TWI651886B - Rfid標籤 - Google Patents

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TWI651886B
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Abstract

本發明之課題在於提供一種可以用簡單的構成來提升天線效率的RFID標籤。 本發明之RFID標籤，具備有用以與讀取器/寫入器進行訊號收發訊之天線、、及連接有該天線之IC晶片，在形成有天線的絕緣層上之比外周端緣靠內側部分具備有複數個連接端子，把絕緣層上之外周端緣與複數個連接端子之間的距離作為內外方向之寬度，而在絕緣層上之外周全域或外周大致全域具備有環狀的天線形成區域，天線是以複數個連接端子中之一個連接端子作為始點，以剩下的連接端子中之一個連接端子作為終點，使導體線在天線形成區域內繞圈而形成為環路狀。

Description

RFID標籤
發明領域 本發明主張日本專利申請特願2016－082202號的優先權，藉由引用該申請案內容而記入本發明之說明書。
本發明是有關於一種RFID標籤，其具備有用來以非接觸而與讀取器/寫入器進行訊號之收發訊的天線。
發明背景 如此之RFID標籤具備有：記錄資訊的IC晶片、以及與此IC晶片連接的天線。而且，在RFID標籤中，藉由天線進行與讀取器/寫入器之無線通訊，藉此，來進行記憶於IC晶片的資訊之讀取、或是對IC晶片寫入資訊。
在如此之RFID標籤中，近年來欲使之極小化的期望漸升，可達成該期望的極小RFID標籤，已知例如：揭示於專利文獻1的發明。此RFID標籤之天線，是由與前述IC晶片重合而一體地接合的多層天線所構成。此多層天線具備有：與IC晶片具有大致同一外形尺寸的基材、形成在該基材上的第1線圈、隔著絕緣膜而積層於前述第1線圈的第2線圈、以及保護第2線圈的保護膜。
在專利文獻1之RFID標籤中，由於天線為多層天線，所以天線的匝數會較多。結果，前述RFID標籤可以達成天線效率(例如，通訊距離)的提升。但是，前述RFID標籤並無法充分滿足足夠的通訊距離，還有可改善的餘地。 先行技術文獻 專利文獻
[專利文獻1]日本專利公報特許第4713621號
發明概要 發明欲解決之課題 本發明是有鑑於此實情而做成的發明，課題在於提供一種可以用簡單的構成來提升天線效率的RFID標籤。 用以解決課題之手段
本發明之RFID標籤，為了解決前述之課題， 是具備有用以與讀取器/寫入器進行訊號收發訊之天線、及連接有該天線之IC晶片的RFID標籤， 又，具備有：形成有前述天線的絕緣層、以及 在比該絕緣層上之外周端緣靠內側部分具備有複數個連接端子， 在該絕緣層上之外周全域或外周大致全域，形成有環狀的天線形成區域， 前述天線是以前述複數個連接端子中之一個連接端子作為始點，以剩下的連接端子中之任一個連接端子作為終點，使導體線在前述天線形成區域內繞圈而形成為環路(loop)狀，且前述導體線之縱橫比(aspect ratio)是1.0～5.0的範圍， 在直交於前述天線之繞圈方向的徑向上相鄰的導體線之線寬為大致相同，前述線寬是設定於2μm～7μm之範圍，並且，在前述徑向上相鄰的導體線之間的距離是設定於2μm～7μm之範圍。
本發明之RFID標籤， 前述天線匝數也可為1.5～10之匝數。
在本發明之RFID標籤中， 前述絕緣層也可是前述IC晶片的封裝， 而前述天線也可具備於前述IC晶片的封裝上。
在本發明之RFID標籤中， 前述絕緣層也可是前述IC晶片的封裝， 並且，也可具備有以與前述天線大致相同頻率進行動作的增幅天線。
在本發明之RFID標籤中， 前述天線也可構成為以UHF頻帶進行無線通訊。
較佳實施例之詳細說明 以下，根據圖示說明本發明之RFID標籤的第1實施形態。於圖1A，顯示了：在IC晶片1之封裝(以樹脂形成的絕緣層)上面的外周緣，隔著絕緣層2可電性導通地搭載有天線3的被動型之RFID標籤4。
IC晶片1在平面視角下為大致正方形狀。另外，IC晶片1也可為圓形、橢圓形或是多角形等形狀。
又，IC晶片1可以使用0.5mm正方形(縱0.5mm×橫0.5mm)～0.9mm正方形(縱0.9mm×橫0.9mm)的晶片，在本實施形態中，是使用0.9mm正方形(縱0.9mm×橫0.9mm)的IC晶片1。
IC晶片1具備有：設在4個角部中比外周端緣靠內側部分的連接端子5A、5B、5C、5D。
另外，在4個連接端子之中，於圖1A中配置在紙面上方側的2個連接端子5A、5B，連接有天線。更具體地說明：在一方(圖1A之紙面左上側)的輸入輸出端子5A，連接有天線3之一端，在另一方(圖1A之紙面右上側)的輸入輸出端子5B，則連接有天線3之另一端。在4個連接端子之中，在圖1A中配置於紙面下方側的2個連接端子5C、5D是虛擬端子(dummy terminal)。另外，在本實施形態中，於以下的說明中，有時會將連接有天線3之一端的連接端子5A、連接有天線3之另一端的連接端子5B，稱為輸入輸出端子5A、5B。
絕緣層2是由聚亞醯胺、環氧樹脂、或矽樹脂等所構成，藉由旋轉塗布法(spin coating)、印刷法、或積層法所形成。又，絕緣層2也可藉由貼附由感光性聚亞醯胺等感光性樹脂所形成的薄片或者是薄膜而形成。
在IC晶片1封裝上之外周的大致全域，設定有環狀的天線形成區域。另外，呈前述封裝上之外周的大致全域，是為了：把朝內側捲繞的導體線3a，非捲繞於封裝上之外周端緣與連接端子5B之間，而是朝連接端子5B的內側捲繞，以使與連接端子5B連接的導體線3a與相對於此導體線3a是朝內側捲繞的導體線3a不會重疊。又，天線形成區域是設定為：在對於本身之周方向直交的方向上具有預定的寬度。
天線3具有形成於天線形成區域(封裝之上面(設置面)的外周緣)的漩渦狀之導體圖案(conductor pattern)。導體圖案為幾乎呈矩形捲繞複數次(在圖1A中為4.75次)的形狀，該導體圖案開始捲的部分是呈如下之形狀：從連接端子5B向著封裝之外周端緣直直地延伸，並且，在封裝的外周端緣之前折曲。
另外，在本實施形態中，有時會把以導體圖案開始捲繞處作為起點的各周份稱為繞圈部分而進行說明。又，導體圖案最內側的部分，雖然長度沒有到1周份，但與第1周之部分到第4周之部分為止一樣稱為繞圈部分。
對於導體圖案，可使用各種導電材料，例如可使用銅、銀、鋁等。又，導體圖案是藉由塗布導體糊而進行烘焙(baking)的厚膜法、濺鍍法、蒸鍍法、真空鍍法、光刻或印刷法等各種製法所形成。
在導體圖案之各繞圈部分，包含有：配合封裝之上面(設置面)的各外周端而配置的複數個導體線3a。複數個導體線3a彼此連續，並以一方之輸入輸出端子5A作為始點，以另一方之輸入輸出端子5B作為終點，在前述天線形成區域內繞圈而形成為漩渦狀。
導體線3a之縱橫比，是設定於1.0～5.0之範圍。天線3由於縱橫比越大則導體線3a之截面積會增大，天線3之配線的電阻分量會越低，故較佳。
天線3當縱橫比超過5.0，則會難以製造。因此，天線3之縱橫比的界限值為5.0。
另一方面，當天線3之縱橫比小於1.0，則為了確保電阻值，必須增加導體線3a的匝數，所以導體圖案的寬度會變寬。因此，會無法確保在天線形成區域內進行通訊所需的導體線3a之匝數。因此，縱橫比之最小值為1.0。
另外，縱橫比如圖2B所示，是在導體線3a之縱截面中，長邊之長度(縱尺寸)H相對於短邊之長度(橫尺寸)L的比(H/L)。在本實施形態，於以下的說明中，有時會把天線3之設置面的法線方向稱為縱方向，把天線3之設置面的面方向稱為橫方向，而進行以下的說明。
導體圖案之開口部3K的開口面積，如圖1B所示，是導體線3a…之中位於徑向最內緣的4條導體線3a，亦即，從導體圖案之外側數來第5個繞圈部分所含之導體線3a(以下，稱為第1導體線3A)所圍起來的面積(參照圖1A)。
又，導體線3a的線寬，也就是導體線3a、3a之前述橫尺寸L(參照圖2A)，在整個該導體線3a全長為相同或大致相同。導體線3a、3a之線寬L，可在2μm～7μm的範圍之間設定為任意之值，在本實施形態中是設定為2μm。
又，在徑向上相鄰的導體線之間的距離(所謂的線間距)S，可在2μm～7μm的範圍之間設定為任意之值。
導體圖案是藉由導體線3a在IC晶片1之上面的外周緣捲成漩渦狀而形成。
而且，導體線3a是在每1周向內側將位置偏移而一面捲成漩渦狀。因此，導體線3a是對於先設在IC晶片1之上面的部分隔開間隔S而一面捲成漩渦狀。另外，在導體線3a，於捲繞方向之各位置上，間隔S會呈一定的距離。
在此，由於導體線3a一端與圖1A中右上之輸入輸出端子5B連接，所以導體圖案是構成為：開始捲繞之部分從輸入輸出端子5B向著封裝之外周端緣延伸，並且，接續該開始捲繞之部分的部分會通過輸入輸出端子5B的內側，而不會接觸到前述已與輸入輸出端子5B連接之導體線3a。
另外，IC晶片1如前所述，是0.9mm正方形(縱0.9mm×橫0.9mm)，從此IC晶片1之最外端至輸入輸出端子5A(在圖1B表示出左上之輸入輸出端子)為止的間隔Z1、Z2為65μm、65μm。而且，從導體圖案之第1個繞圈部分(從開始捲繞處開始第1周份的繞圈部分)至第4個繞圈部分所含的導體線3a，是配置成會通過IC晶片1之最外端與輸入輸出端子5A之間。
在IC晶片1之最外端、與2個虛擬端子5C、5D之間，也有從導體圖案之第1個繞圈部分至第4個繞圈部分所含的導體線3a通過。
如此，從導體圖案之第1個繞圈部分至第4個繞圈部分所含的導體線3a，會依序通過連接端子5D、5C、5A的外側(連接端子5D、5C、5A與封裝的外周端緣之間)、連接端子5B的內側而呈漩渦狀捲繞，藉此，導體線3a會在前述內外方向上不重合地捲繞成漩渦狀。
導體圖案之第5個繞圈部分所含的導體線3a(亦即，第1導體線3A)，是通過虛擬端子5C、5D的內側。天線的匝數為4.75，但會因應共振頻率(在此為920MHz)而為1.5～10之間的任意之數。
導體線3a的線寬L，由於若小於2μm則無法製造導體圖案，而當超過7μm則會無法確保所需之匝數，所以設定為2μm～7μm的範圍之值。
導體線3a、3a之間的距離(所謂的線間距)S，由於與導體線3a的線寬L一樣，若小於2μm則無法製造導體圖案，若超過7μm則無法確保所需之匝數，所以設定為2μm～7μm的範圍之值。
另外，從IC晶片1之最外端到輸入輸出端子5A為止的間隔Z1、Z2，並不限於65μm、65μm，可設定為30μm～90μm的範圍之任意的數值。又，在此，是顯示從IC晶片1之最外端到輸入輸出端子5A為止的間隔Z1與間隔Z2為相同間隔的情況，但間隔Z1與間隔Z2也可為不同的間隔。
前述構成之RFID標籤的共振頻率，是設定為920MHz。此共振頻率f可用下述之式求出。 f＝1/2π×√(LC) 在此，L是等效電感，C是產生於輸入輸出端子5A、5B間的IC晶片之等效電容。從上述式，所需的線圈之等效電感L，可以用下述之式求出。 L＝1/(2πf)2 ×C 也就是說，要把共振頻率f設定為UHF頻帶之920MHz(也可為865MHz～928MHz的任意之值)，只要決定L或C中之一方之值，即可決定L或C中另一方之值。
另外，由於C為依每個IC晶片1而決定的固有之值，所以必須根據C之值適宜地設定L之值，L之值是因應導體線3a之縱橫比、線寬L、導體線3a、3a間之距離S而決定，該等之值會設定在前述之範圍內。
而且，藉由將導體線3a之縱橫比、線寬L、導體線3a、3a間的距離S之值設定於前述之範圍內，可形成靠近絕緣層上之外周緣而配置導體線3A、3a的導體圖案3。藉此，不僅可使天線的半徑較大，還可使匝數較多。因此，由於可以抑制對於流通於導體線之電流的電阻，並且使天線的半徑較大，所以可以提高天線增益(gain)而達成提升天線效率(通訊距離)。
又，線圈之電感L與線圈之截面積S與匝數N的關係，為L＝AN2 S。另外，A為常數。從上述式，若匝數N較多、線圈之截面積S變大，則可使電感L較大，可使共振頻率較小(較低)。
接著，說明將天線3安裝於IC晶片1而製造RFID標籤的製造方法。
將IC晶片1的上面，以PI(聚亞醯胺)進行塗布而作為絕緣層。然後，在絕緣層上，以濺鍍塗布用以進行鍍覆加工的種子層。此外，更從種子層之上，以光阻形成用以積層天線圖案的模具。
接下來，前進至鍍覆步驟，積層天線圖案。然後，將前述模具層除去後，將露出的不需要的種子層除去。之後，以PI(聚亞醯胺)塗布保護天線圖案的保護膜，結束RFID標籤之製造。
接下來，說明第2實施形態。本實施形態之RFID標籤4如圖3A、圖3C所示，具備有：設在IC晶片1之上面的前述之天線3、以及以大致相同頻率進行動作的增幅天線6。本實施形態之RFID標籤4，藉由具備有增幅天線6，具有可提高收發訊感度而使資訊傳達距離較長的優點。另外，搭載於IC晶片1的天線3，由於與圖1A、圖1B及圖2A、圖2B為同一構成，所以省略與之相關的說明。又，在圖3B、圖3C中，沒有圖示出天線3。
增幅天線6具備有如下之導體圖案(天線)9：在作為絕緣層(設置平面)的陶瓷製(也可為其他各種的合成樹脂材料)之矩形狀的平台7之外周部上，隔著陶瓷製的絕緣層8將導體線9a…捲繞大致1.75次(也可為2次以上、5次為止的複數圈)而呈漩渦狀的導體圖案(天線)9。在絕緣層8之上，形成有陶瓷製之載置部10，該陶瓷製之載置部10形成有可載置IC晶片1之在平面視角下為矩形狀的凹部10A。
前述天線9是構成為以與IC晶片1相同的頻率進行共振。又，天線9與IC晶片1之天線3電磁耦合而進行通訊。也就是說，IC晶片1是透過增幅天線6而與讀取器/寫入器進行通訊。因此，IC晶片1之天線3的大小雖較小，但可藉著透過比IC晶片1之天線3大的增幅天線6進行通訊而使通訊距離較長。另外，讀取器/寫入器指的是可以與IC晶片1進行通訊的機器。
又，由於IC晶片1之天線3是以天線3一體地形成於IC晶片1本身的晶載天線所構成，所以不需要用來連接IC晶片1與天線3的接點。
而且，由於IC晶片1與增幅天線6進行電磁耦合，所以具有耐環境性較強的優點。例如在低溫、高溫、振動等之環境下，通常的RFID標籤的情況，天線與IC間之連接部(包含接著劑)或天線的細微圖案部分等，有時天線材料、基材、與接著劑等會因為熱膨脹的不同而產生熱膨脹、或者是受到振動而斷線。相對於此，在組合具備有上述之晶載天線的IC晶片1與進行電磁耦合的增幅天線6的情況下，由於只要將IC晶片1設置於增幅天線6的中央附近(圖3A之凹部10A)即可，所以不會因為熱膨脹或振動而斷線，可以說是耐環境性很強的RFID標籤。另外，也可在將IC晶片1設置於增幅天線6的中央附近後，以具有與陶瓷同等或幾乎同等之熱膨脹率的樹脂進行模製。
導體圖案9可使用各種導電材料，例如可使用銅、銀、鋁等。又，導體圖案9是藉由塗布導體糊而進行烘焙的厚膜法、濺鍍法、蒸鍍法、真空鍍法、光刻或印刷法等各種製法所形成。
導體圖案9之開口部9K的開口面積，如圖3B所示，是由位於徑向的導體線9a之中位於最內周緣的4條第1導體線9A、9A、9A、9A(參照圖3B)所圍起來的面積。
又，在徑向上相鄰的導體線9a的線寬，也就是短邊長(橫尺寸)L為大致相同。又，天線匝數為1.75匝數，宜為1.5～10之任意的匝數。
以圖1A、圖1B及圖2A、圖2B所示的本發明之RFID標籤4，是使導體圖案為4.75圈，但也可為使導體圖案之匝數為5.75圈的本發明之RFID標籤。把規格不同的本發明之3種RFID標籤(匝數為相同的5.75圈)、以及作為比較例而與本發明之RFID標籤規格有一部分為不同規格的其他4種RFID標籤，進行電磁場模擬而算出的磁場之振幅，做成圖表，在以下進行考察。圖4中，以等高線表示用電磁場模擬計算出的磁場。在圖4中，把從RFID標籤之封裝的中心朝Z軸方向2mm之距離的點作為Pobs ，在715MHz至1115MHz之間，依每20MHz算出點Pobs 上的磁場。把該等所算出之值，描點於橫軸取頻率(GHz)、縱軸取磁場之振幅(A.U.)的圖表。在此，作為操作頻率之915MHz下的磁場之振幅很重要，振幅之值為越大值，則越可提升通訊距離。
在圖5A中，以黑點將本發明1之RFID標籤的資料進行描點，以+將作為比較例的模型1之RFID標籤的資料進行描點。在此，本發明1之RFID標籤，是在絕緣層上之外周端緣與複數個連接端子之間的天線形成區域配置天線，使縱橫比為1.25，在徑向上相鄰的導體線3a之線寬為4μm，導體線3a、3a間的距離(所謂的線間距)S為2.83μm，匝數為5.75圈。相對於此，模型1之RFID標籤，是在絕緣層上之外周端緣與複數個連接端子之間的天線形成區域配置天線，使縱橫比為1.25，在徑向上相鄰的導體線3a之線寬為10μm(脫離本發明的範圍之值)，導體線3a、3a間之距離(所謂的線間距)S為8μm(脫離本發明的範圍之值)，匝數為1.75圈。
導體圖案之匝數會成為1.75圈，是如圖5(b)所示，當把線寬為10μm之導電材料捲繞1次，則導體線3a與連接端子5B間之距離M會為25μm。相對於此，在以導體間距離8μm把線寬為10μm之導電材料捲繞2次時，由於導體線3a之間的距離在與連接端子5B之間也是必要的，所以需要線寬10μm+導體間距離8μ×2＝26μm，會超過距離M之25μm，而無法捲繞2次。
因此，導體圖案之匝數會被限制為1.75圈。從圖5A之圖表，會為如下之結果：相對於本發明1之RFID標籤的操作頻率、即915MHz時的磁場之大小為超過100(A.U.)之值，模型1之RFID標籤的操作頻率、即915MHz時的磁場之大小為小於10(A.U.)，可以使本發明1之RFID標籤的通訊距離比模型1之RFID標籤還長。模型1之RFID標籤的導體線3a之線寬及導體線3a間之距離，脫離了本發明之範圍，而如本發明般，線寬為在2μm～7μm之範圍，並且，導體線3a間之距離為2μm～7μm之範圍，是很重要的事。
在圖6中，以塗黑的圓圈將前述本發明1之RFID標籤的資料進行描點，以塗黑的三角形將與前述本發明1之RFID標籤不同規格的本發明2之RFID標籤的資料進行描點，以中空的菱形將與模型1不同規格之RFID標籤的資料進行描點而作為比較例。
在此，本發明1之RFID標籤與前述一樣，是在絕緣層上之外周端緣與前述複數個連接端子之間的天線形成區域配置天線，使縱橫比為1.25，在徑向上相鄰的各導體線3a之線寬為4μm，導體線3a、3a間之距離(所謂的線間距)S為2.83μm，導體圖案之匝數為5.75圈。
又，本發明2之RFID標籤，與本發明1之RFID標籤一樣，是在絕緣層上之外周端緣與複數個連接端子之間的天線形成區域配置天線，使縱橫比為2.5(與本發明1不同之值)，在徑向上相鄰的各導體線3a之線寬為4μm(與本發明1為相同值)，導體線3a、3a間之距離(所謂的線間距)S為2.29μm(與本發明1不同之值)，導體圖案之匝數為5.75圈。
相對於此，模型2之RFID標籤，與本發明1一樣，是在絕緣層上之外周端緣與複數個連接端子之間的天線形成區域配置天線，使縱橫比為0.5，在徑向上相鄰的各導體線3a之線寬為4μm(本發明之範圍內之值)，導體線3a、3a間之距離(所謂的線間距)S為3μm(本發明之範圍內之值)，導體圖案之匝數為5.75圈。
從圖6之圖表，會為如下之結果：相對於本發明1及本發明2之RFID標籤的操作頻率、即915MHz時的磁場之大小皆為超過100(A.U.)之值，模型2之RFID標籤的操作頻率、即915MHz時的磁場之大小大概為80(A.U.)，可以使本發明1及本發明2之RFID標籤的通訊距離比模型2之RFID標籤還長。模型2之RFID標籤只有縱橫比脫離本發明之縱橫比的範圍、即脫離1.0～5.0，而如本發明般，把縱橫比設定於1.0～5.0之範圍是很重要的事。
在圖7中，以塗黑的圓圈將前述本發明1之RFID標籤的資料進行描點，以×將模型3之RFID標籤的資料進行描點而作為比較例。在此，本發明1之RFID標籤與前述一樣，是在絕緣層上之外周端緣與複數個連接端子之間的天線形成區域配置天線，使縱橫比為1.25，在徑向上相鄰的導體線3a之各線寬為4μm，導體線3a、3a間之距離(所謂的線間距)S為2.83μm，導體圖案之匝數為5.75圈。
相對於此，模型3之RFID標籤，是在絕緣層上之外周端緣與複數個連接端子之間的天線形成區域配置天線，使縱橫比為0.5(脫離本發明的範圍之值)，在徑向上相鄰的各導體線3a之線寬為10μm(脫離本發明的範圍之值)，導體線3a、3a間之距離(所謂的線間距)S為8μm(脫離本發明的範圍之值)，與模型1一樣地使導體圖案之匝數為1.75圈。從圖7之圖表，會為如下之結果：相對於本發明1之RFID標籤的操作頻率、即915MHz時的磁場之大小為超過100(A.U.)之值，模型3之RFID標籤的操作頻率、即915MHz時的磁場之大小為小於10(A.U.)，可以使本發明1之RFID標籤的通訊距離比模型3之RFID標籤還長。
模型3之RFID標籤，是縱橫比、導體線3a之線寬及導體線3a間之距離的所有值，皆脫離了本發明之範圍，而如本發明般，縱橫比在1.0～5.0之範圍，各導體線3a之線寬在2μm～7μm之範圍，並且，導體線間之距離在2μm～7μm之範圍，是很重要的事。
在圖8A中，以塗黑的四角形將與前述本發明1之規格及本發明2之規格不同的本發明3之RFID標籤的資料進行描點，以中空且朝下的三角形將模型4之RFID標籤的資料進行描點而作為比較例。
在此，本發明3之RFID標籤與前述一樣，是在絕緣層上之外周端緣與複數個連接端子之間的天線形成區域配置天線，使縱橫比為1.67(與本發明1、2不同之值)，在徑向上相鄰的導體線3a之各線寬為3μm(與本發明1、2不同之值)，導體線3a、3a間之距離(所謂的線間距)S為3.9μm(與本發明1、2不同之值)，導體圖案之匝數為5.75圈。
相對於此，模型4之RFID標籤，如圖8B所示，是將天線配置成位於絕緣層上之外周端緣與2個輸入輸出端子5A、5B之間的天線形成區域R的大致一半的位置，使縱橫比為1.67(本發明之範圍內)，在徑向上相鄰的各導體線3a之線寬為3μm(本發明之範圍內)，導體線3a、3a間之距離(所謂的線間距)S為2.5μm(本發明之範圍內)，導體圖案之匝數為5.75圈。
從圖8A之圖表，會為如下之結果：相對於本發明1之RFID標籤的操作頻率、即915MHz時的磁場之大小為超過100(A.U.)之值，模型4之RFID標籤的操作頻率、即915MHz時的磁場之大小大概為75(A.U.)，可以使本發明1之RFID標籤的通訊距離比模型4之RFID標籤還長。在模型4之RFID標籤中，由於天線3的幾乎一半是配置在比形成於IC晶片1外周的天線形成區域R靠內側偏移的區域，所以天線3的外徑尺寸會變小。
另外，本發明並非限定於上述實施形態，可在不脫離本發明之要旨的範圍內進行各種變更。
在上述實施形態中，是將導體線3a朝輸入輸出端子5B的內側捲繞而在絕緣層上的外周大致全域形成了天線形成區域，以使朝內側捲繞的導體線3a不會重疊在與輸入輸出端子5B連接之導體線3a，但也可捲繞成與輸入輸出端子5B連接之導體線3a會與朝此導體線3a之內側捲繞的導體線3a重疊，而在絕緣層上的外周全域形成天線形成區域。此時，是使重合的導體線3a、3a(與輸入輸出端子5B連接之導體線3a、以及朝該內側捲繞的導體線3a)不會在上下方向接觸地使一方之導體線3a往上方分開，並且，使該往上方移動之導體線3a可維持在該位置地來形成絕緣層。
又，在上述實施形態中，是藉由將導體線3a排列成漩渦狀地配置而構成了天線，但也可構成如下之天線：把藉由將導體線3a在絕緣層上排列成環路狀配置而形成的單層，積層2層以上而捲繞複數次的天線。
又，在上述實施形態中，是在IC晶片之封裝的上面形成天線，但也可設置用來安裝IC晶片的基板，在該基板上形成天線。另外，在基板上具備有用以與IC晶片連接的複數個連接端子。
1‧‧‧IC晶片
2‧‧‧絕緣層
3‧‧‧天線(導體圖案)
3a‧‧‧導體線
3A‧‧‧第1導體線
3K‧‧‧開口部
4‧‧‧RFID標籤
5A、5B‧‧‧輸入輸出端子(連接端子)
5C、5D‧‧‧虛擬端子
6‧‧‧增幅天線
7‧‧‧平台
8‧‧‧絕緣層
9‧‧‧導體圖案(天線)
9a‧‧‧導體線
9A‧‧‧第1導體線
9K‧‧‧開口部
10‧‧‧載置部
10A‧‧‧凹部
H‧‧‧長邊長
L‧‧‧短邊長(線寬)
M‧‧‧導體線3a與連接端子5B間之距離
R‧‧‧絕緣層上之外周端緣與2個輸入輸出端子5A、5B之間的天線形成區域
S‧‧‧距離
Z1、Z2‧‧‧間隔
【圖1A】圖1A是搭載有天線之IC晶片的平面圖。 【圖1B】圖1B是圖1A之上端部的放大圖。 【圖2A】圖2A是圖1A之上端部左側的放大圖。 【圖2B】圖2B是圖1A中之II－II線截面圖。 【圖3A】圖3A是在增幅(booster)天線之凹部收納了IC晶片的縱截面圖。 【圖3B】圖3B是圖3A之區域A的放大圖。 【圖3C】圖3C是在增幅天線之凹部收納了IC晶片的平面圖。 【圖4】以等高線來表示用電磁場模擬所計算出之磁場的說明圖。 【圖5A】圖5A是顯示相對於本發明1與模型1之頻率的磁場之振幅的圖表。 【圖5B】圖5B是顯示模型1之輸入輸出端子周邊的平面圖。 【圖6】圖6是顯示相對於本發明1、2與模型2之頻率的磁場之振幅的圖表。 【圖7】圖7是顯示相對於本發明1與模型3之頻率的磁場之振幅的圖表。 【圖8A】圖8A是顯示相對於本發明3與模型4之頻率的磁場之振幅的圖表。 【圖8B】圖8B是模型4的平面圖。

Claims (5)

  1. 一種RFID標籤，是具備有：用以與讀取器/寫入器進行訊號收發訊之天線、及連接有該天線之IC晶片的RFID標籤，又，具備有：形成有前述天線的絕緣層、以及在比該絕緣層上之外周端緣更靠內側部分具備有複數個連接端子，在該絕緣層上之外周全域或外周大致全域，形成有環狀的天線形成區域，前述天線是以前述複數個連接端子中之一個連接端子作為始點，以剩下的連接端子中之任一個連接端子作為終點，使導體線在前述天線形成區域內繞圈而形成為環路(loop)狀，且前述導體線之縱截面形狀是構成為縱尺寸比橫尺寸大，在直交於前述天線之繞圈方向的徑向上相鄰的導體線之線寬為大致相同，前述線寬是設定於2μm~7μm之範圍，並且，在前述徑向上相鄰的導體線之間的距離是設定於2μm~7μm之範圍，其中，前述絕緣層是前述IC晶片的封裝，前述天線是具備於前述IC晶片的封裝上，前述IC晶片構成為矩形狀，前述複數個連接端子是設在形成有前述天線之絕緣層上的角部中，比外周端緣更靠內側部分。
  2. 如請求項1之RFID標籤，其中前述天線匝數(turn)為1.5~10之匝數。
  3. 如請求項1或2之RFID標籤，其中前述天線是形成在前述IC晶片的封裝上，並且，具備有以與該天線大致相同之頻率進行動作的增幅天線(booster antenna)。
  4. 如請求項1或2之RFID標籤，其中前述天線形成區域是形成在前述絕緣層上之外周大致全域，前述天線是藉由導體線朝最外周之導體線所連接的連接端子之內側捲繞並形成，而構成為連接前述連接端子的最外周之導體線不會重疊到朝內側捲繞的導體線。
  5. 如請求項3之RFID標籤，其中前述天線形成區域是形成在前述絕緣層上之外周大致全域，前述天線是藉由導體線朝最外周之導體線所連接的連接端子之內側捲繞並形成，而構成為連接前述連接端子的最外周之導體線不會重疊到朝內側捲繞的導體線。
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