TWI549315B - 製造半導體發光裝置之方法 - Google Patents

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Description

製造半導體發光裝置之方法 相關申請案之相互參考
本申請案係根據及主張2009年8月3日所申請之先前日本專利申請案第2009-180402號的優先權之權益，其全部內容在此被併入做為參考。
【技術領域】
本發明係關於製造半導體發光裝置之方法。
使用藍光或接近紫外光的LED(發光二極體)作為光源，且藉由磷光劑而發射白光之發光裝置已發現廣泛應用於照射裝置，以及用於影像顯示裝置的背光源中，且已被日益地需要用於較高的效率。習知上，具有安裝於導線架上且樹脂模塑(resin-molded)的發光元件晶片之表面安裝的發光裝置為商業上可用的。再者，為了增加光萃取效率的目的，藉由雷射剝離(lift-off)製程來移除發光層的支撐基板之技術被採用(例如，美國專利第7241667 號)。
依據一實施例，一種製造半導體發光裝置之方法包括形成分離溝槽於基板的主要表面上。包括發光層的半導體層係形成於該基板上。該分離溝槽使該半導體層分離成複數個元件。該方法包括形成絕緣膜於該基板的該主要表面上。該絕緣膜覆蓋該半導體層及設置於該基板上之該分離溝槽的底部表面。該方法包括藉由以雷射光，自與該主要表面相對之該基板的表面照射該半導體層，而使該基板與該半導體層分離。該雷射光之照射區域的邊緣部分係設置成接近與該分離溝槽相鄰之該半導體層的邊緣部分。
1‧‧‧基板
12‧‧‧發光元件
12a‧‧‧半導體層
12b‧‧‧半導體層
12e‧‧‧邊緣部分
13‧‧‧n-側電極
14‧‧‧p-側電極
15‧‧‧絕緣膜
16‧‧‧n-側接觸部分
17‧‧‧p-側接觸部分
18‧‧‧n-側互連層
19‧‧‧p-側互連層
20‧‧‧樹脂
21‧‧‧n-側金屬柱
22‧‧‧p-側金屬柱
23‧‧‧外部端點
31‧‧‧分離溝槽
32‧‧‧溝槽
33‧‧‧溝槽
34‧‧‧分離溝槽
50‧‧‧邊緣部分
60‧‧‧頂表面
70‧‧‧鈍化膜
71‧‧‧空隙
L‧‧‧雷射光
圖1A至2D係顯示製造此實施例的半導體發光裝置之方法的概要截面圖；圖3A至3C係顯示此實施例的半導體發光裝置中之分離溝槽的概圖；圖4A至圖5C係顯示製造另一實施例的半導體發光裝置之方法的概要截面圖；以及圖6A及6B係此另一實施例的半導體發光裝置之概要截面圖。
實施例現在將參考圖式來予以說明。
圖2D係實施例的半導體發光裝置之概要截面圖。例如，自晶圓狀態中分離的半導體發光裝置之兩個例子被顯示於圖2D中。
此實施例的半導體發光裝置包括發光元件12及互連部分。發光元件12包括半導體層12a及半導體層12b。半導體層12b具有發光層被夾置於p-型披覆(cladding)層與n-型披覆層之間的結構。半導體層12a被例示為n-型，且用作橫向電流路徑。然而，半導體層12a的導電型式不受限於n-型，而是可為p-型。
半導體層12b不被設置於自頂表面60的半導體層12a之相對表面的部分上。n-側電極13係形成於此部分上。p-側電極14係形成於自具有半導體層12a的表面之半導體層12b的相對表面上。
自頂表面60的半導體層12a及半導體層12b之相對側係以絕緣膜15來予以覆蓋。頂表面60係自絕緣膜15曝露出來。n-側互連層18及p-側互連層19係形成於自頂表面60的絕緣膜15之相對表面上，且彼此分離。
n-側電極13係經由n-側接觸部分16而電氣連接至n-側互連層18。p-側電極14係經由p-側接觸部分17而電氣連接至p-側互連層19。
n-側金屬柱21係設置於n-側互連層18之下。p-側金屬柱22係設置於p-側互連層19之下。n-側金屬柱21的周圍、p-側金屬柱22的周圍、n-側互連層18、及p-側互 連層19係以樹脂20來予以覆蓋。
例示地由焊球或金屬凸塊所構成且被連接至外部電路的外部端點23係設置於自樹脂20曝露出之n-側金屬柱21及p-側金屬柱22的下端表面上。
半導體層12a係經由n-側電極13、n-側接觸部分16、n-側互連層18、及n-側金屬柱21而電氣連接至外部端點23。半導體層12b係經由p-側電極14、p-側接觸部分17、p-側互連層19、及p-側金屬柱22而電氣連接至外部端點23。
即使半導體層12a，12b為薄的，但是機械強度可藉由使n-側金屬柱21、p-側金屬柱22、及樹脂20變厚而被保持。再者，在個別的半導體發光裝置係透過外部端點23而被安裝於電路板或類似上的情況中，經由外部端點23而被施加至發光裝置12的應力可藉由n-側金屬柱21及p-側金屬柱22來予以吸收或排放。
接著，製造此實施例的半導體發光裝置之方法係參考圖1A至3C來予以說明。
首先，如圖1A中所顯示，半導體層12a及半導體層12b的堆疊體係形成於基板1的主要表面上。半導體層12b在完全地被形成於半導體層12a上之後，半導體層12b係使用抗蝕掩罩(未顯示)而被圖案化，且被分離成複數個。例如，在發光層係由氮化物半導體所構成的情況中，半導體層12a，12b可被晶體化於例示地由藍寶石所構成的基板1上。
接著，半導體層12a的部分係藉由RIE(反應式離子蝕刻)或雷射剝離而被移除，以形成如圖1B中所顯示的分離溝槽31。此分離溝槽31使半導體層12a及半導體層12b分離成位於基板1的主要表面上之複數個發光元件12。分離溝槽31係例示地形成類似如圖3A中所顯示的晶格。各發光元件12的平面形狀係形成類似四邊形，其周圍係藉由分離溝槽31而類似框架被包圍。
p-側電極14係形成於半導體層12b的表面上。n-側電極13係形成於未以半導體層12b覆蓋的半導體層12a之表面的部分上。
接著，如圖1C中所顯示，覆蓋半導體層12a及半導體層12b的絕緣膜15係形成於基板1上。絕緣膜15係例示地由諸如感光的聚醯亞胺之有機材料所構成。因此，分離溝槽31係以絕緣膜15來予以填充。
接著，到達n-側電極13的開口及到達p-側電極14的開口係形成於絕緣膜15上。然後，n-側接觸部分16係設置於到達n-側電極13的開口中，而p-側接觸部分17係設置於到達p-側電極14的開口中。再者，在絕緣膜15上，連接至n-側接觸部分16的n-側互連層18，及連接至p-側接觸部分17的p-側互連層19被形成。
n-側接觸部分16、p-側接觸部分17、n-側互連層18、及p-側互連層19係例示地藉由電鍍製程來予以形成。亦即，根源(seed)金屬(未顯示)係形成於此開口(係形成於絕緣膜15中且在絕緣膜15的表面上)的內壁 上，然後實施金屬沉積。
接著，如圖1D中所顯示，n-側金屬柱21係設置於n-側互連層18上，且p-側金屬柱22係設置於p-側互連層19上。這些n-側金屬柱21及p-側金屬柱22的周圍係以樹脂20來予以填充。樹脂20覆蓋n-側互連層18、p-側互連層19、n-側金屬柱21的周圍、及p-側金屬柱22的周圍。n-側金屬柱21及p-側金屬柱22的上方表面係自樹脂20曝露出。樹脂20係例示地由環氧樹脂、矽酮(silicone)樹脂、或與填充料混合的氟樹脂所構成。樹脂20也被設置於分離溝槽31上的絕緣膜15上。
n-側接觸部分16、p-側接觸部分17、n-側互連層18、及p-側互連層19、n-側金屬柱21、及p-側金屬柱22可由如銅、金、鎳、及銀的此種材料所構成。在其之中，更較佳為使用銅，其具有良好的熱傳導率、高耐遷移(migration resistance)、及與絕緣膜15接觸較好。
在獲得圖1D的結構之後，接著是圖2A至2D的製程。要注意的是，圖2A至2D係以相對於圖1A至1D倒置之基板1與發光元件12的垂直位置關聯來予以繪示。
圖2A顯示藉由雷射剝離製程來移除基板1之製程。半導體層12a係以雷射光L來予以照射。雷射光L係自基板1的相對表面(後表面)側(與主要表面(發光元件12係形成於其上)相對)施加至半導體層12a。雷射光L的波長係使得基板1對於雷射光L是透明的(透射的)，且此波長落入半導體層12a的吸收區中。
當雷射光L到達基板1與半導體層12a之間的介面時，接近此介面的半導體層12a係藉由吸收雷射光L的能量而被熱分解。例如，在半導體層12a係由GaN所構成的情況中，其被分解成Ga及氮氣。Ga係遺留於半導體層12a側上。此熱分解形成基板1與半導體層12a之間的小間隙，藉此使基板1與半導體層12a分離。
雷射光L係例示地依次施加至發光元件12。在此，雷射光L之照射區域的邊緣部分係設置於分離溝槽31中。雷射光L之照射區域的邊緣部分50係藉由圖2A及3B中的虛線而被顯示。邊緣部分50內部之一般的四邊形區域為雷射光的一次照射之照射區域。
在以雷射光L照射之後，由於半導體層12a的突然熱分解，所以氣體係立即藉由蒸發而產生。此時，半導體層12a，12b上的高壓氣體之影響會導致半導體層12a，12b中的破裂、晶體錯位、裂縫及類似狀況。因為半導體層12a的熱分解所產生之氣體會經由基板1與半導體層12a之間所產生的間隙而在平面方向上擴散。然而，在沒有被雷射加熱的情況之下，雷射光L的之照射區域的外部仍然處於固態相位。因此，固態相位部分限制氣體的擴散，且在其邊緣部分50處，氣壓可能增加。因為在雷射光L的施加部分與未施加部分之間的能量差異、溫度差異、相位差異及類似狀況，所以大應力可能作用於雷射光L之照射區域的邊緣部分50上。因此，半導體層12a，12b於雷射光L之照射區域的邊緣部分50處特別易於受到損壞。
因此，在此實施例中，雷射光L之照射區域的邊緣部分50係設置於分離溝槽31中。半導體層12a，12b不會存在於分離溝槽31中，因此雷射光L之照射區域的邊緣部分50不會被設置於半導體層12a，12b中。因此，可防止半導體層12a，12b的損壞。
再者，例示地由聚亞醯胺所構成的絕緣膜15(其為比半導體層12a，12b更可撓)係設置於分離溝槽31中。此絕緣膜15的變形排放應力，且可防止大應力作用於半導體層12a，12b上。再者，氣體也可經由基板1與分離溝槽31中的絕緣膜15之間的間隙(因為絕緣膜15的變形所產生)而被排放。
再者，若分離溝槽31為空的，則因為與半導體層12a的折射率之間存在有大的折射率差異，所以接近分離溝槽31之雷射光L的波前被大大地朝向半導體層12a折射，且大大地干擾電場強度。這樣導致接近半導體層12a的末端部分之雷射光L的強度之干擾，藉由雷射剝離製程之基板1的移除情況可能不穩定。
反之，在此實施例中，分離溝槽31係以絕緣膜15來予以填充。這樣降低折射率差異，且降低雷射光L的波前之彎曲。因此，可使雷射光L的強度分佈更穩定，且可防止移除情況的不穩定性。
較佳的是，分離溝槽31係以絕緣膜15來予以填充。然而，即使其未被填充，但是若絕緣膜15係設置成接近基板1的主要表面上之半導體層12a的周圍，則由於折射 率差異而使雷射光L彎曲之以上所提及的波前被抑制。這樣可達成使強度分佈穩定化且促進移除情況的穩定之效果。
如以上所述，當雷射光L係施加至半導體層12a，12b時，此實施例可防止半導體層12a，12b的損壞。這樣使其可防止發光效率及光萃取效率的降低，及漏電流。
再者，對於另一發光元件12(如圖2B所顯示)而言，雷射光L係施加成使得雷射光L之照射區域的邊緣部分50係設置於分離溝槽31中。因此，也在此發光元件12中的是，基板1可與半導體層12a分離，而不損壞半導體層12a，12b。
如以上所述之雷射光L的施加被實施用於所有的發光元件12，以使基板1與遍及此晶圓的半導體層12a，12b分離。再者，也到達分離溝槽31之雷射光L的施加降低設置於此分離溝槽31中的絕緣膜15與基板1之間的黏著強度。這樣讓基板1能自以上的發光元件12被移除。絕緣膜15係與分離溝槽31中的基板1接觸之面積遠小於此晶圓的全部面積。因此，即使分離溝槽31中的絕緣膜15不完全與基板1分離，但是基板1可藉由僅降低黏著強度而被移除。
再者，圖2A中所顯示之雷射光L的照射區域(其中較早實施雷射光L的施加)係與圖2B中所顯示之雷射光L的照射區域(其中較晚實施以雷射光L的照射)稍微地重疊於分離溝槽31中。這樣避免設置於分離溝槽31中的 絕緣膜15中之未以雷射光L照射的部分之出現、確實地降低絕緣膜15與基板1之間的黏著強度、及促進剝除基板1。
在此，雷射光L的重疊部分係設置於絕緣膜15上。因此，當與分離溝槽31為空的情況相較時，由於折射率差異而使雷射光L彎曲之波前被抑制。這樣可達成使強度分佈穩定化且促進移除情況的穩定之效果。
另一種是，相鄰的照射區域可以不重疊於分離溝槽31中。在此情況中，未以雷射光L照射的部分出現在設置於分離溝槽31中的絕緣膜15中。在不影響基板1的移除之範圍內，未照射的部分被允許出現在絕緣膜15中。
藉由首先將雷射光施加至位於此晶圓的外部上之發光元件12，因為將雷射光至位於此晶圓的內部上之發光元件12所產生之此氣體可經由此外部上的半導體層12a與基板1之間的間隙，及經由在此半導體層12a周圍之分離溝槽31中的絕緣膜15與基板1之間的間隙而被排放至此晶圓的外部之空間。亦即，雷射光首先被施加至此晶圓的外部，使得此氣體至此晶圓的此外部之排放路線被連續地連接至此內部。這樣可防止遍及此晶圓的發光元件12之損壞。
即使分離溝槽31係以絕緣膜15來予以填充，但是當氣壓增加時，氣壓可經由藉由樹脂的變形，或藉由自基板1中細微移除樹脂所產生之間隙而被減緩。因此，能降低半導體層12a，12b的損壞之效果被達成。
雷射光L的施加不受限於依次施加至藉由分離溝槽31所分離的發光元件12，而是可被實施於複數個發光元件12的區塊中。圖3C顯示只有一次的雷射光施加係例示地實施於四個發光元件12上的範例。再者，在施加於複數個發光元件12的區塊中之情況中，雷射光L之照射區域的邊緣部分50係設置於分離溝槽31中。
在移除基板1之後(如圖2C中所顯示)，用作外部端點23的焊球、金屬凸塊或類似係形成於n-側金屬柱21及p-側金屬柱22的下端部分上。接著，為了分離，切塊係沿著分離溝槽31而被實施，如圖2D中所顯示。此分離可被實施用於各單一發光元件12，或複數個發光元件12的區塊中。
直到切塊之以上所提及的製程之各製程係以晶圓狀態而集體地被實施，因此能以低成本製造。再者，包括保護樹脂、互連線、及電極的封裝結構係以晶圓層級來予以形成。這樣促進降低尺寸，其中半導體發光裝置的平面尺寸接近裸晶(發光元件12)的平面尺寸。
接著，圖4A顯示雷射光L之照射區域的邊緣部分50係設置於鄰近分離溝槽31之半導體層12a的邊緣部分12e處，或稍微位於半導體層12a側上的此邊緣部分12e之內部的實施例。
當施加雷射光L時，半導體層12a，12b的損壞可能出現於能量、溫度、相位及類似大大地變化之邊界處。根據雷射照射情況及所照射的物體，能量、溫度、相位及類 似大大地變化之邊界不必然與照射區域的邊緣部分50一致。雷射光L的某些能量及熱可到達此邊緣部分50外部的部分。在此情況中，能量、溫度、相位及類似大大地變化之邊界位於施加區域的邊緣部分50之外部。
因此，在圖4A中所顯示的實施例中，雷射光L之照射區域的邊緣部分50係設置於半導體層12a的邊緣部分12e處，或稍微位於半導體層12a側上的邊緣部分12e之內部，使得能量、溫度、相位及類似大大地變化之邊界位於分離溝槽31中。因為半導體層12a，12b不存在於包括能量、溫度、相位及類似大大地變化之邊界的分離溝槽31中，所以這樣可防止半導體層12a，12b的損壞。
再者，因為分離溝槽31中的絕緣膜15未被雷射光L的施加區域覆蓋，所以分離溝槽31中的絕緣膜15上之過多能量及熱的作用可被抑制。這樣可防止由於絕緣膜15中的破裂所導致之可靠度的降低，及由於絕緣膜的大變形所導致之對於半導體層12a，12b的應力。
接著，圖4B顯示溝槽32係形成於基板1中的實施例。溝槽32係形成於與分離溝槽31相對之基板1的部分中。與圖3A中所顯示的分離溝槽31類似的是，溝槽32係例示地形成類似遍及此晶圓的晶格。溝槽32的寬度小於分離溝槽31的寬度，且半導體層12a的邊緣部分未與溝槽32重疊。
當施加雷射光L時，在基板1與半導體層12a之間的介面處所產生之氣體可經由溝槽32而被排放至此晶圓的 外部。雷射光L的施加導致降低分離溝槽31中的絕緣膜15與基板1之間的黏著強度，或使絕緣膜15變形。這樣讓在基板1與半導體層12a之間的介面處所產生之氣體輕易地於絕緣膜15與基板1之間通過，且到達溝槽32。
藉由形成溝槽32，可有效地排放在雷射光L的施加時所立即產生的氣體，且可防止接近發光元件12的氣壓之增加。在此情況中，雷射光的施加可以不從此晶圓的外側來予以實施。因為用於氣體排放的溝槽32已經被形成遍及此晶圓，所以即使雷射光的施加首先被實施於此晶圓的內側，但是所產生的氣體可經由溝槽32而被排放至此晶圓的外部。
在分離溝槽31係以上述之圖1B中所顯示的製程來予以形成之後，溝槽32係形成於與分離溝槽31相對之部分中。接著，絕緣膜15係形成於基板1的主要表面上。絕緣膜15係以液體或黏滯狀態而被供應至基板1的主要表面上，然後被固化。因此，若溝槽32的寬度為與例如1μm一樣小或更小，且絕緣膜15係例示地由具有相當高的黏性之聚亞醯胺所構成，則溝槽32可被保持未以絕緣膜15填充之狀態。
另一種是，如圖4C中所顯示，溝槽33可被形成於絕緣膜15側上。溝槽33係形成為設置於分離溝槽31中的絕緣膜15中之空隙。與圖3A中所顯示的分離溝槽31類似的是，溝槽33也係例示地形成類似遍及此晶圓的晶格。溝槽33的寬度小於分離溝槽31的寬度，且半導體層 12a的邊緣部分未與溝槽33重疊。
再者，在此情況中，當施加雷射光L時，在基板1與半導體層12a之間的介面處所產生之氣體可經由溝槽33而被排放至此晶圓的外部。再者，雷射光的施加可以不從此晶圓的外側來予以實施。因為用於氣體排放的溝槽33已經被形成遍及此晶圓，所以即使雷射光的施加首先被實施於此晶圓的內側，但是所產生的氣體可經由溝槽33而被排放至此晶圓的外部。
在圖1D的製程之後，空隙可藉由雷射剝離而被形成於絕緣膜15中，其中雷射光係自基板1的後側而被局部施加至設置於分離溝槽31中的絕緣膜15。為了移除基板1，此雷射光具有比雷射光L更窄的照射區域，且被縮小成類似光點。藉由此雷射剝離，設置於分離溝槽31中的絕緣膜15之部分可被蒸發，以形成溝槽33。因此，至少即將形成溝槽33的部分較佳係由可藉由雷射剝離而蒸發的樹脂(諸如聚酯、聚碳酸酯、及聚氨酯)所構成。因為溝槽33係遍及此晶圓而被形成，所以蒸發的樹脂係經由溝槽33而被排放至此晶圓的外部。
圖5A至5C顯示形成使半導體層12a分離的分離溝槽之另一方法。
此方法遵循直到圖1D的製程，而不實施在上述之圖1B中所顯示的階段，形成分離溝槽31之製程。因此，如圖5A中所顯示，半導體層12a不被分離。而是仍然連接。
然後，如圖5B中所顯示，實施雷射剝離，其中雷射光L’係僅自基板1的後側而被局部施加至即將形成分離溝槽的部分。為了移除此基板，此雷射光L’具有比雷射光L更窄的照射區域，且被縮小成類似光點。藉由此雷射剝離，半導體層12a的部分被蒸發且移除。因此，使半導體層12a分離的分離溝槽34被形成。因為絕緣膜15未被設置於此分離溝槽34中，所以分離溝槽34也用作藉由用於剝除此基板之雷射光L的施加所產生之氣體的排放路線。分離溝槽34係也例示地形成類似遍及此晶圓的晶格。
為了確保半導體層12a的完全分離，較佳而言，也藉由雷射剝離來移除與半導體層12a(其中分離溝槽34被形成)的部分接觸之絕緣膜15的部分。因此，此部分較佳係由可藉由雷射剝離而蒸發的材料(諸如上述的聚酯、聚碳酸酯、及聚氨酯)所構成。藉由移除絕緣膜15的部分，也會增加用於氣體排放的路線之截面積，以有效地排放此氣體。
為了移除此基板，如圖5C中所顯示，雷射光L被施加而使得雷射光L之照射區域的邊緣部分50係設置於發光元件12不存在的分離溝槽34中。這樣可防止發光元件12的損壞。再者，因為此氣體可經由分離溝槽34(其為空隙)而被排放，所以可更有效地避免接近發光元件12的氣壓之增加。
圖6A顯示半導體層12a，12b的側表面係以例示地由 諸如氧化矽及氮化矽的介電質所構成之鈍化膜70來予以覆蓋之結構。這樣可抑制漏電流，且防止由於半導體層12a，12b的側表面之氧化所導致之可靠度的降低。藉由使分離溝槽31中的鈍化膜70分離，在藉由雷射剝離製程來移除基板1的時候之影響可使經由鈍化膜70而傳播至相鄰的元件受到抑制。
再者，如圖6B中所顯示，空隙71可被形成於分離溝槽31之位置處的鈍化膜70之下。因此，可主動地確保在雷射剝離的時候所產生之氣體的排放路線，且可抑制由於影響所導致之半導體層12a，12b的損壞。空隙71可藉由形成犧牲層於基板1上的分離溝槽31中，且藉由蝕刻及類似來移除此犧牲層而被形成。
基板、發光元件、電極、互連層、金屬柱、絕緣膜、及樹脂的材料、尺寸、形狀、佈局及類似可藉由熟習此項技術者來予以不同地修改，且只要此類修改不脫離本發明的精神，則其也被包含於本發明的範圍內。
雖然已說明某些實施例，但是這些實施例已僅藉由範例來予以呈現，且不意謂限制本發明的範圍。更確切而言，在此所述之新穎的裝置及方法可以變化的其他形式來予以；再者，在不脫離本發明的精神之下，可實施在此所述之裝置及方法的形式之不同的省略、替代及改變。附加的申請專利範圍及其等效係意謂涵蓋如將落入本發明的範圍及精神內之此類形式或修改。
1‧‧‧基板
12‧‧‧發光元件
12a‧‧‧半導體層
12b‧‧‧半導體層
13‧‧‧n-側電極
14‧‧‧p-側電極
15‧‧‧絕緣膜
16‧‧‧n-側接觸部分
17‧‧‧p-側接觸部分
18‧‧‧n-側互連層
19‧‧‧p-側互連層
20‧‧‧樹脂
21‧‧‧n-側金屬柱
22‧‧‧p-側金屬柱
23‧‧‧外部端點
31‧‧‧分離溝槽
50‧‧‧邊緣部分
60‧‧‧頂表面
L‧‧‧雷射光

Claims (29)

  1. 一種半導體發光裝置，包含：半導體層，形成於基板，具有第一面部及相反側的第二面部，且具有發光層；p側電極及n側電極，設置於該半導體層；p側互連部，設置於該第二面部側，具有可連接外部之端部並且與該p側電極連接；n側互連部，設置於該第二面部側，具有可連接外部之端部並且與該n側電極連接；絕緣膜，設置於該第二面部以及連續於該第一面部之該半導體層的側面的外側；以及樹脂，設置在該p側互連部及該n側互連部之間；該n側互連部及該p側互連部之中任一個的互連部的其中一部分與不具有該發光層之半導體層電連接，另一部分朝該發光層側延伸。
  2. 如申請專利範圍第1項的半導體發光裝置，其中該絕緣膜包含樹脂。
  3. 如申請專利範圍第2項的半導體發光裝置，其中該絕緣膜包含聚醯亞胺(polyimide)樹脂。
  4. 如申請專利範圍第1項的半導體發光裝置，其中該p側互連部具有：p側接觸部分，與該p側電極連接；p側互連層，與該p側接觸部分連接；以及p側金屬柱，與該p側互連層連接； 該n側互連部具有：n側接觸部分，與該n側電極連接；n側互連層，與該n側接觸部分連接；以及n側金屬柱，與該n側互連層連接。
  5. 如申請專利範圍第4項的半導體發光裝置，其中該樹脂覆蓋著：至少除了該端部以外的該p側金屬柱周圍以及該n側金屬柱周圍。
  6. 如申請專利範圍第1項的半導體發光裝置，其中該p側互連部及該n側互連部設置在：較連續於該第一面部之該半導體層的側面的位置更內側處。
  7. 如申請專利範圍第4項的半導體發光裝置，其中該絕緣膜具有：第一開口，設置有該p側接觸部分；以及第二開口，設置有該n側接觸部分。
  8. 如申請專利範圍第4項的半導體發光裝置，其中該n側互連層，在該第二面部側延伸至與該發光層相對向的位置。
  9. 如申請專利範圍第1項的半導體發光裝置，其中該半導體層是氮化物類半導體。
  10. 如申請專利範圍第1項的半導體發光裝置，其中該半導體層的該第一面部側之該絕緣膜的端面是與該半導體層的該第一面部在同一平面上。
  11. 如申請專利範圍第1項的半導體發光裝置，其中該絕緣膜為框狀。
  12. 如申請專利範圍第1項的半導體發光裝置，進一步包含：將該半導體層的該側面覆蓋的鈍化(passivation)膜。
  13. 如申請專利範圍第12項的半導體發光裝置，其中該鈍化膜包含氧化矽或氮化矽。
  14. 一種發光裝置，包含：申請專利範圍第1至13項其中任一項的半導體發光裝置；以及裝配基板，與該p側互連部及該n側互連部的端部電連接。
  15. 一種半導體發光裝置的製造方法，包含：在基板上形成具有發光層的半導體層之步驟；將該半導體層選擇性去除而形成分離溝之步驟；在該半導體層的表面形成p側電極及n側電極之步驟；在該基板上形成用來將該半導體層及該分離溝覆蓋的絕緣膜之步驟；在該絕緣膜上形成與該p側電極連接之p側互連部以及與該n側電極連接之n側互連部之步驟；將樹脂充填於該絕緣膜上的該p側互連部與n側互連部之間之步驟；將該基板去除之步驟；以及以該分離溝的位置進行分離之步驟；該n側互連部及該p側互連部之中任一個的互連部的 其中一部分與不具有該發光層之半導體層電連接，另一部分朝該發光層側延伸。
  16. 如申請專利範圍第15項的半導體發光裝置的製造方法，其中將該基板去除的步驟包含有：從該基板的未形成該半導體層的面部，對該基板照射具有穿透性的雷射光之步驟。
  17. 如申請專利範圍第15項的半導體發光裝置的製造方法，其中該絕緣膜包含樹脂。
  18. 如申請專利範圍第17項的半導體發光裝置的製造方法，其中該絕緣膜包含聚醯亞胺(polyimide)樹脂。
  19. 如申請專利範圍第15項的半導體發光裝置的製造方法，其中該p側互連部具有：p側接觸部分，與該p側電極連接；p側互連層，與該p側接觸部分連接；以及p側金屬柱，與該p側互連層連接；該n側互連部具有：n側接觸部分，與該n側電極連接；n側互連層，與該n側接觸部分連接；以及n側金屬柱，與該n側互連層連接。
  20. 如申請專利範圍第19項的半導體發光裝置的製造方法，其中該樹脂覆蓋著：至少除了該p側互連部及該n側互連部的端部以外的該p側金屬柱周圍以及該n側金屬柱周圍。
  21. 如申請專利範圍第15項的半導體發光裝置的製 造方法，其中該p側互連部及該n側互連部設置在：較該半導體層的側面的位置更內側處。
  22. 如申請專利範圍第19項的半導體發光裝置的製造方法，其中該絕緣膜具有：第一開口，設置有該p側接觸部分；以及第二開口，設置有該n側接觸部分。
  23. 如申請專利範圍第19項的半導體發光裝置的製造方法，其中該n側互連層，延伸至與該發光層相對向的位置。
  24. 如申請專利範圍第15項的半導體發光裝置的製造方法，其中該半導體層是氮化物類半導體。
  25. 如申請專利範圍第15項的半導體發光裝置的製造方法，其中該半導體層的該第一面部側之該絕緣膜的端面是與該半導體層的該第一面部在同一平面上。
  26. 如申請專利範圍第15項的半導體發光裝置的製造方法，其中該絕緣膜為框狀。
  27. 如申請專利範圍第15項的半導體發光裝置的製造方法，其中進一步具備有：將該半導體層的該側面覆蓋的鈍化(passivation)膜。
  28. 如申請專利範圍第27項的半導體發光裝置的製造方法，其中該鈍化膜包含氧化矽或氮化矽。
  29. 一種發光裝置的製造方法，包含：將藉由申請專利範圍第15至28項的其中任一項的半導體發光裝置的製造方法所製造的半導體發光裝置之該p 側互連部及該n側互連部的端部、與裝配基板電連接之步驟。
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