TWI537835B - 記憶卡以及電子機器 - Google Patents

Description

記憶卡以及電子機器

本文中之本發明是關於記憶卡以及電子機器，且更特定言之，是關於可卸除式記憶卡以及包含可被***可卸除式記憶卡之插口的電子機器。

本申請案主張2010年2月5日申請之韓國專利申請案第10-2010-0010989號之優先權並且主張2009年12月7日申請之美國臨時申請案第61/282,041號之權利，兩申請案中之每一者之全部內容以引用方式併入本文中。

記憶卡為結合各種電子機器(諸如，電腦、數位相機、數位攝錄一體機、蜂巢式電話以及個人數位助理(personal digital assistant,PDA))而使用以儲存或提供資料(諸如，影像資料以及聲音資料)之可卸除式卡。存在許多種類之記憶卡，諸如，記憶棒卡(memory stick card)、安全數位卡(secure digital card)、緊密快閃卡(compact flash card)以及智慧媒體卡(smart media card)。非揮發性記憶體通常用作記憶卡，並且快閃記憶體為最廣泛使用之非揮發性記憶體。

本發明提供新類型之記憶卡。

發明概念之實例實施例提供記憶卡。在一些實例實施例中，所述記憶卡可包含：正面、背面、第一側面、第二側面、頂面以及底面；所述頂面以及所述底面中之至少一者上的第一組互連端子，所述第一組互連端子經組態以操作性地與外部電子機器連接。所述第一組互連端子中之每一者可具有平行於第一方向之長度，並且所述第一組互連端子是沿著垂直於所述第一方向之第二方向，並且所述第一組互連端子中之至少一些可分別與所述正面間隔開大於其長度的距離。

在發明概念之其他實例實施例中，提供電子機器。所述電子機器包括插口(socket)，其中所述插口包含：第一組互連端子，其經組態以操作性地與第一記憶卡連接；以及第二組互連端子，其經組態以操作性地與第二記憶卡連接。所述第一組互連端子與所述第二組互連端子為平行的。

包含附圖以提供發明概念之進一步理解，並且將附圖併入於本說明書中並構成本說明書之一部分。諸圖說明發明概念之實例實施例並與描述一起用以解釋發明概念之實例實施例。

參看用於說明發明概念之實例實施例之附圖以便充分理解發明概念、其優點以及藉由實施發明概念而實現之目標。

在下文中，將藉由參看附圖以解釋實例實施例來詳細描述發明概念。在諸圖中，為清楚起見可放大層與區域之長度以及大小。在諸圖中，相同參考數字表示相同元件。

應理解，雖然術語第一、第二、第三等可在本文中用以描述各種元件，但此等元件不應受此等術語限制。此等元件用以區分一個元件與另一元件。因此，在不偏離發明概念之教示的情況下，下文論述之第一元件可稱為第二元件。

應理解，當元件(諸如，層、區域或基板)被稱為在另一元件「上」、「連接至」或「耦接至」另一元件時，其可直接在另一元件上、直接連接至或耦接至另一元件，或可存在介入元件。相比而言，當元件被稱為「直接」在另一元件「上」、「直接連接至」或「直接耦接至」另一元件或層時，不存在介入元件或層。相同參考數字在全文中代表相同元件。如本文中所使用，術語「及/或」包含相關聯所列項目中之一或多者之任何以及所有組合。

本文中所使用之術語僅出於描述特定實例實施例之目的且不欲限制發明概念。如本文中所使用，單數形式「一」意欲亦包含複數形式，除非上下文另有清楚指示。應進一步理解，術語「包括」及/或「包含」在用於本說明書中時，指定所述特徵、整數、步驟、操作、元件及/或組件之存在，但並不排除一個或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、組件及/或其群組之存在或添加。

除非另有定義，否則本文中所使用之所有術語(包含科技術語)具有與一般熟習發明概念所屬領域之技術者通常理解之含義相同的含義。應進一步理解，諸如常用辭典中所定義之術語的術語應解釋為具有與其在相關技術之情形下之含義一致的含義，且將不會以理想化或過度正式之意義來解釋，除非本文中明確地如此定義。

圖1以及圖2為說明根據發明概念之實例實施例之記憶卡200的透視圖。圖3為沿圖1之線A-A'截取之剖視圖。圖1為說明記憶卡200之俯視透視圖，並且圖2為說明記憶卡200之仰視透視圖。在當前實例實施例中，記憶卡200可使用非揮發性記憶體。舉例而言，所述非揮發性記憶體可為快閃記憶體。

參看圖1至圖3，記憶卡200包含電路板230、半導體晶片232以及模製部件220。半導體晶片232包含記憶體晶片234以及控制器晶片236。記憶體晶片234以及控制器晶片236可具有堆疊結構。舉例而言，各記憶體晶片234可疊置於彼此上，且該控制器晶片236可置放於最上記憶體晶片234之頂部上。在另一實例中，可僅使用一個記憶體晶片234。在另一實例中，記憶體晶片234可與控制器晶片236間隔開。控制器晶片236可小於記憶體晶片234。

電路板230包含被動組件(例如，圖17中所展示之被動組件739)。所述被動組件可包含電容器或暫存器。互連端子238形成於電路板230之外表面上以與外部電子裝置(例如，圖36中所展示之電子機器5100)電性連接。互連端子238中最接近第一側面245(稍後描述)之一者可為用於輸入/輸出(I/O)之電源互連端子。此外，導電跡線(未圖示)形成於電路板230上以電性連接晶片234以及236、互連端子238以及所述被動組件。模製部件220經設置以完全覆蓋半導體晶片232以及電路板230之頂表面。

當自外側檢視時，記憶卡200包含頂面241、底面242、正面243、背面244、第一側面245以及第二側面246。記憶卡200之正面243以及背面244彼此大致平行。此外，記憶卡200之頂面241以及底面242彼此大致平行，並且頂面241以及正面243彼此大致垂直。記憶卡200之第一側面245以及第二側面246彼此大致平行。第一側面245大致垂直於頂面241以及正面243。亦即，記憶卡200具有大致薄的平行六面體形狀。當自頂面檢視時，平行於第一側面245之方向將被稱為第一方向12，並且平行於正面243之方向將被稱為第二方向14。此外，垂直於第一方向12以及第二方向14之方向將被稱為第三方向16。

標記(未圖示)可安置於頂面241上。所述標記可為貼紙或以墨水印刷。在記憶卡200之底面242處，曝露了互連端子238。互連端子238可安置於底面242之接近於正面243之區域處。互連端子238可沿著第二方向14而配置。此外，互連端子238可平行於第一方向12。

互連端子238與正面243間隔一預定距離。所述預定距離可按照使得互連端子238可不疊置於大小類似於記憶卡200之不同記憶卡之互連端子(諸如，圖37之記憶卡5160之互連端子5162)上的方式而加以確定。舉例而言，不同記憶卡5160可為微型安全數位卡，其在底面的接近於正面之區域上具有互連端子。此外，所述預定距離可大於互連端子238之長度。互連端子238之長度可相等。互連端子238可彼此對準。或者，互連端子238中之一些可長於互連端子238中之其他者。在此狀況下，互連端子238中之面向背面244之末端可彼此對準。舉例而言，較長的互連端子238可為電源端子。

圖4以及圖5說明記憶卡300。圖4為說明記憶卡300之俯視透視圖，並且圖5為說明記憶卡300之仰視透視圖。記憶卡300具有類似於圖1至圖3中所說明之記憶卡200之薄平行六面體形狀的薄平行六面體形狀。記憶卡300之互連端子338的位置可類似於圖1至圖3中所說明之記憶卡200之互連端子238。突起312安置於記憶卡300之頂面341上。突起312可安置於頂面341的接近於記憶卡300之背面344之區域中。突起312可延伸至第一側面345以及第二側面346。此外，突起312可圓形化(rounded)並朝向正面343凸起。或者，當自頂面檢視時，突起312可具有矩形形狀。歸因於突起312，使用者可容易抓持記憶卡300。相對厚之裝置可安置於突起312下之記憶卡300之電路板上。

圖6以及圖7說明記憶卡400。圖6為說明記憶卡400之俯視透視圖，並且圖7為說明記憶卡400之仰視透視圖。記憶卡400可具有類似於圖1至圖3中所說明之記憶卡200之薄平行六面體形狀的薄平行六面體形狀。記憶卡400之互連端子438的位置可類似於圖1至圖3中所說明之記憶卡200之互連端子238。類似於圖4之記憶卡300之突起312的突起412可安置於記憶卡400之頂面441上。此外，記憶卡400包含處於正面443與第二側面446之間的斜面461，並且斜面461隨著其自正面443伸展至第二側面446而變得遠離第一側面445。斜面461可自頂面441延伸至底面442。

圖8至圖10說明記憶卡401。圖8為說明記憶卡401的仰視透視圖，且圖9以及圖10分別為圖8之記憶卡401之前視圖以及俯視圖，其用於說明記憶卡401之記憶體晶片434以及控制器晶片436。記憶卡401具有類似於圖6以及圖7中所說明之記憶卡400之形狀的形狀。然而，如圖8中所展示，斜面461a自記憶卡401之頂面441形成達到記憶卡401之預定深度。舉例而言，當突起412之厚度不包含於記憶卡401之厚度中時，所述預定深度可為記憶卡401之厚度的一半。或者，當突起412之厚度不包含於記憶卡401之厚度中時，所述預定深度可小於記憶卡401之厚度的一半。如圖9中所展示，記憶卡401包含模製部件420、電路板430以及被動組件439。

如上所述，控制器晶片436可小於記憶體晶片434。在此狀況下，當自頂面檢視記憶體晶片434時，記憶體晶片434可部分與斜面461a重疊，且當自頂面檢視控制器晶片436時，控制器晶片436可位於斜面461a外部。此外，當自第一側面445檢視記憶體晶片434時，記憶體晶片434可部分與斜面461a重疊。歸因於此，具有相對大的大小的記憶體晶片434可安置於包含斜面461a並且具有有限大小的記憶卡401中。

斜面(461、461a)可在使用者將記憶卡(400、401)***至電子機器之插口中時防止反向***。舉例而言，圖8之記憶卡401可與電子機器5300(參看圖39)一起使用，電子機器5300在插口5320(參看圖39)中包含對應於斜面461a之突起5360(參看圖39)。

圖11以及圖12說明記憶卡500。圖11為說明記憶卡500之俯視透視圖，並且圖12為說明記憶卡500之仰視透視圖。記憶卡500可具有類似於圖1至圖3中所說明之記憶卡200之薄平行六面體形狀的薄平行六面體形狀。記憶卡500之互連端子538的位置可類似於圖1至圖3中所說明之記憶卡200之互連端子238。類似於圖4之記憶卡300之突起312的突起512可安置於記憶卡500之頂面541上。然而，記憶卡500之突起512可設置於頂面541上自接近於第一側面545之區域至接近於第二側面546之區域。類似於圖6之記憶卡400之斜面461的斜面561可設置於記憶卡500之拐角(corner)處。此外，記憶卡500可在第二側面546中包含凹口562。凹口562可大致安置於第二側面546之中心。凹口562可自記憶卡500之頂面541延伸至底面542。或者，凹口562可形成於第一側面545中，或凹口可分別形成於第一側面545以及第二側面546中。

圖13說明記憶卡501。圖13為記憶卡501之俯視圖。記憶卡501具有類似於圖11以及圖12中所說明之記憶卡500之形狀的形狀。然而，凹口562a自頂面541形成達到記憶卡501之預定深度。舉例而言，當突起512之厚度不包含於記憶卡501之厚度中時，所述預定深度可為記憶卡501之厚度的一半。或者，當突起512之厚度不包含於記憶卡501之厚度中時，所述預定深度可小於記憶卡501之厚度的一半。

雖然圖13中未圖示，但在記憶卡501中，當自頂面檢視記憶體晶片時，所述記憶體晶片可與凹口562a部分重疊，且當自頂面檢視控制器晶片時，所述控制器晶片可位於凹口562a外部。此外，當自第二側面546'檢視控制器晶片時，所述控制器晶片可與凹口562a部分地重疊。

圖14至圖17說明記憶卡700。圖14為說明記憶卡700之俯視透視圖，並且圖15為說明記憶卡700之仰視透視圖。此外，圖16以及圖17為記憶卡700前視圖以及俯視圖，其用於說明記憶體晶片734以及控制器晶片736。記憶卡700可具有類似於圖1至圖3中所說明之記憶卡200之薄平行六面體形狀的薄平行六面體形狀。記憶卡700之互連端子738位置可類似於圖1至圖3中所說明之記憶卡200之互連端子238。類似於圖4之記憶卡300之突起312的突起712可安置於記憶卡700之頂面741上。第一凹槽763可形成於記憶卡700之頂面741的接近於第一側面745之區域中，並且第二凹槽764可形成於頂面741的接近於第二側面746之區域中。第一凹槽763之縱向方向可平行於第一方向12。第一凹槽763可在其縱向方向上具有恆定寬度G_W1。第一凹槽763之末端可延伸至記憶卡700之正面743。第一凹槽763以及第二凹槽764之長度G_L1可為記憶卡700之長度C_L之約1/4至約3/4。舉例而言，長度G_L1可為記憶卡700之長度C_L之1/2。此外，第一凹槽763之側面可延伸至第一側面745。第一凹槽763之寬度G_W1可為記憶卡700之寬度C_W之約1/20至約1/10。舉例而言，第一凹槽763之寬度G_W1可為記憶卡700之寬度C_W之約1/12。第一凹槽763可自700之頂面741延伸達到一預定深度。舉例而言，所述預定深度可為記憶卡700之厚度之約1/2。第一凹槽763以及第二凹槽764可對於穿過記憶卡700之中心且大致平行於第一側面745的虛線18成為對稱。

如上所述，控制器晶片736可小於記憶體晶片734。在此狀況下，當自頂面檢視記憶體晶片734時，記憶體晶片734可部分地與凹槽763以及764重疊，且當自頂面檢視控制器晶片736時，控制器晶片736可安置於凹槽763以及764外部。此外，當自第一側面745檢視控制器晶片736時，控制器晶片736可與凹槽763以及764部分地重疊。雖然記憶卡700包含凹槽763以及764並且具有有限大小，但具有相對大的大小的記憶體晶片734可安置於記憶卡700中。

或者，僅第一凹槽763以及第二凹槽764中之一者可形成於記憶卡700中。此外，第一凹槽763以及第二凹槽764可自記憶卡700之頂面741延伸至底面742。

在上述實例中，凹槽763以及764之末端延伸至正面743，並且凹槽763以及764之另一末端延伸至與背面744間隔開之位置。然而，或者，凹槽763以及764之末端可延伸至正面743，並且凹槽763以及764之另一末端可延伸至背面744。

此外，在上述實例中，凹槽763以及764之外側延伸至第一側面745以及第二側面746。然而，或者，凹槽763以及764之外側可延伸至由第一側面745以及第二側面746向內間隔之位置。

凹槽763以及764可在使用者將記憶卡700***至電子機器之插口中時防止反向***。舉例而言，圖14之記憶卡700可與電子機器5400(參看圖40)一起使用，電子機器5400在插口5420(參看圖40)中包含對應於凹槽763以及764之突起5460(參看圖40)。如圖16中所展示，記憶卡700亦包含模製部件720以及電路板730。

圖18以及圖19說明記憶卡800。圖18為說明記憶卡800之俯視透視圖，並且圖19為說明記憶卡800之仰視透視圖。記憶卡800可具有類似於圖1至圖3中所說明之記憶卡200之薄平行六面體形狀的薄平行六面體形狀。記憶卡800之互連端子838的位置可類似於圖1至圖3中所說明之記憶卡200之互連端子238。類似於圖4之記憶卡300之突起312的突起812可安置於記憶卡800之頂面841上。如同圖14以及圖15中所說明之記憶卡700之第一凹槽763以及第二凹槽764，第一凹槽863以及第二凹槽864可形成於記憶卡800之兩個側面845、846中。此外，第一凹口865可形成於第一側面845中。記憶卡800之第一凹槽863之長度G_L2可小於圖14以及圖15中所說明之記憶卡700之第一凹槽763之長度。第一凹槽863可延伸至正面843，並且第一凹槽863之長度G_L2可短於記憶卡800之長度C_L之約1/2。舉例而言，第一凹槽863之長度G_L2可為記憶卡800之長度C_L之約1/4至約3/8。第一凹口865可安置於記憶卡800之第一側面845之中心部分處。第一凹口865之寬度N_W可等於第一凹槽863之寬度G_W2。第一凹口865之長度N_L可為第一凹槽863之長度G_L2之約1/8至約1/6。第一凹口865可自頂面841延伸達到一預定深度。舉例而言，第一凹口865之厚度N_T可等於第一凹槽863之厚度G_T。舉例而言，第一側面845之預定深度可為不包含突起812之厚度的記憶卡800之厚度的約1/2。此外，第二凹槽864以及第二凹口866可形成於第二側面864中。第二側面864以及第二凹口866可對於穿過記憶卡800之中心且大致平行於第一側面845的虛線18而與第一凹槽863以及第一凹口865成為對稱。第一凹口865在第一方向12上與第一凹槽863間隔一預定距離。

或者，僅第一凹槽863以及第二凹槽864中之一者可形成於記憶卡800中。此外，第一凹槽863以及第二凹槽864可自記憶卡800之頂面841延伸至底面842。此外，僅第一凹口865以及第二凹口866中之一者可形成於記憶卡800中。突起812可以未設置於記憶卡800之頂面841上。此外，第一凹口865可自記憶卡800之頂面841延伸至底面842。

圖20以及圖21說明記憶卡900。圖20為說明記憶卡900之俯視透視圖，並且圖21為說明記憶卡900之仰視透視圖。記憶卡900可具有類似於圖1至圖3中所說明之記憶卡200之薄平行六面體形狀的薄平行六面體形狀。記憶卡900之互連端子938的位置可類似於圖1至圖3中所說明之記憶卡200之互連端子238。類似於圖4之記憶卡300之突起312的突起912可安置於記憶卡900之頂面941上。如同圖14以及圖15中所說明之記憶卡700之第一凹槽763以及第二凹槽764，第一凹槽963以及第二凹槽964可形成於記憶卡900之兩個側面945以及946中。此外，類似於圖6之記憶卡400之斜面461的斜面961可設置於記憶卡900之拐角處。或者，斜面961可類似於圖8之斜面461a。

圖22以及圖23說明記憶卡1000。圖22為說明記憶卡1000之俯視透視圖，並且圖23為說明記憶卡1000(包含底面1042)之仰視透視圖。記憶卡1000可具有類似於圖1至圖3中所說明之記憶卡200之薄平行六面體形狀的薄平行六面體形狀。記憶卡1000之互連端子1038的位置可類似於圖1至圖3中所說明之記憶卡200之互連端子238。類似於圖4之記憶卡300之突起312的突起1012可安置於記憶卡1000之頂面1041上。此外，類似於圖6之記憶卡400之斜面461的斜面1061可設置於記憶卡1000之拐角處。如同圖14以及圖15中所說明之記憶卡700之第一凹槽763，凹槽1063可形成於記憶卡1000之第一側面1045中。如同圖11中所說明之記憶卡500之第二凹槽562，凹口1066可形成於記憶卡1000之第二側面1046中。

圖24說明記憶卡1100。圖24為說明記憶卡1100的仰視透視圖。記憶卡1100可具有類似於圖1至圖3中所說明之記憶卡200之薄平行六面體形狀的薄平行六面體形狀。記憶卡1100包含互連端子1138，並且互連端子1138中之一或多個互連端子1138a可長於其他端子1138b。舉例而言，互連端子1138a可為電源端子，其比其他端子1138b長兩倍或兩倍以上。互連端子1138之面向背面1144之末端可沿同一條線而配置，且電源端子1138a之另一末端可比其他端子1138b之另一末端接近於正面1143。舉例而言，互連端子1138a可為電源端子1138a。在另一實例中，可設置多個互連端子1138a，並且互連端子1138a可為電源端子。

圖25說明記憶卡1200。圖25為說明記憶卡1200的仰視透視圖。記憶卡1200可具有類似於圖1至圖3中所說明之記憶卡200之薄平行六面體形狀的薄平行六面體形狀。保護區域1242b可設置於記憶卡1200之底面1242上於正面1243與互連端子1238之間。保護區域1242b可由不同於用於形成底面1242之另一區域1242a之材料的材料形成。保護區域1242b可由相比於用於形成其他區域1242a的材料在記憶卡1200與互連端子5140b接觸時對電子機器之互連端子(諸如，圖36之電子機器5100之互連端子5140b)造成較少損壞的材料形成。保護區域1242b可具有大致矩形的形狀。保護區域1242b之縱向方向可平行於第二方向14。保護區域1242b之長度P_L可足夠大以覆蓋互連端子1238之寬度T_W。舉例而言，保護區域1242b可自接近於第一側面1245之位置延伸至接近於第二側面1246之位置。或者，保護區域1242b可自第一側面1245延伸至第二側面1246。保護區域1242b之寬度P_W可大於各別互連端子1238之長度。保護區域1242b可安置於對應於大小類似於當前實施例之記憶卡1200的不同記憶卡之互連端子(諸如，圖37之記憶卡5160之互連端子5162)的位置處。舉例而言，不同記憶卡5160可為上述微型安全數位卡。

在上述實例中，所述互連端子平行於第二方向14而配置於接近於記憶卡之正面的記憶卡之底面上。然而，所述互連端子可配置於接近於記憶卡之背面的記憶卡之底面上。此外，所述互連端子可不平行於第二方向14。此外，所述互連端子可配置於記憶卡之頂面上。

圖26為說明根據發明概念之另一實例實施例之記憶卡1300的透視圖。圖26為說明記憶卡1300的仰視透視圖。記憶卡1300可具有類似於圖1至圖3中所說明之記憶卡200之薄平行六面體形狀的薄平行六面體形狀。記憶卡1300包含多組互連端子1338。舉例而言，記憶卡1300可包含兩組互連端子1338。舉例而言，對應於圖1至圖3中所說明之記憶卡200之互連端子238的記憶卡1300之互連端子1338現將稱為第一組互連端子1338a，並且其他互連端子1338將稱為第二組互連端子1338b。

第一組互連端子1338a之數目可不同於第二組互連端子1338b之數目。舉例而言，第一組互連端子1338a之數目可為九個，並且第二組互連端子1338b之數目可為八個。在此狀況下，第一組互連端子1338a可更包含專用於I/O之插腳。專用於I/O之插腳可最接近於第一側面。或者，第一組互連端子1338a之數目可等於第二組互連端子1338b之數目。

第二組互連端子1338b安置於正面1343與第一組互連端子1338a之間。舉例而言，安置第二組互連端子1338b之區域可對應於安置大小類似於記憶卡1300之不同記憶卡之互連端子(諸如，圖37之記憶卡5160之互連端子5162)的區域。舉例而言，不同記憶卡5160可為上述微型安全數位卡。第二組互連端子1338b之數目可等於第一組互連端子1338a之數目，並且第二組互連端子1338b可按照與第一組互連端子1338a相同之間隔來配置。在此狀況下，第二組互連端子1338b可分別與第一組互連端子1338a對準，如圖26中所展示。或者，互連端子1438可交錯(staggered)。舉例而言，記憶卡1400之第一組互連端子1438a與第二組互連端子1438b可交錯，如圖27中所展示。

第一組互連端子1338a以及第二組互連端子1338b可用於不同電子機器。第一組互連端子1338a可***至第一電子機器之插口中以與第一電子機器電性連接，且第二組互連端子1338b可***至第二電子機器之插口中以與第二電子機器電性連接。

第一以及第二電子機器可用於不同目的。第一以及第二電子機器中之每一者可包含可完全***記憶卡之插口。第一以及第二電子機器可與不同記憶卡一起使用，且第一電子機器之插口處所設置之互連端子之數目、大小以及配置可不同於第二電子機器之插口處所設置之互連端子之數目、大小以及配置。

圖28說明實例的第一電子機器2100以及實例的第二電子機器2200。第一電子機器2100可為諸如電腦、數位相機、數位攝錄一體機、蜂巢式電話以及個人數位助理(PDA)之裝置中的一者，並且第二電子機器2200可為所述裝置中之另一者。或者，第一電子機器2100以及第二電子機器2200可為同一種類之電子機器。舉例而言，第一電子機器2100以及第二電子機器2200可為蜂巢式電話。

第一電子機器2100以及第二電子機器2200可包含具有類似大小之插口2120以及2220。互連端子2140以及2240設置於插口2120以及2220處以與外部記憶卡(諸如，圖26中所說明之記憶卡1300)電性連接。舉例而言，互連端子2140以及2240可設置於插口2120以及2220之底面處。第一電子機器2100之插口2120之互連端子2140與插口2120之入口2122之間的距離短於第二電子機器2200之插口2220之互連端子2240與插口2220之入口2222之間的距離。在此狀況下，若記憶卡1300(參看圖26)***至第一電子機器2100之插口2120中，則第一組互連端子1338a電性連接至第一電子機器2100之互連端子2140。此外，若記憶卡1300(參看圖26)***至第二電子機器2200之插口2220中，則第二組互連端子1338b電性連接至第二電子機器2200之互連端子2240。

圖29說明另一實例記憶卡1500。圖29為說明記憶卡1500的仰視透視圖。記憶卡1500可具有類似於圖1至圖3中所說明之記憶卡200之薄平行六面體形狀的薄平行六面體形狀。記憶卡1500包含多個互連端子1538a以及1538b。舉例而言，記憶卡1500可包含第一組互連端子1538a以及第二組互連端子1538b。記憶卡1500之第一組互連端子1538a可安置於接近於記憶卡1500之背面1544之底面1542的區域中。記憶卡1500之第二組互連端子1538b可安置於接近於記憶卡1500之正面1543之底面1542的區域中。

圖30以及圖31說明記憶卡1600。圖30為說明記憶卡1600之俯視透視圖，並且圖31為說明記憶卡1600之仰視透視圖。記憶卡1600可具有類似於圖1至圖3中所說明之記憶卡200之薄平行六面體形狀的薄平行六面體形狀。記憶卡1600包含多個互連端子1638a以及1638b。舉例而言，記憶卡1600可包含第一組互連端子1638a以及第二組互連端子1638b。第一組互連端子1638a可安置於記憶卡1600之頂面1641上，並且第二組互連端子1638b可安置於記憶卡1600之底面1642上。舉例而言，第一組互連端子1638a可安置於接近於記憶卡1600之正面1643之頂面1641的區域中，並且第二組互連端子1638b可安置於接近於記憶卡1600之正面1643之底面1642的區域中。

在圖26、圖27、圖29以及圖31之記憶卡1300、1400、1500以及1600中，第一組互連端子1338a、1438a、1538a以及1638a以及第二組互連端子1338b、1438b、1538b以及1638b中的一組可以保護層來覆蓋。所述保護層可為阻焊劑(solder resist)或其他材料。舉例而言，所述保護層可為環氧化合物或環氧膠帶。

參看圖32，第一電子機器3100包含插口3120，並且互連端子3140設置於插口3120之頂面上。第二電子機器3200包含插口3220，並且互連端子3240設置於插口3220之底面上。記憶卡1600可與第一電子機器3100以及第二電子機器3200兩者一起使用。

在上述實例中，圖25、圖26、圖27、圖29以及圖30中所說明之記憶卡可具有類似於圖1至圖3中所說明之記憶卡之形狀的形狀。然而，記憶卡可具有類似於圖4、圖6、圖8、圖11、圖13、圖14、圖18、圖20以及圖22中所說明之記憶卡之形狀中的任一者的形狀。亦即，圖25、圖26、圖27、圖29以及圖30中所說明之記憶卡可包含突起312或612、斜面461或461a、凹口562、562a、865、866或1066、第一凹槽763或863以及第二凹槽764或864中的一者或多者。

圖33以及圖34說明記憶卡1700。圖33為說明記憶卡1700之俯視透視圖，並且圖34為說明記憶卡1700之仰視透視圖。記憶卡1700可具有類似於圖4以及圖5中所說明之記憶卡300之薄平行六面體形狀的薄平行六面體形狀。然而，凸起部分1758以及凹陷部分1759安置於記憶卡1700之第二側面1746(相對於第一側面1745)上。凸起部分1758可安置得接近於凹陷部分1759。凸起部分1758可比凹陷部分1759更接近於正面1743。如圖所示，記憶卡1700包含頂面1741以及突起1712。

圖35為說明另一實例記憶卡1800的分解透視圖。在上述實例中，已解釋記憶卡200至1700是按照藉由模製方法封入上面安裝有半導體晶片之電路板的方式來製造。然而，代替此情形，記憶卡1800可藉由將上面安裝有半導體晶片1834以及1836(例如，控制器以及記憶體晶片)之電路板1830***於外殼1801中來製造。舉例而言，外殼(case)1801包含上罩蓋1810以及下罩蓋1820。上罩蓋1810面向電路板1830之頂面，並且下罩蓋1820面向電路板1830之底面。當上罩蓋1810以及下罩蓋1820耦接時，一容納空間形成於上罩蓋1810以及下罩蓋1820內部，以使得可容納電路板1830。下罩蓋1820按照使得電路板1830之互連端子1838可曝露於外殼1801之外部的方式而成形。舉例而言，大小以及形狀對應於互連端子1838之開口1822可形成於下罩蓋1820中於對應於電路板1830之互連端子1838之位置的位置處。

圖36為說明根據發明概念之實例實施例之電子機器5100的透視圖。電子機器5100可與外部記憶卡(諸如，圖37中所說明之記憶卡5150或5160)電性連接以將諸如相片資料、語音資料、視訊資料或其他資訊的資料儲存於記憶卡5150或5160中，以及自記憶卡5150或5160讀取此類資料。舉例而言，電子機器5100可為電腦、數位相機、數位攝錄一體機、蜂巢式電話或PDA。電子機器5100包含主體以及插口5120。

插口5120可設置於所述主體之外部，以使得插口5120可直接曝露於電子機器5100之外部。插口5120之入口5122可由設置於主體處之罩蓋(未圖示)封閉或開放。插口5120包含容納空間以收納記憶卡5150或5160。舉例而言，所述容納空間可具有用以完全收納記憶卡5150或5160的充分體積。

插口5120包含多組互連端子5140。舉例而言，插口5120可包含第一組互連端子5140a以及第二組互連端子5140b。第一組互連端子5140a以及第二組互連端子5140b可與不同種類之記憶卡電性連接。舉例而言，第一組互連端子5140a安置於適當位置，以使得當(第一)記憶卡5150***至插口5120之容納空間中時，第一組互連端子5140a可電性連接至第一記憶卡5150之互連端子5152；第二組互連端子5140b安置於適當位置，以使得當(第二)記憶卡5160***至插口5120之容納空間中時，第二組互連端子5140b可電性連接至第二記憶卡5160之互連端子5162。第一記憶卡5150之互連端子5152之數目、大小以及配置不同於第二記憶卡5160之互連端子5162之數目、大小以及配置。

舉例而言，第一組互連端子5140a以及第二組互連端子5140b設置於插口5120之容納空間之底面上。第一組互連端子5140a以及第二組互連端子5140b可配置於同一方向上。第一組互連端子5140a可比第二組互連端子5140b接近於入口5122。

圖37說明電子機器5100與記憶卡5150以及5160一起使用之實例。舉例而言，第二記憶卡5160可為上述微型安全數位卡，並且第一記憶卡5150可為不同種類之記憶卡。第一記憶卡5150可為現有記憶卡或新種類之記憶卡。舉例而言，第一記憶卡5150可為圖1、圖4、圖6、圖8、圖11、圖13、圖14、圖18、圖20或圖22中所說明之記憶卡。當記憶卡5150***於所述容納空間中時，電子機器5100之插口5120之第一組互連端子5140a電性連接至第一記憶卡5150之互連端子5152。此外，當第二記憶卡5160***於所述容納空間中時，電子機器5100之插口5120之第二組互連端子5140b電性連接至第二記憶卡5160之互連端子5162。第一記憶卡5150可大於第二記憶卡5160。選擇性地，第一記憶卡5150可與第二記憶卡5160為相同大小。

圖38說明包含多個互連端子5240之另一電子機器5200。電子機器5200類似於圖36之電子機器5100。然而，第一組互連端子5240a安置於插口5220之容納空間之頂面上，並且第二組互連端子5240b安置於插口5220之容納空間之底面上。如圖38所示，插口5220包含入口5222。

圖41以及圖42說明可用於上述記憶卡中之實例三維(3D)記憶體晶片。圖41以及圖42之記憶體晶片為韓國專利申請公開案第2009-93770號以及第2007-96972號中所揭露之記憶體裝置的實例，兩個公開案之全部內容以引用方式併入本文中。上述實施例之記憶體晶片可為韓國專利申請公開案第2009-93770號中所揭露之垂直類型之記憶體裝置或韓國專利申請公開案第2007-96972號中所揭露之非揮發性半導體記憶體裝置。

上述實例實施例之記憶卡可更包含保護器以保護半導體晶片免受靜電放電(ESD)的影響。圖43為說明具備保護器之記憶卡的示意圖。詳言之，圖43說明保護器280包含於記憶卡200'中之狀況。除記憶卡200'包含保護器280外，記憶卡200'與記憶卡200相同。應理解，記憶卡200'可代替記憶卡200用於實例實施例中。此種保護器可包含於其他實例實施例之記憶卡中。參看圖43，保護器280包含接地端子281、保護性圖案282以及開關裝置283。電路板230可劃分為第一區域、第二區域以及第三區域。半導體晶片232安裝於所述第一區域中，並且接地端子281安置於所述第二區域中。保護性圖案282安置於所述第三區域中以保護半導體晶片232。舉例而言，所述第一區域可為電路板230之中心區域，所述第二區域可為所述中心區域之一面，並且所述第三區域可為安置於所述第一區域周圍除了所述第二區域外的區域。

接地端子281之末端連接至外部接地部分，並且接地端子281之其他末端連接至保護性圖案282。接地端子281可直接地或經由導電圖案而連接至所述接地部分或接地端子281。接地端子281之數目可為兩個，並且保護性圖案282之兩末端可分別連接至接地端子281。雖然說明兩個接地端子281，但可改變接地端子281之數目。接地端子281可由導電材料形成。所述導電材料可包含金屬或金屬化合物。舉例而言，所述導電材料可為銅或銅化合物。

保護性圖案282形成於電路板230之第二區域中，並且與半導體晶片232間隔一預定距離。保護性圖案282連接至接地端子281。在使用兩個接地端子281之狀況下，保護性圖案282之兩末端可分別在圍繞半導體晶片232的環路形狀中連接至接地端子281。保護性圖案282可由導電材料形成。所述導電材料可包含金屬或金屬化合物。舉例而言，所述導電材料可為銅或銅化合物。

開關裝置283串聯連接於接地端子281與保護性圖案282之間。舉例而言，開關裝置283可形成於保護性圖案282上，如圖43中所展示。在另一實例中，開關裝置283可直接連接至接地端子281。在當前實施例中，開關裝置283之數目可為兩個，並且接地端子281分別經由開關裝置283而連接至接地端子281之兩末端。雖然說明兩個開關裝置283，但可改變開關裝置283之數目。此外，開關裝置283可經安置而接近於接地端子281以最小化開關裝置283與接地端子281之間的距離。在此狀況下，當在諸如靜電放電狀態之高壓狀態下產生火花時，高壓電流可迅速經由保護性圖案282而流動至接地端子281。開關裝置283可包含曾納二極體(Zener diode)、電感器以及可變電阻器(變阻器)中之一者。

上述實例實施例之記憶卡可更包含輔助電源供應器6101，其用於在發生突然斷電事件時，穩定地執行突然斷電操作(諸如，資料備份操作)。圖44說明包含輔助電源供應器1601之實例記憶卡。參看圖44，輔助電源供應器1601包含第一超級電容器6111、第二超級電容器6112、充電電路6120、開關6130、電壓偵測器6140以及控制電路6150。

第一超級電容器6111以及第二超級電容器6112可為可儲存高容量電荷之電源儲存裝置。當所述記憶卡通電或按照正常狀態操作時，可對第一超級電容器6111以及第二超級電容器6112充電。第一超級電容器6111以及第二超級電容器6112中所儲存之電荷可作為輔助電源而供應至內部電路6102。第一超級電容器6111以及第二超級電容器6112之電容可根據時間而減小。若第一超級電容器6111歸因於其電容之減小而無法使用，則可能會不良地進行所述記憶卡之突然斷電操作。在此狀況下，第二超級電容器6112可供應輔助電源，並且可正常地進行所述記憶卡之突然斷電操作。

可依序供應第一超級電容器6111以及第二超級電容器6112之輔助電源。亦即，若第一超級電容器6111歸因於降級(degradation)而無法使用，則使用第二超級電容器6112。接地電路GND可連接至第二超級電容器6112。接地電路GND用以在第一超級電容器6111得以使用時對第二超級電容器6112放電。充電電路6120用以對第一超級電容器6111以及第二超級電容器6112充電。充電電路6120可包含內部電源供應器(未圖示)。在此狀況下，充電電路6120可藉由使用內部電源供應器而對第一超級電容器6111以及第二超級電容器6112充電。

或者，充電電路6120可藉由使用自外部電源供應器(未圖示)供應之電源而對第一超級電容器6111以及第二超級電容器6112充電。充電電路6120可經由充電路徑而將充電電流供應至第一超級電容器6111=以及第二超級電容器6112。開關6130連接於第二超級電容器6112與充電電路6120之間。開關6130可用以控制充電電流至第二超級電容器6112之供應。亦即，當開關6130接通時，充電電流供應至第二超級電容器6112，並且當開關6130斷開時，充電電流未供應至第二超級電容器6112。此外，開關6130可用以控制第二超級電容器6112之放電。亦即，若開關6130接通，則自第二超級電容器6112供應放電電流，並且若開關6130斷開，則並未自第二超級電容器6112供應放電電流。第一超級電容器6111以及第二超級電容器6112可經由放電路徑而供應放電電流。

電壓偵測器6140可偵測第一超級電容器6111以及第二超級電容器6112之充電電壓或放電電壓。電壓偵測器6140可藉由在第一超級電容器6111或第二超級電容器6112充電或放電時量測N節點之電壓來偵測充電電壓或放電電壓。

控制電路6150控制所述接地電路GND、充電電路6120、開關6130以及電壓偵測器6140。在使用第一超級電容器6111時，控制電路6150控制所述接地電路GND，以使得第二超級電容器6112放電。此外，控制電路6150控制充電電路6120，以使得充電電流供應至第一超級電容器6111以及第二超級電容器6112。該控制電路6150可控制開關6130以便不使用第二超級電容器6112。舉例而言，若第一超級電容器6111之電容充足，則根據該控制電路6150之控制，可不使用第二超級電容器6112。當並未使用第二超級電容器6112時，不必要地儲存於第二超級電容器6112中之電荷可根據該控制電路6150之控制而經由所述接地電路GND完全放電。該控制電路6150可根據接收自電壓偵測器6140之充電電壓或放電電壓來計算等效串聯電阻ESR。ESR為自N節點至第一超級電容器6111或第二超級電容器6112之電阻成分。當充電電流供應至第一超級電容器6111時，N節點之電壓歸因於ESR而於一預定時間急劇地增加。可藉由使用充電電流Ic以及N節點電壓Vn來計算ESR。

該控制電路6150可自電壓偵測器6140接收充電或放電電壓以計算第一超級電容器6111或第二超級電容器6112之電容。舉例而言，控制電路6150可自充電電流、充電時間以及N節點電壓Vn來計算第一超級電容器6111之電容Cs1。控制電路6150可包含內部計時器(未圖示)以計算充電時間。該控制電路6150可藉由使用ESR以及第一超級電容器6111或第二超級電容器6112之電容而確定開關6130接通之時間。

上述實例實施例之記憶卡可更包含旁路襯墊(pad)。所述旁路襯墊可電性連接至記憶體晶片。操作者可經由所述旁路襯墊來測試記憶體晶片之電特性。圖45至圖47說明包含旁路襯墊2040之實例記憶卡2000。圖45為記憶卡2000之仰視圖。圖46為說明在自記憶卡2000卸除保護罩2044時之記憶卡2000的視圖，並且圖47為沿圖45之線B-B'截取之剖視圖。

參看圖45至圖47，記憶卡2000可具有類似於圖1至圖3中所說明之記憶卡200之薄平行六面體形狀的薄平行六面體形狀。記憶卡2000之互連端子2038的位置可類似於圖1至圖3中所說明之記憶卡200之互連端子238。控制器晶片2036以及記憶體晶片2034可按照使得控制器晶片2036在水平方向上與記憶體晶片2034間隔開的方式而安裝於電路板2030上。或者，如同圖1至圖3中所說明之記憶卡200的狀況，控制器晶片2036可安置於記憶體晶片2034上。互連線2039可形成於電路板2030中，並且控制器晶片2036以及記憶體晶片2034可經由互連線2039以及導線2048而彼此連接。旁路襯墊2040設置於電路板2030之底面上。旁路襯墊2040連接至自互連線2039延伸之旁路線2042。若記憶卡2000異常地操作，則操作者可經由旁路襯墊2040來測試記憶卡2000之功能以檢查記憶卡2000之錯誤。

此外，保護罩2044可經設置以使得旁路襯墊2040無法曝露於記憶卡2000之外部。保護罩2044覆蓋旁路襯墊2040。保護罩2044可按照絕緣層之形式加以設置。舉例而言，保護罩2044可由阻焊劑形成。亦即，電路板2030之底面可用阻焊劑來塗佈，以使得所有旁路襯墊2040可經覆蓋。若有必要測試記憶卡2000，則操作者可在藉由經由蝕刻或拋光來移除阻焊劑而曝露旁路襯墊2040後執行測試。該保護罩2044可為由絕緣材料形成之絕緣層，其可容易藉由選擇性蝕刻製程來移除。舉例而言，保護罩2044可由基於環氧樹脂之聚合物形成。或者，保護罩2044可由一種囊封(capsulation)材料形成。或者，保護罩2044可由絕緣膠帶形成。

圖48說明用於選擇性地使用記憶卡(諸如，圖26、圖29、圖30以及圖31中所說明之記憶卡)中之兩組互連端子中之一組的實例結構。圖48為記憶卡之示意性仰視圖。圖48之記憶卡具有類似於圖26中所說明之記憶卡1300之結構的結構。在所述記憶卡中，藉由使用控制器晶片2136之輸出信號Tx或輸入信號Rx經由第一互連端子2138a或第二互連端子2138b傳輸或接收自記憶體晶片接收或待儲存於記憶體晶片中之資料。僅一個控制器晶片2136可安裝於電路板2130上。第一電容器襯墊2171以及第二電容器襯墊2172可安置於控制器晶片2136與第一互連端子2138a之間。

第一電容器襯墊2171經設置以用於控制器晶片2136與第一互連端子2138a之間的電性連接。第一電容器襯墊2171包含第一襯墊2171a以及第二襯墊2171b。第一襯墊2171a以及第二襯墊2171b彼此間隔一預定距離並安置成面對彼此。第一信號線2162以及第二信號線2163形成於電路板2130上。控制器晶片2136以及第一襯墊2171a直接經由第一信號線2162而形成電性連接。第二襯墊2171b以及第一互連端子2138a直接經由第二信號線2163而形成電性連接。

第二電容器襯墊2172經設置以用於控制器晶片2136與第二互連端子2138b之間的電性連接。第二電容器襯墊2172包含第三襯墊2172a以及第四襯墊2172b。第三襯墊2172a以及第四襯墊2172b彼此間隔一預定距離並安置成面對彼此。第三信號線2164以及第四信號線2165形成於電路板2130上。第三信號線2164自第一信號線2162延伸並且電性連接至第三襯墊2172a。第四襯墊2172b以及第二互連端子2138b直接經由第四信號線2165而電性連接。

第一襯墊2171a經由電容器2173而電性連接至第二襯墊2171b，或第三襯墊2172a經由電容器2173而電性連接至第四襯墊2172b。電容器2173可為DC阻隔電容器。若電容器2173連接於第一襯墊2171a與第二襯墊2171b之間，則所述記憶卡可經由第一互連端子2138a而連接至外部電子機器。若電容器2173連接於第三襯墊2172a與第四襯墊2172b之間，則所述記憶卡可經由第二互連端子2138b而連接至外部電子機器。

在實例實施例中，所述記憶卡可為以下各者或可結合以下各者而加以使用：CompactFlash類型(例如，類型I或II)、SD記憶卡、miniSD、microSD、TransFlash、MultiMediaCard(MMC)、MMCplus、RS-MMC、DV RS-MMC、MMCmobile、MMCmicro、記憶棒、記憶棒PRO、記憶棒Duo、記憶棒PRO Duo、SmartMedia卡、xD-Picture卡、PC卡(例如，類型I、II或III)及/或USB隨身碟(Flash Drive)。

以上所揭露之標的物被認為是說明性且並非限制性的，且隨附申請專利範圍意欲涵蓋屬於發明概念之真實精神以及範圍內的所有此類修改、增強以及其他實施例。因此，在法律所允許之最大範圍內，發明概念之範圍應由以下申請專利範圍以及其等效物之最廣泛可准許的解釋來確定，且不應由以上詳細描述加以限定或限制。

12．．．第一方向

14．．．第二方向

16．．．第三方向

18．．．虛線

200．．．記憶卡

200'．．．記憶卡

220．．．模製部件

230．．．電路板

232．．．半導體晶片

234．．．記憶體晶片

236．．．控制器晶片

238．．．互連端子

241．．．頂面

242．．．底面

243．．．正面

244．．．背面

245．．．第一側面

246．．．第二側面

280．．．保護器

281．．．接地端子

282．．．保護性圖案

283．．．開關裝置

300．．．記憶卡

312．．．突起

338．．．互連端子

341．．．頂面

343．．．正面

344．．．背面

345．．．第一側面

346．．．第二側面

400．．．記憶卡

401．．．記憶卡

412．．．突起

420．．．模製部件

430．．．電路板

434．．．記憶體晶片

436．．．控制器晶片

438．．．互連端子

439．．．被動組件

441．．．頂面

442．．．底面

443．．．正面

445．．．第一側面

446．．．第二側面

461．．．斜面

461a．．．斜面

500．．．記憶卡

501．．．記憶卡

512．．．突起

538．．．互連端子

541．．．頂面

542．．．底面

545．．．第一側面

546．．．第二側面

546'．．．第二側面

561．．．斜面

562．．．凹口

562a．．．凹口

700．．．記憶卡

712．．．突起

720．．．模製部件

730．．．電路板

734．．．記憶體晶片

736．．．控制器晶片

738．．．互連端子

739．．．被動組件

741．．．頂面

742．．．底面

743．．．正面

744．．．背面

745．．．第一側面

746．．．第二側面

763．．．第一凹槽

764．．．第二凹槽

800．．．記憶卡

812．．．突起

838．．．互連端子

841．．．頂面

842．．．底面

843．．．正面

845．．．側面

846．．．側面

863．．．第一凹槽

864．．．第二凹槽

865．．．第一凹口

866．．．第二凹口

900．．．記憶卡

912．．．突起

938．．．互連端子

941．．．頂面

945．．．側面

946．．．側面

961．．．斜面

963．．．第一凹槽

964．．．第二凹槽

1000．．．記憶卡

1012．．．突起

1038．．．互連端子

1041．．．頂面

1042．．．底面

1045．．．第一側面

1046．．．第二側面

1061．．．斜面

1063．．．凹槽

1066．．．凹口

1100．．．記憶卡

1138．．．互連端子

1138a．．．電源端子

1138b．．．其他端子

1143．．．正面

1144．．．背面

1200．．．記憶卡

1238．．．互連端子

1242．．．底面

1242a．．．其他區域

1242b．．．保護區域

1243．．．正面

1245．．．第一側面

1246．．．第二側面

1300．．．記憶卡

1338．．．互連端子

1338a．．．第一組互連端子

1338b．．．第二組互連端子

1343．．．正面

1400．．．記憶卡

1438．．．互連端子

1438a．．．第一組互連端子

1438b．．．第二組互連端子

1500．．．記憶卡

1538a．．．第一組互連端子

1538b．．．第二組互連端子

1542．．．底面

1543．．．正面

1544．．．背面

1600．．．記憶卡

1638a．．．第一組互連端子

1638b．．．第二組互連端子

1641．．．頂面

1642．．．底面

1643．．．正面

1700．．．記憶卡

1712．．．突起

1741．．．頂面

1743．．．正面

1745．．．第一側面

1746．．．第二側面

1758．．．凸起部分

1759．．．凹陷部分

1800．．．記憶卡

1801．．．外殼

1810．．．上罩蓋

1820．．．下罩蓋

1822．．．開口

1830．．．電路板

1834．．．半導體晶片

1836．．．半導體晶片

1838．．．互連端子

2000．．．記憶卡

2030．．．電路板

2034．．．記憶體晶片

2036．．．控制器晶片

2038．．．互連端子

2039．．．互連線

2040．．．旁路襯墊

2042．．．旁路線

2044．．．保護罩

2048．．．導線

2100．．．第一電子機器

2120．．．插口

2122．．．入口

2130．．．電路板

2136．．．控制器晶片

2138a．．．第一互連端子

2138b．．．第二互連端子

2140．．．互連端子

2162．．．第一信號線

2163．．．第二信號線

2164．．．第三信號線

2165．．．第四信號線

2171．．．第一電容器襯墊

2171a．．．第一襯墊

2171b．．．第二襯墊

2172．．．第二電容器襯墊

2172a．．．第三襯墊

2172b．．．第四襯墊

2173．．．電容器

2200．．．第二電子機器

2220．．．插口

2222．．．入口

2240．．．互連端子

3100．．．第一電子機器

3120．．．插口

3140．．．互連端子

3200．．．第二電子機器

3220．．．插口

3240．．．互連端子

5100．．．電子機器

5120．．．插口

5122．．．入口

5140．．．互連端子

5140a．．．第一組互連端子

5140b．．．第二組互連端子

5150．．．記憶卡

5152．．．互連端子

5160．．．記憶卡

5162．．．互連端子

5200．．．電子機器

5220．．．插口

5222．．．入口

5240．．．互連端子

5240a．．．第一組互連端子

5240b．．．第二組互連端子

5300．．．電子機器

5320．．．插口

5360．．．突起

5400．．．電子機器

5420．．．插口

5460．．．突起

6101．．．輔助電源供應器

6102．．．內部電路

6111．．．第一超級電容器

6112．．．第二超級電容器

6120．．．充電電路

6130．．．開關

6140．．．電壓偵測器

6150．．．控制電路

Rx．．．輸入信號

Tx．．．輸出信號

圖1為說明根據發明概念之實例實施例之記憶卡的俯視透視圖。

圖2為圖1中所說明之記憶卡的仰視透視圖。

圖3為沿圖1之線A-A'截取之剖視圖。

圖4為說明圖1之記憶卡之另一實例實施例的俯視透視圖。

圖5為說明圖4之記憶卡的仰視透視圖。

圖6為說明圖1之記憶卡之另一實例實施例的俯視透視圖。

圖7為說明圖6之記憶卡的仰視透視圖。

圖8為說明圖1之記憶卡之另一實例實施例的俯視透視圖。

圖9以及圖10為用於說明圖8之記憶卡之記憶體晶片以及控制器晶片的前視圖以及俯視圖。

圖11為說明圖1之記憶卡之另一實例實施例的俯視透視圖。

圖12為說明圖11之記憶卡的仰視透視圖。

圖13為說明圖1之記憶卡之另一實例實施例的仰視透視圖。

圖14為說明圖1之記憶卡之另一實例實施例的俯視透視圖。

圖15為說明圖13之記憶卡的仰視透視圖。

圖16以及圖17為用於說明圖14之記憶卡之記憶體晶片以及控制器晶片的前視圖以及俯視圖。

圖18為說明圖1之記憶卡之另一實例實施例的俯視透視圖。

圖19為說明圖18之記憶卡的仰視透視圖。

圖20為說明圖1之記憶卡之另一實例實施例的俯視透視圖。

圖21為說明圖20之記憶卡的仰視透視圖。

圖22為說明圖1之記憶卡之另一實例實施例的俯視透視圖。

圖23為說明圖22之記憶卡的仰視透視圖。

圖24為說明圖1之記憶卡之另一實例實施例的仰視透視圖。

圖25為說明圖1之記憶卡之另一實例實施例的仰視透視圖。

圖26為說明圖1之記憶卡之另一實例實施例的仰視透視圖。

圖27為說明圖1之記憶卡之另一實例實施例的仰視透視圖。

圖28為可與圖26之記憶卡一起使用的根據實例實施例之電子機器的示意性透視圖。

圖29為說明圖1之記憶卡之另一實例實施例的仰視透視圖。

圖30為說明圖1之記憶卡之另一實例實施例的俯視透視圖。

圖31為說明圖30之記憶卡的仰視透視圖。

圖32為說明可與圖30之記憶卡一起使用的根據實例實施例之電子機器的示意性透視圖。

圖33為說明圖1之記憶卡之另一實例實施例的俯視透視圖。

圖34為說明圖33之記憶卡的仰視透視圖。

圖35為說明圖1之記憶卡之另一實例實施例的分解透視圖。

圖36為說明根據發明概念之實例實施例之電子機器的示意性透視圖。

圖37為可與圖36之電子機器一起使用的根據實例實施例之記憶卡的透視圖。

圖38為說明圖36之電子機器之另一實例實施例的示意性透視圖。

圖39為說明可與圖8之記憶卡一起使用的根據實例實施例之電子機器的透視圖。

圖40為說明可與圖14之記憶卡一起使用的根據實例實施例之電子機器的透視圖。

圖41以及圖42為說明可用於上述記憶卡中之根據實例實施例之記憶體晶片的視圖。

圖43為說明設有保護器之根據實例實施例之記憶卡的示意圖。

圖44為說明具備輔助電源供應器之記憶卡的示意圖。

圖45為說明根據實例實施例之包含旁路襯墊之記憶卡的仰視圖。

圖46為說明在自記憶卡卸除保護罩時之圖45之記憶卡的視圖。

圖47為沿圖45之線B-B'截取之剖視圖。

圖48為說明根據實例實施例之用於選擇性地使用記憶卡之兩組互連端子中之一組的結構的視圖。

12．．．第一方向

14．．．第二方向

16．．．第三方向

200．．．記憶卡

241．．．頂面

243．．．正面

244．．．背面

245．．．第一側面

246．．．第二側面

Claims (19)

1. 一種記憶卡，其包括：正面、背面、第一側面、第二側面、頂面以及底面；所述頂面以及所述底面中之至少一者上的第一組互連端子，所述第一組互連端子經組態以操作性地與外部電子機器連接，其中所述第一組互連端子中之每一者具有平行於第一方向之長度，並且所述第一組互連端子是沿著第二方向而配置，並且所述第一組互連端子中之至少一些分別與所述正面間隔開大於所述互連端子之長度的距離；以及第二組互連端子，所述第二組互連端子平行所述第一組互連端子，其中，所述第一組互連端子用以***第一電子機器的插口以與所述第一電子機器電連接，所述第二組互連端子用以***第二電子機器的插口以與所述第二電子機器電連接，且其中，所述第一組互連端子包括電源端子與接地端子，所述第二組互連端子亦包括電源端子與接地端子。
2. 如申請專利範圍第1項所述之記憶卡，更包括一第一凹槽處於所述頂面中，所述第一凹槽之末端延伸至所述正面。
3. 如申請專利範圍第2項所述之記憶卡，其中所述第一凹槽具有平行於所述第一方向之長度，並且所述第一凹槽之面延伸至所述第一側面。
4. 如申請專利範圍第2項所述之記憶卡，更包括一凹口處於所述頂面中，所述凹口比所述第一凹槽接近於所述背面。
5. 如申請專利範圍第2項所述之記憶卡，更包括一第二凹槽處於所述頂面中。
6. 如申請專利範圍第2項所述之記憶卡，其中所述記憶卡實質上為矩形，並且所述第一方向垂直於所述正面。
7. 如申請專利範圍第2項所述之記憶卡，其更包括：所述底面上之控制器晶片以及至少一個記憶體晶片，其中所述控制器晶片處於所述記憶體晶片上，並且所述記憶體晶片之一部分處於所述第一凹槽正下方。
8. 如申請專利範圍第7項所述之記憶卡，其中所述控制器晶片之一部分處於所述第一凹槽上方。
9. 如申請專利範圍第1項所述之記憶卡，更包括一斜面在所述頂面中位於所述正面與所述第一側面之間，且達到所述底面上方的深度。
10. 如申請專利範圍第9項所述之記憶卡，其更包括：所述底面上之控制器晶片以及至少一個記憶體晶片，其中所述控制器晶片處於所述記憶體晶片上，記憶體晶片之一部分處於所述斜面正下方，並且所述控制器晶片之一部分處於所述斜面之底部上方。
11. 如申請專利範圍第1項所述之記憶卡，更包括一凹口形成於所述頂面中，所述凹口之深度處於所述底面上 方。
12. 如申請專利範圍第1項所述之記憶卡，更包括一凹槽處於所述頂面中並且相比於所述第二側面較接近於所述第一側面，且包括一凹口處於所述頂面中並且相比於所述第一側面較接近於所述第二側面，所述凹槽之末端延伸至所述正面，並且所述凹口之末端與所述正面間隔開，並且所述凹口之另一末端與所述背面間隔開。
13. 如申請專利範圍第1項所述之記憶卡，其中所述第一組互連端子包括電源互連端子以及其他電源互連端子，並且所述電源互連端子中之一者或多者比所述其他互連端子長兩倍或兩倍以上並且比所述其他互連端子接近於所述正面。
14. 如申請專利範圍第1項所述之記憶卡，其中所述第一組互連端子之所述長度相等，並且所述第一組互連端子中之每一者與所述正面間隔相同距離。
15. 如申請專利範圍第1項所述之記憶卡，其更包括：處於所述底面上之印刷電路板；處於所述印刷電路板上之半導體晶片；以及模製部件，其經組態以覆蓋所述印刷電路板以及所述半導體晶片之頂表面。
16. 如申請專利範圍第15項所述之記憶卡，其中所述模製部件包含所述正面、所述背面、所述第一側面、所述 第二側面以及所述頂面。
17. 如申請專利範圍第1項所述之記憶卡，其中所述第二組互連端子平行於所述第一組互連端子。
18. 如申請專利範圍第17項所述之記憶卡，其中所述第二組互連端子處於所述正面與所述第一組互連端子之間。
19. 如申請專利範圍第17項所述之記憶卡，其中所述第一組互連端子之數目不同於所述第二組互連端子之數目。