WO1993001133A1 - System for supplying pure water and cleaning method therefor - Google Patents

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WO1993001133A1
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water
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    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F2103/00—Nature of the water, waste water, sewage or sludge to be treated
    • C02F2103/02—Non-contaminated water, e.g. for industrial water supply
    • C02F2103/04—Non-contaminated water, e.g. for industrial water supply for obtaining ultra-pure water

Definitions

  • the present invention relates to a pure water supply system and a cleaning method, and more particularly to, for example, a pure water supply system and a silicon substrate cleaning method used in a cleaning step of an LSI manufacturing process.
  • the conventional technology will be described by taking a cleaning step of an LSI manufacturing process as an example.
  • an insulating film is formed on a silicon wafer, a predetermined pattern of windows is opened in the insulating film, and then washed, and p-type or n-type elements are introduced according to the purpose. Then, the step of diffusing or annealing the above impurities into silicon in a thermal diffusion furnace is repeated to form an element.
  • the cleaning step is very important for manufacturing high-performance devices, and it is necessary to completely remove dirt on silicon.
  • pure water from which dissolved oxygen in deionized water has been degassed may be used so that an oxide film is not formed on the silicon surface.
  • the main component of air is nitrogen
  • pure water saturated with nitrogen cannot absorb air remaining in the holes opened in the windows, so trace impurities remain on the silicon surface without being washed. Of device characteristics No further improvement or reduction in variation could be achieved.
  • the present invention provides pure water by degassing nitrogen and oxygen dissolved in water, and further by improving the wettability of water on the surface of a substrate, particularly the surface of a silicon wafer from which an insulating film has been removed.
  • the present invention aims to provide a washing method and a pure water supply system for completely washing and removing even a trace amount of impurities on silicon by contacting the silicon surface.
  • a first gist of the present invention is a pure water supply system characterized in that a means for degassing nitrogen and oxygen gas in water is provided in the middle of a pipe for supplying pure water to a use point.
  • a second aspect of the present invention resides in a substrate cleaning method characterized in that a substrate is washed using pure water supplied by the pure water supply system according to the first aspect.
  • the pure water of the present invention is, for example, low-purity water used in a washing step of a semiconductor manufacturing process.
  • low-purity water used in a washing step of a semiconductor manufacturing process.
  • pure water from which impurities have been removed is used. (table 1 )
  • FIG. 1 One configuration example of the pure water supply system of the present invention is shown in FIG. 1, and an example of a supply method will be described with reference to the drawing.
  • the pressure is increased to about 15 kcm 2 by a high-pressure pump 2 and sent to a reverse osmosis device 3.
  • the permeated water from which about 95% of ions have been removed by the reverse osmosis device 3 is stored in the permeated water tank 4. Concentrated water containing high-concentration ion is discharged out of the system.
  • the permeated water is sent to the first ion exchange tower 6-1 by the pump 5, where it is converted into pure water having a specific resistance of about 16 to 18 ⁇ ⁇ cm and stored in the water storage tank 7.
  • the water in the water storage tank 7 is sent to the use point 14 by the circulation pump 8 through the circulation pipe, and is returned to the water storage tank 7 again.
  • a sterilizing means 9, a deaerator 10, an ion exchange tower 6-2, and an ultrafilter 11 are arranged.
  • the specific resistance of pure water is 18 ⁇ ⁇ cm or more.
  • the sterilizing means 9 is for preventing the generation of bacteria in pure water, and includes, for example, an ozone injecting device and an ultraviolet lamp, but of course, other methods may be used.
  • the ultrafilter 11 is provided in order to remove minute suspended substances, dead bodies of bacteria killed by the sterilizing means 9, and the like.
  • any method can be used as long as it can degas dissolved nitrogen and oxygen in water.
  • a membrane degassing method, a vacuum degassing method or a nitrogen degassing method can be used.
  • a bubbling method using a gas not containing oxygen can be used.
  • a gaseous membrane for example, a Teflon-based hollow fiber membrane or a spiral membrane is filled in a housing that can withstand vacuum, water is introduced into the inside of the membrane, and the outside of the membrane is 10 to 50, for example.
  • the vacuum deaeration method is based on disposing a filler in a vacuum vessel, supplying water to the filler from the top of the vessel while reducing the pressure to, for example, 10 to 50 torr, and dissolving dissolved nitrogen in the water and Degas oxygen.
  • the dissolved oxygen concentration in pure water is reduced to 50 to 100 ppb, and nitrogen is reduced to 100 to 200 ppb.
  • Pure water obtained by the above method absorbs air easily, so even if air remains in holes with a high aspect ratio, pure water and silicon come in contact with each other because they absorb air in pure water. Can be removed by washing.
  • the pure water obtained by the above film degassing or vacuum degassing method is further bubbled with a gas that does not contain nitrogen and oxygen, such as Ar gas, so that a dissolved oxygen concentration of 5 ppb or less and a nitrogen concentration of 1 It is preferable to use pure water of O ppb or less.
  • the catalyst holding means 12 and the microwave generating means 13 are provided between the above-mentioned circulating fiber and the use point 14 ′, and the silicon is irradiated by the microwave while contacting the catalyst with pure water.
  • the result of washing with pure water against the above dirt is further improved.
  • the wettability of pure water to the silicon wafer changes, and pure water that has not wetted the silicon wafer wets the entire wafer. The reason for this is not clear, but by irradiating a microwave in the presence of a catalyst, hydrogen bonds between water molecules are broken and the water molecules that existed as macromolecules act as molecules of smaller units. As a result, it is assumed that the silicon wafer can be wetted.
  • the catalyst holding means 12 used in the present invention is capable of holding the catalyst by microwaves. Any suitable one can be used, for example, as shown in FIG. 2, a Teflon container 15 having an inner diameter larger than the pure water inlet 16 and outlet 17; A plurality of 1 mm-thick sheet filters made of Teflon with a small hole of about 5 ⁇ m are inserted perpendicularly to the direction of pure water flow, and a catalyst is inserted between these Teflon filters. To form a catalyst layer.
  • the catalyst for example, Pd, Pt and the like are used, and the particle size is preferably 1 to 1 from the viewpoint of reactivity.
  • the width of the catalyst is preferably small to suppress induction heating by microwaves, for example, about 1 mm.
  • the microwave is introduced parallel to the Teflon sheet and the catalyst layer (that is, perpendicular to the flow direction of pure water).
  • any suitable means can be used as long as it can generate microwaves having a frequency of 1 to 10 GHz, but in order to cut hydrogen bonds of water efficiently, a magnetron type is used. Are preferred. The output depends on the amount of pure water used, but about 1 KW is used.
  • pure water containing no nitrogen and oxygen absorbs residual air. Therefore, pure water can be brought into contact with the silicon surface, and trace impurities on silicon can be removed.
  • an extremely small amount of impurities attached to the silicon surface can be completely removed, and the performance of the device can be improved.
  • FIG. 1 is a diagram showing one configuration example of a pure water it device of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic sectional view showing an example of the catalyst holding means.
  • Fig. 3 is a graph showing the variation in the MOS transistor and the mutual inductance characteristics.
  • (A) shows the case where the conventional pure water was used in the washing step, and (b) used the pure water of the example in the washing step. Is the case.
  • Pure water was prepared using the pure water supply system shown in Fig. 1.
  • a membrane degassing method and a publishing method using Ar gas were used in combination.
  • the dissolved oxygen in pure water was measured using Orbissphere 2713 dissolved oxygen meter.
  • the dissolved oxygen was measured by fabricating the N 0 gas monitor had use of gas chromatography TC D detector (Temperature Conduction Detector).
  • the respective concentrations were 550 ppb of nitrogen and 280 ppb of oxygen after degassing the membrane, 9 ppb of nitrogen and 4 ppb of oxygen after Ar gas coupling.
  • the catalyst holding means 12 shown in FIG. 2 was arranged between the pure water circulation path and the use point 14 ', and microwaves were applied to the pure water.
  • the filter 19 of the catalyst holding means 12 a filter made of Teflon (a product name of polyfluorinated polyethylene fiber of du Pont, the same applies hereinafter) having a hole diameter of 2 / zm and a thickness of 1 mm was used. It was inserted into a single container. Pd powder having a diameter of 5 to 6 zm was put between the filters to form five catalyst layers.
  • the catalyst holding means 12 was attached to the resonator 20 of the microwave generator 13, and a microwave of 2.45 GHz and 700 W was applied to the catalyst via the microwave waveguide 21.
  • the flow rate of pure water was set at 21 min by providing a pump upstream of the holding means 12.
  • degassed pure water (1) and degassed and microwave-treated pure water (2) were produced.
  • the channel length is 0.5 m
  • the channel width is 1.5 ⁇ m
  • the contact hole of source and drain is 1 mx 1 yum, 0.6 ⁇ .mx 0.6 111 and 0.3 mx 0.3 m.
  • Figure 3 shows the evaluation results.
  • Figures 3 (a) and 3 (b) show the results when using the conventional pure water (3) and degassed pure water (1) in the final cleaning, respectively. Evaluation was performed for the number 10 to 100 or so transistors in each condition, showing the measured values of g m by a value normalized by a mean value g m * of each female population.
  • the cleaning of the silicon wafer becomes more complete and it can be removed with conventional pure water As a result of the removal of trace impurities that could not be achieved, it is possible to manufacture high-performance devices with higher characteristics.

Description

純水供給システム及び洗浄方法
技術分野
本発明は、 純水の供給システム及び洗净方法に係わり、 特に、 例えば、 L S I の製造プロセスの洗净工程で用いられる純水の供給システム及びシリコン基板洗 浄方法に関する。 背景技術
従来の技術を L S I製造プロセスの洗浄工程を例にとり説明する。
L S Iの製造プロセスにおいては、 シリコンウェハ上に絶縁膜を形成し、 絶縁 膜に所定のパタ一ンの窓開けを行つた後洗净し、 目的に応じ p—型あるいは n - 型の元素を導入し、 熱拡散炉内で上記不純物をシリコン内に拡散あるいはァニー ルする工程を繰り返し行い、 素子を形成する。
熱拡散ゃァニーノレ等の熱処理を行う際、 シリコン表面に例えば金属などの不純 物が微量でも付着していると、 例えばベース ·コレクタ耐電圧の低下、 リーク電 流の増大等、 形成される素子の特性は悪化する。
従って、 半導体製造プロセスにおいて洗浄工程は高性能な素子を製造するため に非常に重要で工程あり、 シリコン上の汚れは完全に取り除く必要がある。
本発明者は L S Iの洗净工程が素子の特性に及ぼす影響を研究する過程で、 窓 開け後のシリコン表面に付着した不純物は通常の洗浄方法では完全にとりきれ ず、 この微量の不純物が高性能素子を開発する上で障害となることを発見した。 即ち、 純水による洗浄時に、 窓開けした穴の内部には空気が残り、 この残留空気 が純水とシリコン表面の接触を妨害するためである。 L S Iの高集積化にともな い一層要求が強まっている高ァスぺクト比の穴の場合には、 この傾向は一層強ま り、 シリコン上の微量の汚れを取り除くことは一層難しくなる。
L S Iの製 it 程では、 シリコン表面に酸化膜が生成しないように純水中の溶 存酸素を脱ガスした純水を用いる場合がある。 しかし、 空気の主成分は窒素であ るため、 窒素で飽和した純水では、 窓開けした穴に残留する空気を吸収すること はできないため、 微量の不純物がシリコン表面に洗浄されずに残り、素子特性の 一層の向上やバラツキの低下を達成することができなかった。
また、 酸化膜を除去した後のシリコン表面は通常純水に濡れないため、 シリコ ン表面に付着した原子レベルの極微量の不純物を完全に洗净除去することは困難 とされている。 高性能素子の超高集積化を図る上で、 このような極微量な不純物 が大きな問題となっている。
以上述べたように、 L S Iが高集積化及び高性能化が要求されるにつれて、 素 子性能を阻害する不純物を完全に除去しえる洗浄方法が強く望まれてきている。 本発明は、 水中に溶存する窒素及び酸素を脱気することにより、 更には基体表 面、 特に絶縁膜が除去されたシリコンウェハの表面に対する水の濡れ性を改善す ることにより、 純水をシリコン表面に接触させシリコン上の極微量の不純物をも 完全に洗净除去する洗净方法及び純水の供給システムを することを目的とす る o 発明の開示
本発明の第 1の要旨は、 ユースポイン卜に純水を供給するための配管の途中 に、 水中の窒素及び酸素ガスを脱ガスするための手段を配したことを特徵とする 純水供給システムに存在する o
第 2の要旨は、 第 1の要旨の純水供給システムにより供給される純水を用い て基体を洗净することを特徵とする基体洗净方法に存在する。
(実施態様例:）
以下に本発明の実施態様例を説明する。
本発明の純水は、 例えば、 半導体製造プロセスの洗净工程で用いられる純度の 鈍水である。 例えば表 1で示すごとく不純物を除去した純水であるが、 L S Iの 製造プロセス以外で用いる場合は、 これ以外でもよい。 (表 1 )
Figure imgf000005_0001
本発明の純水供^システムの一構成例を図 1に示し、 図を用いて供給方法の一 例を説明する。 原料水として市水を用い、 ろ過器 1により水中に分散する懸濁物 質を除去した後、 高圧ポンプ 2により 1 5 k c m2程度に加圧して逆浸透装 置 3に送る。 逆浸透装置 3で 9 5 %程度のイオンを除去した透過水を透過水タン ク 4に貯える。 また高濃度のィォンを含む濃縮水は系外に排出される。
次に透過水をポンプ 5により第 1のィォン交換塔 6— 1に送り、 ここで比抵抗 1 6〜1 8 Μ Ω · c m 程度の純水とし、 貯水タンク 7に貯める。 貯水タンク 7 の水は循環配管を介し、 循環ポンプ 8によりユースポイント 1 4に送られ、 再び 貯水タンク 7に戻される。 この循環経路には、 殺菌手段 9、 脱気装置 1 0、 ィォ ン交換塔 6— 2及び限外ろ過器 1 1が配置される。 第 2のイオン交換塔 6— 2の 出口では、 純水の比抵抗は 1 8 ΜΩ · c m以上となる。
殺菌手段 9は、 純水中でバクテリアの発生を防ぐためのもので、 例えばオゾン 注入装置や紫外線ランプ等があげられるが、 もちろん他の方法を用いてもよい。 限外ろ過器 1 1は、 微小の懸濁物質や殺菌手段 9で死滅したバクテリアの死骸 等を除去するために設けられる。
本発明における脱気方法は、 水中の溶存窒素及び酸素を脱ガスできるものであ ればいずれの方法を用いることができ、 例えば膜脱気法、 真空脱気法または窒素 及び酸素を含まないガスによるバブリング法等があげられる。
膜脱気方法は、 ガス 性の膜、 例えばテフロン系の中空糸膜またはスパイラ ノレ膜を真空に耐えられるハウジングに充填し膜の内側に水を導入し、 膜の外側を 例えば 1 0〜5 0 t o r rに ¾Eして水中の溶存窒素及び酸素を真空側に吸引し 取り除く。 この方法により、 脱気前では通常 8 p p m程度の酸素と 1 6 p p m程 度の窒素が、 脱気後において酸素 3 0 0 - 5 0 O p p b程度、 窒素 6 0 0〜 1 0 0 0 p p b程度に減少する。
真空脱気方法は、 真空容器内に充填材を配し、 内部を例えば、 1 0 ~ 5 0 t o r rに減圧した状態で容器の上部から充填材上に水を供給し、 水中の溶 存窒素及び酸素を脱気する。 この方法により純水中の溶存酸素濃度は 5 0〜 1 0 0 p p b、 窒素は 1 0 0〜2 0 0 p p bに減少する。
以上の方法で¾した純水は、 空気を吸収し易いため、 高アスペク ト比の穴に 空気が残っても、 純水中に空気を吸収するため、 純水とシリコンが接触しシリコ ン上の微量な不純物を洗浄除去することが可能となる。
以上の膜脱気または真空脱気方法により得られた純水を更に、 例えば A rガス 等窒素及び酸素を含まないガスでバブリングすることにより、 最終的に溶存酸素 濃度 5 p p b以下、 窒素濃度 1 O p p b以下の純水とすることが好ましい。 以上 のバブリング法を行うことにより穴に残留する空気を吸収する能力はより一層向 上する。
本発明においては、 以上の循環繊とユースボイント 1 4 ' の間に触媒保持手 段 1 2とマイクロ波発生手段 1 3を設け、 純水に触媒を接触させながらマイクロ 波を照射することによりシリコン上の汚れに対する純水の洗^!果は一層向上す る。 触媒と接触させながらマイクロ波を照射することにより、 純水のシリコンゥ ェハに対する濡れ性は変化し、 シリコンウェハとは濡れることのなかった純水が ウェハ全体を濡らすようになる。 この理由は明確ではないが、 触媒の存在下でマ ィク口波を照射することにより、 水分子間の水素結合が切れ巨大分子として存在 していた水分子がより少ない単位の分子として作用する結果、 シリコンウェハを 濡らすことが可能となるものと推測される。
本発明で用いられる触媒保持手段 1 2は、 マイクロ波を し触媒を保持し得 るものなら適宜のものが用いられ、 例えば図 2に示すように、 純水入口 1 6と出 口 1 7よりも大きな内径を有すテフ口ン製の容器 1 5に;！〜 5 ^ m程度の微*** を有す 1 mm程度の厚さのテフ口ン製シートフィルタ 1 9を複数枚純水の流れ方 向と垂直に挿入し、 これらテフロンフィルタ一間に触媒 1 8を入れて触媒層を形 成する。 触媒としては、 例えば、 P d , P t等が用いられ、 反応性の上から粒径 は 1〜1 が好ましい。 また触媒の幅は、 マイクロ波による誘導加熱を抑制 するために小さい方がよく、 例えば l mm程度である。 また、 マイクロ波は以上 のテフロンシート及び触媒層に平行 （即ち、 純水の流れ方向に垂直） に導入され 。
本発明のマイクロ波発生手段 1 3は、 周波数 1〜1 0 G H zのマイクロ波を発 生できるものなら適宜のものが用いられるが、 水の水素結合を効率的に切断する ために、 マグネトロン型のものが好ましい。 出力は、 純水の使用量によって異な るが、 1 KW程度のものが用いられる。
以上では、 触媒保持手段 1 2及びマイクロ波発生手段 1 3を循環系とユースポ イン卜の間に設けた例を示したが、 これらの手段を、 循環系の中に設けてことも 可能である。
本発明においては、 原子レベルの極微量の不純物をも除去するために、 上記脱 気処理とマイク口波処理を組み合わせることがより好ましい。 (作用）
以上述べたように、 水中の溶存する窒素及び酸素を脱気することにより、 高ァ スぺクト比の穴に空気が残留する場合でも、 窒素及び酸素を含まない純水は残留 空気を吸収し得るため、 純水とシリコン表面との接触させることがが可能とな り、 シリコン上の微量不純物の除去が可能となる。
また、 更に純水に触媒の存在下でマイク口波を照射することにより、 純水のシ リコンに対する濡れ性は大きく変化し、 シリコン表面と純水が接触する結果、 シ リコン表面に付着する極微量な不純物を洗浄除去することが可能となる。
本発明により、 シリコン表面に付着した極微量の不純物も完全に除去され、 素 子の高性能化を達成することが可能となる。 図面の簡単な説明
図 1は本発明の純水製 it^置の 1構成例を示す ¾ 図である。 図 2は触媒保持 手段の 1例を示す概略断面図である。 図 3は MOSトランジスタと相互インダク タンス特性のバラツキを示すグラフであり、 （a) は洗净工程で従来の純水を用 いた場合、 (b) は洗浄工程で実施例の純水を用いた場合である。
(符号の説明）
1 ろ過器、
问 filホノ ヽ
3 逆浸 置、
4 透過水タンク、
5， 8 ポンプ、
6— 1， 6-2 イオン交換塔、
7 好水タンク、
9 殺菌手段、
10 脱気装置、
11 限外ろ過装置、
12 触媒保持手段、
13 マイクロ波発生手段、
14, 14' ユースポイント、
15 触媒保持用容器、
16 純水入口、
17 純水出口、
18 触媒、
19 テフロンフィルタ、
20 共振器、
1 マイクロ波導波管。 発明を実施するための最良の形態 以下に実施例をあげ本発明を詳細に説明する。
(実施例 1)
図 1に示した純水供給システムを用い純水を作製した。 ここで脱気装置として は、 膜脱気法と A rガスによるパブリング法を併用した。 純水中の溶存酸素の測 定は、 オービスフェア 2713溶存酸素計を用いて行った。 また溶存酸素は、 ガ スクロマトグラフィの TC D検出器 （Temperature Conduction Detector) を用 いた N0ガスモニターを製作して測定した。 各々の濃度は、 膜脱気後で窒素 550 p p b、 酸素 280 p p b、 A rガスパ 'プリング後で窒素 9 p p b、 酸素 4 p p bであった。
更に、 純水循環経路とユースボイント 14' の間に図 2に示した触媒保持手段 12を配し、 純水にマイクロ波を印加した。 ここで、 触媒保持手段 12のフィル タ 19としては、 穴系 2 /zmの 1 mm厚のテフロン （du Pont社のポリフッ化工 チレン系繊維の商品名、 以下同じ） 製フィルタを用い、 これを 6枚容器に挿入し た。 フィルタ一間に 5〜6 zm径の Pd粉末を入れ、 5層の触媒層を形成した。 この触媒保持手段 12をマイクロ波発生器 13の共振器 20に取りつけ、 2. 45GHz, 700Wのマイクロ波をマイクロ波導波管 21を介し触媒に印加し た。 純水の流量は、 保持手段 12の上流側にポンプを設けて、 21 m i nとし た。
以上に述べた方法で、 脱ガス処理した純水 （1) 、 脱ガス処理及びマイクロ波 処理した純水 (2) を作製した。
本発明がデバイス特性を向上するのに有効であることを示すために， M0Sト ランジスタの製作実験を行った。 チヤネゾレ長 0. 5 m、 チャネル幅 1. 5〃m とし、 ソース ' ドレインのコンタク トホールとして 1 mx 1 yum, 0. 6 μ. mx 0. 6 111及び0. 3 mx0. 3 mの 3種類のものを同一チップ上に作 製した。
コンタク トホール以外はすべて 5 ： 1の縮小形の g—ラインステッパーを用い て試作した。 コンタクトホールに関しては、 l /m, 0. 6〃mのものは g—ラ インステッパーを用いて形成したが、 0, 3 のものは EB直接描画により行 つた。 コンタク卜の開口は、 CF4と H2ガスを用いた反応性イオンエッチング法によ り行った。 その後。 RC A処理によりウェハー洗浄を行い、 希弗酸によるエッチ ングを行った後、 終洗浄を従来の純水 （3) と本実施例の鈍水 （1) 及び (2) をの 3種の純水を用いて行った。 その後、 バイアススパッタ法により A 1 を堆積し、 パターニング後、 各トランジスタの特性評価を行い、 その相互イング クタンス gmを評価した。
コンタクト部の残留不純物の影響を感度良く観るために、 メタライゼーシヨン 後の合金化ァニール （シンタリング） は行わなかった。
評価結果を図 3に示す。 図 3 (a) , (b) は、 それぞれ最終洗浄で従来の純 水 （3)及び脱ガス処理した純水 (1) を用いた場合の結果である。 評価は、 各 条件で数 10〜100個程度のトランジスタについて行い、 gmの実測値を各母 集団の平均値 gm*で規格化した値で示した。
従来の純水で最終洗浄を行ったサンプルでは、 l mx l imのコンタク 卜 ホールの場合、 gmのバラツキは小さいが、 コンタク トサイズが 0.
0. 3 mと小さくなるにつれバラツキが 1より小さい方に多くなつているのが 分かる。 これは、 コンタクトホールが小さくなるにしたがい、 従来の純水では穴 の内部に空気が残留し濡れ性が悪くなり、 十分洗浄が行われないため不純物がそ の底部に残留し、 メタライゼーション後の金属とシリコンの電気的接触を悪くし た力ヽらである。
しかし、 本魏例の純水 (1) を最終洗浄に用いた場合は、 図 3 (b) に示し たようにコンタク トサイズが小さくなつても gmの低下は認められず、 きわめて 優れた洗 カ果が確認された。 また、 脱ガス処理とマイクロ波処理を共に行った 純水 (2) を用いた場合は、 図 （b) に比べバラツキはより小さくなつたが大き な違いは見られなかった。 脱ガス処理だけの純水 （1) に比べ更に大きな改善が 観られなかったのは、 加工寸法のバラツキが支配的になっているためと考えられ る。 産 の利用可能性
本発明により、 シリコンウェハの洗浄がより完全となり、 従来の純水では除去 できなかった微量の不純物が取り除かれる結果、 より高い特性を持つ高性能素子 を作製することが可能となる。

Claims

請求の範囲
1 . ユースポイントに純水を供給するための配管の途中に、 水中の窒素及び酸 素ガスを脱ガスするための手段を配したことを mとする純水供耠システム。
2. I己脱ガス手段と媚己ユースボイン卜の間に純水と気体とが共存する容器 を設け、 該容器内部を窒素及び酸素を含有しない気体で充填することを特徵とす る請求項 1記載の純水供給システム。
3. 前記窒素及び酸素を含有しな 、気体を A rガスとすることを とする請 求項 2記載の純水供給システム。
4. ri己ユースポイントにおいて、 純水中に溶存する窒素及び酸素濃度がそれ ぞれ 1 p p m及び 0. 5 p p m以下とすることを mとする請求項 1乃至 3のい ずれか 1項に記載の純水供耠システム。
5. it己配管 途中に、 内部に導かれた水と接触するように触媒が保持された 触媒保持手段と、 ΐΠ己触媒保持手段に導入された水にマイク口波を印加するため のマイクロ波発生手段と、 を配したことを特徵とする請求項 1乃至 4のいずれか 1項に記載の純水供耠システム。
6 - 請求項 1乃至 5の 、ずれか 1項に記載の純水供給システムにより供給され る純水を用いて基体を洗浄することを mとする基体洗净方法。
7. HT 基体が表面の少なくとも一部でシリコン金属面が露出したシリコンゥ ェハとすることを特徵とする請求項 6記載の基体洗浄方法。
8 - 前記基体が""^が 3 ii m以下でアスペク ト比が 0. 3以上の穴を有するこ とを特徴とする請求項 6または 7記載の基体-洗浄方法。
9 · Ιίίϊ己基体が一辺が 1 fi m以下でアスペクト比が 1以上の穴を有することを 特徵とする請求項 8記載の基体'冼净方法。
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