TWI630193B - 電荷輸送性清漆、電荷輸送性薄膜、有機電致發光元件及電荷輸送性薄膜之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係提供可以未達200℃之低溫燒成，同時在這種燒成條件下所製作的薄膜為高平坦性，且具有高電荷輸送性，適用於有機EL元件時，可發揮優異的EL元件特性的電荷輸送性清漆。
本發明之電荷輸送性清漆係含有電荷輸送性物質、摻雜物及有機溶劑的電荷輸送性清漆，其特徵係上述摻雜物為包含雜多酸與選自鹵化四氰基苯醌二甲烷及鹵化或氰化苯醌(benzoquinone)之至少1種。

Description

電荷輸送性清漆、電荷輸送性薄膜、有機電致發光元件及電荷輸送性薄膜之製造方法
本發明係有關電荷輸送性清漆、電荷輸送性薄膜、有機電致發光(以下稱為有機EL)元件、及電荷輸送性薄膜之製造方法。
有機EL元件中，可使用由有機化合物所構成的電荷輸送性薄膜作為發光層或電荷注入層。此電荷輸送性薄膜之形成方法，大致區分為以蒸鍍法所代表之乾式製程與以旋轉塗佈法所代表的濕式製程。乾式製程與濕式製程比較時，濕式製程可較有效率製造大面積平坦性高的薄膜，因此，在期望有機EL等之薄膜之大面積化的領域，大部分藉由濕式製程形成薄膜。
有鑑於此點，本發明人等開發了以濕式製程製作可適用於各種電子裝置之電荷輸送性薄膜用的電荷輸送性清漆(參照例如專利文獻1)。
但是，近年有機EL的領域，因元件之輕量化或薄型化的潮流，而使用由有機化合物所構成之基板取代 玻璃基板，因此，要求可比以往更低溫燒成，且該情況下也可提供具有良好電荷輸送性之薄膜的清漆。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2002-151272號公報
本發明有鑑於上述情形而完成者，本發明之目的係提供可於未達200℃之低溫進行燒成，同時在該燒成條件下製作的薄膜為高平坦性且具有高電荷輸送性，適用於有機EL元件時，可發揮優異特性的電荷輸送性清漆。
本發明人等，為了達成上述目的而精心研討的結果，發現併用雜多酸與選自鹵化四氰基苯醌二甲烷及鹵化或氰化苯醌之至少1種，作為摻雜物的電荷輸送性清漆，不僅在200℃以上之高溫度，也可以未達200℃之低溫進行燒成，同時在該燒成條件下製作的薄膜為非晶質，且具有高平坦性及高電荷輸送性，及該薄膜使用於電洞注入層時，可得到可實現優異的亮度特性的有機EL元件，而完成本發明。
換言之，本發明係提供下述電荷輸送性清漆、電荷輸送性薄膜、有機電致發光元件、及電荷輸送性薄膜之製造方法。
1.一種電荷輸送性清漆，其係含有電荷輸送性物質、摻雜物及有機溶劑的電荷輸送性清漆，其特徵係上述摻雜物為包含雜多酸與選自鹵化四氰基苯醌二甲烷及鹵化或氰化苯醌之至少1種。
2.如前述第1項之電荷輸送性清漆，其中上述鹵化四氰基苯醌二甲烷包含氟化四氰基苯醌二甲烷。
3.如前述第1或2項之電荷輸送性清漆，其中上述雜多酸包含磷鎢酸。
4.如前述第1~3項中任一項之電荷輸送性清漆，其中上述電荷輸送性物質為苯胺衍生物或噻吩衍生物。
5.一種電荷輸送性薄膜，其特徵係使用如前述第1~4項中任一項之電荷輸送性清漆所製作。
6.一種有機電致發光元件，其特徵係具有如前述第5項之電荷輸送性薄膜。
7.如前述第6項之有機電致發光元件，其中上述電荷輸送性薄膜為電洞注入層或電洞輸送層。
8.一種電荷輸送性薄膜之製造方法，其特徵係將如前述第1~4項中任一項之電荷輸送性清漆塗佈於基材上，以未達200℃進行燒成。
9.一種有機電致發光元件之製造方法，其特徵係使用如前述第5項之電荷輸送性薄膜。
10.一種電荷輸送性材料，其係由電荷輸送性物質及摻雜物所構成之電荷輸送性材料，其特徵係上述摻雜物為包含雜多酸與選自鹵化四氰基苯醌二甲烷及鹵化或氰化苯醌之至少1種。
11.一種電荷輸送性薄膜之平坦化方法，其係使用選自鹵化四氰基苯醌二甲烷及鹵化或氰化苯醌之至少1種之電荷輸送性薄膜之平坦化方法，其特徵係含有電荷輸送性物質、摻雜物及有機溶劑，上述摻雜物為使用含有雜多酸與選自鹵化四氰基苯醌二甲烷及鹵化或氰化苯醌之至少1種的電荷輸送性清漆。
藉由使用包含雜多酸與選自鹵化四氰基苯醌二甲烷及鹵化或氰化苯醌之至少1種作為摻雜物之本發明之電荷輸送性清漆，不僅在200℃以上之高溫度，也可以未達200℃之低溫進行燒成，也可得到非晶質，具有高平坦性及高電荷輸送性，使用於有機EL元件之電洞注入層時，可實現優異亮度特性的薄膜。此理由尚未確定，但是推測將具有高電子受容能之鹵化四氰基苯醌二甲烷等與雜多酸一同作為摻雜物使用，可抑制僅使用任一方時所引起之薄膜之結晶化或摻雜不足的作用的緣故。
又，藉由使用本發明之電荷輸送性清漆，即使使用旋轉塗佈法或狹縫塗佈法等、可大面積成膜之各種濕式製程時，也可再現性良好製造電荷輸送性優異的薄膜，因此， 也可充分因應近年有機EL元件領域的進展。
此外，由本發明之電荷輸送性清漆所得之薄膜，也可作為防靜電膜或有機薄膜太陽能電池之陽極緩衝層等使用。
[實施發明的形態] [電荷輸送性清漆]
本發明之電荷輸送性清漆係含有電荷輸送性物質、摻雜物及有機溶劑，上述摻雜物包含雜多酸與選自鹵化四氰基苯醌二甲烷及鹵化或氰化苯醌之至少1種，亦即，選自鹵化四氰基苯醌二甲烷、鹵化苯醌及氰化苯醌之至少1種。
[電荷輸送性物質]
本發明之電荷輸送性清漆所含有之電荷輸送性物質係具有電荷輸送性、亦即導電性的物質，也可為其本身具有電荷輸送性，亦可為與摻雜物一同使用時，具有電荷輸送性者。特別是具有電洞輸送性的物質較佳。
這種電荷輸送性物質可使用在有機EL之領域等使用的電荷輸送性化合物，其具體例有寡苯胺衍生物、N,N’-二芳基聯苯胺衍生物、N,N,N’,N’-四芳基聯苯胺衍生物等之芳基胺衍生物(苯胺衍生物)、寡噻吩衍生物、噻吩并噻吩(Thienothiophene)衍生物、噻吩苯並噻吩衍生物等 之噻吩衍生物、寡吡咯等之吡咯衍生物等。
苯胺衍生物較佳為不為苯醌二亞胺(quinonediimine)結構，亦即不具有下述式表示之部分結構的苯胺衍生物。
又，苯醌二亞胺構造係指芳香族化合物之碳環內之雙鍵減少一個，取而代之，在對位或鄰位具有2個環外雙鍵之結構(所謂的醌型結構)，例如來自彼此在對位具有2個胺基之芳基二胺化合物之苯醌二亞胺結構係以下述式表示的結構。
電荷輸送性物質之分子量，只要是溶解於電荷輸送性物質所使用之有機溶劑時，即無特別限定，大概為200~10,000程度，從再現性良好得到電荷輸送性更高的薄膜的觀點，較佳為300以上、更佳為400以上，從調製再現性良好提供平坦性高之薄膜的均勻的清漆的觀點，較佳為8,000以下、更佳為7,000以下、又更佳為6,000以下、又更佳為5,000以下。又，薄膜化時，防止電荷輸 送性物質彼此分離的觀點，電荷輸送性化合物較佳為無分子量分布(分散度為1)(即、單一的分子量較佳)。
[摻雜物]
本發明之電荷輸送性清漆包含作為第1摻雜物之雜多酸及作為第2摻雜物之選自鹵化四氰基苯醌二甲烷及鹵化或氰化苯醌之至少1種。以下，此等統稱為摻雜物。
第1摻雜物的雜多酸係指代表性以式(A1)表示之Keggin型或以式(A2)表示之Dawson型之化學結構所表示，具有雜原子位於分子中心之結構，且釩(V)、鉬(Mo)、鎢(W)等之含氧酸(oxoacid)的同素聚合酸(isopoly acid)、與異種元素之含氧酸進行縮合而成的聚酸。這種異種元素之含氧酸，主要可舉例如矽(Si)、磷(P)、砷(As)的含氧酸。
雜多酸之具體例，舉例如：磷鉬酸、矽鉬酸、磷鎢酸、矽鎢酸、磷鎢鉬酸等。此等可單獨使用，亦可組合2種以上使用。又，在本發明使用的雜多酸，可以市售品取得，又，亦可藉由習知方法來合成。
特別是使用1種類的雜多酸時，該雜多酸較佳為磷鎢酸或磷鉬酸，更佳為磷鎢酸。又，使用2種類以上的雜多酸時，該2種類以上的雜多酸之至少一者為磷鎢酸或磷鉬酸為佳，更佳為磷鎢酸。
又，雜多酸在元素分析等的定量分析中，由一般式所示之結構，即使元素數量較多或較少者，只要是以市售品取得者，或依據習知合成方法而適當合成者時，皆可用於本發明。
亦即，例如一般磷鎢酸係以化學式H3(PW12O40)‧nH2O表示，磷鉬酸係以化學式H3(PMo12O40)‧nH2O表示，但在定量分析中，即使此式中之P(磷)、O(氧)或W(鎢)或Mo(鉬)的數量多或少者，只要是其為以市售品取得，或依據習知合成方法而適當合成者時，皆可用於本發明。此時，本發明所規定之雜多酸的質量，非指合成物或市售品中之純粹的磷鎢酸之質量(磷鎢酸含量)，而是指可以市售品取得之形態及以習知合成法可分離的形態中，包含水合水或其他雜質等狀態的全質量。
第2摻雜物的鹵化四氰基苯醌二甲烷係以式(1)表示。
式中，R1~R4各自獨立表示氫原子或鹵素原子，但是至少1個為鹵素原子。鹵素原子例如有氟原子、氯原子、溴原子、碘原子，較佳為氟原子或氯原子、更佳為氟原子。又，較佳為R1~R4之至少2個為鹵素原子、更佳為至少3個為鹵素原子、最佳為全部為鹵素原子。
鹵化四氰基苯醌二甲烷，具體而言，例如有四氟四氰基苯醌二甲烷(F4TCNQ)、四氯四氰基苯醌二甲烷、2-氟四氰基苯醌二甲烷、2-氯四氰基苯醌二甲烷、2,5-二氟四氰基苯醌二甲烷、2,5-二氯四氰基苯醌二甲烷等。鹵化四氰基苯醌二甲烷特佳為F4TCNQ。
另一個之第2摻雜物的鹵化或氰化苯醌係以式(2)表示。
式中，R5~R8各自獨立表示氫原子、鹵素原子或氰基，但是至少1個為鹵素原子或氰基。鹵素原子例如有與上述相同者，較佳為氟原子或氯原子、更佳為氟原子。又，較佳為R5~R8之至少2個為鹵素原子或氰基、更佳為至少3個為鹵素原子或氰基、又更佳為全部為鹵素原子或氰基。
鹵化或氰化苯醌具體而言，例如有2,3-二氯- 5,6-二氰基-p-苯醌、三氟苯醌、四氟苯醌、四溴苯醌、四氰基苯醌等。鹵化或氰化苯醌較佳為2,3-二氯-5,6-二氰基-p-苯醌、三氟苯醌、四氟苯醌、四氰基苯醌、更佳為2,3-二氯-5,6-二氰基-p-苯醌、四氟苯醌、四氰基苯醌、又更佳為2,3-二氯-5,6-二氰基-p-苯醌。
本發明之電荷輸送性清漆中之摻雜物之含量係依據電荷輸送性物質適宜決定者。
噻吩衍生物作為電荷輸送性物質使用時，第1摻雜物之含量係相對於由噻吩衍生物所構成之電荷輸送性物質，質量比表示，通常為0.01~100程度、更佳為0.1~50程度、又更佳為1~10程度。第2摻雜物之含量係指總固體成分(燒成後殘留之清漆所含的成分。以下相同)中，0.1~100質量%程度、更佳為1~50質量%、又更佳為5~30質量%程度。又，噻吩部位與苯胺部位共存於分子內的化合物，在摻雜物/主體(host)比之算出時，當作為噻吩衍生物。
另外，苯胺衍生物作為電荷輸送性物質使用時，第1摻雜物之含量係在總固體成分中，通常為1~500質量%程度、較佳為10~200質量%程度、更佳為50~150質量%程度。又，第2摻雜物之含量係相對於由苯胺衍生物所構成之電荷輸送性物質，以當量比表示，通常為0.01~100程度、較佳為0.1~50程度、更佳為1~10程度。
本發明之電荷輸送性清漆，藉由包含第1及第2摻雜物，因此不僅在200℃以上之高溫燒成，也可在 未達200℃、有時可在180℃以下、160℃以下之低溫燒成，可提供亮度等之特性優異，不僅顯示來自銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)所代表之透明電極之高電洞受容能，也顯示來自鋁所代表之金屬陽極之高電洞受容能的電荷輸送性優異的薄膜。
[有機溶劑]
調製電荷輸送性清漆時所用的有機溶劑，可使用可良好溶解電荷輸送性物質、摻雜物及後述其他成分的高溶解性溶劑。
這種高溶解性溶劑，可使用例如N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯烷酮、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、二乙二醇單甲基醚等的有機溶劑。此等溶劑可單獨使用1種或2種以上混合使用，其使用量係相對於清漆所使用的溶劑全體，可為5~100質量%。
又，電荷輸送性物質及摻雜物皆完全溶解於上述溶劑較佳。
又，本發明中，藉由使清漆含有至少1種在25℃下具有10~200mPa．s、特別是35~150mPa．s之黏度，且在常壓(大氣壓)下沸點為50~300℃、特別是150~250℃之高黏度的機溶劑，清漆之黏度的調整變得容易，結果，可再現性良好提供平坦性高的薄膜，可因應使用的塗佈方法調製清漆。
高黏度有機溶劑無特別限定，可舉例如環己 醇、乙二醇、乙二醇二縮水甘油醚、1,3-辛二醇、二乙二醇、二丙二醇、三乙二醇、三丙二醇、1,3-丁二醇、2,3-丁二醇、1,4-丁二醇、丙二醇、己二醇等。此等溶劑可單獨使用1種或混合2種以上使用。
高黏度有機溶劑相對於本發明之清漆所使用之溶劑全體的添加比例，較佳為固體不析出的範圍內，在固體不析出的範圍內，添加比例較佳為5~80質量%。
此外，為了提高對基板之濕潤性、調整溶劑之表面張力、調整極性、調整沸點等之目的，相對於清漆所使用之溶劑全體，較佳為混合1~90質量%、更佳為混合1~50質量%之比例的其他的溶劑。
這種溶劑，可舉例如乙二醇單丁基醚、二乙二醇二乙基醚、二乙二醇二甲基醚、二乙二醇單乙基醚乙酸酯、二乙二醇單丁基醚乙酸酯、二丙二醇單甲基醚、丙二醇單甲基醚乙酸酯、二乙二醇單乙基醚、二丙酮醇、γ-丁內酯、乙基乳酸酯、n-己基乙酸酯、丙二醇單甲基醚等，但不限於此等。此等溶劑可1種單獨使用或混合2種以上使用。
本發明之清漆之黏度係配合製作之薄膜的厚度等或固體成分濃度適宜設定者，但通常在25℃下為1~50mPa．s。
又，本發明中之電荷輸送性清漆之固體成分濃度係考量清漆之黏度及表面張力等或製作之薄膜之厚度等而適宜設定者，但通常為0.1~10.0質量%左右，若考量提升清漆之塗佈性時，較佳為0.5~5.0質量%、更佳為1.0~3.0質量 %。
[其他的成分]
本發明之電荷輸送性清漆可包含有機矽烷化合物。有機矽烷化合物之具體例，可列舉二烷氧基矽烷化合物、三烷氧基矽烷化合物及四烷氧基矽烷化合物。此等可1種單獨或2種以上組合使用。
特別是有機矽烷化合物，較佳為含有由二烷氧基矽烷化合物及三烷氧基矽烷化合物選出之1種，更佳為含有三烷氧基矽烷化合物。
二烷氧基矽烷化合物、三烷氧基矽烷化合物及四烷氧基矽烷化合物，可舉例如以式(B1)~(B3)所表示者。
SiR’2(OR)2 (B1)
SiR’(OR)3 (B2)
Si(OR)4 (B3)
式中，R各自獨立表示可經Z101取代之碳數1~20之烷基、可經Z101取代之碳數2~20之烯基、可經Z101取代之碳數2~20之炔基、可經Z102取代之碳數6~20之芳基或可經Z102取代之碳數2~20之雜芳基。
R’各自獨立表示可經Z103取代之碳數1~20之烷基、可經Z103取代之碳數2~20之烯基、可經Z103取代之碳數2~20之炔基、可經Z104取代之碳數6~20之芳基或可經Z104取代之碳數2~20之雜芳基。
Z101表示鹵素原子、可經Z105取代之碳數6~20之芳基或可經Z105取代之碳數2~20之雜芳基。
Z102表示鹵素原子、可經Z105取代之碳數1~20之烷基、可經Z105取代之碳數2~20之烯基或可經Z105取代之碳數2~20之炔基。
Z103表示鹵素原子、可經Z105取代之碳數6~20之芳基、可經Z105取代之碳數2~20之雜芳基、環氧基環己基、環氧丙氧基、甲基丙烯醯氧基、丙烯醯氧基、脲基(-NHCONH2)、硫醇基、異氰酸酯基(-NCO)、胺基、-NHY101基或-NY102Y103基。
Z104表示鹵素原子、可經Z105取代之碳數1~20之烷基、可經Z105取代之碳數2~20之烯基、可經Z105取代之碳數2~20之炔基、環氧基環己基、環氧丙氧基、甲基丙烯醯氧基、丙烯醯氧基、脲基(-NHCONH2)、硫醇基、異氰酸酯基(-NCO)、胺基、-NHY101基或-NY102Y103基。
Y101~Y103各自獨立表示可經Z105取代之碳數1~20之烷基、可經Z105取代之碳數2~20之烯基、可經Z105取代之碳數2~20之炔基、可經Z105取代之碳數6~20之芳基或可經Z105取代之碳數2~20之雜芳基。
Z105表示鹵素原子、胺基、硝基、氰基或硫醇基。
鹵素原子，列舉例如：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。
碳數1~20之烷基，可為直鏈狀、分支鏈狀、環狀之任一者，列舉例如甲基、乙基、n-丙基、異丙基、 n-丁基、異丁基、s-丁基、t-丁基、n-戊基、n-己基、n-庚基、n-辛基、n-壬基、n-癸基等之碳數1~20之直鏈或分支鏈狀烷基；環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環壬基、環癸基、雙環丁基、雙環戊基、雙環己基、雙環庚基、雙環辛基、雙環壬基、雙環癸基等之碳數3~20之環狀烷基等。
碳數2~20之烯基之具體例，列舉例如乙烯基、n-1-丙烯基、n-2-丙烯基、1-甲基乙烯基、n-1-丁烯基、n-2-丁烯基、n-3-丁烯基、2-甲基-1-丙烯基、2-甲基-2-丙烯基、1-乙基乙烯基、1-甲基-1-丙烯基、1-甲基-2-丙烯基、n-1-戊烯基、n-1-癸烯基、n-1-二十烯基等。
碳數2~20之炔基之具體例，列舉例如乙炔基、n-1-丙炔基、n-2-丙炔基、n-1-丁炔基、n-2-丁炔基、n-3-丁炔基、1-甲基-2-丙炔基、n-1-戊炔基、n-2-戊炔基、n-3-戊炔基、n-4-戊炔基、1-甲基-n-丁炔基、2-甲基-n-丁炔基、3-甲基-n-丁炔基、1,1-二甲基-n-丙炔基、n-1-己炔基、n-1-癸炔基、n-1-十五炔基、n-1-二十炔基等。
碳數6~20之芳基之具體例，列舉例如苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基等。
R較佳為可經Z101取代之碳數1~20之烷基、可經Z101取代之碳數2~20之烯基或可經Z102取代之碳數6~20之芳基，更佳為可經Z101取代之碳數1~6之烷基、可經Z101取代之碳數2~6之烯基或可經Z102取代之苯 基，又更佳為可經Z101取代之碳數1~4之烷基或可經Z102取代之苯基，又更佳為可經Z101取代之甲基或乙基。
又，R’較佳為可經Z103取代之碳數1~20之烷基或可經Z104取代之碳數6~20之芳基，更佳為可經Z103取代之碳數1~10之烷基或可經Z104取代之碳數6~14之芳基，又更佳為可經Z103取代之碳數1~6之烷基或可經Z104取代之碳數6~10之芳基，又更佳為可經Z103取代之碳數1~4之烷基或可經Z104取代之苯基。
又，複數之R可全部相同或相異，複數之R’也可全部相同或相異。
Z101較佳為鹵素原子或可經Z105取代之碳數6~20之芳基，更佳為氟原子或可經Z105取代之苯基，最佳為不存在(即、非取代)。
又，Z102較佳為鹵素原子或可經Z105取代之碳數6~20之烷基，更佳為氟原子或可經Z105取代之碳數1~10之烷基，最佳為不存在(即、非取代)。
此外，Z103較佳為鹵素原子、可經Z105取代之苯基、可經Z105取代之呋喃基、環氧基環己基、環氧丙氧基、甲基丙烯醯氧基、丙烯醯氧基、脲基、硫醇基、異氰酸酯基、胺基、可經Z105取代之苯基胺基或可經Z104取代之二苯基胺基，更佳為鹵素原子，又更佳為氟原子或不存在(亦即，非取代)。
又，Z104較佳為鹵素原子、可經Z105取代之碳數1~20之烷基、可經Z105取代之呋喃基、環氧基環己 基、環氧丙氧基、甲基丙烯醯氧基、丙烯醯氧基、脲基、硫醇基、異氰酸酯基、胺基、可經Z105取代之苯基胺基或可經Z105取代之二苯基胺基，更佳為鹵素原子，又更佳為氟原子或不存在(亦即，非取代)。
此外，Z105較佳為鹵素原子，更佳為氟原子或不存在(即、非取代)。
以下，列舉本發明可使用之有機矽烷化合物的具體例，但是不限於此等者。
二烷氧基矽烷化合物的具體例，可舉例如二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、甲基乙基二甲氧基矽烷、二乙基二甲氧基矽烷、二乙基二乙氧基矽烷、甲基丙基二甲氧基矽烷、甲基丙基二乙氧基矽烷、二異丙基二甲氧基矽烷、苯基甲基二甲氧基矽烷、乙烯基甲基二甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-(3,4-環氧基環己基)乙基甲基二甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-胺基丙基甲基二乙氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、3,3,3-三氟丙基甲基二甲氧基矽烷等。
三烷氧基矽烷化合物的具體例，可舉例如甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、丙基三甲氧基矽烷、丙基三乙氧基矽烷、丁基三甲氧基矽烷、丁基三乙氧基矽烷、戊基三 甲氧基矽烷、戊基三乙氧基矽烷、庚基三甲氧基矽烷、庚基三乙氧基矽烷、辛基三甲氧基矽烷、辛基三乙氧基矽烷、十二烷基三甲氧基矽烷、十二烷基三乙氧基矽烷、十六基三甲氧基矽烷、十六基三乙氧基矽烷、十八烷基三甲氧基矽烷、十八烷基三乙氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、三乙氧基(4-(三氟甲基)苯基)矽烷、十二烷基三乙氧基矽烷、3,3,3-三氟丙基三甲氧基矽烷、(三乙氧基矽烷基)環己烷、全氟辛基乙基三乙氧基矽烷、三乙氧基氟矽烷、十三氟-1,1,2,2-四氫辛基三乙氧基矽烷、五氟苯基三甲氧基矽烷、五氟苯基三乙氧基矽烷、3-(七氟異丙氧基)丙基三乙氧基矽烷、十七氟-1,1,2,2-四氫癸基三乙氧基矽烷、三乙氧基-2-噻吩基矽烷、3-(三乙氧基矽烷基)呋喃等。
四烷氧基矽烷化合物的具體例，可舉例如四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、四丙氧基矽烷等。
此等之中，較佳為3,3,3-三氟丙基甲基二甲氧基矽烷、三乙氧基(4-(三氟甲基)苯基)矽烷、3,3,3-三氟丙基三甲氧基矽烷、全氟辛基乙基三乙氧基矽烷、五氟苯基三甲氧基矽烷、五氟苯基三乙氧基矽烷等。
本發明之電荷輸送性清漆中之有機矽烷化合 物的含量係相對於電荷輸送性物質及摻雜物的總質量，通常為0.1~50質量%左右，但若考量抑制所得到之薄膜之電荷輸送性之降低，且提高對在電洞輸送層或發光層等之陽極相反側，以接觸電洞注入層方式予以層合之層的電洞注入能時，較佳為0.5~40質量%左右、更佳為0.8~30質量%左右、又更佳為1~20質量%左右。
本發明之電荷輸送性清漆中，在不妨礙本發明之效果的範圍內，也可使用公知之其他的摻雜物。
其他的摻雜物，可舉出如苯磺酸、對甲苯磺酸(tosic acid)、p-苯乙烯磺酸、2-萘磺酸、4-羥基苯磺酸、5-磺基水楊酸(Sulfosalicylic Acid)、p-十二基苯磺酸、二己基苯磺酸、2,5-二己基苯磺酸、二丁基萘磺酸、6,7-二丁基-2-萘磺酸、十二基萘磺酸、3-十二基-2-萘磺酸、己基萘磺酸、4-己基-1-萘磺酸、辛基萘磺酸、2-辛基-1-萘磺酸、己基萘磺酸、7-己基-1-萘磺酸、6-己基-2-萘磺酸、二壬基萘磺酸、2,7-二壬基-4-萘磺酸、二壬基萘二磺酸、2,7-二壬基-4,5-萘二磺酸、國際公開第2005/000832號中記載之1,4-苯并二噁烷二磺酸化合物、國際公開第2006/025342號中記載之芳基磺酸化合物、國際公開第2009/096352號中記載之芳基磺酸化合物、聚苯乙烯磺酸等之芳基碸化合物；10-樟腦磺酸等之非芳基碸化合物等。
[電荷輸送性材料]
本發明之電荷輸送性材料含有電荷輸送性物質、摻雜物及有機溶劑，上述摻雜物含有雜多酸與選自鹵化四氰基苯醌二甲烷及鹵化或氰化苯醌之至少1種、亦即選自鹵化四氰基苯醌二甲烷、鹵化苯醌及氰化苯醌之至少1種。這種電荷輸送性材料顯示對有機溶劑之良好的溶解性，如上述，藉由將該電荷輸送性材料溶解於有機溶劑中，可容易製造電荷輸送性清漆。
[電荷輸送性薄膜]
將本發明之電荷輸送性清漆塗佈於基材上，進行燒成，可在基材上形成電荷輸送性薄膜。
清漆之塗佈方法無特別限定，例如有浸漬法、旋轉塗佈法、轉印印刷法、輥塗法、刷毛塗佈、噴墨法、噴霧法等，配合塗佈方法調節清漆黏度及表面張力較佳。
又，使用本發明之清漆時，燒成環境也無特別限定，不僅在大氣環境，即使在氮等之惰性氣體或真空中，也可得到具有均勻的成膜面及高的電荷輸送性的薄膜。
本發明之清漆具有不僅在200℃以上之高溫度，也可以未達200℃之低溫進行燒成的特徵。燒成溫度考量取得之薄膜的用途、賦予所得之薄膜之電荷輸送性的程度、溶劑之種類等，可適宜設定在100℃以上未達250℃之範圍內者，但所得之薄膜作為有機EL元件之電洞 輸送層或電洞注入層使用時，較佳為130~245℃程度，更佳為140~240℃程度。
又，燒成時，為了展現更高的均勻成膜性或使在基材上進行反應之目的，可施予2階段以上的溫度變化。加熱係使用例如加熱板或烤箱等適當的機器進行即可。
電荷輸送性薄膜之膜厚並無特別限定，在有機EL元件內作為電洞注入層使用時，較佳為5~200nm。使膜厚變化的方法，例如有使清漆中之固體成分濃度變化，或使塗佈時之基板上的溶液量變化等的方法。
本發明之電荷輸送性薄膜係使用上述本發明之電荷輸送性清漆所製造，因此，不僅電荷輸送性，且平坦性也優異者。
[有機EL元件]
使用本發明之電荷輸送性清漆，製作OLED元件時之使用材料或製作方法，可舉出如下述者，但不限於此等。
使用之電極基板，以預先藉由洗劑、醇、純水等之液體洗淨使其淨化為佳，例如陽極基板，在使用之前進行UV臭氧處理、氧-電漿處理等之表面處理為佳。但陽極材料以有機物為主成分時，亦可不施行表面處理。
具有由本發明之電荷輸送性清漆而得之薄膜所構成的電洞注入層之OLED元件之製作方法例，如以下所示。
藉由上述方法，於陽極基板上塗佈本發明之電荷輸送性清漆，經燒成，在電極上製作電洞注入層。將此導入於真空蒸鍍裝置內，依序蒸鍍電洞輸送層、發光層、電子輸送層、電子輸送層/電洞阻隔層、電子注入層、陰極金屬，作成OLED元件。此外，因應必要亦可在發光層與電洞輸送層之間設置電子阻隔層。
陽極材料可列舉如由銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)所代表之透明電極或由鋁所代表之金屬或此等之合金等所構成之金屬陽極，較佳為進行平坦化處理者。亦可使用具有高電荷輸送性之聚噻吩衍生物或聚苯胺衍生物。
此外，構成金屬陽極之其他金屬，可列舉如鈧、鈦、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、鎵、釔、鋯、鈮、鉬、釕、銠、鈀、鎘、銦、鈧、鑭、鈰、鐠、釹、鉅、釤、銪、釓、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、鐿、鉿、鉈、鎢、錸、鋨、銥、鉑、金、鈦、鉛、鉍或此等之合金等，但不限於此等。
形成電洞輸送層的材料，可列舉例如(三苯基胺)二聚物衍生物、[(三苯基胺)二聚物]螺二聚物、N,N’-雙(萘-1-基)-N,N’-雙(苯基)-聯苯胺(α-NPD)、N,N’-雙(萘-2-基)-N,N’-雙(苯基)-聯苯胺、N,N’-雙(3-甲基苯基)-N,N’-雙(苯基)-聯苯胺、N,N’-雙(3-甲基苯基)-N,N’-雙(苯基)-9,9-螺二茀、N,N’-雙(萘-1-基)-N,N’-雙(苯基)-9,9-螺二茀、N,N’-雙(3-甲基苯基)-N,N’-雙(苯基)-9,9-二甲基-茀、 N,N’-雙(萘-1-基)-N,N’-雙(苯基)-9,9-二甲基-茀、N,N’-雙(3-甲基苯基)-N,N’-雙(苯基)-9,9-二苯基-茀、N,N’-雙(萘-1-基)-N,N’-雙(苯基)-9,9-二苯基-茀、N,N’-雙(萘-1-基)-N,N’-雙(苯基)-2,2’-二甲基聯苯胺、2,2’,7,7’-四(N,N-二苯基胺基)-9,9-螺二茀、9,9-雙[4-(N,N-雙-聯苯基-4-基-胺基)苯基]-9H-茀、9,9-雙[4-(N,N-雙-萘-2-基-胺基)苯基]-9H-茀、9,9-雙[4-(N-萘-1-基-N-苯基胺基)-苯基]-9H-茀、2,2’,7,7’-四[N-萘基(苯基)-胺基]-9,9-螺二茀、N,N’-雙(菲-9-基)-N,N’-雙(苯基)-聯苯胺、2,2’-雙[N,N-雙(聯苯基-4-基)胺基]-9,9-螺二茀、2,2’-雙(N,N-二苯基胺基)-9,9-螺二茀、二-[4-(N,N-二(p-甲苯基)胺基)-苯基]環己烷、2,2’,7,7’-四(N,N-二(p-甲苯基)胺基)-9,9-螺二茀、N,N,N’,N’-四-萘-2-基-聯苯胺、N,N,N’,N’-四-(3-甲基苯基)-3,3’-二甲基聯苯胺、N,N’-二(萘基)-N,N’-二(萘-2-基)-聯苯胺、N,N,N’,N’-四(萘基)-聯苯胺、N,N’-二(萘-2-基)-N,N’-二苯基聯苯胺-1,4-二胺、N1,N4-二苯基-N1,N4-二(m-甲苯基)苯-1,4-二胺、N2,N2,N6,N6-四苯基萘-2,6-二胺、三(4-(喹啉-8-基)苯基)胺、2,2’-雙(3-(N,N-二(p-甲苯基)胺基)苯基)聯苯、4,4’,4”-三[3-甲基苯基(苯基)胺基]三苯基胺(m-MTDATA)、4,4’,4”-三[1-萘基(苯基)胺基]三苯基胺(1-TNATA)等之三芳基胺類、5,5”-雙-{4-[雙(4-甲基苯基)胺基]苯基}-2,2’：5’,2”-三聯噻吩(BMA-3T)等的寡噻吩類等。
形成發光層之材料，可列舉如參(8-羥基喹啉) 鋁(III)(Alq3)、雙(8-羥基喹啉)鋅(II)(Znq2)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-(p-苯基苯酚根)鋁(III)(BAlq)、4,4’-雙(2,2-二苯基乙烯基)聯苯、9,10-二(萘-2-基)蒽、2-t-丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽、2,7-雙[9,9-二(4-甲基苯基)-茀-2-基]-9,9-二(4-甲基苯基)茀、2-甲基-9,10-雙(萘-2-基)蒽、2-(9,9-旋環雙茀-2-基)-9,9-旋環雙茀、2,7-雙(9,9-旋環雙茀-2-基)-9,9-旋環雙茀、2-[9,9-二(4-甲基苯基)-茀-2-基]-9,9-二(4-甲基苯基)茀、2,2’-二芘基-9,9-旋環雙茀、1,3,5-參(芘-1-基)苯、9,9-雙[4-(芘基)苯基]-9H-茀、2,2’-聯(9,10-二苯基蒽)、2,7-二芘基-9,9-旋環雙茀、1,4-二(芘-1-基)苯、1,3-二(芘-1-基)苯、6,13-二(聯苯-4-基)稠五苯、3,9-二(萘-2-基)苝、3,10-二(萘-2-基)苝、參[4-(芘基)-苯基]胺、10,10’-二(聯苯-4-基)-9,9’-雙蒽、N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基-[1,1’：4’,1”：4”,1”’-四聯苯基]-4,4”’-二胺、4,4’-二[10-(萘-1-基)蒽-9-基]聯苯、二苯並{[f,f’]-4,4’,7,7’-四苯基}二茚基[1,2,3-cd：1’,2’,3’-1m]苝、1-(7-(9,9’-雙蒽-10-基)-9,9-二甲基-9H-茀-2-基)芘、1-(7-(9,9’-雙蒽-10-基)-9,9-二己基-9H-茀-2-基)芘、1,3-雙(咔唑-9-基)苯、1,3,5-參(咔唑-9-基)苯、4,4’,4”-參(咔唑-9-基)三苯基胺、4,4’-雙(咔唑-9-基)聯苯(CBP)、4,4’-雙(咔唑-9-基)-2,2’-二甲基聯苯、2,7-雙(咔唑-9-基)-9,9-二甲基茀、2,2’,7,7’-肆(咔唑-9-基)-9,9-旋環雙茀、2,7-雙(咔唑-9-基)-9,9-二(p-甲苯基)茀、9,9-雙[4-(咔唑-9-基)-苯基]茀、2,7-雙(咔唑-9-基)-9,9-旋環雙茀、1,4-雙(三苯基矽烷基)苯、1,3-雙(三苯 基矽烷基)苯、雙(4-N,N-二乙基胺基-2-甲基苯基)-4-甲基苯基甲烷、2,7-雙(咔唑-9-基)-9,9-二辛基茀、4,4”-二(三苯基矽烷基)-p-三聯苯、4,4’-二(三苯基矽烷基)聯苯、9-(4-t-丁基苯基)-3,6-雙(三苯基矽烷基)-9H-咔唑、9-(4-t-丁基苯基)-3,6-二(三苯甲基)-9H-咔唑、9-(4-t-丁基苯基)-3,6-雙(9-(4-甲氧基苯基)-9H-茀-9-基)-9H-咔唑、2,6-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶、三苯基(4-(9-苯基-9H-茀-9-基)苯基)矽烷、9,9-二甲基-N,N-二苯基-7-(4-(1-苯基-1H-苯並[d]咪唑-2-基)苯基)-9H-茀-2-胺、3,5-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶、9,9-旋環雙茀-2-基-二苯基-膦氧化物、9,9’-(5-(三苯基矽烷基)-1,3-伸苯基)雙(9H-咔唑)、3-(2,7-雙(二苯基磷醯基)-9-苯基-9H-茀-9-基)-9-苯基-9H-咔唑、4,4,8,8,12,12-六(p-甲苯基)-4H-8H-12H-12C-氮雜二苯並[cd,mn]芘、4,7-二(9H-咔唑-9-基)-1,10-啡啉、2,2’-雙(4-(咔唑-9-基)苯基)聯苯、2,8-雙(二苯基磷醯基)二苯並[b,d]噻吩、雙(2-甲基苯基)二苯基矽烷、雙[3,5-二(9H-咔唑-9-基)苯基]二苯基矽烷、3,6-雙(咔唑-9-基)-9-(2-乙基-己基)-9H-咔唑、3-(二苯基磷醯基)-9-(4-(二苯基磷醯基)苯基)-9H-咔唑、3,6-雙[(3,5-二苯基)苯基]-9-苯基咔唑等，且亦可藉由與發光性摻雜物共蒸鍍形成發光層。
發光性摻雜物可列舉如3-(2-苯並噻唑基)-7-(二乙基胺基)香豆素、2,3,6,7-四氫-1,1,7,7-四甲基-1H,5H,11H-10-(2-苯並噻唑基)喹嗪并(quinolizino)[9,9a,1gh]香豆素、喹吖啶酮、N,N’-二甲基-喹吖啶酮、三 (2-苯基吡啶)銥(III)(Ir(ppy)3)、雙(2-苯基吡啶)(乙醯丙酮)(Acetylacetonate)銥(III)(Ir(ppy)2(acac))、三[2-(p-甲苯基)吡啶]銥(III)(Ir(mppy)3)、9,10-雙[N,N-二(p-甲苯基)胺基]蒽、9,10-雙[苯基(m-甲苯基)胺基]蒽、雙[2-(2-羥基苯基)苯並噻唑(thiazolato)]鋅(II)、N10,N10,N10,N10-四(p-甲苯基)-9,9’-聯蒽(bianthracene)-10,10’-二胺、N10,N10,N10,N10-四苯基-9,9’-聯蒽-10,10’-二胺、N10,N10-二苯基-N10,N10-二萘基-9,9’-聯蒽-10,10’-二胺、4,4’-雙(9-乙基-3-咔唑伸乙烯基)-1,1’-聯苯、苝、2,5,8,11-四-t-丁基苝、1,4-雙[2-(3-N-乙基咔唑基)乙烯基]苯、4,4’-雙[4-(二-p-甲苯基胺基)苯乙烯基]聯苯、4-(二-p-甲苯基胺基)-4’-[(二-p-甲苯基胺基)苯乙烯基]茋、雙[3,5-二氟-2-(2-吡啶基)苯基-(2-羧基吡啶基)]銥(III)、4,4’-雙[4-(二苯基胺基)苯乙烯基]聯苯、雙(2,4-二氟苯基吡啶)四(1-吡唑基)硼酸酯銥(III)、N,N’-雙(萘-2-基)-N,N’-雙(苯基)-三(9,9-二甲基伸茀基)、2,7-雙{2-[苯基(m-甲苯基)胺基]-9,9-二甲基-茀-7-基}-9,9-二甲基-茀、N-(4-((E)-2-(6((E)-4-(二苯基胺基)苯乙烯基)萘-2-基)乙烯基)苯基)-N-苯基苯胺、fac-銥(III)參(1-苯基-3-甲基苯並咪唑啉-2-亞基-C,C2)、mer-銥(III)參(1-苯基-3-甲基苯並咪唑啉-2-亞基-C,C2)、2,7-雙[4-(二苯基胺基)苯乙烯基]-9,9-旋環二茀、6-甲基-2-(4-(9-(4-(6-甲基苯並[d]噻唑-2-基)苯基)蒽-10-基)苯基)苯並[d]噻唑、1,4-二[4-(N,N-二苯基)胺基]苯乙烯基苯、1,4-雙(4-(9H-咔唑-9-基)苯乙烯基)苯、(E)-6-(4-(二苯基胺基)苯乙烯基)- N,N-二苯基萘-2-胺、雙(2,4-二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-1H-四唑)銥(III)、雙(3-三氟甲基-5-(2-吡啶基)吡唑)((2,4-二氟苄基)二苯基亞膦酸酯)銥(III)、雙(3-三氟甲基-5-(2-吡啶基)吡唑)(苄基二苯基亞膦酸酯)銥(III)、雙(1-(2,4-二氟苄基)-3-甲基苯並咪唑鎓)(3-(三氟甲基)-5-(2-吡啶基)-1,2,4-***)銥(III)、雙(3-三氟甲基-5-(2-吡啶基)吡唑)(4’,6’-二氟苯基吡啶酯)銥(III)、雙(4’,6’-二氟苯基吡啶)(3,5-雙(三氟甲基)-2-(2’-吡啶基)吡咯)銥(III)、雙(4’,6’-二氟苯基吡啶)(3-(三氟甲基)-5-(2-吡啶基)-1,2,4-***)銥(III)、(Z)-6-三甲苯基-N-(6-三甲苯基(Mesityl)喹啉-2(1H)-亞基)喹啉-2-胺-BF2、(E)-2-(2-(4-(二甲基胺基)苯乙烯基)-6-甲基-4H-吡喃-4-亞基)丙二腈、4-(二氰基亞甲基)-2-甲基-6-久洛尼定基-9-烯基-4H-吡喃、4-(二氰基亞甲基)-2-甲基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼定基-9-烯基)-4H-吡喃、4-(二氰基亞甲基)-2-t-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼定-4-基-乙烯基)-4H-吡喃、三(二苯甲醯基甲烷)菲繞啉銪(III)、5,6,11,12-四苯基並四苯、雙(2-苯並[b]噻吩-2-基-吡啶)(乙醯丙酮)銥(III)、三(1-苯基異喹啉)銥(III)、雙(1-苯基異喹啉)(乙醯丙酮)銥(III)、雙[1-(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)-異喹啉](乙醯丙酮)銥(III)、雙[2-(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)喹啉](乙醯丙酮)銥(III)、三[4,4’-二-t-丁基-(2,2’)-二吡啶]釕(III)．雙(六氟磷酸酯)、三(2-苯基喹啉)銥(III)、雙(2-苯基喹啉)(乙醯丙酮)銥(III)、2,8-二-t-丁基-5,11-雙(4-t-丁基苯基)-6,12-二苯基並四苯(tetracene)、雙(2-苯基苯 並噻唑)(乙醯丙酮)銥(III)、5,10,15,20-四苯基四苯並卟啉白金、鋨(II)雙(3-三氟甲基-5-(2-吡啶)-吡唑)二甲基苯基膦、鋨(II)雙(3-(三氟甲基)-5-(4-t-丁基吡啶基)-1,2,4-***)二苯基甲基膦、鋨(II)雙(3-(三氟甲基)-5-(2-吡啶基)-1,2,4-***)二甲基苯基膦、鋨(II)雙(3-(三氟甲基)-5-(4-t-丁基吡啶基)-1,2,4-***)二甲基苯基膦、雙[2-(4-n-己基苯基)喹啉](乙醯丙酮)銥(III)、三[2-(4-n-己基苯基)喹啉]銥(III)、三[2-苯基-4-甲基喹啉]銥(III)、雙(2-苯基喹啉)(2-(3-甲基苯基)吡啶酯)銥(III)、雙(2-(9,9-二乙基-茀-2-基)-1-苯基-1H-苯並[d]咪唑(imidazolato))(乙醯丙酮)銥(III)、雙(2-苯基吡啶)(3-(吡啶-2-基)-2H-色烯-2-歐尼(onate))銥(III)、雙(2-苯基喹啉)(2,2,6,6-四甲基庚烷-3,5-二歐尼)銥(III)、雙(苯基異喹啉)(2,2,6,6-四甲基庚烷-3,5-二歐尼)銥(III)、銥(III)雙(4-苯基噻吩并[3,2-c]吡啶-N,C2)乙醯丙酮、(E)-2-(2-t-丁基-6-(2-(2,6,6-三甲基-2,4,5,6-四氫-1H-吡咯并[3,2,1-ij]喹啉-8-基)乙烯基)-4H-吡喃-4-亞基)丙二腈、雙(3-三氟甲基-5-(1-異喹啉基)吡唑)(甲基二苯基膦)釕、雙[(4-n-己基苯基)異喹啉](乙醯丙酮)銥(III)、白金(II)八乙基卟吩、雙(2-甲基二苯並[f,h]喹喔啉)(乙醯丙酮)銥(III)、三[(4-n-己基苯基)羥基喹啉]銥(III)等。
形成電子輸送層/電洞阻隔層的材料，可列舉例如8-羥基喹啉-鋰、2,2’,2”-(1,3,5-苄基甲苯基)-三(1-苯基-1-H-苯並咪唑)、2-(4-聯苯基)5-(4-t-丁基苯基)-1,3,4-噁二唑、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲繞啉、4,7-二苯基- 1,10-菲繞啉、雙(2-甲基-8-喹啉)-4-(苯基苯酚(phenolato))鋁、1,3-雙[2-(2,2’-二吡啶-6-基)-1,3,4-噁二唑-5-基]苯、6,6’-雙[5-(聯苯-4-基)-1,3,4-噁二唑-2-基]-2,2’-二吡啶、3-(4-聯苯基)-4-苯基-5-t-丁基苯基-1,2,4-***、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-***、2,9-雙(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲繞啉、2,7-雙[2-(2,2’-二吡啶-6-基)-1,3,4-噁二唑-5-基]-9,9-二甲基茀、1,3-雙[2-(4-t-丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-5-基]苯、三(2,4,6-三甲基-3-(吡啶-3-基)苯基)硼烷、1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1H-咪唑[4,5f][1,10]菲繞啉、2-(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲繞啉、苯基-二芘基膦氧化物、3,3’,5,5’-四[(m-吡啶基)-苯-3-基]聯苯、1,3,5-三[(3-吡啶基)-苯-3-基]苯、4,4’-雙(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)聯苯、1,3-雙[3,5-二(吡啶-3-基)苯基]苯、雙(10-羥基苯並[h]喹啉)鈹、二苯基雙(4-(吡啶-3-基)苯基)矽烷、3,5-二(芘-1-基)吡啶等。
形成電子注入層的材料，可列舉出如氧化鋰(Li2O)、氧化鎂(MgO)、氧化鋁(Al2O3)、氟化鋰(LiF)、氟化鈉(NaF)、氟化鎂(MgF2)、氟化銫(CsF)、氟化鍶(SrF2)、三氧化鉬(MoO3)、鋁、Li(acac)、乙酸鋰、苯甲酸鋰等。
陰極材料，可列舉出如鋁、鎂-銀合金、鋁-鋰合金、鋰、鈉、鉀、銫等。
形成電子阻隔層的材料，可列舉出如三(苯基吡唑)銥等。
使用本發明之電荷輸送性清漆之PLED元件的製作方法，無特別限定，可舉出如以下的方法。
在上述OLED元件製作中，取代進行電洞輸送層、發光層、電子輸送層、電子注入層之真空蒸鍍操作，而藉由依序形成電洞輸送性高分子層、發光性高分子層，可製作具有以本發明之電荷輸送性清漆形成之電荷輸送性薄膜的PLED元件。
具體而言，於陽極基板上塗佈本發明之電荷輸送性清漆，藉由上述方法製作電洞注入層，於其上依序形成電洞輸送性高分子層、發光性高分子層，並再蒸鍍陰極電極而作成PLED元件。
使用之陰極及陽極材料，可使用與上述OLED元件製作時相同者，並能進行相同的洗淨處理、表面處理。
電洞輸送性高分子層及發光性高分子層之形成法，可列舉例如對電洞輸送性高分子材料或發光性高分子材料、或對此等添加摻雜物之材料加入溶劑使其溶解，或均勻分散，而塗佈於電洞注入層或電洞輸送性高分子層上後，分別進行燒成而成膜的方法。
電洞輸送性高分子材料，可舉出如聚[(9,9-二己基茀-2,7-二基)-co-(N,N’-雙{p-丁基苯基]-1,4-二胺基亞苯)]、聚[(9,9-二辛基茀-2,7-二基)-co-(N,N’-雙{p-丁基苯基}-1,1’-亞聯苯-4,4-二胺)]、聚[(9,9-雙{1’-戊烯-5’-基}茀-2,7-二基)-co-(N,N’-雙{p-丁基苯基]-1,4-二胺基亞苯)]、 以聚倍半矽氧烷封端之聚[N,N’-雙(4-丁基苯基)-N,N’-雙(苯基)-聯苯胺]、聚[(9,9-貳二辛基茀-2,7-二基)-co-(4,4’-(N-(p-丁基苯基))二苯基胺)]等。
發光性高分子材料，例如有聚(9,9-二烷基茀)(PDAF)等之聚茀衍生物、聚(2-甲氧基-5-(2’-乙基己氧基)-1,4-伸苯基伸乙烯基)(MEH-PPV)等之聚伸苯基伸乙烯基衍生物、聚(3-烷基噻吩)(PAT)等的聚噻吩衍生物、聚乙烯基咔唑(PVCz)等。
溶劑可列舉例如甲苯、二甲苯、氯仿等。溶解或均勻分散法，可列舉例如攪拌、加熱攪拌、超音波分散等的方法。
塗佈方法無特別限定，可列舉例如噴墨法、噴霧法、浸漬法、旋轉塗佈法、轉印印刷法、輥塗法、刷毛塗佈等。又，塗佈係在氮、氬等的惰性氣體下進行為佳。
燒成方法可列舉例如在惰性氣體下或真空中，以烤箱或加熱板進行加熱的方法。
[實施例]
以下，舉合成例、實施例及比較例，更具體說明本發明，但本發明不限於下述實施例。又，使用之裝置如下。
(1)基板洗淨：長州產業(股)製 基板洗淨裝置(減壓電 漿方式)
(2)清漆之塗佈：Mikasa(股)製 旋轉塗佈機MS-A100
(3)膜厚測定：(股)小坂研究所製 微細形狀測定機SurfcorderET-4000
(4)EL元件之製作：長州產業(股)製 多機能蒸鍍裝置系統C-E2L1G1-N
(5)EL元件之亮度等的測定：(有)Tech world製I-V-L測定系統
(6)EL元件之壽命測量(耐久性評價)：(股)E etch Sea製 有機EL亮度壽命評價系統PEL-105S
(7)NMR測量：日本電子(股)製JNM-ECX300 FT NMR SYSTEM
(8)MS測量：Bruker(股)製autoflex III smartbem
[合成例1]噻吩衍生物2之合成
藉由以下方法合成式(X1)表示之噻吩衍生物2(TP2)。
在燒瓶內置入2,3-二氫噻吩并[3,4-b][1,4]戴 奧辛2.0g及四氫呋喃150mL，進行氮取代後，冷卻至-78℃。其中滴下正丁基鋰之正己烷溶液10mL(濃度1.64mol/L)後，-78℃下攪拌30分鐘，接著昇溫至-40℃，滴下三丁基氯錫烷5mL後，昇溫至室溫再攪拌16小時。
攪拌結束後，將反應混合物濃縮，混合該濃縮液與正己烷，將其過濾。然後，將所得之濾液濃縮，得到含有三丁基(2,3-二氫噻吩并[3,4-b][1,4]戴奧辛-5-基)錫烷的混合物7.4g。
接著，於另外的燒瓶內，置入5,5’-二溴-2,2’-二噻吩1.5g與四(三苯基膦)鈀(Pd(PPh3)4)0.27g，進行氮取代。其中加入上述含有三丁基(2,3-二氫噻吩并[3,4-b][1,4]戴奧辛-5-基)錫烷的混合物6.2g與N,N-二甲基甲醯胺20mL，昇溫至125℃，攪拌2小時。
攪拌結束後，放置冷卻至室溫，其中加入n-己烷進行分液，將所得之N,N-二甲基甲醯胺層滴下至離子交換水與甲醇之混合液中，進行再沉澱。
然後，將沉澱物藉由過濾回收，經乾燥得到TP2(收量：1.4g、收率：66%)。1H-NMR之測量結果如以下所示。
1H-NMR(CDCL3)δ：7.11(d,J=4.2Hz,2H)，7.07(d,J=4.2Hz,2H)，6.23(s,2H)，4.37-4.33(m,4H)，4.28-4.24(m,4H)。
[合成例2]噻吩衍生物3之合成 (1)5-三丁基甲錫烷基(stannyl)-2,2’-雙噻吩之合成
將2,2’-雙噻吩(東京化成工業(股)製)4.0g置入反應容器中，進行氮取代後，加入四氫呋喃120mL，冷卻至-78℃。保持-78℃的狀態下，滴下正丁基鋰之正己烷溶液14.7mL(濃度1.64mol/L)後，攪拌30分鐘。於其中滴下三-n-丁基氯錫烷7.8mL(d1.20)後，攪拌10分鐘後，昇溫至室溫進行攪拌。6小時後，將反應液濃縮，所得之殘渣中加入n-己烷50mL，藉由過濾除去不溶物(塊狀物(cake)洗淨：n-己烷30mL)。將所得之濾液進行濃縮．乾燥，得到含有5-三丁基甲錫烷基-2,2’-雙噻吩之暗紅色的油12.64g。未再進行純化，本步驟之收率為100%(理論收量10.96g)，算出純度(10.96/12.64×100=86.7%)，作為下步驟的原料使用。
(2)噻吩衍生物3之合成
藉由以下方法合成式(X4)表示之噻吩衍生物3(TP3)。
將三丁基苯基胺(東京化成工業(股)製)2.0g及Pd(PPh3)4 0.24g置入反應容器中，進行氮取代後，添加[1]所合成之5-三丁基甲錫烷基-2,2’-雙噻吩7.8g(純度86.7%)之二甲基甲醯胺(DMF)溶液100mL。以110℃攪拌2.5小時後，使反應液以1.5L之甲醇進行再沉澱。使漿料以室溫攪拌15小時後，進行過濾，所得之濾物中添加甲苯90mL、乙醇10mL及活性碳0.75g，在迴流條件下攪拌1小時。在熱時進行過濾，將所得之濾液在攪拌的狀態下冷卻至0℃，在0℃下繼續攪拌2小時。將漿料過濾，濾物經乾燥(80℃、2小時)得到TP3(收量1.4g、收率47%)。1H-NMR及TOF-MS之測量結果如以下所示。
1H-NMR(300MHz,CDCl3)δ[ppm]：7.51(d,J=8.4Hz,6H)，7.13-7.22(m,18H)，7.01-7.04(m,3H)。
MALDI-TOF-MS m/Z found：737.29([M]+calcd：737.05)
[合成例3]噻吩衍生物4之合成
藉由以下方法合成式(X2)表示之噻吩衍生物4(TP4)。
將噻吩并噻吩(東京化成工業(股)製)2.00g及二甲基甲醯胺(DMF)30mL置入反應容器中，室溫下攪拌確認溶解後，將N-溴代丁二醯亞胺(Bromosuccinimide：NBS)6.10g(2.4eq)以粉體狀態投入。確認原料消失後，反應液中加入n-己烷及離子交換水，進行分液。將有機層以離子交換水及飽和食鹽水分別洗淨1次後，使用Na2SO4進行乾燥。減壓餾除溶劑、經乾燥，得到目的之噻吩并噻吩二溴體4.21g(收量99%)。
接著，在氮環境下，加入噻吩并噻吩二溴體1.93g、Pd(PPh3)4 0.75g(10mol%)、3-己基噻吩硼酸頻哪醇(pinacol)酯(Aldrich公司製)4.00g、二甲氧基乙烷(DME)43mL及2mol/L之K2CO3水溶液16.2mL(5eq)，於加熱迴流條件下攪拌5小時使反應。反應終了後，添加n-己烷，室溫下攪拌30分鐘後，過濾除去不溶物，將濾液以離子交換水洗淨2次、以飽和食鹽水洗淨1次。使用Na2SO4乾燥後，減壓餾除溶劑，殘渣以管柱層析法分離、純化，得到TP4(收率85%)。1H-NMR之測量結果如以下所示。
1H-NMR(300MHz,CDCl3)δ[ppm]：7.24(s,2H)， 7.21(d,J=5.1Hz,2H)，6.96(d,J=5.3Hz,2H)，2.79(t,J=7.4Hz,4H)，1.60-1.70(m,4H)，1.27-1.42(m,12H)，0.88(t,J=6.9Hz,6H)。
[合成例4]噻吩衍生物5之合成
藉由以下方法合成式(X3)表示之噻吩衍生物5(TP5)。
氮環境下，將苯并二噻吩(東京化成工業(股)製)1.50g置入反應容器中，添加四氫呋喃(THF)50mL後，冷卻至-78℃。於其中滴下n-丁基鋰之n-己烷溶液19.2mL(濃度1.64mol/L、4eq)後，攪拌1.5小時。再於其中滴下三-n-丁基氯錫烷8.6mL(4eq)，再以1小時、-78℃使反應後，移開冷卻浴，昇溫至室溫。到達室溫後，減壓餾除溶劑，將所得之漿料中之析出物過濾取得，進行乾燥得到含有目的之苯并二噻吩雙甲錫烷基體的混合物11.84g。又，未再進行純化，當本步驟之收率作為100%(理論收量6.07g)，計算純度(6.07/11.84×100=51.3%)，作為下步驟之原料使用。
接著，在氮環境下，將含有所得之苯并二噻吩雙甲錫烷基體的混合物5.92g、2-溴-3-n-己基噻吩(東京化成工業(股)製)2.15g(2.2eq)、甲苯25mL及Pd(PPh3)4 0.230g(5mol%)置入反應容器中，加熱迴流條件下，攪拌4.5小時使反應。放置冷卻至室溫後，加入氯仿及離子交換水進行分液。減壓餾除所得之有機層的溶劑，在所得之黃色漿料中加入甲醇後，濾除不溶物。對濾液進行活性碳處理後，減壓餾除溶劑，殘渣中加入乙醇與甲苯，在加熱迴流條件下攪拌，確認完全溶解後，放置冷卻至室溫。該狀態下以室溫攪拌一晚後，經濾取、乾燥得到TP5(收量1.40g、2段階收率68%)。1H-NMR及TOF-MS之測量結果如以下所示。
1H-NMR(300MHz,CDCl3)δ[ppm]：8.16(s,2H)，7.34(s,2H)，7.26(d,J=5.1Hz,2H)，6.98(d,J=5.1Hz,2H)，2.87(t,J=8.0Hz,4H)，1.63-1.74(m,4H)，1.30-1.42(m,12H)，0.88(t,J=6.6Hz,6H)。
MALDI-TOF-MS m/Z found：521.87([M]+calcd：522.15)
[合成例5]苯胺衍生物1(AN1)之合成
藉由以下方法合成式(X5)表示之苯胺衍生物1(AN1)。
將N,N’-二苯基聯苯胺2.00g、4-溴-N,N-二苯基苯胺4.25g、Pd(dba)2 68.4mg、及tBuONa 1.49g置入反應容器中，進行氮取代後，加入甲苯20mL及另外準備之P(tBu)3之甲苯溶液1.0mL(濃度47.2g/L)，在50℃下攪拌7小時使反應。冷卻至室溫後，將反應液過濾，所得之濾物以離子交換水洗淨。再進行過濾，使所得之濾物乾燥得到AN1(收量4.46g、收率91%)。TOF-MS之測量結果如以下所示。
MALDI-TOF-MS m/Z found：822.25([M]+calcd：822.37)。
[合成例6]苯胺衍生物2(AN2)之合成
藉由以下方法合成式(X6)表示之苯胺衍生物2(AN2)。
將N,N’-二苯基聯苯胺1.00g、3-溴-9-乙基咔唑1.96g、Pd(dba)2 34.7mg、及tBuONa0.860g置入反應容器中，進行氮取代後，加入甲苯15mL及另外準備之P(tBu)3之甲苯溶液0.51mL(濃度47.2g/L)，在50℃下攪拌6.5小時使反應。冷卻至室溫後，加入甲苯與飽和食鹽水進行分液。所得之有機層使用Na2SO4乾燥後，加入活性碳以室溫攪拌30分鐘。過濾除去活性碳，進行濃縮。將所得之濃縮液滴下於MeOH-AcOEt混合溶劑中，室溫下進行攪拌。將漿料溶液過濾後、進行乾燥後，使用甲苯-甲醇混合溶劑洗淨漿料。過濾後，將所得之粉末乾燥，得到AN2(收量1.87g、收率87%)。1H-NMR之測量結果如以下所示。
1H-NMR(300MHz,DMSO-d6)δ[ppm]：8.10(d,J=7.8Hz,2H)，7.99(d,J=1.8Hz,2H)，7.59-7.66(m,4H)，7.42-7.51(m,6H)，7.23-7.29(m,7H)，6.94-7.18(m,11H)。
[2]電荷輸送性清漆之調製 [實施例1-1]
將3,3”’-二己基-2,2’：5’,2”：5”,2”’-四聯噻吩(Sigma-Aldrich Co.LLC.製、以下稱為TP1)0.050g、磷鎢酸(PTA、關東化學(股)製)0.250g及F4TCNQ(東京化成工業(股)製)0.045g，在氮環境下溶解於1,3-二甲基-2-咪唑啉酮(DMI)3.2g中。所得之溶液中添加環己醇(CHA)4.9g及丙二醇(PG)1.6g，然後攪拌調製電荷輸送性清漆。
[實施例1-2]
使TP1(0.052g)、PTA(0.258g)及F4TCNQ(0.031g)在氮環境下溶解於DMI(2g)中。所得之溶液中加入CHA(2g)及二乙二醇二甲基醚(Diglyme)6g，進行攪拌調製電荷輸送性清漆。
[實施例1-3]
使TP1(0.052g)、PTA(0.258g)及F4TCNQ(0.031g)在氮環境下溶解於DMI(2g)中。所得之溶液中加入丙二醇單甲基醚(PGME)8g，進行攪拌調製電荷輸送性清漆。
[實施例1-4]
使TP1(0.052g)、PTA(0.258g)及F4TCNQ(0.031g)在氮環境下溶解於DMI(2g)中。所得之溶液中加入PGME(8g)，經攪拌後，添加五氟苯基三乙氧基矽烷0.031g，再攪拌調製電荷輸送性清漆。
[實施例1-5]
使TP1(0.017g)、PTA(0.083g)及F4TCNQ(0.010g)在氮環境下溶解於DMI(0.98g)中。所得之溶液中添加二乙二醇單甲基醚(DEGME)0.49g及PGME(3.43g)，進行攪拌後，添加3,3,3-三氟丙基三甲氧基矽烷0.001g及苯基三甲氧基矽烷0.009g，再攪拌調製電荷輸送性清漆。
[實施例1-6]
使TP2(0.052g)、PTA(0.258g)及F4TCNQ(0.031g)在氮環境下溶解於DMI(2g)中。所得之溶液中添加CHA(2g)及Diglyme(6g)，進行攪拌調製電荷輸送性清漆。
[實施例1-7]
使TP3(0.062g)、PTA(0.309g)及F4TCNQ(0.026g)在氮環境下溶解於DMI(3.6g)中。所得之溶液中添加1,3-丁二醇2.4g及Diglyme(6.0g)，進行攪拌調製電荷輸送性清漆。
[實施例1-8]
使TP4(0.034g)、PTA(0.170g)及F4TCNQ(0.020g)在氮環境下溶解於DMI(2g)中。所得之溶液中添加DEGME(1g)及PGME(7g)，進行攪拌後添加3,3,3-三氟丙基三甲氧基矽烷0.007g及苯基三甲氧基矽烷0.014g，進行攪拌調製電荷輸送性清漆。
[實施例1-9]
使TP5(0.034g)、PTA(0.170g)及F4TCNQ(0.031g)在氮環境下溶解於DMI(2g)中。所得之溶液中添加DEGME(1g)及PGME(7g)，進行攪拌，添加3,3,3-三氟丙基三甲氧基矽烷0.007g及苯基三甲氧基矽烷0.014g，進行攪拌調製 電荷輸送性清漆。
[實施例1-10]
使AN1(0.046g)、PTA(0.202g)及F4TCNQ(0.156g)在氮環境下溶解於環己酮(CHN)20g中。所得之溶液中添加3,3,3-三氟丙基三甲氧基矽烷0.007g及苯基三甲氧基矽烷0.014g，進行攪拌調製電荷輸送性清漆。
[實施例1-11]
使AN2(0.042g)、PTA(0.202g)及F4TCNQ(0.160g)在氮環境下溶解於CHN(20g)中。所得之溶液中添加3,3,3-三氟丙基三甲氧基矽烷0.007g及苯基三甲氧基矽烷0.014g，進行攪拌調製電荷輸送性清漆。
[比較例1-1]
使TP1(0.124g)及PTA(0.247g)在氮環境下溶解於DMI(4g)中。所得之溶液中添加CHA(6g)及PG(2g)，進行攪拌調製電荷輸送性清漆。
[比較例1-2]
在氮環境下，使用TP1(0.050g)、PTA(0.250g)及四氰基苯醌二甲烷0.045g、及DMI(3.2g)、CHA(4.9g)及PG(1.6g)，嘗試調製電荷輸送性清漆。但是固體成分不溶解，無法得到可提供可用於有機EL元件之薄膜的均勻的 清漆。
[3]有機EL元件之製造及特性評價 [實施例2-1]
使用旋轉塗佈機將實施例1-1所得之清漆塗佈於ITO基板後，以50℃乾燥5分鐘，接著在大氣環境下，以150℃進行10分鐘燒成，而在ITO基板上形成30nm之均勻薄膜。ITO基板係使用在表面上銦錫氧化物(ITO)以膜厚150nm經圖型化後之25mm×25mm×0.7t的玻璃基板，在使用前藉由O2電漿洗淨裝置(150W、30秒鐘)去除表面上的雜質。
接著，使用蒸鍍裝置(真空度1.0×10-5Pa)，對於形成有薄膜之ITO基板，依序層合α-NPD、Alq3、氟化鋰及鋁之薄膜，得到有機EL元件。此時，關於蒸鍍速率，其中α-NPD、Alq3及鋁為0.2nm/秒，氟化鋰為0.02nm/秒的條件下分別進行，膜厚分別為30nm、40nm、0.5nm及120nm。
此外，為了防止因空氣中之氧、水等之影響所導致的特性劣化，因此有機EL元件藉由密封基板密封後，評價其特性。密封係依據以下順序施行。在氧濃度2ppm以下、露點-85℃以下之氮環境中，在密封基板之間收納有機EL元件，並藉由接著材料(Nagase Chemtex(股)製XNR5516Z-B1)貼合密封基板。此時，將捕水劑(Dynic(股)製HD-071010W-40)與有機EL元件一同收納於密封基板 內。對於已貼合之密封基板，照射UV光(波長：365nm、照射量：6000mJ/cm2)後，在80℃下施行1小時退火處理而使接著材料硬化。
[實施例2-2~2-7]
除了分別使用實施例1-2~1-7所得的清漆來取代實施例1-1所得的清漆外，與實施例2-1相同的方法製作有機EL元件。
[實施例2-8~2-9]
除了分別使用實施例1-8~1-9所得的清漆來取代實施例1-1所得的清漆，分別以160℃進行燒成取代以150℃進行燒成外，與實施例2-1相同的方法製作有機EL元件。
[比較例2-1]
除了分別使用比較例1-1所得的清漆來取代實施例1-1所得的清漆外，與實施例2-1相同的方法製作有機EL元件。
[實施例2-10]
除了使用實施例1-10所得的清漆來取代實施例1-1所得的清漆，使用蒸鍍裝置(真空度1.0×10-5Pa)，依序形成CBP與Ir(PPy)3之薄膜及BAlq之薄膜，取代使用蒸鍍 裝置(真空度1.0×10-5Pa)形成40nm之Alq3薄膜外，與實施例2-1相同的方法製作有機EL元件。
CBP與Ir(PPy)3之薄膜係控制蒸鍍速率使Ir(PPy)3之濃度成為6%，共同蒸鍍CBP與Ir(PPy)3而成膜，膜厚為40nm。又，BAlq之膜厚之蒸鍍速度為0.2nm/秒，膜厚為20nm。
[實施例2-11]
除了使用實施例1-11所得的清漆來取代實施例1-10所得的清漆外，與實施例2-10相同的方法製作有機EL元件。
分別測量驅動電壓5V時之實施例2-1~2-9之元件的亮度、及驅動電流0.4mA時之實施例2-10~2-11之元件的亮度。結果如表1及2所示。
如表1及2所示，藉由本發明之清漆，即使在未達200℃之低溫燒成時，也可實現具有優異的亮度特性的有機EL元件。
評價實施例2~8所得之元件的耐久性。亮度之半衰期(初期亮度5,000cd/m2)如表3所示。
如表3所示，本發明之有機EL元件的耐久性優異。

Claims (14)

  1. 一種電荷輸送性清漆，其係含有電荷輸送性物質、摻雜物及有機溶劑的電荷輸送性清漆，其特徵係上述摻雜物為包含雜多酸與選自鹵化四氰基苯醌二甲烷及鹵化或氰化苯醌之至少1種。
  2. 如申請專利範圍第1項之電荷輸送性清漆，其中上述鹵化四氰基苯醌二甲烷包含氟化四氰基苯醌二甲烷。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之電荷輸送性清漆，其中上述雜多酸包含磷鎢酸。
  4. 如申請專利範圍第3項之電荷輸送性清漆，其中上述電荷輸送性物質為苯胺衍生物或噻吩衍生物。
  5. 如申請專利範圍第1項之電荷輸送性清漆，其中上述有機溶劑僅包含選自N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯烷酮、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮及二乙二醇單甲基醚之至少1種的高溶解性溶劑，必要時，選自環己醇、乙二醇、乙二醇二縮水甘油醚、1,3-辛二醇、二乙二醇、二丙二醇、三乙二醇、三丙二醇、1,3-丁二醇、2,3-丁二醇、1,4-丁二醇、丙二醇及己二醇之至少1種的高黏度有機溶劑，及必要時，選自乙二醇單丁基醚、二乙二醇二乙基醚、二乙二醇二甲基醚、二乙二醇單乙基醚乙酸酯、二乙二醇單丁基醚乙酸酯、二丙二醇單甲基醚、丙二醇單甲基醚乙酸酯、二乙二醇單乙基醚、二丙酮醇、γ-丁內酯、乙基乳酸酯、n-己基乙酸酯及丙二醇單甲基醚之至少1種之其他的溶劑。
  6. 如申請專利範圍第1項之電荷輸送性清漆，其係進一步包含選自下述式(B1)表示之二烷氧基矽烷化合物、下述式(B2)表示之三烷氧基矽烷化合物及下述式(B3)表示之四烷氧基矽烷化合物之至少1種，SiR’2(OR)2 (B1) SiR’(OR)3 (B2) Si(OR)4 (B3)[式中，R各自獨立表示可經Z101取代之碳數1~20之烷基、可經Z101取代之碳數2~20之烯基、可經Z101取代之碳數2~20之炔基、可經Z102取代之碳數6~20之芳基或可經Z102取代之碳數2~20之雜芳基，R’各自獨立表示可經Z103取代之碳數1~20之烷基、可經Z103取代之碳數2~20之烯基、可經Z103取代之碳數2~20之炔基、可經Z104取代之碳數6~20之芳基或可經Z104取代之碳數2~20之雜芳基，Z101表示鹵素原子、可經Z105取代之碳數6~20之芳基或可經Z105取代之碳數2~20之雜芳基，Z102表示鹵素原子、可經Z105取代之碳數1~20之烷基、可經Z105取代之碳數2~20之烯基或可經Z105取代之碳數2~20之炔基，Z103表示鹵素原子、可經Z105取代之碳數6~20之芳基、可經Z105取代之碳數2~20之雜芳基、環氧基環己基、環氧丙氧基、甲基丙烯醯氧基、丙烯醯氧基、脲基(-NHCONH2)、硫醇基、異氰酸酯基(-NCO)、胺基、-NHY101基或-NY102Y103基，Z104表示鹵素原子、可經Z105取代之碳數1~20之烷基、可經Z105取代之碳數2~20之烯基、可經Z105取代之碳數2~20之炔基、環氧基環己基、環氧丙氧基、甲基丙烯醯氧基、丙烯醯氧基、脲基(-NHCONH2)、硫醇基、異氰酸酯基(-NCO)、胺基、-NHY101基或-NY102Y103基，Y101~Y103各自獨立表示可經Z105取代之碳數1~20之烷基、可經Z105取代之碳數2~20之烯基、可經Z105取代之碳數2~20之炔基、可經Z105取代之碳數6~20之芳基或可經Z105取代之碳數2~20之雜芳基，Z105表示鹵素原子、胺基、硝基、氰基或硫醇基。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之電荷輸送性清漆，其中上述電荷輸送性物質為苯胺衍生物或噻吩衍生物。
  8. 一種電荷輸送性薄膜，其特徵係使用如申請專利範圍第1~7項中任一項之電荷輸送性清漆所製作。
  9. 一種有機電致發光元件，其特徵係具有如申請專利範圍第8項之電荷輸送性薄膜。
  10. 如申請專利範圍第9項之有機電致發光元件，其中上述電荷輸送性薄膜為電洞注入層或電洞輸送層。
  11. 一種電荷輸送性薄膜之製造方法，其特徵係將如申請專利範圍第1~7項中任一項之電荷輸送性清漆塗佈於基材上，以未達200℃進行燒成。
  12. 一種有機電致發光元件之製造方法，其特徵係使用如申請專利範圍第8項之電荷輸送性薄膜。
  13. 一種電荷輸送性材料，其係由電荷輸送性物質及摻雜物所構成之電荷輸送性材料，其特徵係上述摻雜物為包含雜多酸與選自鹵化四氰基苯醌二甲烷及鹵化或氰化苯醌之至少1種。
  14. 一種電荷輸送性薄膜之平坦化方法，其係使用選自鹵化四氰基苯醌二甲烷及鹵化或氰化苯醌之至少1種之電荷輸送性薄膜之平坦化方法，其特徵係含有電荷輸送性物質、摻雜物及有機溶劑，上述摻雜物為使用含有雜多酸與選自鹵化四氰基苯醌二甲烷及鹵化或氰化苯醌之至少1種的電荷輸送性清漆。
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