WO2007097335A1

WO2007097335A1 - めっき装置及びめっき方法

Info

Publication number: WO2007097335A1
Application number: PCT/JP2007/053096
Authority: WO
Inventors: Toru Nakai; Satoru Kawai
Original assignee: Ibiden Co., Ltd.
Priority date: 2006-02-22
Filing date: 2007-02-20
Publication date: 2007-08-30
Also published as: KR20080037696A; EP1988191A1; TWI355430B; JP4878866B2; US20090029037A1; EP1988191A4; CN101341278B; US8679576B2; CN101341278A; TW200745388A; JP2007224347A

Abstract

　　【課題】　表面の凹凸量が７μｍ以下であるフィルドビアを形成できるめっき方法を提案する。　　【解決手段】　可撓性を有する絶縁性接触体１８が直接接触することにより、従来のバブリングやめっき液を基板に噴射する攪拌方法に比べて拡散層（めっき成分や添加剤濃度が薄い領域）を薄くすることができる。このため、バイアホール３６内部（凹内）を除く被めっき表面には、従来の攪拌方法よりめっき液成分中に含まれている抑制剤が多くつきやすい。それに対し、バイアホール３６の内部（凹内）はバイアホール３６（凹）の深さ分拡散層の厚さが厚いので、従来の攪拌方法と同様に抑制剤が付き難い。それ故、バイアホール３６内部（凹部）はそれ以外の部分に比してめっき膜の成長速度が速くなる。

Description

明細書

めっき装置及びめつき方法

技術分野

[0001] 本発明は、非貫通孔ゃ貫通孔内へめっきを行う際、均一な孔内へのめっき膜の形成とフィルド性を有するスルーホールめつき、ビアホールめつきを形成することができるめっき方法に関するものである。

背景技術

[0002] 特開 2000— 239892号は、めっき槽と、めっき槽に帯状基板を進入させる進入手段と、めっき槽内に設けられるとともに下降してきた連続帯を上方へ折り返す下折り返し手段と、下折り返し手段へ向けて下降する帯状基板にめっきを施す下降めつき区間と、下折り返し手段力上昇する帯状基板にめっきを施さずにこれを通過させる非めつき区間と、非めつき区間を通過した直後の帯状基板をめつき槽力引き出す引き出し手段とからなるめっき装置を開示している。また、特許文献 2には、 Si基板表面の非貫通孔にポリビニールアルコール力もなる接触パッドを当ててめっきを行うめっき方法が開示されている。特許文献 3には、 Si基板表面の非貫通孔に微少孔を有する接触体を当ててめっきを行うめっき方法が開示されている。

特許文献 1：特開 2000— 239892号

特許文献 2：特開 2000 - 232078号

特許文献 3 :特開 2004— 225119号

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0003] しかしながら、帯状基板にめっきを施す場合、めっき槽数や、めっき槽長を増すことなく生産性を上げたいという要望力も電流密度を高くする。このため、フィルドビアを形成しようとすると、 1製品内において図 17 (A)に示すようなビアホール 44中央に深い凹み 37が残ったり、反対に凸部が出来たりすることがあった。

[0004] ここで、特許文献 2、特許文献 3に示されているように、絶縁体をめつき面に接触させながらめつきを行うことで、ビアホールの表面の平滑ィ匕を図ることも考えられる。しかしながら、特許文献 2、特許文献 3は、半導体の製造技術であり、平滑度が高いシリコン基板上での配線形成であり、この技術を転用した場合には、図 17 (C)に示すように、凹凸があるプリント配線板 30上に平坦な回路を形成してしまう。導体回路 46に、厚みの薄い部分 Eと、厚い部分 Fとができ、熱応力が加わった際に厚みの薄い部分で断線が生じ易い。また、インピーダンス整合性が下がり、電気特性が低下する。また、半導体では、ビアホール径が 15〜400nmであるのに対して、プリント配線板では 10 /z m以上であり、径が 100〜1000倍異なるので、フィルド性が悪化し易い。

[0005] 本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、フィルドビア及びスルーホール導体を形成するにあたり、表面の凹凸量が以下であるめつき導体を形成できるめっき方法及びめつき装置を提案することにある課題を解決するための手段

[0006] 本願発明は、プリント配線板、帯状基板のめっき表面に、少なくとも表面に可撓性を有する接触体の少なくとも一部を接触させながらめっきを行うめっき装置、めっき方法である。

[0007] 接触体が可撓性を備えるので、プリント配線板にうねり、凹凸があっても、接触体がうねり、凹凸に追従し、プリント配線板の表面に均一な厚さのめっき膜を形成し易い。また、接触体が屈曲するので、基板の断面方向（ビアホールやスルーホール内の方向 )へ加わる力が弱まり、ビアホール、スルーホール内に接触体が入り込み難くなる。ここで、接触体としては、ビアホール、スルーホール内に入り込む入り込み量（図 18 (A )中の X)が 10 m以下となる接触体を用いることが望ましい。

[0008] 本願発明のように、プリント配線板表面へ、可撓性を有する接触体を直接接触させることにより、従来のパブリングやめつき液を基板に噴射する攪拌方法に比べて拡散層 (めっき成分や添加剤濃度が薄い領域)を薄くすることができる。このため、ビアホール内部（凹内）やスルーホール内部を除く被めつき表面には、従来の攪拌方法よりめつき液成分中に含まれている抑制剤が多くつきやすい。それに対し、ビアホールの内部（凹内）やスルーホール内部はビアホール（凹）やスルーホール内部の深さ分拡散層の厚さが厚いので、従来の攪拌方法と同様に抑制剤が付き難い。それ故、ビアホール内部（凹部）やスルーホール内部はそれ以外の部分に比してめっき膜の成長速度が速くなる。また、ビアホール（凹）部やスルーホール内部以外の被めつき面はめつきが析出し難いことから、ビアホール（凹）部やスルーホール内部以外でのめっき主成分 (銅めつきなら銅、ニッケノレめつきならニッケノレ）の消費が少なくなるので、ビアホール（凹）内やスルーホール内部へのめっき主成分の供給量が多くなる。そのため、ビアホール（凹）内やスルーホール内部は、めっき膜の成長速度自体も速くなる。

[0009] 図 4 (A)に示すように接触体 18は、屈曲性があるので、形成されるめつき層 40が厚くなるに従い屈曲度合いが自動的変わる。また、図 4 (A)中で、 Hで示す、接触体 18 の直前の部分にめっき液を保持して接触体 18が移動するので、プリント配線板表面にフレッシュなめっき液を供給できる。また、接触体 18は、図 4 (A)中で、 Gで示すように接触体 18の前の部分で、屈曲して移動するので、プリント配線板側に向力うめつき液流が出来やすくなる。このため、ビアホール内、スルーホール内を含むプリント配線板表面にフレッシュなめっき液を供給できる。このように、基板表面にフレッシュなめっき液を供給することで、電流密度を上げることが可能となり、めっき成長速度を高めることができる。

[0010] 接触体の材質は、めっき液に対する耐性 (耐酸性、特に、耐硫酸銅めつき液性）が有り、可撓性、屈曲性が有ればよぐ例えば、塩ィ匕ビユリデン榭脂、ポリビニールアルコール、酢酸ビニール、ポリエチレン、ポリプロピレン、ナイロン、フッ素榭脂、塩化ビ- 一ル榭脂等を用いることができる。

[0011] このような榭脂を繊維状にして、束ね、ブラシ、ハケ状の接触体とすることができる。この繊維の太さは、スルーホール、ビアホール径よりも大きいこと力孔内への入り込みを防止する上から望ましい。この繊維の内部に気泡を含めたり、ゴムなどを添加することで、屈曲性を調整することができる。また、上記榭脂を板状にし、ヘラのようにしてプリント配線板に接触させることもできる。さらに、図 18 (B)に示すように、可撓性を有する接触体を、基板に対して周回運動させることも可能である。接触体をブラシにすると繊維と繊維の間をめつき液が通過できるので、電流密度を高くできる。

発明を実施するための最良の形態

[0012] [実施例 1] まず、図 1〜図 2を参照して本発明の実施例 1に係るめっき装置の構成について説明する。

図 1は、実施例 1のめつき装置の全体構成を示す説明図である。図 2は、めっき槽内の片側の搬送機構の構成を示す説明図である。

めっき装置 10は、フレキシブルプリント配線板用の帯状基板にめっきを施すためのもので、幅 180mm長さ 120mの帯状基板を巻き取ったリール 98Aから引き出される帯状基板 30Aの片面に電解めつきを施し、巻き取りリール 98Bに巻き取る。めっき装置 10は、帯状基板 30Aのめつき面側に接触している絶縁性筒状の接触体 18と、接触体 18により帯状基板 30Aが橈むのを防ぐ背板 28と、めっき液への給電を行う陽極 1 4とを備える。陽極 14内には、めっき液に銅分を補給する銅球が収容されている。図 2中に示すようにめつき槽 12内は、全体で 20mのめつきラインを構成している。なお、絶縁性の接触体の代わりに、半導体の接触体を用いることもできる。

[0013] 接触体 18は、高さ 200mm、直径 100mmの PVC (塩化ビニール）製の筒状のブラシ力もなる。該接触体 18では、ブラシの先端がプリント配線板側に接触すると共に屈曲する。接触体 18は、ステンレス製の支持桿 18Aに支持され、図示しないギアを介して回動される。接触体 18は、帯状基板 30Aの搬送方向に対して隣接配置されると共に、それぞれで回転方向が異なるように回動される。これは、回転方向が同一であると、帯状基板 30Aに回転方向の搬送力を加えることになり、余計なテンションが掛カるからである。実施例 1では、回転方向が異なるため、帯状基板 30Aに加わる搬送力が相互に打ち消し合い、余計なテンションを掛けることがない。ここで、接触体 18の回転方向は、図 2中に記載されている矢印の方向である。実施例 1では、接触体 18の回転軸は帯状基板 30Aの搬送方向に対して直行している力この代わりに、回転軸が斜め、又は、平行方向になるようにも配置できる。

[0014] 図 3を参照して、該めっき装置 10によるフィルドビア及び導体回路の形成について説明する。図 3 (A)は、両面銅張フレキシブル基板である。この基板の片面に市販のドライフィルムを貼りつけ、周知の写真法でビアホール 36形成位置の銅箔 33をエツチング除去し、銅箔を 33マスクとして炭酸ガスレーザでビアホール 36を形成した（図 3 (B)参照）。次いで、銅箔 33及びビアホ―ル 36の表面に化学銅めつき 38を形成し (図 3 (C)、その後、図 1に示すめっき装置 10により電解めつき膜 40を形成した（図 3 ( D) )。この場合、接触体の一部はプリント配線板の表面に少なくとも一部に接触しな力めっき形成している。電気めつき開始時においては、接触体 18はプリント配線板の化学銅めつき膜 38に接触していて、電解めつっき膜が形成されると、該電解めつつき膜に接する。

[0015] 実施例 1のめつき装置、めっき方法では、図 4 (A)に示すようにビアホール内もしくはスルーホール内で、めっき膜 40と接触体 18のブラシ毛 18Bの先端とは接触し難い。内部にめっき膜が形成されると、他の導体部分とめっき膜の高さの差力、さくなる。高さの差が小さくなつた時点で、ブラシ (接触体の一部分を形成)と接触し易くなるために、めっき膜の成長が抑制されるもしくはめっき膜の成長を止めることになる。その結果、ビアホール (もしくはスルーホール）と導体回路と均一の高さとなりやすい。その結果、図 4 (B)に示すように凹凸量が小さな（7 m以下)フィルドビア 44を製造することができる。

[0016] また、ビアホールやスルーホールの開口した部分のめっきは成長する力該ビアホール以外の導体部分である導体回路 46は、接触体の接触により厚くなりすぎないのである。つまり、ビアホール内のめっきは確実に形成される力それ以外の導体回路 46 部分では、ビアホールの厚みに比べて、また、従来技術 (特開 2000— 239892)でのめつき方法による導体回路部分と比べて相対的に厚みが薄いめっき膜を形成することができる。それにより、従来よりも高密度化した導体回路を形成することができる。特に、導体回路を全面に形成し、エッチングにより導体回路を形成する際 (サブトラクティブ法、テンティング法）には、ファインピッチに導体回路を形成でき、高密度化のために有利である。

[0017] 実施例 1では、移動している被めつき表面（帯状基板表面）に接触体が接触している。そのため、パブリングや揺動、被めつき面への液流の噴射といった従来の攪拌方法と違って、被めつき面近傍に形成される拡散層（めっき主成分濃度や添加剤濃度が被めつき面に向力つて希薄になる領域)を薄くできる。そのため、めっき液中のめっき成長を抑制する添加剤（抑制成分）がビアホール以外 (基板表面の被めつき面）には多くつきやすくなる。それに対して、ビアホール内は、その探さの分抑制成分はっき難、（基板表面の被めつき面にっ、て、る抑制成分量 Zビアホール内の被めつき面についている抑制成分量比が、従来技術に比して大きくなる）。その結果、ビアホール内のめっき成長速度 zビアホール以外 (基板表面の被めつき面）のめつき成長速度比が大きくなる。また、ビアホール以外でのめっき成分 (銅めつきの場合、銅成分）の消費が少なくなるので、ビアホール内でのめっき成分の消費が優先的に行われるため、ビアホール内のめっき成長速度が速くなる。それ故、従来技術に比べて、実施例 1では、基板表面のめっき厚みは薄ぐビアホール内の効率よくめつき膜 40を形成できる。スルーホールにおいても同様に、基板表面のめっき厚は薄ぐスルーホール内にめっき導体を充填できる。

[0018] また、接触体を被めつき面上に移動あるいは回転、もしくは、移動させながら回転させることによりめっき液の液流を一定方向にすることができる。特に、ビアホール周りの液流を一定方向に供給量を安定にすることができる。そのため、ビアホール周辺でのめつき膜形成のバラツキをなくすことが可能となる。そのために、ビアホールを形成する場合であれば、ビアホールの凹みが小さくなるし、スルーホールを形成する場合であれば、表層であるスルーホールの肩部分における変形がな!、のである。

[0019] 本実施例のめっき方法によれば、接触体の種類、接触体の回転条件、移動条件、めつき液の組成、めっき条件によっては、形成途中のビアホールもしくはスルーホールへめつき液が送られる。それにより、強制的にビアホールもしくはスルーホールへのめつき液が供給されて被めつき面に対してめつき液の接触が増えるために、めっき膜の成長を促進する。

言い換えると、接触体などによりビアホールもしくはスルーホール周辺において、不定期な液流が形成されない。そのために形成されためつき膜の膜の内部結晶構造が整列される。従来に比べると、めっき膜内部での内部抵抗を低減することができるのである。これにより、電気接続性が向上され、高温高湿下やヒートサイクル条件下の信頼性試験を行っても、従来と比べ、長期に渡り信頼性が確保されやすくなるのである。これはスルーホールにおいても同様の傾向がみられる。

[0020] 接触体の移動速度、回転速度 (外周での速度）は 1. 0〜8, Om/min.であることが望ましい。 1. 0 m/min.未満では、液流を変えることができないので、接触体を用いないのと同様の結果になることがある。 8. Om/min.を越えると、接触体の移動速度、回転速度が早くなるために、液流を変えることができないことがある。そのために、移動、回転して得られる結果よりも劣ってしまう。移動速度や回転速度は、 3. 0〜7 . OmZminの間が最も望ましぐその範囲であれば、局所的にも液流を変えられないということがない。

[0021] 接触体の大きさは、被めつき帯状基板のめっき部分幅と同等以上あることが望ましい。接触体の押し込み量 (接触体の先端がプリント配線板の表面に接触した時点からさらに押し込む量）は、プリント配線板表面に対して、 1. 0〜15. Omm押し込むことが望ましい。 1. Omm未満では、接触体を用いないのと同様の結果になることがある。 15. Ommを越える押し込み量では、めっき液の供給が阻害されるために、ビアホールおよびスルーホールでのめっき膜のバラツキを誘発してしまうことがある。ビアホール内やスルーホール内に接触体が入り込み易くなる力もである。 2〜8mmの押し込み量が最も望ま U、。めっき膜のバラツキが起こしにく!、からである。

[0022] 接触体は、可撓性を備えるブラシ、ヘラのいずれかで選ばれるものを用いることが望ましい。可撓性を備えることで、基板の凹凸に追従し、凹凸面に均一な厚みでめっき膜を形成することができる。

[0023] 接触体として榭脂ブラシを用いることができる。この場合、毛先を被めつき面に当接させる。ここで、毛の直径は、スルーホール、ビアホールを形成する孔径よりも大きいことが望ましい。これは、スルーホール、ビアホール形成用の孔内に毛先が入り込まず、穴内にめっき膜を適正に充填できるからである。榭脂ブラシとしては、耐めっき薬液性のある PP、 PVC (塩ィ匕ビニール）、 PTFE (四弗化工チレン)等を用いることができる。また、榭脂、ゴムを用いてもよい。更に、毛先として塩化ビニール織布、不織布等の榭脂繊維を用いることも可能である。

[0024] 図 4 (C)は、図 4 (B)中の円 Bで示す電解めつき膜 40の部位を拡大したスケッチである。図中に示すように、実施例 1のめつき装置では、銅の結晶構造は整列している。これは、接触体 18により、ビアホール周りの液流を一定方向にすることができるためと考えられる。

[0025] 図 17 (B)は、従来技術（特開 2000— 239892号）のフィルドビアでの電解めつき膜を拡大したスケッチである（図 17 (A)中の円 Dに相当）。従来技術では、図 4 (C)に示す実施例 1の場合と異なり、銅の結晶構造が綺麗に整列していない。

[0026] 引き続き、実施例 1のめつき装置を用いるプリント配線板の製造 (サブトラクティブ法、テンティング法）について、図 3を参照して説明する。

厚さ 25 μ mのポリイミド帯状基板 30の表面に 9 μ mの銅箔 33が、裏面に 12 mの銅箔 34がラミネートされている積層帯状基板 30Aを出発材料とした (図 3 (A) )。まず、ライトエッチングにより表面の 9 /z mの銅箔 33の厚みを 7 mに調整した。次に、レーザにより、銅箔 33及びポリイミド帯状基板 30を貫通し、銅箔 34の裏面に至るビアホール 36を穿設した（図 3 (B) )。そして、帯状基板 30Aの表面にパラジウム触媒を付与することにより、触媒核を付着させた（図示せず)。

[0027] 次に、上村工業製の無電解めつき液 (スルカップ PEA)中に、触媒を付与した基板を浸漬して、帯状基板 30Aのめつき形成面に厚さ 1. 0 mの化学銅めつき膜 38を形成した（図 3 (C) )。

[0028] ついで、帯状基板 30Aを 50°Cの水で洗浄して脱脂し、 25°Cの水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、図 1を参照して上述しためっき装置 10を用いて、以下の条件で電解めつきを施し電解めつき膜 40を形成した（図 3 (D) )。

〔電解めつき液〕

硫酸 2. 24 mol/1

硫酸銅 0. 26 mol/1

添加剤 19. 5 ml/1

レべリング剤 50 mg/1

光沢剤 50 mg/1

〔電解めつき条件〕

電流密度 5. 0〜30 mA/cm

時間 10〜90 分

温度 22± 2 °C

ここで、電流密度は、 5. 0〜30mA/cm²、特に、 10mA/cm²以上が望ましい。

[0029] このとき、図 1を参照して上述したように接触体 18として、被めつき面に接触させながら、ビアホール 36内に凹凸量： 5〜7 μ m、銅箔 33上に 4 μ m、即ち、銅箔 33側の導体回路の厚みが銅箔 34と同じ 12 mとなり、開口にフィルドビア 44ができるように電解めつき膜 40を形成した。このとき、接触体の速度 7m/min、帯状基板 30Aの搬送速度 0. 36mZmin、接触体 18の押し込み量は 15mmである。

[0030] そして、所定パターンのレジストを設け、エッチングを行うことにより、導体回路 46及び導体回路 42を形成した（図 3 (E) )。いわゆるサブトラクティブ法、テンティング法である。

[0031] [実施例 2]

引き続き、実施例 2に係る製造工程について、図 5、図 6を参照して説明する。

図 1を参照して上述した実施例 1では、めっき装置 10を用いて片面にフィルドビア 44 を製造した。これに対して、実施例 2では、積層の帯状基板 130の両面からめっきを行いスルーホールを形成する。また、実施例 2では、接触体 18としてプリント配線板側に毛の先端が当接する PVC (塩ィ匕ビニール)製の筒状のブラシを用いた。

[0032] 図 5は、実施例 2に係るめっき装置のめっき槽の構成を示している。実施例 2では、背板 28が省かれ、対向配置された接触体 18が帯状基板 130を挟むように構成されている。

[0033] (1)先ず、導体回路 42の形成されたコアとなる帯状基板 30A、 30B、 30Cを積層して成る積層基板 130にスルーホール用通孔 136aを穿設する（図 6 (A) )。

[0034] (2)次に、積層基板 130全体及びスルーホール用通孔 136a内に化学銅めつき膜 38 を形成する（図 6 (B) )。

[0035] (3)図 5を参照して上述した実施例 2のめつき装置 10により、積層基板 130の表面に電解めつき膜 40を形成すると共に、スルーホール用通孔 136a内を電解めつき膜 40 で充填する（図 6 (C) )。

[0036] (4)エッチングレジストを形成した後、エッチングレジスト非形成部の電解めつき膜 40 及びィ匕学銅めつき膜 38をエッチングで除去した後、エッチングレジストを除去し、独立の上層導体回路 46 (スルーホール 136を含む）とした（図 6 (D) )。、わゆるテンテイング法、サブトラクティブ法である。

[0037] [実施例 3] 図 1を参照して上述した実施例 1のめつき装置では、接触体 18を榭脂ブラシで構成した。これに対して、実施例 3では、接触体 18をへら状の塩化ビニール織布で構成した。

実施例 3では、めっきレジストを形成してめっき層を設けた。この製造工程について、図 7を参照して説明する。

[0038] ポリイミド帯状基板 30の裏面に銅箔 34がラミネートされている積層帯状基板に、レーザによりポリイミド帯状基板 30を貫通し、銅箔 34の裏面に至るビアホール 36を穿設する（図 7 (A) )。そして、帯状基板 30Aの表面に化学銅めつき膜 38を形成する（図 7 (B) )。その後、所定パターンのめっきレジスト層 39を形成する（図 7 (C) )。図 1を参照して上述しためっき装置 10で、塩化ビニール織布の接触体 18を用いて電解めつきを施し電解めつき膜 40を形成する（図 7 (D) )。最後に、レジスト層 39を剥離し、レジスト層 39下の化学銅めつき膜 38を除去することで、フィルドビア 44を形成する（図 7 (E) )。この場合、接触体の一部は、少なくともレジスト層（めっきレジスト）の表面に接しながらめっきを行っている。

[0039] [実施例 4]

実施例 4では多層プリント配線板を製造した。

まず、図 8を参照して本発明の実施例 4に係るめっき装置の構成について説明する。上述した第 1〜第 3実施例では、帯状基板 30Aにめつきを施した。これに対して、実施例 4では、 1枚取りのプリント配線板にめっきを施す。第 4実施例のめっき装置 110 は、めっき液 114を満たしためっき槽 112と、めっき液 114を循環させるための循環装置 116と、プリント配線板 30の表面側のめっき面に当接するブラシ 118Bを植設した絶縁板 118Aから成る接触体 118と、接触体 118を昇降桿 122を介してプリント配線板 30に沿って上下動させる昇降装置 124と力ら成る。

[0040] 実施例 4の製造方法を図 9を参照して説明する。実施例 1の基板（図 3 (E)；下層基板 )のフィルドビア 44側には 25 μ m厚のエポキシフィルム 130を、銅箔 34からなる導体回路 42側には各導体回路を短絡する目的でアルミ箔 43を積層した（図 9 (A) )。その後、フィルドビア 44の直上にレーザでビアホール 36を形成した（図 9 (B) )。続いて、実施例 1と同様のめっき条件でエポキシフィルム上とビアホール内に化学銅めつき膜 38、電解めつき膜 40を形成した（図 9 (C) )。アルミ箔 43を剥離し、エポキシフィルム 130上のめっき膜をパターユングしてフィルドビア 44、導体回路 46を形成し、多層プリント配線板とした（図 9 (D) )。

[0041] [実施例 5]

実施例 5では、実施例 4と同様なめっき装置を用いてプリント配線板を形成した。但し、実施例 4では、実施例 4のブラシの代わりに、図 10中に示すようにプリント配線板 3 0の表面側のめっき面に当接するゴムへら（ゴム板） 218Bを設けた絶縁板 218Aから成る接触体 218を用いた。また、実施例 5では、化学銅めつき膜を形成せずに、電解めっき膜を形成した。実施例 4, 5では、プリント配線板の片面に銅めき膜を形成した力図 19に示すプリント配線板 30を挟むように接触体 118を一対備えるめっき装置によりめつきを行うことも可能である。

[0042] 実施例 5の製造方法を図 11を参照して説明する。図 11 (A)に示すポリイミド帯状基板 30の裏面に銅箔 34がラミネートされている積層帯状基板に、レーザによりポリイミド帯状基板 30を貫通し、銅箔 34の裏面に至るビアホール 36を穿設する（図 11 (B) ) 。そして、図 1を参照して上述しためっき装置 10で、電解めつきを施しビアホール 36 内に電解めつき膜 40を形成する（図 11 (C) )。最後に、銅箔 34をエッチングして導体回路 42を形成する（図 11 (D) )。この場合、接触体の一部は、銅箔 34の貼り付けられてヽな、側の基板 30の表面の一部に接しながらめっきを行う。

[0043] [実施例 6]

実施例 6では、実施例 5と同様に化学銅めつき膜を形成せずに、電解めつき膜を形成した。この実施例 6の製造方法を図 12を参照して説明する。

[0044] 図 12 (A)に示すポリイミド帯状基板 30の裏面に銅箔 34がラミネートされている積層帯状基板に、レーザによりポリイミド帯状基板 30を貫通し、銅箔 34の裏面に至るビアホール 36を穿設する（図 12 (B) )。そして、図 1を参照して上述しためっき装置 10で、電解めつきを施しビアホール 36内及び基板 30の表面に電解めつき膜 40を形成する (図 12 (C) )。最後に、基板 30の表面の電解めつき膜 40及び裏面の銅箔 34をエッチングして導体回路 46、 42を形成する（図 12 (E) )。

[0045] なお、図 8及び図 10のめつき装置によるめつきにおいても、接触体 118、 218の接触部（ブラシ毛） 118A、ゴムへら 218Bの押し込み量は、接触体の押し込み量と同様に、ブラシ毛 118A、ゴムへら 218Bの先端がプリント配線板の表面に接して力も更に押し込まれる量である。また、接触体 118、 218は、プリント配線板 30と平行に図中上下方向の他、左右方向、斜め方向にも移動させることができ、更に、プリント配線板 3 0に対して垂直方向を回転軸として回転させることもできる。

[0046] 接触体の移動速度は 1. 0〜8, Om/min.であることが望ましい。 1. 0 m/min.未満では、液流を変えることができないので、接触体を用いないのと同様の結果になることがある。 8. Om/min.を越えると、接触体の移動速度が早くなるために、液流を変えることができないことがある。そのために、移動して得られる結果よりも劣ってしまう。移動速度は、 3. 0〜7. OmZminの間が最も望ましぐその範囲であれば、局所的にも液流を変えられな、と、うことがな、。

[0047] 接触体の大きさは、被めつき帯状基板のめっき部分幅と同等以上あることが望ましい。接触体の押し込み量 (接触体の先端がプリント配線板の表面に接触した時からさらに押し込む量）は、プリント配線板表面に対して、 1. 0〜15. Omm押し込むことが望ましい。 1. Omm未満では、接触体を用いないのと同様の結果になることがある。 15. Ommを越える押し込み量では、めっき液の供給が阻害されるために、ビアホールおよびスルーホールでのめっき膜のバラツキを誘発してしまうことがある。ビアホール内やスルーホール内に接触体が入り込み易くなる力もである。 2〜8mmの押し込み量が最も望ま U、。めっき膜のバラツキが起こしにく!、からである。

[0048] [試験]

榭脂層（厚さ 30、 45、 60、 90 m)の片面に銅箔が貼り付けられたプリント配線板にビアホール孔（直径 40 m、 60 m、 80 ^ m, 120 μ m)を形成し、ビアホール孔側の榭脂層表面に 0. 3 mの化学銅めつき膜を形成した。化学銅めつき膜まで形成したプリント配線板に、図 1に示すめっき装置を用いてビアホール内と榭脂層表面にめつき膜を形成し、その後、パターンを形成した（図 17 (D)参照)。その基板のフィルドビアの凹凸量 (図 4 (B)参照)、導体層の厚み (図 17 (D) )を測定 (レーザ干渉計、目盛り付き顕微鏡)し、その結果を図 13 (A)中に示す。そして、接触体を用いない従来技術のめっき装置を用いて製造したプリント配線板を比較例として図 13 (B)中に示す。なお、めっき条件は、凹凸量が ± 7 ;ζ ΐη以下になるようめつき条件を設定した。

[0049] 図 13 (A)中で、ビア径 40 μ mで層間厚 30 μ mの欄での 5Ζ— 3における 5は、榭脂層に形成した導体層の厚み（図 17 (D)参照）を、 3はビアの凹み量（図 4 (B) )参照 )を表している。また、ビア径 60 /z mで層間厚 60 /z mの欄での 12Z + 7における + 7 はビアの凸量（図 4 (B) )参照）を表している。この例では、ビアホールの凹凸量を 7 m以下にできているため、例えば、図 9を参照して上述したように、多層プリント配線板 (フィルドビアの直上にビア導体を形成した多層プリント配線板)を形成しても、ビアホールの接続性に信頼性を持たせることができる。

[0050] [評価試験]

参考例 1として、接触体として可撓性を有さないガラスを用いた。

実験例 1及び参考例 1として、図 9 (D)に示すような多層プリント配線板を作製した。この多層プリント配線板内には、ビアホール径 60 m (榭脂厚さ 60 μ m)のビアホール導体が 100穴連結した配線が形成されて、る。この配線の抵抗値を測定して初期値とした。その後、 55度 X 5分 125度 X 5分を 1サイクルとして、 1000回ヒートサイクルを繰り返した。 1000サイクル終了後、再度配線抵抗を測定した。抵抗変化率： ( 1000サイクル後の配線抵抗値初期値の配線抵抗値) Z初期値の配線抵抗値 X 1 00が ± 10%以内なら合格である。その結果を図 14中に示す。参考例 1では、導体層の厚みの薄、部分で破損して、るものと推測される。

[0051] 上述した試験において、ビアホールの凹凸量を ± 7以下にするのに必要な導体層の厚みを図 15に示し、図 16に図表の内容をグラフにして示す。ここで、接触体を用いることで、導体厚 (導体層の厚み）をほぼ半分にできることが分かる。それ故、ファイン化に有利である。

産業上の利用可能性

[0052] 上述した実施例では、本実施例のめっき装置をビアホール、スルーホールの製造に用いる例を挙げた力本実施例のめっき装置は、プリント配線板の種々の部位の製造に好適に適用することができる。また、上述した実施例では、電解めつきを例示したが、化学銅めつきにも本願の構成は適用可能である。

図面の簡単な説明 [図 1]めっき槽内の搬送機構の全体構成を示す説明図である。

[図 2]めっき槽内の片側の搬送機構の構成を示す説明図である。

[図 3]実施例 1のめつき装置を用いるフレキシブルプリント配線板の製造工程を示す工程図である。

[図 4]図 4 (A)、図 4 (B)は実施例 1のめつき装置によるフィルドビア製造の説明図であり、図 4 (C)は、図 4 (B)中の円 Dで示す部位を拡大したスケッチである。

[図 5]実施例 2のめつき装置のめっき槽内の搬送機構を示す斜視図である。

[図 6]実施例 2のめつき装置を用いるフレキシブルプリント配線板の製造工程を示す工程図である。

[図 7]実施例 3のめつき装置を用いるフレキシブルプリント配線板の製造工程を示す工程図である。

[図 8]実施例 4のめつき装置を示す説明図である。

[図 9]実施例 4の多層プリント配線板の製造工程を示す工程図である。

[図 10]実施例 5のめつき装置を示す説明図である。

[図 11]実施例 5のプリント配線板の製造工程を示す工程図である。

[図 12]実施例 6のプリント配線板の製造工程を示す工程図である。

[図 13]実施例と比較例との評価結果を示す図表である。

[図 14]実験例 1と参考例 1との評価結果を示す図表である。

[図 15]ビアホールの凹凸量を ± 7以下にするのに必要な導体厚を示す図表である。

[図 16]ビアホールの凹凸量を ± 7以下にするのに必要な導体厚を示すグラフである。

[図 17]図 17 (A)は従来技術のフレキシブルプリント配線板を示す断面図であり、図 1 7 (B)は、図 17 (A)中の円 Dで示す部位を拡大したスケッチであり、図 17 (C)は先行技術で形成したプリント配線板の断面図であり、図 17 (D)は、試験用に形成したビアホールの説明図である。

[図 18]図 18 (A)は、接触体の入り込み量の説明図であり、図 18 (B)は、接触体の周回運動の説明図である。

[図 19]実施例 4の改変例めつき装置を示す説明図である。

符号の説明めっき装置

めっき槽

アノード

接触体

背板ベルト装置

無端ベルト

タイミングプーリ

背板

A 帯状基板

ポリイミド帯状基板 (プリント配線板) 、 34 銅箔

ビアホーノレ

化学銅めつき膜

電解めつき膜

導体回路

フィルドビア

導体回路

A、 98B リール

0 めっき装置

2 めっき槽

Claims

請求の範囲

[1] 非貫通孔又は貫通孔の少なくとも一方を有するプリント配線板の非貫通孔又は貫通孔内にめっき導体を形成してビアホール導体又はスルーホール導体とするめつき装置であって、

めっき液が入ってヽるめっき槽と、

プリント配線板の表面に、少なくとも一部が接触し可撓性を有する接触体と、を備えることを特徴とするるめつき装置。

[2] 前記プリント配線板の表面が被めつき面であることを特徴とする請求項 1のめつき装置。

[3] 前記プリント配線板の表面がめっきレジスト表面であることを特徴とする請求項 1のめつき装置。

[4] 前記接触体は、前記非貫通孔又は貫通孔内に入り込む量が 10 m以下に調整されることを特徴とする請求項 1〜請求項 3のいずれか 1のめつき装置。

[5] 前記接触体は、回転することを特徴とする請求項 1又は請求項 4のめつき装置。

[6] 前記接触体は、前記プリント配線板に対して平行に移動することを特徴とする請求項

1又は請求項 4のめつき装置。

[7] 前記プリント配線板が、前記めつき層内を搬送される帯状基板であることを特徴とする請求項 1〜請求項 5のいずれ力 1のめつき装置。

[8] 前記接触体は、ブラシ又はヘラである請求項 1〜請求項 7の、ずれか 1に記載のめつき装置。

[9] 非貫通孔又は貫通孔の少なくとも一方を有するプリント配線板の非貫通孔又は貫通孔内にめっき導体を形成してビアホール導体又はスルーホール導体とするめつき方法にぉ、て、少なくとも以下の（a)〜 (b)工程を含むめっき方法：

(a)非貫通孔又は貫通孔を有するプリント配線板をめつき成分が入っているめつき液に接触させ；

(b)前記プリント配線板の表面に可撓性を有する接触体の少なくとも一部を接触させながらめつきする。

[10] 帯状プリント配線板にめっきを施すめっき方法であって、 1以上の可撓性を備える接触体を前記帯状プリント配線板の表面に接触させながらめっきすることを特徴とするめつき方法。

[11] 前記プリント配線板の表面が被めつき面であることを特徴とする請求項 9又は請求項 10のめつき方法。

[12] 前記プリント配線板の表面がめっきレジスト表面であることを特徴とする請求項 9又は請求項 10のめつき方法。

[13] 前記 (b)工程にぉ、て、前記プリント配線板又は前記接触体の少なくとも一方を移動させながらめっきすることを特徴とする請求項 9又は請求項 10のめつき方法。

[14] 前記 (b)工程にぉ、て、前記接触体の表面を前記プリント配線板の表面に対して移動させながらめっきすることを特徴とする請求項 9、請求項 11,請求項 12のいずれか

1のめつき方法。

[15] 前記接触体が回転していることを特徴とする請求項 9又は請求項 10のめつき方法。

[16] 前記接触体の回転方向は、前記帯状プリント配線板の搬送方向に対して平行、斜め

、垂直のいずれかであることを特徴とする請求項 9又は請求項 10のめつき方法。

[17] 前記接触体が周回運動していることを特徴とする請求項 9又は請求項 10のめつき方法。