TWI574394B - 自發光型顯示器及其修補方法 - Google Patents

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Description

自發光型顯示器及其修補方法
本發明是有關於一種自發光型顯示器,且特別是有關於一種具有修補電極的自發光型顯示器。
隨著半導體科技的進步,現今的發光二極體已具備了高亮度的輸出,加上發光二極體具有省電、體積小、低電壓驅動以及不含汞等優點,因此發光二極體已廣泛地應用在顯示器與照明等領域,以形成自發光型顯示器。
一般而言,自發光型顯示器是使用機械裝置或是圖章(PDMS)轉印的方式來安裝發光二極體於基板上。然而,在轉印的過程中會有對位以及精度的問題,導致發光二極體無法與正確的電極連接,降低自發光型顯示器的良率。
本發明提供一種自發光型顯示器,能夠有效地修復發光元件安裝上的異常,以提高自發光型顯示器的良率。
本發明提供一種自發光型顯示器,包括載板以及發光元件。載板包括第一電極、第二電極以及多個修補電極。第一電極具有連接至第一位準的多個第一條狀部。第二電極具有連接至第二位準的多個第二條狀部。第一電極與第二電極彼此分離,且第一位準不同於第二位準。修補電極與第一電極以及第二電極電性絕緣。發光元件配置於載板上,且發光元件具有第一連接部以及第二連接部。發光元件的第一連接部透過第一條狀部與第一位準電性連接。發光元件的第二連接部透過第二條狀部與第二位準電性連接。
本發明提供一種自發光型顯示器,包括載板以及發光元件。載板包括第一電極、第二電極以及多個修補電極。第一電極具有連接至第一位準的多個第一條狀部。第二電極具有連接至第二位準的多個第二條狀部。第一電極與第二電極彼此分離,且第一位準不同於第二位準。至少一修補電極熔接第二電極。發光元件配置於載板上,且發光元件具有第一連接部以及第二連接部。發光元件的第一連接部透過第一條狀部與第一位準電性連接。發光元件的第二連接部透過至少一修補電極與第二位準電性連接。
本發明提供一種自發光型顯示器,包括載板以及發光元件。載板包括第一電極、第二電極、多個第一修補電極以及多個第二修補電極。第一電極具有連接至第一位準的多個第一條狀部。第二電極具有連接至第二位準的多個第二條狀部。第一電極與第二電極彼此分離,且第一位準不同於第二位準。第一修補電極與第一電極電性連接。第二修補電極與第二電極電性連接。發光元件配置於載板上,且發光元件具有第一連接部以及第二連接部。發光元件的第一連接部透過第一修補電極以及第一電極與第一位準電性連接。發光元件的第二連接部透過第二修補電極以及第二電極與第二位準電性連接。
本發明提供一種自發光型顯示器,包括載板以及發光元件。載板包括第一電極、第二電極、多個第一修補電極以及多個第二修補電極。第一電極具有連接至第一位準的多個第一條狀部。第二電極具有連接至第二位準的多個第二條狀部。第一電極與該第二電極彼此分離,且第一位準不同於第二位準。發光元件配置於載板上,且發光元件具有第一連接部以及第二連接部。發光元件的第一連接部透過第一條狀部與第一位準電性連接。與發光元件的第二連接部重疊的第一修補電極與第一電極電性絕緣且熔接第二電極。發光元件的第二連接部透過熔接第二電極的第一修補電極與第二位準電性連接。
本發明提供一種自發光型顯示器的修補方法,其包括先提供載板。載板具有第一電極、第二電極以及多個修補電極。第一電極包括連接至第一位準的多個第一條狀部。第二電極包括連接至第二位準的多個第二條狀部。接著,形成發光元件於載板上。發光元件具有第一連接部以及第二連接部,且第一連接部與至少一第一條狀部電性連接。然後,進行連接程序,以使得與發光元件的第二連接部電性連接的修補電極與第二電極電性連接。接著,進行移除程序,以使得與發光元件的第二連接部重疊的第一條狀部與第一電極電性絕緣。
基於上述,由於本發明的自發光型顯示器具有多個修補電極,故當發光二極體具有安裝對位誤差時,能夠利用修補電極來使得發光二極體與正確的電極線連接。據此,可以減少自發光型顯示器的報廢率,提高製造良率。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A是依照本發明一實施例的自發光型顯示器10的上視示意圖。圖1B是根據圖1A的自發光型顯示器的剖線A-A’的剖面示意圖。請同時參照圖1A以及圖1B。自發光型顯示器10包括載板100以及發光元件200。在本實施例中,載板100包括主動元件陣列基板102、鈍化層104、黏著層300、第一電極400、第二電極500以及修補電極600。
主動元件陣列基板102可以包括多條掃描線、多條資料線以及與掃描線以及資料線電性連接的多個主動元件(未繪示)。其中,主動元件可以是底部閘極型薄膜電晶體或是頂部閘極型薄膜電晶體,且包括閘極、通道、源極以及汲極。在本實施例中,藉由閘極型薄膜電晶體,主動元件陣列基板102能夠提供第一位準V1至其他元件。然而,本發明不限於此。在其他實施例中,主動元件陣列基板102可以包括其他類似的主動元件,只要其可以提供第一位準V1即可。
鈍化層104配置於主動元件陣列基板102上,且鈍化層104的材料可為無機材料(例如:氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、其它合適的材料、或上述至少二種材料的堆疊層)、有機材料、其它合適的材料、或上述材料的組合。
黏著層300配置於發光元件200以及鈍化層104之間,以將發光元件200固定在載板100上。黏著層300可為透明黏著層或是不透明黏著層。具體來說,可以視發光元件200的發光方向選擇調整黏著層300的材質。在本實施例中,發光元件200例如是發光二極體(Light-Emitting Diode;LED)。發光元件200具有第一連接部202、第二連接部204、第一型半導體層206、第二型半導體層208以及發光元件絕緣層210,其中第一連接部202與第一型半導體層206連接,且第二連接部204與第二型半導體層208連接。具體來說,在本實施例中,第一型半導體層206是以P型半導體層為例示,且第二型半導體層208是以N型半導體層為例示,但本發明不限於此。在其他實施例中,半導體層的型態亦可以互相調換,只要第一型半導體層206與第二型半導體層208為不同型態的半導體層即可。P型半導體層的材料例如為非晶矽或微晶矽,而其所摻雜的材料例如是選自元素週期表中IIIA族元素的群組,例如是硼(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)、銦(In)或鉈(Tl)。另一方面,N型半導體層的材料例如為非晶矽或微晶矽,而其所摻雜的材料例如是選自元素週期表中VA族元素的群組,例如是磷(P)、砷(As)、銻(Sb)或鉍(Bi)。在本實施例中,是藉由將發光元件絕緣層210覆蓋在第一型半導體層206以及第二型半導體層208上,並暴露出部份的第一型半導體層206以及部份的第二型半導體層208,以形成第一連接部202以及第二連接部204。換言之,在本實施例中,第一連接部202以及第二連接部204分別為第一型半導體層206以及第二型半導體層208的一部分。然而,本發明不限於此。在其他的實施例中,第一連接部202以及第二連接部204亦可以是配置在第一型半導體層206以及第二型半導體層208上的其他導電元件。另一方面,發光元件絕緣層210的材料包含無機材料(例如:氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、其它合適的材料、或上述至少二種材料的堆疊層)、有機材料、或其它合適的材料、或上述之組合。除此之外,在本實施例中,第一連接部202以及第二連接部204為長條型。具體來說,第一連接部202以及第二連接部204沿著發光元件200的側邊延伸而形成長條型,以增加接觸面積。
在本實施例中,第一電極400以及第二電極500彼此分離且覆蓋發光元件200。第一電極400以及第二電極500的材料可以是單一層或是多層的低阻值導電材料的堆疊結構,其包括金、銅、鈦、鋁、鉻、鉑、其他導電材料或這些材料的組合。另一方面,第一電極400以及第二電極500的材料還可以包括金屬氧化物,例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的金屬氧化物。第一電極400具有第一主體部402以及多個第一條狀部404,而第二電極500具有第二主體部502以及多個第二條狀部504。第一條狀部404與第一主體部402連接,且第二條狀部504與第二主體部502連接。第一電極400可以直接與提供第一位準V1的主動元件陣列基板102電性連接。具體來說,第一電極400可以與主動元件陣列基板102中的主動元件的汲極電性連接,而具有第一位準V1。舉例來說,第一電極400可以藉由貫穿鈍化層104的連接電極(未繪示)而與主動元件陣列基板102電性連接。另一方面,第一電極400亦可以直接貫穿鈍化層104而與主動元件陣列基板102電性連接。然而,本發明並不特別限定第一電極400與主動元件陣列基板102的連接方式,只要第一電極400能夠透過主動元件陣列基板102而具有第一位準V1即可。第二電極500連接至不同於第一位準V1的第二位準V2。具體來說,在本實施例中,第二位準V2為共用電位V ss,且第一位準V1大於第二位準V2。
第一電極400的第一條狀部404由黏著層300或鈍化層104的平面沿著發光元件200的側表面延伸至發光元件200的頂表面與第一連接部202電性連接。換言之,藉由爬伸的第一條狀部404,能夠提供第一位準V1給發光元件200的第一連接部202。類似地,第二電極500的第二條狀部504由黏著層300或鈍化層104的平面沿著發光元件200的側表面延伸至發光元件200的頂表面與第二連接部204電性連接。換言之,藉由爬伸的第二條狀部504,能夠提供第二位準V2給發光元件200的第二連接部204。據此,可以藉由提供兩個不同位準給發光元件200,而使得發光元件200產生電子電洞結合效應,進而釋放出光能。
另一方面,本實施例的自發光型顯示器還包括修補電極600。修補電極600與第一電極400以及第二電極500同時形成,故第一電極400、第二電極500以及修補電極600為相同膜層。然而,修補電極600與第一電極400以及第二電極500電性絕緣。換言之,修補電極600呈現浮接(floating)的狀態。在本實施例中,一部份的修補電極600位於相鄰的第一條狀部404之間,且一部份的修補電極600位於相鄰的第二條狀部504之間。除此之外,還有一部份的修補電極600位於相鄰的第一條狀部404以及第二條狀部504之間,如圖1A所示。換言之,修補電極600與第一條狀部404呈現交錯排列,且修補電極600亦與第二條狀部504呈現交錯排列。修補電極600與緊鄰的第一條狀部404之間具有距離S1,且修補電極600與緊鄰的第二條狀部504之間具有距離S2。發光元件200的第一連接部202以及第二連接部204分別具有寬度w,且在本實施例中,修補電極600的配置滿足w≧S1且w≧S2的條件,以使得修補電極600能夠與第一連接部202以及第二連接部204重疊,在偏移時能夠達到修補的效果。修補電極600的材料可以與第一電極400以及第二電極500相同或不同。換言之,修補電極600可以是單一層或是多層的低阻值導電材料的堆疊結構,其包括金、銅、鈦、鋁、鉻、鉑、其他導電材料或這些材料的組合。另一方面,修補電極600的材料還可以包括金屬氧化物,例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的金屬氧化物。
自發光型顯示器10可劃分為未偏移區Z1、向上偏移區Z2以及向下偏移區Z3。請再次參照圖1A,當發光元件200被安裝在未偏移區Z1時,第一電極400的第一條狀部404與第一連接部202電性連接,且第二電極500的第二條狀部504與第二連接部204電性連接。在此情況下,發光元件200能夠藉由第一電壓V1以及第二電壓V2的作用而發出光線。然而,當發光元件200被安裝在向上偏移區Z2或是向下偏移區Z3時,發光元件200的異常會產生,因此需要進行修補程序。以下將針對發光元件200在安裝偏移的情況下的修補方式作詳細地解說。
圖1C是圖1A的自發光型顯示器10的修補方法示意圖。請參照圖1C,當發光元件200被安裝在向上偏移區Z2時,第一電極400的第一條狀部404會分別與發光元件200的第一連接部202以及第二連接部204電性連接。在這樣的情況下,僅有第一電壓V1提供給發光元件200,故會有短路的問題,使得發光元件200無法順利發光。因此,可以藉由修補電極600來修補自發光型顯示器10。首先,先進行移除程序,以使得與發光元件200的第二連接部204重疊的第一條狀部404與第一電極400電性絕緣。具體來說,可以藉由雷射切割(laser cutting)程序將移除區RP內的第一條狀部404與第一主體部402切割開來,使得移除區RP內的第一條狀部404與第一主體部402電性絕緣。緊接著,進行連接程序,以使得與發光元件200的第二連接部204重疊的修補電極600與第二電極500電性連接。在本實施例中,連接程序包括雷射熔接(laser welding)程序。具體來說,雷射熔接程序可先藉由雷射在連接區CP內的修補電極600以及第二電極500上的保護層(未繪示)中形成開口,以暴露出位於連接區CP內的修補電極600以及第二電極500的第二主體部502。之後,再進行雷射化學氣相沈積程序,以形成薄金屬層以連接修補電極600以及第二主體部502。值得注意的是,在本實施例中是以先進行移除程序後再進行連接程序為例示,但本發明不限於此。在其他的實施例中,亦可以先進行連接程序後再進行移除程序。除此之外,本實施例是以雷射切割以及雷射熔接的方法為例示,但本發明並不特別針對連接以及移除方式特別作限制。其他在本領域中常用的連接以及移除方式亦可以用於本發明中。
在修補過後,第一電極400的第一條狀部404與發光元件200的第一連接部202電性連接,且第二電極500透過與其熔接的修補電極600與第二連接部204電性連接。換言之,在修補過後,第一連接部202僅與第一電極400電性連接,而第二連接部204僅與第二電極500電性連接。因此,發光元件200能夠藉由第一電極400所提供的第一電壓V1以及第二電極500以及修補電極600所提供的第二電壓V2而發出光線。
類似地,當發光元件200被安裝在向下偏移區Z3時,第二電極500的第二條狀部504會分別與發光元件200的第一連接部202以及第二連接部204電性連接。在這樣的情況下,僅有第二電壓V2提供給發光元件200,故會有短路的問題,使得發光元件200無法順利發光。因此,可以藉由類似於上述的移除程序以及連接程序來修補自發光型顯示器10。首先,先進行移除程序,以使得與發光元件200的第一連接部202重疊的第二條狀部504在移除區RP內與第二電極500電性絕緣。緊接著,進行連接程序,以使得與發光元件200的第一連接部202重疊的修補電極600在連接區CP內與第一電極400電性連接。
在修補過後,第二電極500的第二條狀部504與發光元件200的第二連接部204電性連接,且第一電極400透過與其熔接的修補電極600與第一連接部202電性連接。換言之,在修補過後,第一連接部202僅與第一電極400電性連接,而第二連接部204僅與第二電極500電性連接。因此,發光元件200能夠藉由第一電極400所提供的第一電壓V1以及第二電極500以及修補電極600所提供的第二電壓V2而發出光線。
在本實施例中,當發光元件200具有安裝對位誤差時,能夠利用修補電極600來使得發光元件200與正確的電極線連接,能夠提高製造良率。
圖2A是依照本發明另一實施例的自發光型顯示器20的上視示意圖。圖2B是圖2A的自發光型顯示器20的修補方法示意圖。本實施例的自發光型顯示器20與圖1A至圖1C的實施例相似,因此相同的元件以相同的符號表示,且不在重複說明。本實施例與圖1A至圖1C的實施例的不同之處在於本實施例的第一條狀部404以及第二條狀部504僅位於未偏移區Z1內,而修補電極600僅位於向上偏移區Z2以及向下偏移區Z3內。
請參照圖2B,由於向上偏移區Z2以及向下偏移區Z3內並沒有第一條狀部404以及第二條狀部504,故當發光元件200完全偏移至向上偏移區Z2或向下偏移區Z3內時,僅需針對與第一連接部202重疊的修補電極600以及與第二連接部204重疊的修補電極600分別進行連接程序即可,換句話說,藉由連接程序將連接區CP內的修補電極600與第一主體部402或是第二主體部502熔接。另一方面,當發光元件200僅部份偏移至向上偏移區Z2或是向下偏移區Z3,而另一部份還是位於未偏移區Z1時,才同時需要進行連接程序以及移除程序。
類似於圖1A至圖1C的實施例,在本實施例中,當發光元件200具有安裝對位誤差時,能夠利用修補電極600來使得發光元件200與正確的電極線連接,能夠提高製造良率。
圖3A是依照本發明又一實施例的自發光型顯示器30的上視示意圖。圖3B是圖3A的自發光型顯示器30的修補方法示意圖。本實施例的自發光型顯示器30與圖2A至圖2B的實施例相似,因此相同的元件以相同的符號表示,且不在重複說明。本實施例與圖2A至圖2B的實施例的不同之處在於本實施例在向上偏移區Z2以及向下偏移區Z3亦有第一條狀部404以及第二條狀部504。在本實施例中,除了藉由連接程序將連接區CP內的修補電極600與第一主體部402或是第二主體部502熔接外,亦可以將連接區CP內的修補電極600與第一條狀部404或是第二條狀部504熔接,如圖3B所示。換言之,修補程序只要能夠使得發光元件200的第一連接部202與第一電極400電性連接,且第二連接部204與第二連接部502電性連接即可。
類似於圖2A至圖2B的實施例,在本實施例中,當發光元件200具有安裝對位誤差時,能夠利用修補電極600來使得發光元件200與正確的電極線連接,能夠提高製造良率。
圖4A是依照本發明再一實施例的自發光型顯示器40的上視示意圖。圖4B是圖4A的自發光型顯示器40的修補方法示意圖。本實施例的自發光型顯示器40與圖1A至圖1C的實施例相似,因此相同的元件以相同的符號表示,且不在重複說明。本實施例與圖1A至圖1C的實施例的不同之處在於本實施例的修補電極600並未呈現浮接狀態。具體來說,本實施例的修補電極600包括第一修補電極602以及第二修補電極604。其中,第一修補電極602與第一主體部402連接,且第二修補電極604與第二主體部502連接。換言之,在本實施例中,是以部份的第一條狀部404作為第一修補電極602,且以部份的第二條狀部504作為第二修補電極604。
請參照圖4B,在本實施例中,當發光元件200偏移且需要修補時,可以直接將移除區RP內的第一條狀部404(第一修補電極602)或是第二條狀部504(第二修補電極604)進行移除程序,以使得在移除區RP內的第一條狀部404與第一主體部402電性絕緣,並使得在移除區RP內的第二條狀部504與第二主體部502電性絕緣。另一方面,可以直接將連接區CP內的第一條狀部404(第一修補電極602)或是第二條狀部504(第二修補電極604)進行連接程序,以使得在連接區CP內的第一條狀部404與第二主體部502電性連接,並使得在連接區CP內的第二條狀部504與第一主體部402電性連接。在修補過後,第一連接部202僅與第一電極400電性連接,而第二連接部204僅與第二電極500電性連接。因此,發光元件200能夠藉由第一電極400所提供的第一電壓V1以及第二電極500以及修補電極600所提供的第二電壓V2而發出光線。
類似於圖1A至圖1C的實施例,在本實施例中,當發光元件200具有安裝對位誤差時,能夠利用修補電極600來使得發光元件200與正確的電極線連接,能夠提高製造良率。除此之外,由於本實施例是利用第一條狀部404作為第一修補電極602,且利用第二條狀部504作為第二修補電極604,而不需要額外配置浮接的修補電極,能夠減少成本,並使得第一條狀部404以及第二條狀部504能更加密集配置,達到微型化的目的。
圖5A是依照本發明另一實施例的自發光型顯示器50的上視示意圖。圖5B是圖5A的自發光型顯示器50的修補方法示意圖。本實施例的自發光型顯示器50與圖1A至圖1C的實施例相似,因此相同的元件以相同的符號表示,且不在重複說明。本實施例與圖1A至圖1C的實施例的不同之處在於本實施例的修補電極600與第一電極400為不同膜層,且修補電極600與第二電極500亦為不同膜層。具體來說,在本實施例中,是先同時形成第一電極400以及第二電極500之後,在這些電極上覆蓋上絕緣層(未繪示),並在絕緣層上形成修補電極600。修補電極600分別與第一電極400以及第二電極500部分重疊,以使得當必須執行修補程序時,能夠藉由熔接的方式,讓修補電極600貫穿絕緣層而與第一電極400或是第二電極500電性連接。以下將針對本實施例的修補方式作詳細說明。
請參照圖5B,當發光元件200偏移至向上偏移區Z2時,第一電極400的第一條狀部404會分別與發光元件200的第一連接部202以及第二連接部204電性連接。在這樣的情況下,僅有第一電壓V1提供給發光元件200,故會有短路的問題,使得發光元件200無法順利發光。因此,可以藉由修補電極600來修補自發光型顯示器10。首先,先進行移除程序,以使得與發光元件200的第二連接部204重疊的第一條狀部404與第一電極400電性絕緣。具體來說,可以藉由雷射切割(laser cutting)程序將移除區RP內的第一條狀部404與第一主體部402切割開來,使得移除區RP內的第一條狀部404與第一主體部402電性絕緣。緊接著,進行連接程序,以使得與發光元件200的第二連接部204重疊的修補電極600與第二電極500電性連接,並使得與發光元件200的第二連接部204重疊的修補電極600與第二連接部204電性連接。在本實施例中,連接程序包括雷射熔接程序。具體來說,雷射熔接程序可先藉由雷射以在連接區CP內的修補電極600以及第二電極500之間的絕緣層(未繪示)中形成開口。之後,再進行熔接程序,以在開口內熔接修補電極600以及第二主體部502。另一方面,由於修補電極600以及發光元件200的第二連接部204之間具有絕緣層,故類似的熔接程序亦必需在修補電極600以及第二連接部204的重疊區域執行,以使得修補電極600以及第二連接部204電性連接。值得注意的是,在本實施例中是以先進行移除程序後再進行連接程序為例示,但本發明不限於此。在其他的實施例中,亦可以先進行連接程序後再進行移除程序。除此之外,本實施例是以雷射切割以及雷射熔接的方法為例示,但本發明並不特別針對連接以及移除方式特別作限制。其他在本領域常用的連接以及移除方式亦可以用於本發明中。
類似地,當發光元件200被安裝在向下偏移區Z3時,第二電極500的第二條狀部504會分別與發光元件200的第一連接部202以及第二連接部204電性連接。在這樣的情況下,僅有第二電壓V2提供給發光元件200,故會有短路的問題,使得發光元件200無法順利發光。因此,可以藉由類似於上述的移除程序以及連接程序來修補自發光型顯示器50。首先,先進行移除程序,以使得與發光元件200的第一連接部202重疊的第二條狀部504在移除區RP內與第二電極500電性絕緣。緊接著,進行連接程序,以使得與發光元件200的第一連接部202重疊的修補電極600在連接區CP內與第一電極400電性連接,並使得與第一連接部202重疊的修補電極600與第一連接部202電性連接。
在修補過後,第二電極500的第二條狀部504與發光元件200的第二連接部204電性連接,且第一電極400透過與其熔接的修補電極600與第一連接部202電性連接。換言之,在修補過後,第一連接部202僅與第一電極400電性連接,而第二連接部204僅與第二電極500電性連接。因此,發光元件200能夠藉由第一電極400所提供的第一電壓V1以及第二電極500以及修補電極600所提供的第二電壓V2而發出光線。
類似於圖1A至圖1C的實施例,在本實施例中,當發光元件200具有安裝對位誤差時,能夠利用修補電極600來使得發光元件200與正確的電極線連接,能夠提高製造良率。除此之外,由於本實施例的第一電極400以及第二電極500與修補電極600分屬不同膜層,能夠使得第一條狀部404以及第二條狀部504的配置更加密集,達到微型化的目的。
圖6A是依照本發明另一實施例的自發光型顯示器60的上視示意圖。圖6B是圖6A的自發光型顯示器60的修補方法示意圖。本實施例的自發光型顯示器60與圖5A至圖5B的實施例相似,因此相同的元件以相同的符號表示,且不在重複說明。本實施例與圖5A至圖5B的實施例的不同之處在於本實施例的第一條狀部404以及第二條狀部504僅聚集在未偏移區Z1內。換言之,在向上偏移區Z2或是向下偏移區Z3內,修補電極600並未與第一條狀部404或是第二條狀部504重疊。如圖6B所示,本實施例的修補方法與圖5A至圖5B的實施例相似,故在此不再贅述。
類似於圖6A至圖6B的實施例,在本實施例中,當發光元件200具有安裝對位誤差時,能夠利用修補電極600來使得發光元件200與正確的電極線連接,能夠提高製造良率。除此之外,由於本實施例的第一電極400以及第二電極500與修補電極600分屬不同膜層,能夠使得第一條狀部404以及第二條狀部504的配置更加密集,達到微型化的目的。
圖7A至圖7G是依照本發明又一實施例的自發光型顯示器70的製造流程示意圖。請參照圖7A,先提供發光元件200,並在發光元件200上形成保護層800。本實施例的發光元件200與圖1A以及圖1B的實施例相似,因此相同的元件以相同的符號表示,且不在重複說明。值得注意的是,在本實施例中,發光元件200的絕緣部203具有寬度t。接著,在保護層800中形成多個第一接觸孔800a,如圖7B所示。部份的第一接觸孔800a暴露出發光元件200的第二連接部204,且第一接觸孔800a具有直徑C3。請參照圖7C,形成第二電極500於保護層800上。第二電極500包括第二主體部502以及多個第二條狀部504。相鄰的第二條狀部504之間具有間距S3,且第二條狀部504與第一接觸孔800a重疊。換言之,部份的第二條狀部504藉由第一接觸孔800a與發光元件200的第二連接部204電性連接。緊接著,在第二電極500上形成絕緣層900,如圖7D所示。保護層800以及絕緣層900的材料可以為相同或是不同,且包含無機材料(例如:氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、其它合適的材料、或上述至少二種材料的堆疊層)、有機材料、或其它合適的材料、或上述之組合。
請參照圖7E,在絕緣層900中形成多個第二接觸孔900a以及第三接觸孔900b。具體來說,第二接觸孔900a貫穿保護層800以及絕緣層900,以暴露出發光元件200的第一連接部202。另一方面,第三接觸孔900b貫穿絕緣層900,以暴露出第二電極500的第二主體部502。相鄰的第二接觸孔900a之間具有接觸孔間距p。第一接觸孔800a、第二接觸孔900a以及第三接觸孔900b可以藉由例如是雷射鑽孔或是微影蝕刻的方式來形成,但本發明不限於此。其他適用的接觸窗形成方法亦可以用來形成本發明的第一接觸孔800a、第二接觸孔900a以及第三接觸孔900b。暴露出發光元件200的絕緣部203的第二接觸孔900a具有直徑C1,而其餘的第二接觸孔900a則具有直徑C2。另一方面,第三接觸孔900b具有直徑C4。值得注意的是,在本實施例中,是以直徑C1、C2、C3以及C4皆相等為例示,但本發明不限於此。在其他實施例中,直徑C1、C2、C3以及C4亦可以分別具有不同尺寸。請參照圖7F,在絕緣層900上形成第一電極400以及修補電極600。詳細而言,第一電極400包括第一主體部402、輔助電極部406以及多個第一條狀部404。相鄰的第一條狀部404之間具有間距S4。另一方面,修補電極600包括第一修補電極602以及第二修補電極604。由於第一電極400、第一修補電極602以及第二修補電極604是同時形成的,故會屬於同一膜層。第一修補電極602與輔助電極部406連接。換言之,第一修補電極602與第一電極400電性連接。另一方面,第二修補電極604與第一修補電極602彼此分離,且第二修補電極604藉由暴露出第二主體部502的第三接觸孔900b與第二電極500電性連接。在完成圖7F的步驟後,本實施例的自發光型顯示器70已大致完成,如圖7G所示。值得注意的是,圖7G省略繪示了保護層800以及絕緣層900。
請參照圖7G,發光元件200的第一連接部202以及第二連接部204分別具有寬度w,且絕緣部203具有寬度t。相鄰的第二條狀部504之間具有間距S3,且相鄰的第一條狀部404之間具有間距S4。第二接觸孔900a具有直徑C1以及C2,第一接觸孔800a具有直徑C3,且第三接觸孔900b具有直徑C4。在本實施例中,寬度t大於或等於直徑C1,以確保第一連接部202以及第二連接部204之間具有至少一個第二接觸孔900a。另一方面,接觸孔間距p以及間距S3、S4必須大於0,以確保每一第二接觸孔900a、每一第一條狀部404以及每一第二條狀部504為各自獨立。除此之外,在本實施例中,寬度w需大於接觸孔間距p,以確保第一連接部202或是第二連接部204會與第一接觸孔800a或第二接觸孔900a重疊。
請再次參照圖7G,當發光元件200被安裝在未偏移區Z1時,第一電極400的第一條狀部404與第一連接部202電性連接,且第二電極500的第二條狀部504與第二連接部204電性連接。在此情況下,發光元件200能夠藉由第一電壓V1以及第二電壓V2的作用而發出光線。
圖7H是圖7G的自發光型顯示器70的修補方法示意圖。請參照圖7H,當發光元件200被安裝在向上偏移區Z2或是向下偏移區Z3時,發光元件200的異常會產生,因此可以藉由類似於上述的移除程序以及連接程序來修補自發光型顯示器70。舉例來說,當發光元件200偏移至向上偏移區Z2時,先進行移除程序,以使得藉由第二接觸900a與發光元件200的第二連接部204電性連接的第一修補電極602在移除區RP內與輔助電極部406電性絕緣。另一方面,進行連接程序,以使得藉由第二接觸900a與發光元件200的第二連接部204電性連接的第一修補電極602在連接區CP內與第二電極500的第二條狀部504電性連接。在修補過後,第一電極400的第一條狀部404藉由第二接觸900a與發光元件200的第一連接部202電性連接,且第二電極500透過與其熔接的第一修補電極602以及第二接觸900a與第二連接部204電性連接。換言之,在修補過後,第一連接部202僅與第一電極400電性連接,而第二連接部204僅與第二電極500電性連接。因此,發光元件200能夠藉由第一電極400所提供的第一電壓V1以及第二電極500以及修補電極600所提供的第二電壓V2而發出光線。
另一方面,當發光元件200偏移至向下偏移區Z3時,先進行移除程序,以使得藉由第二接觸孔900a與發光元件200的第一連接部202電性連接的第二修補電極604在移除區RP內與第二主體部502電性絕緣。另一方面,進行連接程序,以使得藉由第二接觸孔900a與發光元件200的第一連接部202電性連接的第二修補電極604在連接區CP內與第一電極400的第一主體部402電性連接。在修補過後,第二電極500的第二條狀部504藉由第一接觸孔800a與發光元件200的第二連接部204電性連接,且第一電極400透過與其熔接的第二修補電極604以及第二接觸孔900a與第一連接部202電性連接。換言之,在修補過後,第一連接部202僅與第一電極400電性連接,而第二連接部204僅與第二電極500電性連接。因此,發光元件200能夠藉由第一電極400所提供的第一電壓V1以及第二電極500以及修補電極600所提供的第二電壓V2而發出光線。
類似於圖1A至圖1C的實施例,在本實施例中,當發光元件200具有安裝對位誤差時,能夠利用修補電極600來使得發光元件200與正確的電極線連接,能夠提高製造良率。除此之外,由於本實施例是利用第一條狀部404作為第一修補電極602,且利用第二條狀部504作為第二修補電極604,而不需要額外配置浮接的修補電極,能夠減少成本,並使得第一條狀部404以及第二條狀部504能更加密集,達到微型化的目的。
綜上所述,本發明的自發光型顯示器具有多個修補電極,故當發光二極體具有安裝對位誤差時,能夠利用修補電極來使得發光二極體與正確的電極線連接。據此,可以減少自發光型顯示器的報廢率,提高製造良率。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10、20、30、40、50、60、70‧‧‧自發光型顯示器
100‧‧‧載板
102‧‧‧主動元件陣列基板
104‧‧‧鈍化層
200‧‧‧發光元件
202‧‧‧第一連接部
203‧‧‧絕緣部
204‧‧‧第二連接部
206‧‧‧第一型半導體層
208‧‧‧第二型半導體層
210‧‧‧發光元件絕緣層
300‧‧‧黏著層
400‧‧‧第一電極
402‧‧‧第一主體部
404‧‧‧第一條狀部
406‧‧‧輔助電極部
500‧‧‧第二電極
502‧‧‧第二主體部
504‧‧‧第二條狀部
600‧‧‧修補電極
602‧‧‧第一修補電極
604‧‧‧第二修補電極
800‧‧‧保護層
800a‧‧‧第一接觸孔
900‧‧‧絕緣層
900a‧‧‧第二接觸孔
900b‧‧‧第三接觸孔
CP‧‧‧連接區
RP‧‧‧移除區
S1、S2、S3、S4‧‧‧間距
C1、C2、C3、C4‧‧‧直徑
p‧‧‧接觸孔間距
w、t‧‧‧寬度
Z1‧‧‧未偏移區
Z2‧‧‧向上偏移區
Z3‧‧‧向下偏移區
圖1A是依照本發明一實施例的自發光型顯示器的上視示意圖。 圖1B是根據圖1A的自發光型顯示器的剖線A-A’的剖面示意圖。 圖1C是圖1A的自發光型顯示器的修補方法示意圖。 圖2A是依照本發明另一實施例的自發光型顯示器的上視示意圖。 圖2B是圖2A的自發光型顯示器的修補方法示意圖。 圖3A是依照本發明又一實施例的自發光型顯示器的上視示意圖。 圖3B是圖3A的自發光型顯示器的修補方法示意圖。 圖4A是依照本發明再一實施例的自發光型顯示器的上視示意圖。 圖4B是圖4A的自發光型顯示器的修補方法示意圖。 圖5A是依照本發明另一實施例的自發光型顯示器的上視示意圖。 圖5B是圖5A的自發光型顯示器的修補方法示意圖。 圖6A是依照本發明另一實施例的自發光型顯示器的上視示意圖。 圖6B是圖6A的自發光型顯示器的修補方法示意圖。 圖7A至圖7G是依照本發明又一實施例的自發光型顯示器的製造流程示意圖。 圖7H是圖7G的自發光型顯示器的修補方法示意圖。
10‧‧‧自發光型顯示器
200‧‧‧發光元件
202‧‧‧第一連接部
204‧‧‧第二連接部
400‧‧‧第一電極
402‧‧‧第一主體部
404‧‧‧第一條狀部
500‧‧‧第二電極
502‧‧‧第二主體部
504‧‧‧第二條狀部
600‧‧‧修補電極
S1、S2‧‧‧間距
w‧‧‧寬度
Z1‧‧‧未偏移區
Z2‧‧‧向上偏移區
Z3‧‧‧向下偏移區

Claims (38)

  1. 一種自發光型顯示器,包括:一載板,包括:一第一電極,其具有連接至一第一位準的多個第一條狀部;一第二電極,其具有連接至一第二位準的多個第二條狀部,其中該第一電極與該第二電極彼此分離,且該第一位準不同於該第二位準;以及多個修補電極,與該第一電極以及該第二電極電性絕緣;以及一發光元件,配置於該載板上,其中該發光元件具有一第一連接部以及一第二連接部,其中該發光元件的該第一連接部透過該些第一條狀部與該第一位準電性連接,且該發光元件的該第二連接部透過該些第二條狀部與該第二位準電性連接。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的自發光型顯示器,其中該載板包括一主動元件陣列基板,且該主動元件陣列基板提供該第一位準。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的自發光型顯示器,其中該第二位準為共用電位(Vss),且該第一位準大於該第二位準。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的自發光型顯示器,其中該第一電極、該第二電極以及該些修補電極為同一膜層。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的自發光型顯示器,其中至少一該些第一條狀部位於相鄰的該些修補電極之間。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的自發光型顯示器,其中至少一該些第二條狀部位於相鄰的該些修補電極之間。
  7. 如申請專利範圍第5項所述的自發光型顯示器,其中至少一該些修補電極位於相鄰的該些第一條狀部位之間。
  8. 如申請專利範圍第4項所述的自發光型顯示器,其中至少一該些修補電極位於相鄰的該些第一條狀部其中之一以及該些第二條狀部其中之一之間。
  9. 如申請專利範圍第4項所述的自發光型顯示器,其中至少一該些修補電極與緊鄰的該些第一條狀部其中之一之間具有一距離S1,至少一該些修補電極與緊鄰的該些第二條狀部其中之一之間具有一距離S2,該第一連接部以及該第二連接部分別具有一寬度w,w≧S1且w≧S2。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的自發光型顯示器,該第二電極與該些修補電極為不同膜層,且該第二電極與該些修補電極之間具有一絕緣層。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的自發光型顯示器,其中至少一修補電極與該第一電極或該第二電極其中一者部分重疊。
  12. 一種自發光型顯示器,包括:一載板,包括:一第一電極,其具有連接至一第一位準的多個第一條狀 部;一第二電極,其具有連接至一第二位準的多個第二條狀部,其中該第一電極與該第二電極彼此分離,且該第一位準不同於該第二位準;以及多個修補電極,其中至少一修補電極熔接該第二電極;以及一發光元件,配置於該載板上,其中該發光元件具有一第一連接部以及一第二連接部,該發光元件的該第一連接部透過該些第一條狀部與該第一位準電性連接,且該發光元件的該第二連接部透過至少一修補電極與該第二位準電性連接。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的自發光型顯示器,其中該載板包括一主動元件陣列基板,且該主動元件陣列基板提供該第一位準。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的自發光型顯示器,其中該第二位準為共用電位(Vss),且該第一位準大於該第二位準。
  15. 如申請專利範圍第12項所述的自發光型顯示器,其中該第一電極、該第二電極以及該些修補電極為同一膜層。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的自發光型顯示器,其中至少一該些第一條狀部位於相鄰的該些修補電極之間。
  17. 如申請專利範圍第16項所述的自發光型顯示器,其中至少一該些第二條狀部位於相鄰的該些修補電極之間。
  18. 如申請專利範圍第16項所述的自發光型顯示器,其中至少一該些修補電極位於相鄰的該些第一條狀部位之間。
  19. 如申請專利範圍第15項所述的自發光型顯示器,其中至少一該些修補電極位於相鄰的該些第一條狀部其中之一以及該些第二條狀部其中之一之間。
  20. 如申請專利範圍第15項所述的自發光型顯示器,其中至少一該些修補電極與緊鄰的該些第一條狀部其中之一之間具有一距離S1,至少一該些修補電極與緊鄰的該些第二條狀部其中之一之間具有一距離S2,該第一連接部以及該第二連接部分別具有一寬度w,w≧S1且w≧S2。
  21. 如申請專利範圍第13項所述的自發光型顯示器,該第二電極與該些修補電極為不同膜層,且該第二電極與該些修補電極之間具有一絕緣層。
  22. 如申請專利範圍第21項所述的自發光型顯示器,其中該些修補電極與該第一電極重疊,且至少一修補電極熔接該第一電極。
  23. 一種自發光型顯示器,包括:一載板,包括:一第一電極,其具有連接至一第一位準的多個第一條狀部;一第二電極,其具有連接至一第二位準的多個第二條狀部,其中該第一電極與該第二電極彼此分離,且該第一位準不同 於該第二位準;多個第一修補電極,與該第一電極電性連接;多個第二修補電極,與該第二電極電性連接;以及一發光元件,配置於該載板上,其中該發光元件具有一第一連接部以及一第二連接部,該發光元件的該第一連接部透過該些第一修補電極以及該第一電極與該第一位準電性連接,且該發光元件的該第二連接部透過該些第二修補電極以及該第二電極與該第二位準電性連接。
  24. 如申請專利範圍第23項所述的自發光型顯示器,其中該載板包括一主動元件陣列基板,且該主動元件陣列基板提供該第一位準。
  25. 如申請專利範圍第24項所述的自發光型顯示器,其中該第二位準為共用電位(Vss),且該第一位準大於該第二位準。
  26. 如申請專利範圍第23項所述的自發光型顯示器,其中該第一電極、該第二電極、該些第一修補電極以及該些第二修補電極為同一膜層。
  27. 如申請專利範圍第23項所述的自發光型顯示器,更包括:一保護層,配置於該發光元件與該第二電極之間,其中該保護層具有多個第一接觸孔,以暴露出該些第二條狀部;以及一絕緣層,配置於該第二電極與該第一電極之間,其中該保護層以及該絕緣層具有貫穿該保護層以及該絕緣層的多個第二接 觸孔,以暴露出該些第一條狀部、該些第一修補電極以及該些第二修補電極。
  28. 如申請專利範圍第27項所述的自發光型顯示器,其中該些第二修補電極藉由貫穿該絕緣層的一第三接觸孔與該第二電極電性連接。
  29. 一種自發光型顯示器,包括:一載板,包括:一第一電極,其具有連接至一第一位準的多個第一條狀部;一第二電極,其具有連接至一第二位準的多個第二條狀部,其中該第一電極與該第二電極彼此分離,且該第一位準不同於該第二位準;多個第一修補電極;多個第二修補電極;以及一發光元件,配置於該載板上,其中該發光元件具有一第一連接部以及一第二連接部,該發光元件的該第一連接部透過該些第一條狀部與該第一位準電性連接,與該發光元件的該第二連接部重疊的該些第一修補電極與該第一電極電性絕緣且熔接該第二電極,且該發光元件的該第二連接部透過熔接該第二電極的該些第一修補電極與該第二位準電性連接。
  30. 如申請專利範圍第29項所述的自發光型顯示器,其中該載板包括一主動元件陣列基板,且該主動元件陣列基板提供該第一位準。
  31. 如申請專利範圍第30項所述的自發光型顯示器,其中該第二位準為共用電位(Vss),且該第一位準大於該第二位準。
  32. 如申請專利範圍第29項所述的自發光型顯示器,其中該第一電極、該第二電極、該些第一修補電極以及該些第二修補電極為同一膜層。
  33. 如申請專利範圍第29項所述的自發光型顯示器,其中該第一電極、該些第一修補電極以及該些第二修補電極為同一膜層。
  34. 如申請專利範圍第33項所述的自發光型顯示器,更包括:一保護層,配置於該發光元件與該第二電極之間,其中該保護層具有多個第一接觸孔,以暴露出該些第二條狀部;以及一絕緣層,配置於該第二電極與該第一電極之間,其中該保護層以及該絕緣層具有多個貫穿該保護層以及該絕緣層的多個第二接觸孔,以暴露出該些第一條狀部、該些第一修補電極以及該些第二修補電極。
  35. 一種自發光型顯示器的修補方法,包括: 提供一載板,該載板具有一第一電極、一第二電極以及多個修補電極,其中該第一電極包括連接至一第一位準的多個第一條狀部,該第二電極包括連接至一第二位準的多個第二條狀部;形成一發光元件於該載板上,其中該發光元件具有一第一連接部以及一第二連接部,且該第一連接部與至少一第一條狀部電性連接;進行一連接程序,以使得與該發光元件的該第二連接部電性連接的該些修補電極與該第二電極電性連接;以及進行一移除程序,以使得與該發光元件的該第二連接部重疊的該些第一條狀部與該第一電極電性絕緣。
  36. 如申請專利範圍第35項所述的自發光型顯示器的修補方法,其中該連接程序包括:進行一雷射程序,以在該些修補電極與該第二電極上的一保護層中形成一開口,其中該開口暴露出部分的該些修補電極以及部分的該第二電極;進行一雷射化學氣相沈積程序,以形成一薄金屬層連接該些修補電極以及該第二電極。
  37. 如申請專利範圍第35項所述的自發光型顯示器的修補方法,其中該連接程序包括:進行一雷射程序,以在該些修補電極與該第二電極之間的一絕緣層形成一開口; 進行一熔接程序,以在該開口內熔接該些修補電極以及該第二電極。
  38. 如申請專利範圍第35項所述的自發光型顯示器的修補方法,其中該移除程序包括:進行一雷射程序,以移除與該發光元件的該第二連接部電性連接的該些第一條狀部與該第一電極連接的部份。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI641125B (zh) * 2017-05-03 2018-11-11 啟端光電股份有限公司 底部發光型微發光二極體顯示器及其修補方法
KR102441566B1 (ko) * 2017-08-07 2022-09-07 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법
TWI690757B (zh) * 2019-01-07 2020-04-11 友達光電股份有限公司 畫素結構及其修補方法
CN111798764B (zh) * 2020-06-12 2022-07-05 福州大学 一种μLED像素单元结构及显示器件
CN115565976B (zh) * 2021-07-01 2024-06-07 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及半导体结构的制作方法
CN113782664B (zh) * 2021-09-10 2023-12-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法和绑定结构及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7164402B2 (en) * 2000-12-01 2007-01-16 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device
TW200837988A (en) * 2007-03-09 2008-09-16 Tekcore Co Ltd Light-emitting diode with matrix-arranged light-emitting blocks and its manufacture method
TW201013923A (en) * 2008-08-14 2010-04-01 Samsung Mobile Display Co Ltd Structure for repairing a line defect of an organic light emitting display and a method of repairing the defect
TW201227118A (en) * 2010-12-30 2012-07-01 Au Optronics Corp Fringe field switch type pixel structure
WO2015100770A1 (zh) * 2013-12-30 2015-07-09 深圳市华星光电技术有限公司 Tft-lcd阵列基板及其数据线断线的修复方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09244048A (ja) 1996-03-11 1997-09-19 Fujitsu Ltd 液晶パネル基板及び液晶パネルの製造方法
KR100372300B1 (ko) 1999-08-12 2003-02-17 삼성전자주식회사 수리선을 가지는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판
JP4479381B2 (ja) * 2003-09-24 2010-06-09 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
TWI481941B (zh) * 2012-09-03 2015-04-21 Au Optronics Corp 顯示面板及其修補方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7164402B2 (en) * 2000-12-01 2007-01-16 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device
TW200837988A (en) * 2007-03-09 2008-09-16 Tekcore Co Ltd Light-emitting diode with matrix-arranged light-emitting blocks and its manufacture method
TW201013923A (en) * 2008-08-14 2010-04-01 Samsung Mobile Display Co Ltd Structure for repairing a line defect of an organic light emitting display and a method of repairing the defect
TW201227118A (en) * 2010-12-30 2012-07-01 Au Optronics Corp Fringe field switch type pixel structure
WO2015100770A1 (zh) * 2013-12-30 2015-07-09 深圳市华星光电技术有限公司 Tft-lcd阵列基板及其数据线断线的修复方法

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