • the light emitting layer was formed using the following materials.
  • the blue light-emitting layer material was prepared by mixing BH-1 and BD-1 shown below at a ratio of 100 to 10 (weight ratio), and preparing a composition in which 0.8% by weight of this mixture was dissolved in toluene.
  • the composition was formed by spin coating on the hole transport layer in a nitrogen atmosphere.
  • the green light emitting layer material is a composition in which GH-1, GH-2 and GD-1 shown below are mixed in a ratio of 50: 50: 5 (weight ratio) and 2.0% by weight of this mixture is dissolved in xylene.
  • a composition was prepared, and this composition was formed into a film by spin coating on the hole transport layer in a nitrogen atmosphere.
  • the red light emitting layer material is a mixture of GH-1, GH-2, GD-1 and RD-1 shown below in a ratio of 50: 50: 5: 5 (weight ratio), and 2.0% by weight of this mixture is mixed.
  • a composition dissolved in xylene was prepared, and this composition was formed by spin coating on the hole transport layer in a nitrogen atmosphere.
  • spinner rotation speed was 500 rpm, 2 seconds, and 1500 rpm, 30 seconds. Then, the light emitting layer with a film thickness of 50 nm was formed by drying at 130 degreeC for 1 hour.
  • a hole relaxation material HA-1 shown below was laminated as a hole relaxation layer by a vacuum deposition method so as to have a film thickness of 10 nm.
  • the ⁇ E / ⁇ H of the hole relaxation material HA-1 is 0.8.
  • an aluminum 8-hydroxyquinoline complex ET-1 shown below was laminated as an electron transport layer 7 by a vacuum deposition method so as to have a film thickness of 30 nm.
  • the element that has been vapor-deposited up to the electron transport layer 7 is once taken out from the vacuum vapor deposition apparatus into the atmosphere, and used as a cathode vapor deposition mask with a 2 mm width in a shape orthogonal to the ITO stripe as the anode.
  • a stripe shadow mask is brought into close contact with the element, placed in another vacuum vapor deposition apparatus, and lithium fluoride (LiF) is formed to a thickness of 0.5 nm as the electron injection layer 8 by the same vacuum vapor deposition method as the electron transport layer 7.
  • LiF lithium fluoride
  • aluminum was laminated as the cathode 9 so as to have a film thickness of 80.0 nm.
  • a sealing process was performed by the method described below.
  • a photocurable resin was applied to the outer periphery of a 23 mm ⁇ 23 mm size glass plate with a width of about 1 mm, and a moisture getter sheet was installed in the center.
  • finished cathode formation was bonded together so that the vapor-deposited surface might oppose a desiccant sheet.
  • coated was irradiated with ultraviolet light, and resin was hardened. Thereby, the organic EL element which has a light emission area part of 2 mm x 2 mm size was obtained.
  • Reference Example 2 An organic EL device was produced in the same manner as in Reference Example 1 except that the hole relaxation material HA-1 was changed to BAlq which is a hole prevention material shown below in Reference Example 1.
  • Reference Example 3 An organic EL device was produced in the same manner as in Reference Example 1 except that the hole relaxation material HA-1 was changed to HB-1 which is a hole prevention material shown below in Reference Example 1.
  • the method for measuring the luminance half-life is to observe the change in luminance when a voltage is applied to the manufactured organic EL element at a luminance of 2000 nit (only the green element is 4000 nit) when a constant DC current is applied during the test.
  • the time (luminance half-life) until the luminance value became half of the test start, that is, 1000 nit (2000 nits only for the green element) was obtained.
  • the energization test was performed in a room where the room temperature was controlled to 23 ⁇ 1.5 ° C. by air conditioning.
  • the drive voltage was measured by measuring the voltage at which the luminance was 2000 nit (only the green element was 4000 nit) when a constant direct current was first applied to the manufactured organic EL element.
  • Reference Example 4 An organic EL device was produced in the same manner as in Reference Example 1 except that the hole relaxation material HA-1 was changed to the hole relaxation material HA-2 shown below in Reference Example 1.
  • Example 1 An organic EL element having the structure shown in FIG. 1 was produced by the following method.
  • ITO substrate An indium tin oxide (ITO) transparent conductive film deposited to a thickness of 150 nm on a glass substrate 1 (sputtered film product; sheet resistance 15 ⁇ ) is 2 mm wide stripes using normal photolithography and hydrochloric acid etching.
  • the anode 2 was formed by patterning.
  • the substrate (ITO substrate) on which the anode is patterned as described above is cleaned in the order of ultrasonic cleaning with a surfactant, water with pure water, and ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol, then dried with compressed air, and finally UV ozone. Washing was performed for 1 minute.
  • a hole injection layer was formed by a wet film formation method as follows.
  • the material of the hole injection layer is a polymer having a repeating structure of the following formula (HI-1) (2% by weight and 4-isopropyl-4′-methyldiphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate 0 as an oxidizing agent)
  • HI-1 2% by weight
  • a composition in which 0.8% by weight was dissolved in ethyl benzoate was prepared, and this composition was formed on the ITO substrate by spin coating.
  • spinner rotation speed was 500 rpm, 2 seconds, and 1500 rpm, 30 seconds.
  • a drying condition a thin film having a thickness of 30 nm could be formed by heating in a clean oven at 230 ° C. for 1 hour
  • a hole transport layer was formed by a wet film formation method as follows.
  • a material for the hole transport layer a composition in which 1.0% by weight of a polymer having a repeating structure of the following formula (HT-1) was dissolved in cyclohexylbenzene was prepared, and this composition was formed on the hole injection layer.
  • a film was formed by spin coating under a nitrogen atmosphere.
  • spinner rotation speed was 500 rpm, 2 seconds, and 1500 rpm, 30 seconds.
  • the drying condition was that a thin film having a thickness of 15 nm could be formed by heating on a hot plate at 230 ° C. for 1 hour.
  • the light emitting layer was formed by the wet film-forming method as follows.
  • the light emitting layer was formed using the following materials.
  • the red light emitting layer material is a mixture of RH-1, GH-1, RD-1, and GD-1 shown below at a ratio of 25: 75: 7: 5 (weight ratio).
  • a composition dissolved in cyclohexylbenzene was prepared, and this composition was spin-coated in two steps of spinner rotation speed 500 rpm, 2 seconds, and 1500 rpm, 30 seconds on the hole transport layer in a nitrogen atmosphere. Then, a red light emitting layer having a film thickness of 60 nm was formed.
  • the green light-emitting layer material is a mixture of GH-2 shown below and GH-1 and GD-1 described above in a ratio of 25: 75: 5 (weight ratio), and 5.0% by weight of this mixture is dissolved in cyclohexylbenzene.
  • the composition was prepared, and this composition was spin-coated on the hole transport layer in two stages of spinner rotation speed of 500 rpm, 2 seconds, and 1500 rpm for 30 seconds in a nitrogen atmosphere. A 60 nm green light emitting layer was formed.
  • the blue light-emitting layer material was prepared by mixing BH-1 and BD-1 shown below at a ratio of 100 to 10 (weight ratio) and dissolving 3.1% by weight of this mixture in cyclohexylbenzene. This composition was spin-coated in two stages of spinner rotation speed 500 rpm, 2 seconds, and 1500 rpm, 30 seconds on the hole transport layer in a nitrogen atmosphere to form a 35-nm-thick blue light-emitting layer. .
  • GH-2 (Hole relaxation layer deposition) On the obtained light emitting layer, the above-mentioned GH-2 was laminated to a thickness of 10 nm as a hole relaxation layer by vacuum deposition. GH-2 has a ⁇ E / ⁇ H of 0.8 and a hole detection amount of 2.9 ⁇ 10 ⁇ 10 .
  • an aluminum 8-hydroxyquinoline complex ET-1 shown below was laminated as an electron transport layer 7 by a vacuum deposition method so as to have a film thickness of 30 nm.
  • the element that has been vapor-deposited up to the electron transport layer 7 is once taken out from the vacuum vapor deposition apparatus into the atmosphere, and used as a cathode vapor deposition mask with a 2 mm width in a shape orthogonal to the ITO stripe as the anode.
  • a stripe shadow mask is brought into close contact with the element, placed in another vacuum vapor deposition apparatus, and lithium fluoride (LiF) is formed to a thickness of 0.5 nm as the electron injection layer 8 by the same vacuum vapor deposition method as the electron transport layer 7.
  • LiF lithium fluoride
  • aluminum was laminated as the cathode 9 so as to have a film thickness of 80 nm.
  • a sealing process was performed by the method described below.
  • a photocurable resin was applied to the outer periphery of a 23 mm ⁇ 23 mm size glass plate with a width of about 1 mm, and a moisture getter sheet was installed in the center.
  • finished cathode formation was bonded together so that the vapor-deposited surface might oppose a desiccant sheet.
  • coated was irradiated with ultraviolet light, and resin was hardened. Thereby, the organic EL element of each color of red, green, and blue which has a light emission area part of 2 mm x 2 mm size was obtained.
  • Example 2 Red, green and blue organic EL elements were produced in the same manner as in Example 1 except that GH-2 used as the hole relaxation material in Example 1 was changed to RH-1.
  • RH-1 has a ⁇ E / ⁇ H of 0.52 and a hole detection amount of 6.9 ⁇ 10 ⁇ 10 .
  • Example 1 In the same manner as in Example 1, except that the hole relaxation material GH-2 used in Example 1 was changed to the charge transport material BH-1 not corresponding to the hole relaxation material of the present invention, red, Green and blue organic EL elements were prepared.
  • BH-1 has a ⁇ E / ⁇ H of 17.2 and a hole detection amount of 4.5 ⁇ 10 ⁇ 10 .
  • Example 2 In the same manner as in Example 1 except that the hole relaxation material GH-2 used in Example 1 was changed to the hole prevention material HB-1 shown below, organics of red, green and blue colors were used. An EL element was produced.
  • Example 3 In the same manner as in Example 1, except that the hole relaxation material GH-2 used in Example 1 was changed to the hole prevention material HB-2 shown below, organics of red, green, and blue colors were used. An EL element was produced.
  • the organic EL element A of the present invention has a long driving life. Furthermore, since each organic EL element has a long driving life, the organic light emitting device including the organic EL element of the present invention has a long driving life as well.
  • Example 3 Organic EL elements of each color of red, green and blue were produced in the same manner as in Example 1 except that the conditions for forming the light emitting layer in Example 1 were changed as follows.
  • Red light emitting layer A composition in which RH-1, GH-1, RD-1, and GD-1 were mixed at a ratio of 50: 50: 7: 5 (weight ratio) and 5.0% by weight of the mixture was dissolved in cyclohexylbenzene was prepared.
  • a red light emitting layer having a thickness of 60 nm was prepared by spin-coating the composition on the hole transport layer in a nitrogen atmosphere by spin coating in two stages of spinner rotation speed 500 rpm, 2 seconds, and 1500 rpm, 30 seconds. Formed.
  • Green light emitting layer A composition was prepared by mixing GH-2 and the aforementioned GH-1 and GD-1 in a ratio of 50: 50: 5 (weight ratio) and dissolving 5.0% by weight of the mixture in cyclohexylbenzene.
  • the composition was spin-coated on the hole transport layer in two stages of spinner rotation speed 500 rpm, 2 seconds, and 1500 rpm, 30 seconds under a nitrogen atmosphere to form a green light emitting layer having a thickness of 60 nm.
  • Blue light emitting layer BH-1 and BD-1 were mixed at a ratio of 100 to 10 (weight ratio) to prepare a composition in which 3.1% by weight of the mixture was dissolved in cyclohexylbenzene.
  • a 45 nm-thick blue light-emitting layer was formed by spin coating on the hole transport layer in two stages of spinner rotation speed of 500 rpm, 2 seconds, and 1200 rpm for 30 seconds.
  • the organic EL element A of the present invention has a long driving life. Furthermore, since each organic EL element has a long driving life, the organic light emitting device including the organic EL element of the present invention has a long driving life as well.
  • Example 4 In Example 1, it produced similarly to Example 1 except having shown below.
  • Example 1 (Production of ITO substrate) In Example 1, an anode was prepared in the same manner as in Example 3 except that the deposited film thickness of the indium tin oxide (ITO) transparent conductive film was changed from 150 nm to 70 nm on the glass substrate.
  • ITO indium tin oxide
  • the GH-1, GH-2, GD-1 and RD-2 shown below are mixed in a ratio of 75: 25: 10: 0.7 (weight ratio), and this mixture is mixed.
  • spinner rotation speed was 500 rpm, 2 seconds, and 1500 rpm, 120 seconds.
  • the light emitting layer with a film thickness of 60 nm was formed by drying at 130 degreeC for 1 hour.
  • yellow organic EL elements having emission maximums at 522 nm and 611 nm could be produced.
  • ⁇ Luminance half-life> The method for measuring the luminance half-life is performed by observing a change in luminance with a photodiode when a voltage of 2000 nit is applied to the produced yellow organic EL element when a constant DC current is applied during the test. The time (luminance half-life) until the luminance value reached half of the test start, that is, 1000 nit was obtained. The energization test was performed in a room where the room temperature was controlled to 23 ⁇ 1.5 ° C. by air conditioning.
  • the organic EL element C of the present invention has a long driving life.
  • Example 5 The process up to the formation of the hole transport layer was carried out in the same manner as in Example 1. Next, BH-1 and BD-1 were mixed as a first light emitting layer in a ratio of 100 to 10 (weight ratio) on the obtained hole transport layer, and 2.4 wt% of this mixture was mixed with cyclohexylbenzene. A dissolved composition was prepared, and this composition was spin-coated on the hole transport layer in a nitrogen atmosphere by spin coating at two stages of spinner rotation speed 500 rpm, 2 seconds, and 1200 rpm for 30 seconds. Then, the blue light emitting layer with a film thickness of 30 nm was formed by drying at 130 degreeC for 1 hour.
  • GH-2, GD-1 and RD-1 are in a ratio of 100: 10: 0.7 (weight ratio) by vacuum deposition.
  • the vapor deposition was carried out while adjusting the vapor deposition rate to form a yellow light emitting layer having a thickness of 30 nm.
  • GH-2 was formed as a hole relaxation layer
  • ET-1 as an electron transport layer
  • an electron injection layer as an electron injection layer
  • a cathode were formed as in Example 1, followed by sealing treatment.
  • a white organic EL device was obtained.
  • ⁇ Luminance half-life> The method for measuring the luminance half-life is performed by observing a change in luminance with a photodiode when a voltage of 1000 nit when applying a constant DC current is applied to the produced white organic EL element. The time (luminance half-life) until the luminance value reached half of the test start, that is, 500 nit was obtained. The energization test was performed in a room where the room temperature was controlled to 23 ⁇ 1.5 ° C. by air conditioning.
  • the organic EL element D of the present invention has a long driving life.
  • the present invention relates to various fields in which organic EL elements are used, for example, flat panel displays (for example, for OA computers and wall-mounted televisions) and light sources that make use of characteristics as surface light emitters (for example, light sources for copiers, liquid crystals). It can be suitably used in the fields of displays and backlights for measuring instruments), display boards, indicator lamps and the like.
  • flat panel displays for example, for OA computers and wall-mounted televisions
  • light sources that make use of characteristics as surface light emitters (for example, light sources for copiers, liquid crystals). It can be suitably used in the fields of displays and backlights for measuring instruments), display boards, indicator lamps and the like.

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Abstract

 発光層と陰極側の層との界面に正孔を溜めず、高効率及び長寿命の有機EL素子及び有機発光デバイスを提供する。 陽極と陰極との間に発光層を有する有機EL素子であって、 該発光層は、発光材料及び電荷輸送材料を含有し、該発光層の陰極側に隣接して正孔緩和層を有し、該正孔緩和層は、正孔緩和材料を含有し、該正孔緩和材料は、正孔輸送性のユニットと電子輸送性のユニットを有する有機化合物であり、該電荷輸送材料の少なくとも一種と、該正孔緩和材料の少なくとも一種とが同一の有機化合物であることを特徴とする、有機EL素子、及びこれを含有する有機発光デバイス。

Description

有機EL素子及び有機発光デバイス
 本発明は、高効率及び長寿命の有機EL素子及びこれを有する有機発光デバイスに関する。
 有機EL素子の発光効率を上げる目的で、蛍光(一重項励起子による発光)ではなく燐光(三重項励起子による発光)を用いた素子が検討されている。燐光を用いると、蛍光を用いた素子と比べて、効率が3倍程度向上すると考えられており、燐光分子としてユーロピウム錯体、白金錯体等を使用することが報告されている。しかしながら、従来の燐光分子を用いた有機EL素子は、高効率発光ではあるが、駆動安定性の点において実用には不十分であり、高効率かつ長寿命の表示装置の実現は困難であった。
 有機EL素子では、基本的には正孔輸送層と電子輸送層の組み合わせにより発光を得ている。すなわち、陽極から注入された正孔は正孔輸送層を移動し、陰極から注入されて電子輸送層を移動してくる電子と、両層の界面近傍で再結合をし、正孔輸送層及び/又は電子輸送層を励起させて発光させるのがその原理であり、さらに、正孔輸送層と電子輸送層の間に発光層を設けることにより、発光効率を向上させている素子が一般的である。
 燐光の有機EL素子の場合には、その効率と寿命を高めるために、一般的に、発光層の陰極側に正孔防止層が設けられる。これは励起子を発光層内に閉じ込めることで、その効率を上げることができ(特許文献1)、また、ホールによる発光層よりも陰極側の層の劣化を防ぐことができ、その寿命が向上すると考えられるためである。
 また、蛍光発光の有機EL素子の場合には正孔防止層を形成させない方が、輝度特性や寿命低下を防止する場合がある(特許文献2)。また、電圧の観点からも正孔防止層を形成させない方が有利な場合も存在すると考えられる。これらのことから、赤色、緑色及び青色の有機EL素子を有する有機EL表示装置を作製する場合、効果的に長寿命化、高効率化、低電圧化を目指すには、発光が燐光である場合には正孔防止層を用い、発光が蛍光である場合には正孔防止層を用いないことが最適となると考えられている(特許文献3)。
 しかし、このような分け方では、燐光と蛍光が混在する有機EL表示装置を作製する際に、シャドウマスクを用いた真空蒸着法において、それぞれをパターニングする必要性が出てくる。シャドウマスクによる蒸着は、基板の大画面に伴い、対応するメタルマスクの拡大には、パターン精度の不足とパターン位置精度の不足等の問題点が生じる(特許文献4)。また、パターニングする際には、発生するパーティクルによる歩留まりの低下や、それによるコストの増大等の問題点が考えられる。このように、シャドウマスクを用いた真空蒸着では、量産や大型化が不利になるという問題点がある。
 このことを踏まえ高効率化、長寿命化を目指す場合には、同一材料からなる正孔防止層を各々の発光層の陰極側に隣接する位置へ蒸着、積層することが有利になると考えられる。
 ところで、これまで知られている一般的な正孔防止層にはBCP(2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン)やBAlq(アルミニウム(III)ビス(2-メチル-8-キノリネート)-4-フェニルフェノレート)などの正孔防止材料が用いられる。BCPは燐光の有機EL素子に適用した時に非常に良好な効率を得ることを可能にする(非特許文献1)が、BCPを含む有機EL素子の寿命はかなり制限されるという不都合を伴う。T.ツツイ(Tsutusi)等(非特許文献2)は、BCPの低い安定性の理由を、乏しい寿命によると指摘しており、これは、これらのデバイスを、高品質なディスプレイにおいて用いることができないことを意味する。また、BAlqはデバイスの安定性及び寿命を有意に改善することを可能にしたが、BAlqを含むデバイスの量子効率がBCPに比べて約40%低いという問題がある(非特許文献3)。クォン(Kwong)等(非特許文献4)はトリス(フェニルピリジン)イリジウム(III)を用いて、100cd/mで10,000時間の寿命を達成した。しかしながら、このデバイスは、わずか19cd/Aの効率しか示さないことから、BAlqは良好な寿命を得ることができるが、得られる効率が低いため、満足のいく正孔防止材料ではない。
 また、正孔防止層は「広い意味では電子輸送層であり、・・・電子を輸送しつつ正孔を阻止することで・・・」(特許文献5)と定義されている。しかしながら、正孔防止層として電子輸送性の材料を用いることにより、発光層と正孔防止層の界面に正孔が溜まることになる。このように、層界面に正孔を溜めることは素子劣化の原因の1つになると考えられる。
 この点、例えば特許文献6では、発光層に隣接する電子輸送層の材料として正孔輸送能を保有する材料を使用し、正孔の蓄積による電圧上昇を緩和する方法が提案されている。
 しかしながら、十分な正孔緩和効果が得られないという問題があった。更には、この発明の適用範囲が燐光型の発光素子のみに限定される点など、現実的に実用に耐えうる技術とは言い難かった。
 そのため、正孔防止層に代わり励起子の拡散を防ぎ、蛍光発光材料及び燐光発光材料に適用でき、高効率化、長寿命化ができる蒸着可能な新たな層が必要となる。
特開2001-284056号公報 特開2006-156848号公報 特開2005-158668号公報 特開2003-077660号公報 特開2005-044790号公報 国際公開2005/076669号パンフレット
Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 442 Japanese J. Appl. Phys. 1999, 38, L1502 Proc. SPIE 2001, 4105, 175 Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 162
 本発明は、発光層の陰極側に隣接する層と発光層との界面に正孔を溜めず、高効率及び長寿命の有機EL素子、及びこれを有する有機発光デバイスを提供することを課題とする。
 本発明はまた、陽極と陰極との間に、発光層を有する有機EL素子において、該発光層は、2種以上の発光材料を含有し、発光層の陰極側に隣接する層を有し、かつ発光層との界面に正孔を溜めず、高効率及び長寿命の有機EL素子、及びこれを有する有機発光デバイスを提供することを課題とする。
 さらに、本発明は、陽極と陰極との間に、発光層を有する有機EL素子において、該発光層が2層以上からなり、最も陰極側に設けられた発光層の陰極側に隣接する層を有し、かつ発光層との界面に正孔を溜めず、高効率及び長寿命の有機EL素子、及びこれを有する有機発光デバイスを提供することを課題とする。
 最後に、本発明は、陽極と陰極との間に発光層を有する有機EL素子において、該発光層が、電荷輸送材料を含有し、該電荷輸送材料の、電界強度160kV/cmでの正孔検出量が2.5×10-10~1×10-8であり、また、該発光層の陰極側に隣接する層を有し、かつ発光層との界面に正孔を溜めず、高効率及び長寿命の有機EL素子、及びこれを有する有機発光デバイスを提供することを課題とする。
 本発明者らが鋭意検討した結果、特許文献6の、正孔緩和効果が小さいのは、使用される材料が従来の有機EL素子と同様、発光層に使用されている電荷輸送材料とは異なる材料であり、この為、発光層と電子輸送層とが異なる有機材料同士の接合(ヘテロ接合)となり、電子注入及び正孔の緩和に対する障壁が大きくなるためであることを見出した。
 上記知見を基に、更なる検討をした結果、発光層に発光材料及び電荷輸送材料を含有させ、発光層の陰極側に隣接する層に、正孔輸送性のユニットと電子輸送性のユニットとを有する有機化合物を含む正孔緩和層を設け、かつ該電荷輸送材料と正孔緩和材料とを同一の有機化合物とすることにより、得られる有機EL素子は高効率及び長寿命が達成できることを見出し、本発明を完成した。
 すなわち、本発明は、陽極と陰極との間に発光層を有する有機EL素子であって、
 該発光層は、発光材料及び電荷輸送材料を含有し、
 該発光層の陰極側に隣接して正孔緩和層を有し、
 該正孔緩和層は、正孔緩和材料を含有し、
 該正孔緩和材料は、正孔輸送性のユニットと電子輸送性のユニットを有する有機化合物であり、該電荷輸送材料の少なくとも一種と、該正孔緩和材料の少なくとも一種とが同一の有機化合物であることを特徴とする、有機EL素子(以下、「有機EL素子A」と称する場合がある)を提供するものである。
 また、本発明は、赤色、緑色及び青色の有機EL素子を有する有機EL発光デバイスであって、
 赤色、緑色及び青色の有機EL素子のうち、少なくとも一つが、有機EL素子Aであることを特徴とする、有機発光デバイスを提供するものである。
 また、本発明は、有機EL素子Aにおいて、
 前記電荷輸送材料の、電界強度160kV/cmでの正孔検出量が2.5×10-10~1×10-8であることを特徴とする、有機EL素子(以下、「有機EL素子B」と称する場合がある)、並びに該有機EL素子Bを有する有機発光デバイスを提供するものである。
 また、本発明は、有機EL素子Aにおいて、該発光層が、2種以上の発光材料を含有することを特徴とする、有機EL素子(以下、「有機EL素子C」と称する場合がある)、並びに該有機EL素子Cを有する有機EL表示装置及び有機EL照明を提供するものである。
 さらに、本発明は、有機EL素子Aにおいて、
 該発光層が各々異なる発光材料を含有する2層以上からなることを特徴とする、有機EL素子(以下、「有機EL素子D」と称する場合がある)、並びに該有機EL素子Dを有する有機EL表示装置及び有機EL照明を提供するものである。
 尚、「本発明の有機EL素子」と称した場合には、「有機EL素子A」、「有機EL素子B」、「有機EL素子C」及び「有機EL素子D」の全てを示すものとする。
 また、本発明における「有機発光デバイス」とは、「有機EL表示装置」及び「有機EL照明」の双方を示すものとする。
 本発明の有機発光デバイスは、赤色、緑色及び青色のいずれの素子においても、安定して長寿命化し、また電圧の上昇を抑制することができる。
 また、本発明の有機EL素子は、電圧の上昇がし難く、また駆動寿命が長い。
 本発明の有機EL素子C及びDの場合、特に、白色発光する場合の駆動寿命が長いものとすることができる。
本発明の有機EL表示装置の断面図例を示す。 本発明の有機EL素子Dの断面図例を示す。 本発明における電荷移動度測定用素子の断面図例を示す。
 以下に記載する構成要件の説明は、本発明の実施態様の一例(代表例)であり、これらの内容に限定はされない。
<有機EL素子A>
 本発明の有機EL素子Aは、陽極と陰極の間に発光層を有する有機EL素子であって、該発光層が発光材料及び電荷輸送材料を含有し、該発光層の陰極側に隣接して正孔緩和層を有し、該正孔緩和層は、正孔緩和材料を含有し、該正孔緩和材料が、正孔輸送性のユニットと電子輸送性のユニットとを有する有機化合物であり、該電荷輸送材料の少なくとも一種と該正孔緩和材料の少なくとも一種とが同一の有機化合物であることを特徴とする。
 本発明の正孔緩和層を用いることにより、赤色、緑色及び青色のいずれの素子においても、安定して長寿命化し、また電圧の上昇を抑制することができる。
 これまで、正孔緩和層を積層する位置(発光層の陰極側に隣接して形成する層)には正孔防止層が積層されていた。この正孔防止層の一般的な定義は、「広い意味では電子輸送層であり、・・・電子を輸送しつつ正孔を阻止することで・・・」とある(特許文献5)。このように、正孔防止層として電子輸送性の材料を用いることにより、発光層と正孔防止層の界面に正孔が溜まることになると考えられる。しかしながら、層界面に正孔を溜めることは劣化の原因の1つになると考えられる。
 これに対して、正孔緩和層の正孔緩和材料には正孔輸送性のユニットと電子輸送性のユニットとを有する有機化合物を使用するため、蓄積するはずの正孔は正孔輸送ユニットへと輸送されていくと考えられる。これにより、正孔の蓄積による発光層材料の劣化が低減するものと考えられる。
 また、本発明においては、電荷輸送材料の少なくとも一種と正孔緩和材料の少なくとも一種とを同一の有機化合物とすることにより、発光層と正孔緩和層との間のヘテロ接合の形成に伴う電荷注入障壁の生成を緩和し、正孔がより流れ易くなるものと考えられる。
 従って、本発明の有機EL素子は、特定の構造を有する有機化合物を含有する正孔緩和層を設け、かつ発光層中の電荷輸送材料と正孔緩和層中の正孔緩和材料として同一の有機化合物を用いることにより、正孔の蓄積による発光層材料の劣化が低減し、長寿命化するとともに電圧の上昇が抑制されるものと考えられる。
<正孔緩和層>
 まず、正孔緩和層について説明する。正孔緩和層は、発光層の陰極側に隣接して形成される層であり、発光層と正孔緩和層界面への正孔の蓄積を緩和する働きをする層である。また、電子を効率よく発光層の方向へ輸送する役割も有する。
 正孔緩和層のイオン化ポテンシャルは通常5.5eV以上、好ましくは5.6eV以上、より好ましくは5.7eV以上、また通常6.7eV以下、好ましくは6.4eV以下、より好ましくは6.0eV以下である。このイオン化ポテンシャルの値が大きすぎても、小さすぎても正孔を発光層と正孔緩和層の界面に留めてしまう可能性がある。
 イオン化ポテンシャル(Ip)はイオン化ポテンシャル測定装置PCR-101(Optel製)により測定することができる。
 正孔緩和層の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、好ましくは0.3nm以上、より好ましくは0.5nm以上であり、好ましくは100nm以下、より好ましくは50nm以下である。膜厚が薄すぎると、薄膜に欠陥が発生する可能性があり、厚すぎれば、駆動電圧が高くなる可能性がある。
 正孔緩和層は蒸着成膜法によって形成するのが好ましい。ここで蒸着成膜法としては、真空蒸着法、レーザー転写法、抵抗加熱法、電子ビーム法、PVD(物理蒸着)、又はCVD(化学蒸着)が好ましく、中でも真空蒸着法がより好ましい。
 正孔緩和層の陰極側には通常隣接して電子輸送層が形成されるが、正孔緩和層と電子輸送層のイオン化ポテンシャルの差は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常0.5eV未満、好ましくは0.3eV未満、より好ましくは0.2eV未満である。イオン化ポテンシャルの差が大きすぎると正孔が正孔緩和層内に溜まり劣化の原因となる可能性がある。
 本発明において、正孔緩和層は、正孔緩和材料を含有する。該正孔緩和層における正孔緩和材料の含有割合は、0.1~100重量%が好ましく、10~100重量%がより好ましい。
 本発明において、正孔緩和層には、正孔緩和材料として、正孔輸送性のユニットと電子輸送性のユニットとを有する有機化合物が用いられる。ここで正孔輸送性のユニット(正孔輸送ユニット)とは、正孔に対する耐久性に優れており、正孔輸送特性を有する構造(ユニット)である。
 また、電子輸送性のユニット(電子輸送ユニット)とは、電子に対する耐久性に優れており、電子輸送特性を有する構造(ユニット)である。
 本発明における正孔緩和材料の正孔移動度μは、下記の電荷移動度の測定方法で、通常1×10-6cm-2/V・s以上、好ましくは1×10-4cm-2/V・s以上、より好ましくは1×10-3cm-2/V・s以上である。
 正孔移動度は、速ければ速い程、素子とした場合の駆動電圧が低下できる為、上限値は特にはないが、通常1×10-1cm-2/V・s以下である。
 また、電子移動度μは、下記の電荷移動度の測定方法で通常1×10-6cm-2/V・s以上、好ましくは1×10-5cm-2/V・s、より好ましくは1×10-4cm-2/V・s以上である。
 電子移動度は、速ければ速い程、素子とした場合の駆動電圧が低下できる為、上限値は特にはないが、通常1×10-1cm-2/V・s以下である。
 上記範囲内であると、層内における電荷の滞在時間が短く、正孔や電子によって層が劣化され難いため好ましい。
 また、正孔緩和材料の電子移動度と正孔移動度との比率(μ/μ)は、通常100~0.1、好ましくは50~0.5、より好ましくは10~0.5の範囲である。
 この比率(μ/μ)が、上記範囲内であると、正孔や電子が発光層から他の層へ流れ難いため、正孔や電子による素子の劣化が生じ難く、得られる素子の駆動寿命が長い点で好ましい。
<電荷移動度の測定方法>
 本発明における各化合物の電荷移動度は、下記の電荷移動度測定用素子を作成し、該電荷移動度測定用素子を用いて、[電荷移動度の測定]の項に記載の方法で測定する。
[電荷移動度測定用素子の作成]
 図3に示す電荷移動度測定用素子(以下、単に「測定用素子」と称する場合がある)を作成して、これを用いて測定を行う。
 測定用素子は、例えば以下の方法で作成する。
 まず、ガラス基板1上に、インジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜を例えば150nmの厚さで成膜したもの(スパッタ成膜品、シート抵抗15Ω)を通常のフォトリソグラフィ技術により2mm幅のストライプにパターニングして陽極2を形成する。陽極を形成した基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄等の処理を行う。
 処理後の基板上に、測定する材料(以下、「測定材料」と称する)を用いて、湿式成膜法又は真空蒸着法にて、例えば、1.5~2μmの膜厚になるように、サンプル層10を成膜する。
 測定材料は、有機溶剤に例えば2wt%程度溶解するものであれば、湿式成膜法、特にスピンコート法により成膜する。
 有機溶剤としては、測定材料を溶解するものであれば特に制限はないが、入手が容易で、安価であるという点で、例えば、クロロホルム、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレンなどを用いる。
 スピンコート法で成膜する場合、例えば、下記の通り測定用の組成物を調製し、下記のスピンコート条件で成膜し、次いで加熱することにより測定材料からなる膜を形成する。
<測定用の組成物>
    溶媒         クロロホルム
    組成物濃度      8.6wt%
<スピンコート条件>
    スピナ回転数     300rpm
    スピナ回転時間    30秒
    スピンコート雰囲気  大気雰囲気下
    ベーク条件      真空中 130℃ 1時間
 また、上記スピンコート法で成膜が難しい場合、真空蒸着法にてサンプル層を形成してもよい。
 真空蒸着法としては、スクロールポンプにより装置の粗排気を行った後、装置内の真空度が、例えば8.0×10-4Pa以下になるまでターボ分子ポンプを用いて排気し、蒸着時の真空度は0.4~0.8×10-4Pa、蒸着速度は1~2Å/秒の範囲で制御し、基板上にサンプル層を形成する。
 次いで、上記の通りサンプル層を形成した基板を蒸着装置に搬入し、スクロールポンプにより装置の粗排気を行う。その後、装置内の真空度が、例えば8.0×10-4Pa以下になるまでターボ分子ポンプを用いて排気し、金とアルミニウムを順次真空蒸着法によって積層し陰極を形成する。
 金の蒸着時の真空度は、例えば0.8~3×10-3Pa、蒸着速度は0.2~0.5Å/秒の範囲で制御し、例えば膜厚10nmの膜をサンプル層の上に積層する。次いで、アルミニウムの蒸着時の真空度は、例えば0.5~2.5×10-3Pa、蒸着速度は0.2~5.0Å/秒の範囲で制御し、例えば膜厚80nmの膜をサンプル層の上に積層して陰極を得る。
 引き続き、測定用素子が保管中に大気中の水分等で劣化することを防ぐため、以下に記載の方法で封止処理を行う。真空蒸着装置に連結された窒素グローブボックス中で、例えば、23mm×23mmサイズのガラス板の外周部に、約1mmの幅で光硬化性樹脂30Y-437(スリーボンド社製)を塗布し、中央部に水分ゲッターシート(ダイニック社製)を設置する。この上に、測定用素子を、陰極が蒸着された面が乾燥剤シートと対向するように貼り合わせる。その後、光硬化性樹脂が塗布された領域のみに紫外光を照射し、樹脂を硬化させる。以上の様にして、2mm×2mmのサイズの素子面積を有する測定用素子を作製する。
[電荷移動度の測定]
 電荷移動度の測定方法としては、飛行時間測定法(ToF法)を用いて測定する。測定用素子のITO層側が高電位となるように電界強度E(V/cm)をかける。次に、測定用素子面のITO層に、Nd:YAGナノ秒パルスレーザーを用いて、第三高調波である355nmの波長の光を短時間照射する。そのとき発生する過渡光電流を検出し、その屈曲点を飛行時間ttr(s)とする。この飛行時間ttrと電界強度E(=V/d,V:測定用素子の陽極と陰極間の電位差、d:測定用素子のサンプル層の膜厚)から、次式を用いることにより、電荷移動度μを算出する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000004
 複数の電界強度で測定を行い、得られた電荷移動度μと電界強度Eと、Poole-Frenkelの式
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000005
を用いて、電界強度が160kV/cmに置ける電荷移動度を算出する。
 本発明で用いる正孔緩和材料は、正孔輸送ユニット1個以上と電子輸送ユニット1個以上とを任意の割合で組み合わせた構造を有する有機化合物である。
 本発明における正孔輸送ユニットとは、正孔に対する耐久性が優れており、正孔輸送性を有する構造(ユニット)である。より具体的には、発光層から正孔を取り出し易いイオン化ポテンシャルを有し、また正孔に安定であるユニットである。
 発光層から正孔を取り出し易いイオン化ポテンシャルとは、通常5.4~6.3eV、好ましくは5.5~6.2eV、より好ましくは5.6~6.1eVである。
 また、正孔に安定であるとは、正孔輸送ユニットが、ラジカル状態になっても分解され難いということである。これは、ラジカルカチオンが非局在化されることにより、ラジカル状態でも安定化するということである。
 上記の様な性能を有するユニットの構造としては、sp3軌道を有するヘテロ原子を含む構造、又は、炭素数が4n系の芳香族縮合環が挙げられる。
 より具体的には、カルバゾール環、フタロシアニン環、ナフタロシアニン構造、ポルフィリン構造、トリアリールアミン構造、トリアリールホスフィン構造、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、ピレン環、フェニレンジアミン構造、ピロール環、ベンジジン構造、アニリン構造、ジアリールアミン構造、イミダゾリジノン構造、ピラゾール環等が挙げられる。
 この中でも好ましくは、カルバゾール環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、ピレン環、又はトリアリールアミン構造であり、より好ましくはカルバゾール環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、又はピレン環であり、特に好ましくは、カルバゾール環、又はピレン環であり、最も好ましくはカルバゾール環である。
 本発明における電子輸送ユニットとは、電子に対する耐久性に優れており、電子輸送特性を有する構造(ユニット)である。より具体的には、ユニットに電子が入り易く、また入った電子を安定化し易いユニットである。例えばピリジン環等は窒素原子のために環が僅かに電子不足であり、電子を受け取りやすく、環に入った電子は非局在化されることにより、ピリジン環上で安定化する。
 上記の様な性能を有するユニットの構造としては、sp2混成軌道からなるヘテロ原子を含む単環又は縮合環が挙げられる。
 より具体的には、キノリン環、キナゾリン環、キノキサリン環、フェナントロリン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環、トリアジン環、チアジアゾール環、ベンゾチアジアゾール環、キノリノール金属錯体、フェナントロリン金属錯体、ヘキサアザトリフェニレン構造、テトラシアルベンゾキノリン構造等が挙げられる。
 この中でも好ましくは、キノリン環、キナゾリン環、キノキサリン環、フェナントロリン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環、又はトリアジン環が挙げられ、中でも電気的安定性に優れる点でキノリン環、キナゾリン環、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環、又は1,10-フェナントロリン環が特に好ましい。
 尚、上記電子輸送ユニットが、窒素原子を含む6員環の単環又は縮合環である場合、窒素原子に対して、o-位及びp-位が全て芳香族環で置換されているのが好ましい。
 これは、窒素原子を含む6員環のo-位及びp-位は、活性部位であり、ここが芳香族環基によって置換されることで電子が非局在化する。このことで、電子により安定となる。
 つまり、本発明における正孔緩和材料は、電気的酸化還元に対する耐久性が優れたものとなる。
 尚、上記電子輸送ユニットが縮合環である場合は、窒素原子のo-位及びp-位のうち、縮合環の一部を形成していない部位が、芳香族環基で置換されていればよい。
 正孔緩和材料としては、下記(a)群(正孔輸送ユニット)に挙げられる環の誘導体と下記(b)群(電子輸送ユニット)に挙げられる環の誘導体の組み合わせを有する有機化合物がより好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
(但し、上記(b)群に含まれる環はいずれも、窒素原子に対して、o-位及びp-位が全て芳香族環で置換されている。)
 前記(b)群中の、窒素原子に対して、同一環状の2,4,6位の炭素原子上の水素原子が置換されている芳香族環基は、特に制限はない。つまり、芳香族炭化水素基であっても、芳香族複素環基であってもよいが、電気的酸化に対して優れた耐久性を有する点で、芳香族炭化水素基であることが好ましい。
 正孔緩和材料としては、例えば下記一般式(1)で表される構造を有する化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
(一般式(1)中、
 Aは各々独立に炭素数1~30の正孔輸送ユニットを示し、
 Bは各々独立に炭素数1~30の電子輸送ユニットを示し、
 Lは炭素数1~10のアルキレン基、炭素数2~10のアルケニレン基、又は炭素数6~30の2価の芳香族炭化水素基を示し、
 これらは置換基を有していてもよい。
 n及びmは1~4の整数を示し、lは0~3の整数を示す。
 一般式(1)において、l、m、nが2以上の場合、複数含まれるL、A、Bは、各々、同じでもよく、また異なっていてもよい。)
 正孔輸送ユニットA及び電子輸送ユニットBとしては、前述したものが挙げられる。具体例及び好ましい態様も同様である。
 式(1)中、Lは炭素数1~10のアルキレン基、炭素数2~10のアルケニレン基又は炭素数6~30の2価の芳香族炭化水素基を示す。
 炭素数1~10のアルキレン基としては、炭素数1~8のアルキレン基が好ましく、その具体的な例としては、メチレン基、1,2-エチレン基、1,3-プロピレン基、1,4-ブチレン基、1,5-ペンチレン基、1,8-オクチレン基等が挙げられ、合成が簡便であるという点で、好ましくはメチレン基、又は1,2-エチレン基である。
 また、炭素数2~10のアルケニレン基としては炭素数2~6のアルケニレン基が好ましく、その具体的な例としては、1,2-ビニレン基、1,3-プロペニレン基、1,2-プロペニレン基、1,4-ブテニレン基等が挙げられ、さらに、分子の平面性が向上することで共役面が広がって、電荷をより非局在化することで化合物の安定性が向上する点で、好ましくはビニレン基である。
 また、炭素数6~30の2価の芳香族炭化水素基としては、単環及び2~5縮合環、又はこれらが複数個連結してなる2価の基が挙げられる。ここで、該複数個とは、環の安定性が高い点で、通常2~8個、好ましくは2~5個である。
 該2価の芳香族炭化水素基の具体的な例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、アントラセン環、トリフェニレン環、クリセン環、ナフタセン環、ペリレン環、コロネン環等由来の2価の芳香族炭化水素基が挙げられ、環の安定性が高い点で、好ましくは、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、又はトリフェニレン環由来の2価の基である。
 さらに、炭素数6~30の2価の芳香族炭化水素基として、単環及び2~5縮合環が複数個連結してなる2価の基の好ましい具体例を、以下構造式S1~S15で表すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
 また、Lは置換基を有していてもよいが、電子に対する安定性が向上し、分子の結晶性を低下させることで膜の安定性が向上する点で、無置換であることが特に好ましい。また、置換基を有する場合は、化合物の電気的安定性が向上するなどの点で好ましい。
 置換基の具体例としては、炭素数1~20のアルキル基、炭素数6~25の芳香族炭化水素基、炭素数3~20の芳香族複素環基、炭素数1~20のアルキルオキシ基、炭素数3~20の(ヘテロ)アリールオキシ基、炭素数1~20のアルキルチオ基、炭素数3~20の(ヘテロ)アリールチオ基、又はシアノ基が挙げられる。このうちアルキル基は化合物の安定性の面から好ましい。
 炭素数1~20のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、iso-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、シクロヘキシル基、デシル基、オクタデシル基等が挙げられる。好ましくは、メチル基、エチル基、又はイソプロピル基である。メチル基、又はエチル基が原料の入手しやすさ、安価さなどからより好ましい。
 炭素数6~25の芳香族炭化水素基の例としては、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基などのナフチル基、9-フェナンチル基、3-フェナンチル基などのフェナンチル基、1-アントリル基、2-アントリル基、9-アントリル基などのアントリル基、1-ナフタセニル基、2-ナフタセニル基などのナフタセニル基、1-クリセニル基、2-クリセニル基、3-クリセニル基、4-クリセニル基、5-クリセニル基、6-クリセニル基などのクリセニル基、1-ピレニル基などのピレニル基、1-トリフェニレニル基などのトリフェニレニル基、1-コロネニル基などのコロネニル基、4-ビフェニル基、3-ビフェニル基のビフェニル基等があげられ、化合物の安定性の面からフェニル基、2-ナフチル基、又は3-ビフェニル基が好ましく、フェニル基が化合物の精製のし易さから特に好ましい。
 炭素数3~20の芳香族複素環基の例としては、2-チエニル基などのチエニル基、2-フリル基などのフリル基、2-イミダゾリル基などのイミダゾリル基、9-カルバゾリル基などのカルバゾリル基、2-ピリジル基などのピリジル基、1,3,5-トリアジン-2-イル基などのトリアジニル基等が挙げられる。中でもカルバゾリル基、特に9-カルバゾリル基が安定性の面から好ましい。
 炭素数1~20のアルキルオキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、イソプロピルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、オクタデシルオキシ基等が挙げられる。
 炭素数3~20の(ヘテロ)アリールオキシ基の例としては、フェノキシ基、1-ナフチルオキシ基、9-アントラニルオキシ基、2-チエニルオキシ基等が挙げられる。
 炭素数1~20のアルキルチオ基の例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、イソプロピルチオ基、シクロヘキシルチオ基等が挙げられる。
 炭素数3~20の(ヘテロ)アリールチオ基の例としては、フェニルチオ基、1-ナフチルチオ基、9-アントラニルチオ基、2-チエニルチオ基等が挙げられる。
 また正孔緩和材料としては、一般式(2)又は(3)で表される構造を有する化合物が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
(一般式(2)及び一般式(3)中、
 Aは各々独立に炭素数1~30の正孔輸送ユニットを示し、
 Bは各々独立に炭素数1~30の電子輸送ユニットを示し、
 Lは炭素数1~10のアルキレン基、炭素数2~10のアルケニレン基、又は炭素数6~30の2価の芳香族炭化水素基を示し、
 これらは置換基を有していてもよい。x及びyは1~4の整数を示す。
 一般式(2)においてxが2以上の整数の場合、L-Aは同一であってもよく、また異なってもよい。
 一般式(3)においてyが2以上の整数の場合、L-Bは同一であってもよく、また異なってもよい。)
 一般式(2)及び(3)中の、正孔輸送ユニットA及び電子輸送ユニットBは、前述したものが挙げられる。具体例及び好ましい態様も同様である。
 一般式(2)及び(3)中のLで示されるアルキレン基、アルケニレン基、及び2価の芳香族炭化水素基は、前記一般式(1)と同じものが挙げられる。
 次に、正孔緩和材料として好ましく用いられる化合物を列挙する。これらは、正孔緩和層に単独で含有させてもよく、2種以上を組み合わせて含有させてもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
 正孔緩和材料として用いられる有機化合物の分子量は、通常10000以下、好ましくは5000以下、より好ましくは4000以下、さらに好ましくは3000以下、また、通常100以上、好ましくは200以上、より好ましくは300以上、さらに好ましくは400以上の範囲である。
 上記範囲内であると、耐熱性が良好で、ガス発生の原因となりにくく、また精製が容易で、高純度化し易い点で好ましい。
<発光層>
 正孔注入層の上、又は正孔輸送層を設けた場合には正孔輸送層の上には発光層が設けられる。発光層は、電界を与えられた電極間において、陽極から注入された正孔と、陰極から注入された電子との再結合により励起されて、主たる発光源となる層である。
<発光層の材料>
 本発明における発光層は、その構成材料として、少なくとも、発光の性質を有する材料(発光材料)を含有するとともに、電荷輸送材料を含有する。発光材料をドーパント材料として使用し、電荷輸送材料をホスト材料として使用してもよい。ここで、電荷輸送材料としては正孔輸送の性質を有する化合物(正孔輸送性化合物)及び、電子輸送の性質を有する化合物(電子輸送性化合物)が挙げられる。
 本発明の発光層における電荷輸送材料の含有割合は、0.1重量%以上、100重量%以下が好ましく、5重量%以上、95重量%以下がより好ましい。
(発光材料)
 発光材料としては、赤色、緑色、青色の中でも、最低1色が燐光であることが好ましく、緑色、赤色が燐光であることがさらに好ましく、赤色が燐光であることが特に好ましい。
 なお、溶剤への溶解性を向上させる目的で、発光材料の分子の対称性や剛性を低下させたり、或いはアルキル基などの親油性置換基を導入したりすることが好ましい。
 本発明の発光材料には、蛍光発光材料及び/又は燐光発光材料を用いることができる。
 蛍光発光材料のうち蛍光色素の例を挙げるが、蛍光色素は以下の例示物に限定されるものではない。
 青色発光を与える蛍光色素(青色蛍光色素)としては、例えば、ナフタレン、クリセン、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリン、p-ビス(2-フェニルエテニル)ベンゼン及びそれらの誘導体等が挙げられる。
 緑色発光を与える蛍光色素(緑色蛍光色素)としては、例えば、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、Al(C96NO)3などのアルミニウム錯体等が挙げられる。
 黄色発光を与える蛍光色素(黄色蛍光色素)としては、例えば、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。
 赤色発光を与える蛍光色素(赤色蛍光色素)としては、例えば、DCM(4-(ジシアノメチレン)-2-メチル-6-(p-ジメチルアミノスチレン)-4H-ピラン)系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。
 燐光発光材料としては、例えば、長周期型周期表(以下、特に断り書きの無い限り「周期表」という場合には、長周期型周期表を指すものとする。)第7~11族から選ばれる金属を含む有機金属錯体が挙げられる。
 周期表第7~11族から選ばれる金属として、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金等が挙げられる。
 錯体の配位子としては、(ヘテロ)アリールピリジン配位子、(ヘテロ)アリールピラゾール配位子などの(ヘテロ)アリール基とピリジン、ピラゾール、フェナントロリンなどが連結した配位子が好ましく、特にフェニルピリジン配位子、又はフェニルピラゾール配位子が好ましい。ここで、(ヘテロ)アリールとは、アリール基又はヘテロアリール基を表す。
 燐光発光材料として、具体的には、トリス(2-フェニルピリジン)イリジウム、トリス{2-(4-n-プロピルフェニル)ピリジン}イリジウム、トリス{2-(4-n-ブチルフェニル)イソキノリン}イリジウム、トリス{2-(4-n-ヘキシルフェニル)ピリジン}イリジウム、トリス{2-(4-n-ヘキシルフェニル)イソキノリン}イリジウム、トリス[5-メチル-{3-(4'-n-ヘキシルフェニル)フェニル}ピリジン]イリジウム、トリス(2-フェニルピリジン)ルテニウム、トリス(2-フェニルピリジン)パラジウム、ビス(2-フェニルピリジン)白金、トリス(2-フェニルピリジン)オスミウム、トリス(2-フェニルピリジン)レニウム、オクタエチル白金ポルフィリン、オクタフェニル白金ポルフィリン、オクタエチルパラジウムポルフィリン、オクタフェニルパラジウムポルフィリン、又はこれらの誘導体が挙げられる。
 発光材料として用いる化合物の分子量は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常10000以下、好ましくは5000以下、より好ましくは4000以下、さらに好ましくは3000以下、また、通常100以上、好ましくは200以上、より好ましくは300以上、さらに好ましくは400以上の範囲である。発光材料の分子量が小さ過ぎると、耐熱性が著しく低下したり、ガス発生の原因となったり、膜を形成した際の膜質の低下を招いたり、或いはマイグレーションなどによる有機EL素子のモルフォロジー変化を来したりする場合がある。一方、発光材料の分子量が大き過ぎると、有機化合物の精製が困難となってしまったり、溶剤に溶解させる際に時間を要したりする傾向がある。
 なお、上述した発光材料は、いずれか1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
 発光層における発光材料の割合は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常0.05重量%以上、通常35重量%以下である。発光材料が少なすぎると発光ムラを生じる可能性があり、多すぎると発光効率が低下する可能性がある。なお、2種以上の発光材料を併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにする。
(電荷輸送材料)
 電荷輸送材料としては、正孔輸送性化合物及び電子輸送性化合物が挙げられる。本発明においては、発光層中に含まれる該電荷輸送材料の少なくとも一種と、前記正孔緩和材料の少なくとも一種とが同一の有機化合物である。すなわち、本発明の発光層には、前記の正孔緩和材料と同じ有機化合物を電荷輸送材料の一つとして含有させる。
 本発明の発光層には、前記の正孔緩和材料と同じ有機化合物を電荷輸送材料として0.1~100重量%含有させるのが好ましく、5~95重量%含有させるのがより好ましい。
 すなわち、電荷輸送材料としては、前記の正孔緩和材料として用いられる有機化合物を全て用いることができる。すなわち、前記の電子移動度と正孔移動度を有する化合物が用いられ、前記一般式(1)で表される化合物が好ましく、一般式(2)又は(3)で表される化合物がより好ましい。
 本発明の構成においては、正孔検出量が多い電荷輸送材料を用いることが可能である。ここでいう正孔検出量は、ToFの測定で確認される発光層の陰極界面まで到達する正孔量である。測定は、前記〈電荷移動度の測定方法〉の項で記載のToF測定において得られた波形から検出電荷量を算出し、これをキャリア検出数とした。この際、パルス光のエネルギーが約20μJになるように設定して測定を行った。これにより、正孔と電子の各電荷の検出総量を求め、その比を取ることで検出されるキャリア数の比を求めた。より具体的には、電荷輸送材料の、電界強度160kV/cmにおける正孔検出量が、通常2.5×10-10以上、さらに3.0×10-10以上、よりさらに3.5×10-10以上のものを用いるのが好ましく、2.5~10-10~1×10-8のものを用いるのがさらに好ましい(有機EL素子B)。
 つまり、上記正孔検出量が大きい電荷輸送性化合物には、正孔を防止することで、発光層とその陰極側の界面に隣接する層との界面に正孔が滞留し易く、界面付近での材料が劣化し、素子の駆動寿命が短くなるという問題が顕著であった為、従来用いられていた正孔防止材料の適用が難しかった。しかしながら、本発明の構成とすることで、上記正孔検出量を有する電荷輸送材料を用いても、駆動寿命が長い素子を得ることが可能となる。
 また、本発明の構成においては、正孔移動度が大きい電荷輸送材料を用いることが可能である。
 より具体的には、電荷輸送材料の、160kV/cmにおける正孔移動度が、通常1×10-6cm-2/V・s以上、さらに1×10-5cm-2/V・s以上、よりさらに1×10-4cm-2/V・s以上のものも適用が可能である。
 つまり、上記正孔移動度が大きい電荷輸送材料には、正孔を防止することで、発光層とその陰極側の界面に隣接する層との界面に正孔が滞留し易く、界面付近の材料が劣化し、素子の駆動寿命が短くなるという問題が顕著であった為、従来用いられていた正孔防止材料の適用が難しかった。しかしながら、本発明の構成とすることで、上記正孔移動度を有する電荷輸送材料を用いても、駆動寿命が長い素子を得ることが可能となる。
 尚、160kV/cmにおける正孔移動度の測定は、前記<電荷移動度の測定方法>の項で記載の方法で測定した値である。
 また2種以上の電荷輸送材料を使用する際、正孔検出量又は正孔移動度は、電荷輸送材料の内、イオン化ポテンシャルが発光層の陽極側に隣接する層のイオン化ポテンシャルにより近い電荷輸送材料の正孔検出量又は正孔移動度の値である。
 前記の正孔検出量が多い又は正孔移動度が大きい電荷輸送材料としては、前記の正孔緩和材料のうち、
 正孔輸送性のユニットとして、下記(a)群から選択された少なくとも一つの環と、
 電子輸送性のユニットとして、下記(b)群から選択された少なくとも一つの環とを
 含む有機化合物が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
(但し、上記(b)群に含まれる環はいずれも、窒素原子に対して、o-位及びp-位が全て芳香族環で置換されている。)
 電荷輸送材料として好ましい化合物は、前記正孔緩和材料として用いられる化合物と同様のものが挙げられる。より具体的には、正孔緩和材料として好ましく用いられる化合物が挙げられる。これらは、発光層に単独で含有させてもよく、2種以上を組み合わせて含有させてもよい。
 電荷輸送材料として用いられる他の正孔輸送性化合物としては、正孔注入層に使用される低分子量の正孔輸送性化合物のほか、例えば、4,4’-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニルに代表される、2個以上の3級アミンを含み2個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン(特開平5-234681号公報)、4,4’,4’’-トリス(1-ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン化合物(Journal of Luminescence,1997年,Vol.72-74,pp.985)、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物(Chemical Communications,1996年,pp.2175)、2,2’,7,7’-テトラキス-(ジフェニルアミノ)-9,9’-スピロビフルオレン等のスピロ化合物(Synthetic Metals,1997年,Vol.91,pp.209)等が挙げられる。
 なお、発光層において、正孔輸送性化合物は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
 発光層における正孔輸送性化合物の割合は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、0.1重量%以上、通常100重量%以下が好ましく、5重量%以上、95重量%以下がより好ましい。正孔輸送性化合物が少なすぎると短絡の影響を受けやすくなる可能性があり、多すぎると膜厚ムラを生じる可能性がある。なお、2種以上の正孔輸送性化合物を併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにする。
 発光層には、電荷輸送材料のうち、低分子量の電子輸送性化合物の例としては、2,5-ビス(1-ナフチル)-1,3,4-オキサジアゾール(BND)や、2,5-ビス(6’-(2’,2’’-ビピリジル))-1,1-ジメチル-3,4-ジフェニルシロール(PyPySPyPy)や、バソフェナントロリン(BPhen)や、2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン(BCP、バソクプロイン)、2-(4-ビフェニリル)-5-(p-ターシャルブチルフェニル)-1,3,4-オキサジアゾール(tBu-PBD)や、4,4’-ビス(9-カルバゾール)-ビフェニル(CBP)等が挙げられる。なお、発光層において、電子輸送性化合物は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
 発光層における電子輸送性化合物の割合は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、0.1重量%以上、通常95重量%以下が好ましく、5重量%以上、95重量%以下がより好ましい。電子輸送性化合物が少なすぎると短絡の影響を受けやすくなる可能性があり、多すぎると膜厚ムラを生じる可能性がある。なお、2種以上の電子輸送性化合物を併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにする。
<発光層の形成>
 本発明において、湿式成膜法により発光層を形成する場合は、上記材料を適切な溶剤に溶解させて発光層形成用組成物を調製し、それを用いて成膜することにより形成する。
 発光層を湿式成膜法で形成するための発光層形成用組成物に含有させる発光層用溶剤としては、発光層の形成が可能である限り任意のものを用いることができる。
 発光層を形成するための発光層形成用組成物に対する発光層用溶剤の比率は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常0.01重量%以上、70重量%以下である。なお、発光層用溶剤として2種以上の溶剤を混合して用いる場合には、これらの溶剤の合計がこの範囲を満たすようにする。
 また、発光層形成用組成物中の発光材料、正孔輸送性化合物、電子輸送性化合物等の固形分濃度としては、通常0.01重量%以上、70重量%以下である。この濃度が大きすぎると膜厚ムラが生じる可能性があり、また、小さすぎると膜に欠陥が生じる可能性がある。
 発光層形成用組成物を湿式成膜後、得られた塗膜を乾燥し、溶剤を除去することにより、発光層が形成される。発光層の膜厚は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常3nm以上、好ましくは5nm以上、また、通常200nm以下、好ましくは100nm以下の範囲である。発光層の膜厚が、薄すぎると膜に欠陥が生じる可能性があり、厚すぎると駆動電圧が上昇する可能性がある。
 本発明の有機EL素子は、基本的に前記の正孔緩和層及び発光層を有することが特徴であるが、さらに、正孔注入層、正孔輸送層及び電子輸送層を有することが好ましく、これらの層は陽極側から、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔緩和層及び電子輸送層の順に積層されているのが特に好ましい。
 また、正孔注入層、正孔輸送層及び発光層は、湿式成膜法で形成された層であり、正孔緩和層及び電子輸送層が、蒸着成膜法で形成された層であることが特に好ましい。湿式成膜法で発光層を形成することはコストの点で非常に有利であり、この湿式成膜法で形成された発光層が溶解せず、膜質を均一に保つことができるため、正孔緩和層や電子輸送層を真空蒸着法で形成することが好ましい。
 なお、本発明において湿式成膜法とは、例えば、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法等湿式で成膜される方法をいう。これらの成膜方法の中でも、スピンコート法、スプレーコート法、又はインクジェット法が好ましい。これは、有機EL素子に用いられる塗布用組成物特有の液性に合うためである。
<有機EL素子の構成> 
 以下に、本発明の有機EL素子の層構成及びその一般的形成方法等について、図1を参照して説明する。
 図1は本発明にかかる有機EL素子の構造例を示す断面の模式図であり、図1において、1は基板、2は陽極、3は正孔注入層、4は正孔輸送層、5は発光層、6は正孔緩和層、7は電子輸送層、8は電子注入層、9は陰極を各々表す。
(基板)
 基板1は有機EL素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシート等が用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホン等の透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機EL素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
(陽極)
 陽極2は発光層側の層への正孔注入の役割を果たすものである。
 この陽極2は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウム及び/又はスズの酸化物等の金属酸化物、ヨウ化銅等のハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ(3-メチルチオフェン)、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等により構成される。
 陽極2の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法等により行われることが多い。また、銀等の金属微粒子、ヨウ化銅等の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末等を用いて陽極2を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板1上に塗布することにより陽極2を形成することもできる。さらに、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板1上に薄膜を形成したり、基板1上に導電性高分子を塗布して陽極2を形成することもできる(Appl.Phys.Lett.,60巻,2711頁,1992年)。
 陽極2は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。
 陽極2の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常60%以上、好ましくは80%以上とすることが好ましい。この場合、陽極2の厚みは通常5nm以上、好ましくは10nm以上であり、また、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下程度である。不透明でよい場合は陽極2の厚みは任意であり、陽極2は基板1と同一でもよい。また、さらには、上記の陽極2の上に異なる導電材料を積層することも可能である。
 陽極2に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的に、陽極2表面を紫外線(UV)/オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理したりすることは好ましい。
(正孔注入層)
 正孔注入層3は、陽極2から発光層5へ正孔を輸送する層であり、通常、陽極2上に形成される。
 本発明に係る正孔注入層3の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔注入層3を湿式成膜法により形成することが好ましい。
 正孔注入層3の膜厚は、通常5nm以上、好ましくは10nm以上、また、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下の範囲である。
<湿式成膜法による正孔注入層の形成>
 湿式成膜により正孔注入層3を形成する場合、通常は、正孔注入層3を構成する材料を適切な溶剤(正孔注入層用溶剤)と混合して成膜用の組成物(正孔注入層形成用組成物)を調製し、この正孔注入層形成用組成物を適切な手法により、正孔注入層3の下層に該当する層(通常は、陽極)上に塗布して成膜し、乾燥することにより正孔注入層3を形成する。
(正孔輸送性化合物)
 正孔注入層形成用組成物は通常、正孔注入層の構成材料として正孔輸送性化合物及び溶剤を含有する。
 正孔輸送性化合物は、通常、有機EL素子の正孔注入層に使用される、正孔輸送性を有する化合物であれば、高分子化合物であっても、モノマーであってもよい。
 正孔輸送性化合物としては、陽極2から正孔注入層3への電荷注入障壁の観点から4.5eV~6.0eVのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。正孔輸送性化合物の例としては、芳香族アミン系化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、オリゴチオフェン系化合物、ポリチオフェン系化合物、ベンジルフェニル系化合物、フルオレン基で3級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン系化合物、シラザン系化合物、シラナミン系化合物、ホスファミン系化合物、キナクリドン系化合物等が挙げられる。
 正孔注入層3の材料として用いられる正孔輸送性化合物は、このような化合物のうち何れか1種を単独で含有していてもよく、2種以上を含有していてもよい。2種以上の正孔輸送性化合物を含有する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族三級アミン高分子化合物1種又は2種以上と、その他の正孔輸送性化合物1種又は2種以上とを併用することが好ましい。
 上記例示した中でも非晶質性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましく、特に芳香族三級アミン化合物が好ましい。ここで、芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。
 芳香族三級アミン化合物の種類は特に制限されないが、表面平滑化効果による均一な発光の点から、重量平均分子量が1000以上、1000000以下の高分子化合物(繰り返し単位が連なる重合型化合物)がさらに好ましい。芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記式(I)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
(式(I)中、Ar1及びAr2は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ar3~Ar5は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Yは、下記の連結基群の中から選ばれる連結基を表す。また、Ar1~Ar5のうち、同一のN原子に結合する二つの基は互いに結合して環を形成してもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
(上記各式中、Ar~Ar16は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。R及びRは、それぞれ独立して、水素原子又は任意の置換基を表す。)
 Ar~Ar16の芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基としては、高分子化合物の溶解性、耐熱性、正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェン環、又はピリジン環由来の基が好ましく、ベンゼン環、又はナフタレン環由来の基がさらに好ましい。
 Ar~Ar16の芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の分子量としては、通常400以下、中でも250以下程度が好ましい。置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが好ましい。
 R及びRが任意の置換基である場合、該置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、シリル基、シロキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが挙げられる。
 式(I)で表される繰り返し単位を有する芳香族三級アミン高分子化合物の具体例としては、国際公開第2005/089024号パンフレットに記載のものが挙げられる。
 正孔注入層形成用組成物中の、正孔輸送性化合物の濃度は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、膜厚の均一性の点で通常0.01重量%以上、好ましくは0.1重量%以上、さらに好ましくは0.5重量%以上、また、通常70重量%以下、好ましくは60重量%以下、さらに好ましくは50重量%以下である。この濃度が大きすぎると膜厚ムラが生じる可能性があり、また、小さすぎると成膜された正孔注入層に欠陥が生じる可能性がある。
(電子受容性化合物)
 正孔注入層形成用組成物は正孔注入層の構成材料として、電子受容性化合物を含有していることが好ましい。
 電子受容性化合物とは、酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から一電子受容する能力を有する化合物が好ましく、具体的には、電子親和力が4eV以上である化合物が好ましく、5eV以上である化合物がさらに好ましい。
 このような電子受容性化合物としては、例えば、トリアリールホウ素化合物、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、オニウム塩、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、アリールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる1種又は2種以上の化合物等が挙げられる。さらに具体的には、4-イソプロピル-4’-メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンダフルオロフェニル)ボラート、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボラート等の有機基の置換したオニウム塩(国際公開2005/089024号パンフレット);塩化鉄(III)(特開平11-251067号公報)、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物;テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス(ペンダフルオロフェニル)ボラン(特開2003-31365号公報)等の芳香族ホウ素化合物;フラーレン誘導体;ヨウ素等が挙げられる。
 これらの電子受容性化合物は、正孔輸送性化合物を酸化することにより正孔注入層の導電率を向上させることができる。
 正孔注入層或いは正孔注入層形成用組成物中の電子受容性化合物の正孔輸送性化合物に対する含有量は、通常0.1モル%以上、好ましくは1モル%以上である。但し、通常100モル%以下、好ましくは40モル%以下である。
(その他の構成材料)
 正孔注入層の材料としては、本発明の効果を著しく損なわない限り、上述の正孔輸送性化合物や電子受容性化合物に加えて、さらに、その他の成分を含有させてもよい。その他の成分の例としては、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などが挙げられる。なお、その他の成分は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
(溶剤)
 湿式成膜法に用いる正孔注入層形成用組成物の溶剤のうち少なくとも1種は、上述の正孔注入層の構成材料を溶解しうる化合物であることが好ましい。また、この溶剤の沸点は通常110℃以上、好ましくは140℃以上、中でも200℃以上、通常400℃以下、中でも300℃以下であることが好ましい。溶剤の沸点が低すぎると、乾燥速度が速すぎ、膜質が悪化する可能性がある。また、溶剤の沸点が高すぎると乾燥工程の温度を高くする必要があし、他の層や基板に悪影響を与える可能性がある。
 溶剤として例えば、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、アミド系溶剤などが挙げられる。
 エーテル系溶剤としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール-1-モノメチルエーテルアセタート(PGMEA)等の脂肪族エーテル;1,2-ジメトキシベンゼン、1,3-ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、2-メトキシトルエン、3-メトキシトルエン、4-メトキシトルエン、2,3-ジメチルアニソール、2,4-ジメチルアニソール等の芳香族エーテル、等が挙げられる。
 エステル系溶剤としては、例えば、酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸n-ブチル等の芳香族エステル、等が挙げられる。
 芳香族炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、シクロヘキシルベンゼン、3-イロプロピルビフェニル、1,2,3,4-テトラメチルベンゼン、1,4-ジイソプロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、メチルナフタレン等が挙げられる。
 アミド系溶剤としては、例えば、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、等が挙げられる。
 その他、ジメチルスルホキシド等も用いることができる。
 これらの溶剤は1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で用いてもよい。
(成膜方法)
 正孔注入層形成用組成物を調製後、この組成物を湿式成膜により、正孔注入層3の下層に該当する層(通常は、陽極2)上に塗布成膜し、乾燥することにより正孔注入層3を形成する。
 成膜工程における温度は、組成物中に結晶が生じることによる膜の欠損を防ぐため、10℃以上が好ましく、50℃以下が好ましい。
 成膜工程における相対湿度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常0.01ppm以上、通常80%以下である。
 成膜後、通常加熱等により正孔注入層形成用組成物の膜を乾燥させる。加熱工程において使用する加熱手段の例を挙げると、クリーンオーブン、ホットプレート、赤外線、ハロゲンヒーター、マイクロ波照射などが挙げられる。中でも、膜全体に均等に熱を与えるためには、クリーンオーブン又はホットプレートが好ましい。
 加熱工程における加熱温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り、正孔注入層形成用組成物に用いた溶剤の沸点以上の温度で加熱することが好ましい。また、正孔注入層に用いた溶剤が2種類以上含まれている混合溶剤の場合、少なくとも1種類がその溶剤の沸点以上の温度で加熱されるのが好ましい。溶剤の沸点上昇を考慮すると、加熱工程においては、好ましくは120℃以上、好ましくは410℃以下で加熱することが好ましい。
 加熱工程において、加熱温度が正孔注入層形成用組成物の溶剤の沸点以上であり、かつ塗布膜の十分な不溶化が起こらなければ、加熱時間は限定されないが、好ましくは10秒以上、通常180分以下である。加熱時間が長すぎると他の層の成分が拡散する傾向があり、短すぎると正孔注入層が不均質になる傾向がある。加熱は2回に分けて行ってもよい。
<真空蒸着法による正孔注入層の形成>
 真空蒸着により正孔注入層3を形成する場合には、正孔注入層3の構成材料(前述の正孔輸送性化合物、電子受容性化合物等)の1種又は2種以上を真空容器内に設置されたるつぼに入れ(2種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼに入れ)、真空容器内を適当な真空ポンプで10-4Pa程度まで排気した後、るつぼを加熱して(2種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼを加熱して)、蒸発量を制御して蒸発させ(2種以上の材料を用いる場合はそれぞれ独立に蒸発量を制御して蒸発させ)、るつぼと向き合って置かれた基板の陽極2上に正孔注入層3を形成させる。なお、2種以上の材料を用いる場合は、それらの混合物をるつぼに入れ、加熱、蒸発させて正孔注入層3を形成することもできる。
 蒸着時の真空度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常0.1×10-6Torr(0.13×10-4Pa)以上、通常9.0×10-6Torr(12.0×10-4Pa)以下である。蒸着速度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常0.1Å/秒以上、通常5.0Å/秒以下である。蒸着時の成膜温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、好ましくは10℃以上で、好ましくは50℃以下で行われる。
[正孔輸送層]
 本発明に係る正孔輸送層4の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から湿式成膜法により形成することが好ましい。
 正孔輸送層4は、正孔注入層がある場合には正孔注入層3の上に、正孔注入層3が無い場合には陽極2の上に形成することができる。また、本発明の有機EL素子は、正孔輸送層を省いた構成であってもよい。
 正孔輸送層4を形成する材料としては、正孔輸送性が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが好ましい。そのために、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、正孔移動度が大きく、安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが好ましい。また、多くの場合、発光層5に接するため、発光層5からの発光を消光したり、発光層5との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させたりしないことが好ましい。
 このような正孔輸送層4の材料としては、従来、正孔輸送層の構成材料として用いられている材料であればよく、例えば、前述の正孔注入層3に使用される正孔輸送性化合物として例示したものが挙げられる。また、4,4’-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニルで代表される、2個以上の3級アミンを含み2個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン(特開平5-234681号公報)、4,4’,4’’-トリス(1-ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン化合物(J.Lumin.,72-74巻、985頁、1997年)、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物(Chem.Commun.,2175頁、1996年)、2,2’,7,7’-テトラキス-(ジフェニルアミノ)-9,9’-スピロビフルオレン等のスピロ化合物(Synth.Metals,91巻、209頁、1997年)、4,4’-N,N’-ジカルバゾールビフェニルなどのカルバゾール誘導体などが挙げられる。また、例えばポリビニルカルバゾール、ポリビニルトリフェニルアミン(特開平7-53953号公報)、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン(Polym.Adv.Tech.,7巻、33頁、1996年)等が挙げられる。
 湿式成膜法で正孔輸送層4を形成する場合は、上記正孔注入層3の形成と同様にして、正孔輸送層形成用組成物を調製した後、湿式成膜後、加熱乾燥させる。
 正孔輸送層形成用組成物には、上述の正孔輸送性化合物の他、溶剤を含有する。用いる溶剤は上記正孔注入層形成用組成物に用いたものと同様である。また、成膜条件、加熱乾燥条件等も正孔注入層3の形成の場合と同様である。
 真空蒸着法により正孔輸送層を形成する場合もまた、その成膜条件等は上記正孔注入層3の形成の場合と同様である。
 正孔輸送層4は、上記正孔輸送性化合物の他、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などを含有していてもよい。
 正孔輸送層4はまた、架橋性化合物を架橋して形成される層であってもよい。架橋性化合物は、架橋性基を有する化合物であって、架橋することにより網目状高分子化合物を形成する。
 この架橋性基の例を挙げると、オキセタン、エポキシなどの環状エーテル;ビニル基、トリフルオロビニル基、スチリル基、アクリル基、メタクリロイル、シンナモイル等の不飽和二重結合;ベンゾシクロブタンなどが挙げられる。
 架橋性化合物は、モノマー、オリゴマー、ポリマーのいずれであってもよい。架橋性化合物は1種のみを有していてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で有していてもよい。
 この架橋性基の例を挙げると、オキセタン基、エポキシ基などの環状エーテル;ビニル基、トリフルオロビニル基、スチリル基、アクリル基、メタクリロイル基、シンナモイル基等の不飽和二重結合;ベンゾシクロブテン基などが挙げられる。
 架橋性化合物としては、架橋性基を有する正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。正孔輸送性化合物の例を挙げると、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体等の含窒素芳香族化合物誘導体;トリフェニルアミン誘導体;シロール誘導体;オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。その中でも、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体等の含窒素芳香族誘導体;トリフェニルアミン誘導体、シロール誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが好ましく、特に、トリフェニルアミン誘導体がより好ましい。
 架橋性化合物を架橋して正孔輸送層4を形成するには、通常、架橋性化合物を溶剤に溶解又は分散した正孔輸送層形成用組成物を調製して、湿式成膜により成膜して架橋させる。
 正孔輸送層形成用組成物には、架橋性化合物の他、架橋反応を促進する添加物を含んでいてもよい。架橋反応を促進する添加物の例を挙げると、アルキルフェノン化合物、アシルホスフィンオキサイド化合物、メタロセン化合物、オキシムエステル化合物、アゾ化合物、オニウム塩等の重合開始剤及び重合促進剤;縮合多環炭化水素、ポルフィリン化合物、ジアリールケトン化合物等の光増感剤;などが挙げられる。
 また、さらに、レベリング剤、消泡剤等の塗布性改良剤;電子受容性化合物;バインダー樹脂;などを含有していてもよい。
 正孔輸送層形成用組成物は、架橋性化合物を通常0.01重量%以上、好ましくは0.05重量%以上、さらに好ましくは0.1重量%以上、通常50重量%以下、好ましくは20重量%以下、さらに好ましくは10重量%以下含有する。
 このような濃度で架橋性化合物を含む正孔輸送層形成用組成物を下層(通常は正孔注入層3)上に成膜後、加熱及び/又は光などの電磁エネルギー照射により、架橋性化合物を架橋させて網目状高分子化合物を形成する。
 成膜時の温度、湿度などの条件は、前記正孔注入層3の湿式成膜時と同様である。
 成膜後の加熱の手法は特に限定されないが、例としては加熱乾燥、減圧乾燥等が挙げられる。加熱乾燥の場合の加熱温度条件としては、通常120℃以上、好ましくは400℃以下である。
 加熱時間としては、通常1分以上、好ましくは24時間以下である。加熱手段としては特に限定されないが、成膜された層を有する積層体をホットプレート上に載せたり、オーブン内で加熱するなどの手段が用いられる。例えば、ホットプレート上で120℃以上、1分間以上加熱する等の条件を用いることができる。
 光などの電磁エネルギー照射による場合には、超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、赤外ランプ等の紫外・可視・赤外光源を直接用いて照射する方法、あるいは前述の光源を内蔵するマスクアライナ、コンベア型光照射装置を用いて照射する方法などが挙げられる。光以外の電磁エネルギー照射では、例えばマグネトロンにより発生させたマイクロ波を照射する装置、いわゆる電子レンジを用いて照射する方法が挙げられる。照射時間としては、膜の溶解性を低下させるために必要な条件を設定することが好ましいが、通常、0.1秒以上、好ましくは10時間以下照射される。
 加熱及び光などの電磁エネルギー照射は、それぞれ単独、あるいは組み合わせて行ってもよい。組み合わせる場合、実施する順序は特に限定されない。
 このようにして形成される正孔輸送層4の膜厚は、通常5nm以上、好ましくは10nm以上であり、また通常300nm以下、好ましくは100nm以下である。
{電子輸送層}
 発光層5と後述の電子注入層8の間に、電子輸送層7を設けてもよい。
 電子輸送層7は、素子の発光効率をさらに向上させることを目的として設けられるもので、電界を与えられた電極間において陰極9から注入された電子を効率よく発光層5の方向に輸送することができる化合物より形成される。
 電子輸送層7に用いられる電子輸送性化合物としては、通常、陰極9又は電子注入層8からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物を用いる。このような条件を満たす化合物としては、例えば、8-ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体(特開昭59-194393号公報)、10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、3-ヒドロキシフラボン金属錯体、5-ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン(米国特許第5645948号明細書)、キノキサリン化合物(特開平6-207169号公報)、フェナントロリン誘導体(特開平5-331459号公報)、2-t-ブチル-9,10-N,N’-ジシアノアントラキノンジイミン、n型水素化非晶質炭化シリコン、n型硫化亜鉛、n型セレン化亜鉛などが挙げられる。
 なお、電子輸送層7の材料は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
 電子輸送層7の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
 電子輸送層7の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常1nm以上、好ましくは5nm以上、また、通常300nm以下、好ましくは100nm以下の範囲である。
{電子注入層}
 電子注入層8は、陰極9から注入された電子を効率良く発光層5へ注入する役割を果たす。電子注入を効率よく行なうには、電子注入層8を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましい。例としては、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属等が用いられ、その膜厚は通常0.1nm以上、5nm以下が好ましい。
 さらに、バソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や8-ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送化合物に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする(特開平10-270171号公報、特開2002-100478号公報、特開2002-100482号公報などに記載)ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。この場合の膜厚は、通常、5nm以上、中でも10nm以上が好ましく、また、通常200nm以下、中でも100nm以下が好ましい。
 なお、電子注入層8の材料は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
 電子注入層8の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
{陰極}
 陰極9は、発光層5側の層(電子注入層8又は発光層5など)に電子を注入する役割を果たすものである。
 陰極9の材料としては、前記の陽極2に使用される材料を用いることが可能であるが、効率良く電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、例えば、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属又はそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム-銀合金、マグネシウム-インジウム合金、アルミニウム-リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。
 なお、陰極9の材料は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
 陰極9の膜厚は、通常、陽極2と同様である。
 さらに、低仕事関数金属から成る陰極9を保護する目的で、この上にさらに、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層すると、素子の安定性が増すので好ましい。この目的のために、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。なお、これらの材料は、1種のみで用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
{その他の層}
 本発明の有機EL素子は、その趣旨を逸脱しない範囲において、別の構成を有していてもよい。例えば、その性能を損なわない限り、陽極2と陰極9との間に、上記説明にある層の他に任意の層を有していてもよく、また、任意の層が省略されていてもよい。
 さらには、少なくとも一方が透明性を有する2枚の基板の間に、基板以外の構成要素を積層することにより、本発明の有機EL素子を構成することも可能である。
 また、基板以外の構成要素(発光ユニット)を複数段重ねた構造(発光ユニットを複数積層させた構造)とすることも可能である。その場合には、各段間(発光ユニット間)の界面層(陽極がITO、陰極がAlの場合は、それら2層)の代わりに、例えば五酸化バナジウム(V)等からなる電荷発生層(Carrier Generation Layer:CGL)を設けると、段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。
 さらには、本発明の有機EL素子は、単一の有機EL素子として構成してもよく、複数の有機EL素子がアレイ状に配置された構成に適用してもよく、陽極と陰極がX-Yマトリックス状に配置された構成に適用してもよい。
 また、上述した各層には、本発明の効果を著しく損なわない限り、材料として説明した以外の成分が含まれていてもよい。
 赤色、緑色及び青色の有機EL素子を有する有機発光デバイスにおいて、赤色、緑色及び青色の有機EL素子のうち少なくとも一つに、前記有機EL素子A又はBを用いれば、長寿命化し、電圧の上昇が抑制された有機発光デバイスとすることができる。赤色、緑色及び青色の有機EL素子すべてに、前記の有機EL素子A又はBを用いるのがより好ましい。
<有機EL素子C>
 本発明の有機EL素子Cは、前記有機EL素子Aにおいて、該発光層が2種以上の発光材料を含有する有機EL素子である。
 本発明の有機EL素子C、つまり、発光層に2種以上の発光材料を含有する素子である場合に、本発明における正孔緩和材料を用いることの効果が大きい理由を、以下の通り推測する。
 有機EL素子Cとしては、1つの発光層内に2種以上の発光材料を含み、発光素子の発光スペクトルが2種以上の極大波長を持ち、その極大波長の内最大の発光強度を1とした時、残りの極大波長の発光強度が0.1以上のものであるのが好ましい。
 有機EL素子Cで黄色発光とする場合、例えば発光層に発光材料として緑色発光材料、及び赤色発光材料を含有する方法がある。
 また、この有機EL素子Cは白色にも適用することができる。白色とする場合には、発光層に、発光材料としては、青色発光材料、緑色発光材料、及び赤色発光材料の3色を組み合わせる方法、また、ある一色と、その補色となる色を組み合わせる方法などがある。さらに、発光層は電荷輸送材料を含有するが、発光層内に含まれる発光材料の内、最もエネルギーギャップが大きな発光材料のイオン化ポテンシャルと電子親和力に合わせて電荷輸送材料は選択される。
 以下イオン化ポテンシャルの大小は、イオン化ポテンシャルにおける絶対値の大小のことを示す。
 本発明の有機EL素子Cは、発光層内に2種以上の発光材料を含有する。
 2種以上の発光材料を含む発光層において、発光層内に注入された正孔は、最もイオン化ポテンシャルが小さい発光材料に溜まり易い。正孔により発光材料が長時間ラジカルカチオン状態にあると、発光材料が長時間不安定な状態になるため、発光材料の劣化が促進されてしまう。
 一方、1種の発光材料を含む発光層を含有する有機EL素子(単色発光の有機EL素子)の場合、電荷輸送材料と発光材料とのイオン化ポテンシャルの差は、上記有機EL素子Aにおける、最も大きい電荷輸送材料と発光材料とのイオン化ポテンシャルとの差よりも小さくなるように選択される。
 つまり、単色発光の有機EL素子は、有機EL素子Cよりも、発光層に注入された正孔は、発光材料よりも電荷輸送材料に留まり易くなる。これは、正孔による発光材料の劣化が小さくなることを意味する。
 以上より、有機EL素子Cにおいて、少量の正孔を逃がすことによる効果がより大きいのである。つまり、本発明における正孔緩和材料を用いることの効果が大きい。
[発光層]
 本発明における有機EL素子Cは、2種以上の発光材料を含有する。
 含まれる発光材料は、要望される有機EL素子の発光色によって、公知の材料から適宜選択される。
 例えば、有機EL素子Cで黄色発光とする場合は、赤色発光材料と緑色発光材料とを含有する方法が挙げられる。この場合、赤色発光材料と緑色発光材料との含有量の比率(重量比)は、求める黄色発光の色味によって適宜選択されるが、{緑色発光材料:赤色発光材料}は、例えば{100:20~100:1}が好ましい。
 また、有機EL素子Cで白色発光とする場合には、赤色発光材料、青色発光材料、及び緑色発光材料とを含有する方法が挙げられる。この場合、青色発光材料、緑色発光材料と赤色発光材料との含有量の比率(重量比)は、求める白色発光の色味によって適宜選択されるが、例えば{青色発光材料:緑色発光材料:赤色発光材料}は、{100:(50~5):(10~0.05)}が好ましい。
 本発明の有機EL素子Cの発光層には、1種又は2種以上の電荷輸送材料を含有する。発光材料を2種以上含む発光層に、さらに電荷輸送材料を含有するが、このとき該電荷輸送材料は、少なくとも1種の発光材料のイオン化ポテンシャルより、小さいイオン化ポテンシャルのものが選択される。また、本発明においては、発光層中の少なくとも1種の電荷輸送材料と、正孔緩和材料の少なくとも1種が同一化合物であるから、発光層と正孔緩和層との界面のヘテロ接合の形成に伴う電荷注入障壁の生成を緩和するため、正孔がより流れ易くなる。
 有機EL素子Cは、発光層内に2種以上の発光材料を含有する以外は、前記有機EL素子Aの場合と同様である。
<有機EL素子D>
 本発明の有機EL素子Dは、前記有機EL素子Aにおいて、該発光層が各々異なる発光材料を含有する2層以上からなることを特徴とする、有機EL素子である。
 有機EL素子Dで、本発明における正孔緩和材料を用い、かつ、発光層中の、正孔緩和層に隣接する層に含まれる電荷輸送材料の少なくとも1種と正孔緩和材料の少なくとも1種を同一化合物とすることの効果が大きい理由を、以下の通り推測する。
 有機EL素子は、電圧を印加することにより、異なる有機材料同士の接合界面(ヘテロ界面)で、材料種と電圧の印加方向に依存した電子親和力及びイオン化ポテンシャルのエネルギー準位のシフトを引き起こすことが知られている(「有機EL材料とディスプレイ」第4章、シーエムシー出版など)。このため、駆動中の有機EL素子は、各有機層間の接合界面に常に電荷の注入障壁を生じていることになる。更に、素子の構造が多層積層構造であればあるほどヘテロ界面の数が増加するため、各層間の界面で正孔が溜まり易くなることが示唆される。
 この為、発光層が一層である場合より、発光層が2層以上からなる場合の方が、より多重の電荷注入障壁を生じやすく、正孔の蓄積による材料の劣化による寿命の低下や、励起子の消滅による発光効率の低下等の影響がより大きくなると考えられる。
 つまり、有機EL素子Dの構成は、従来の単色素子に比べて、正孔の蓄積が起こり易いヘテロ界面の形成をより減少させることが出来るため、本発明における構成を用いることによる効果が大きいのである。
[発光層]
 本発明の有機EL素子Dは、発光層が2層以上からなり、各層はそれぞれ異なる発光材料を含む。
 有機EL素子Dは、所望する発光色に応じて、発光層の各層には、発光材料が2種以上含有していてもよい。例えば、発光層中の最も陽極側の層が発光材料を2種含む層であり、該層の陰極側に隣接する層が発光材料を1種含む層であってもよい。また、上記の逆の構成であってもよい。
 例えば、有機EL素子Dで、白色発光とする場合、発光層を、陽極側から、赤色発光材料と緑色発光材料とを含有する層、青色発光材料を含有する層、とすることができる。また、その逆の構成、つまり、発光層を、陽極側から、青色発光材料を含有する層、赤色発光材料と緑色発光材料とを含有する層、とすることで、白色発光とすることも可能である。
 有機EL素子Dは、発光層が前記2層以上からなる以外は、前記有機EL素子Aの場合と同様である。
 本発明の有機EL素子C及びDは、基本的に前記の正孔緩和層及び発光層を有することが特徴であるが、赤色、緑色及び青色の有機EL素子が、それぞれ、さらに、正孔注入層、正孔輸送層及び電子輸送層を有することが好ましく、これらの層は陽極側から、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔緩和層及び電子輸送層の順に積層されているのが特に好ましい。これらの各層及びその形成方法は、前記<有機EL素子A>の項で記載したものと同じものが挙げられる。また、好ましいものも同様である。
 本発明の有機発光デバイスは、前記の有機EL素子A、B、C又はDを用いることができる。有機発光デバイスには、有機EL表示装置及び有機EL照明が含まれる。
<有機EL表示装置>
 本発明の有機EL素子は、有機EL表示装置に使用される。本発明により得られる有機EL素子は、例えば、「有機ELディスプレイ」(オーム社,平成16年8月20日発行,時任静士、安達千波矢、村田英幸著)に記載されているような方法で有機EL表示装置を形成することができる。
<有機EL照明>
 本発明の有機EL照明は、上述の本発明の有機EL素子を用いたものである。本発明の有機EL照明の型式や構造については特に制限はなく、本発明の有機EL素子を用いて常法に従って組み立てることができる。
 本発明を実施例によってさらに具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
 尚、実施例1~3は、本発明の有機EL素子A、又は本発明の有機EL素子Bに、実施例4は、本発明の有機EL素子Cに、また実施例5は、本発明の有機EL素子Dに対応する。
[参考例1]
 図1に示す構造を有する有機EL素子を以下の方法で作製した。
(ITO基板の作製)
 ガラス製の基板1の上にインジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜を150nm堆積したもの(スパッター成膜品;シート抵抗15Ω)を通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて2mm幅のストライプにパターニングして陽極2を形成した。
(前処理)
 上記のとおり陽極をパターン形成した基板(ITO基板)を、界面活性剤による超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、圧縮空気で乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を1分間行った。
(正孔注入層の成膜)
 次いで、正孔注入層3を以下のように湿式成膜法によって形成した。正孔注入層3の材料として、下記式(1-2)の繰り返し構造を有するポリマー(重量平均分子質量29400、数平均分子量12600、ガラス転移温度160℃)2重量%と、電子受容性化合物として4-イソプロピル-4'-メチルジフェニルヨード二ウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボラート0.8重量%とを、安息香酸エチルに溶解させた組成物を調製し、この組成物を前記ITO基板上にスピンコートで成膜した。
 スピンコート条件として、スピナ回転数500rpm、2秒、そして1500rpm、30秒の2段階で行った。乾燥の条件は230℃のクリーンオーブンにより3時間加熱を行うことで、膜厚30nmの薄膜を形成することができた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
(正孔輸送層の形成)
 次いで、正孔輸送層を以下のように湿式成膜法によって形成した。正孔輸送層の材料として、下記式(HT-1)の繰り返し構造を有するポリマー0.4重量%を、脱水トルエンに溶解させた組成物を調製し、この組成物を前記正孔注入層上に窒素雰囲気下スピンコート法により成膜した。
 スピンコート条件として、スピナ回転数500rpm、2秒、そして1500rpm、30秒の2段階で行った。乾燥の条件は230℃のホットプレート上で1時間の加熱を行うことで、膜厚20nmの薄膜を形成することができた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
(発光層の成膜)
 次いで、発光層を以下のように湿式成膜法によって形成した。発光層の材料はそれぞれ以下に示す材料を用いて成膜した。青の発光層材料は以下に示すBH-1及びBD-1を100対10(重量比)の割合で混合し、この混合物0.8重量%をトルエンに溶解させた組成物を調製し、この組成物を窒素雰囲気下、前記正孔輸送層上にスピンコートで成膜した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
 緑の発光層材料は以下に示すGH-1、GH-2及びGD-1を50対50対5(重量比)の割合で混合し、この混合物2.0重量%をキシレンに溶解させた組成物を調製し、この組成物を窒素雰囲気下、前記正孔輸送層上にスピンコートで成膜した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
 赤の発光層材料は以下に示すGH-1、GH-2、GD-1及びRD-1を50対50対5対5(重量比)の割合で混合し、この混合物2.0重量%をキシレンに溶解させた組成物を調製し、この組成物を窒素雰囲気下、前記正孔輸送層上にスピンコートで成膜した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
 スピンコート条件として、スピナ回転数500rpm、2秒、そして1500rpm、30秒の2段階で行った。その後、130℃で1時間乾燥を行うことで、膜厚50nmの発光層を形成した。
(正孔緩和層の成膜)
 得られた発光層の上に、真空蒸着法により正孔緩和層として下記に示す正孔緩和材料HA-1を膜厚10nmとなるように積層した。正孔緩和材料HA-1のμ/μは0.8である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
(電子輸送層の成膜)
 得られた正孔緩和層上に、真空蒸着法により電子輸送層7として下記に示すアルミニウムの8-ヒドロキシキノリン錯体ET-1を膜厚30nmとなるように積層した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000026
(電子注入層及び陰極の成膜、並びに封止)
 ここで、電子輸送層7までの蒸着を行った素子を、一度、前記真空蒸着装置内より大気中に取り出して、陰極蒸着用のマスクとして、陽極であるITOストライプと直交する形状の2mm幅のストライプ状シャドーマスクを素子に密着させ、別の真空蒸着装置内に設置して、電子輸送層7と同様の真空蒸着法により、電子注入層8としてフッ化リチウム(LiF)を膜厚0.5nm、次いで陰極9としてアルミニウムを膜厚80.0nmとなるようにそれぞれ積層した。
 引き続き、素子が保管中に大気中の水分等で劣化することを防ぐため、以下に記載の方法で封止処理を行った。
 真空蒸着装置に連結された窒素グローブボックス中で、23mm×23mmサイズのガラス板の外周部に、約1mmの幅で光硬化性樹脂を塗布し、中央部に水分ゲッターシートを設置した。この上に、陰極形成を終了した基板を、蒸着された面が乾燥剤シートと対向するように貼り合わせた。その後、光硬化性樹脂が塗布された領域のみに紫外光を照射し、樹脂を硬化させた。これにより、2mm×2mmサイズの発光面積部分を有する有機EL素子が得られた。
[参考例2]
 参考例1において、正孔緩和材料HA-1を下記に示す正孔防止材料であるBAlqに変えたこと以外は、参考例1と同様にして有機EL素子を作製した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000027
[参考例3]
 参考例1において、正孔緩和材料HA-1を下記に示す正孔防止材料であるHB-1に変えたこと以外は、参考例1と同様にして有機EL素子を作製した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000028
[結果]
 参考例1、参考例2、及び参考例3でそれぞれ得られた有機EL素子について、下記方法により測定した輝度半減時間を以下、表1に示す。
[測定方法]
<輝度半減期>
 輝度半減期の測定方法は、作製した有機EL素子に、試験時直流一定電流を通電したときの輝度が2000nit(緑素子のみ4000nit)となる電圧をかけたときの輝度変化をフォトダイオードにより観察することにより行ない、輝度値が試験開始時の半分、すなわち1000nit(緑素子のみ2000nit)となるまでの時間(輝度半減期)を求めた。通電試験は、室温を空調により23±1.5℃に制御した室内で行なった。
<駆動電圧>
 駆動電圧の測定方法は、作製した有機EL素子に、最初に直流一定電流を通電したときの輝度が、2000nit(緑素子のみ4000nit)となる電圧を測定した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000029
 表1から明らかなように、参考例2及び3のように正孔防止材料をそれぞれの色に用いた場合、すべての色において長寿命化するということはなく、また参考例2の正孔防止材料BAlqを用いた場合には緑色において電圧上昇が大きく、また参考例3の正孔防止材料HB-1を用いた場合には青色において寿命が短く、また電圧上昇が大きくなるという結果になった。
 これに対して、参考例1のようにHA-1のような正孔緩和材料を用いた場合、それぞれの色は安定して長寿命化し、また電圧上昇も抑制できることがわかった。
[参考例4]
 参考例1において、正孔緩和材料HA-1を下記に示す正孔緩和材料HA-2に変えたこと以外は、参考例1と同様にして有機EL素子を作製した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000030
[結果]
 参考例1、参考例4及び参考例3でそれぞれ得られた有機EL素子について、下記方法により測定した輝度半減時間を表2に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000031
 表2から明らかなように、参考例3の正孔防止材料HB-1と比べ正孔緩和材料であるHA-1やHA-2を用いることにより長寿命化、及び低電圧化することがわかった。
[実施例1]
 図1に示す構造を有する有機EL素子を以下の方法で作製した。
(ITO基板の作製)
 ガラス製の基板1の上にインジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜を150nm堆積したもの(スパッター成膜品;シート抵抗15Ω)を通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて2mm幅のストライプにパターニングして陽極2を形成した。
(前処理)
 上記のとおり陽極をパターン形成した基板(ITO基板)を、界面活性剤による超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、圧縮空気で乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を1分間行った。
(正孔注入層の成膜)
 次いで、正孔注入層を以下のように湿式成膜法によって形成した。正孔注入層の材料は、下記式(HI-1)の繰り返し構造を有するポリマー(2重量%と、酸化剤として4-イソプロピル-4’-メチルジフェニルヨード二ウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボラート0.8重量%とを、安息香酸エチルに溶解させた組成物を調製し、この組成物を前記ITO基板上にスピンコートで成膜した。
 スピンコート条件として、スピナ回転数500rpm、2秒、そして1500rpm、30秒の2段階で行った。乾燥の条件は230℃のクリーンオーブンにより1時間加熱を行うことで、膜厚30nmの薄膜を形成することが出来た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000032
(正孔輸送層の形成)
 次いで、正孔輸送層を以下のように湿式成膜法によって形成した。正孔輸送層の材料として、下記式(HT-1)の繰り返し構造を有するポリマー1.0重量%を、シクロヘキシルベンゼンに溶解させた組成物を調製し、この組成物を前記正孔注入層上に窒素雰囲気下スピンコート法により成膜した。
 スピンコート条件として、スピナ回転数500rpm、2秒、そして1500rpm、30秒の2段階で行った。乾燥の条件は230℃のホットプレート上で1時間の加熱を行うことで、膜厚15nmの薄膜を形成することができた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000033
(発光層の成膜)
 次いで、発光層を以下のように湿式成膜法によって形成した。発光層の材料はそれぞれ以下に示す材料を用いて成膜した。赤の発光層材料は以下に示すRH-1、GH-1、RD-1及びGD-1を25対75対7対5(重量比)の割合で混合し、この混合物5.0重量%をシクロヘキシルベンゼンに溶解させた組成物を調製し、この組成物を窒素雰囲気下、前記正孔輸送層上にスピナ回転数500rpm、2秒、そして1500rpm、30秒の2段階でスピンコートして成膜し、膜厚60nmの赤色発光層を形成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000034
 緑の発光層材料は以下に示すGH-2及び前述のGH-1、GD-1を25対75対5(重量比)の割合で混合し、この混合物5.0重量%をシクロヘキシルベンゼンに溶解させた組成物を調製し、この組成物を窒素雰囲気下、前記正孔輸送層上にスピナ回転数500rpm、2秒、そして1500rpm、30秒の2段階でスピンコートして成膜し、膜厚60nmの緑色発光層を形成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000035
 青の発光層材料は以下に示すBH-1及びBD-1を100対10(重量比)の割合で混合し、この混合物3.1重量%をシクロヘキシルベンゼンに溶解させた組成物を調製し、この組成物を窒素雰囲気下、前記正孔輸送層上にスピナ回転数500rpm、2秒、そして1500rpm、30秒の2段階でスピンコートして成膜し、膜厚35nmの青色発光層を形成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000036
(正孔緩和層の成膜)
 得られた発光層の上に、真空蒸着法により正孔緩和層として前述のGH-2を膜厚10nmとなるように積層した。GH-2のμ/μは0.8、正孔検出量は2.9×10-10である。
(電子輸送層の成膜)
 得られた正孔緩和層上に、真空蒸着法により電子輸送層7として下記に示すアルミニウムの8-ヒドロキシキノリン錯体ET-1を膜厚30nmとなるように積層した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000037
(電子注入層及び陰極の成膜、並びに封止)
 ここで、電子輸送層7までの蒸着を行った素子を、一度、前記真空蒸着装置内より大気中に取り出して、陰極蒸着用のマスクとして、陽極であるITOストライプと直交する形状の2mm幅のストライプ状シャドーマスクを素子に密着させ、別の真空蒸着装置内に設置して、電子輸送層7と同様の真空蒸着法により、電子注入層8としてフッ化リチウム(LiF)を膜厚0.5nm、次いで陰極9としてアルミニウムを膜厚80nmとなるようにそれぞれ積層した。
 引き続き、素子が保管中に大気中の水分等で劣化することを防ぐため、以下に記載の方法で封止処理を行った。
 真空蒸着装置に連結された窒素グローブボックス中で、23mm×23mmサイズのガラス板の外周部に、約1mmの幅で光硬化性樹脂を塗布し、中央部に水分ゲッターシートを設置した。この上に、陰極形成を終了した基板を、蒸着された面が乾燥剤シートと対向するように貼り合わせた。その後、光硬化性樹脂が塗布された領域のみに紫外光を照射し、樹脂を硬化させた。これにより、2mm×2mmサイズの発光面積部分を有する赤、緑及び青の各色の有機EL素子が得られた。
[実施例2]
 実施例1にて正孔緩和材料として使用したGH-2をRH-1に変えたこと以外は、実施例1と同様にして、赤、緑及び青の各色の有機EL素子を作製した。RH-1のμ/μは0.52、正孔検出量は6.9×10-10である。
[比較例1]
 実施例1にて使用した正孔緩和材料GH-2を、本発明の正孔緩和材料には該当しない電荷輸送材料BH-1に変えたこと以外は、実施例1と同様にして、赤、緑及び青の各色の有機EL素子を作製した。BH-1のμ/μは17.2、正孔検出量は4.5×10-10である。
[比較例2]
 実施例1にて使用した正孔緩和材料GH-2を、以下に示す正孔防止材料HB-1に変えたこと以外は、実施例1と同様にして、赤、緑及び青の各色の有機EL素子を作製した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000038
[比較例3]
 実施例1にて使用した正孔緩和材料GH-2を、以下に示す正孔防止材料HB-2に変えたこと以外は、実施例1と同様にして、赤、緑及び青の各色の有機EL素子を作製した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000039
[測定方法]
<輝度半減期>
 輝度半減期の測定方法は、作製した各色の有機EL素子に、試験時直流一定電流を通電したときの輝度が1000nitとなる電圧をかけたときの輝度変化をフォトダイオードにより観察することにより行ない、輝度値が試験開始時の半分、すなわち500nitとなるまでの時間(輝度半減期)を求めた。通電試験は、室温を空調により23±1.5℃に制御した室内で行なった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000040
 表3に示すが如く、本発明の有機EL素子Aは、駆動寿命が長いことが分かる。更に、各色の有機EL素子においても、各々駆動寿命が長いため、本発明の有機EL素子を含む有機発光デバイスも、同様に駆動寿命が長いことが分かる。
[実施例3]
 実施例1における発光層の形成条件を以下の通り変更したこと以外は、実施例1と同様にして、赤、緑及び青の各色の有機EL素子を作製した。
(赤色発光層)
 RH-1、GH-1、RD-1及びGD-1を50対50対7対5(重量比)の割合で混合し、この混合物5.0重量%をシクロヘキシルベンゼンに溶解させた組成物を調製し、この組成物を窒素雰囲気下、前記正孔輸送層上にスピナ回転数500rpm、2秒、そして1500rpm、30秒の2段階でスピンコートして成膜し、膜厚60nmの赤色発光層を形成した。
(緑色発光層)
 GH-2及び前述のGH-1、GD-1を50対50対5(重量比)の割合で混合し、この混合物5.0重量%をシクロヘキシルベンゼンに溶解させた組成物を調製し、この組成物を窒素雰囲気下、前記正孔輸送層上にスピナ回転数500rpm、2秒、そして1500rpm、30秒の2段階でスピンコートして成膜し、膜厚60nmの緑色発光層を形成した。
(青色発光層)
 BH-1及びBD-1を100対10(重量比)の割合で混合し、この混合物3.1重量%をシクロヘキシルベンゼンに溶解させた組成物を調製し、この組成物を窒素雰囲気下、前記正孔輸送層上にスピナ回転数500rpm、2秒、そして1200rpm、30秒の2段階でスピンコートして成膜し、膜厚45nmの青色発光層を形成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000041
 表4に示すが如く、本発明の有機EL素子Aは、駆動寿命が長い。更に、各色の有機EL素子においても、各々駆動寿命が長いため、本発明の有機EL素子を含む有機発光デバイスも、同様に駆動寿命が長いことが分かる。
[実施例4]
 実施例1において、下記に示すこと以外は、実施例1と同様にして作製した。
(ITO基板の作製)
 実施例1において、ガラス製の基板の上にインジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜の堆積膜厚を150nmから、70nmに変更した他は、実施例3と同様にして陽極を作成した。
(発光層)
 発光層の材料は、前記GH-1、GH-2、GD-1及び、下記に示すRD-2を75:25:10:0.7(重量比)の割合で混合し、この混合物5.0重量%をシクロヘキシルベンゼンに溶解させた組成物を調整し、この組成物を窒素雰囲気下、前記正孔輸送層上にスピンコートで成膜した。
 スピンコート条件として、スピナ回転数500rpm、2秒、そして1500rpm、120秒の2段階で行った。その後、130℃で1時間乾燥を行うことで、膜厚60nmの発光層を形成した。
 これにより、522nmと611nmに発光極大を持つ黄色の有機EL素子を作製することができた。
[比較例6]
 実施例4の正孔緩和層の成膜において、正孔緩和材料GH-2を、正孔防止材料HB-2に変更した他は、実施例4と同様にして有機EL素子を作成した。
<輝度半減期>
 輝度半減期の測定方法は、作製した黄色の有機EL素子に、試験時直流一定電流を通電したときの輝度が2000nitとなる電圧をかけたときの輝度変化をフォトダイオードにより観察することにより行ない、輝度値が試験開始時の半分、すなわち1000nitとなるまでの時間(輝度半減期)を求めた。通電試験は、室温を空調により23±1.5℃に制御した室内で行なった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000042
 表5に示すが如く、本発明の有機EL素子Cは、駆動寿命が長い。
[実施例5]
 正孔輸送層の形成までを実施例1と同様にして実施した。次いで、得られた正孔輸送層上に、第一の発光層としてBH-1及びBD-1を100対10(重量比)の割合で混合し、この混合物2.4重量%をシクロヘキシルベンゼンに溶解させた組成物を調製し、この組成物を窒素雰囲気下、前記正孔輸送層上にスピナ回転数500rpm、2秒、そして1200rpm、30秒の2段階でスピンコートして成膜した。その後、130℃で1時間乾燥を行うことで、膜厚30nmの青色発光層を形成した。
 得られた第一の発光層の上に、第二の発光層として、真空蒸着法によりGH-2、GD-1及びRD-1を100対10対0.7(重量比)の割合になるよう蒸着速度を調整しながら共蒸着し、膜厚30nmの黄色発光層を形成した。
 得られた第二の発光層の上に、実施例1と同様に正孔緩和層としてGH-2、電子輸送層としてET-1、電子注入層及び陰極を形成した後に封止処理を実施し、白色の有機EL素子を得た。
<輝度半減期>
 輝度半減期の測定方法は、作製した白色の有機EL素子に、試験時直流一定電流を通電したときの輝度が1000nitとなる電圧をかけたときの輝度変化をフォトダイオードにより観察することにより行ない、輝度値が試験開始時の半分、すなわち500nitとなるまでの時間(輝度半減期)を求めた。通電試験は、室温を空調により23±1.5℃に制御した室内で行なった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000043
 表6に示すが如く、本発明の有機EL素子Dは、駆動寿命が長いことが分かる。
 本発明は、有機EL素子が使用される各種の分野、例えば、フラットパネル・ディスプレイ(例えばOAコンピュータ用や壁掛けテレビ)や面発光体としての特徴を生かした光源(例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源)、表示板、標識灯等の分野において、好適に使用することができる。
 なお、2010年1月8日に出願された日本特許出願2010-002972号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。
 1 基板
 2 陽極
 3 正孔注入層
 4 正孔輸送層
 5 発光層(5(a)と5(b)とは、別の発光層)
 6 正孔緩和層(正孔防止層)
 7 電子輸送層
 8 電子注入層
 9 陰極
 10 サンプル層

Claims (14)

  1.  陽極と陰極との間に発光層を有する有機EL素子であって、
     該発光層は、発光材料及び電荷輸送材料を含有し、
     該発光層の陰極側に隣接して正孔緩和層を有し、
     該正孔緩和層は、正孔緩和材料を含有し、
     該正孔緩和材料は、正孔輸送性のユニットと電子輸送性のユニットを有する有機化合物であり、
     該電荷輸送材料の少なくとも一種と、該正孔緩和材料の少なくとも一種とが同一の有機化合物であることを特徴とする、有機EL素子。
  2.  前記電荷輸送材料の電界強度160kV/cmでの正孔検出量が2.5×10-10~1×10-8であることを特徴とする、請求項1に記載の有機EL素子。
  3.  前記正孔緩和材料における電子移動度μと正孔移動度μの比率(μ/μ)が、100~0.1であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の有機EL素子。
  4.  前記正孔緩和材料が、下記一般式(1)で表されることを特徴とする、請求項1~3のいずれか一項に記載の有機EL素子。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
    (一般式(1)中、
     Aは各々独立に炭素数1~30の正孔輸送性のユニットを示し、
     Bは各々独立に炭素数1~30の電子輸送性のユニットを示し、
     Lは炭素数1~10のアルキレン基、炭素数2~10のアルケニレン基、又は炭素数6~30の2価の芳香族炭化水素基を示し、
     これらは置換基を有していてもよい。
     n及びmは1~4の整数を示し、lは0~3の整数を示す。
     一般式(1)において、l、m、nが2以上の場合、複数含まれるL、A、Bは、各々、同じでもよく、また異なっていてもよい。)
  5.  前記正孔緩和材料が、下記一般式(2)又は一般式(3)で表される構造を有する化合物であることを特徴とする、請求項1~3のいずれか一項に記載の有機EL素子。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
    (一般式(2)及び一般式(3)中、
     Aは各々独立に炭素数1~30の正孔輸送性のユニットを示し、
     Bは各々独立に炭素数1~30の電子輸送性のユニットを示し、
     Lは、炭素数1~10のアルキレン基、炭素数2~10のアルケニレン基、又は炭素数6~30の2価の芳香族炭化水素基を示し、
     これらは置換基を有していてもよい。
     x及びyは1~4の整数を示す。 
     一般式(2)においてxが2以上の整数の場合、L-Aは同一であってもよく、また異なってもよい。
     一般式(3)においてyが2以上の整数の場合、L-Bは同一であってもよく、また異なってもよい。)
  6.  前記正孔緩和材料が、
     正孔輸送性のユニットとして、下記(a)群から選択された少なくとも一つの環と、電子輸送性のユニットとして、下記(b)群から選択された少なくとも一つの環とを含む有機化合物であることを特徴とする、請求項1~5のいずれか一項に記載の有機EL素子。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
    (但し、上記(b)群に含まれる環はいずれも、窒素原子に対して、o-位及びp-位が全て芳香族環で置換されている。)
  7.  前記有機EL素子が、さらに、正孔注入層、正孔輸送層及び電子輸送層を有し、
     陽極側から、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔緩和層及び電子輸送層の順に積層されていることを特徴とする、請求項1~6の何れか一項に記載の有機EL素子。
  8.  正孔注入層、正孔輸送層及び発光層が、湿式成膜法で形成された層であり、正孔緩和層及び電子輸送層が、蒸着成膜法で形成された層であることを特徴とする、請求項7に記載の有機EL素子。
  9.  赤色、緑色及び青色の有機EL素子を有する有機発光デバイスであって、
     赤色、緑色及び青色の有機EL素子のうち少なくとも一つが、請求項1~8のいずれか一項に記載の有機EL素子であることを特徴とする、有機発光デバイス。
  10.  色の異なる2以上の有機EL素子が、請求項1~8のいずれか一項に記載の有機EL素子であり、該色の異なる2以上の有機EL素子の正孔緩和層に含まれる正孔緩和材料が同一の有機化合物であることを特徴とする、請求項9に記載の有機発光デバイス。
  11.  前記発光層が、2種以上の発光材料を含有することを特徴とする、請求項1~8のいずれか一項に記載の有機EL素子。
  12.  前記発光層が各々異なる発光材料を含有する2層以上からなることを特徴とする、請求項1~8のいずれか一項に記載の有機EL素子。
  13.  請求項11又は12に記載の有機EL素子を含むことを特徴とする、有機EL表示装置。
  14.  請求項11又は12に記載の有機EL素子を含むことを特徴とする、有機EL照明。
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