TWI819570B - 塗佈處理方法及塗佈處理裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明之基板具有上表面及下表面,於上表面形成有圓環狀之凸部。基板以水平姿勢保持。對該基板之上表面供給塗佈液。於塗佈液之供給中或供給後,藉由使基板繞鉛直軸旋轉而將塗佈液擴展至上表面整體。之後,藉由使基板繞鉛直軸旋轉而使基板乾燥。於使基板乾燥時,於第1時點至第1時點之後之第2時點之間,使基板以第1轉速旋轉。又,於第2時點至第2時點之後之第3時點之間,使基板以高於第1轉速之第2轉速旋轉。
Description
本發明係關於一種於基板形成塗佈膜之塗佈處理方法及塗佈處理裝置。
為對半導體基板、液晶顯示裝置或有機EL(Electro Luminescence:電致發光)顯示裝置等FPD(Flat Panel Display:平板顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板或太陽能電池用基板等基板進行各種處理,而使用基板處理裝置。
作為基板處理裝置之一例,有於基板之上表面形成抗蝕劑膜或防反射膜等塗佈膜之塗佈處理裝置。於塗佈處理裝置中,藉由旋轉卡盤將例如一張基板以水平姿勢保持。又,藉由旋轉卡盤保持之基板旋轉。對旋轉之基板之上表面,供給與應形成之塗佈膜之種類對應之塗佈液。供給至基板上之塗佈液由離心力擴展至基板之上表面整體。藉由基板上之塗佈液乾燥而形成塗佈膜。
為減少塗佈處理所需要之成本,而期望減少每一張基板所使用之塗佈液之量。又,即使於每一張基板所使用之塗佈液之量比較少之情形時,亦期望於基板之一面均一地形成塗佈膜。考慮該等點,於例如日本專利特開2010-212658號公報所記載之抗蝕劑塗佈方法中,於開始對基板供給抗蝕劑液後,基板之轉速隨著時間之經過變更為複數個級別。於基板上塗抹抗蝕劑液後,為使抗蝕劑液乾燥,基板於特定期間以一定之轉速旋轉。
近年來,為實現半導體器件之小型化及輕量化,而推進基板之薄型化。難以處理明顯薄型化之基板。對此,已知有於具有大致圓形狀之基板之一面,具有沿該基板之外周端部之圓環狀之凸部之基板(參照例如日本專利特開2012-146889號公報)。該基板將圓環狀之凸部作為補強部發揮功能,藉此處理性提高。
上述基板之一面中,於圓環狀之凸部之內側形成落差。因此,於基板之一面上形成塗佈膜之塗佈處理中,若於圓環狀之凸部之內周端部殘留塗佈液,則有因殘留之塗佈液導致產生基板之處理不良之可能性。或,有因殘留之塗佈液導致產生粒子之可能性。
本發明之目的在於提供一種可防止起因於不需要之塗佈液殘留於基板上產生之基板之處理不良及基板之污染之塗佈處理方法及塗佈處理裝置。
(1)依照本發明之一態樣之塗佈處理方法係於至少一部分具有圓形狀之外周部之基板形成塗佈膜之塗佈處理方法,且基板具有相互面向反方向之第1面及第2面,於第1面,形成向與該第1面正交之方向突出且沿外周部延伸之圓環狀之凸部,塗佈處理方法包含以下步驟:以第1面面向上方之方式以水平姿勢保持基板;對第1面供給塗佈液,藉由於塗佈液之供給中或供給後使以水平姿勢保持之基板繞鉛直軸旋轉而將塗佈液擴展至包含上述凸部之表面之該第1面整體;及於擴展塗佈液之步驟之後,藉由使以水平姿勢保持之基板繞鉛直軸旋轉而使基板乾燥;且使基板乾燥之步驟包含:於第1時點至第1時點之後之第2時點之間,使基板以第1轉速旋轉;及於第2時點至第2時點之後之第3時點之間,使基板以高於第1轉速之第2轉速旋轉。
於該塗佈處理方法中,基板以第1面面向上方之方式以水平姿勢保持。又,對第1面供給塗佈液。再者,基板於塗佈液之供給中或供給後旋轉,使塗佈液擴展至第1面整體。於塗佈液擴展至第1面整體之後,為使基板乾燥,基板自第1時點至第2時點以第1轉速旋轉。藉此,位於基板之中央部分且具有流動性之塗佈液向基板之外周部移動。因此,基板之第1面之中央部分乾燥。
接著,基板自第2時點至第3時點以高於第1轉速之第2轉速旋轉。於該情形時,對在基板之外周部及其附近流動之塗佈液作用更大之離心力。又,於包圍基板之空間,產生更大之氣流。藉此,於第1面上自基板之中心向外周部流動之塗佈液之大部分自圓環狀之凸部之內側區域向基板之外側飛散。換言之,於第1面上導向圓環狀之凸部之內緣之不需要之塗佈液
甩開至基板之外側。
其結果,可防止起因於塗佈處理時不需要之塗佈液殘留於基板上而產生基板之處理不良及基板之污染。
(2)塗佈處理方法亦可進而包含於使基板乾燥之步驟之後,使基板以低於第1轉速之第3轉速旋轉,且對第2面供給清洗液之步驟。
於該情形時,與對以第1轉速旋轉之基板供給清洗液之情形相比,可減少自基板飛散之清洗液之量。藉此,可防止由於對第1面附著清洗液而產生處理不良。
(3)第2時點亦可規定為擴展於第1面上之塗佈液中第1面之中央區域所存在之部分為乾燥且包圍第1面之中央區域之區域上所存在之部分為流動之狀態之期間內。
於該情形時,於使基板乾燥時,自第2時點至第3時點包圍第1面之中央區域之區域所存在之塗佈液被順滑甩開。
(4)第2時點亦可規定為經過第1時點後供給至第1面之塗佈液之表面所產生之干涉條紋消失之前之時點。
於該情形時,於干涉條紋消失之前基板開始第2轉速之旋轉。藉此,
存在於基板之外周部及其附近且具有流動性之塗佈液被順滑甩開。
(5)第2轉速亦可高於第1轉速之2倍之轉速。
於該情形時,對第1面上導向圓環狀之凸部之內緣之不需要之塗佈液作用更大之離心力。又,於包圍基板之空間產生更大之氣流。藉此,圓環狀之凸部之內側之不需要之塗佈液被更順滑地甩開至基板之外側。
(6)依照本發明之另一態樣之塗佈處理裝置係於至少一部分具有圓形狀之外周部之基板形成塗佈膜之塗佈處理裝置,且基板具有相互面向反方向之第1面及第2面,於第1面,形成向與該第1面正交之方向突出且沿外周部延伸之圓環狀之凸部,塗佈處理裝置具備:旋轉保持部,其以第1面面向上方之方式以水平姿勢保持基板且使其繞鉛直軸旋轉;塗佈液供給部,其對第1面供給塗佈液;及控制部,其以對第1面供給塗佈液之方式控制塗佈液供給部,以藉由塗佈液之供給中或供給後以水平姿勢保持之基板繞鉛直軸旋轉,而使塗佈液擴展至包含上述凸部之表面之該第1面整體之方式控制旋轉保持部;且控制部於塗佈液擴展至第1面整體之後,於第1時點至第1時點之後之第2時點之間,以水平姿勢保持之基板以第1轉速旋轉,於第2時點至第2時點之後之第3時點之間,以水平姿勢保持之基板以高於第1轉速之第2轉速旋轉,藉此基板乾燥,以此方式進一步控制旋轉保持部。
於該塗佈處理裝置中,基板以第1面面向上方之方式以水平姿勢保持。又,對第1面供給塗佈液。再者,基板於塗佈液之供給中或供給後旋
轉,使塗佈液擴展至第1面整體。於塗佈液擴展至第1面整體之後,為使基板乾燥,基板自第1時點至第2時點以第1轉速旋轉。藉此,位於基板之中央部分且具有流動性之塗佈液向基板之外周部移動。因此,基板之第1面之中央部分乾燥。
接著,基板自第2時點至第3時點以高於第1轉速之第2轉速旋轉。於該情形時,對在基板之外周部及其附近流動之塗佈液作用更大之離心力。又,於包圍基板之空間,產生更大之氣流。藉此,於第1面上自基板之中心向外周部流動之塗佈液之大部分自圓環狀之凸部之內側區域向基板之外側飛散。換言之,於第1面上導向圓環狀之凸部之內緣之不需要之塗佈液甩開至基板之外側。
其結果,可防止起因於塗佈處理時不需要之塗佈液殘留於基板上而產生基板之處理不良及基板之污染。
(7)塗佈處理裝置亦可進而具備對第2面供給清洗液之清洗液供給部,控制部於基板藉由以第2轉速旋轉而乾燥之後,以基板以低於第1轉速之第3轉速旋轉之方式進一步控制旋轉保持部,且以對以第3轉速旋轉之基板之第2面供給清洗液之方式進一步控制清洗液供給部。
於該情形時,與對以第1轉速旋轉之基板供給清洗液之情形相比,可減少自基板飛散之清洗液之量。藉此,可防止由於對第1面附著清洗液而產生處理不良。
(8)第2時點亦可規定為擴展於第1面上之塗佈液中第1面之中央區域所存在之部分為乾燥且包圍第1面之中央區域之區域上所存在之部分為流動之狀態之期間內。
於該情形時,於使基板乾燥時,自第2時點至第3時點包圍第1面之中央區域之區域所存在之塗佈液被順滑甩開。
(9)第2時點亦可規定為經過第1時點後供給至第1面之塗佈液之表面所產生之干涉條紋消失之前之時點。
於該情形時,於干涉條紋消失之前基板開始第2轉速之旋轉。藉此,存在於基板之外周部及其附近且具有流動性之塗佈液被順滑甩開。
(10)第2轉速亦可高於第1轉速之2倍之轉速。
於該情形時,對第1面上導向圓環狀之凸部之內緣之不需要之塗佈液作用更大之離心力。又,於包圍基板之空間產生更大之氣流。藉此,圓環狀之凸部之內側之不需要之塗佈液被更順滑地甩開至基板之外側。
1:塗佈處理裝置
10:旋轉保持裝置
11:吸附保持部
11u:上表面
12:旋轉軸
13:旋轉驅動部
14:吸引裝置
15:杯
15d:排出口
15x:底部
15y:外周壁部
16:排液導管
17:下表面噴嘴
17b:液體噴出口
18:清洗液供給系統
20:液體供給裝置
21:抗蝕劑噴嘴
22:塗佈液供給系統
23:溶劑噴嘴
24:溶劑供給系統
30:控制部
h:吸引孔
IA:內側區域
L:直線
N:缺口
p1:期間
p2:期間
R1:抗蝕劑液
R2:抗蝕劑膜
RP:邊緣部
S1:上表面
S2:下表面
s1~s8:轉速
SR:邊緣部
ST:落差
t1~t11:時點
vp:吸氣路徑
W:基板
W1:實施例基板
W2:比較例基板
圖1係本發明之一實施形態之塗佈處理裝置之模式性剖視圖。
圖2係圖1之塗佈處理裝置之模式性俯視圖。
圖3係成為圖1之塗佈處理裝置之處理對象之基板之俯視圖。
圖4係圖3之基板之A-A線剖視圖。
圖5係顯示液膜乾燥步驟中於基板W之邊緣部與內側區域之邊界之落差滯留抗蝕劑液之例之圖。
圖6係顯示本發明之一實施形態之塗佈處理中之基板之轉速之控制例之圖。
圖7係顯示圖6之液膜乾燥步驟中存在於基板之邊緣部及其周邊部之抗蝕劑液或抗蝕劑膜之狀態之變化之圖。
圖8係顯示實施例基板及比較例基板之抗蝕劑膜之膜厚分佈之一部分之圖。
以下,參照圖式就本發明之一實施形態之塗佈處理方法及塗佈處理裝置進行說明。於以下之說明中,基板係指液晶顯示裝置或有機EL(Electro Luminescence)顯示裝置等所使用之FPD(Flat Panel Display)用基板、半導體基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板或太陽能電池用基板等。又,於本實施形態中,基板之上表面為電路形成面(表面),基板之下表面為與電路形成面成相反側之面(背面)。再者,於本實施形態中,基板於俯視下去除缺口之形成部分外具有圓形狀。稍後對基板之形狀之細節進行敘述。
[1]塗佈處理裝置之整體構成
圖1係本發明之一實施形態之塗佈處理裝置之模式性剖視圖,圖2係
圖1之塗佈處理裝置1之模式性俯視圖。於圖2中,省略圖1之塗佈處理裝置1之複數個構成要件中之一部分構成要件之圖示。又,以一點劃線顯示圖1之基板W。
如圖1所示,本實施形態之塗佈處理裝置1主要具備旋轉保持裝置10、液體供給裝置20及控制部30。旋轉保持裝置10構成為可吸附保持基板W之下表面中央部且使其旋轉。
液體供給裝置20包含抗蝕劑噴嘴21、塗佈液供給系統22、溶劑噴嘴23及溶劑供給系統24。塗佈液供給系統22對抗蝕劑噴嘴21供給抗蝕劑液。抗蝕劑噴嘴21將供給之抗蝕劑液噴出至由旋轉保持裝置10吸附保持並旋轉之基板W之上表面。溶劑供給系統24對溶劑噴嘴23供給溶劑。溶劑噴嘴23將供給之溶劑噴出至由旋轉保持裝置10吸附保持之基板W之上表面。此處,作為供給至溶劑噴嘴23之溶劑,係使用可溶解藉由稍後敘述之塗佈處理形成於基板W上之抗蝕劑膜之溶劑。控制部30包含CPU(Central Processing Unit:中央運算處理裝置)及記憶體、或微型電腦,控制旋轉保持裝置10及液體供給裝置20之動作。
就旋轉保持裝置10之具體構成進行說明。旋轉保持裝置10包含吸附保持部11、旋轉軸12、旋轉驅動部13、吸引裝置14、杯15、排液導管16、下表面噴嘴17及清洗液供給系統18。
吸附保持部11具有吸附保持基板W之下表面中央部之上表面11u,安
裝於在上下方向延伸之旋轉軸12之上端部。於吸附保持部11之上表面11u,形成有多個吸引孔h(圖2)。旋轉驅動部13使旋轉軸12繞其軸心旋轉。
如圖1中較粗之虛線所示,於吸附保持部11及旋轉軸12之內部,形成有吸氣路徑vp。吸氣路徑vp連接於吸引裝置14。吸引裝置14包含例如吸氣器等吸引機構,通過吸氣路徑vp及多個吸引孔h吸引吸附保持部11之上表面11u上之空間之環境氣體,並將其排出至塗佈處理裝置1之外部。
如圖2所示,杯15以俯視下包圍吸附保持部11之周圍之方式設置,且構成為可藉由無圖示之升降機構移動至上下方向之複數個位置。如圖1所示,杯15包含底部15x及外周壁部15y。底部15x具有大致圓環形狀。底部15x之內周端部向上方彎曲特定高度。外周壁部15y以自底部15x之外周端部向上方延伸、彎曲特定高度,進一步向吸附保持部11傾斜上方延伸之方式形成。
於杯15之底部15x,形成有排出口15d。於底部15x之排出口15d之形成部分,安裝有排液導管16。排液導管16之下端部連接於無圖示之排液系統。
如圖2所示,俯視下於杯15之外周壁部15y之內周端部與吸附保持部11之外周端部之間,設置有複數個(於本例中為4個)下表面噴嘴17。複數個下表面噴嘴17以俯視下包圍吸附保持部11之方式將吸附保持部11之中
心設為基準以等角度間隔配置。於各下表面噴嘴17之上端部,設置有朝向上方之液體噴出口17b。
如圖1所示,各下表面噴嘴17之液體噴出口17b於吸附保持部11之外周端部附近之位置,與由吸附保持部11吸附保持之基板W之下表面對向。另,塗佈處理裝置1具有於無圖示之框體內收納旋轉保持裝置10及液體供給裝置20之構成。下表面噴嘴17固定於例如塗佈處理裝置1之框體。下表面噴嘴17將自清洗液供給系統18供給之清洗液自液體噴出口17b噴出至基板W之下表面。
針對具有上述構成之塗佈處理裝置1,說明塗佈處理時之動作之概要。於開始基板W之塗佈處理時,首先由吸附保持部11以水平姿勢保持基板W。又,以水平方向上外周壁部15y之內周面與基板W之外周端部對向之方式,將杯15定位於上下方向。於該狀態下,溶劑噴嘴23藉由無圖示之噴嘴移動裝置移動至基板W之上方。自溶劑噴嘴23對基板W之上表面噴出特定量之溶劑。之後,溶劑噴嘴23自基板W之上方之位置移動至基板W之側方之位置。又,基板W藉由旋轉驅動部13進行動作而旋轉。藉此,基板W之上表面由溶劑潤濕。
接著,抗蝕劑噴嘴21藉由無圖示之噴嘴移動裝置移動至基板W之上方。於該狀態下,自抗蝕劑噴嘴21對基板W之上表面噴出特定量之抗蝕劑液。藉此,對旋轉之基板W之上表面塗佈抗蝕劑液。自旋轉之基板W向外側飛散之抗蝕劑液被杯15之外周壁部15y之內周面接住。將接住之抗蝕劑
液收集於杯15之底部15x,自排出口15d通過排液導管16導向無圖示之排液系統。如上所述,將基板W之塗佈處理中對基板W之上表面整體塗佈抗蝕劑液之步驟,即於基板W之上表面整體形成抗蝕劑液之液膜之步驟稱為液膜形成步驟。
接著,於停止自抗蝕劑噴嘴21向基板W噴出抗蝕劑液之狀態下,藉由繼續基板W之旋轉,甩開塗佈於基板W之上表面之抗蝕劑液中多餘之抗蝕劑液。又,殘留於基板W上之抗蝕劑液之液膜乾燥。藉此,於基板W之上表面形成抗蝕劑膜。如上所述,將基板W之塗佈處理中使塗佈於基板W之上表面之抗蝕劑液之液膜乾燥之步驟稱為液膜乾燥步驟。
於基板W之上表面形成抗蝕劑膜之後,為去除附著於基板W之下表面之抗蝕劑液或抗蝕劑膜,而自下表面噴嘴17向基板W之下表面噴出清洗液。作為清洗液,與自上述溶劑噴嘴23供給至基板W之上表面之溶劑同樣,使用可溶解抗蝕劑膜之溶劑。
之後,停止自下表面噴嘴17向基板W噴出清洗液。於該狀態下,藉由繼續基板W之旋轉,塗佈於基板W之下表面之清洗液乾燥。藉此,去除附著於基板W之下表面之抗蝕劑液或抗蝕劑之固態物質。藉由塗佈處理裝置1之上述一系列動作形成抗蝕劑膜之基板W自塗佈處理裝置1搬出,且由無圖示之曝光裝置實施曝光處理。
[2]液膜乾燥步驟中殘留於基板W之抗蝕劑液
圖3係成為圖1之塗佈處理裝置1之處理對象之基板W之俯視圖。圖4係圖3之基板W之A-A線剖視圖。本實施形態之基板W係具有約300mm之直徑之圓形基板,如圖3及圖4所示,具有上表面S1及下表面S2。於該基板W之外周端部,形成有缺口N(圖3)。
基板W之上表面S1中,於距基板W之外周端部一定寬度之部分,形成有向上方突出且沿該基板W之外周端部延伸之圓環狀之凸部。將基板W之凸部之形成部分稱為邊緣部(Outer support ring:外支撐環)SR。於該基板W中,位於邊緣部SR之內側之部分之厚度(基板之厚度)為100μm以下,小於邊緣部SR之厚度。另,邊緣部SR之厚度大於100μm且為775μm以下,接近例如0.8mm。
於以下之說明中,將基板W之上表面S1中邊緣部RP之內側之區域稱為內側區域IA。圖4中,將基板W整體之剖視圖中邊緣部SR及其周邊部之放大剖視圖顯示於對白框內。
如圖4之對白框內所示,本實施形態之基板W中,於邊緣部SR與內側區域IA之邊界形成有落差ST。如此,於位於邊緣部SR之內周端部之落差ST,容易於基板W之塗佈處理中之液膜乾燥步驟中滯留抗蝕劑液。若滯留之抗蝕劑液乾燥,則存在於上述落差ST及其附近之抗蝕劑膜之厚度局部變大。此種抗蝕劑膜之厚度之不均一成為曝光不良及產生粒子之主要原因。
圖5係顯示液膜乾燥步驟中於基板W之邊緣部SR與內側區域IA之邊界之落差ST滯留抗蝕劑液之例之圖。於圖5中,上段、中段及下段按時間序列依序由放大剖視圖顯示液膜乾燥步驟中存在於基板W之邊緣部SR及其周邊部之抗蝕劑液R1或抗蝕劑膜R2之狀態。
如圖5之上段之剖視圖所示,於液膜乾燥步驟之開始時點,於基板W之上表面S1形成有具有流動性之抗蝕劑液R1之液膜。藉由基板W旋轉,而對抗蝕劑液R1作用自基板W之中心向外周端部之離心力。又,於包圍基板W之空間內產生氣流。藉此,如圖5之中段之剖視圖中較粗之實線箭頭所示,於液膜之上層部分流動之抗蝕劑液R1之一部分被甩開至基板W之外側。
藉由甩開流動之多餘之抗蝕劑液R1,而於基板W之上表面S1中,抗蝕劑液R1之液膜自基板W之中心向外周端部薄膜化且連續乾燥。此時,如圖5之中段之剖視圖中空白箭頭所示,若滯留於落差ST之抗蝕劑液R1乾燥,則如圖5之下段之剖視圖所示,形成於落差ST及其周邊部之抗蝕劑膜R2之厚度與其他部分相比變厚。
如上所述,為防止抗蝕劑液滯留於落差ST,而考慮於液膜乾燥步驟之期間中明顯提高基板W之轉速之方法。於該情形時,液膜乾燥步驟中對流通於液膜之上層部分之抗蝕劑液R1作用更大之離心力。又,於包圍基板W之空間內產生更強之氣流。然而,若於液膜乾燥步驟之初始階段明顯提高基板W之轉速,則橫跨形成於基板W上之抗蝕劑膜R2整體產生斑點。
因此,於本實施形態中,液膜乾燥步驟之基板W之轉速隨著時間之經過變更為2階段。具體而言,於液膜乾燥步驟之開始時點至液膜乾燥步驟之結束時點之前之中間時點之間,基板W之轉速被調整為第1轉速。之後,於中間時點至結束時點之間,基板W之轉速被調整為高於第1轉速之第2轉速。
此處,將基板W之內側區域IA中包含基板W之中心且相對於基板W之中心成為同心之圓形之區域稱為中央區域。又,將基板W之內側區域IA中包圍中央區域且包含基板W之外周端部之區域稱為圓環區域。另,中央區域之直徑為例如基板W之直徑之一半左右。
於該情形時,藉由例如模擬或實驗等,將第1轉速規定為於形成於中央區域之抗蝕劑膜R2不產生斑點之程度之速度。另一方面,藉由例如模擬或實驗等,將第2轉速規定為具有流動性之抗蝕劑液R1不滯留於落差ST之程度之速度。再者,將中間時點規定為開始液膜乾燥步驟之後,基板W之中央區域上之抗蝕劑液R1乾燥且存在於圓環區域上之抗蝕劑液R1流動之狀態之期間內。
藉由如上所述調整基板W之轉速,而於液膜乾燥步驟之開始時點至中間時點內,可不產生斑點地使中央區域上之抗蝕劑液R1乾燥。另一方面,於液膜乾燥步驟之中間時點至結束時點內,對流通於圓環區域上之抗蝕劑液R1作用更大之離心力。又,於包圍基板W之空間內產生更強之氣
流。藉此,防止抗蝕劑液R1滯留於落差ST。因此,防止落差ST及其周邊部之抗蝕劑膜R2之厚度局部變大。
[3]塗佈處理中之基板W之轉速之控制例
圖6係顯示本發明之一實施形態之塗佈處理中之基板W之轉速之控制例之圖。於圖6之上段,由圖表顯示圖1之塗佈處理裝置1之塗佈處理中之基板W之轉速之變化。於圖6之上段之圖表中,縱軸顯示基板W之轉速,橫軸顯示時間。於圖6之下段之複數個對白框,由俯視圖及縱剖視圖顯示於塗佈處理中之複數個時點存在於基板W上之抗蝕劑液R1或抗蝕劑膜R2之狀態。
圖7係顯示圖6之液膜乾燥步驟中存在於基板W之邊緣部SR及其周邊部之抗蝕劑液R1或抗蝕劑膜R2之狀態之變化之圖。於圖7中,自上至下按4個階段之時間序列依序由放大剖視圖顯示液膜乾燥步驟中存在於基板W之邊緣部SR及其周邊部之抗蝕劑液R1或抗蝕劑膜R2之狀態。
另,基板W之轉速藉由控制部30控制圖1之旋轉驅動部13進行調整。又,控制部30控制圖1之溶劑供給系統24,藉此進行對基板W之上表面S1之溶劑之供給及停止。又,控制部30控制圖1之塗佈液供給系統22,藉此進行對基板W之上表面S1之抗蝕劑液R1之供給及停止。再者,控制部30控制圖1之清洗液供給系統18,藉此進行對基板W之下表面S2之清洗液之供給及停止。
於塗佈處理裝置1之塗佈處理之初始狀態下,具有圖3及圖4之構成之未處理之基板W由圖1之吸附保持部11以水平姿勢吸附保持。此時,將基板W之轉速維持為0。再者,以杯15之外周壁部15y之內周面與基板W之外周端部對向之方式,將杯15定位於上下方向。
如圖6所示,首先開始液膜形成步驟。於時點t1至時點t2之期間p1內,自圖1之溶劑噴嘴23對基板W之上表面S1供給特定量之溶劑。藉此,如與時點t2對應之對白框內所示,於基板W之上表面S1上保持特定量之溶劑。
接著,自時點t3至時點t4,基板W之轉速自0上升至s1,基板W之上表面S1所保持之溶劑自基板W之中心向基板W之外周端部擴展。將轉速s1設定於例如500rpm以上且1500rpm以下之範圍內。
如上所述,藉由對未處理之基板W之上表面S1供給溶劑,而將基板W之上表面S1改性,抗蝕劑液R1容易於基板W之上表面S1擴展。如此,將於塗佈抗蝕劑液R1之前使基板W之上表面S1改性之處理稱為預潤濕。另,於預潤濕中,基板W亦可旋轉。於該情形時,將基板W之轉速設定於例如大於0rpm且1000rpm以下之範圍內。
接著,時點t4至時點t6之期間p2內,自圖1之抗蝕劑噴嘴21對基板W之上表面S1供給特定量之抗蝕劑液R1。此時,自時點t4至時點t6之前之時點t5,基板W之轉速上升至高於s1之s2。又,自時點t5起一定期間內基板
W之轉速維持於s2。將轉速s2設定於例如1000rpm以上且3000rpm以下之範圍內。藉此,如與時點t5對應之對白框內所示,於基板W之上表面S1之中央部形成抗蝕劑液R1之塊(核)。又,自時點t5至時點t6,抗蝕劑液R1之核被整形。
自時點t5起一定期間內基板W之轉速維持於s2之後,至時點t6基板W之轉速下降至低於s1及s2之s3。自時點t6起一定期間內基板W之轉速維持於s3。將轉速s3設定於例如0rpm以上且500rpm以下之範圍內。
於自時點t6經過一定期間後,至時點t7基板W之轉速上升至高於s2之s4,一定期間內基板W之轉速維持於s4。將轉速s4設定於例如0rpm以上且3000rpm以下之範圍內。又,於自時點t7經過一定期間後,至時點t8,基板W之轉速下降至低於s4之s5。將轉速s5設定於例如500rpm以上且1500rpm以下之範圍內。自上述時點t6至時點t8,抗蝕劑液R1自基板W之中心向外周端部擴展。藉此,如與時點t8對應之對白框內所示,於基板W之上表面S1整體形成抗蝕劑液R1之液膜,液膜形成步驟結束。
接著,開始液膜乾燥步驟。於液膜乾燥步驟中,自時點t8至時點t9,基板W之轉速維持於s5。時點t8相當於上述液膜乾燥步驟之開始時點。轉速s5相當於上述第1轉速。
於時點t8,如自圖7上數起第1段剖視圖所示,於基板W之上表面S1形成有具有流動性之抗蝕劑液R1之液膜。於時點t8至時點t9之間,藉由基
板W之轉速維持於s5(第1轉速),而如圖7上數起第2段剖視圖中較粗之實線箭頭所示,於液膜之上層部分流動之抗蝕劑液R1之一部分甩開至基板W之外側。此時,於基板W之中央區域,抗蝕劑液R1自基板W之中心向外周端部依序乾燥。
時點t9相當於上述之液膜乾燥步驟之中間時點。於時點t9,如與圖6之時點t9對應之對白框內所示,於基板W之上表面S1之中央區域形成有抗蝕劑膜R2。另一方面,於基板W之上表面S1之圓環區域,具有流動性之抗蝕劑液R1自基板W之中央向基板W之外周端部流通。
之後,於時點t9基板W之轉速上升至高於s5之s6。將轉速s6設定於例如1500rpm以上且3500rpm以下之範圍內。自時點t9至時點t10,基板W之轉速維持於s6。轉速s6相當於上述第2轉速。於時點t10液膜乾燥步驟結束。藉此,於時點t10,如與圖6之時點t10對應之對白框內所示,於基板W之上表面S1整體形成抗蝕劑膜R2。時點t10相當於上述之液膜乾燥步驟之結束時點。
於時點t9至時點t10之間,藉由基板W之轉速維持於s6(第2轉速),而如自圖7上數起第3段剖視圖中較粗之實線箭頭所示,於液膜之上層部分流動之抗蝕劑液R1被更強地甩開至基板W之外側。藉此,防止於落差ST及其周邊部滯留抗蝕劑液R1,且存在於基板W之圓環區域之抗蝕劑液R1乾燥。因此,於時點t10,如自圖7上數起第4段剖視圖所示,形成於落差ST及其周邊部之抗蝕劑膜R2之厚度與其他部分大致相等。根據該等結果,
於液膜乾燥步驟結束時,於包含落差ST之基板W之上表面S1整體,以均一之厚度形成抗蝕劑膜R2。
於經過時點t10之後,一定期間內基板W之轉速維持於s5。之後,於時點t11轉速下降至低於s5及s6之s8。於該狀態下,一定期間內自圖1之複數個下表面噴嘴17對基板W之下表面S2供給清洗液。藉此,由清洗液去除附著於基板W之下表面S2之抗蝕劑液R1或抗蝕劑之固態物質。
如此,於洗淨基板W之下表面之步驟(所謂背面清洗步驟)中,將基板W之轉速設定為低於由液膜乾燥步驟設定之轉速。因此,於背面清洗步驟中,與使基板W以液膜乾燥步驟中之轉速旋轉之情形相比,可減少自基板W飛散之清洗液之量。藉此,防止自基板W之下表面S2飛散之清洗液附著於基板W之上表面S1上所形成之抗蝕劑膜R2上。其結果,可防止產生基板W之處理不良。藉由上述背面清洗步驟結束,而結束基板W之塗佈處理。
於上述圖6之例中,時點t8至時點t10之時間之長度(液膜乾燥步驟之開始至結束之時間)為例如15秒以上且30秒以下。又,時點t8至時點t9之時間之長度為例如10秒以上且20秒以下。
[4]液膜乾燥步驟之中間時點
如上所述,液膜乾燥步驟之中間時點規定為於開始液膜乾燥步驟之後,基板W之中央區域上之抗蝕劑液R1乾燥且存在於圓環區域上之抗蝕
劑液R1流動之狀態之期間內。
此處,例如圖6之例中,於液膜乾燥步驟中將基板W之轉速固定維持於s5之情形時,基板W上之抗蝕劑液R1整體乾燥之前,由於流動於液膜之上層部分之抗蝕劑液R1產生干涉條紋。該干涉條紋可根據基板W之轉速及抗蝕劑液R1之種類視認。
因此,於可確認上述干涉條紋之情形時,較佳為將中間時點規定為開始液膜乾燥步驟之後,供給至基板W之上表面S1之抗蝕劑液R1之表面所產生之干涉條紋消失之前之時點。藉此,藉由於液膜乾燥步驟之中間時點使基板W之轉速上升,而可順滑甩開存在於基板W之外周部及其附近且具有流動性之抗蝕劑液R1。
[5]效果
(1)於上述塗佈處理裝置1中,對具有邊緣部SR之基板W實施塗佈處理。該塗佈處理包含液膜形成步驟及液膜乾燥步驟。首先,於液膜形成步驟中,預潤濕後對旋轉之基板W之上表面S1供給抗蝕劑液R1。藉此,使抗蝕劑液擴展至基板W之上表面S1整體,結束液膜形成步驟。
接著,於液膜乾燥步驟中,為使基板W乾燥,而自開始時點至中間時點基板以第1轉速旋轉。藉此,位於基板W之中央區域且具有流動性之抗蝕劑液向基板W之外周部移動。因此,基板W之上表面S1之中央區域乾燥。
接著,自液膜乾燥步驟之中間時點至結束時點基板W以高於第1轉速之第2轉速旋轉。於該情形時,對於基板W之外周部及其附近流動之抗蝕劑液R1作用更大之離心力。又,於包圍基板W之空間,產生更大之氣流。藉此,於基板W之上表面S1上自基板W之中心向外周部流動之抗蝕劑液R1之大部分自基板W之中央區域超過邊緣部SR飛散至基板W之外側。換言之,於基板W之上表面S1上導向邊緣部SR與內側區域IA之邊界之落差ST之不需要之抗蝕劑液R1被甩開至基板W之外側。
其結果,可防止起因於塗佈處理時不需要之抗蝕劑液R1殘留於基板W上而產生基板W之處理不良及基板W之污染。
(2)於圖6之例中,第2轉速即s7設定為高於第1轉速即s4之2倍之轉速。於該情形時,對導向位於邊緣部SR之內緣之落差ST之不需要之抗蝕劑液R1作用更大之離心力。又,於包圍基板W之空間產生更大之氣流。藉此,邊緣部SR之內側之不需要之抗蝕劑液R1被更順滑地甩開至基板W之外側。
[6]確認試驗
本發明者們為確認上述塗佈處理之效果,而進行以下之確認試驗。首先,本發明者們藉由依照圖6之例進行塗佈處理而製作實施例之基板W。於以下之說明中,將該基板W稱為實施例基板W1。又,本發明者們除於液膜乾燥步驟之期間中將基板W之轉速固定維持為第1轉速(s5)之點
以外亦依照圖6之例進行塗佈處理,藉此製作比較例之基板W。於以下之說明中,將該基板W稱為比較例基板W2。另,於製作實施例基板W1及比較例基板W2時,形成抗蝕劑膜R2之後,去除存在於包含邊緣部SR之基板周緣部之抗蝕劑膜R2之部分。
本發明者們針對已製作之實施例基板W1及比較例基板W2,測定通過各基板之中心之直線上之抗蝕劑膜R2之膜厚分佈。圖8係顯示實施例基板W1及比較例基板W2之抗蝕劑膜R2之膜厚分佈之一部分之圖。於圖8中,與實施例基板W1及比較例基板W2之模式性俯視圖一起,由放大之圖表顯示模式性俯視圖中由虛線包圍之2個部分之膜厚分佈。
於圖8之圖表中,縱軸顯示抗蝕劑膜R2之膜厚,橫軸顯示通過基板之中心之直線L上之位置。實施例基板W1及比較例基板W2之直徑均為300mm。於橫軸上,「147.0」顯示直線L上自基板W之中心向一方向(於圖8之例中為右方向)分離147mm之位置。又,「-147.0」顯示直線L上自基板W之中心向反方向(於圖8之例中為左方向)分離147mm之位置。又,於橫軸上,以空白之箭頭顯示直線L上之落差ST之位置。再者,於圖8之圖表中,實線顯示與實施例基板W1對應之膜厚分佈,一點劃線顯示與比較例基板W2對應之膜厚分佈。
如圖8所示,形成於實施例基板W1之落差ST及其附近之抗蝕劑膜R2之膜厚與形成於比較例基板W2之落差ST及其附近之抗蝕劑膜R2之膜厚相比非常小。藉此,可確認形成於實施例基板W1之抗蝕劑膜R2之膜厚分佈
與形成於比較例基板W2之抗蝕劑膜R2之膜厚分佈相比更均一化。
[7]其他實施形態
(1)於上述實施形態之圖4之基板W中,形成於邊緣部SR與內側區域IA之邊界之落差ST雖包含2個落差,但本發明不限定於此。於成為處理對象之基板W中,落差ST可僅包含1個落差。又,落差ST亦可形成為於基板W之縱剖面中,邊緣部SR之內周面與內側區域IA以曲線連接。
(2)於上述實施形態之圖6之例中,雖液膜形成步驟中設定之基板W之轉速s3、s1、s2、s4以依序變高之方式設定,但轉速s1~s4之關係不限定於上述之例。轉速s1~s4之各者只要設定於上述實施形態中例示之速度之範圍內即可。
(3)於上述實施形態之圖6之例中,雖於液膜形成步驟進行預潤濕,但本發明不限定於此。亦可於液膜形成步驟中不進行預潤濕。
(4)於上述實施形態之圖6之例中,雖於液膜形成步驟中,對旋轉之基板W之上表面S1供給抗蝕劑液R1,但本發明不限定於此。亦可於液膜形成步驟中,對停止旋轉之基板W供給特定量之抗蝕劑液R1之後,藉由於停止抗蝕劑液R1之供給之狀態下使基板W旋轉而對基板W之上表面S1整體塗佈抗蝕劑液R1。
(5)於上述實施形態之塗佈處理裝置1中,雖為對基板W之下表面S2
供給清洗液而設置4個下表面噴嘴17,但本發明不限定於此。對基板W之下表面S2供給清洗液之下表面噴嘴17可為1個,可為2個,亦可為3個。或,下表面噴嘴17之數量亦可為5個以上。
(6)於上述實施形態之塗佈處理裝置1中,雖作為塗佈液對基板W供給抗蝕劑液R1,但本發明並非限定於此。於塗佈處理裝置1中,可將防反射膜用之塗佈液供給至基板W。或,於塗佈處理裝置1中,亦可將SOC(Spin On Carbon:旋塗碳)膜、SOG(Spin On Glass:旋塗玻璃)膜或SiARC(Si-rich Anti Reflective Coating:富矽防反射塗層)膜用之塗佈液供給至基板W。
(7)於上述實施形態中,雖將液膜乾燥步驟之中間時點規定為於液膜乾燥步驟之開始時點之後,基板W之中央區域上之抗蝕劑液R1乾燥且存在於圓環區域上之抗蝕劑液R1流動之狀態之期間內,但本發明不限定於此。液膜乾燥步驟之中間時點不限定於上述期間,只要規定於液膜乾燥步驟之開始時點之後且結束時點之前即可。
[8]技術方案之各構成要件與實施形態之各要件之對應關係
以下,就技術方案之各構成要件與實施形態之各要件之對應之例進行說明。於上述實施形態中,抗蝕劑膜R2為塗佈膜之例,塗佈處理裝置1為塗佈處理裝置之例,上表面S1為第1面之例,下表面S2為第2面之例,邊緣部SR為凸部之例,旋轉保持裝置10為旋轉保持部之例,抗蝕劑液R1為塗佈液之例,液體供給裝置20為塗佈液供給部之例,控制部30為控制
部之例,且下表面噴嘴17及清洗液供給系統18為清洗液供給部之例。
又,液膜乾燥步驟之開始時點(圖6之時點t8)為第1時點之例,液膜乾燥步驟之中間時點(圖6之時點t9)為第2時點之例,液膜乾燥步驟之結束時點(圖6之時點t10)為第3時點之例,液膜乾燥步驟之基板W之轉速s5為第1轉速之例,液膜乾燥步驟之基板W之轉速s6為第2轉速之例,背面清洗步驟之基板W之轉速s8為第3轉速之例。作為技術方案之各構成要件,亦可使用具有技術方案所記載之構成或功能之其他各種要件。
p1:期間
p2:期間
R1:抗蝕劑液
R2:抗蝕劑膜
S1:上表面
s1~s6:轉速
s8:轉速
t1~t11:時點
W:基板
Claims (10)
- 一種塗佈處理方法,其係於至少一部分具有圓形狀之外周部之基板,形成塗佈膜之塗佈處理方法,且上述基板具有相互面向反方向之第1面及第2面,於上述第1面,形成向與上述第1面正交之方向突出且沿上述外周部延伸之圓環狀之凸部,上述塗佈處理方法包含以下步驟:以上述第1面面向上方之方式以水平姿勢保持上述基板;對上述第1面供給塗佈液,藉由於塗佈液之供給中或供給後使以水平姿勢保持之上述基板繞鉛直軸旋轉而將塗佈液擴展至包含上述凸部之表面之該第1面整體;及於擴展上述塗佈液之步驟之後,藉由使以水平姿勢保持之上述基板繞鉛直軸旋轉而使上述基板乾燥;且使上述基板乾燥之步驟包含:於第1時點至上述第1時點之後之第2時點之間,使上述基板以第1轉速旋轉;及於上述第2時點至上述第2時點之後之第3時點之間,使上述基板以高於上述第1轉速之第2轉速旋轉。
- 如請求項1之塗佈處理方法,其進而包含於使上述基板乾燥之步驟之後,一面使上述基板以低於上述第1轉速之第3轉速旋轉,一面對上述第2面供給清洗液之步驟。
- 如請求項1或2之塗佈處理方法,其中將上述第2時點規定為擴展於上述第1面上之塗佈液中存在於上述第1面之中央區域之部分為乾燥、且存在於包圍上述第1面之上述中央區域之區域上之部分為流動之狀態之期間內。
- 如請求項1或2之塗佈處理方法,其中將上述第2時點規定為經過上述第1時點後供給至上述第1面之塗佈液之表面所產生之干涉條紋消失之前之時點。
- 如請求項1或2之塗佈處理方法,其中上述第2轉速高於上述第1轉速之2倍之轉速。
- 一種塗佈處理裝置,其係於至少一部分具有圓形狀之外周部之基板形成塗佈膜之塗佈處理裝置,且上述基板具有相互面向反方向之第1面及第2面,於上述第1面,形成向與該第1面正交之方向突出且沿上述外周部延伸之圓環狀之凸部,上述塗佈處理裝置包含:旋轉保持部,其以上述第1面面向上方之方式以水平姿勢保持上述基板,且使其繞鉛直軸旋轉;塗佈液供給部,其對上述第1面供給塗佈液;及控制部,其以對上述第1面供給塗佈液之方式控制上述塗佈液供給 部,以藉由於塗佈液之供給中或供給後使以水平姿勢保持之上述基板繞上述鉛直軸旋轉而使塗佈液擴展至包含上述凸部之表面之該第1面整體之方式,控制上述旋轉保持部;且上述控制部以如下方式進一步控制上述旋轉保持部:於塗佈液擴展至上述第1面整體後,於第1時點至上述第1時點之後之第2時點之間,以水平姿勢保持之上述基板以第1轉速旋轉,於上述第2時點至上述第2時點之後之第3時點之間,以水平姿勢保持之上述基板以高於上述第1轉速之第2轉速旋轉,藉此使上述基板乾燥。
- 如請求項6之塗佈處理裝置,其進而包含對上述第2面供給清洗液之清洗液供給部,上述控制部於上述基板藉由以上述第2轉速旋轉而乾燥之後,以上述基板以低於上述第1轉速之第3轉速旋轉之方式進一步控制上述旋轉保持部,且以對以上述第3轉速旋轉之上述基板之上述第2面供給清洗液之方式進一步控制上述清洗液供給部。
- 如請求項6或7之塗佈處理裝置,其中將上述第2時點規定為擴展於上述第1面上之塗佈液中存在於上述第1面之中央區域之部分為乾燥,且存在於包圍上述第1面之上述中央區域之區域上之部分為流動之狀態之期間內。
- 如請求項6或7之塗佈處理裝置,其中將上述第2時點規定為經過上述 第1時點後供給至上述第1面之塗佈液之表面所產生之干涉條紋消失之前之時點。
- 如請求項6或7之塗佈處理裝置,其中上述第2轉速高於上述第1轉速之2倍之轉速。
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JP6899265B2 (ja) * | 2017-06-27 | 2021-07-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布処理方法、塗布処理装置及び記憶媒体 |
JP6873011B2 (ja) * | 2017-08-30 | 2021-05-19 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP7308048B2 (ja) * | 2019-02-15 | 2023-07-13 | 株式会社Screenホールディングス | 液処理装置および液処理方法 |
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Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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