TWI692639B - 超音波探頭 - Google Patents

Abstract

超音波探頭包括微機械超音波換能器基板及接地層。微機械超音波換能器基板具有發射面、聲波產生陣列及接地線，聲波產生陣列及接地線形成於發射面。接地層形成於發射面之邊緣。接地線連接聲波產生陣列與接地層。

Description

超音波探頭

本發明是有關於一種超音波探頭，且特別是有關於一種具有接地層之超音波探頭。

習知超音波探頭包含基板、聲波產生陣列及至少一導線。聲波產生陣列包括數個聲波產生單元，各導線連接對應的連接聲波產生陣列。為了電性連接聲波產生陣列與電路板，一般多採用焊線(bonding wire)橫向地跨接電路板及導線，以電性連接聲波產生陣列與電路板。然而，採用焊線連接的方式需要特別考量打線工具頭的操作性(如操作空間是否足夠)，且焊線通常具有一長度，其構成阻抗的一部分，且焊線容易導致電性連接失效，可靠度低。

因此，有需要提出一種能夠改善前述問題的超音波探頭及其製造方法。

本發明實施例提出一種超音波探頭，可改善上述問題。

本發明一實施例提出一種超音波探頭。超音波探頭包括一微機械超音波換能器基板及一接地層。微機械超音波換能器基板具有一發射面、一聲波產生陣列及一接地線，聲波產生陣列及接地線形成於發射面。接地層形成於發射面之一邊緣。其中，接地線連接聲波產生陣列與接地層。

為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式詳細說明如下：

為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式詳細說明如下。

請參照第1A及1B圖，第1A圖繪示依照本發明一實施例之超音波探頭100的俯視圖，而第1B圖繪示第1圖之超音波探頭100沿方向1B-1B’的剖面圖。

超音波探頭100包括微機械超音波換能器(Micromachined Ultrasonic Transducer, MUT)基板110 (以粗線繪製第1A圖之微機械超音波換能器基板110之外邊界)、接地層120、導電膠130、電路板140、聲波傳遞介質150、蓋板155及封裝體160。微機械超音波換能器基板110具有發射面110u、聲波產生陣列111、至少一接地線110g及至少一訊號線110s。聲波產生陣列111、接地線110g及訊號線110s形成於發射面110u。接地層120形成於發射面110u之邊緣。接地線110g連接聲波產生陣列111與接地層120。如此，所有接地線110g皆延伸至接地層120，且皆透過接地層120電性連接於電路板140之一接地電位(未繪示)。如此，接地線110g不需要透過焊線，就能電性連接於電路板140。

此外，前述「邊緣」例如是聲波產生陣列111以外的區域，其範圍例如可延伸至微機械超音波換能器基板110的外側面110e，然本發明實施例不受此限。

如第1A及1B圖所示，聲波產生陣列111包括至少一聲波產生單元1111。各聲波產生單元1111包括至少一共振腔1111r及至少一共振膜1112。各共振膜1112形成於發射面110u且覆蓋對應的共振腔1111r。各聲波產生單元1111更包括至少一訊號連接線1111s及至少一接地連接線1111g。各共振膜1112由對應的一條訊號連接線1111s連接至訊號線110s，而各共振膜1112由對應的一條接地連接線1111g連接至接地線110g。各訊號線110s連接對應之聲波產生單元1111至發射面110u之邊緣，而各接地線110g連接對應之聲波產生單元1111至接地層120。以一個聲波產生單元1111的控制來說，一控制器10的控制訊號C1可透過電路板140傳送給訊號線110s，再通過與各共振膜1112連接之訊號連接線1111s及接地連接線1111g後，經由接地線110g及電路板140回到控制器10。控制訊號C1可控制各聲波產生單元1111的所有共振膜1112上下震盪，以發出超聲波。此外，視聲波聚焦特性而定，不同聲波產生單元1111可由不同的控制訊號C1控制，例如由不同延遲時間的控制訊號C1控制，使所有聲波產生單元1111聚焦於同一區域，如同一點。

此外，共振腔1111r、共振膜1112、訊號連接線1111s、接地連接線1111g可採用半導體製程形成，其中半導體製程例如包含微影蝕刻技術、塗佈技術及/或其它任何可形成聲波產生陣列111的半導體技術。

如第1A圖所示，接地層120呈一封閉環形。接地層120封閉式地環繞全部聲波產生單元1111。基板110具有一外側面110e。在本實施例中，接地層120鄰接基板110的外側面110e。在另一實施例中，接地層120可鄰近基板110的外側面110e，但與外側面110e間隔一距離。在其它實施例中，接地層120之一部分可延伸至基板110的外側面110e，而接地層120之另一部分可鄰近基板110的外側面110e，但與外側面110e間隔一距離。

如第1A圖所示，接地層120包含相連接之接地環120g1與二接地墊120g2。二接地墊120g2鄰近發射面110u之一對角配置，各接地墊120g2之寬度W1大於接地環120g1的寬度W2。由於接地層120之接地墊120g2提供一足夠寬度，可增加電路板140的接地墊(未繪示)與接地層120之接地墊120g2的上下重疊面積，提升電性連接品質。

如第1B圖所示，整個接地層120透過接地墊120g2(接地墊120g2繪示於第1A圖)、導電膠130及電路板140的接地墊(未繪示)電性連接於電路板140的接地電位。本發明實施例透過導電膠130電性連接電路板140與接地層120，相較於習知焊線，導電膠的可靠度較高，且電傳輸路徑較短，阻抗較低。

如第1B圖所示，導電膠130配置於發射面110u上。例如，導電膠130沿聲波發射方向E1位於微機械超音波換能器基板110之接地線110g與電路板140之接地墊140g之間，且位於微機械超音波換能器基板110之訊號線110s與電路板140之訊號墊140s之間。導電膠130允許Z軸向(Z軸向例如是與聲波發射方向E1大致平行)的電性傳輸，但不允許X及Y軸向(例如是與Z軸向大致垂直)的電性傳輸。因此，即使導電膠130為連續延伸的導電膠，相鄰二訊號線110s不會透過導電膠130電性短路且相鄰二接地線110g不會透過導電膠130電性短路。在本實施例中，導電膠130為異方性導電膠(Anisotropic Conductive Film, ACF)，或其它僅允許Z軸向電性傳輸的導電材料。圖示的X軸與Y軸之一者例如是超音波探頭100的長軸發射方向，而X軸與Y軸之另一者例如是超音波探頭100的短軸發射方向。

如第1B圖所示，導電膠130具有第一凹部130r。電路板140例如式軟性電路板(Flexible Print Circuit, FPC)，然本發明實施例不受此限。電路板140具有開口140a，電路板140配置在導電膠130上且開口140a對應第一凹部130r形成第二凹部140r。聲波傳遞介質150形成於第一凹部130r及第二凹部140r內，例如是填滿第一凹部130r及第二凹部140r。聲波傳遞介質150例如是矽油、甘油或其它不導電且可傳遞聲波的介質。聲波傳遞介質150可幫助聲波產生陣列111所產生的超聲波傳遞出去。如第1A圖所示，導電膠130具有一封閉環形，使第一凹部130r與導電膠130的外側面不連通，且電路板140具有一封閉環形，使第二凹部140r與電路板140的外側面不連通。如此，位於第一凹部130r及第二凹部140r內的聲波傳遞介質150不會從導電膠130及電路板140側向地外漏。

此外，第二凹部140r與第一凹部130r大致上重疊，如至少部分重疊。在一實施例中，第二凹部140r可小於或大致等於第一凹部130r的大小(如俯視面積)，然第二凹部140r也大於第一凹部130r的大小(如俯視面積)。

蓋板155配置在電路板140上且遮蓋開口140a，以遮蓋第一凹部130r及第二凹部140r，可避免位於第一凹部130r及第二凹部140r內的聲波傳遞介質150從開口140a外漏。此外，雖然圖未繪示，超音波探頭100更包括一黏合層，其形成於蓋板155與電路板140之間，以固定蓋板155與電路板140的相對位置。綜上，聲波傳遞介質150被導電膠130、電路板140與蓋板155封閉在第一凹部130r及第二凹部140r內。此外，蓋板155允許聲波穿出，其具有例如是80%、85%、90%或95%以上的聲波穿透率。在一實施例中，蓋板155可以是透光或非透光蓋板。以材質來說，蓋板155的材料包含樹脂，如聚胺酯。

如第1B圖所示，封裝體160包覆微機械超音波換能器基板110、接地層120、導電膠130、電路板140的一部分及蓋板150。電路板140的另一部分突出於封裝體160，以電性連接於控制器10。封裝體160的材料包括酚醛基樹脂（Novolac-based resin）、環氧基樹脂（epoxy-based resin）、矽基樹脂（silicone-based resin）或其他適當之包覆劑。封裝體160亦可包括適當之填充劑，例如是粉狀之二氧化矽。此外，可利用數種封裝技術形成封裝體160，例如是壓縮成型（compression molding）、液態封裝型（liquid encapsulation）、注射成型（injection molding）或轉注成型（transfer molding）。

請參照第2A~2C圖，第2A圖繪示依照本發明另一實施例之超音波探頭200的俯視圖，第2B圖繪示第2A圖之超音波探頭200沿方向2B-2B’的剖面圖，而第2C圖繪示第2A圖之超音波探頭200沿方向2C-2C’的剖面圖。

超音波探頭200包括微機械超音波換能器基板210 ((以粗線繪製第2A圖之微機械超音波換能器基板210之外邊界))、接地層220、導電膠230、電路板140、聲波傳遞介質150、蓋板155、封裝體160及導電連接層270。微機械超音波換能器基板210具有發射面110u、聲波產生陣列111、至少一接地線110g、至少一訊號線110s及至少一擋牆212。聲波產生陣列111、接地線110g、訊號線110s及擋牆212形成於發射面110u。接地層120形成於發射面110u之邊緣，其中接地線110g連接聲波產生陣列111與接地層120。

在本實施例中，接地層220鄰接於微機械超音波換能器基板210之外側面210e，然本發明實施例不限於此。接地層220包含相連接之接地環221與二接地墊120g2。二接地墊120g2鄰近發射面110u之一對角配置。各接地墊120g2之寬度W1大於接地環221的寬度W2。由於接地層120之接地墊120g2提供一足夠寬度，可增加電路板140的接地墊(未繪示)與接地層220之接地墊120g2的上下重疊面積，提升電性連接品質。

如第2A圖所示，接地層220之接地環221包括彼此分離之數個接地部221g，各接地部221g鄰近微機械超音波換能器基板110之外側面210e，例如是延伸至外側面210e。微機械超音波換能器基板110之各接地線110g連接對應之接地部221g。導電連接層270形成於微機械超音波換能器基板110之外側面210e，並連接此些接地部221g，使彼此分離的數個接地部221g透過導電連接層270電性連接。

如第2B圖所示，整個接地層220透過接地墊120g2、導電膠230及電路板140的接地墊(未繪示)電性連接於電路板140的接地電位。如第2A圖所示，導電膠230包括數個分離的導電膠墊231。各導電膠墊231覆蓋對應之接地線110g或對應之訊號線110s。此些導電膠墊231與接地層220之數個接地部221g係彼此間隔，以避免訊號線110s透過導電膠墊231電性短路於接地部221g。在本實施例中，導電膠230的電性傳輸無方向性，即允許沿Z軸向、X軸向及Y軸向的電性傳輸。由於數個導電膠墊231彼此分離，因此即使導電膠230的電性傳輸無方向性，也不會導致相鄰二導電膠墊231電性短路。在一實施例中，導電膠230例如是銀膠，然亦可為其它導電材料。此外，如第2A及2B圖所示，訊號線110s自聲波產生陣列111往發射面110u之邊緣的方向延伸且相距微機械超音波換能器基板110之外側面210e一距離H1，距離H1可避免導電連接層270接觸到訊號線110s。在一實施例中，距離H1例如是大於10微米，如介於150微米與250微米之間。前述數值範圍足以避免導電連接層270接觸到訊號線110s。

如第2A~2C圖所示，導電膠230之數個導電膠墊231分布在微機械超音波換能器基板110之發射面110u (第2A圖未繪示)的相對二邊緣，而二擋牆212分別位於發射面110u的另相對二邊緣，其中數個導電膠墊231與二擋牆212圍繞出第一凹部230r，第一凹部230r露出聲波產生陣列111。電路板140具有第二凹部140r。聲波傳遞介質150位於第一凹部230r及第二凹部140r內。由於擋牆212的配置，可阻擋位於第一凹部230r及第二凹部140r內的聲波傳遞介質150外漏。此外，由於數個分離的導電膠墊231相鄰配置(但不接觸)，因此也對位於第一凹部230r及第二凹部140r內的聲波傳遞介質150產生一定的外漏阻力，此可減少外漏量或甚至無外漏。此外，在一實施例中，擋牆212與微機械超音波換能器基板110的板體可為一體成形結構。此外，擋牆212例如是絕緣擋牆，因此可避免訊號線110s透過導電膠230及擋牆212與接地層220電性短路。

請參照第3A~3B圖，第3A圖繪示依照本發明另一實施例之超音波探頭300的俯視圖，而第3B圖繪示第3A圖之超音波探頭300沿方向3B-3B’的剖面圖。

超音波探頭300包括微機械超音波換能器基板210、接地層220、導電膠230、電路板140、聲波傳遞介質150、蓋板155、封裝體160及導電連接層270。微機械超音波換能器基板210具有發射面110u、聲波產生陣列111、至少一接地線110g、至少一訊號線110s及至少一擋牆212。聲波產生陣列111、接地線110g及訊號線110s及擋牆212形成於發射面110u。接地層120形成於發射面110u之邊緣，其中接地線110g連接聲波產生陣列111與接地層120。

本發明實施例之超音波探頭300具有與前述超音波探頭200相同或相似的技術特徵，不同處在於，此些接地部221g與微機械超音波換能器基板210之外側面210e之間具有間隔H2，導電連接層270延伸至間隔H2內，即，延伸至發射面110u上方。此外，導電連接層270連接此些接地部221g，使數個分離的接地部221g透過導電連接層270電性連接。

請參照第4A~4B圖，第4A圖繪示依照本發明另一實施例之共振腔1111r及共振膜1112的俯視圖，而第4B圖繪示第4A圖之共振腔1111r及共振膜1112沿方向4B-4B’的剖面圖。前述超音波探頭100~300之任一者的微機械超音波換能器基板110或210更可包括數個突出牆113。突出牆113相對發射面110u係突出，且鄰近共振腔1111r配置。數個突出牆113環繞對應的共振腔1111r，其中各突出牆113的延伸方向與共振腔1111r之各邊係非平行。此外，相鄰二突出牆113之間的夾角A1例如是介於70度~100度之間。在一實施例中，各突出牆113的高度L1大於或實質上等於共振腔1111r的深度L2。突出牆113可增加微機械超音波換能器基板的強度，減少共振腔1111r及共振膜1112的變形量。如此，當超音波探頭抵壓在待測體(如人體)上時，突出牆113可減少共振腔1111r及共振膜1112受壓時的變形量，確保所產生的超聲波符合預期特性。此外，突出牆113與微機械超音波換能器基板的板體係一體成形結構，然本發明實施例不受此限。

請參照第5A1~5F圖，其繪示第1A圖之超音波探頭100的製造過程圖。

如第5A1及5A2圖所示，提供微機械超音波換能器基板110，其中微機械超音波換能器基板110包括發射面110u、聲波產生陣列111、至少一接地線110g及至少一訊號線110s。聲波產生陣列111包括至少一聲波產生單元1111，其中一條接地線110g及一條訊號線110s自對應的聲波產生單元1111延伸至發射面110u的邊緣。此外，接地層120形成於微機械超音波換能器基板110之發射面110u上，例如是形成於發射面110u之邊緣，其中接地線110g連接聲波產生陣列111與接地層120。

如第5B1及5B2圖所示，可採用例如是塗佈技術，形成導電膠130覆蓋接地層120的至少一部分、接地線110g之一部分及訊號線110s之一部分。導電膠130具有第一凹部130r，第一凹部130r露出聲波產生陣列111，例如是露出全部的聲波產生單元1111。

如第5C圖所示，配置電路板140於導電膠130上，其中電路板140具有第二凹部140r，第二凹部140r露出聲波產生陣列111及第一凹部130r。第二凹部140r與第一凹部130r大致上重疊，如至少部分重疊。

如第5D圖所示，可採用例如是注射技術，形成聲波傳遞介質150於第一凹部130r及第二凹部140r內。聲波傳遞介質150填滿第一凹部130r及第二凹部140r的至少一部分。

如第5E圖所示，配置蓋板155覆蓋第二凹部140r之開口140a。雖然未繪示，然蓋板155與電路板140之間可形成有黏合層，以固定聲蓋板155與電路板140之間的相對位置。

如第5F圖所示，可採用例如是壓縮成型、液態封裝型、注射成型或轉注成型，形成封裝體160包覆微機械超音波換能器基板110、接地層220、導電膠130、電路板140的一部分及蓋板155，以形成超音波探頭100。電路板140的另一部分突出於封裝體160，以電性連接於控制器10(控制器10繪示於第1B圖)。

請參照第6A1~6H圖，其繪示第2A圖之超音波探頭200的製造過程圖。

如第6A1及6A2圖所示，提供微機械超音波換能器基板210，其中具有發射面110u、聲波產生陣列111、至少一接地線110g、至少一訊號線110s及至少一擋牆212。聲波產生陣列111包括至少一聲波產生單元1111，其中一條接地線110g及一條訊號線110s自對應的聲波產生單元1111延伸至發射面110u的邊緣。擋牆212相對發射面110u係突出且與微機械超音波換能器基板210之板體例如是一體成形結構，然本發明實施例不受此限。

此外，接地層220形成於微機械超音波換能器基板210之發射面110u上，例如是形成於發射面110u之邊緣，其中接地線110g連接聲波產生陣列111與接地層220。接地層220包含相連接之接地環221與二接地墊120g2。二接地墊120g2鄰近發射面110u之一對角配置。

如第6B圖所示，可採用塗佈技術，形成導電膠230覆蓋接地層220的至少一部分、接地線110g之一部分及訊號線110s之一部分。在本步驟中，如圖所示，導電膠230包含二條連續延伸的膠條230A及230B，膠條230A及230B分別位於發射面110u的相對二邊緣。各膠條230A及230B覆蓋位於同側邊緣的訊號線110s及接地線110g。二擋牆212分別位於發射面110u的另相對二邊緣，其中導電膠230與擋牆212圍繞出第一凹部230r，第一凹部230r露出聲波產生陣列111。在本實施例中，導電膠230的電性傳輸無方向性，即允許沿Z軸向、X軸向及Y軸向地電性傳輸。

如第6C圖所示，可採用例如是切割技術，將導電膠230切割成數個分離的導電膠墊231且將接地環221切割成數個分離的接地部221g ，其中各接地線110g被對應的導電膠墊231覆蓋且各訊號線110s被對應的導電膠墊231覆蓋。由於數個導電膠墊231彼此分離，因此即使導電膠230的電性傳輸無方向性，也不會導致相鄰二導電膠墊231電性短路。此外，前述切割製程例如是採用刀具或雷射完成。

如第6D圖所示，配置電路板140於數個導電膠墊231上，其中電路板140具有第二凹部140r，第二凹部140r露出聲波產生陣列111及第一凹部130r。第二凹部140r與第一凹部230r大致上重疊，如至少部分重疊。

如第6E圖所示，可採用注射技術，形成聲波傳遞介質150於第一凹部230r及第二凹部140r內。聲波傳遞介質150填滿第一凹部230r及第二凹部140r的至少一部分。

如第6F圖所示，配置蓋板155覆蓋第二凹部140r之開口140a。雖然未繪示，然蓋板155與電路板140之間可形成有黏合層，以固定聲蓋板155與電路板140之間的相對位置。

如第6G圖所示，將電路板140反折，以露出微機械超音波換能器基板210的外側面210e及接地部221g。

如第6H圖所示，可採用例如是塗佈技術，形成導電連接層270形成於外側面210e。透過毛細現象，呈流動態的導電連接層270滲入到接地部221g與電路板140之間的間隙，並連接從外側面210e露出的所有接地部221g。接著，可加熱導電連接層270，以固化導電連接層270。

然後，可採用例如是壓縮成型、液態封裝型、注射成型或轉注成型，形成封裝體160包覆第6H圖之微機械超音波換能器基板210、接地層220、導電膠230、電路板140的一部分及蓋板155，以形成超音波探頭200。電路板140的另一部分突出於封裝體160，以電性連接於控制器10(控制器10繪示於第1B圖)。

超音波探頭300的製造方法類似或同於前述超音波探頭200，於此不再贅述。

綜上所述，雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

10:控制器 100、200、300:超音波探頭 110、210:微機械超音波換能器基板 110u:發射面 110e、210e:外側面 111:聲波產生陣列 1111:聲波產生單元 1111r:共振腔 1111s:訊號連接線 1111g:接地連接線 1112:共振膜 110g:接地線 110s:訊號線 113:突出牆 120、220:接地層 120g1:接地環 120g2:接地墊 130、230:導電膠 130r、230r:第一凹部 140:電路板 140a:開口 140r:第二凹部 140g:接地墊 140s:訊號墊 150:聲波傳遞介質 155:蓋板 160:封裝體 212:擋牆 221g:接地部 221:接地環 230A、230B:膠條 231:導電膠墊 270:導電連接層 A1:夾角 C1:控制訊號 E1:聲波發射方向 H1:距離 H2:間隔 L1:高度 L2:深度 W1、W2:寬度

第1A圖繪示依照本發明一實施例之超音波探頭的俯視圖。 第1B圖繪示第1圖之超音波探頭沿方向1B-1B’的剖面圖。 第2A圖繪示依照本發明另一實施例之超音波探頭的俯視圖。 第2B圖繪示第2A圖之超音波探頭沿方向2B-2B’的剖面圖。 第2C圖繪示第2A圖之超音波探頭沿方向2C-2C’的剖面圖。 第3A圖繪示依照本發明另一實施例之超音波探頭的俯視圖。 第3B圖繪示第3A圖之超音波探頭沿方向3B-3B’的剖面圖。 第4A圖繪示依照本發明另一實施例之共振腔及共振膜的俯視圖。 第4B圖繪示第4A圖之共振腔及共振膜沿方向4B-4B’的剖面圖。 第5A1~5F圖繪示第1A圖之超音波探頭的製造過程圖。 第6A1~6H圖繪示第2A圖之超音波探頭的製造過程圖。

100:超音波探頭

110:微機械超音波換能器基板

110e:外側面

111:聲波產生陣列

1111:聲波產生單元

110g:接地線

110s:訊號線

120:接地層

130:導電膠

130r:第一凹部

140:電路板

160:封裝體

W1、W2:寬度

Claims (10)

1. 一種超音波探頭，包括： 一微機械超音波換能器基板，具有一發射面、一聲波產生陣列及一接地線，該聲波產生陣列及該接地線形成於該發射面；以及 一接地層，形成於該發射面之一邊緣； 其中，該接地線連接該聲波產生陣列與該接地層。
2. 如申請專利範圍第1項所述的超音波探頭，其中該接地層呈一封閉環形。
3. 如申請專利範圍第1項所述的超音波探頭，其中該接地層包含相連接之一接地環與二接地墊，該二接地墊鄰近該發射面之一對角配置，各該接地墊之一寬度大於該接地環的一寬度。
4. 如申請專利範圍第1項所述的超音波探頭，其中該聲波產生陣列包括複數個該聲波產生單元，該接地層封閉式地環繞該些聲波產生單元。
5. 如申請專利範圍第1項所述的超音波探頭，更包括： 一導電膠，配置於該發射面上且具有一第一凹部； 一電路板，具有一開口，該電路板配置在該導電膠上且該開口對應該第一凹部形成一第二凹部；以及 一聲波傳遞介質，形成於該第一凹部及該第二凹部內； 其中，該導電膠沿一聲波發射方向位於該微機械超音波換能器基板之該接地線與該電路板之間。
6. 如申請專利範圍第5項所述的超音波探頭，其中該導電膠為異方性導電膠。
7. 如申請專利範圍第1項所述的超音波探頭，其中該接地層包括彼此分離之複數個接地部，各該接地部鄰近該微機械超音波換能器基板之一側面，該微機械超音波換能器基板包括複數個該接地線，各該接地線連接對應之該接地部；該超音波探頭更包括： 一導電連接層，形成於該側面，且連接該些接地部。
8. 如申請專利範圍第7項所述的超音波探頭，其中該微機械超音波換能器基板更包括一訊號線，該訊號線自該聲波產生陣列往該發射面之該邊緣的方向延伸且相距該微機械超音波換能器基板之一外側面一距離，該距離大於10微米。
9. 如申請專利範圍第1項所述的超音波探頭，其中該聲波產生陣列包括一共振腔，該微機械超音波換能器基板更包括： 複數個突出牆，相對該發射面係突出，且鄰近該共振腔配置； 其中，各該突出牆的延伸方向與該共振腔之各邊係非平行。
10. 如申請專利範圍第9項所述的超音波探頭，其中各突出牆的高度大於或實質上等於該共振腔的深度。

Images